觸控偵測電路的制作方法
【專利摘要】一種觸控偵測電路。所述觸控偵測電路包括觸控單元、比較單元以及觸控結(jié)果產(chǎn)生單元。觸控單元依據(jù)被觸碰狀態(tài)以提供偵測信號。比較單元耦接觸控單元并提供參考電流。比較單元依據(jù)偵測信號與第一參考電壓的電壓差來產(chǎn)生觸控狀態(tài)電流，并比較參考電流以及觸控狀態(tài)電流來產(chǎn)生比較電壓。觸控結(jié)果產(chǎn)生單元耦接比較器，并依據(jù)比較電壓來提供觸控結(jié)果信號。本發(fā)明的觸控偵測電路可藉由分析觸控結(jié)果信號來得知觸控面板目前的觸碰狀態(tài)并得知觸控面板上觸控點的位置。
【專利說明】觸控偵測電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種觸控電路，且特別是有關(guān)于一種觸控偵測電路。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著科技的發(fā)展與進(jìn)步，電子產(chǎn)品的用戶接口也由傳統(tǒng)的按鍵、鍵盤或鼠標(biāo)逐漸 演變?yōu)楦鼮槿诵曰挠|控式接口。舉例來說，使用者可利用手指或觸控光筆在光感應(yīng)式的 觸控面板上進(jìn)行觸控操作。另一方面，在觸控面板中常會利用光偵測電路來感應(yīng)目前用戶 的觸控位置。舉例來說，圖1繪示一種光偵測電路100的示意圖。光偵測電路100可應(yīng)用 于光感應(yīng)式的觸控面板以偵測觸控面板的觸控點位置。
[0003] 光偵測電路100包括晶體管Q、電容C以及光偵測晶體管P。觸控面板的掃描線 SCAN1可用來控制晶體管Q的開關(guān)狀態(tài)。光偵測晶體管P在不同強度的光線照射下會產(chǎn)生 不同的電流Id。電容C的一端耦接于晶體管Q，另一端則耦接于電源VDD。電容C是用來儲 存電流Id所產(chǎn)生的電荷。當(dāng)晶體管Q開啟時，電容C中儲存的電荷會經(jīng)由晶體管Q傳送至 觸控面板的數(shù)據(jù)線DATA1。由于電流Id不同，電容C中的電荷量也會不同。因此，光偵測電 路100可依據(jù)數(shù)據(jù)線DATA1所接收到的電荷量來判斷觸控面板目前的觸碰情況。
[0004] 然而，當(dāng)光偵測晶體管P所偵測到的光強度不足或是感光時間不夠長時，電容C中 所儲存的電荷量過少會使得端點VA的電壓不足，導(dǎo)致觸控面板無法判斷觸控點的位置。另 一方面，通常會將光偵測晶體管P的閘極G與源極S兩端的電壓差（即Vgs)操作在負(fù)偏壓 下以控制電流Id，但這容易讓光偵測晶體管P發(fā)生劣化的情形。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明提供一種觸控偵測電路，藉由增加觸控偵測電路的光感應(yīng)速度以提升觸控 面板的光感應(yīng)敏感度。
[0006] 本發(fā)明的觸控偵測電路包括觸控單元、比較單元以及觸控結(jié)果產(chǎn)生單元。觸控單 元依據(jù)被觸碰狀態(tài)以提供偵測信號。比較單元耦接觸控單元并提供參考電流。比較單元并 依據(jù)偵測信號以及第一參考電壓的電壓差來產(chǎn)生觸控狀態(tài)電流。比較單元比較參考電流以 及觸控狀態(tài)電流來產(chǎn)生比較電壓。觸控結(jié)果產(chǎn)生單元耦接比較器并依據(jù)比較電壓來提供觸 控結(jié)果信號。
[0007] 基于上述，本發(fā)明的觸控偵測電路中的比較單元藉由比較觸控單元在不同的觸控 狀態(tài)下所提供的偵測信號與第一參考電壓兩者的電壓差來產(chǎn)生比較電壓。接著，觸控結(jié)果 產(chǎn)生單元會依據(jù)比較電壓來提供觸控結(jié)果信號。如此一來，本發(fā)明的觸控偵測電路可藉由 分析觸控結(jié)果信號來得知觸控面板目前的觸碰狀態(tài)并得知觸控面板上觸控點的位置。
[0008] 以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1繪示一種光偵測電路100的示意圖。
[0010] 圖2?圖3A、圖4?圖8分別繪示本發(fā)明多個實施例的觸控偵測電路的示意圖。
[0011] 圖3B繪示圖3A觸控偵測電路300的讀出波形示意圖。
[0012] 其中，附圖標(biāo)記
[0013] 100:光偵測電路
[0014] 200、300、400、500、600、700、800 :觸控偵測電路
[0015] 202、302、402、502、602、702、802 :觸控單元
[0016] 204、304、404、504、604、704、804 :比較單元
[0017] 206、306、406、506、606、706、806 :觸控結(jié)果產(chǎn)生單元
[0018] A、B:曲線
[0019] C、CT、CR:電容
[0020] DATA1、DATA3 :資料線
[0021] D1 ?D3:二極管
[0022] F :波形周期
[0023] G:閘極
[0024] Id:電流
[0025] IREF1 :參考電流
[0026] IT1、IT2 :觸控狀態(tài)電流
[0027] P、P1?P7 :光偵測晶體管
[0028] S :源極
[0029] SCAN1、SCAN3 :掃描線
[0030] SD1?SD6 :偵測信號
[0031] ST1、ST2 :觸控結(jié)果信號
[0032] VA、VA1 ?VA3 :端點
[0033] VCOMP、VC0MP1、VC0MP2 :比較電壓
[0034] VREF1、VC2、VC4、T1、T2 :參考電壓
[0035] VC1、VC3 :參考電壓源
[0036] VC5:參考電源
[0037] VDD :電源
[0038] Q、Ml ?M6、ΜΑ、MB1 ?MB4、MCI ?MC2、MD1 ?MD4、MF、
[0039] MN:晶體管

【具體實施方式】
[0040] 下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述，以更進(jìn)一步了解 本發(fā)明的目的、方案及功效，但并非作為本發(fā)明所附權(quán)利要求保護(hù)范圍的限制。
[0041] 圖2繪示本發(fā)明一實施例的觸控偵測電路200的示意圖。觸控偵測電路200包括 觸控單元202、比較單元204以及觸控結(jié)果產(chǎn)生單元206。觸控偵測電路200可應(yīng)用在光感 應(yīng)式的觸控面板中以偵測觸控面板上的觸控點位置。觸控單元202依據(jù)被觸碰狀態(tài)以提供 偵測信號SD1。觸控單元202可以包括光傳感器（Photo Sensor)、光偵測薄膜晶體管（Thin Film Transistor，TFT)或是其他具有光偵測功能的電子組件。觸控單元202所感受到的光 強度會隨著觸控單元202是否被觸碰而有所不同。在不同的觸碰狀態(tài)下，觸控單元202會 產(chǎn)生不同的偵測信號SD1。其中，偵測信號SD1為電壓信號。
[0042] 另一方面，比較單元204可以由TFT或是其他具有比較器功能的電子電路所組成。 比較單元204會耦接觸控單元202以接收偵測信號SD1，并比較偵測信號SD1與參考電壓 VREF1兩者的電壓差，來產(chǎn)生不同的觸控狀態(tài)電流。接著，比較單元204會將觸控狀態(tài)電流 與參考電流進(jìn)行比較，再產(chǎn)生比較電壓VC0MP。值得注意的是，參考電流的電流值可以被預(yù) 先設(shè)定來當(dāng)作比較基準(zhǔn)。
[0043] 觸控結(jié)果產(chǎn)生單元206耦接比較單元204,觸控結(jié)果產(chǎn)生單元206接收比較電壓 VC0MP后會依據(jù)比較電壓VC0MP以提供觸控結(jié)果信號ST1。舉例來說，當(dāng)觸控單元202被用 戶的手指觸碰時，觸控單元202接收到的光線會因被使用者的手指遮蔽而減少，偵測信號 SD1的電壓會小于參考電壓VREF1的電壓。比較單元204計算偵測信號SD1的電壓與參考 電壓VREF1的電壓差來產(chǎn)生比較電壓VC0MP，并將比較電壓VC0MP會傳遞給觸控結(jié)果產(chǎn)生單 元206。觸控結(jié)果產(chǎn)生單元206則可針對比較電壓VC0MP進(jìn)行放大，并提供相對應(yīng)的觸控結(jié) 果信號ST1。如此一來，觸控偵測電路200可藉由觸控結(jié)果信號ST1得知目前觸控單元202 是處于被觸碰的狀態(tài)。
[0044] 同理可知，當(dāng)觸控單元202未被觸碰時，觸控單元202因未被物體遮蔽而能接收到 較多的光線，偵測信號SD1的電壓會大于參考電壓VREF1的電壓。如此一來，觸控偵測電路 200可藉由與上述范例不同的比較電壓VC0MP來得知不同的觸控結(jié)果信號ST 1，并透過不同 的觸控結(jié)果信號ST1來得知觸控單元202目前未被用戶的手指所觸碰。
[0045] 更值得一提的，上述的參考電流的電流值可以被設(shè)置在第一電流以及第二電流的 電流值間。其中的第一電流是觸控單元202有被觸碰時比較單元204所對應(yīng)產(chǎn)生的觸控狀 態(tài)電流，而第二電流則是觸控單元202未被觸碰時比較單元204所對應(yīng)產(chǎn)生的觸控狀態(tài)電 流。舉例來說，參考電流的電流值可以等于偵測信號SD1的電壓與參考電壓VREF1的電壓 差等于0時，比較單元204對應(yīng)產(chǎn)生的觸控狀態(tài)電流的電流值。
[0046] 圖3A繪示本發(fā)明另一實施例的觸控偵測電路300的示意圖。觸控偵測電路300 包括觸控單元302、比較單元304以及觸控結(jié)果產(chǎn)生單元306。觸控單元302包括二極管D1 以及光偵測晶體管P1。二極管D1的陽極耦接參考電壓源VC1，二極管D1的陰極提供偵測 信號SD2。在此實施例中，光偵測晶體管P1為N型TFT，光偵測晶體管P1具有第一端（例 如汲極）、第二端（例如源極）以及控制端（例如閘極）。光偵測晶體管P1的第一端耦接 二極管D1的陰極，光偵測晶體管P1的第二端及控制端相互耦接至參考電壓VC2。從另一個 觀點來看，當(dāng)二極管D1導(dǎo)通時可提供固定的電阻值，而光偵測晶體管P1會隨著偵測到的光 強度不同而具有變動的電阻值。因此，觸控單元302可視為一個分壓電路，其中，二極管D1 與光偵測晶體管P1會針對參考電壓源VC1與參考電壓VC2的電壓差進(jìn)行分壓以產(chǎn)生偵測 信號SD2。
[0047] 比較單元304包括二極管D2以及晶體管Ml。二極管D2的陽極耦接參考電壓源 VC3,二極管D2的陰極產(chǎn)生比較電壓VC0MP1。二極管D2用以產(chǎn)生參考電流IREF1。在此實 施例中，晶體管Ml為N型TFT，晶體管Ml具有第一端（例如汲極）、第二端（例如源極）以 及控制端（例如閘極）。晶體管Ml的第一端耦接至二極管D2的陰極，晶體管Ml的控制端 用以接收偵測信號SD2,晶體管Ml的第二端則耦接至參考電壓VC4。假設(shè)偵測信號SD2為 電壓信號，晶體管Ml會依據(jù)偵測信號SD2與參考電壓VC4兩者的電壓差來產(chǎn)生觸控狀態(tài)電 流 IT1。
[0048] 舉例來說，當(dāng)使用者的手指觸碰到觸控單元302時，光偵測晶體管P1所接收到的 光線會比使用者的手指未接觸觸控單元302時來的少。因此，觸控單元302在不同的觸碰 狀態(tài)下，光偵測晶體管P1所產(chǎn)生的漏電流也會不同。換句話說，二極管D1的陰極端所提供 的偵測信號SD2也會不同。因此，對晶體管Ml而言，觸控單元302在不同的觸碰狀態(tài)下，控 制端與第二端兩端所產(chǎn)生的電壓差（Vgs)也會有所差異，并使得晶體管Ml所產(chǎn)生的觸控狀 態(tài)電流IT1不相同。在此實施例中，二極管D2所提供的參考電流IREF1可視為一個固定的 參考電流。比較單元304則針對不同的觸控狀態(tài)電流IT1與參考電流IREF1做比較，再依 據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生比較電壓VC0MP1，詳細(xì)說明請參考后述。
[0049] 觸控結(jié)果產(chǎn)生單元306包括晶體管MA以及晶體管麗。在此實施例中，晶體管MA 與晶體管MN為N型TFT。晶體管MA具有第一端（例如汲極）、第二端（例如源極）以及控 制端（例如閘極）。晶體管MA的第一端接收參考電源VC5,晶體管MA的控制端耦接比較電 壓VC0MP1。晶體管麗具有第一端（例如汲極）、第二端（例如源極）以及控制端（例如 閘極）。晶體管MN的第一端耦接至晶體管Μ的第二端，晶體管MN的控制端耦接至掃描線 SCAN3,晶體管ΜΝ的第二端產(chǎn)生觸控結(jié)果信號ST2并傳至耦接的資料線DATA3。
[0050] 圖3Β繪示圖3Α觸控偵測電路300的讀出波形示意圖。其中，圖3Β的橫軸代表時 間，單位可以為微秒（μ s)，縱軸則代表電壓，單位可以為毫伏（mV)，F(xiàn)代表波形周期。請同 時參考圖3A與圖3B，曲線A代表觸控單元302未偵測到光線變化時，晶體管Ml汲極的電壓 變化。另一方面，曲線B代表觸控單元302偵測到光線變化時，晶體管Ml汲極的電壓變化。 由曲線B可知，當(dāng)觸控單元302偵測到光線變化時，晶體管Ml汲極的電壓只需要0. 01個F 的時間就可達(dá)到比較電壓VC0MP1。從另一個觀點來看，觸控偵測電路300可減少光偵測晶 體管P1的感光時間以增加感應(yīng)速度。
[0051] 以下將詳細(xì)說明比較單元304與觸控結(jié)果產(chǎn)生單元306兩者之間的動作關(guān)系。比 較單元304所產(chǎn)生的比較電壓VC0MP1會被傳送至晶體管MA的閘極。在此，晶體管MA可以 作為一個放大器，并依據(jù)參考電源VC5及控制端所接收的比較電壓VC0MP1來進(jìn)行放大。放 大后的信號則被傳送至晶體管MN，并在當(dāng)晶體管MN被導(dǎo)通后，放大后的信號透過晶體管MN 傳遞至數(shù)據(jù)線DATA3以產(chǎn)生觸控結(jié)果信號ST2。
[0052] 圖4繪示本發(fā)明再一實施例的觸控偵測電路400的示意圖。觸控偵測電路400包 括觸控單元402、比較單元404以及觸控結(jié)果產(chǎn)生單元406。觸控單元402包括晶體管MD1 以及光偵測晶體管P2。在此實施例中，晶體管MD1為N型TFT，晶體管MD1具有第一端（例 如汲極）、第二端（例如源極）以及控制端（例如閘極）。晶體管MD1的第一端耦接參考電 壓源VC1，晶體管MD1的第二端及控制端會共同耦接并提供偵測信號SD3。比較單元404包 括晶體管MB1與晶體管M2。在此實施例中，晶體管MB1與晶體管M2為N型TFT，晶體管MB1 具有第一端（例如汲極）、第二端（例如源極）以及控制端（例如閘極）。晶體管MB1的第 一端接收參考電壓源VC3,晶體管MB1的控制端以及第二端共同耦接至晶體管M2的第一端。 從另一個觀點來看，圖3A中的二極管D1可視為圖4中的晶體管MD1，二極管D2可視為晶體 管MB1。另一方面，光偵測晶體管P2、晶體管M2、參考電壓VC2、參考電壓VC4以及觸控結(jié)果 產(chǎn)生單元406的耦接關(guān)系請參考圖3A，不在此贅述。
[0053] 以下將說明觸控偵測電路400的操作情形，請同時參考圖3。晶體管MD1與光偵測 晶體管P2會針對參考電壓源VC1與參考電壓VC2的電壓差進(jìn)行分壓以產(chǎn)生偵測信號SD3。 另一方面，由于晶體管MB1的控制端與第二端相互耦接，因此晶體管MB1的控制端與第二端 兩端的電壓差為零。比較單元404會比較晶體管MB1的控制端與第二端兩端的電壓差（為 零）與晶體管M2的控制端與第二端兩端的電壓差（偵測信號SD3與參考電壓VC4的電壓 差）。當(dāng)偵測信號SD3與參考電壓VC4兩者的電壓差大于零時（例如觸碰單元402被手指 觸碰），端點VA1的電壓會趨近于參考電壓VC4。另一方面，當(dāng)晶體管M2的控制端與第二端 兩端的電壓差小于零時（例如觸碰單元402未被手指觸碰），端點VA1的電壓會趨近于參考 電壓源VC3。如此一來，觸碰單元402在不同的觸碰情況下，端點VA1的電壓就會出現(xiàn)明顯 的差異。
[0054] 圖5繪示本發(fā)明又一實施例的觸控偵測電路500的示意圖。觸控偵測電路500包 括觸控單元502、比較單元504以及觸控結(jié)果產(chǎn)生單元506。觸控單元502包括晶體管MD2 以及光偵測晶體管P3。比較單元504包括晶體管MB2與晶體管M3。觸控結(jié)果產(chǎn)生單元506 的作動情形請參考觸控結(jié)果產(chǎn)生單元306。請同時參考圖4與圖5,觸控偵測電路400與觸 控偵測電路500的差異在于，晶體管M3的控制端與第二端分別接收參考電壓VC4與偵測信 號SD4。然而，晶體管M2的耦接關(guān)系與晶體管M3相反，晶體管M2的控制端與第二端分別接 收偵測信號SD3與參考電壓VC4。
[0055] 圖6繪示本發(fā)明更一實施例的觸控偵測電路600的示意圖。觸控偵測電路600包 括觸控單元602、比較單元604以及觸控結(jié)果產(chǎn)生單元606。觸控單元602包括晶體管MD3、 晶體管MCI、光偵測晶體管P4以及光偵測晶體管P5。比較單元604包括晶體管MB3與晶體 管M4。請同時參考圖4至圖6,觸控單元602與觸控單元402以及觸控單元502相比，觸控 單元602中增加了光偵測晶體管P5以及晶體管MCI。光偵測晶體管P5以及晶體管MCI會 針對參考電壓源VC1與參考電壓VC4的電壓差進(jìn)行分壓以產(chǎn)生參考電壓T1。晶體管M4的 控制端接收偵測信號SD5,晶體管M4的第二端則接收參考電壓T1。
[0056] 在另一實施例中，晶體管MD3可以用二極管來取代，二極管的陽極耦接至參考電 壓源VC1，二極管的陰極用以提供偵測信號SD5。另一方面，晶體管MCI也可以用二極管來 取代，二極管的陽極耦接至參考電壓源VC1，二極管的陰極用以提供參考電壓T1。在圖6的 實施例中，當(dāng)光偵測晶體管P4與光偵測晶體管P5所受到的光照強度改變時，偵測信號SD5 與參考電壓T1也會隨之改變。另一方面，請參考圖4至圖6,圖4中晶體管M2的第二端與 圖5中晶體管M3的控制端都是耦接到參考電壓VC4(可視為一個固定的電壓）。然而，晶體 管M4的控制端（接收偵測信號SD5)與第二端（接收參考電壓T1)兩端的電壓差會隨著光 強度不同而有較大幅度的改變，并藉以提升觸控偵測的敏感度。
[0057] 圖7繪示本發(fā)明又一實施例的觸控偵測電路700的示意圖。觸控偵測電路700包 括觸控單元702、比較單元704以及觸控結(jié)果產(chǎn)生單元706。觸控單元702包括晶體管MD4、 晶體管MC2、光偵測晶體管P6以及光偵測晶體管P7。比較單元704包括晶體管MF、晶體管 MB4以及晶體管M5。在此實施例中，晶體管MF、晶體管MB4以及晶體管M5為N型TFT。晶 體管MF具有第一端（例如汲極）、第二端（例如源極）以及控制端（例如閘極）。晶體管 MF的第一端耦接參考電壓源VC3,晶體管MF的第二端產(chǎn)生比較電壓VCM0P2。晶體管MB4的 第一端耦接晶體管MF的第二端，晶體管MB4的第二端與控制端共同耦接至晶體管MF的控 制端。在另一實施例中，晶體管MB4可以用二極管取代，二極管的陽極耦接至晶體管MF的 第二端，二極管的陰極則耦接至晶體管MF的控制端。二極管可用來產(chǎn)生參考電流。
[0058] 晶體管M5具有第一端（例如汲極）、第二端（例如源極）以及控制端（例如閘極）。 晶體管M5的第一端耦接晶體管MB4的第二端，晶體管M5的控制端接收偵測信號SD6,晶體 管M5的第二端耦接參考電壓T2。晶體管MF依據(jù)偵測信號SD6與參考電壓T2兩者的電壓 差來產(chǎn)生觸控狀態(tài)電流IT2。請同時參考圖6與圖7,值得注意的是，將比較單元704與比 較單元604相比，比較單元704中增加了晶體管MF。晶體管MF可限制流向晶體管MC2與光 偵測晶體管P7的電流大小，可限制觸控偵測電路700消耗的工作電流。
[0059] 圖8繪示本發(fā)明另一實施例的觸控偵測電路800的示意圖。觸控偵測電路800可 適用于電容式觸控面板。觸控偵測電路800包括觸控單元802、比較單元804以及觸控結(jié)果 產(chǎn)生單元806。觸控單元802包括觸控偵測電容CT與參考電容CR。觸控偵測電容CT的第 一端接收偵測信號SD7,觸控偵測電容CT的第二端則用來提供偵測信號SD7。參考電容CR 串接在觸控偵測電容CT的第二端以及參考接地端GND間。觸控結(jié)果產(chǎn)生單元806可以是 模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器。在此實施例中，觸控結(jié)果產(chǎn)生單元806可藉由端點VA3的電壓變化來得 知觸碰面板的觸碰情況。
[0060] 綜上所述，本發(fā)明的觸控偵測電路會利用觸控單元依據(jù)觸控面板不同的觸控狀態(tài) 提供不同的偵測信號。接著，比較單元接收到偵測信號后，會將偵測信號與參考電壓相比以 產(chǎn)生比較電壓。最后，觸控結(jié)果產(chǎn)生單元會將比較電壓的信號進(jìn)行放大并提供觸控結(jié)果信 號。如此一來，本發(fā)明的觸控偵測電路便可依據(jù)觸控結(jié)果信號來得知觸控面板的觸控情況。 換句話說，本發(fā)明的觸控偵測電路藉由分析觸控面板在不同的觸控狀態(tài)下所產(chǎn)生的電壓差 來判斷目前觸控面板的觸碰情形，用以提升偵測的敏感度。因此，本發(fā)明的觸控偵測電路可 節(jié)省光偵測晶體管所需要的光照時間，以增加偵測速度與敏感性。
[0061] 當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種觸控偵測電路，其特征在于，包括： 一觸控單元，依據(jù)被觸碰狀態(tài)以提供一偵測信號； 一比較單元，耦接該觸控單元，提供一參考電流，該比較單元并依據(jù)該偵測信號以及一 第一參考電壓的電壓差來產(chǎn)生一觸控狀態(tài)電流，該比較單元比較該參考電流以及該觸控狀 態(tài)電流來產(chǎn)生一比較電壓；以及 一觸控結(jié)果產(chǎn)生單元，耦接該比較單元，依據(jù)該比較電壓來提供一觸控結(jié)果信號。
2. 如權(quán)利要求1所述的觸控偵測電路，其特征在于，該觸控單元包括： 一二極管，其陽極耦接一參考電壓源，其陰極提供該偵測信號；以及 一光偵測晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接該二極管的陰極，該 光偵測晶體管的第二端及控制端相互耦接至一第二參考電壓。
3. 如權(quán)利要求2所述的觸控偵測電路，其特征在于，該二極管為一晶體管，具有第一 端、第二端以及控制端，該晶體管的第一端耦接該參考電壓源，該晶體管的第二端及控制端 共同耦接并提供該偵測信號。
4. 如權(quán)利要求2所述的觸控偵測電路，其特征在于，該光偵測晶體管以及該二極管用 以對該參考電壓源與該第二參考電壓的電壓差進(jìn)行分壓以產(chǎn)生該偵測信號。
5. 如權(quán)利要求1所述的觸控偵測電路，其特征在于，該比較單元包括： 一二極管，其陽極耦接一參考電壓源，其陰極產(chǎn)生該比較電壓，該二極管用以產(chǎn)生該參 考電流；以及 一第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，該第一晶體管的第一端耦接至該二極 管的陰極，該第一晶體管的第二端與控制端的其中之一接收該偵測信號，且該第一晶體管 的第二端與控制端的其中之另一耦接該第一參考電壓，該第一晶體管依據(jù)該偵測信號以及 該第一參考電壓的電壓差來產(chǎn)生該觸控狀態(tài)電流。
6. 如權(quán)利要求5所述的觸控偵測電路，其特征在于，該二極管為一第二晶體管，具有第 一端、第二端以及控制端，該第二晶體管的第一端接收該參考電壓源，該第二晶體管的控制 端以及第二端共耦接至該第一晶體管的第一端。
7. 如權(quán)利要求1所述的觸控偵測電路，其特征在于，該觸控單元包括： 一第一二極管，其陽極耦接一參考電壓源，其陰極提供該偵測信號； 一第一光偵測晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接該第一二極管的 陰極，該第一光偵測晶體管的第二端及控制端相互耦接至一第二參考電壓； 一第二二極管，其陽極耦接該參考電壓源，其陰極提供該第一參考電壓；以及 一第二光偵測晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接該第二二極管的 陰極，該第二光偵測晶體管的第二端及控制端相互耦接至一第三參考電壓。
8. 如權(quán)利要求1所述的觸控偵測電路其特征在于，該比較單元包括： 一第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接一參考電壓源，其第二 端產(chǎn)生該比較電壓； 一二極管，其陽極耦接該第一晶體管的第二端，其陰極耦接至該第一晶體管的控制端， 該二極管用以產(chǎn)生該參考電流；以及 一第二晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，該第一晶體管的第一端耦接至該二極 管的陰極，該第二晶體管的控制端接收該偵測信號，且該第二晶體管的第二端耦接該第一 參考電壓，該第一晶體管依據(jù)該偵測信號以及該第一參考電壓的電壓差來產(chǎn)生該觸控狀態(tài) 電流。
9. 如權(quán)利要求8所述的觸控偵測電路，其特征在于，該二極管為一第三晶體管，具有第 一端、第二端以及控制端，該第三晶體管的第一端耦接至該第一晶體管的第二端，該第三晶 體管的第二端及控制端共同耦接至該第二晶體管的第一端。
10. 如權(quán)利要求1所述的觸控偵測電路，其特征在于，該觸控結(jié)果產(chǎn)生單元包括： 一第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收一參考電源，該第一晶 體管的控制端耦接該比較電壓；以及 一第二晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至該第一晶體管的第二 端，該第二晶體管的控制端接收一掃描訊號，該第二晶體管的第二端產(chǎn)生該觸控結(jié)果信號。
11. 如權(quán)利要求1所述的觸控偵測電路，其特征在于，該觸控單元包括： 一觸控偵測電容，具有第一端及第二端，該觸控偵測電容的第一端接收一偵測信號，該 觸控偵測電容的第二端提供該偵測信號；以及 一參考電容，串接在該觸控偵測電容的第二端以及一參考接地端間。
12. 如權(quán)利要求11所述的觸控偵測電路，其特征在于，該觸控結(jié)果產(chǎn)生單元為模擬數(shù) 字轉(zhuǎn)換器。
【文檔編號】G06F3/044GK104102384SQ201410347162
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年7月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月1日
【發(fā)明者】連崇閔, 徐雅玲, 林剛毅 申請人:友達(dá)光電股份有限公司