具有低消耗電流的內(nèi)存和降低內(nèi)存消耗電流的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具有低消耗電流的內(nèi)存和降低內(nèi)存消耗電流的方法，其中所述內(nèi)存包括一控制器和多個記憶區(qū)塊，且所述多個記憶區(qū)塊中的每一個記憶區(qū)塊包括多個記憶區(qū)段。所述方法包括所述控制器致能對應(yīng)所述多個記憶區(qū)塊中一第一記憶區(qū)塊的地址和一第一列地址的激活指令；所述第一記憶區(qū)塊的一記憶區(qū)段內(nèi)對應(yīng)所述第一列地址的一字符開關(guān)根據(jù)所述激活指令開啟；所述控制器致能對應(yīng)所述記憶區(qū)段的地址的一存取指令；對應(yīng)所述記憶區(qū)段的多個位開關(guān)根據(jù)所述存取指令開啟；在所述存取指令去能后，所述控制器致能對應(yīng)隨后記憶區(qū)段的地址和所述第一記憶區(qū)塊的地址的一預(yù)充電指令。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所公開的方法和內(nèi)存可降低消耗電流。
【專利說明】具有低消耗電流的內(nèi)存和降低內(nèi)存消耗電流的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是涉及一種內(nèi)存和記憶體操作的方法，尤其涉及一種具有低消耗電流的內(nèi)存和降低內(nèi)存消耗電流的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，當耦接于內(nèi)存的應(yīng)用單元欲存取內(nèi)存內(nèi)一記憶區(qū)塊內(nèi)的一預(yù)定記憶區(qū)段的數(shù)據(jù)時，控制器會先致能對應(yīng)記憶區(qū)塊內(nèi)一預(yù)定列地址的激活(active)指令，然后再致能一存取指令。因此，記憶區(qū)塊內(nèi)所有記憶區(qū)段對應(yīng)預(yù)定列地址的多個字符開關(guān)皆會根據(jù)激活指令開啟，以及記憶區(qū)塊內(nèi)對應(yīng)所有記憶區(qū)段的多個位開關(guān)和感測放大器組皆會根據(jù)存取指令開啟。雖然應(yīng)用單元僅存取記憶區(qū)塊內(nèi)的預(yù)定記憶區(qū)段的數(shù)據(jù)，但是記憶區(qū)塊內(nèi)所有記憶區(qū)段對應(yīng)預(yù)定列地址的多個字符開關(guān)，以及記憶區(qū)塊內(nèi)對應(yīng)所有記憶區(qū)段的多個位開關(guān)和感測放大器組皆會開啟，導致內(nèi)存增加許多不必要的消耗電流。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的一實施例公開一種降低內(nèi)存消耗電流的方法，其中所述內(nèi)存包括一控制器、多個記憶區(qū)塊和多個緩存器，且所述多個記憶區(qū)塊中的每一記憶區(qū)塊包括多個記憶區(qū)段，且對應(yīng)所述多個緩存器中的一緩存器。所述方法包括所述控制器致能對應(yīng)所述多個記憶區(qū)塊中一第一記憶區(qū)塊的地址和一第一列地址的激活指令；所述第一記憶區(qū)塊的一記憶區(qū)段內(nèi)對應(yīng)所述第一列地址的一字符開關(guān)根據(jù)所述激活指令開啟；所述控制器致能對應(yīng)所述記憶區(qū)段的地址的一存取指令；對應(yīng)所述記憶區(qū)段的多個位開關(guān)根據(jù)所述存取指令開啟；在所述存取指令去能后，所述控制器致能對應(yīng)一隨后記憶區(qū)段的地址和所述第一記憶區(qū)塊的地址的一預(yù)充電(precharge)指令。
[0004]本發(fā)明的另一實施例公開一種具有低消耗電流的內(nèi)存。所述內(nèi)存包括多個記憶區(qū)塊和一控制器。所述多個記憶區(qū)塊中的每一記憶區(qū)塊包括多個記憶區(qū)段。所述控制器是用以致能和去能對應(yīng)所述多個記憶區(qū)塊中一第一記憶區(qū)塊的地址和一第一列地址的激活指令，對應(yīng)所述第一記憶區(qū)塊的一記憶區(qū)段的地址的一存取指令，以及對應(yīng)一隨后記憶區(qū)段的地址和所述第一記憶區(qū)塊的地址的一預(yù)充電指令。當所述激活指令致能時，所述記憶區(qū)段內(nèi)對應(yīng)所述第一列地址的字符開關(guān)根據(jù)所述激活指令開啟，以及當所述存取指令致能時，對應(yīng)所述記憶區(qū)段的多個位開關(guān)根據(jù)所述存取指令開啟。
[0005]本發(fā)明的另一實施例公開一種具有低消耗電流的內(nèi)存。所述內(nèi)存包括N個記憶區(qū)塊和一控制器。所述N個記憶區(qū)塊中的每一記憶區(qū)塊包括多個記憶區(qū)段，其中N大于I。所述控制器是用以產(chǎn)生對應(yīng)一第一記憶區(qū)塊的地址和一隨后第η記憶區(qū)塊的一第m記憶區(qū)段的地址的一預(yù)充電指令，其中η介于I和N之間，以及m大于I。所述第η記憶區(qū)塊的所述第m記憶區(qū)段的地址存入一緩存器內(nèi)。
[0006]本發(fā)明所公開的降低內(nèi)存消耗電流的方法和具有低消耗電流的內(nèi)存是當耦接于所述內(nèi)存的一應(yīng)用單元欲存取所述內(nèi)存內(nèi)一預(yù)定記憶區(qū)塊的一預(yù)定記憶區(qū)段的數(shù)據(jù)時，一控制器在產(chǎn)生一激活指令和一存取指令之前已先致能對應(yīng)所述預(yù)定記憶區(qū)段的地址和所述預(yù)定記憶區(qū)塊的地址的一預(yù)充電指令。如此，因為在所述控制器產(chǎn)生所述激活指令和所述存取指令后，所述預(yù)定記憶區(qū)塊內(nèi)僅有對應(yīng)所述預(yù)定記憶區(qū)段的字符線的字符開關(guān)、多個位開關(guān)與感測放大器組開啟，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明所公開的方法和內(nèi)存可降低消耗電流。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明的第一實施例說明一種具有低消耗電流的內(nèi)存的示意圖。
[0008]圖2是本發(fā)明的第二實施例說明一種降低內(nèi)存消耗電流的方法的流程圖。
[0009]其中，附圖標記說明如下:
[0010]100內(nèi)存
[0011]102控制器
[0012]Bl-BL記憶區(qū)塊
[0013]B11-B14、B21、B22、B23記憶區(qū)段
[0014]BS0-BS63位開關(guān)
[0015]BL0_1-BL0_63位線
[0016]SALl、SARl感測放大器組
[0017]WL0_1-WLN_1字符線
[0018]WLDRVl字符線驅(qū)動單元
[0019]200-212步驟

【具體實施方式】
[0020]請參照圖1，圖1是本發(fā)明的第一實施例說明一種具有低消耗電流的內(nèi)存100的示意圖。如圖1所示，內(nèi)存100包括L個記憶區(qū)塊Bl-BL和一控制器102，其中L是一正整數(shù)，且L個記憶區(qū)塊Bl-BL中的每一記憶區(qū)塊包括多個記憶區(qū)段(segment)。例如，記憶區(qū)塊BI包括4個記憶區(qū)段B11-B14。但本發(fā)明并不受限于記憶區(qū)塊BI包括4個記憶區(qū)段B11-B14。如圖1所示，記憶區(qū)段Bll對應(yīng)N條字符線WL0_1_WLN_1、感測放大器組SAL1、SARl和64個位開關(guān)BS0-BS63，其中N是一正整數(shù)，64個位開關(guān)BS0-BS63的每一位開關(guān)耦接位線BL0_1-BL0_63中的一相對應(yīng)位線，N條字符線WL0_1_WLN_1耦接于一字符線驅(qū)動單元WLDRVl，感測放大器組SALl、SARl耦接于位線BL0_1_BL0_63和64個位開關(guān)BS0-BS63，且感測放大器組SALl、SARl分別具有對應(yīng)64個位開關(guān)BS0-BS63的64個感測放大器。但本發(fā)明并不受限于記憶區(qū)段BI I對應(yīng)64個位開關(guān)BS0-BS63，也就是說記憶區(qū)段BI I可對應(yīng)多個位開關(guān)。另外，記憶區(qū)段B12-B14中的每一記憶區(qū)段皆和記憶區(qū)段Bll相同，在此不再贅述。
[0021]當耦接于內(nèi)存100的一應(yīng)用單元(未繪示于圖1)欲存取記憶區(qū)塊BI內(nèi)記憶區(qū)段Bll的數(shù)據(jù)時，控制器102先致能對應(yīng)記憶區(qū)塊BI的地址和一第一列地址(對應(yīng)字符線WLN_1)的激活(active)指令，然后在控制器102致能激活指令后，對應(yīng)第一列地址的一字符開關(guān)(對應(yīng)字符線WLN_1)即可根據(jù)激活指令開啟。在控制器102致能激活指令后，控制器102致能對應(yīng)記憶區(qū)塊BI的地址和記憶區(qū)段Bll的地址的一存取指令，然后在控制器102致能存取指令后，對應(yīng)記憶區(qū)段Bll的64個位開關(guān)BS0-BS63即可根據(jù)存取指令開啟，其中存取指令是一讀取/寫入指令。當對應(yīng)記憶區(qū)段Bll的64個位開關(guān)BS0-BS63根據(jù)存取指令開啟時，耦接于內(nèi)存100的應(yīng)用單元即可通過對應(yīng)記憶區(qū)段Bll的感測放大器組SAL1、SARl存取記憶區(qū)段Bll內(nèi)對應(yīng)第一列地址(對應(yīng)字符線WLN_1)與64個位開關(guān)BS0-BS63的數(shù)據(jù)。因此，因為當耦接于內(nèi)存100的應(yīng)用單元欲存取記憶區(qū)塊BI內(nèi)記憶區(qū)段Bll的數(shù)據(jù)時，記憶區(qū)塊BI內(nèi)僅有對應(yīng)字符線WLN_1的字符開關(guān)、64個位開關(guān)BS0-BS63與感測放大器組SALl、SARl開啟，所以當內(nèi)存100被存取數(shù)據(jù)時，內(nèi)存100可降低消耗電流。
[0022]另外，在控制器102去能存取指令后，控制器102可致能對應(yīng)一隨后記憶區(qū)段的地址和記憶區(qū)塊BI的地址的一預(yù)充電(precharge)指令，其中隨后記憶區(qū)段的地址是對應(yīng)內(nèi)存100內(nèi)的第二記憶區(qū)塊，第二記憶區(qū)塊是不同于記憶區(qū)塊BI，且對應(yīng)第二記憶區(qū)塊的一緩存器可儲存對應(yīng)隨后記憶區(qū)段的地址和第二記憶區(qū)塊的地址。但在本發(fā)明的另一實施例中，隨后記憶區(qū)段的地址是對應(yīng)內(nèi)存100內(nèi)的記憶區(qū)塊BI。在控制器102去能預(yù)充電指令后，當耦接于內(nèi)存100的應(yīng)用單元欲存取第三記憶區(qū)塊(例如記憶區(qū)塊B2)內(nèi)一記憶區(qū)段(例如記憶區(qū)段B21)的數(shù)據(jù)時，控制器102即可致能對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的地址和一第二列地址的激活指令，然后控制器102即可再次執(zhí)行上述有關(guān)于存取記憶區(qū)塊BI的步驟，在此不再贅述，其中第三記憶區(qū)塊(例如記憶區(qū)塊B2)內(nèi)記憶區(qū)段(例如記憶區(qū)段B21)已被一之前的預(yù)充電指令所預(yù)先充電。另外，記憶區(qū)塊B2-BN中的每一記憶區(qū)塊的操作原理皆和記憶區(qū)塊BI相同，在此亦不再贅述。
[0023]另外,請參照表一,表一是用以更清楚說明I禹接于內(nèi)存100的應(yīng)用單元存取本內(nèi)存100的運作。
[0024]激活指令I(lǐng) (例如對應(yīng)記憶區(qū)塊BI的地址,用以開啟對應(yīng)記憶區(qū)段Bll的一條字符線的字符開關(guān)而非開啟對應(yīng)全部記憶區(qū)塊BI的字符線的字符開關(guān)，其中記憶區(qū)段Bll地址的信息為一默認值或從對應(yīng)記憶區(qū)塊BI的緩存器內(nèi)先前所儲存的內(nèi)容得知)
[0025]存取指令I(lǐng) (例如對應(yīng)記憶區(qū)塊BI的地址)
[0026]預(yù)充電指令I(lǐng) (預(yù)充電對應(yīng)記憶區(qū)塊BI的地址和一隨后記憶區(qū)段的地址，例如記憶區(qū)塊B2的記憶區(qū)段B21地址)
[0027]激活指令2 (例如對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的地址,用以開啟對應(yīng)記憶區(qū)塊B2內(nèi)記憶區(qū)段B21的一條字符線(對應(yīng)第一列地址)的字符開關(guān)而非開啟對應(yīng)全部記憶區(qū)塊B2的字符線的字符開關(guān)，其中記憶區(qū)段B21地址的信息可從預(yù)充電指令I(lǐng)后對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的緩存器內(nèi)儲存記憶區(qū)塊B2的記憶區(qū)段B21地址得知)
[0028]存取指令2 (例如對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的地址)
[0029]預(yù)充電指令2 (預(yù)充電對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的地址和一隨后記憶區(qū)段的地址，例如對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的記憶區(qū)段B22地址)
[0030]激活指令3 (例如對應(yīng)記憶區(qū)塊BL的地址，用以開啟對應(yīng)記憶區(qū)段BLX的一條字符線的字符開關(guān)而非開啟對應(yīng)全部記憶區(qū)塊BL的字符線的字符開關(guān)，其中記憶區(qū)段BLX地址的信息為一默認值或從對應(yīng)記憶區(qū)塊BL的緩存器內(nèi)先前所儲存的內(nèi)容得知)
[0031 ] 存取指令3 (例如對應(yīng)記憶區(qū)塊BL的地址)
[0032]預(yù)充電指令3 (預(yù)充電對應(yīng)記憶區(qū)塊BL的地址和一隨后記憶區(qū)段的地址，例如對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的記憶區(qū)段B23地址，此時對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的緩存器原先儲存的記憶區(qū)塊B2的記憶區(qū)段B22地址，將被記憶區(qū)塊B2的記憶區(qū)段B23地址蓋掉)
[0033]表一
[0034]如表一所示，因為預(yù)充電指令I(lǐng)是對應(yīng)記憶區(qū)塊BI的地址和一隨后記憶區(qū)段的地址(例如記憶區(qū)塊B2的記憶區(qū)段B21的地址)，所以記憶區(qū)塊BI和對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的記憶區(qū)段B21可根據(jù)預(yù)充電指令I(lǐng)充電。因此，當控制器102致能激活指令2 (對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的地址和第一列地址)和存取指令2 (對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的地址和記憶區(qū)段B21的地址)時，記憶區(qū)塊B2僅有對應(yīng)第一列地址的字符開關(guān)、對應(yīng)記憶區(qū)段B21的64個位開關(guān)與感測放大器組開啟。另外，一激活指令所對應(yīng)的記憶區(qū)塊和前一預(yù)充電指令的隨后記憶區(qū)段所對應(yīng)的記憶區(qū)塊可相同或是不同。例如，激活指令2對應(yīng)記憶區(qū)塊B2以及預(yù)充電指令I(lǐng)的隨后記憶區(qū)段對應(yīng)記憶區(qū)塊B2 ;激活指令3對應(yīng)記憶區(qū)塊BL以及預(yù)充電指令2的隨后記憶區(qū)段對應(yīng)記憶區(qū)塊B2。
[0035]請參照圖1和圖2，圖2是本發(fā)明的第二實施例說明一種降低內(nèi)存消耗電流的方法的流程圖。圖2的方法是利用圖1的具有低消耗電流的內(nèi)存100說明，詳細步驟如下:
[0036]步驟200:開始；
[0037]步驟202:控制器102致能對應(yīng)L個記憶區(qū)塊Bl-BL中第一記憶區(qū)塊的地址和第一列地址的一激活指令；
[0038]步驟204:第一記憶區(qū)塊的一個記憶區(qū)段內(nèi)對應(yīng)第一列地址的字符開關(guān)根據(jù)激活指令開啟；
[0039]步驟206:控制器102致能對應(yīng)第一記憶區(qū)塊和第一記憶區(qū)塊的一個記憶區(qū)段的地址的一存取指令；
[0040]步驟208:對應(yīng)第一記憶區(qū)塊的一個記憶區(qū)段的64個位開關(guān)根據(jù)存取指令開啟；
[0041]步驟210:在控制器102去能存取指令后，控制器102致能對應(yīng)隨后記憶區(qū)段的地址和第一記憶區(qū)塊的地址的一預(yù)充電指令；
[0042]步驟212:對應(yīng)第二記憶區(qū)塊的一緩存器儲存對應(yīng)隨后記憶區(qū)段的地址和第二記憶區(qū)塊的地址，跳回步驟202。
[0043]在步驟202中，當耦接于內(nèi)存100的應(yīng)用單元(未繪示于圖1)欲存取L個記憶區(qū)塊Bl-BL中第一記憶區(qū)塊(例如記憶區(qū)塊BI)內(nèi)的一個記憶區(qū)段(例如記憶區(qū)段Bll)的數(shù)據(jù)時，控制器102先致能對應(yīng)記憶區(qū)塊BI的地址和第一列地址(對應(yīng)字符線WLN_1)的激活指令。在步驟204中，在控制器102致能激活指令后，記憶區(qū)段Bll對應(yīng)第一列地址的字符開關(guān)(對應(yīng)字符線WLN_1)即可根據(jù)激活指令開啟。在步驟206中，控制器102致能激活指令后，控制器102致能對應(yīng)記憶區(qū)塊BI的地址和記憶區(qū)段Bll的地址的存取指令。在步驟208中，控制器102致能存取指令后，對應(yīng)記憶區(qū)段Bll的64個位開關(guān)BS0-BS63即可根據(jù)存取指令開啟，其中存取指令是一讀取/寫入指令。當對應(yīng)記憶區(qū)段Bll的64個位開關(guān)BS0-BS63根據(jù)存取指令開啟時，耦接于內(nèi)存100的應(yīng)用單元即可通過對應(yīng)記憶區(qū)段Bll的感測放大器組SAL1、SARl存取記憶區(qū)段Bll內(nèi)對應(yīng)第一列地址(對應(yīng)字符線WLN_1)與64個位開關(guān)BS0-BS63的數(shù)據(jù)。因此，因為當耦接于內(nèi)存100的應(yīng)用單元欲存取記憶區(qū)塊BI內(nèi)記憶區(qū)段Bll的數(shù)據(jù)時，記憶區(qū)塊BI內(nèi)僅有對應(yīng)字符線WLN_1的字符開關(guān)、64個位開關(guān)BS0-BS63與感測放大器組SALl、SARl開啟，所以當內(nèi)存100被存取數(shù)據(jù)時，內(nèi)存100可降低消耗電流。
[0044]另外，在步驟210中，在控制器102去能存取指令后，控制器102可致能對應(yīng)隨后記憶區(qū)段的地址和內(nèi)存100內(nèi)第一記憶區(qū)塊的地址的預(yù)充電指令，其中隨后記憶區(qū)段的地址是對應(yīng)內(nèi)存100內(nèi)的第二記憶區(qū)塊，且第二記憶區(qū)塊是不同于記憶區(qū)塊BI。在步驟212中，對應(yīng)第二記憶區(qū)塊的緩存器可儲存對應(yīng)隨后記憶區(qū)段的地址和第二記憶區(qū)塊的地址。但在本發(fā)明的另一實施例中，隨后記憶區(qū)段的地址是對應(yīng)內(nèi)存100內(nèi)的第一記憶區(qū)塊。也就是說在控制器102去能預(yù)充電指令后，當耦接于內(nèi)存100的應(yīng)用單元欲存取第三記憶區(qū)塊(例如記憶區(qū)塊B2)內(nèi)一記憶區(qū)段(例如記憶區(qū)段B21)的數(shù)據(jù)時，控制器102即可致能對應(yīng)記憶區(qū)塊B2的地址和一第二列地址的激活指令，然后控制器102即可再次執(zhí)行上述有關(guān)于存取記憶區(qū)塊BI的步驟，在此不再贅述，其中第三記憶區(qū)塊(例如記憶區(qū)塊B3)內(nèi)記憶區(qū)段(例如記憶區(qū)段B21)已被一之前的預(yù)充電指令所預(yù)先充電。
[0045]綜上所述，本發(fā)明所公開的降低內(nèi)存消耗電流的方法和具有低消耗電流的內(nèi)存是當耦接于內(nèi)存的應(yīng)用單元欲存取內(nèi)存內(nèi)一預(yù)定記憶區(qū)塊的一預(yù)定記憶區(qū)段的數(shù)據(jù)時，控制器在產(chǎn)生一激活指令和一存取指令之前已先致能對應(yīng)預(yù)定記憶區(qū)段的地址和預(yù)定記憶區(qū)塊的地址的一預(yù)充電指令。如此，因為在控制器產(chǎn)生激活指令和存取指令后，預(yù)定記憶區(qū)塊內(nèi)僅有對應(yīng)預(yù)定記憶區(qū)段的字符線的字符開關(guān)、多個位開關(guān)與感測放大器組開啟，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明所公開的方法和內(nèi)存可降低消耗電流。
[0046]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種降低內(nèi)存消耗電流的方法，其中所述內(nèi)存包括一控制器、多個記憶區(qū)塊和多個緩存器，且所述多個記憶區(qū)塊中的每一個記憶區(qū)塊包括多個記憶區(qū)段，且對應(yīng)所述多個緩存器中的二緩存器，所述方法包括: 所述控制器致能對應(yīng)所述多個記憶區(qū)塊中一第一記憶區(qū)塊的地址和一第一列地址的激活指令； 所述方法的特征在于還包括: 所述第一記憶區(qū)塊的一記憶區(qū)段內(nèi)對應(yīng)所述第一列地址的一字符開關(guān)根據(jù)所述激活指令開啟； 所述控制器致能對應(yīng)所述記憶區(qū)段的地址的一存取指令； 對應(yīng)所述記憶區(qū)段的多個位開關(guān)根據(jù)所述存取指令開啟；及 在所述存取指令去能后，所述控制器致能對應(yīng)一隨后記憶區(qū)段的地址和所述第一記憶區(qū)塊的地址的一預(yù)充電指令。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述存取指令是一讀取/寫入指令，且所述存取指令另對應(yīng)所述記憶區(qū)塊的地址。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述隨后記憶區(qū)段的地址是對應(yīng)一第二記憶區(qū)塊。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述第一記憶區(qū)塊和所述第二記憶區(qū)塊是同一記憶區(qū)塊，或所述第一記憶區(qū)塊不同于所述第二記憶區(qū)塊。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于另包括: 對應(yīng)所述第二記憶區(qū)塊的一緩存器儲存對應(yīng)所述隨后記憶區(qū)段的地址和所述第二記憶區(qū)塊的地址。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于另包括: 在所述預(yù)充電指令去能后，所述控制器致能對應(yīng)一第三記憶區(qū)塊的地址和一第二列地址的激活指令。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于當對應(yīng)所述記憶區(qū)段的多個位開關(guān)根據(jù)所述存取指令開啟時，耦接于所述內(nèi)存的一應(yīng)用單元通過對應(yīng)所述記憶區(qū)段的感測放大器組存取所述記憶區(qū)段內(nèi)對應(yīng)所述第一列地址與所述多個位開關(guān)的數(shù)據(jù)。
8.一種具有低消耗電流的內(nèi)存,包括: 多個記憶區(qū)塊，其中所述多個記憶區(qū)塊中的每一個記憶區(qū)塊包括多個記憶區(qū)段；及 所述內(nèi)存的特征在于還包括: 一控制器，用以致能和去能對應(yīng)所述多個記憶區(qū)塊中一第一記憶區(qū)塊的地址和一第一列地址的激活指令，對應(yīng)所述第一記憶區(qū)塊的一記憶區(qū)段的地址的一存取指令，以及對應(yīng)一隨后記憶區(qū)段的地址和所述第一記憶區(qū)塊的地址的一預(yù)充電指令； 其中當所述激活指令致能時，所述記憶區(qū)段內(nèi)對應(yīng)所述第一列地址的字符開關(guān)根據(jù)所述激活指令開啟，以及當所述存取指令致能時，對應(yīng)所述記憶區(qū)段的多個位開關(guān)根據(jù)所述存取指令開啟。
9.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)存，其特征在于所述存取指令是一讀取/寫入指令，且所述存取指令另對應(yīng)所述記憶區(qū)塊的地址。
10.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)存，其特征在于所述隨后記憶區(qū)段的地址是對應(yīng)一第二記憶區(qū)塊。
11.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)存，其特征在于所述第一記憶區(qū)塊和所述第二記憶區(qū)塊是同一記憶區(qū)塊，或所述第一記憶區(qū)塊不同于所述第二記憶區(qū)塊。
12.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)存，其特征在于另包括: 多個緩存器，其中對應(yīng)所述第二記憶區(qū)塊的一緩存器儲存對應(yīng)所述隨后記憶區(qū)段的地址和所述第二記憶區(qū)塊的地址。
13.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)存，其特征在于所述控制器另用以在所述預(yù)充電指令去能后，致能對應(yīng)一第三記憶區(qū)塊的地址和一第二列地址的激活指令。
14.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)存，其特征在于當對應(yīng)所述記憶區(qū)段的多個位開關(guān)根據(jù)所述存取指令開啟時，耦接于所述內(nèi)存的一應(yīng)用單元通過對應(yīng)所述記憶區(qū)段的感測放大器組存取所述記憶區(qū)段內(nèi)對應(yīng)所述第一列地址與所述多個位開關(guān)的數(shù)據(jù)。
15.—種具有低消耗電流的內(nèi)存,包括: N個記憶區(qū)塊，其中所述N個記憶區(qū)塊中的每一記憶區(qū)塊包括多個記憶區(qū)段，其中N大于I ;及 所述內(nèi)存的特征在于還包括: 一控制器，用以產(chǎn)生對應(yīng)一第一記憶區(qū)塊的地址和一隨后第η記憶區(qū)塊的一第m記憶區(qū)段的地址的一預(yù)充電指令，其中η介于I和N之間，以及m大于I ; 其中所述第η記憶區(qū)塊的所述第m記憶區(qū)段的地址存入一緩存器內(nèi)。
16.如權(quán)利要求15所述的內(nèi)存，其特征在于當所述控制器對所述第η記憶區(qū)塊產(chǎn)生一激活指令時，所述控制器依據(jù)所述緩存器內(nèi)儲存的所述第η記憶區(qū)塊的所述第m記憶區(qū)段的地址，開啟對應(yīng)所述第m記憶區(qū)段的字符線。
【文檔編號】G06F3/06GK104238959SQ201410249607
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月6日
【發(fā)明者】夏浚 申請人:鈺創(chuàng)科技股份有限公司