一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，將陣列基板中整面連接的公共電極層進行分割，形成相互絕緣且交叉而置的多個觸控驅(qū)動電極和多個公共電極；在對向基板上設置觸控感應電極，各觸控感應電極在陣列基板上的投影位于公共電極所在的區(qū)域內(nèi)，對觸控驅(qū)動電極進行分時驅(qū)動，以實現(xiàn)觸控功能和顯示功能。由于本發(fā)明實施例提供的觸摸屏內(nèi)的觸控驅(qū)動電極對應于黑矩陣圖形的區(qū)域全部或部分凸向?qū)ο蚧?，因此，可以在不影響觸摸屏的開口率的情況下，增大觸控驅(qū)動電極的面積，從而增大觸控驅(qū)動電極投射到觸控感應電極的電容量，提高了手指觸控時引起的變化量，進而提高觸控的靈敏度。
【專利說明】一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及觸控【技術領域】，尤其涉及一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的飛速發(fā)展，觸摸屏(Touch Screen Panel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前，觸摸屏按照組成結(jié)構可以分為:外掛式觸摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆蓋表面式觸摸屏(On Cell Touch Panel)、以及內(nèi)嵌式觸摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，外掛式觸摸屏是將觸摸屏與液晶顯示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分開生產(chǎn),然后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，外掛式觸摸屏存在制作成本較高、光透過率較低、模組較厚等缺點。而內(nèi)嵌式觸摸屏將觸摸屏的觸控電極內(nèi)嵌在液晶顯示屏內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸摸屏的制作成本，受到各大面板廠家青睞。
[0003]目前，能夠?qū)崿F(xiàn)寬視角的液晶顯示技術主要有平面內(nèi)開關(IPS，In-PlaneSwitch)技術和高級超維場開關(ADS, Advanced Super Dimension Switch)技術；其中，ADS技術通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。H-ADS (高開口率-高級超維場開關)是ADS技術的一種重要實現(xiàn)方式。
[0004]目前基于ADS技術和H-ADS技術提出的內(nèi)嵌式觸摸屏結(jié)構是將陣列基板中整面連接的公共電極層進行分割，形成相互絕緣且交叉而置的觸控驅(qū)動電極和公共電極，并在對向基板上設置與公共電極所在區(qū)域?qū)挠|控感應電極；對觸控驅(qū)動電極進行分時驅(qū)動，以實現(xiàn)觸控功能和顯示功能。這種內(nèi)嵌式觸摸屏中的觸控感應電極一般采用金屬材料制備，為了不影響正常顯示，一般將觸控感應電極制作成被對向基板中的黑矩陣圖形遮擋的網(wǎng)格狀電極結(jié)構，由于受到黑矩陣寬度的限制，使得網(wǎng)格狀電極結(jié)構的線寬(無論縱向還是橫向)都不能太寬。并且，采用公共電極層復用觸控驅(qū)動電極時，僅由一部分公共電極層作為觸控驅(qū)動電極使用。這些結(jié)構設計都會使觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極之間的互電容相對較小，當手指觸控時引起的變化量也就相對較小，進而影響了觸控的靈敏度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，用以提高觸摸屏的觸控靈敏度。
[0006]因此，本發(fā)明實施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏，包括:具有公共電極層的陣列基板，以及與所述陣列基板相對而置的對向基板，所述陣列基板或所述對向基板上設置有黑矩陣圖形:
[0007]所述陣列基板的公共電極層由相互絕緣的多個觸控驅(qū)動電極和多個公共電極組成，所述觸控驅(qū)動電極與公共電極交叉設置；所述觸控驅(qū)動電極對應于所述黑矩陣圖形的區(qū)域凸向所述對向基板；在一幀畫面的顯示時間內(nèi)，各所述觸控驅(qū)動電極用于分時地加載公共電極信號和觸控掃描信號；
[0008]所述對向基板具有多個觸控感應電極，各所述觸控感應電極在所述陣列基板上的投影位于所述公共電極所在區(qū)域內(nèi)。
[0009]本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏，將陣列基板中整面連接的公共電極層進行分割，形成相互絕緣且交叉而置的多個觸控驅(qū)動電極和多個公共電極；在對向基板上設置觸控感應電極，各觸控感應電極在陣列基板上的投影位于公共電極所在的區(qū)域內(nèi)，對觸控驅(qū)動電極進行分時驅(qū)動，以實現(xiàn)觸控功能和顯示功能。由于本發(fā)明實施例提供的觸摸屏內(nèi)的觸控驅(qū)動電極對應于黑矩陣圖形的區(qū)域全部或部分凸向?qū)ο蚧?，因此，可以在不影響觸摸屏的開口率的情況下，增大觸控驅(qū)動電極的面積，從而增大觸控驅(qū)動電極投射到觸控感應電極的電容量，即觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極之間的互電容量，提高了手指觸控時引起的變化量，進而提高觸控的靈敏度。
[0010]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，所述陣列基板具有用于支撐所述觸控驅(qū)動電極凸向所述對向基板的第一凸起部，所述第一凸起部在所述陣列基板上的投影位于所述黑矩陣圖形所在區(qū)域內(nèi)。。
[0011 ] 在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，所述陣列基板具有設置在第一襯底基板上的薄膜晶體管，所述公共電極層與所述薄膜晶體管之間具有絕緣層，所述第一凸起部位于所述絕緣層和所述公共電極層之間。
[0012]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，所述第一凸起部的材料為娃球。
[0013]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，黑矩陣圖形設置在所述對向基板的第二襯底基板上，所述觸控感應電極位于所述黑矩陣圖形與所述第二襯底基板之間，或位于所述黑矩陣圖形之上。
[0014]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，各所述觸控感應電極具有網(wǎng)格狀電極結(jié)構，且所述觸控感應電極的網(wǎng)格狀電極結(jié)構被所述黑矩陣
圖形覆蓋。
[0015]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，各所述觸控感應電極具有片狀結(jié)構，所述觸控感應電極對應于所述黑矩陣圖形的區(qū)域全部或部分凸向所述陣列基板。
[0016]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，所述對向基板具有用于支撐所述觸控感應電極凸向所述陣列基板的第二凸起部，所述第二凸起部被所述黑矩陣圖形覆蓋。
[0017]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏中，所述觸控感應電極位于所述黑矩陣圖形之上時，所述第二凸起部位于所述觸控感應電極與所述黑矩陣圖形之間；
[0018]所述觸控感應電極位于所述黑矩陣圖形與所述第二襯底基板之間時，所述第二凸起部位于所述第二襯底基板與所述觸控感應電極之間。
[0019]本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的結(jié)構示意圖；
[0021]圖2為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏中公共電極層的結(jié)構示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的驅(qū)動時序示意圖；
[0023]圖4為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏中陣列基板的具體結(jié)構圖；
[0024]圖5為圖4中a-a處的截面圖；
[0025]圖6a和圖6b為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏中網(wǎng)格狀電極結(jié)構的觸控感應電極的不意圖；
[0026]圖7為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏中觸控感應電極為片狀結(jié)構時對向基板的結(jié)構示意圖。
【具體實施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0028]附圖中各層膜層的厚度和形狀不反映真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0029]圖1為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌式觸摸屏的橫向剖面示意圖。本發(fā)明實施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏，如圖1所示，具有公共電極層110的陣列基板100，以及與陣列基板100相對而置的對向基板200 ;陣列基板100或?qū)ο蚧?00上設置有黑矩陣圖形210，圖1中是以黑矩陣圖形210設置在對向基板200為例進行說明；
[0030]如圖2所示，陣列基板100的公共電極層110由相互絕緣的多條觸控驅(qū)動電極111和多條公共電極112組成，觸控驅(qū)動電極111與公共電極112交叉設置；觸控驅(qū)動電極111對應于黑矩陣圖形210的區(qū)域全部或部分凸向?qū)ο蚧?00 ;在一幀畫面的顯示時間內(nèi)，各觸控驅(qū)動電極111用于分時地加載公共電極信號和觸控掃描信號；
[0031]對向基板200具有多條觸控感應電極220，各觸控感應電極220在陣列基板100上的正投影位于公共電極112所在區(qū)域內(nèi)。
[0032]本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏，將陣列基板中整面連接的公共電極層進行分割，形成相互絕緣且交叉而置的多個觸控驅(qū)動電極和多個公共電極；在對向基板上設置觸控感應電極，各觸控感應電極在陣列基板上的投影位于公共電極所在的區(qū)域內(nèi)，對觸控驅(qū)動電極進行分時驅(qū)動，以實現(xiàn)觸控功能和顯示功能。由于本發(fā)明實施例提供的觸摸屏內(nèi)的觸控驅(qū)動電極對應于黑矩陣圖形的區(qū)域全部或部分凸向?qū)ο蚧?，因此，可以在不影響觸摸屏的開口率的情況下，增大觸控驅(qū)動電極的面積，從而增大觸控驅(qū)動電極投射到觸控感應電極的電容量，即觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極之間的互電容量，提高了手指觸控時引起的變化量，進而提高觸控的靈敏度。
[0033]并且，由于本發(fā)明實施例提供的上述觸摸屏中，觸控和顯示階段采用分時驅(qū)動的方式，一方面可以將顯不驅(qū)動和觸控驅(qū)動的芯片整合為一體，降低生產(chǎn)成本；另一方面分時驅(qū)動也能夠降低顯示和觸控的相互干擾，提高畫面品質(zhì)和觸控準確性。
[0034]具體地，例如:如圖3所示的驅(qū)動時序圖中，將觸摸屏顯示每一幀(V-sync)的時間分成顯示時間段(Display)和觸控時間段(Touch)，例如圖3所示的驅(qū)動時序圖中觸摸屏的顯示一幀的時間為16.7ms，選取其中5ms作為觸控時間段，其他的11.7ms作為顯示時間段，當然也可以根據(jù)IC芯片的處理能力適當?shù)恼{(diào)整兩者的時長，在此不做具體限定。在顯示時
間段(Display),對觸摸屏中的每條柵極信號線Gatel, Gate2......Gate η依次施加柵掃描
信號，對數(shù)據(jù)信號線Data施加灰階信號，相應地此時觸控驅(qū)動電極Tx作為公共電極，與觸控驅(qū)動電極連接的IC芯片向其提供恒定的公共電極信號，實現(xiàn)液晶顯示功能。在觸控時間段(Touch)，與觸控驅(qū)動電極連接的IC芯片向各觸控驅(qū)動電極分別提供觸控掃描信號Tl、T2……Tn，同時各觸控感應電極分別進行偵測觸控感應信號Rl、R2……Rn，實現(xiàn)觸控功能。在觸控時間段，觸摸屏中的每條柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線無信號輸入。并且，在公共電極層中的各公共電極在顯示時間段和觸控時間段始終加載公共電極信號，或者，在顯示時間段向各公共電極加載公共電極信號，在觸控時間段各公共電極接地或者懸空處理，該懸空處理指無信號輸入。
[0035]具體地，為了能夠使觸控驅(qū)動電極111在對應于黑矩陣圖形210的區(qū)域全部或部分凸向?qū)ο蚧?00，即為了能夠使觸控驅(qū)動電極111在黑矩陣圖形210的區(qū)域凸起，在具體實施時，如圖5所示，可以在陣列基板100上設置用于支撐觸控驅(qū)動電極111凸向?qū)ο蚧宓牡谝煌蛊鸩?13，該第一凸起部113在陣列基板100上的投影位于黑矩陣圖形210所在區(qū)域內(nèi)，因此不會影響觸摸屏的正常顯示。
[0036]在具體實施時，為了使第一凸起部113能夠支撐觸控驅(qū)動電極111凸起，第一凸起部會設置在觸控驅(qū)動電極111所需凸起處的下方，并且為了第一凸起部113不影響陣列基板中其他膜層的構圖，第一凸起部一般與觸控驅(qū)動電極直接接觸，即第一凸起部113和觸控驅(qū)動電極111之間一般沒有其他膜層。具體地，如圖5所示，陣列基板100 —般具有設置在第一襯底基板120上的薄`膜晶體管130，公共電極層110與薄膜晶體管130之間一般設置有絕緣層140，第一凸起部113可以位于絕緣層140和公共電極層110之間。
[0037]進一步地，由于第一凸起部113會與觸控驅(qū)動電極111直接接觸，為了使第一凸起部113不影響觸控驅(qū)動電極111上的信號傳遞，第一凸起部113可以采用半導體材料，或者絕緣材料制備，例如第一凸起部113可以采用硅球制備，在此不做限定。
[0038]在具體實施時，如圖4所示，陣列基板100還會具有與薄膜晶體管130的漏極連接的數(shù)據(jù)線150，以及與薄膜晶體管130的柵極連接的柵線160。薄膜晶體管130、數(shù)據(jù)線150以及柵線160都會被黑矩陣圖形210遮擋，因此，在具體實施時，第一凸起部113可以僅設置在數(shù)據(jù)線150對應的區(qū)域，也可以僅設置在柵線160對應的區(qū)域，還可以在薄膜晶體管130、數(shù)據(jù)線150和柵線160所對應的區(qū)域都設置第一凸起部113，圖5中是以在圖4中的a-a處截面為例進行說明的。對應地，在設置有第一凸起部113上方的觸控驅(qū)動電極111區(qū)域會凸出于其他區(qū)域，使此處的觸控驅(qū)動電極111的單位面積大于其他區(qū)域的單位面積，從而增加了觸控驅(qū)動電極111的整體面積。
[0039]在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的觸摸屏中，黑矩陣圖形210—般設置在對向基板200的第二襯底基板230上，觸控感應電極220可以位于第二襯底基板230與黑矩陣圖形210之間，也可以位于黑矩陣圖形210之上，在此不做限定。
[0040]具體地，觸控感應電極220的位置與公共電極112的位置相對應，這樣能避免觸控感應電極220和觸控驅(qū)動電極111之間產(chǎn)生正對面積。在具體實施時，由于觸摸屏的精度通常在毫米級，而液晶顯示屏的精度通常在微米級，可以看出顯示所需的精度遠遠大于觸控所需的精度，因此，一般每條觸控感應電極111和每條公共電極112都會對應多行像素單元。并且，可以根據(jù)具體需要的觸控精度，設置各條觸控感應電極220之間的間隙，即僅需要保證各觸控感應電極220在陣列基板100上的投影位于公共電極112所在區(qū)域內(nèi)即可，各觸控感應電極220的寬度一般不大于公共電極112的寬度，各觸控感應電極220還可以間隔至少一條公共電極112設置，也可以將觸控感應電極220與公共電極112設置為一一對應的關系，在此不做限定。
[0041]在一種實施方式中，為了保證各觸控感應電極220不會影響各像素單元的開口率和光透過率，一般將各觸控感應電極220設置為具有網(wǎng)格狀電極結(jié)構，且觸控感應電極220的網(wǎng)格狀電極結(jié)構被黑矩陣圖形210所覆蓋。這樣，就可以利用黑矩陣圖形210遮蓋觸控感應電極220的網(wǎng)格狀電極結(jié)構，不會對顯示器的開口率產(chǎn)生影響，也不會影響顯示器的光透過率。具體地，各觸控感應電極220的網(wǎng)格狀電極結(jié)構的網(wǎng)孔大小可以依據(jù)具體需要確定，例如，如圖6a所示觸控感應電極220的圖案可以設置為位于組成像素單元的各亞像素單元(RGB)之間的間隙處，觸控感應電極220的圖案也可以如圖6b所示設置為僅位于像素單元之間的間隙處，在此不做限定。
[0042]具體地，由于在對向基板200上設置的網(wǎng)格狀電極結(jié)構的觸控感應電極220不會遮擋像素單元，因此，觸控感應電極220的材料可以具體為透明導電氧化物例如ITO或ΙΖ0，也可以為金屬，當采用金屬制作觸控感應電極時可以有效的降低其電阻。
[0043]在另一種實施方式中，為了保證各觸控感應電極220和觸控驅(qū)動電極111之間能形成較大互電容，可以將各觸控感應電極220設置為片狀結(jié)構，并采用透明導電材料制備，這樣片狀結(jié)構的觸控感應電極220也不會影響各像素單元的開口率，但是可能會影響光透過率。
[0044]較佳地，在觸控感應電極220為片狀結(jié)構時，為了通過進一步增大觸控感應電極220的單位面積的方式，增加觸控感應電極220與觸控驅(qū)動電極111之間的互電容，在具體實施時，與觸控驅(qū)動電極111類似，還可以將觸控感應電極220設計為對應于黑矩陣圖形210的區(qū)域全部或部分凸向陣列基板100，使觸控感應電極220在黑矩陣圖形210區(qū)域的單位面積大于其他區(qū)域的單位面積，從而增加觸控觸控感應電極220的整體面積。
[0045]具體地，為了能夠使觸控感應電極220在對應于黑矩陣圖形210的區(qū)域全部或部分凸向陣列基板100，即為了能夠使觸控感應電極220在黑矩陣圖形210的區(qū)域凸起，在具體實施時，如圖7所示，可以在對向基板100上設置用于支撐觸控感應電極220凸向陣列基板100的第二凸起部240，該第二凸起部240被黑矩陣圖形210覆蓋，因此不會影響觸摸屏的正常顯示。
[0046]在具體實施時，為了使第二凸起部240能夠支撐觸控感應電極220凸起，第二凸起部240會設置在觸控感應電極220所需凸起處的下方，并且為了第而凸起部240不影響對向基板200中其他膜層的構圖，第二凸起部240 —般與觸控感應電極220直接接觸，即第二凸起部240和觸控感應電極220之間一般不設置其他膜層。具體地，觸控感應電極220位于黑矩陣圖形210之上時，第二凸起部240位于觸控感應電極220與黑矩陣圖形210之間，如圖7所示；觸控感應電極220位于黑矩陣圖形210與第二襯底基板230之間時，第二凸起部240位于第二襯底基板230與觸控感應電極220之間。[0047]進一步地，由于第二凸起部240會與觸控感應電極220直接接觸，為了使第而凸起部不影響觸控感應電極220上的信號傳遞，第二凸起部240可以采用半導體材料，或者絕緣材料制備，例如第二凸起部240可以采用硅球制備，在此不做限定。
[0048]基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏，該顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述內(nèi)嵌式觸摸屏的實施例，重復之處不再贅述。
[0049]本發(fā)明實施例提供的一種內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，將陣列基板中整面連接的公共電極層進行分割，形成相互絕緣且交叉而置的多個觸控驅(qū)動電極和多個公共電極；在對向基板上設置觸控感應電極，各觸控感應電極在陣列基板上的投影位于公共電極所在的區(qū)域內(nèi)，對觸控驅(qū)動電極進行分時驅(qū)動，以實現(xiàn)觸控功能和顯示功能。由于本發(fā)明實施例提供的觸摸屏內(nèi)的觸控驅(qū)動電極對應于黑矩陣圖形的區(qū)域全部或部分凸向?qū)ο蚧澹虼?，可以在不影響觸摸屏的開口率的情況下，增大觸控驅(qū)動電極的面積，從而增大觸控驅(qū)動電極投射到觸控感應電極的電容量，即觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極之間的互電容量，提高了手指觸控時引起的變化量，進而提高觸控的靈敏度。
[0050]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權利要求】
1.一種內(nèi)嵌式觸摸屏，包括:具有公共電極層的陣列基板，以及與所述陣列基板相對而置的對向基板，所述陣列基板或所述對向基板上設置有黑矩陣圖形，其特征在于: 所述陣列基板的公共電極層由相互絕緣的多個觸控驅(qū)動電極和多個公共電極組成，所述觸控驅(qū)動電極與公共電極交叉設置；所述觸控驅(qū)動電極對應于所述黑矩陣圖形的區(qū)域全部或部分凸向所述對向基板；在一幀畫面的顯示時間內(nèi)，各所述觸控驅(qū)動電極用于分時地加載公共電極信號和觸控掃描信號； 所述對向基板具有多個觸控感應電極，各所述觸控感應電極在所述陣列基板上的投影位于所述公共電極所在區(qū)域內(nèi)。
2.如權利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述陣列基板具有用于支撐所述觸控驅(qū)動電極凸向所述對向基板的第一凸起部，所述第一凸起部在所述陣列基板上的投影位于所述黑矩陣圖形所在區(qū)域內(nèi)。
3.如權利要求2所述的觸摸屏，其特征在于，所述陣列基板具有設置在第一襯底基板上的薄膜晶體管，所述公共電極層與所述薄膜晶體管之間具有絕緣層，所述第一凸起部位于所述絕緣層和所述公共電極層之間。
4.如權利要求3所述的觸摸屏，其特征在于，所述第一凸起部的材料為硅球。
5.如權利要求1-4任一項所述的觸摸屏，其特征在于，黑矩陣圖形設置在所述對向基板的第二襯底基板上，所述觸控感應電極位于所述黑矩陣圖形與所述第二襯底基板之間，或位于所述黑矩陣圖形之上。
6.如權利要求5所述的觸摸屏，其特征在于，各所述觸控感應電極具有網(wǎng)格狀電極結(jié)構，且所述觸控感應電極的網(wǎng)格狀電極結(jié)構被所述黑矩陣圖形覆蓋。
7.如權利要求5所述的觸摸屏，其特征在于，各所述觸控感應電極具有片狀結(jié)構，所述觸控感應電極對應于所述黑矩陣圖形的區(qū)域全部或部分凸向所述陣列基板。
8.如權利要求7所述的觸摸屏，其特征在于，所述對向基板具有用于支撐所述觸控感應電極凸向所述陣列基板的第二凸起部，所述第二凸起部被所述黑矩陣圖形覆蓋。
9.如權利要求8所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸控感應電極位于所述黑矩陣圖形之上時，所述第二凸起部位于所述觸控感應電極與所述黑矩陣圖形之間； 所述觸控感應電極位于所述黑矩陣圖形與所述第二襯底基板之間時，所述第二凸起部位于所述第二襯底基板與所述觸控感應電極之間。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-9任一項所述的內(nèi)嵌式觸摸屏。
【文檔編號】G06F3/041GK103885637SQ201410090148
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2014年3月12日 優(yōu)先權日:2014年3月12日
【發(fā)明者】劉英明, 董學, 王海生, 丁小梁, 楊盛際, 王春雷, 鄧立廣, 段亞鋒 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司