一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，利用自電容的原理在觸摸屏的各像素電極的間隙處設(shè)置與像素電極同層設(shè)置的自電容電極，觸控偵測芯片在觸控時間段通過檢測各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置。由于本發(fā)明實施例提供的觸摸屏是將像素電極層的結(jié)構(gòu)進行變更在各像素電極原有的間隙處形成自電容電極，因此，在現(xiàn)有的陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上，不需要增加額外的工藝，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
【專利說明】一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及觸控【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸摸屏(Touch Screen Panel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前，觸摸屏按照組成結(jié)構(gòu)可以分為:外掛式觸摸屏(AddonModeTouch Panel)、覆蓋表面式觸摸屏(On Cell Touch Panel)、以及內(nèi)嵌式觸摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，夕卜掛式觸摸屏是將觸摸屏與液晶顯示屏(LiquidCrystal Display, IXD)分開生產(chǎn),然后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，外掛式觸摸屏存在制作成本較高、光透過率較低、模組較厚等缺點。而內(nèi)嵌式觸摸屏將觸摸屏的觸控電極內(nèi)嵌在液晶顯示屏內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸摸屏的制作成本，受到各大面板廠家青睞。
[0003]目前，現(xiàn)有的內(nèi)嵌(Incell)式觸摸屏是利用互電容或自電容的原理實現(xiàn)檢測手指觸摸位置。其中，利用自電容的原理可以在觸摸屏中設(shè)置多個同層設(shè)置且相互絕緣的自電容電極，當(dāng)人體未觸碰屏幕時，各自電容電極所承受的電容為一固定值，當(dāng)人體觸碰屏幕時，對應(yīng)的自電容電極所承受的電容為固定值疊加人體電容，觸控偵測芯片在觸控時間段通過檢測各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置。由于人體電容可以作用于全部自電容，相對于人體電容僅能作用于互電容中的投射電容，由人體碰觸屏幕所引起的觸控變化量會大于利用互電容原理制作出的觸摸屏，因此相對于互電容的觸摸屏能有效提高觸控的信噪比，從而提高觸控感應(yīng)的準確性。
[0004]在上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏的結(jié)構(gòu)設(shè)計中，需要在現(xiàn)有的顯示面板內(nèi)部增加加新的膜層，導(dǎo)致在制作面板時需要增加新的工藝，使生產(chǎn)成本增加，不利于提高生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，用以降低內(nèi)嵌式觸摸屏的生產(chǎn)成本、提高生產(chǎn)效率。
[0006]因此，本發(fā)明實施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏，包括相對而置的上基板和下基板，還包括:設(shè)置于所述下基板面向所述上基板的一側(cè)的像素電極層，以及觸控偵測芯片；其中，
[0007]所述像素電極層由多個相互絕緣的像素電極和自電容電極組成；其中，各所述像素電極呈陣列排布，各所述自電容電極的圖形位于相鄰的兩個所述像素電極的間隙處；
[0008]所述觸控偵測芯片用于在觸控時間段通過檢測各所述自電容電極的電容值變化以判斷觸控位置。
[0009]本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏，利用自電容的原理在觸摸屏的各像素電極的間隙處設(shè)置與像素電極同層設(shè)置的自電容電極，觸控偵測芯片在觸控時間段通過檢測各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置。由于本發(fā)明實施例提供的觸摸屏是將像素電極層的結(jié)構(gòu)進行變更在各像素電極原有的間隙處形成自電容電極，因此，在現(xiàn)有的陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上，不需要增加額外的工藝，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
[0010]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，各所述自電容電極的圖形為將所述像素電極作為網(wǎng)孔的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。
[0011]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，還包括:用于將所述自電容電極連接至所述觸控偵測芯片的多條導(dǎo)線。
[0012]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，所述導(dǎo)線與所述自電容電極異層設(shè)置。
[0013]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，各所述導(dǎo)線的圖形在所述下基板的正投影均位于相鄰的兩個所述像素電極的間隙處。
[0014]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，還包括:設(shè)置于所述下基板面向所述上基板的一側(cè)的相互交叉而置的柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線；
[0015]所述導(dǎo)線的延伸方向與所述柵極信號線相同，或與所述數(shù)據(jù)信號線相同。
[0016]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，以每相鄰的兩行像素電極為一個像素組，在該兩行像素電極之間設(shè)置有兩條柵極信號線分別為該兩行像素電極提供柵極掃描信號；
[0017]所述導(dǎo)線設(shè)置在相鄰的像素組之間的間隙處，且與所述柵極信號線同層設(shè)置。
[0018]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，相鄰行的像素電極之間設(shè)置有兩條柵極信號線；且每相鄰的兩列像素電極為一個像素組，共用一條位于該兩列像素電極之間的數(shù)據(jù)信號線；
[0019]所述導(dǎo)線設(shè)置在相鄰的像素組之間的間隙處，且與所述數(shù)據(jù)信號線同層設(shè)置。
[0020]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，還包括:與各條導(dǎo)線同層設(shè)置且相互絕緣的多條金屬線；各所述金屬線與各條導(dǎo)線位于同一直線，且與交疊的一所述自電容電極并聯(lián)。
[0021]本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的俯視示意圖之一；
[0024]圖3a和圖3b分別為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的驅(qū)動時序示意圖；
[0025]圖4和圖5分別為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的俯視示意圖之二 ；
[0026]圖6和圖7分別為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的俯視示意圖之三。
【具體實施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0028]附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0029]本發(fā)明實施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏，如圖1所示，包括相對設(shè)置的上基板01和下基板02，還包括:設(shè)置于下基板02面向上基板01的一側(cè)的像素電極層03，以及觸控偵測芯片04 ;其中，
[0030]如圖2所示，像素電極層03由多個相互絕緣的像素電極05和自電容電極06組成；其中，各像素電極05呈陣列排布，各自電容電極06的圖形位于相鄰的兩個像素電極05的間隙處；
[0031]觸控偵測芯片04用于在觸控時間段通過檢測各自電容電極06的電容值變化以判斷觸控位置。
[0032]本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏，利用自電容的原理在觸摸屏的各像素電極05的間隙處設(shè)置與像素電極05同層設(shè)置的自電容電極06，觸控偵測芯片04在觸控時間段通過檢測各自電容電極06的電容值變化可以判斷出觸控位置。由于本發(fā)明實施例提供的觸摸屏是將像素電極層的結(jié)構(gòu)進行變更在各像素電極原有的間隙處形成自電容電極，因此，在現(xiàn)有的陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上，不需要增加額外的工藝，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
[0033]具體地，由于本發(fā)明實施例提供的上述觸摸屏采用像素電極05的間隙制作自電容電極06，為了減少顯示和觸控信號之間的相互干擾，在具體實施時，需要采用觸控和顯示階段分時驅(qū)動的方式，并且，在具體實施時還可以將顯示驅(qū)動芯片和觸控偵測芯片整合為一個芯片，進一步降低生產(chǎn)成本。
[0034]具體地，例如:如圖3a和圖3b所示的驅(qū)動時序圖中，將觸摸屏顯示每一幀(V-sync)的時間分成顯示時間段(Display)和觸控時間段(Touch),例如如圖3a和圖3b所示的驅(qū)動時序圖中觸摸屏的顯示一幀的時間為16.7ms，選取其中5ms作為觸控時間段，其他的11.7ms作為顯示時間段，當(dāng)然也可以根據(jù)IC芯片的處理能力適當(dāng)?shù)恼{(diào)整兩者的時長，在此不做具體限定。在顯示時間段(Display)，對觸摸屏中的每條柵極信號線Gatel，Gate2……Gate η依次施加?xùn)艗呙栊盘枺瑢?shù)據(jù)信號線Data施加灰階信號，以實現(xiàn)液晶顯示功能。在觸控時間段(Touch)，如圖3a所示，與各自電容電極Cxl……Cx η連接的觸控偵測芯片向各自電容電極Cxl……Cx η同時施加驅(qū)動信號，同時接收各自電容電極Cxl……Cx η的反饋信號；也可以如圖3b所示，與各自電容電極Cxl……Cx η連接的觸控偵測芯片向各自電容電極CxI……Cx η依次施加驅(qū)動信號，分別接收各自電容電極Cxl……Cx η的反饋信號，在此不做限定，通過對反饋信號的分析判斷是否發(fā)生觸控，以實現(xiàn)觸控功能。
[0035]一般地，觸摸屏的密度通常在毫米級，因此，在具體實施時，可以根據(jù)所需的觸控密度選擇各自電容電極06的密度和所占面積以保證所需的觸控密度，通常各自電容電極06設(shè)計為5_*5_左右的方形電極，當(dāng)然也可以是其他形狀。而顯示屏的密度通常在微米級，因此，一般一個自電容電極06會對應(yīng)顯示屏中的多個像素單元。并且，自電容電極06的圖形是設(shè)置在各像素電極的間隙處，這樣，如圖2所示，一般各自電容電極06的圖形為將像素電極05作為網(wǎng)孔的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，圖2示出了一個自電容電極06的圖形。
[0036]在具體米用自電容原理設(shè)計觸摸屏?xí)r，如圖4和圖5所75,—般每一個自電容電極06需要通過單獨的導(dǎo)線07與觸控偵測芯片04連接，即一般在觸摸屏中還包括用于將自電容電極06連接至觸控偵測芯片04的多條導(dǎo)線07。
[0037] 在具體實施時，可以將導(dǎo)線07與自電容電極06的圖形設(shè)置在同一膜層，即可以和像素電極的圖形同時制備；也可以將導(dǎo)線07與自電容電極06的圖形異層設(shè)置，即采用單獨的構(gòu)圖工藝制作導(dǎo)線07的圖形。其中，將導(dǎo)線07和自電容電極06同層設(shè)置雖然可以避免增加新的構(gòu)圖工藝，但是，將自電容電極06和導(dǎo)線07同層設(shè)置會形成觸控盲區(qū)，在觸控盲區(qū)內(nèi)連接多個自電容電極06的導(dǎo)線07均經(jīng)過該觸控盲區(qū)，因此，在這個觸控盲區(qū)內(nèi)的信號相對比較紊亂，也就是在該區(qū)域內(nèi)的觸控性能無法保證。基于上述考慮，在具體實施時，一般將導(dǎo)線07和自電容電極06異層設(shè)置。
[0038]進一步地，不管是將導(dǎo)線07和自電容電極06異層設(shè)置，還是將導(dǎo)線07與自電容電極06同層設(shè)置，為了使導(dǎo)線07的圖形不影響正常的顯示，一般將各導(dǎo)線07的圖形設(shè)置與各像素單元的非開口區(qū)域，即各導(dǎo)線07的圖形在下基板02的正投影均位于相鄰的兩個像素電極05的間隙處。
[0039]進一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述觸摸屏中，如圖4和圖5所示，一般還包括:設(shè)置于下基板02面向上基板01的一側(cè)的相互交叉而置的柵極信號線08和數(shù)據(jù)信號線09。
[0040]為了便于通過導(dǎo)線07將自電容電極06與觸控偵測芯片04連接，一般導(dǎo)線07的延伸方向設(shè)置為與柵極信號線08相同，或與數(shù)據(jù)信號線09相同。即一般各導(dǎo)線07的延伸方向均一致。
[0041]進一步地，在本發(fā)明實施例提供的觸摸屏中，為了盡可能的不增加新的膜層，保證生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本，在具體實施時，可以將與自電容電極06連接的導(dǎo)線07與柵極信號線08同層設(shè)置，或與數(shù)據(jù)信號線09同層設(shè)置。
[0042]具體地，一種可能的實施方式為:如圖4所示，在下基板02上，以每相鄰的兩行像素電極05為一個像素組，在該兩行像素電極05之間設(shè)置有兩條柵極信號線08分別為該兩行像素電極05提供柵極掃描信號。通過變更相鄰兩行像素電極05之間的柵極信號線08和TFT開關(guān)的位置，可以節(jié)省出相鄰像素組之間柵極信號線08的位置。這樣，如圖4所示，就可以將導(dǎo)線07設(shè)置在相鄰的像素組之間的間隙處，且與柵極信號線08同層設(shè)置。導(dǎo)線07與對應(yīng)的自電容電極06通過過孔電連接。
[0043]具體地，另一種可能的實施方式為:如圖5所示，采用雙柵結(jié)構(gòu)，在下基板02上，在相鄰行的像素電極05之間均設(shè)置兩條柵極信號線08 ;且每相鄰的兩列像素電極05設(shè)為一個像素組，共用一條位于該兩列像素電極05之間的數(shù)據(jù)信號線09。通過增加一倍柵極信號線08的數(shù)量，可以節(jié)省出相鄰像素組之間數(shù)據(jù)信號線09的位置。這樣，如圖5所示，就可以將導(dǎo)線07設(shè)置在相鄰的像素組之間的間隙處，且與數(shù)據(jù)信號線同層設(shè)置。導(dǎo)線07與對應(yīng)的自電容電極06通過過孔電連接。
[0044]具體地，由于像素電極層一般由ITO材料制成，而ITO材料的電阻較高，為了最大限度的降低其電阻，提高各自電容電極06傳遞電信號的信噪比，可以將自電容電極06與對應(yīng)的導(dǎo)線07通過多個過孔電性相連，如圖6所示。相當(dāng)于將ITO電極和多個由導(dǎo)線組成的金屬電阻并聯(lián)，這樣能最大限度的減少電極的電阻，從而提高電極傳遞信號時的信噪比。
[0045]進一步地，為了更加降低自電容電極06的電阻，在設(shè)計各條導(dǎo)線07時，如圖7所示，在滿足各導(dǎo)線07與對應(yīng)的自電容電極06電性連接后，還可以將原來貫穿整個面板的整條的導(dǎo)線斷開，形成導(dǎo)線07和與導(dǎo)線07同層設(shè)置且相互絕緣的多條金屬線10 ;各金屬線10與各導(dǎo)線07位于同一直線，且與交疊的一自電容電極06并聯(lián)，即通過過孔電性相連。上述這種設(shè)計能充分利用相鄰組像素單元之間的間隙，在保證觸摸屏的開口率的同時，利用了導(dǎo)線的冗余部分，設(shè)置電阻值較低的金屬線，并將電阻值較低的金屬線與電阻值較高的各自電容電極并聯(lián)，能最大程度的降低各自電容電極的電阻。[0046]本發(fā)明實施例提供的下述內(nèi)嵌式觸摸屏既適用于扭轉(zhuǎn)向列(TwistedNematic, TN)型液晶顯不屏，也適用于高級超維場開關(guān)(Adwanced Dimension Switch, ADS)型液晶顯示屏和平面內(nèi)開關(guān)(In-Plane Switch, IPS)型液晶顯示屏。
[0047]一般地，傳統(tǒng)ADS型液晶面板的下基板上，公共電極作為板狀電極位于下層(更靠近襯底基板)，像素電極作為狹縫電極位于上層(更靠近液晶層)，在像素電極和公共電極之間設(shè)有絕緣層。而HADS型液晶面板的陣列基板上，像素電極作為板狀電極位于下層(更靠近襯底基板)，公共電極作為狹縫電極位于上層(更靠近液晶層)，在像素電極和公共電極之間設(shè)有絕緣層。
[0048]具體地，根據(jù)上述觸摸屏具體應(yīng)用的液晶顯示面板的模式，同層設(shè)置的像素電極05和各自電容電極06可以設(shè)置于公共電極之上，也可以設(shè)置于公共電極之下，在此不做限定。進一步地，為了增加在觸控時間段自電容電極06感知人體電容帶來的變化，一般將由各自電容電極06和像素電極05設(shè)置在下基板02中的公共電極的上方，即采用ADS模式，以盡量使自電容電極06接近上基板OI。
[0049]并且，在具體實施時，可以采用現(xiàn)有的任意種構(gòu)圖流程制作下基板02上的各膜層，例如可以采用8次構(gòu)圖工藝:柵極和柵線構(gòu)圖一有源層構(gòu)圖一第一絕緣層構(gòu)圖一數(shù)據(jù)線和源漏極構(gòu)圖一樹脂層構(gòu)圖一公共電極構(gòu)圖一第二絕緣層構(gòu)圖一像素電極層構(gòu)圖；當(dāng)然也可以根據(jù)實際設(shè)計，采用7次構(gòu)圖工藝、6次構(gòu)圖工藝或5次構(gòu)圖工藝，在此不做限定。
[0050]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏，該顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述內(nèi)嵌式觸摸屏的實施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0051]本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，利用自電容的原理在觸摸屏的各像素電極的間隙處設(shè)置與像素電極同層設(shè)置的自電容電極，觸控偵測芯片在觸控時間段通過檢測各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置。由于本發(fā)明實施例提供的觸摸屏是將像素電極層的結(jié)構(gòu)進行變更在各像素電極原有的間隙處形成自電容電極，因此，在現(xiàn)有的陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上，不需要增加額外的工藝，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
[0052]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種內(nèi)嵌式觸摸屏，包括相對而置的上基板和下基板，其特征在于，還包括:設(shè)置于所述下基板面向所述上基板的一側(cè)的像素電極層，以及觸控偵測芯片；其中， 所述像素電極層由多個相互絕緣的像素電極和自電容電極組成；其中，各所述像素電極呈陣列排布，各所述自電容電極的圖形位于相鄰的兩個所述像素電極的間隙處； 所述觸控偵測芯片用于在觸控時間段通過檢測各所述自電容電極的電容值變化以判斷觸控位置。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，各所述自電容電極的圖形為將所述像素電極作為網(wǎng)孔的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，還包括:用于將所述自電容電極連接至所述觸控偵測芯片的多條導(dǎo)線。
4.如權(quán)利要求3所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，所述導(dǎo)線與所述自電容電極異層設(shè)置。
5.如權(quán)利要求4所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，各所述導(dǎo)線的圖形在所述下基板的正投影均位于相鄰的兩個所述像素電極的間隙處。
6.如權(quán)利要求5所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，還包括:設(shè)置于所述下基板面向所述上基板的一側(cè)的相互交叉而置的柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線； 所述導(dǎo)線的延伸方向與所述柵極信號線相同，或與所述數(shù)據(jù)信號線相同。
7.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，以每相鄰的兩行像素電極為一個像素組，在該兩行像素電極之間設(shè)置有兩條柵極信號線分別為該兩行像素電極提供柵極掃描信號; 所述導(dǎo)線設(shè)置在相鄰的像素組之間的間隙處，且與所述柵極信號線同層設(shè)置。
8.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，相鄰行的像素電極之間設(shè)置有兩條柵極信號線；且每相鄰的兩列像素電極為一個像素組，共用一條位于該兩列像素電極之間的數(shù)據(jù)信號線； 所述導(dǎo)線設(shè)置在相鄰的像素組之間的間隙處，且與所述數(shù)據(jù)信號線同層設(shè)置。
9.如權(quán)利要求7或8所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，還包括:與各條導(dǎo)線同層設(shè)置且相互絕緣的多條金屬線；各所述金屬線與各條導(dǎo)線位于同一直線，且與交疊的一所述自電容電極并聯(lián)。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項所述的內(nèi)嵌式觸摸屏。
【文檔編號】G06F3/044GK104020910SQ201410240493
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月30日
【發(fā)明者】王海生, 董學(xué), 薛海林, 劉英明, 趙衛(wèi)杰, 丁小梁, 楊盛際, 劉紅娟, 王磊, 王春雷 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司