Cu合金靶用材料、Cu合金靶、Cu合金膜及觸摸面板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及Cu合金靶用材料、Cu合金靶、Cu合金膜及觸摸面板。涉及具備以下的特征的Cu合金靶用材料：(1)前述Cu合金靶用材料含有0.1～10.0at％的Zn，進(jìn)而含有總含量為0.1～6.0at％的選自由Mg、Cr、Ca、Ti、Al、Sn、Ni和B組成的組中的至少一種元素，剩余部分由Cu和不可避免的雜質(zhì)組成；以及(2)前述Cu合金靶用材料被用于靶，該靶用于將觸摸面板的傳感器電極和/或布線中使用的Cu合金膜形成于基板上。
【專(zhuān)利說(shuō)明】Cu合金祀用材料、Cu合金祀、Cu合金膜及觸摸面板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及化合金祀用材料、化合金祀、化合金膜和觸摸面板，更具體而言，涉 及用于制造電阻率低、與樹(shù)脂基板的附著性優(yōu)異的化合金膜的化合金祀用材料和化合金 祀、W及使用該種化合金祀制造的化合金膜和觸摸面板。

【背景技術(shù)】
[0002] 通過(guò)配置于畫(huà)面顯示裝置的前面的傳感器而能夠在圖像顯示畫(huà)面內(nèi)輸入的觸摸 面板，由于使用方便性良好，除了銀行的ATM、售票機(jī)、導(dǎo)向系統(tǒng)、PDA、復(fù)印機(jī)的操作圖像等 之外，近年還廣泛用于各種畫(huà)面裝置，甚至是便攜式電話、平板電腦（t油letPC)。作為其方 式，可列舉出電阻膜方式、靜電電容方式、光學(xué)式、超聲波表面彈性波方式、壓電方式等。它 們之中，靜電電容方式由于能夠?qū)崿F(xiàn)多點(diǎn)觸摸、響應(yīng)性優(yōu)異、低成本性等而被用于便攜式電 話、平板電腦等。
[0003] 靜電電容方式的觸摸面板傳感器形成介由玻璃基板、薄膜基板、有機(jī)膜、Si化膜等 而兩種透明導(dǎo)電膜（傳感器）正交的結(jié)構(gòu)。尤其是，聚對(duì)苯二甲酸己二醋（PET)等樹(shù)脂系 薄膜基板在操作的容易程度方面優(yōu)異。通過(guò)使手指靠近，作為傳感器的導(dǎo)電膜之間的靜電 電容變化，所觸摸的部位被檢測(cè)到。對(duì)于透明導(dǎo)電膜而言，電阻率的高低、和與底層的基板 的附著成為問(wèn)題。
[0004] 現(xiàn)狀的透明導(dǎo)電膜由于電阻率大，因此難W實(shí)現(xiàn)畫(huà)面大型化。該是由于，W相同的 電阻率將畫(huà)面大型化時(shí)，檢測(cè)到源自透明導(dǎo)電膜的靜電電容的變化的時(shí)間延長(zhǎng)。
[0005]另外，對(duì)于通過(guò)透明電極形成的傳感器，由于除了透明電極層之外，還需要重復(fù)密 合層、導(dǎo)電層、保護(hù)層的成膜和蝕刻，成膜裝置的限制和工時(shí)的復(fù)雜化成為問(wèn)題，因此成本 升高，另外對(duì)制造廠商也帶來(lái)大的限制。
[0006] 進(jìn)而，氧化鋼錫（IT0)由于價(jià)格昂貴而要求廉價(jià)的材料系。
[0007] 因此，可W兼具傳感器和導(dǎo)電層的作用的合金膜得到關(guān)注。其替代透明導(dǎo)電膜，通 過(guò)將合金膜成膜，使圖像顯示裝置前面的部分形成肉眼看不到程度的線寬（網(wǎng)狀圖案），同 時(shí)承擔(dān)作為替代透明電極的傳感器和導(dǎo)電層的作用。若為與基板的附著性優(yōu)異的合金，貝U 也無(wú)需密合層，能夠通過(guò)合金一層的成膜和蝕刻來(lái)制造，因此可W大幅縮短制造工序。
[000引作為網(wǎng)狀的金屬，可列舉出Ag、Al、化系的金屬和合金。對(duì)于Ag而言，材料成本 高成為問(wèn)題，A1電阻率高于Ag、化。另外，難W通過(guò)熱處理實(shí)現(xiàn)反射率的降低。進(jìn)而，關(guān)于 化，與基板的附著性成為問(wèn)題。另外，對(duì)于化合金而言，通過(guò)添加元素某種程度上能夠?qū)崿F(xiàn) 附著性的提高，但是若向化添加合金元素則電阻率大幅增大。
[0009] 專(zhuān)利文獻(xiàn)1?5中提出了附著性優(yōu)異的化合金。但是，它們?yōu)閷?duì)于玻璃基板、IT0 等氧化物、Si等半導(dǎo)體、陶瓷的附著性，完全沒(méi)有記載對(duì)于樹(shù)脂系薄膜（PET等）的附著性。
[0010] 專(zhuān)利文獻(xiàn)6中，作為觸摸面板用布線膜，提出了與透明電極的附著性高的化合金。 但是，沒(méi)有記載化合金一層化所需要的對(duì)樹(shù)脂系薄膜（PET等）的直接成膜。另外，專(zhuān)利文 獻(xiàn)6中，優(yōu)選電阻率為11. 0yQ?cmW下，但是為了用作傳感器電極而細(xì)線化至lOymW 下的寬度，因此必須達(dá)成進(jìn)一步低的電阻率。需要兼具低電阻率和對(duì)樹(shù)脂系薄膜（PET等） 的附著性的成分。
[0011] 另外，非專(zhuān)利文獻(xiàn)1中雖然進(jìn)行了對(duì)玻璃基板的附著性高的化合金的研究，但是 此處沒(méi)有記載與樹(shù)脂系薄膜（PET等）的附著性。
[0012] 進(jìn)而，為了抑制由于進(jìn)入到觸摸面板的畫(huà)面的自然光、電燈等的光的反射所導(dǎo)致 的閃爍，需要使傳感器電極在制造工序內(nèi)氧化而消除金屬光澤，降低光的反射率，但是沒(méi)有 關(guān)于經(jīng)過(guò)氧化時(shí)的金屬光澤的記載。
[001引[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0014][專(zhuān)利文獻(xiàn)]
[0015][專(zhuān)利文獻(xiàn)1]日本特開(kāi)2007-017926號(hào)公報(bào)
[0016][專(zhuān)利文獻(xiàn)2]日本特開(kāi)2008-124450號(hào)公報(bào)
[0017][專(zhuān)利文獻(xiàn)3]日本特開(kāi)2009-185323號(hào)公報(bào)
[0018][專(zhuān)利文獻(xiàn)4]日本特開(kāi)2010-248619號(hào)公報(bào)
[0019][專(zhuān)利文獻(xiàn)引日本特開(kāi)2010-258346號(hào)公報(bào)
[0020][專(zhuān)利文獻(xiàn)6]日本特開(kāi)2013-119632號(hào)公報(bào) [00川[非專(zhuān)利文獻(xiàn)]
[0022] [非專(zhuān)利文獻(xiàn)1]日本金屬學(xué)會(huì)誌（日本金屬學(xué)會(huì)志）、第72卷、第9號(hào)、（2008)、 P.703-707、藤田晉吾、加藤量裕、高山新司


【發(fā)明內(nèi)容】

[0023] 發(fā)明要解決的巧穎
[0024] 本發(fā)明要解決的問(wèn)題在于，提供維持低電阻率的同時(shí)，與樹(shù)脂系薄膜、玻璃基板等 觸摸面板的傳感器基板的附著性優(yōu)異，光的反射率也低，作為觸摸面板的傳感器電極、布線 合適的化合金膜。
[0025] 另外，本發(fā)明要解決的另一問(wèn)題在于，提供用于制造該種化合金膜的化合金祀用 材料和化合金祀。
[0026] 進(jìn)而，本發(fā)明要解決的又一問(wèn)題在于，提供使用了該種化合金膜的觸摸面板。
[oow] 巧于解決巧穎的方案
[002引為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的化合金祀用材料的主旨在于，具備W下的特征。
[0029] (1)前述化合金祀用材料含有0. 1?10.Oat%的Zn，進(jìn)而含有總含量為0. 1? 6.Oat%的選自由Mg、化、Ca、Ti、A1、Sn、Ni和B組成的組中的至少一種元素，剩余部分由 化和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0030] (2)前述化合金祀用材料被用于祀，該祀用于將觸摸面板的傳感器電極和/或布 線中使用的化合金膜形成于基板上。
[0031] 本發(fā)明的化合金祀可使用本發(fā)明的Cu合金祀用材料制作。
[0032] 本發(fā)明的化合金膜使用本發(fā)明的化合金祀形成于前述基板上。
[0033] 進(jìn)而，本發(fā)明的觸摸面板的主旨在于，具備本發(fā)明的化合金膜。
[0034] 發(fā)明的效果
[00巧]使用含有規(guī)定量的化和規(guī)定量的曲肖、化、〔3、1'1、41、511、化、8)的化合金祀，將 化合金膜成膜，并在規(guī)定條件下對(duì)化合金膜進(jìn)行熱處理時(shí)，能夠得到電阻率相對(duì)小，與樹(shù) 脂基板（特別是陽(yáng)T薄膜基板）、玻璃基板的附著性優(yōu)異，并且反射率也低的化合金膜。
[0036] 附著性提高認(rèn)為是由于，通過(guò)熱處理，在與基板的界面附近形成了含有更多的化 和Mg等的富集層。
[0037] 電阻率的升高受到抑制認(rèn)為是由于，富集層的形成中沒(méi)有消耗的化與Mg等在化 基體中形成金屬間化合物，化基體中的固溶元素量降低。
[0038] 進(jìn)而，反射率降低認(rèn)為是由于，通過(guò)熱處理，在化合金膜表面形成了含有Mg等的 氧化膜。

【具體實(shí)施方式】
[0039] W下對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0040] [1.Cu合金革己用材料和Cu合金革己]
[0041] 本發(fā)明的化合金祀用材料和使用了其的化合金祀含有W下的元素，剩余部分由 化和不可避免的雜質(zhì)組成。添加元素的種類(lèi)、其成分范圍和其限定理由如W下所述。
[004引 [1. 1.構(gòu)成元素]
[0043] (1)0. 1《化《10.Oat% :
[0044] 化不會(huì)顯著增大化合金膜的電阻率，具有提高與樹(shù)脂系薄膜、玻璃基板等觸摸面 板傳感器的基板（W下有時(shí)僅稱(chēng)為基板）的附著性的效果。
[0045] 為了得到該種效果，化含量需要為0.lat%W上?；扛鼉?yōu)選為0. 6at%W上， 進(jìn)一步優(yōu)選為2.Oat%W上。
[0046] 另一方面，若化含量過(guò)量則電阻率過(guò)商。因此，化含量需要為10.Oat%W下。Zn 含量更優(yōu)選為6.Oat%W下，進(jìn)一步優(yōu)選為5.Oat%W下。
[0047] 化含量特別優(yōu)選為2. 0《化《6.Oat%。
[0048] (2)0. 1《Mg+Cr+Ca+Ti+Al+Sn+Ni+B《6.Oat% :
[0049] Mg、化、〔3、1'1、41、511、化和6(^下也將它們總稱(chēng)為"附著性提高元素1")都有助 于化合金膜的附著性提高和反射率降低。為了得到該種效果，M的總含量需要為0.lat% W上。M的總含量進(jìn)一步優(yōu)選超過(guò)0. 5at%。最優(yōu)選為1.0at%W上。
[0050] 另一方面，若M的總含量過(guò)量，則電阻率過(guò)高，另外導(dǎo)致熱加工性的降低。因此，M 的總含量需要為6.Oat%W下。M的總含量進(jìn)一步優(yōu)選為4.Oat%W下。
[0051] 特別優(yōu)選為2. 0《化《6.Oat%、且1. 0《M《6.Oat%。
[0052] 需要說(shuō)明的是，化合金祀中可W含有它們之中的任意一種附著性提高元素M，或 者也可W含有兩種W上。
[005引 [1. 2.成分平衡]
[0054] (1)M/Zn比：
[00巧]附著性提高元素M具有在熱處理時(shí)在與基板的界面附近形成含有更多的化和M的富集層的作用。另外，富集層的形成中沒(méi)有消耗的M與化形成化合物。
[0056] 若M的總含量與化含量相比過(guò)量，則富集層、化合物的形成中沒(méi)有消耗的M殘留 于化基體中。若M的殘留量過(guò)量則化基體的電阻率增大。
[0057] 為了抑制化合金膜的電阻率的增大，附著性提高元素M的總含量（at%)與化含 量（at% )之比（=M/化比）優(yōu)選為2. 0W下。M/化比進(jìn)一步優(yōu)選為0. 5W下。
[005引[1. 3.用途]
[0059] 本發(fā)明的化合金祀用材料和化合金祀用于形成觸摸面板的傳感器電極和/或布 線中使用的化合金膜。另外，化合金膜包括形成于基板上的化合金膜。
[0060] 使用本發(fā)明的化合金祀形成的化合金膜對(duì)于基板（特別是陽(yáng)T薄膜基板）的附 著性高。因此，在基板與化合金膜之間無(wú)需形成用于提高兩者的附著性的金屬層（密合 層），可W在基板的表面直接形成化合金膜。
[0061] [2.化合金祀用材料和化合金祀的制造方法]
[0062] 本發(fā)明中，對(duì)化合金祀用材料和化合金祀的制造方法沒(méi)有特別限定。
[0063] 例如，祀材料可W通過(guò)W形成規(guī)定組成來(lái)配混原料，將配混物烙解-鑄造來(lái)制造。 配混物的烙解-鑄造方法及其條件沒(méi)有特別限定，可W根據(jù)目的使用各種方法和條件。
[0064] 另外，由如此得到的祀材料制造祀的情況下，對(duì)于鑄錠進(jìn)行熱加工和/或冷加工。 加工方法及其條件沒(méi)有特別限定，可W根據(jù)目的使用各種方法和條件。
[00財(cái) [3.化合金膜]
[0066] 關(guān)于本發(fā)明的化合金膜，使用本發(fā)明的化合金祀形成于基板上。下文對(duì)化合金 膜的成膜方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0067] 化1.富集層]
[0068] 本發(fā)明的化合金膜優(yōu)選在與基板的界面附近具備富集層。"富集層"指的是作為 后文所述的熱處理后形成于與基板的界面附近的層，并且化W及附著性提高元素M的總含 量增加到熱處理前的1. 5倍W上的區(qū)域。
[0069] 對(duì)于僅含有化的化合金膜，即使進(jìn)行熱處理，化也幾乎不會(huì)擴(kuò)散，不會(huì)在界面附 近形成富集層。另一方面，若對(duì)于含有化和M的化合金膜進(jìn)行熱處理，則M擴(kuò)散到界面附 近。與此同時(shí)，化也擴(kuò)散到界面附近。其結(jié)果，在界面附近形成與熱處理前相比含有更多 的化和M的富集層。
[0070] [3. 2.附著性]
[0071] 形成于與基板的界面的富集層含有大量的與氧的親和力大的化。因此，若形成富 集層，則Cu合金膜與基板之間的附著性提高。
[0072] 若將添加元素的含量和熱處理?xiàng)l件最優(yōu)化，則與基板的附著性為根據(jù) JISK5600-5-6 :1999規(guī)定的分類(lèi)0?3。若將制造條件進(jìn)一步最優(yōu)化，則附著性為根據(jù)同樣 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的分類(lèi)0?2或分類(lèi)0?1。
[0073] 需要說(shuō)明的是，本說(shuō)明書(shū)中，將JISK5600-5-6 :1999的內(nèi)容作為參照引入于此。
[0074] [3. 3.電阻率]
[00巧]化雖然增大化合金膜的電阻率的效果小，但是若過(guò)量添加則成為增大化合金膜 的電阻率的原因。
[0076] 另一方面，附著性提高元素M增大化合金膜的電阻率的效果都大。但是，若同時(shí) 添加M和化則熱處理時(shí)形成富集層的同時(shí)，富集層的形成中沒(méi)有消耗的M與化形成化合 物，化基體中的該些元素的固溶量減少。其結(jié)果，可W在維持高的附著性的基礎(chǔ)上抑制化 合金膜的電阻率的增大。
[0077] 對(duì)于傳感器電極而言，要求即使線寬為lOumW下時(shí)響應(yīng)性也高、并且電阻發(fā)熱 損失低。為此，作為傳感器電極的化合金膜的電阻率優(yōu)選為8.OyQ?cmW下。
[0078] 本發(fā)明的化合金膜盡管含有相對(duì)多的量的添加元素，電阻率也小。若將制造條件 最優(yōu)化，貝U熱處理后的化合金膜的電阻率為6. 0yQ?cmW下或5. 0yQ?cmW下。
[007引 [3. 4.反射率]
[0080] 在將化合金膜成膜后，若在氧化氣氛下進(jìn)行熱處理，則在界面附近形成富集層的 同時(shí)，在化合金膜表面形成氧化膜。即使在后述的條件下對(duì)化-化膜進(jìn)行熱處理，也難W 形成氧化膜，殘留金屬光澤。在殘留金屬光澤的狀態(tài)下，源自外部的光被傳感器電極用的化 合金膜反射，難W看到畫(huà)面。
[0081] 與此相對(duì)，若將含有化和M的化合金膜在氧化氣氛下進(jìn)行熱處理，則在化合金 膜的表面形成含有M的氧化膜，反射率降低。若將制造條件最優(yōu)化，則熱處理后的化合金 膜的反射率為50%W下、30%W下或15%W下。
[0082] [3. 5.化合金膜W外的金屬層]
[0083] 本發(fā)明中，關(guān)于化合金膜，需要通過(guò)富集層確保與基板的附著性的同時(shí)，通過(guò)將 對(duì)電極的表面氧化來(lái)降低反射率。另一方面，若在與基板側(cè)對(duì)電極存在化合金膜W外的 金屬層，則阻礙通過(guò)表面氧化實(shí)現(xiàn)的反射率的降低。因此，化合金膜W外的金屬層優(yōu)選為 10皿W下?；辖鹉外的金屬層進(jìn)一步優(yōu)選為1皿W下。傳感器電極、布線優(yōu)選僅由化 合金膜形成。
[0084] [3. 6.基板]
[0085] 本發(fā)明的化合金膜形成于基板上。基板的材料沒(méi)有特別限定，可W使用各種材 料。
[0086] 作為基板的材料，例如有聚對(duì)苯二甲酸己二醋（PET)、聚丙帰（PP)、聚苯己帰 (PS)、聚氯己帰（PVC)、聚碳酸醋（PC)、聚甲基丙帰酸甲醋（PMMA)、聚醜亞胺（PI)等的樹(shù)脂 基板。
[0087] 作為樹(shù)脂基板，特別是優(yōu)選為聚對(duì)苯二甲酸己二醋（PET)薄膜基板。該是由于操 作特別容易。
[0088] 作為玻璃基板，可W使用軸巧玻璃、TEMPAXGlass、PYREX(注冊(cè)商標(biāo)）玻璃、石英 玻璃等。
[0089] [4.化合金膜的制造方法]
[0090] 本發(fā)明的化合金膜的制造方法具備成膜工序和熱處理工序。
[00川 [4.1.成膜工序]
[0092] 首先，使用本發(fā)明的化合金祀將化合金膜成膜于基板上（成膜工序）。
[0093] 本發(fā)明中，成膜方法沒(méi)有特別限定，優(yōu)選通過(guò)姍射法成膜。作為姍射法，可W采用 DC姍射法、RF姍射法、磁控姍射法、反應(yīng)性?shī)櫳浞ǖ戎械娜我环N姍射法，其形成條件適當(dāng)設(shè) 定即可。
[0094] [4. 2.熱處理工序]
[0095] 接著將所成膜的化合金膜在氧化氣氛下進(jìn)行熱處理（熱處理工序）。由此，在化 合金膜與基板的界面附近形成富集層的同時(shí)，在化合金膜的表面形成氧化膜。
[0096] 若熱處理溫度過(guò)低，則富集層的形成和氧化膜的形成變得不充分。因此，熱處理溫 度優(yōu)選為5(TCW上。熱處理溫度更優(yōu)選為7(TCW上，進(jìn)一步優(yōu)選為lOCrCW上。
[0097] 另一方面，若熱處理溫度過(guò)高則基板烙解。因此，熱處理溫度需要低于基板的烙 點(diǎn)。
[0098] 最優(yōu)的熱處理溫度根據(jù)基板的材料不同而異。例如PET薄膜基板的情況下，熱處 理溫度優(yōu)選為32(TCW下。熱處理溫度更優(yōu)選為25CTCW下，進(jìn)一步優(yōu)選為20(TCW下。
[0099] 熱處理時(shí)的氣氛若為能夠形成可W降低反射率的程度的氧化膜的氧化氣氛即可。 熱處理通常在大氣中進(jìn)行。
[0100] 對(duì)于熱處理時(shí)間，若為能夠形成可W提高附著性的程度的富集層、并且能夠形成 可W降低反射率的程度的氧化膜的時(shí)間即可。通常熱處理溫度越高則可W在越短的時(shí)間內(nèi) 形成目的的富集層和氧化膜。最優(yōu)的熱處理時(shí)間根據(jù)化合金膜的組成、熱處理溫度不同而 異，通常為1?600分鐘程度。
[0101] 需要說(shuō)明的是，化合金膜用于觸摸面板的傳感器電極、布線的情況下，通常將化 合金膜均勻成膜于基板的表面后，進(jìn)行蝕刻、洗涂和干燥。此時(shí)，干燥條件為對(duì)于富集層形 成和反射率降低而言充分的條件時(shí)，可W省略獨(dú)立的熱處理工序。
[0102] [5.觸摸面板]
[0103] 本發(fā)明的觸摸面板具備本發(fā)明的化合金膜。關(guān)于化合金膜，具體而言，可W用于 觸摸面板的傳感器電極和/或布線。另外，傳感器電極和/或布線形成于基板上。
[0104] 對(duì)于觸摸面板的其它構(gòu)成沒(méi)有特別限定，可W根據(jù)目的采用各種構(gòu)成。
[0105] [6.作用]
[0106] 若使用含有規(guī)定量化的化合金祀在基板上形成化合金膜，則能夠得到電阻率相 對(duì)小、并且對(duì)于基板的附著性也高的化合金膜。但是，對(duì)于化僅添加化時(shí)，對(duì)于基板的附 著性的提局有限。
[0107] 與此相對(duì)，使用含有規(guī)定量的化和規(guī)定量的（Mg、&、Ca、Ti、Al、Sn、Ni、B)的化 合金祀，將化合金膜成膜，并在規(guī)定條件下對(duì)化合金膜進(jìn)行熱處理時(shí)，能夠得到電阻率相 對(duì)小，與基板的附著性優(yōu)異，并且反射率也低的化合金膜。
[0108] 附著性提高認(rèn)為是由于，通過(guò)熱處理，在與基板的界面附近形成了含有更多的化 和Mg等的富集層。
[0109] 電阻率的升高受到抑制認(rèn)為是由于，富集層的形成中沒(méi)有消耗的化與Mg等在化 基體中形成金屬間化合物，化基體中的固溶元素量降低。
[0110] 進(jìn)而，反射率降低認(rèn)為是由于，通過(guò)熱處理，在化合金膜表面形成了含有Mg等的 氧化膜。
[0111] [實(shí)施例]
[0112] (實(shí)施例1?110、比較例1?100)
[011引 [1.試樣的制作]
[0114] [1. 1.Cu合金祀的制作]
[0115] 將W形成規(guī)定組成來(lái)配混的原料5kg投入到石墨巧巧，通過(guò)高頻感應(yīng)爐烙解。烙 解后，進(jìn)行爐中冷卻，得到鑄塊。通過(guò)將該鑄塊成型，制作化合金祀。另外，作為比較材，還 制作純A1的祀。
[0116] [1.2.化合金膜的制作]
[0117] 基板使用50mmX50mm的陽(yáng)T薄膜和軸巧玻璃。使用RF姍射法或DC姍射法，將化 合金膜成膜于多塊基板表面。調(diào)整成膜條件W使膜厚為300nm左右。成膜后，去除組成分 析用的基板，進(jìn)行15CTCXI. 5小時(shí)的熱處理。
[om] [2.試驗(yàn)方法]
[011引 [2.1.組成分析]
[0120] 使用未進(jìn)行熱處理的基板，通過(guò)ICP發(fā)射光譜分析來(lái)分析組成。
[0121] [2. 2.富集層]
[0122] 對(duì)于熱處理前后的化合金膜，對(duì)于富集層，通過(guò)SIMS，從化合金膜表面按照化合 金膜內(nèi)部、化合金膜/各基板的順序?qū)嵤┥疃确较虻臏y(cè)定。熱處理前后比較測(cè)定時(shí)間-濃 度曲線圖，確認(rèn)富集層。
[0123] [2. 3.電阻率]
[0124] 通過(guò)四探針?lè)ㄔ谀さ?個(gè)部位測(cè)定化合金膜的電阻，通過(guò)其平均值算出電阻率 (yQ?cm)。
[0125] [2. 4.附著性]
[0126] 根據(jù)JISK5600-5-6 ;1999,評(píng)價(jià)Cu合金膜的附著性。
[0127] [2. 5.反射率]
[0128] 對(duì)于熱處理后的化合金膜的一塊，使用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)，將試驗(yàn)片的全反射 光束與平行入射光束的比例作為該光的波長(zhǎng)的反射率，將可見(jiàn)光的波長(zhǎng)范圍內(nèi)（380nm? 780nm)的平均值作為該材料的反射率。
[0129](可見(jiàn)光的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的反射率之和）/(可見(jiàn)光的波長(zhǎng)范圍）
[0130] [3.結(jié)果]
[0131] 表1?6示出結(jié)果。需要說(shuō)明的是，表1?3為使用PET薄膜作為基板時(shí)的結(jié)果。 另夕F，表4?6為使用軸巧玻璃作為基板時(shí)的結(jié)果。由表1?6可知W下內(nèi)容。
[0132]

【權(quán)利要求】
1. 一種Cu合金靶用材料，其具有以下的特征： (1) 所述Cu合金靶用材料含有0. 1?10. Oat%的Zn，進(jìn)而含有總含量為0. 1? 6.0&七％的選自由1%、0、0&、！1、41、511、附和8組成的組中的至少一種元素，剩余部分由 Cu和不可避免的雜質(zhì)組成；以及 (2) 所述Cu合金靶用材料被用于靶，該靶用于將觸摸面板的傳感器電極和/或布線中 使用的Cu合金膜形成于基板上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu合金靶用材料，其中，Zn含量為2. 0?6. Oat%。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的Cu合金祀用材料，其中，所述選自由Mg、Cr、Ca、Ti、Al、 Sn、Ni和B組成的組中的至少一種元素的總含量與所述Zn的含量之比： (Mg+Cr+Ca+Ti+Al+Sn+Ni+B)/Zn 為 2. 0 以下。
4. 一種Cu合金祀，其使用權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的Cu合金祀用材料制作。
5. -種Cu合金膜，其使用權(quán)利要求4所述的Cu合金靶形成于所述基板上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的Cu合金膜，其在與所述基板的界面附近具備富集層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的Cu合金膜，其中，與所述基板的附著性為根據(jù)JIS K5600-5-6 :1999規(guī)定的分類(lèi)0?3。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5?7中任一項(xiàng)所述的Cu合金膜，其中，電阻率為8.0U Q .cm以下。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5?8中任一項(xiàng)所述的Cu合金膜，其中，反射率為50%以下。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5?9中任一項(xiàng)所述的Cu合金膜，其中，所述基板為聚對(duì)苯二甲酸乙 二酯（PET)薄膜基板。
11. 一種觸摸面板，其具備權(quán)利要求5?10中任一項(xiàng)所述的Cu合金膜。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK104375694SQ201410397798
【公開(kāi)日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月13日
【發(fā)明者】神谷尚秀, 多湖雄一郎, 尾崎公造, 坂口一哉, 南和希 申請(qǐng)人:大同特殊鋼株式會(huì)社