一種采用pnp晶體管實(shí)現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了采用PNP晶體管實(shí)現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)(如圖1)，屬于集成電路設(shè)計(jì)【技術(shù)領(lǐng)域】。所述的測溫芯片版圖由第1版圖區(qū)、第2版圖區(qū)、第3版圖區(qū)、第4版圖區(qū)、第5版圖區(qū)、第6版圖區(qū)、第7版圖區(qū)、第8版圖區(qū)和第9版圖區(qū)組成；第1版圖區(qū)與2、5、9版圖區(qū)都相連，第2版圖區(qū)與1、3、5版圖區(qū)都相連，第3版圖區(qū)與2、5版圖區(qū)都相連，第4版圖區(qū)與5、6、7版圖區(qū)都相連，第5版圖區(qū)與1、2、3、4、6、8、9版圖區(qū)都相連，第6版圖區(qū)與4、5、7、8版圖區(qū)都相連，第7版圖區(qū)與4、6、8版圖區(qū)都相連，第8版圖區(qū)與5、6、7、9都相連，第9版圖區(qū)與1、5、8版圖區(qū)都相連。本發(fā)明具有測溫芯片的各個(gè)版圖區(qū)位置固定，優(yōu)化了采用PNP晶體管高精度測溫芯片版圖的設(shè)計(jì)。
【專利說明】一種采用PNP晶體管實(shí)現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計(jì)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及采用PNP晶體管實(shí)現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)

【背景技術(shù)】
[0002]在溫度控制系統(tǒng)、工業(yè)系統(tǒng)、溫度計(jì)、消費(fèi)品、熱感測系統(tǒng)等各種非極限溫度的溫度測試場合，經(jīng)常需要耐磨耐碰，體積小，走線簡單，使用方便，適用于各種狹小空間的數(shù)字測溫設(shè)備。目前，市場上有多款高精度測溫芯片提供了這類功能。高精度測溫芯片采用PNP晶體管作為測溫元件，降低了工藝的限制，節(jié)約了成本，高精度測溫芯片通信端口少，最少可以采用兩線連接。通過本專利所述版圖設(shè)計(jì)能提高了測溫的精度及抗電源的干擾，高精度測溫芯片的這些優(yōu)點(diǎn)，使得其廣泛應(yīng)用于需要測溫的場合。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決由于版圖設(shè)計(jì)不合理，導(dǎo)致采用PNP晶體管高精度測溫芯片設(shè)計(jì)的問題，本發(fā)明提供了一種溫補(bǔ)高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)，所述溫度補(bǔ)償高精度測溫芯片版圖由第I版圖區(qū)、第2版圖區(qū)、第3版圖區(qū)、第4版圖區(qū)、第5版圖區(qū)、第6版圖區(qū)、第7版圖區(qū)、第8版圖區(qū)和第9版圖區(qū)組成，；
[0004]所述第I版圖區(qū)為高精度轉(zhuǎn)換電路版圖區(qū)，具體包括電流鏡版圖、參考電壓源版圖以及ADC版圖。
[0005]所述第2版圖區(qū)為強(qiáng)ESD版圖區(qū)，所述強(qiáng)ESD版圖區(qū)由ESD及ESD增強(qiáng)電路組成。
[0006]所述第3版圖區(qū)為接口電路版圖區(qū)。
[0007]所述第4版圖區(qū)為數(shù)字控制電路版圖區(qū)。
[0008]所述第5版圖區(qū)為新型補(bǔ)償算法電路版圖區(qū)，設(shè)計(jì)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型補(bǔ)償算法數(shù)字電路。
[0009]所述第6版圖區(qū)為數(shù)字處理電路版圖區(qū)，有獨(dú)立的保護(hù)環(huán)。
[0010]所述第7版圖區(qū)為電源管理電路版圖區(qū)，所述電源管理電路版圖區(qū)由控制電路、電容組成，每個(gè)部分都有獨(dú)立的保護(hù)環(huán)。
[0011]所述第8版圖區(qū)為存儲電路版圖區(qū)，所述存儲電路版圖區(qū)由數(shù)字暫存器版圖和非易失存儲器版圖組成。
[0012]所述第9版圖區(qū)為高精度測溫電路版圖區(qū)，所述高精度測溫電路版圖區(qū)由PNP測溫電路版圖、放大器版圖、穩(wěn)壓源版圖以及電阻修調(diào)版圖組成，測溫電路版圖共質(zhì)心。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1芯片版圖
[0014]圖2用PNP晶體管高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)示意圖

【具體實(shí)施方式】
[0015]一種芯片的成功與否很大程度上取決與其版圖設(shè)計(jì)的好壞，采用本專利設(shè)計(jì)的PNP測溫芯片成功的實(shí)現(xiàn)了高精度，其特征在于，所述的采用PNP晶體管高精度測溫芯片版圖由高精度轉(zhuǎn)換電路版圖區(qū)部分1、強(qiáng)ESD版圖區(qū)部分2、接口電路版圖區(qū)部分3、數(shù)字控制電路版圖區(qū)部分4、新型補(bǔ)償算法電路版圖區(qū)部分5、數(shù)字處理電路版圖區(qū)部分6、電源管理電路版圖區(qū)部分7、存儲電路版圖區(qū)部分8和高精度測溫電路版圖區(qū)部分9組成；第I版圖區(qū)與2、5、9版圖區(qū)都相連，第2版圖區(qū)與1、3、5版圖區(qū)都相連，第3版圖區(qū)與2、5版圖區(qū)都相連，第4版圖區(qū)與5、6、7版圖區(qū)都相連，第5版圖區(qū)與1、2、3、4、6、8、9版圖區(qū)都相連，第6版圖區(qū)與4、5、7、8版圖區(qū)都相連，第7版圖區(qū)與4、6、8版圖區(qū)都相連，第8版圖區(qū)與5、6、
7、9都相連，第9版圖區(qū)與1、5、8版圖區(qū)都相連。
[0016]本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特征揭示如上，但熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可能基于本發(fā)明做不背離本發(fā)明精神的改動與修飾。因此本發(fā)明將不會限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種采用晶體管高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的采用晶體管高精度測溫芯片版圖由第1版圖區(qū)、第2版圖區(qū)、第3版圖區(qū)、第4版圖區(qū)、第5版圖區(qū)、第6版圖區(qū)、第7版圖區(qū)、第8版圖區(qū)和第9版圖區(qū)組成；第1版圖區(qū)與2、5、9版圖區(qū)都相連，第2版圖區(qū)與1、3、5版圖區(qū)都相連，第3版圖區(qū)與2、5版圖區(qū)都相連，第4版圖區(qū)與5、6、7版圖區(qū)都相連，第5版圖區(qū)與1、2、3、4、6、8、9版圖區(qū)都相連，第6版圖區(qū)與4、5、7、8版圖區(qū)都相連，第7版圖區(qū)與4、6、8版圖區(qū)都相連，第8版圖區(qū)與5、6、7、9都相連，第9版圖區(qū)與1、5、8版圖區(qū)都相連。
2.如權(quán)利要求1所述的采用？冊晶體管實(shí)現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第1版圖區(qū)高精度轉(zhuǎn)換電路。
3.如權(quán)利要求1所述的采用？冊晶體管實(shí)現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第2版圖區(qū)為強(qiáng)230版圖區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的采用？冊晶體管實(shí)現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第3版圖區(qū)為接口電路，用于與外圍電路通信。
5.如權(quán)利要求1所述的采用？冊晶體管實(shí)現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第4版圖區(qū)為數(shù)字控制電路，協(xié)調(diào)芯片內(nèi)的模擬與數(shù)字部分的工作。
6.如權(quán)利要求1所述的采用？冊晶體管實(shí)現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第5、6、7、8、9版圖區(qū)分別為新型補(bǔ)償算法電路、數(shù)字處理電路、電源管理電路、存儲電路、高精度晶體管測溫電路，實(shí)現(xiàn)溫度的檢測。
【文檔編號】G06F17/50GK104484497SQ201410653753
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年11月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月18日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:北京七芯中創(chuàng)科技有限公司