一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，在陣列基板上設(shè)置多個(gè)同層且相互獨(dú)立的自電容電極，觸控偵測(cè)芯片在觸控時(shí)間段通過(guò)檢測(cè)各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置，并且，將位于頂柵型薄膜晶體管下方的遮擋層的圖形進(jìn)行變更形成多條導(dǎo)線(xiàn)，一方面形成的導(dǎo)線(xiàn)可以將自電容電極連接至觸控偵測(cè)芯片，實(shí)現(xiàn)觸控功能；另一方面形成的導(dǎo)線(xiàn)圖形遮擋頂柵型薄膜晶體管的有源層圖案，從而避免背光照射而產(chǎn)生光生載流子影響正常顯示。由于將原有的頂柵型薄膜晶體管下方的遮擋層的圖形進(jìn)行變更形成與自電容電極對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線(xiàn)，相對(duì)于現(xiàn)有的增加兩層膜層的制作工藝，僅需增加一層形成自電容電極的工藝即可實(shí)現(xiàn)觸控功能，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及觸控【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸摸屏(Touch Screen Panel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前，觸摸屏按照組成結(jié)構(gòu)可以分為:外掛式觸摸屏(AddonModeTouch Panel)、覆蓋表面式觸摸屏(On Cell Touch Panel)、以及內(nèi)嵌式觸摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，夕卜掛式觸摸屏是將觸摸屏與液晶顯示屏(LiquidCrystal Display, IXD)分開(kāi)生產(chǎn),然后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，外掛式觸摸屏存在制作成本較高、光透過(guò)率較低、模組較厚等缺點(diǎn)。而內(nèi)嵌式觸摸屏將觸摸屏的觸控電極內(nèi)嵌在液晶顯示屏內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸摸屏的制作成本，受到各大面板廠(chǎng)家青睞。
[0003]目前，現(xiàn)有的內(nèi)嵌(Incell)式觸摸屏是利用互電容或自電容的原理實(shí)現(xiàn)檢測(cè)手指觸摸位置。其中，利用自電容的原理可以在觸摸屏中設(shè)置多個(gè)同層設(shè)置且相互絕緣的自電容電極，當(dāng)人體未觸碰屏幕時(shí)，各自電容電極所承受的電容為一固定值，當(dāng)人體觸碰屏幕時(shí)，對(duì)應(yīng)的自電容電極所承受的電容為固定值疊加人體電容，觸控偵測(cè)芯片在觸控時(shí)間段通過(guò)檢測(cè)各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置。由于人體電容可以作用于全部自電容，相對(duì)于人體電容僅能作用于互電容中的投射電容，由人體碰觸屏幕所引起的觸控變化量會(huì)大于利用互電容原理制作出的觸摸屏，因此，相對(duì)于互電容的觸摸屏能有效提高觸控的信噪比，從而提高觸控感應(yīng)的準(zhǔn)確性。
[0004]在上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，為了將自電容電極與觸控偵測(cè)芯片連接，一般會(huì)設(shè)置與自電容電極對(duì)應(yīng)連接的導(dǎo)線(xiàn)。具體地，可以將導(dǎo)線(xiàn)與自電容電極的圖形設(shè)置在同一膜層，也可以將導(dǎo)線(xiàn)與自電容電極的圖形異層設(shè)置。其中，將導(dǎo)線(xiàn)和自電容電極同層設(shè)置雖然可以避免增加新的構(gòu)圖工藝，但是，將自電容電極和導(dǎo)線(xiàn)同層設(shè)置會(huì)形成觸控盲區(qū)，在觸控盲區(qū)內(nèi)連接多個(gè)自電容電極的導(dǎo)線(xiàn)均經(jīng)過(guò)該觸控盲區(qū)，因此，在這個(gè)觸控盲區(qū)內(nèi)的信號(hào)相對(duì)比較紊亂，也就是在該區(qū)域內(nèi)的觸控性能無(wú)法保證?；谏鲜隹紤]，在具體實(shí)施時(shí)，一般將導(dǎo)線(xiàn)和自電容電極異層設(shè)置。
[0005]而在內(nèi)嵌式觸摸屏中將導(dǎo)線(xiàn)和自電容電極異層設(shè)置，需要在現(xiàn)有的顯示面板內(nèi)部增加新的兩個(gè)膜層，導(dǎo)致在制作面板時(shí)需要增加新的工藝，使生產(chǎn)成本增加，不利于提高生
產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，用以降低內(nèi)嵌式觸摸屏的生產(chǎn)成本、提高生產(chǎn)效率。
[0007]因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏，包括具有頂柵型薄膜晶體管的陣列基板，還包括:
[0008]設(shè)置于所述陣列基板的所述頂柵型薄膜晶體管所在膜層之上的多個(gè)同層設(shè)置且相互獨(dú)立的自電容電極；
[0009]在觸控時(shí)間段通過(guò)檢測(cè)各所述自電容電極的電容值變化以判斷觸控位置的觸控偵測(cè)芯片；以及，
[0010]設(shè)置于所述陣列基板的所述頂柵型薄膜晶體管所在膜層之下，且用于將所述自電容電極連接至所述觸控偵測(cè)芯片的多條導(dǎo)線(xiàn)；所述導(dǎo)線(xiàn)的圖形在所述陣列基板上的正投影遮擋所述頂柵型薄膜晶體管的有源層圖案。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏，利用自電容的原理在陣列基板上設(shè)置多個(gè)同層且相互獨(dú)立的自電容電極，觸控偵測(cè)芯片在觸控時(shí)間段通過(guò)檢測(cè)各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置，并且，將位于頂柵型薄膜晶體管下方的遮擋層的圖形進(jìn)行變更形成多條導(dǎo)線(xiàn)，一方面形成的導(dǎo)線(xiàn)可以將自電容電極連接至觸控偵測(cè)芯片，實(shí)現(xiàn)觸控功能；另一方面形成的導(dǎo)線(xiàn)圖形遮擋頂柵型薄膜晶體管的有源層圖案，從而避免背光照射而產(chǎn)生光生載流子影響正常顯示。由于本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏是將原有的頂柵型薄膜晶體管下方的遮擋層的圖形進(jìn)行變更形成與自電容電極對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線(xiàn)，因此，相對(duì)于需要在現(xiàn)有的陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上增加兩層膜層的制作工藝，僅需增加一層形成自電容電極的工藝即可實(shí)現(xiàn)觸控功能，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
[0012]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，所述導(dǎo)線(xiàn)在所述陣列基板上的正投影位于所述陣列基板的像素單元的間隙處。
[0013]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，還包括:與所述頂柵型薄膜晶體管中的源漏極同層設(shè)置的第一導(dǎo)通部，所述自電容電極通過(guò)所述第一導(dǎo)通部與所述導(dǎo)線(xiàn)電性連接；或，
[0014]還包括:與所述頂柵型薄膜晶體管中的柵極同層設(shè)置的第二導(dǎo)通部，所述自電容電極通過(guò)所述第二導(dǎo)通部與所述導(dǎo)線(xiàn)電性連接。
[0015]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，還包括:與所述頂柵型薄膜晶體管中的源漏極同層設(shè)置的第一導(dǎo)通部，以及與所述頂柵型薄膜晶體管中的柵極同層設(shè)置的第二導(dǎo)通部；
[0016]所述第一導(dǎo)通部與所述第二導(dǎo)通部電性相連，所述自電容電極通過(guò)所述第一導(dǎo)通部和第二導(dǎo)通部與所述導(dǎo)線(xiàn)電性連接。
[0017]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，所述頂柵型薄膜晶體管的源漏極設(shè)置在柵極的上層。
[0018]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，各所述自電容電極組成所述陣列基板上的公共電極層。
[0019]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，各所述自電容電極之間的間隙在所述陣列基板上的正投影位于所述陣列基板的像素單元的間隙處。
[0020]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，各所述自電容電極與所述陣列基板上的像素電極同層設(shè)置，且各所述自電容電極的圖形位于相鄰的兩個(gè)所述像素電極的間隙處。
[0021 ] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，各所述自電容電極的圖形為以所述像素電極作為網(wǎng)孔的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏將自電容電極與像素電極同層設(shè)置時(shí)的俯視不意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏將公共電極層復(fù)用為自電容電極時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖4a和圖4b分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的驅(qū)動(dòng)時(shí)序示意圖；
[0027]圖5a至圖5h分別為圖3所示結(jié)構(gòu)的制作方法執(zhí)行各步驟后的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]目前，在顯示面板內(nèi)使用的陣列基板中的薄膜晶體管一般采用非晶硅制作有源層，由于非晶硅存在本身自有的缺陷會(huì)導(dǎo)致薄膜晶體管的開(kāi)態(tài)電流低、遷移率低、穩(wěn)定性差等問(wèn)題，使它在很多領(lǐng)域受到了限制，為了彌補(bǔ)非晶硅本身缺陷，采用低溫多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon,LTPS)作為有源層的薄膜晶體管陣列基板應(yīng)運(yùn)而生。目前的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板多為頂柵型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，主要包括:在襯底基板上依次設(shè)置的有源層、柵極、源漏極等膜層；其中，為了避免背光源的光線(xiàn)照射到有源層而產(chǎn)生光生載流子從而影響薄膜晶體管的性能，在陣列基板中，在有源層的下方還設(shè)置有避免光線(xiàn)照射到有源層上的遮擋層，該遮擋層的圖形一般與有源層的圖形一致。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例基于上述LTPS薄膜晶體管陣列基板，提出了新的電容式內(nèi)嵌觸摸屏結(jié)構(gòu)。
[0030]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0031]附圖中各層膜層的厚度和形狀不反映真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏，如圖1所示，包括具有頂柵型薄膜晶體管01的陣列基板02,還包括:
[0033]設(shè)置于陣列基板02的頂柵型薄膜晶體管01所在膜層之上的多個(gè)同層設(shè)置且相互獨(dú)立的自電容電極03 ；
[0034]在觸控時(shí)間段通過(guò)檢測(cè)各自電容電極03的電容值變化以判斷觸控位置的觸控偵測(cè)芯片04;以及，
[0035]設(shè)置于陣列基板02的頂柵型薄膜晶體管01所在膜層之下，且用于將自電容電極03連接至觸控偵測(cè)芯片04的多條導(dǎo)線(xiàn)05，該導(dǎo)線(xiàn)05的圖形在陣列基板02上的正投影遮擋頂柵型薄膜晶體管01的有源層011圖案。
[0036]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏，利用自電容的原理在陣列基板02上設(shè)置多個(gè)同層且相互獨(dú)立的自電容電極03，觸控偵測(cè)芯片04在觸控時(shí)間段通過(guò)檢測(cè)各自電容電極03的電容值變化可以判斷出觸控位置，并且，將位于頂柵型薄膜晶體管01下方的遮擋層的圖形進(jìn)行變更形成多條導(dǎo)線(xiàn)05，一方面形成的導(dǎo)線(xiàn)05可以將自電容電極03連接至觸控偵測(cè)芯片04，實(shí)現(xiàn)觸控功能；另一方面形成的導(dǎo)線(xiàn)05圖形遮擋頂柵型薄膜晶體管01的有源層011圖案，從而避免背光照射而產(chǎn)生光生載流子影響正常顯示。由于本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏是將原有的頂柵型薄膜晶體管01下方的遮擋層的圖形進(jìn)行變更形成與自電容電極03對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線(xiàn)05，因此，相對(duì)于需要在現(xiàn)有的陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上增加兩層膜層的制作工藝，僅需增加一層形成自電容電極03的工藝即可實(shí)現(xiàn)觸控功能，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
[0037]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中，為了不影響顯示區(qū)域的開(kāi)口率，起到遮擋有源層011作用的導(dǎo)線(xiàn)05的圖形一般會(huì)被黑矩陣圖形遮擋，即導(dǎo)線(xiàn)05在陣列基板02上的正投影位于陣列基板02的像素單元的間隙處。并且，各導(dǎo)線(xiàn)05的圖形可以設(shè)置成橫向條狀結(jié)構(gòu)，也可以設(shè)置成縱向條狀結(jié)構(gòu)，還可以設(shè)置成橫縱交錯(cuò)的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，如圖2所示，可以根據(jù)實(shí)際參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，在此不做限定。
[0038]具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏中，在陣列基板中采用的頂柵型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，如圖3所示，主要包括在襯底基板上依次設(shè)置的有源層011、柵極012以及源漏極013等膜層；其中，在有源層011和柵極012之間設(shè)置有柵絕緣層014，在柵極012和源漏極013之間設(shè)置有層間絕緣層015 ;并且，源漏極013和柵極012的位置可以互換，即可以先形成柵極012然后形成源漏極013，也可以先形成源漏極013然后形成柵極012，在此不做限定，以下都是以圖2所示的先形成柵極012然后形成源漏極013為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0039]具體地，在陣列基板的頂柵型薄膜晶體管之上，如圖3所示，一般還包括:鈍化層016、公共電極層017和像素電極018 ;其中，公共電極層017和像素電極018的位置可以互換，即公共電極層017可以作為板狀電極位于下層(更靠近襯底基板)，像素電極018作為狹縫電極位于上層(更靠近液晶層)，并且在像素電極018和公共電極層017之間設(shè)有絕緣層019，此時(shí)，像素電極018通過(guò)貫穿絕緣層019和鈍化層016的過(guò)孔與源漏極013中的漏極0131電性連接。也可以像素電極018作為板狀電極位于下層(更靠近襯底基板)，公共電極層017作為狹縫電極位于上層(更靠近液晶層)，在像素電極018和公共電極層017之間同樣設(shè)置有絕緣層019，此時(shí)，像素電極018通過(guò)貫穿鈍化層016的過(guò)孔與源漏極013中的漏極0131電性連接。當(dāng)然，還可以將公共電極層017設(shè)置在與陣列基板02相對(duì)而置的對(duì)向基板(彩膜基板)上，即在陣列基板02上不設(shè)置公共電極層017。下面都是以圖3所示的公共電極層017設(shè)置在像素電極018下方為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0040]在具體實(shí)施時(shí)，可以采用陣列基板02中的公共電極層017復(fù)用自電容電極03，即各自電容電極02組成陣列基板02上的公共電極層017，如圖3所示，在將公共電極層017的結(jié)構(gòu)進(jìn)行變更分割成自電容電極03時(shí)，在現(xiàn)有的陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上，不需要增加額外的工藝，可以節(jié)省生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。
[0041]或者，在具體實(shí)施時(shí)，可以在各像素電極018的間隙處設(shè)置與像素電極018同層設(shè)置的自電容電極03，即各自電容電極03與陣列基板02上的像素電極018同層設(shè)置，且各自電容電極03的圖形位于相鄰的兩個(gè)像素電極018的間隙處，如圖2所示，在將像素電極層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行變更在各像素電極018原有的間隙處形成自電容電極03時(shí)，在現(xiàn)有的陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上，也不需要增加額外的工藝，可以節(jié)省生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。
[0042]一般地，觸摸屏的密度通常在毫米級(jí)，因此，在具體實(shí)施時(shí)，可以根據(jù)所需的觸控密度選擇各自電容電極03的密度和所占面積以保證所需的觸控密度，通常各自電容電極03設(shè)計(jì)為5mm*5mm左右的方形電極。而顯示屏的密度通常在微米級(jí)，因此，一般一個(gè)自電容電極03會(huì)對(duì)應(yīng)顯示屏中的多個(gè)像素單元。
[0043]在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，當(dāng)采用將現(xiàn)有的整層設(shè)置在陣列基板02上的公共電極層017分割成多個(gè)自電容電極03時(shí)，為了不影響正常的顯示功能，在對(duì)公共電極層017進(jìn)行分割時(shí)，分割線(xiàn)一般都會(huì)避開(kāi)顯示的開(kāi)口區(qū)域，設(shè)置在黑矩陣層的圖形區(qū)域，即各自電容電極03之間的間隙在陣列基板02上的正投影一般會(huì)位于陣列基板02的像素單元的間隙處。
[0044]或者，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，將自電容電極03的圖形是設(shè)置在各像素電極018的間隙處時(shí)，一般是各自電容電極03的圖形設(shè)置為以像素電極018作為網(wǎng)孔的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，圖2示出了兩個(gè)自電容電極03的圖形。
[0045]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中不管是采用公共電極層017復(fù)用作為自電容電極03，還是在像素電極018的間隙處設(shè)置自電容電極03，為了減少顯示和觸控信號(hào)之間的相互干擾，在具體實(shí)施時(shí)，需要采用觸控和顯示階段分時(shí)驅(qū)動(dòng)的方式，并且，在具體實(shí)施時(shí)還可以將顯示驅(qū)動(dòng)芯片和觸控偵測(cè)芯片整合為一個(gè)芯片，進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。
[0046]具體地，例如:如圖4a和圖4b所示的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖中，將觸摸屏顯示每一幀(V-sync)的時(shí)間分成顯示時(shí)間段(Display)和觸控時(shí)間段(Touch),例如如圖4a和圖4b所示的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖中觸摸屏的顯示一幀的時(shí)間為16.7ms，選取其中5ms作為觸控時(shí)間段，其他的11.7ms作為顯示時(shí)間段，當(dāng)然也可以根據(jù)IC芯片的處理能力適當(dāng)?shù)恼{(diào)整兩者的時(shí)長(zhǎng)，在此不做具體限定。在顯示時(shí)間段(Display)，對(duì)觸摸屏中的每條柵極信號(hào)線(xiàn)Gatel，Gate2……Gate η依次施加?xùn)艗呙栊盘?hào)，對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)Data施加灰階信號(hào)；當(dāng)采用公共電極層復(fù)用自電容電極時(shí)，與各自電容電極Cxl……Cx η連接的觸控偵測(cè)芯片向各自電容電極Cxl……Cx η分別施加公共電極信號(hào)，以實(shí)現(xiàn)液晶顯示功能。在觸控時(shí)間段(Touch)，如圖4a所示，與各自電容電極Cxl……Cx η連接的觸控偵測(cè)芯片向各自電容電極Cxl……Cx η
同時(shí)施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)，同時(shí)接收各自電容電極Cx1......Cx η的反饋信號(hào)；也可以如圖4b所示，
與各自電容電極Cxl……Cx η連接的觸控偵測(cè)芯片向各自電容電極Cxl……Cx η依次施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)，分別接收各自電容電極Cxl……Cx η的反饋信號(hào)，在此不做限定，通過(guò)對(duì)反饋信號(hào)的分析判斷是否發(fā)生觸控，以實(shí)現(xiàn)觸控功能。
[0047]具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏中，在陣列基板02上設(shè)置的自電容電極03和與自電容電極03連接的導(dǎo)線(xiàn)05之間具有多個(gè)膜層，自電容電極03需要通過(guò)貫穿這些膜層的過(guò)孔與位于底層的導(dǎo)線(xiàn)05連接，在具體實(shí)施時(shí)，為了保證自電容電極03和導(dǎo)線(xiàn)05之間能更好的上下連接，可以利用位于兩者之間的薄膜晶體管01中的源漏極013或柵極012金屬設(shè)置導(dǎo)通部，在制作過(guò)程中先將導(dǎo)通部與導(dǎo)線(xiàn)05連接，然后將自電容電極03與導(dǎo)通部連接?！揪唧w實(shí)施方式】如下:
[0048]第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式為:如圖3所示，與頂柵型薄膜晶體管01中的源漏極013同層設(shè)置第一導(dǎo)通部06，自電容電極03通過(guò)第一導(dǎo)通部06與導(dǎo)線(xiàn)05電性連接。
[0049] 第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式為:與頂柵型薄膜晶體管01中的柵極012同層設(shè)置第二導(dǎo)通部，自電容電極03通過(guò)第二導(dǎo)通部與導(dǎo)線(xiàn)05電性連接。
[0050]第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式為:與頂柵型薄膜晶體管01中的源漏極013同層設(shè)置第一導(dǎo)通部，并且與頂柵型薄膜晶體管Ol中的柵極012同層設(shè)置第二導(dǎo)通部；第一導(dǎo)通部先與第二導(dǎo)通部電性相連，自電容電極03通過(guò)第一導(dǎo)通部和第二導(dǎo)通部與導(dǎo)線(xiàn)05電性連接。
[0051]下面以公共電極層017復(fù)用自電容電極03為例，且以第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式為例，對(duì)于本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏的陣列基板的制作過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。具體地，陣列基板的制作過(guò)程包括以下幾個(gè)步驟:
[0052]1、在襯底基板上形成導(dǎo)線(xiàn)05的圖形；并在導(dǎo)線(xiàn)05的圖形上沉積SiO2和SiNx材料，形成絕緣層，如圖5a所示；
[0053]2、在絕緣層上沉積多晶硅(Poly Si)，形成有源層011的圖形，并在有源層011的圖形上沉積SiO2和SiNx材料,形成柵絕緣層014,如圖5b所示；
[0054]3、在柵絕緣層014上形成柵極012的圖形，如圖5c所示；
[0055]4、在柵極012的圖形上形成層間絕緣層015的圖形，如圖5d所示；其中，層間絕緣層015和柵絕緣層014在導(dǎo)線(xiàn)05與第一導(dǎo)通部06連接處預(yù)留第一過(guò)孔，在源漏極013與有源層011連接處預(yù)留第二過(guò)孔；
[0056]5、在層間絕緣層015的圖形上形成源漏極013和第一導(dǎo)通部06的圖形，如圖5e所示；其中，源漏極013通過(guò)第二過(guò)孔與有源層011電性連接，第一導(dǎo)通部06通過(guò)第二過(guò)孔與導(dǎo)線(xiàn)05電性連接；
[0057]6、在源漏極013和第一導(dǎo)通部06的圖形上形成鈍化層016的圖形，如圖5f所示；其中，鈍化層016在與源漏極013中的漏極0131對(duì)應(yīng)處預(yù)留過(guò)孔，在與第一導(dǎo)通部06對(duì)應(yīng)處預(yù)留過(guò)孔；
[0058]7、在鈍化層016的圖形上形成公共電極層017的圖形，如圖5g所示；其中，公共電極層017分割成多個(gè)相互絕緣的自電容電極03的圖形，自電容電極03通過(guò)鈍化層016中在與第一導(dǎo)通部06對(duì)應(yīng)處預(yù)留的過(guò)孔與第一導(dǎo)通部06電性連接；
[0059]8、在公共電極層017的圖形上形成絕緣層019的圖形，如圖5h所示；其中，絕緣層019在與漏極0131對(duì)應(yīng)處預(yù)留過(guò)孔；
[0060]9、在絕緣層019的圖形上形成像素電極018的圖形，如圖3所示；其中，像素電極018通過(guò)絕緣層019和鈍化層016中預(yù)留的過(guò)孔與漏極0131電性相連。
[0061]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏，該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)上述內(nèi)嵌式觸摸屏的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0062]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，利用自電容的原理在陣列基板上設(shè)置多個(gè)同層且相互獨(dú)立的自電容電極，觸控偵測(cè)芯片在觸控時(shí)間段通過(guò)檢測(cè)各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置，并且，將位于頂柵型薄膜晶體管下方的遮擋層的圖形進(jìn)行變更形成多條導(dǎo)線(xiàn)，一方面形成的導(dǎo)線(xiàn)可以將自電容電極連接至觸控偵測(cè)芯片，實(shí)現(xiàn)觸控功能；另一方面形成的導(dǎo)線(xiàn)圖形遮擋頂柵型薄膜晶體管的有源層圖案，從而避免背光照射而產(chǎn)生光生載流子影響正常顯示。由于本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏是將原有的頂柵型薄膜晶體管下方的遮擋層的圖形進(jìn)行變更形成與自電容電極對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線(xiàn)，因此，相對(duì)于需要在現(xiàn)有的陣列基板制備工藝的基礎(chǔ)上增加兩層膜層的制作工藝，僅需增加一層形成自電容電極的工藝即可實(shí)現(xiàn)觸控功能，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。[0063]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種內(nèi)嵌式觸摸屏，包括具有頂柵型薄膜晶體管的陣列基板，其特征在于，還包括: 設(shè)置于所述陣列基板的所述頂柵型薄膜晶體管所在膜層之上的多個(gè)同層設(shè)置且相互獨(dú)立的自電容電極； 在觸控時(shí)間段通過(guò)檢測(cè)各所述自電容電極的電容值變化以判斷觸控位置的觸控偵測(cè)芯片；以及， 設(shè)置于所述陣列基板的所述頂柵型薄膜晶體管所在膜層之下，且用于將所述自電容電極連接至所述觸控偵測(cè)芯片的多條導(dǎo)線(xiàn)；所述導(dǎo)線(xiàn)的圖形在所述陣列基板上的正投影遮擋所述頂柵型薄膜晶體管的有源層圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，所述導(dǎo)線(xiàn)在所述陣列基板上的正投影位于所述陣列基板的像素單元的間隙處。
3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，還包括:與所述頂柵型薄膜晶體管中的源漏極同層設(shè)置的第一導(dǎo)通部，所述自電容電極通過(guò)所述第一導(dǎo)通部與所述導(dǎo)線(xiàn)電性連接；或， 還包括:與所述頂柵型薄膜晶體管中的柵極同層設(shè)置的第二導(dǎo)通部，所述自電容電極通過(guò)所述第二導(dǎo)通部與所述導(dǎo)線(xiàn)電性連接。
4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，還包括:與所述頂柵型薄膜晶體管中的源漏極同層設(shè)置的第一導(dǎo)通部，以及與所述頂柵型薄膜晶體管中的柵極同層設(shè)置的第二導(dǎo)通部； 所述第一導(dǎo)通部與所述第二導(dǎo)通部電性相連，所述自電容電極通過(guò)所述第一導(dǎo)通部和第二導(dǎo)通部與所述導(dǎo)線(xiàn)電性連接。
5.如權(quán)利要求3或4所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，所述頂柵型薄膜晶體管的源漏極設(shè)置在柵極的上層。
6.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，各所述自電容電極組成所述陣列基板上的公共電極層。
7.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，各所述自電容電極之間的間隙在所述陣列基板上的正投影位于所述陣列基板的像素單元的間隙處。
8.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，各所述自電容電極與所述陣列基板上的像素電極同層設(shè)置，且各所述自電容電極的圖形位于相鄰的兩個(gè)所述像素電極的間隙處。
9.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，各所述自電容電極的圖形為以所述像素電極作為網(wǎng)孔的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的內(nèi)嵌式觸摸屏。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK104020892SQ201410239921
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月30日
【發(fā)明者】趙衛(wèi)杰, 董學(xué), 王海生, 楊盛際, 劉英明 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司