觸控面板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種觸控面板，其包括多條沿第一方向上間距排列的第一納米銀線電極串，多條沿第二方向上間距排列的第二納米銀線電極串，所述多條第一納米銀線電極串與所述多條第二納米銀線電極串相互絕緣，所述各第一納米銀線電極串包含多條分支，所述多條分支間界定出至少一非導(dǎo)電區(qū)，所述多條分支在所述觸控面板上規(guī)則分布。本實(shí)用新型所提供的觸控面板具有觸控靈敏度高，光學(xué)表現(xiàn)佳等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】觸控面板
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本實(shí)用新型涉及觸控【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種觸控靈敏度佳的觸控面板。
【【背景技術(shù)】】
[0002]在傳統(tǒng)智能手機(jī)，如iphone等的電容式觸控面板中，觸控電極的材料通常為氧化銦錫(簡(jiǎn)稱為Ι--)。ITO的透光率很高，導(dǎo)電性能較好。但隨著觸控技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，用戶對(duì)觸控面板提出了更高的要求，ITO作為傳統(tǒng)的觸控材料其展現(xiàn)了如下不足:
[0003]1.觸控面板尺寸的逐步增大，特別是應(yīng)用于15寸以上的面板時(shí)，ITO的缺陷越來越突出，其中最明顯的缺陷就是ITO的面電阻過大，嚴(yán)重影響的觸控面板的觸控靈敏度；
[0004]2.在制造方法上，為制作出符合規(guī)格的觸控電極圖案，ITO需要采用高階黃光工藝，高階黃光工藝的設(shè)備成本高，制程復(fù)雜，其造成觸控面板的制造成本無法有效降低，這與電子產(chǎn)品不斷低價(jià)化的發(fā)展趨勢(shì)背道而馳；
[0005]3.1TO薄膜非常脆弱，即使在遇到較小物理應(yīng)力的彎曲也非常容易被破壞。然而，在可穿戴設(shè)備逐漸崛起的新興產(chǎn)品市場(chǎng)的浪潮下，ITO材料作為傳統(tǒng)的觸控導(dǎo)電材料已經(jīng)因先天上缺點(diǎn)而有面臨被其它替代ITO材料的新興方案逐步取代的趨勢(shì)；
[0006]ITO除了上述的缺點(diǎn)之外，由于銦為自然界的稀有金屬，其價(jià)格昂貴，供應(yīng)受限，且ITO需要真空腔、較高的沉積溫度和/或高退火溫度來獲得高傳導(dǎo)性，工藝較為復(fù)雜，故，其在很大程度上提高了觸控面板的材料成本，另外，ITO結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜還存在光學(xué)表現(xiàn)性能上的諸多問題，選擇ITO作為主流的觸控電極材料，其在一定程度上阻礙觸控產(chǎn)業(yè)朝高性價(jià)比的低價(jià)化解決方案發(fā)展。
[0007]綜上所述，要使觸控面板產(chǎn)業(yè)更加快速的發(fā)展，那么，業(yè)界確實(shí)殷切地需要且必須尋找一種新的解決方案，藉以同時(shí)克服或解決前述ITO所存在的價(jià)格昂貴，電阻高，工藝復(fù)雜，抗損性能差，光學(xué)表現(xiàn)欠佳等缺點(diǎn)。
[0008]更進(jìn)一步，在習(xí)知觸控面板中存在的既有問題為:當(dāng)用戶在進(jìn)行觸控操作的時(shí)候，由于上下兩層觸控電極重疊區(qū)域并非十分平均，故，手指或觸控筆尖端觸碰在兩電極的間距區(qū)之間的時(shí)候，會(huì)出現(xiàn)該區(qū)域內(nèi)對(duì)應(yīng)的兩層觸控電極疊合區(qū)域較少或者幾乎沒有重疊區(qū)域，致使觸控感應(yīng)失效并導(dǎo)致觸控靈敏度較低，其影響了觸控面板的整體觸控效果，如何改善觸控面板局部觸控靈敏度的問題成為了觸控產(chǎn)業(yè)的一大難題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0009]為克服現(xiàn)有觸控導(dǎo)電材料所存在電阻大，成本高，抗損性能差以及現(xiàn)有觸控面板所存在的制程復(fù)雜，局部觸控靈敏度低等問題，本實(shí)用新型提供了一種觸控靈敏度佳的觸控面板。
[0010]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案是:提供一種觸控面板，其包括多條沿第一方向上間距排列的第一納米銀線電極串，多條沿第二方向上間距排列的第二納米銀線電極串，所述多條第一納米銀線電極串與所述多條第二納米銀線電極串相互絕緣，所述各第一納米銀線電極串包含多條分支，所述多條分支間界定出至少一非導(dǎo)電區(qū)，所述多條分支在所述觸控面板上規(guī)則分布。
[0011 ] 優(yōu)選地，在所述各第一納米銀線電極串與所述各第二納米銀線電極串的交疊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有一個(gè)或多條斷線區(qū)，所述各斷線區(qū)設(shè)置在所述各第一納米銀線電極串或所述各第二納米銀線電極串上。
[0012]優(yōu)選地，所述各斷線區(qū)可為矩形條狀、S形折回狀、圓形或不規(guī)則形狀中的其中一種或多種。
[0013]優(yōu)選地，所述各第二納米銀線電極串包括多條第二納米銀線子電極串，所述多條第二納米銀線子電極串并聯(lián)設(shè)置。
[0014]優(yōu)選地，所述各第一納米銀線電極串為“U”形、“E”形、指叉形或“回”字形。
[0015]優(yōu)選地，所述各第一納米銀線電極串包含一第一側(cè)壁及一第二側(cè)壁，所述兩相鄰第二側(cè)壁界定的非導(dǎo)電區(qū)的寬幅為W，所述兩相鄰第一納米銀線電極串于所述兩相鄰第一側(cè)壁之間的距離為H，位于最外側(cè)的所述第一納米銀線電極串的一第一側(cè)壁與所述第二納米銀線電極串邊界的距離長(zhǎng)度為T，所述各第一納米銀線電極串的所述多條分支具有相等寬度 dl，W = H 或 T = W = H 或 T = W = H = dl 或 W 與 H 之比為 1: (0.5-2)。
[0016]優(yōu)選地，所述各第二納米銀線子電極串的寬度為s2，位于所述非導(dǎo)電區(qū)兩側(cè)的所述兩第一納米銀線電極串分支具有相等寬度d2，s2與d2比值為1: (1-2.5)。
[0017]優(yōu)選地，所述第一納米銀線電極串的每一分支寬度為20-100μπι，優(yōu)選為40 μ m-80 μ m,所述第二納米銀線電極串寬度為180-360 μ m。
[0018]優(yōu)選地，所述各第一納米銀線電極串和/或所述各第二納米銀線電極串邊緣為粗糙毛邊，其轉(zhuǎn)角處為圓弧轉(zhuǎn)角結(jié)構(gòu)。
[0019]優(yōu)選地，所述觸控面板進(jìn)一步包括多條接地電極串，所述多條接地電極串分別與所述多條第一納米銀線電極串和所述多條第二納米銀線電極串絕緣設(shè)置，并對(duì)應(yīng)所述第二納米銀線電極串之間的間隙設(shè)置，所述各第一納米銀線電極串和/或所述各第二納米銀線電極串，和/或所述各接地電極串邊緣為粗糙毛邊且其轉(zhuǎn)角處為圓弧轉(zhuǎn)角結(jié)構(gòu)。
[0020]優(yōu)選地，所述觸控面板進(jìn)一步包括一上基板與一基材層，所述各第一納米銀線電極串與所述各第二納米銀線電極串分別形成于所述基材層的上表面與下表面，所述各第一納米銀線電極串設(shè)置在所述上基板與所述基材層之間，所述上基板與所述各第一納米銀線電極串間另設(shè)有一聞?wù)凵渎蕦印?br> [0021]優(yōu)選地，所述觸控面板進(jìn)一步包括一上基板與一基材層，所述各第一納米銀線電極串設(shè)置在所述上基板表面，所述各第二納米銀線電極串設(shè)置在所述基材層表面，所述上基板與所述基材層間另設(shè)有一高折射率層。
[0022]優(yōu)選地，所述觸控面板進(jìn)一步包括一上基板，一第一基材層與一第二基材層，所述第一基材層設(shè)置在所述上基板與所述第二基材層之間，所述各第一納米銀線電極串與所述各第二納米銀線電極串分別設(shè)置在所述第一基材層與所述第二基材層上，所述第一基材層或所述第二基材層或所述多條第一納米銀線電極串或所述多條第二納米銀線電極串表面設(shè)置有一高折射率層。
[0023]優(yōu)選地,所述觸控面板進(jìn)一步依次包括一上基板，一上基材層，一上偏光片，一液晶層，一下偏光片以及一下基材層，所述上基板一側(cè)為觸控面，另一側(cè)為組件安裝面，所述多條第一納米銀線電極串與所述多條第二納米銀線電極串設(shè)置在所述上基板的所述組件安裝面、所述上基材層的上/下表面、所述上偏光片上/下表面、所述下偏光片上/下表面、所述下基材層的上/下表面的其中一組合中的兩個(gè)表面上，所述上基板與所述下基材層間另設(shè)有一高折射率層。
[0024]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型觸控面板具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0025]1.本實(shí)用新型中的觸控電極圖案是通過將納米銀線溶液涂布成納米銀線導(dǎo)電層后，經(jīng)過圖案化工藝(例如激光鐳射制程或低階黃光微影制程)處理所形成。納米銀線之間通過搭接形成傳導(dǎo)網(wǎng)絡(luò)，納米銀線作為觸控電極導(dǎo)電材料具有價(jià)格低，電阻低，撓性好等優(yōu)點(diǎn)，尤其是納米銀線導(dǎo)電層非常薄，其能以不同型材作為承載層，其在一定程度上使觸控面板變得更薄成為可能。
[0026]2.本實(shí)用新型中第一納米銀線電極串分支間設(shè)置有非導(dǎo)電區(qū)，該非導(dǎo)電區(qū)的寬度W等于相鄰第一納米銀線電極串之間的距離H，其使得第一納米銀線電極串在觸控面板上空間排布均勻，因此在手指觸碰觸控面板的不同位置時(shí)，觸控電極所產(chǎn)生的電容變化量趨于一致，其從整體上有效提升了觸控面板的觸控靈敏度。
[0027]3.由于在第一納米銀線電極串上分支間設(shè)置有非導(dǎo)電區(qū)，故，在同一尺寸的觸控面板的生產(chǎn)過程中，第一納米銀線電極串的整體寬度可以做的比傳統(tǒng)的觸控電極串的寬度更寬，相鄰第一納米銀線電極串之間的間隙寬度減小，其使得手指或觸控筆等觸控操作體能夠有效地觸碰到第一納米銀線電極串，從而提升觸控效果；亦即，本新型電極串由于采用透光率絕佳的納米銀線薄，可以采用40 μ m-80 μ m線寬來提供優(yōu)異的導(dǎo)電率，并能導(dǎo)入低價(jià)位的低階黃光微影制程方案。
[0028]4.在觸控面板中，在不同方向上的觸控電極的交疊區(qū)域處，觸控操作體不太容易帶走交疊區(qū)域內(nèi)的電容，但其容易帶走觸控交疊區(qū)域邊緣的電容量，在本實(shí)施例中第一納米銀線電極串兩兩分支中部設(shè)置非導(dǎo)電區(qū)，即第一納米銀線電極串與第二納米銀線電極串的重疊區(qū)域內(nèi)邊緣增多，其進(jìn)一步提升了觸控面板的觸控靈敏度。在觸控筆尺寸半徑小于等于2mm時(shí)，本實(shí)用新型所提供的觸控面板比傳統(tǒng)觸控面板的觸控靈敏度提高20?50%，其改善觸控靈敏度的效果非常明顯。
[0029]5.進(jìn)一步，由于納米銀線存在一定的霧度問題,本實(shí)施例中,第一納米銀線電極串在觸控面板上分布均勻，其能夠有效地改善觸控面板的光學(xué)表現(xiàn)。第一納米銀線電極串的等間距設(shè)置越嚴(yán)格，觸控面板的觸控靈敏度以及光學(xué)效果越佳。優(yōu)選地，于采用激光鐳射雷刻制程的圖案化工藝方案中，非導(dǎo)電區(qū)內(nèi)保留有基質(zhì)，其使得非導(dǎo)電區(qū)內(nèi)的材質(zhì)與第一納米銀線電極串的材質(zhì)較為接近，也因折射率相近故光學(xué)匹配效果較佳，其使得整個(gè)觸控面板的光學(xué)效果表現(xiàn)較佳，克服了光線射入觸控面板時(shí)，因?yàn)榻缑娌馁|(zhì)折射率差異大而引起的光線不均勻以及觸控電極圖案浮現(xiàn)的問題。
[0030]6.激光氣化基質(zhì)表面納米銀線后留下所述納米級(jí)通道是屬于人眼于宏觀下所無法辨識(shí)到的尺度，因此，并不會(huì)引起視覺上的不良影響，又所述納米級(jí)通道于基質(zhì)上形成粗糖表面，可有效提聞表面的漫反射。
[0031]7.實(shí)質(zhì)上，于本新型中，優(yōu)選地可運(yùn)用激光鐳射在非導(dǎo)電區(qū)進(jìn)行連續(xù)式螺旋軌跡光刻，此舉并未全然氣化非導(dǎo)電區(qū)內(nèi)的納米銀線，而僅僅將第一納米銀線電極串相連兩分支之間的區(qū)域完成連續(xù)式螺旋電性切斷動(dòng)作；也因此，當(dāng)只將非導(dǎo)電區(qū)與第一納米銀線電極串臨界處的電性進(jìn)行斷開時(shí)，該非導(dǎo)電區(qū)中心區(qū)域仍然保留有納米銀線導(dǎo)電層，其使得非導(dǎo)電區(qū)中心區(qū)與第一納米銀線電極串材質(zhì)相同，其折射率相同，觸控面板的光學(xué)效果表現(xiàn)更佳。
[0032]8.Y方向上等間距排列設(shè)置的第二納米銀線電極串線寬達(dá)到了 180-360 μ m，相鄰第二納米銀線電極串之間緊密排列，故其能夠有效地屏蔽來自觸控面板下面的干擾信號(hào)。此外，由于觸控電極圖案的的寬幅較大，故，其制作工藝可以采用低階黃光微影制程，其可以有效降低生產(chǎn)成本。綜上所述，觸控面板具有成本低，撓性好，觸控靈敏度好，光學(xué)表現(xiàn)佳，抗干擾性能強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn)。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0033]圖1是本實(shí)用新型納米銀線導(dǎo)電薄膜的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖2是本實(shí)用新型納米銀線導(dǎo)電薄膜的平面示意圖。
[0035]圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例觸控面板的層狀結(jié)構(gòu)示意圖，其包括一第一納米銀線電極層和一第二納米銀線電極層。
[0036]圖4a是圖3中第一納米銀線電極層和第二納米銀線電極層正交平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]圖4b是圖3中第一納米銀線電極層和第二納米銀線電極層正交平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]圖4c是圖3中第一納米銀線電極層和第二納米銀線電極層正交平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0039]圖5圖3中第一納米銀線電極層的變形結(jié)構(gòu)示意圖。
[0040]圖6是本實(shí)用新型第二實(shí)施例觸控面板之第一納米銀線電極層和第二納米銀線電極層正交平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]圖7是本實(shí)用新型第三實(shí)施例觸控面板之第一納米銀線電極層和第二納米銀線電極層正交平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0042]圖8是本實(shí)用新型第四實(shí)施例觸控面板之第一納米銀線電極層和第二納米銀線電極層正交平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0043]圖9是本實(shí)用新型第五實(shí)施例觸控面板之第一納米銀線電極層和第二納米銀線電極層正交平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]圖10是本實(shí)用新型第六實(shí)施例觸控面板之第一納米銀線電極層和第二納米銀線電極層正交平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0045]圖11是本實(shí)用新型第七實(shí)施例觸控面板的層狀結(jié)構(gòu)示意圖，其包括一第一納米銀線電極層，一第二納米銀線電極層和一接地電極層。
[0046]圖12是圖11中第一納米銀線電極層與第二納米銀線電極層以及接地電極層正交平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0047]圖13是本實(shí)用新型第八實(shí)施例觸控面板之第一納米銀線電極層與第二納米銀線電極層以及接地電極層正交平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0048]圖14是本實(shí)用新型第九實(shí)施例觸控面板之第一納米銀線電極層和第二納米銀線電極層正交平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0049]圖15是本實(shí)用新型第十實(shí)施例觸控面板的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0050]圖16是本實(shí)用新型第i^一實(shí)施例觸控面板的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0051]圖17是本實(shí)用新型第十二實(shí)施例觸控面板的層狀結(jié)構(gòu)示意圖?！尽揪唧w實(shí)施方式】】
[0052]為了使本實(shí)用新型的目的，技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施實(shí)例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0053]請(qǐng)參閱圖1與圖2，圖1系納米銀線導(dǎo)電薄膜800的剖切結(jié)構(gòu)示意圖，其包括襯底807和制作在襯底807上的納米銀線導(dǎo)電層805，納米銀線導(dǎo)電層805包括嵌入在基質(zhì)803中的多根納米銀線801，納米銀線801排布在基質(zhì)803中相互搭接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。納米銀^ 801 (silver nano wires,簡(jiǎn)稱 SNW)的線長(zhǎng)為 10-300 μ m,優(yōu)選 20-100 μ m,最好其長(zhǎng)度20-50 μ m,納米銀線801的線徑(或者說線寬)小于500nm或小于200nm，10nm,優(yōu)選為小于50nm，且其長(zhǎng)寬比(線長(zhǎng)與線徑之比)大于10，優(yōu)選大于50，更優(yōu)選大于100。
[0054]襯底807 —般為透明絕緣材料，可以是玻璃、聚酰亞胺(Polyimide，PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，但并不以此為限。于本實(shí)用新型中，優(yōu)選地，襯底807采用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
[0055]銀在一般狀態(tài)下為銀白色金屬，且為不透明材料，導(dǎo)電性極佳。而銀制成納米銀線801時(shí)，納米銀線801具有良好的透光率和極佳的導(dǎo)電性，能夠很好的運(yùn)用于觸控面板的觸控電極。
[0056]基質(zhì)803是指含納米銀線801的溶液在經(jīng)過涂布等方法設(shè)置在襯底807上，經(jīng)過加熱烘干使得易揮發(fā)的物質(zhì)揮發(fā)后，留在襯底807上的非納米銀線物質(zhì)。納米銀線801散布或嵌入其中，形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，部分納米銀線801從基質(zhì)803材料中突出。納米銀線801依靠基質(zhì)803形成納米銀線導(dǎo)電層805，基質(zhì)803可以保護(hù)納米銀線801免受腐蝕、磨損等外界環(huán)境的影響。
[0057]納米銀線導(dǎo)電層805的厚度約為1nm—5口111,優(yōu)選為2011111—I μ m,更優(yōu)為50nm—200nm。在一些實(shí)施例中，納米銀線導(dǎo)電層805的折射率為1.3—2.5，更優(yōu)為1.35—1.8。
[0058]含納米銀線801的溶液是指，納米銀線801分散在特定的溶劑里而形成的懸浮溶液，該溶劑可以是水、水溶液、有機(jī)溶劑、無機(jī)溶劑、離子溶液、含鹽溶液、超臨界流體、油或其混合物等，或是可用于均勻制備含納米銀線的溶液的任何溶劑。該溶劑里還可以依需求選擇性含有其它添加劑，如分散劑、表面活性劑、交聯(lián)劑、潤(rùn)濕劑或增稠劑，但不以此為限。
[0059]此外，可通過選擇適當(dāng)?shù)幕|(zhì)803材料來調(diào)整納米銀線導(dǎo)電層805的光學(xué)特性，特別是解決霧度問題。例如，可以將基質(zhì)803調(diào)整為具有期望的折射率、組成元素和一定的厚度，都可以有效地減少反射損耗、眩光影響、霧度。
[0060]霧度是指由于納米銀線導(dǎo)電層805中的納米銀線801表面光漫射造成的云霧狀或混濁的外觀。屏幕的霧度問題會(huì)導(dǎo)致在室外場(chǎng)景光線照射的情況下，屏幕反射光強(qiáng)烈，嚴(yán)重的時(shí)候會(huì)使得用戶看不清屏幕。
[0061]納米銀線導(dǎo)電層805的透光率或清晰度可由以下參數(shù)定量的限定:透光率和霧度。透光率是指通過介質(zhì)傳輸?shù)娜肷涔獾陌俜直龋{米銀線801具備超高透光率(>98% )，而納米銀線導(dǎo)電層805的透光率至少為90%，甚至可以高達(dá)91% -98%。霧度是光漫射的指數(shù)，霧度是指入射光中分離出來并在傳輸?shù)倪^程中散射的光的數(shù)量百分比。透光率在很大程度上是透光介質(zhì)的性質(zhì)，與之不同的是，霧度經(jīng)常和產(chǎn)品有關(guān)，且典型地是由表面粗糙度和介質(zhì)中的嵌入粒子或組份的不均勻性導(dǎo)致的。在本實(shí)用新型的實(shí)施例中霧度不會(huì)超過3%,甚至可以達(dá)到不超過1.5 %。
[0062]請(qǐng)參閱圖3，本實(shí)用新型第一實(shí)施例觸控面板10從上至下(本實(shí)用新型所有實(shí)施例中所采用的上、下、左右等位置限定詞，僅用于限定指定視圖上的相對(duì)位置，而非絕對(duì)位置)依次包括一上基板11，一貼合層12，一第一納米銀線電極層13，一第一基材層14，一貼合層18，一第二納米銀線電極層15以及一第二基材層16，第一納米銀線電極層13與第二納米銀線電極層15分別成型于第一基材層14與第二基材層16上，即第一基材層14與第二基材層16分別作為第一納米銀線電極層13與第二納米銀線電極層15的附著層。上基板11與第一基材層14之間通過貼合層12實(shí)現(xiàn)兩者之間的貼合，第一基材層14與第二基材層16之間通過貼合層18實(shí)現(xiàn)兩者之間的貼合，貼合層12，18具有介電性。上基板11上表面可以是觸控筆或手指的接觸面，第二基材層16的下表面可以用于依附顯示模組。
[0063]上基板11可以認(rèn)定為我們傳統(tǒng)觸控面板上的觸摸蓋板，所謂的蓋板包括一觸控操作面IlA與一組件安裝面11B，其觸控操作面IlA用于手指或觸控筆等進(jìn)行觸控操作，組件安裝面IlB則用于安裝觸控電極組件或顯示模組等，上基板11的材質(zhì)可以是玻璃，強(qiáng)化玻璃，藍(lán)寶石，PEEK(polyetheretherketone聚醚醚酮)，PI (Polyimide聚酰亞胺)，PET (polyethylene terephthalate聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)，PC (聚碳酸酯聚碳酸酯)，PES (聚丁二酸乙二醇酯，PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯polymethylmethacrylate)及其任意兩者的復(fù)合物等材料。
[0064]第一納米銀線電極層13與第二納米銀線電極層15分別通過納米銀線導(dǎo)電層805圖案化后制成。
[0065]貼合層12可以選用OCA(光學(xué)透明膠，Optical Clear Adhesive)或LOCA(液態(tài)光學(xué)透明膠，Liquid Optical Clear Adhesive)。特別地,為了優(yōu)化觸控面板10的光效果，貼合層12為一高折射率層，其折射率為1.52-1.79，優(yōu)選為1.7以使采用納米銀線導(dǎo)電層805做成的第一納米銀線電極層13和/或第二納米銀線電極層15可以將霧度降低到5%以下，最佳可以降低到甚至1.5%以下。
[0066]第一基材層14和/或第二基材層16的材質(zhì)較佳可以選用柔性基材例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)，當(dāng)然也可以是剛性基材，如玻璃，強(qiáng)化玻璃，藍(lán)寶石玻璃，PI (聚酰亞胺)，PC(聚碳酸酯)，聚醚砜(PES)，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、壓克力、聚丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚酰胺(PA)、聚苯并咪唑聚丁烯(PB)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚酯(PE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚醚酰亞胺、聚乙烯(PE)、PET、聚苯乙烯(PS)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氨酯(PU)、聚氯乙烯(PVC)等。
[0067]請(qǐng)參閱圖4a、4b、4c，以圖4a為例，第一納米銀線電極層13包括多條在第一方向上(以下簡(jiǎn)稱X方向)平行等間距排列的第一納米銀線電極串131。第一納米銀線電極串131呈長(zhǎng)條狀，該長(zhǎng)條狀上設(shè)置有一絕緣區(qū)域:非導(dǎo)電區(qū)133，該非導(dǎo)電區(qū)133為長(zhǎng)方形，其使得第一納米銀線電極串131呈“U”字形。該第一納米銀線電極串131包括一第一側(cè)壁131a與第二側(cè)壁131b，該第一側(cè)壁131a朝向第一納米銀線電極串131外部，該第二側(cè)壁131b朝向第一納米銀線電極串131內(nèi)部，非導(dǎo)電區(qū)133具有一定寬度W，即第二側(cè)壁131b界定寬度為W，任意兩相鄰的第一納米銀線電極串131之間的距離為H，即兩相鄰的第一納米銀線電極串131之第一側(cè)壁131a之間的距離為H，寬度W等于任意兩第一納米銀線電極串131之間的距離H。
[0068]非導(dǎo)電區(qū)133內(nèi)只剩余納米銀線導(dǎo)電層805中的基質(zhì)803，該區(qū)域內(nèi)的納米銀線801在制作工藝中被激光鐳射汽化掉。當(dāng)然該非導(dǎo)電區(qū)133也可以完全鏤空，即該區(qū)域內(nèi)的基質(zhì)803和納米銀線801均被完全移除，例如使用低價(jià)黃光微影蝕刻掉。亦即是，該非導(dǎo)電區(qū)133也可以通過移除其與第一納米銀線電極串131臨界處的納米銀線801僅留下基質(zhì)803，或?qū)⒃撆R界處的基質(zhì)803和納米銀線801完全移除使得非導(dǎo)電區(qū)133與第一納米銀線電極串131電性隔離，該非導(dǎo)電區(qū)133中心區(qū)域仍然保留有納米銀線導(dǎo)電層805，其與第一納米銀線電極串131彼此獨(dú)立，無電性連接。
[0069]第二納米銀線電極層15包括多條在第二方向上(以下簡(jiǎn)稱Y方向)平行等間距排列的第二納米銀線電極串151，第二納米銀線電極串151為矩形狀，其寬度為180-360 μ m。第二方向與第一方向正交，從觸控面板10的正面看過去，第一納米銀線電極串131與第二納米銀線電極串151正交。當(dāng)然，X和Y夾角角度不作限定。
[0070]以圖4a所示，僅以第一納米銀線電極串131設(shè)置一非導(dǎo)電區(qū)133形成兩條分支結(jié)構(gòu)為例來進(jìn)行說明，在本實(shí)施例及其變形實(shí)施例中，第一納米銀線電極串131的非導(dǎo)電區(qū)133可以是多條，即第一納米銀線電極串131被非導(dǎo)電區(qū)133分為兩條或兩條以上的分支，至于兩條以上的分支可參如圖4b、4c所繪示之三分支或四分支，對(duì)應(yīng)于三分支或四分支的第一納米銀線電極串131分別為“E”字形與指叉形。第一納米銀線電極串131的每一分支寬度為20-100 μ m,優(yōu)選為40 μ m-80 μ m,最佳地，第二納米銀線電極串151寬度與第一納米銀線電極串131分支寬度比為4:1，滿足該參數(shù)的狀況下，觸控面板10可以取得較好的觸控靈敏度。
[0071]本實(shí)施例中以二條第一納米銀線電極串131和二條第二納米銀線電極串151為例來進(jìn)行說明，其可以是往任意方向延展的多條第一納米銀線電極串131和/或第二納米銀線電極串151。第二納米銀線電極串151的形狀不限定為長(zhǎng)條狀，其還可以是多條菱形單元串接形成或其他不規(guī)則形狀。第一納米銀線電極層13可設(shè)置在第一基材層14的上表面，第二納米銀線電極層15可設(shè)置在第二基材層16的上表面。
[0072]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型觸控面板10的觸控電極圖案是通過將納米銀線801溶液涂布成納米銀線導(dǎo)電層805后，經(jīng)過圖案化工藝(例如激光鐳射制程或低階黃光微影制程)處理所形成。納米銀線801之間通過搭接形成傳導(dǎo)網(wǎng)絡(luò)，納米銀線801作為觸控電極導(dǎo)電材料具有價(jià)格低，電阻低，撓性好等優(yōu)點(diǎn)，尤其是納米銀線導(dǎo)電層805非常薄，其能以不同型材作為承載層，其在一定程度上使觸控面板10變得更薄成為可能。其次，本實(shí)用新型中第一納米銀線電極串131設(shè)置有非導(dǎo)電區(qū)133，該非導(dǎo)電區(qū)133的寬度W等于相鄰第一納米銀線電極串131之間的距離H，其使得第一納米銀線電極串131在觸控面板10上分布均勻，因此在手指觸碰觸控面板10的不同位置時(shí)，觸控電極所產(chǎn)生的電容變化量趨于一致，其從整體上有效提升了觸控面板10的觸控靈敏度。
[0073]由于在第一納米銀線電極串131上設(shè)置有非導(dǎo)電區(qū)133，故，在同一尺寸的觸控面板10的生產(chǎn)過程中，第一納米銀線電極串131的整體寬度可以做的比傳統(tǒng)的觸控電極串的寬度更寬，相鄰第一納米銀線電極串131之間的間隙寬度減小，其使得手指或觸控筆等觸控操作體能夠有效地觸碰到第一納米銀線電極串131，從而提升觸控效果；亦即，本新型電極串由于采用透光率絕佳的納米銀線導(dǎo)電層805，可以采用40 μ m-80 μ m線寬來提供優(yōu)異的導(dǎo)電率，并能導(dǎo)入低價(jià)位的低階黃光微影制程方案。在觸控面板10中，在不同方向上的觸控電極的交疊區(qū)域處，觸控操作體不太容易帶走交疊區(qū)域內(nèi)的電容，但其容易帶走觸控交疊區(qū)域邊緣的電容量，在本實(shí)施例中第一納米銀線電極串131中部界定有一非導(dǎo)電區(qū)133，即第一納米銀線電極串131與第二納米銀線電極串151的重疊區(qū)域內(nèi)邊緣增多，其進(jìn)一步提升了觸控面板10的觸控靈敏度。在觸控筆尺寸半徑小于等于2mm時(shí)，本實(shí)用新型所提供的觸控面板10比傳統(tǒng)觸控面板的觸控靈敏度提高20?50%，其改善觸控靈敏度的效果非常明顯。
[0074]進(jìn)一步，由于納米銀線801存在一定的霧度問題，本實(shí)施例中，第一納米銀線電極串131在觸控面板10上空間排布均勻，其能夠有效地改善觸控面板10的光學(xué)表現(xiàn)。第一納米銀線電極串131的等間距設(shè)置越嚴(yán)格，觸控面板10的觸控靈敏度以及光學(xué)效果越佳。優(yōu)選地，于采用激光鐳射制程的圖案化工藝方案中，非導(dǎo)電區(qū)133內(nèi)保留有基質(zhì)803，其使得非導(dǎo)電區(qū)133內(nèi)的材質(zhì)與第一納米銀線電極串131的材質(zhì)較為接近，也因折射率相近，故光學(xué)匹配效果較佳，故，其使得整個(gè)觸控面板10的光學(xué)效果表現(xiàn)較佳，克服了光線射入觸控面板10時(shí)，因?yàn)榻缑娌馁|(zhì)折射率差異大而引起的光線不均勻以及觸控電極圖案浮現(xiàn)的問題。
[0075]此處需要說明的是，激光氣化基質(zhì)803表面納米銀線801后留下所述納米級(jí)通道是屬于人眼于宏觀下所無法辨識(shí)到的尺度，因此，并不會(huì)引起視覺上的不良影響，又所述納米級(jí)通道于基質(zhì)803上形成粗糙表面，可有效提高表面的漫反射。實(shí)質(zhì)上，于本新型中，優(yōu)選地可運(yùn)用激光鐳射在非導(dǎo)電區(qū)133進(jìn)行連續(xù)式螺旋軌跡光刻，此舉并未全然氣化非導(dǎo)電區(qū)133內(nèi)的納米銀線801，而僅僅將第一納米銀線電極串131相連兩分支之間的區(qū)域完成連續(xù)式螺旋電性切斷動(dòng)作。
[0076]也因此，當(dāng)只將非導(dǎo)電區(qū)133與第一納米銀線電極串131臨界處的電性進(jìn)行斷開時(shí)，該非導(dǎo)電區(qū)133中心區(qū)域仍然保留有納米銀線導(dǎo)電層805，其使得非導(dǎo)電區(qū)133中心區(qū)與第一納米銀線電極串131材質(zhì)相同，其折射率相同，觸控面板10的光學(xué)效果表現(xiàn)更佳。Y方向上等間距排列設(shè)置的第二納米銀線電極串151線寬達(dá)到了 180-360 μ m，相鄰第二納米銀線電極串151之間緊密排列，故其能夠有效地屏蔽來自觸控面板10下面的干擾信號(hào)。此夕卜，由于觸控電極圖案的的寬幅較大，若有需要，其制作工藝可以選擇性采用低階黃光微影制程，其可以有效降低生產(chǎn)成本。綜上所述，觸控面板10具有成本低，撓性好，觸控靈敏度好，光學(xué)表現(xiàn)佳，抗干擾性能強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn)。
[0077]第一納米銀線電極串131的設(shè)置可具有如下變形實(shí)施方式:
[0078]變形實(shí)施方式一:從第一納米銀線電極串131與第二納米銀線電極串151的疊加效果來看，位于最外側(cè)第一納米銀線電極串131的第一側(cè)壁131a與所述第二納米銀線電極串151邊界的距離長(zhǎng)度為T，T = W = H,即從Y方向上看，第一納米銀線電極串131在整個(gè)觸控面板10上等間距設(shè)置，在滿足該參數(shù)的情況下，觸控面板10的觸控靈敏度可以得到進(jìn)一步提升。
[0079]變形實(shí)施方式二:非導(dǎo)電區(qū)133寬度W等于兩第一納米銀線電極串131之間的距離H，非導(dǎo)電區(qū)133設(shè)置在第一納米銀線電極串131的中部，即位于非導(dǎo)電區(qū)133兩側(cè)的第一納米銀線電極串131具有等寬度dl。最佳地,W = H = dl,即從Y方向上看,第一納米銀線電極串131在整個(gè)觸控面板10上嚴(yán)格等間距設(shè)置，在滿足該參數(shù)的情況下，觸控面板10的觸控靈敏度可以得到大幅提升。
[0080]變形實(shí)施方式三:上述參數(shù)T = dl = W = H,即從Y方向上看,第一納米銀線電極串在整個(gè)觸控面板上完全嚴(yán)格等間距設(shè)置。在滿足該參數(shù)的情況下，觸控面板的觸控靈敏度最佳。
[0081]變形實(shí)施方式四:非導(dǎo)電區(qū)133寬度W與任意兩第一納米銀線電極串131之間的距離H之比為1:(0.5-2)，從Y方向上看去，第一納米銀線電極串131在整個(gè)觸控面板10上按一定規(guī)則均勻排布，在滿足該參數(shù)的情況下，同樣可以提升觸控面板10的觸控靈敏度。
[0082]本實(shí)施例及其變形中，第一納米銀線電極串131不限定于“U”形狀，其還可以是近似“回”字形，而回字形上下兩端可外接訊號(hào)處理電路，如圖5所示，第一納米銀線電極串1310中間設(shè)置有一絕緣的非導(dǎo)電區(qū)1330，該非導(dǎo)電區(qū)1330完全形成于第一納米銀線電極串1310區(qū)域內(nèi)，其使得第一納米銀線電極串1310呈“回”字形，該非導(dǎo)電區(qū)1330的數(shù)量不作限定，其可以是一個(gè)或多條，將第一納米銀線電極串1310分成多條分支。近似“回”字形的第一納米銀線電極串1310兩端封閉，在其一端線路受損時(shí)，整條第一納米銀線電極串1310仍然可以正常工作，其提高了整個(gè)觸控面板10的抗損性能。本實(shí)用新型中主要以“U”形狀的第一納米銀線電極串131為例來進(jìn)行說明，然“回”形狀的第一納米銀線電極串1310同樣適用于其他實(shí)施例。
[0083]請(qǐng)參閱圖6，本實(shí)用新型的第二實(shí)施例觸控面板20與第一實(shí)施例及其變形實(shí)施方式的不同之處僅在于:第二納米銀線電極串251包括四條相互平行間距設(shè)置的第二納米銀線子電極串2511，該四條第二納米銀線子電極串2511 —側(cè)設(shè)置有走線259，該走線259將四條第二納米銀線子電極串2511并聯(lián)。第二納米銀線子電極串2511的寬度為s2，位于非導(dǎo)電區(qū)233兩側(cè)的第一納米銀線電極串231具有等寬度d2，s2<d2，最佳地，s2比d2為I: (1-2.5)，更佳地s2 = 0.5d2，在滿足此參數(shù)的狀況下，可以有效地增加第一納米銀線電極串231與第二納米銀線電極串251交疊區(qū)域的邊緣數(shù)量。一第二納米銀線電極串251所包括的第二納米銀線子電極串2511的數(shù)量不作限定，其可以是兩條，三條或多條。
[0084]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例觸控面板20比實(shí)施例一觸控面板10更優(yōu)之處在于其一第二納米銀線電極串251包括多條第二納米銀線子電極串2511，第一納米銀線電極串231與第二納米銀線電極串251交疊區(qū)域的邊緣增加，其進(jìn)一步提升了觸控面板20的觸控靈敏度。另外，多條第二納米銀線子電極串2511并聯(lián)設(shè)置，當(dāng)其中一條斷裂時(shí)，第二納米銀線電極串251仍然能夠正常工作，其提升了觸控面板20的抗損性能。
[0085]請(qǐng)參閱圖7，本實(shí)用新型的第三實(shí)施例觸控面板30與第一實(shí)施例及其變形實(shí)施方式的不同之處僅在于:第二納米銀線電極串351在與第一納米銀線電極串331的交疊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有四個(gè)絕緣的斷線區(qū)3511，該斷線區(qū)3511為矩形條狀，其并排平行設(shè)置。該斷線區(qū)3511的寬度為s3，位于非導(dǎo)電區(qū)333兩側(cè)的第一納米銀線電極串331具有等寬度d3，s3 ( d3，最佳地，s3與d3比值為1: (1-2.5)，更佳地s3 = 0.5d3，在滿足此參數(shù)的狀況下，可以有效地保證第二納米銀線電極串351導(dǎo)電性并增加第一納米銀線電極串331與第二納米銀線電極串351交疊區(qū)域的邊緣數(shù)量。斷線區(qū)3511的數(shù)量不作限定，生產(chǎn)商可以根據(jù)第二納米銀線電極串351的寬度來設(shè)置。
[0086]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例觸控面板30比實(shí)施例一觸控面板10更優(yōu)之處在于第二納米銀線電極串351在其與第一納米銀線電極串331的交疊區(qū)域內(nèi)邊緣增加，其有效提升了觸控面板30的觸控靈敏度。
[0087]請(qǐng)參閱圖8，本實(shí)用新型的第四實(shí)施例觸控面板40與第一實(shí)施例及其變形實(shí)施方式的不同之處僅在于:第二納米銀線電極串451在與第一納米銀線電極串431的交疊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有絕緣的斷線區(qū)4511，該斷線區(qū)4511為S形折回狀，該斷線區(qū)4511寬度為s4，位于非導(dǎo)電區(qū)433兩側(cè)的第一納米銀線電極串431具有等寬度d4，s4< d4，最佳地，s4與d4比值為1: (1-2.5)，更佳地s4 = 0.5d4，在滿足此參數(shù)的狀況下，可以有效地保證第二納米銀線電極串451導(dǎo)電性并增加第一納米銀線電極串431與第二納米銀線電極串451交疊區(qū)域的邊緣數(shù)量。提升了觸控面板40的觸控靈敏度。斷線區(qū)4511的具體形狀不作限定。
[0088]請(qǐng)參閱圖9，本實(shí)用新型的第五實(shí)施例觸控面板50與第一實(shí)施例及其變形實(shí)施方式的不同之處僅在于:第二納米銀線電極串551在與第一納米銀線電極串531的交疊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有多條絕緣且以孔形式存在的斷線區(qū)5511，該斷線區(qū)5511為圓形，其直徑為s5，位于非導(dǎo)電區(qū)533兩側(cè)的第一納米銀線電極串531具有等寬度d4，s4 ( d4，最佳地，s4與d4比值為1: (1-2.5)，更佳地s4 = 0.5d4，在滿足此參數(shù)的狀況下，可以有效地保證第二納米銀線電極串551導(dǎo)電性并增加第一納米銀線電極串531與第二納米銀線電極串551交疊區(qū)域的邊緣數(shù)量，有效提升了觸控面板40的觸控靈敏度。
[0089]請(qǐng)參閱圖10，本實(shí)用新型的第六實(shí)施例觸控面板60與第一實(shí)施例及其變形實(shí)施方式的不同之處僅在于:第一納米銀線電極串631圍繞出非導(dǎo)電區(qū)633且其上設(shè)置有多條絕緣的斷線區(qū)6311，該斷線區(qū)6311為條狀體，該斷線區(qū)6311的形狀和數(shù)量不作限定，其可以是S形折回結(jié)構(gòu)或圓孔或其他不規(guī)則形狀中的一種或多種。斷線區(qū)6311的設(shè)計(jì)增加第一納米銀線電極串631與第二納米銀線電極串651交疊區(qū)域的邊緣數(shù)量。提升了觸控面板60的觸控靈敏度，且斷線區(qū)6311設(shè)計(jì)在第一納米銀線電極串631上時(shí)，其靠近觸控操作面，相對(duì)于第二納米銀線電極串651遠(yuǎn)離觸控面板60下方的觸控顯示模組，故，斷線區(qū)6311的設(shè)計(jì)不會(huì)影響到第二納米銀線電極串651的屏蔽效果。
[0090]請(qǐng)參閱圖11，本實(shí)用新型的第七實(shí)施例觸控面板70與第二實(shí)施例及其變形實(shí)施方式的不同之處僅在于:觸控面板70增設(shè)了一接地電極層77與一第三基材層79，該接地電極層77形成于第三基材層79上，第三基材層79作為其附著層。觸控面板70從上至下一次設(shè)置有一上基板71，一貼合層72, —第一納米銀線電極層73, —第一基材層74, —貼合層78，一第二納米銀線電極層75，一第二基材層76，一貼合層710，一接地電極層77以及一第三基材層79，第三基材層79與第二基材層76通過貼合層710貼合。第三基材層77為絕緣材質(zhì)，其材質(zhì)一般與第一基材層74和/或第二基材層76材質(zhì)保持一致。
[0091]請(qǐng)參閱圖12，接地電極層77上設(shè)置有多條接地電極串771，該接地電極串771成柵欄形狀設(shè)置，其匹配于第二納米銀線電極層75的絕緣區(qū)域，即其位置對(duì)應(yīng)于第二納米銀線子電極串7511之間的間隙區(qū)域，接地電極串771之間按一定規(guī)則間距設(shè)計(jì)，優(yōu)選地，接地電極771等間距設(shè)計(jì)。接地電極串7511同一側(cè)設(shè)置有走線779，該走線779 —端連接于所有的接地電極串771，另一端接地。接地電極層77通過納米銀線導(dǎo)電層805圖案化所形成。接地電極層77不限定于設(shè)置在第二納米銀線電極層75的下方，其可以設(shè)置在第一基材層74或第二基材層76的上表面或下表面均可。第一納米銀線電極串731圍繞出非導(dǎo)電區(qū) 733。
[0092]接地電極串771之間按一定規(guī)則間距設(shè)置，從觸控面板70的可視面正面看過去，接地電極串771與第二納米銀線電極串751的疊加效果相當(dāng)于在整個(gè)觸控面板上平鋪滿了一層納米銀線導(dǎo)電層805，故接地電極層77的設(shè)置使觸控面板70可以有效地屏蔽來自觸控模組下方的干擾信號(hào)，提升整個(gè)觸控面板70的顯示效果，增加互電容感應(yīng)量改善觸控靈敏度。
[0093]請(qǐng)參閱圖13，本實(shí)用新型的第八實(shí)施例觸控面板80與第七實(shí)施例及其變形實(shí)施方式的不同之處僅在于:該接地電極串871匹配于第二納米銀線子電極串8511之間的空隙方式不一樣，本實(shí)施例中接地電極串871為長(zhǎng)條狀，其與第二納米銀線子電極串8511并排平行設(shè)置。
[0094]本實(shí)用新型的第九實(shí)施例觸控面板與第一實(shí)施例至第八實(shí)施例及其變形實(shí)施方式的不同之處僅在于其觸控電極圖案上，請(qǐng)參閱圖14，該觸控面板90之第一納米銀線電極層93包括多條第一納米銀線電極串931，該第一納米銀線電極串931以及第二納米銀線電極串951的邊緣為粗糙毛邊958，其轉(zhuǎn)角處為圓弧轉(zhuǎn)角結(jié)構(gòu)959而非鋒利的直角結(jié)構(gòu)，其效果近似于轉(zhuǎn)角處設(shè)置有倒圓角。其他尺寸參數(shù)與實(shí)施例一以及變形實(shí)施方式保持一致。本實(shí)施例僅以圖14中觸控面板90與第一實(shí)施例觸控電極圖案的不同之處為例來進(jìn)行說明，也就是本實(shí)施例中可以采用第一實(shí)施例至第八實(shí)施例等任意觸控面板結(jié)構(gòu)，但其第一納米銀線電極串和/或第二納米銀線電極串和/或接地電極串的邊緣為粗糙毛邊，轉(zhuǎn)角處為圓弧結(jié)構(gòu)。
[0095]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例觸控面板90比實(shí)施例一至第八實(shí)施例中觸控面板更優(yōu)之處在于:具有粗糙毛邊以及圓弧轉(zhuǎn)角結(jié)構(gòu)的第一納米銀線電極串和/或第二納米銀線電極串和/或接地電極串邊緣相對(duì)柔和，而非銳利的直線或直角，其能夠有效的優(yōu)化過于直線化的輪廓邊緣線問題進(jìn)而提升觸控面板的顯示效果，尤其是采用納米銀線導(dǎo)電層805制作形成的觸控電極圖案，該毛邊與圓弧轉(zhuǎn)角設(shè)計(jì)使得圖案的邊緣輪廓柔和，其在一定程度上減緩了表面光漫射造成的云霧狀或混濁的外觀，即該粗糙毛邊以及圓弧轉(zhuǎn)角設(shè)計(jì)可以有效降低納米銀線801所存在的霧度問題。
[0096]請(qǐng)參閱圖15，本實(shí)用新型的第十實(shí)施例觸控面板100與第一實(shí)施例至第六實(shí)施例及其變形實(shí)施方式的不同之處僅在于:該觸控面板100的第一納米銀線電極層1013與第二納米銀線電極層1015設(shè)置在第一基材層1014的上下表面，故該觸控面板100從上至下一次包括一上基板1011，一貼合層1012，一第一納米銀線電極層1013，一第一基材層1014，一第二納米銀線電極層1015。進(jìn)一步，生產(chǎn)商可根據(jù)需要在第一納米銀線電極層1013或第二納米銀線電極層1015表面設(shè)置接地電極層(圖未視)。
[0097]請(qǐng)參閱圖16，本實(shí)用新型的第i^一實(shí)施例觸控面板200與第一實(shí)施例至第六實(shí)施例及其變形實(shí)施方式的不同之處僅在于:該觸控面板200的第一納米銀線電極層2013設(shè)置在上基板2011上,故該觸控面板200從上至下一次包括一上基板2011, —第一納米銀線電極層2013，一貼合層2012，一第一基材層2014，一第二納米銀線電極層2015。第二納米銀線電極層2015可設(shè)置在第一基材層2014的上表面。進(jìn)一步，生產(chǎn)商可根據(jù)需要在第一納米銀線電極層2013或第二納米銀線電極層2015表面或第一基材層2014上表面設(shè)置接地電極層(圖未視)。
[0098]請(qǐng)參閱圖17，本實(shí)用新型的第十二實(shí)施例觸控面板300與第一實(shí)施例至第六實(shí)施例，第九實(shí)施例及其變形實(shí)施方式的不同之處僅在于:第一納米銀線電極層3013設(shè)置在上基板3011上，第二納米銀線電極層3015設(shè)置在上基材3012的下表面，至此，觸控面板300從上至下依次包括一上基板3011，一第一納米銀線電極層3013，一上基材層3012，一第二納米銀線電極層3015,—上偏光片3014, —液晶層3018,—下偏光片3016以及一下基材層3017，液晶層3015，夾持在上偏光片3014與下偏光片3016之間。上基板3011的上表面為觸控面3011A，其下表面為組件安裝面3011B，第一納米銀線電極層3013與第二納米銀線電極層3015可設(shè)置在上基板3011的組件安裝面30IlB、上基材層3012的上/下表面、上偏光片3014上/下表面、下偏光片3016上/下表面、下基材層3017的上/下表面的其中兩個(gè)表面上。
[0099]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的原則之內(nèi)所作的任何修改，等同替換和改進(jìn)等均應(yīng)包含本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控面板，其包括多條沿第一方向上間距排列的第一納米銀線電極串，多條沿第二方向上間距排列的第二納米銀線電極串，所述多條第一納米銀線電極串與所述多條第二納米銀線電極串相互絕緣，其特征在于:所述各第一納米銀線電極串包含多條分支，所述多條分支間界定出至少一非導(dǎo)電區(qū)，所述多條分支在所述觸控面板上規(guī)則分布。
2.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于:在所述各第一納米銀線電極串與所述各第二納米銀線電極串的交疊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有一個(gè)或多條斷線區(qū)，所述各斷線區(qū)設(shè)置在所述各第一納米銀線電極串或所述各第二納米銀線電極串上。
3.如權(quán)利要求2所述的觸控面板，其特征在于:所述各斷線區(qū)可為矩形條狀、S形折回狀、圓形或不規(guī)則形狀中的其中一種或多種。
4.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于:所述各第二納米銀線電極串包括多條第二納米銀線子電極串，所述多條第二納米銀線子電極串并聯(lián)設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于:所述各第一納米銀線電極串為“U”形、“E”形、指叉形或“回”字形。
6.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于:所述各第一納米銀線電極串包含一第一側(cè)壁及一第二側(cè)壁，所述兩相鄰第二側(cè)壁界定的非導(dǎo)電區(qū)的寬幅為W，所述兩相鄰第一納米銀線電極串于所述兩相鄰第一側(cè)壁之間的距離為H，位于最外側(cè)的所述第一納米銀線電極串的一第一側(cè)壁與所述第二納米銀線電極串邊界的距離長(zhǎng)度為T，所述各第一納米銀線電極串的所述多條分支具有相等寬度dl，W = H或T = W = H或T = W = H = dl或W與H之比為 I:(0.5-2)。
7.如權(quán)利要求4所述的觸控面板，其特征在于所述各第二納米銀線子電極串的寬度為s2,位于所述非導(dǎo)電區(qū)兩側(cè)的所述第一納米銀線電極串分支具有相等寬度d2，s2與d2比值為 1:(1-2.5)。
8.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于:所述第一納米銀線電極串的每一分支寬度為20-100 μ m，優(yōu)選為40 μ m-80 μ m，所述第二納米銀線電極串寬度為180-360 μ m。
9.如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的觸控面板，其特征在于:所述各第一納米銀線電極串和/或所述各第二納米銀線電極串邊緣為粗糙毛邊，其轉(zhuǎn)角處為圓弧轉(zhuǎn)角結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的觸控面板，其特征在于:所述觸控面板進(jìn)一步包括多條接地電極串，所述多條接地電極串分別與所述多條第一納米銀線電極串和所述多條第二納米銀線電極串絕緣設(shè)置，并對(duì)應(yīng)所述第二納米銀線電極串之間的間隙設(shè)置，所述各第一納米銀線電極串和/或所述各第二納米銀線電極串，和/或所述各接地電極串邊緣為粗糙毛邊且其轉(zhuǎn)角處為圓弧轉(zhuǎn)角結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于:所述觸控面板進(jìn)一步包括一上基板與一基材層，所述各第一納米銀線電極串與所述各第二納米銀線電極串分別形成于所述基材層的上表面與下表面，所述各第一納米銀線電極串設(shè)置在所述上基板與所述基材層之間，所述上基板與所述各第一納米銀線電極串間另設(shè)有一高折射率層。
12.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于:所述觸控面板進(jìn)一步包括一上基板與一基材層，所述各第一納米銀線電極串設(shè)置在所述上基板表面，所述各第二納米銀線電極串設(shè)置在所述基材層表面，所述上基板與所述基材層間另設(shè)有一高折射率層。
13.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于:所述觸控面板進(jìn)一步包括一上基板，一第一基材層與一第二基材層，所述第一基材層設(shè)置在所述上基板與所述第二基材層之間，所述各第一納米銀線電極串與所述各第二納米銀線電極串分別設(shè)置在所述第一基材層與所述第二基材層上，所述第一基材層或所述第二基材層或所述多條第一納米銀線電極串或所述多條第二納米銀線電極串表面設(shè)置有一高折射率層。
14.如權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于:所述觸控面板進(jìn)一步依次包括一上基板，一上基材層，一上偏光片，一液晶層，一下偏光片以及一下基材層，所述上基板一側(cè)為觸控面，另一側(cè)為組件安裝面，所述多條第一納米銀線電極串與所述多條第二納米銀線電極串設(shè)置在所述上基板的所述組件安裝面、所述上基材層的上/下表面、所述上偏光片上/下表面、所述下偏光片上/下表面、所述下基材層的上/下表面的其中一組合中的兩個(gè)表面上，所述上基板與所述下基材層間另設(shè)有一高折射率層。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK204155255SQ201420534148
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年9月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月17日
【發(fā)明者】黃松建, 鄭太獅, 何加友, 張凡忠 申請(qǐng)人:宸鴻科技(廈門)有限公司