專(zhuān)利名稱(chēng)：一種紙基易撕防偽超高頻rfid標(biāo)簽及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于物聯(lián)網(wǎng)電子標(biāo)簽技術(shù)領(lǐng)域，也屬于防偽技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽及其制造方法。
背景技術(shù)：
射頻識(shí)別技術(shù)應(yīng)用射頻識(shí)別信號(hào)對(duì)目標(biāo)物進(jìn)行識(shí)別。射頻識(shí)別技術(shù)是一種內(nèi)建無(wú)線電芯片的技術(shù)，芯片中可儲(chǔ)存一系列信息。通常，RFID系統(tǒng)由電子標(biāo)簽、讀寫(xiě)器和數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)這三個(gè)主要部分組成。電子標(biāo)簽由天線和RFID芯片組成，每個(gè)芯片都含有唯一的識(shí)別碼，用來(lái)表示電子標(biāo)簽所附著的物體。RFID標(biāo)簽的是由RFID天線封裝芯片后貼標(biāo)印刷獲得的。目前RFID天線主要有以下幾種制造方法:一、繞線工藝:采用銅線圈繞制。缺點(diǎn)是成本高，生產(chǎn)速度慢。超高頻天線很少采用這種工藝。二、布線工藝:要求材料能夠超聲探頭熱熔。三、絲網(wǎng)印刷工藝:通常采用導(dǎo)電銀漿在絲網(wǎng)印刷機(jī)上印刷。缺點(diǎn)是成本高且電導(dǎo)率受限；優(yōu)點(diǎn)是對(duì)基材選擇性高。四、電鍍銅工藝:缺點(diǎn)是有污染且工藝生產(chǎn)線產(chǎn)能要求較高，只有量大才具有成本優(yōu)勢(shì)。 五、模切工藝:缺點(diǎn)是模切機(jī)械易磨損，產(chǎn)品精度較低。該工藝目前尚處于研發(fā)階段。六、蝕刻工藝:該工藝技術(shù)成熟，蝕刻天線電路精度高，柔性好，性能穩(wěn)定，是目前的主流工藝，但，因其是“減法”制造工藝，故存在成本控制問(wèn)題，以及涉及對(duì)廢酸處理的環(huán)保回收問(wèn)題。在RFID技術(shù)的許多實(shí)際應(yīng)用(例如酒類(lèi)溯源、煙草驗(yàn)證、票證防偽、電器防偽等領(lǐng)域沖，要求RFID標(biāo)簽具有一次性使用的特點(diǎn)，即要求RFID標(biāo)簽一撕即毀，不能夠被轉(zhuǎn)移重
復(fù)使用。目前實(shí)際使用的易撕RFID標(biāo)簽主要有兩種類(lèi)型，第一類(lèi)如中國(guó)專(zhuān)利號(hào)201220361570.X公開(kāi)了一種RFID易碎蝕刻天線，封裝RFID芯片，再將貼了芯片的天線轉(zhuǎn)移復(fù)合到易碎不干膠紙上，制成RFID標(biāo)簽。但，此天線制造難度高，合格率低，天線轉(zhuǎn)移到易碎紙上難度很大，套準(zhǔn)精度低，廢品率高，且無(wú)法自動(dòng)排廢，制造成本高昂。另一種是在易碎紙上印刷銀漿天線，然后封裝芯片，制成RFID標(biāo)簽。這種方法由于印制銀漿天線的電化學(xué)性能差，標(biāo)簽閱讀性能低，而且制造成本高昂，限制了其應(yīng)用領(lǐng)域。

發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有易撕防偽RFID標(biāo)簽存在制造成本聞、性能不穩(wěn)定、廢品率聞等問(wèn)題，本發(fā)明涉及一種紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽及其制造方法。
本發(fā)明采取以下技術(shù)方案:一種紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽，易破壞層(I)、電子芯片層(3)、天線電路層(4)、薄膜基材層￠)、紙基支撐層(8)、底紙層(10)，易破壞層
(I)的內(nèi)側(cè)表面粘接電子芯片層(3)的一面，電子芯片層(3)的另一面復(fù)合天線電路層(4)的一面，天線電路層(4)的另一面粘接薄膜基材層(6)的一面，薄膜基材層(6)的另一面粘接紙基支撐層(8)的一面，紙基支撐層(8)的另一面粘接底紙層(10)。塑料薄膜基材的厚度在12 μ m 25 μ m之間。電暈處理后塑料薄膜表面潤(rùn)濕張力為40 55mN/m。版紋金屬壓輥的結(jié)構(gòu)為表面雕刻有布紋型或十字花型或鋸齒形等圖案，版紋分辨率為40 120目/inch，版紋 深度為40 90 μ m。金屬壓輥與薄膜的滾壓壓力為2 7MPa，速度為15 50m/min。所制得的塑料薄膜縱向拉伸強(qiáng)度不低于90MPa，且任意方向能夠徒手撕裂。天線電路層(4)的另一面通過(guò)干法復(fù)合工藝粘合劑層(5)粘接薄膜基材層(6)的一面，干法復(fù)合工藝粘合劑層為耐高溫(耐溫> 160°C)雙組份聚氨酯膠，涂膠厚度為I 6 μ m，涂膠輥分辨率為100 200目/inch，網(wǎng)孔深度為20 40 μ m，主劑:固化劑:溶劑=10:1:6 10:1:25，烘道溫度為40°C 100°C，熟化時(shí)間為2 5天，熟化溫度為35°C 70。。。紙質(zhì)基材采用易撕裂性優(yōu)良的紙，例如輕涂紙、超亞紙、新聞紙等，且所述紙質(zhì)基材的厚度為40 150 μ m。易破壞層采用可以成型但容易破壞的材料制作，例如(但不限于)易碎紙、糯米紙、薄層銅版紙、易破壞的高分子材料等，且所述易破壞層厚度為100 400 μ m。(注:高頻與超高頻的工作原理不同，高頻的工作頻段在3 30MHz，采用電感耦合方式獲取能量工作。超高頻的工作頻段在300MHz 3GHz，通過(guò)電磁耦合方式獲取能量工作。)本發(fā)明紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽的制造方法，其將薄層耐高溫塑料薄膜經(jīng)強(qiáng)度降低處理后，一面與鋁箔復(fù)合，另一面通過(guò)粘合劑與離型膜復(fù)合，經(jīng)印刷刻蝕后將離型膜剝離，將天線與紙質(zhì)基材復(fù)合，然后封裝芯片，再與印刷有圖案的易破壞層和底紙層復(fù)合，獲得易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽。該制造工藝的具體步驟如下:( I)對(duì)薄膜基材層進(jìn)行強(qiáng)度降低處理；薄層耐高溫塑料薄膜表面涂布一縮二乙二醇為原料合成的聚酯，并電暈處理，降低塑料薄膜的表面強(qiáng)度，然后使用版紋金屬壓輥對(duì)塑料薄膜進(jìn)行滾壓處理，降低塑料薄膜的撕裂度。所制得的易撕裂塑料薄膜一方面必須具有足夠的縱向拉伸強(qiáng)度，能滿足薄膜與鋁箔的復(fù)合拉伸要求，另一方面必須具有優(yōu)良的易撕裂性，能滿足各個(gè)方向徒手撕裂該薄膜。(2)將處理后的薄膜基材層與鋁箔復(fù)合；可以采用干法復(fù)合工藝制得復(fù)合膜。(3)通過(guò)粘合劑將復(fù)合了鋁箔的塑料薄膜基材層的另一面與離型膜支撐層粘合，制得帶有離型膜支撐層的復(fù)合鋁箔；粘合劑可以使用雙組份聚氨酯膠、熱熔膠、強(qiáng)力膠或環(huán)氧膠等。(4)采用抗酸蝕刻堿溶性油墨在鋁箔表面印刷天線圖案；( 5 )使用酸性溶液蝕刻帶有天線圖案的鋁箔，酸性溶液可以是鹽酸，也可以是三氯化鐵溶液、磷酸、硝酸等。再用堿性溶液除去鋁箔表面的油墨，堿性溶液可以是氫氧化鈉溶液、碳酸鈉溶液、碳酸鉀溶液等。然后，水洗再干燥收卷；(6)將離型膜支撐層剝離，再通過(guò)粘合劑將天線與紙質(zhì)基材復(fù)合；(7)使用電子標(biāo)簽封裝機(jī)封裝芯片，即在天線電路層的外表面封裝電子芯片層，制得紙基易撕蝕刻RFID干Inlay ；(8)紙基易撕蝕刻RFID干Inlay通過(guò)RFID標(biāo)簽打印機(jī)在紙基背面噴墨打印，制成紙基易撕超聞?lì)lRFID標(biāo)簽；或者，電子芯片層的外表面復(fù)合易破壞層，紙質(zhì)基材的外表面復(fù)合底紙層，經(jīng)模切排廢后制成具有易撕防偽特性的超高頻RFID標(biāo)簽(可以使用RFID標(biāo)簽封裝機(jī)將紙基易撕蝕刻RFID干Inlay與印刷有圖案的不干膠易破壞層I復(fù)合，然后與涂有不干膠的底紙層10復(fù)合，經(jīng)模切排廢后制成具有易撕防偽特性的超高頻RFID標(biāo)簽)。優(yōu)選的，塑料薄膜基材的厚度要求在12μπι 25μπι之間。電暈處理后塑料薄膜表面潤(rùn)濕張力為40 55mN/m。版紋金屬壓輥的結(jié)構(gòu)為表面雕刻有布紋型或十字花型或鋸齒形等圖案，版紋分辨率為40 120目/inch，版紋深度為40 90 μ m。金屬壓輥與薄膜的滾壓壓力為2 7MPa，速度為15 50m/min。所制得的塑料薄膜縱向拉伸強(qiáng)度不低于90MPa,且任意方向能夠徒手撕裂。優(yōu)選的，干法復(fù)合工藝粘合劑層為耐高溫(耐溫> 160°C)雙組份聚氨酯膠，涂膠厚度為I 6μπι，涂膠輥分辨率為100 200 目/inch，網(wǎng)孔深度為20 40 μ m，主劑:固化劑:溶劑=10:1:6 10:1:25，烘道溫度為40°C 100°C，熟化時(shí)間為2 5天，熟化溫度為35 70°C。優(yōu)選的，離型膜支撐層采用挺度高，拉伸強(qiáng)度高的薄膜，例如離型PET膜、離型OPP膜、離型PE膜等，且離型力較輕為好，且所述離型膜支撐層10厚度為30 75 μ m。優(yōu)選的，紙質(zhì)基材采用易撕裂性優(yōu)良的紙，例如輕涂紙、超亞紙、新聞紙等，且所述紙質(zhì)基材的厚度為40 150 μ m。優(yōu)選的，易破壞層采用可以成型但容易破壞的材料制作，例如(但不限于)易碎紙、糯米紙、薄層銅版紙、易破壞的高分子材料等，且所述易破壞層厚度為100 400 μ m。招箔通常厚度在9 55 μ m之間。蝕刻液的體積濃度最好在5% 40%之間。蝕刻速度最好在I 15m/min之間。本發(fā)明制造方法首先對(duì)天線薄膜基材進(jìn)行強(qiáng)度降低處理，使標(biāo)簽天線獲得優(yōu)良的易撕裂性，然后與紙質(zhì)基材復(fù)合，再與易破壞層復(fù)合制成易撕防偽標(biāo)簽，與現(xiàn)有易撕RFID標(biāo)簽制備技術(shù)相比，由于增加一層低強(qiáng)度薄膜襯基，其工藝穩(wěn)定性提高，成品合格率大幅提高，標(biāo)簽閱讀性能好，成本進(jìn)一步降低，適合大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。RFID易撕天線與紙質(zhì)基材復(fù)合后經(jīng)封裝芯片可以制作成白標(biāo)簽，在紙基背面噴墨打印圖案可以獲得紙基易撕防偽特性的超高頻RFID標(biāo)簽，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了本發(fā)明提出的工藝路線，利于在服裝吊牌、商業(yè)產(chǎn)品標(biāo)簽、郵政掉票、生產(chǎn)自動(dòng)化管理標(biāo)簽、售存貨管理標(biāo)簽、航運(yùn)標(biāo)簽及樣本標(biāo)簽的應(yīng)用。本發(fā)明紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽具有如下技術(shù)效果:標(biāo)簽閱讀性能好，工藝穩(wěn)定性提高，成品合格率高，成本低,適合大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。


圖1是一種優(yōu)選紙基易撕防偽超聞?lì)lRFID標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)不意圖。圖2是紙基易撕防偽超聞?lì)lRFID標(biāo)簽的制造工藝路線圖。
圖3a是塑料薄膜基材強(qiáng)度降低處理中壓紋處理所用金屬壓輥版紋示意圖。圖3b是圖3a的I部放大圖。圖4 9是紙基易撕防偽超聞?lì)lRFID標(biāo)簽制造工藝的各工序不意圖。圖中:1-易破壞層，2-第一不干膠層，3-電子芯片層，4-天線電路層，5-干法復(fù)合工藝粘合劑層，6-天線薄膜基材層，7-粘合劑層，8-紙基支撐層，9-第二不干膠層，10-底紙層，11-離型膜支撐層，12-帶離型膜襯基的易撕蝕刻RFID標(biāo)簽天線，13-鋁箔，14-紙基易撕蝕刻RFID標(biāo)簽天線，15-紙基易撕蝕刻RFID干Inlay (Inlay是RFID行業(yè)的專(zhuān)有詞，RFID天線貼裝芯片后就稱(chēng)作干Inlay，再與面紙和涂有熱熔膠的底紙復(fù)合就稱(chēng)作濕Inlay，再在面紙上印刷圖案才能稱(chēng)作標(biāo)簽)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖并通過(guò)優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。參閱圖1所示,本實(shí)施例紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽,易破壞層1、第一不干膠層2、電子芯片層3、天線電路層4、干法復(fù)合工藝粘合劑層5、薄膜基材層6、粘合劑層7、紙基支撐層8、第二不干膠層9、底紙層10，易破壞層I的內(nèi)側(cè)表面通過(guò)第一不干膠層2粘接電子芯片層3的一面，電子芯片層3的另一面復(fù)合天線電路層4的一面，天線電路層4的另一面通過(guò)干法復(fù)合工藝粘合劑層5粘接薄膜基材層6的一面，薄膜基材層6的另一面通過(guò)粘合劑層7粘接紙基支撐層8的一面，紙基支撐層8的另一面通過(guò)第二不干膠層9粘接底紙層10。塑料薄膜基材6的厚度在12 μ m 25 μ m之間。電暈處理后塑料薄膜表面潤(rùn)濕張力為40 55mN/m。版紋金屬壓輥的結(jié)構(gòu)為表面雕刻有布紋型或十字花型或鋸齒形等圖案，版紋分辨率為40 120目/inch，版紋深度為40 90 μ m。金屬壓輥與薄膜的滾壓壓力為2 7MPa，速度為15 50·m/min。所制得的塑料薄膜縱向拉伸強(qiáng)度不低于90MPa，且任意方向能夠徒手撕裂。干法復(fù)合工藝粘合劑層5為耐高溫(耐溫> 160°C)雙組份聚氨酯膠，涂膠厚度為I 6μπι，涂膠輥分辨率為100 200目/inch，網(wǎng)孔深度為20 40 μ m，主劑:固化劑 溶劑=10:1:6 10:1:25 (體積比)，烘道溫度為400C 100°C，熟化時(shí)間為2 5天，熟化溫度為35°C 70°C。紙質(zhì)基材采用易撕裂性優(yōu)良的紙，例如輕涂紙、超亞紙、新聞紙等，且所述紙質(zhì)基材的厚度為40 150 μ m。易破壞層I采用可以成型但容易破壞的材料制作，例如(但不限于)易碎紙、糯米紙、薄層銅版紙、易破壞的高分子材料等，且所述易破壞層厚度為100 400 μ m。參閱圖2 9所示,一種優(yōu)選紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽的制造工序如下:(I)在18μπι PET薄膜表面涂布一縮二乙二醇為原料合成的聚酯，經(jīng)電暈處理后表面潤(rùn)濕張力達(dá)到45mN/m，然后使用布紋型版紋金屬壓輥對(duì)塑料薄膜進(jìn)行滾壓處理，版紋分辨率為80目/inch，版紋深度為80 μ m，如圖3a、3b所示。金屬壓輥與薄膜的滾壓壓力為5MPa，速度為20m/min，降低塑料薄膜的撕裂度，所制得的塑料薄膜縱向拉伸強(qiáng)度為125MPa。(2)將處理后的PET薄膜基材與10 μ m鋁箔采用干法復(fù)合工藝復(fù)合，涂膠輥分辨率為100 200目/inch，網(wǎng)孔深度為20 40 μ m，所用粘合劑為耐高溫(180°C )雙組份聚氨酯膠，主劑:固化劑:溶劑=10:1:10 (體積比)，本實(shí)施例中，主劑為ADC0TE502S、固化劑為Catalyst F、溶劑為乙酸乙酯；烘道溫度為依次為50°C，70°C，90°C。熟化時(shí)間為3天，熟化溫度為50°C，如圖4所示。(3)粘合劑7采用熱熔膠，將復(fù)合了鋁箔的塑料薄膜基材的另一面與50 μ m的離型PET粘合，制得帶有離型膜支撐層的復(fù)合鋁箔，如圖5所示。(3)使用抗酸蝕刻堿溶性油墨在復(fù)合膜鋁箔表面印刷天線圖案，如圖6所示。(4)使用25%的鹽酸溶液蝕刻帶有天線圖案的復(fù)合鋁箔,然后用6%的氫氧化鈉溶液用除去鋁箔表面的油墨，經(jīng)水洗干燥后收卷，如圖6所示。(5)將離型膜支撐層剝離，將天線粘合劑層面與輕涂紙復(fù)合，所用輕涂紙的厚度為50 μ m,如圖7所示。( 6 )使用電子標(biāo)簽封裝機(jī)封裝芯片，如圖8所示。(7)使用RFID標(biāo)簽封裝機(jī)將PET離型膜支撐層剝離，RFID天線與印刷有圖案且?guī)в胁桓赡z的300 μ m易碎紙復(fù)合，然后與涂有不干膠的硅油底紙復(fù)合，經(jīng)模切排廢后制成具有易撕防偽特性的超高頻RFID標(biāo)簽,如圖9所示。使用時(shí)，將硅油底紙揭下，RFID標(biāo)簽貼在商品上即可。本發(fā)明所涉電子標(biāo)簽封裝機(jī)、RFID標(biāo)簽封裝機(jī)等均可采用現(xiàn)有技術(shù)。以上對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，依據(jù)本發(fā)明提供的思想，在具 體實(shí)施方式上會(huì)有改變之處，而這些改變也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽，其特征是包括易破壞層(I)、電子芯片層(3)、天線電路層(4)、薄膜基材層￠)、紙基支撐層(8)、底紙層(10)，易破壞層(I)的內(nèi)側(cè)表面粘接電子芯片層(3)的一面，電子芯片層(3)的另一面復(fù)合天線電路層(4)的一面，天線電路層(4)的另一面粘接薄膜基材層￠)的一面，薄膜基材層￠)的另一面粘接紙基支撐層(8)的一面，紙基支撐層(8)的另一面粘接底紙層(10)。
2.如權(quán)利要求1所述的紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽，其特征是:塑料薄膜基材層的厚度在12μπι 25μπι之間。
3.如權(quán)利要求1所述的紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽，其特征是:紙基支撐層采用輕涂紙、超亞紙或新聞紙。
4.如權(quán)利要求1或3所述的紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽，其特征是:紙基支撐層的厚度為40 150 μ m。
5.如權(quán)利要求1所述的紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽，其特征是:易破壞層采用易碎紙、糯米紙、薄層銅版紙或易破壞的高分子材料；和/或，易破壞層的厚度為100 400 μ m。
6.一種權(quán)利要求1-5所述紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽的制造方法，其具體步驟如下: (1)對(duì)薄膜基材層進(jìn)行強(qiáng)度降低處理； (2)將處理后的薄膜基材層與鋁箔復(fù)合； (3)通過(guò)粘合劑將復(fù)合了鋁箔的塑料薄膜基材層的另一面與離型膜支撐層粘合，制得帶有離型膜支撐層的復(fù)合鋁箔； (4)采用抗酸蝕刻堿溶性油墨在鋁箔表面印刷天線圖案； (5)使用酸性溶液蝕刻帶有天線圖案的鋁箔，再用堿性溶液除去鋁箔表面的油墨，然后，水洗再干燥收卷； (6)將離型膜支撐層剝離，再通過(guò)粘合劑將天線與紙質(zhì)基材復(fù)合； (7 )使用電子標(biāo)簽封裝機(jī)封裝芯片，即在天線電路層的外表面封裝電子芯片層，制得紙基易撕蝕刻RFID干Inlay ； (8)紙基易撕蝕刻RFID干Inlay通過(guò)RFID標(biāo)簽打印機(jī)在紙基背面噴墨打印，制成紙基易撕超高頻RFID標(biāo)簽；或者，電子芯片層的外表面復(fù)合易破壞層，紙質(zhì)基材的外表面復(fù)合底紙層，經(jīng)模切排廢后制成具有易撕防偽特性的超高頻RFID標(biāo)簽。
7.如權(quán)利要求6所述紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽的制造方法，其特征在于:第(I)步中，薄膜基材層涂布一縮二乙二醇為原料合成的聚酯，并電暈處理，然后使用版紋金屬壓輥對(duì)薄膜基材層進(jìn)行滾壓處理。
8.如權(quán)利要求7所述紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽的制造方法，其特征在于:電暈處理后薄膜基材層表面潤(rùn)濕張力為40 55mN/m。
9.如權(quán)利要求6所述紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽的制造方法，其特征在于:第(3)步中，粘合劑選用雙組份聚氨酯膠、熱熔膠、強(qiáng)力膠或環(huán)氧膠等。
10.如權(quán)利要求6或9所述紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽的制造方法，其特征在于:離型膜支撐層采用離型PET膜、離型OPP膜或離型PE膜；和/或，離型膜支撐層的厚度為·30 75 μ m0
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽及其制造方法。本發(fā)明RFID標(biāo)簽包括易破壞層(1)、電子芯片層(3)、天線電路層(4)、薄膜基材層(6)、紙基支撐層(8)、底紙層(10)，易破壞層(1)的內(nèi)側(cè)表面粘接電子芯片層(3)的一面，電子芯片層(3)的另一面復(fù)合天線電路層(4)的一面，天線電路層(4)的另一面粘接薄膜基材層(6)的一面，薄膜基材層(6)的另一面粘接紙基支撐層(8)的一面，紙基支撐層(8)的另一面粘接底紙層(10)。本發(fā)明紙基易撕防偽超高頻RFID標(biāo)簽具有如下技術(shù)效果標(biāo)簽閱讀性能好，工藝穩(wěn)定性提高，成品合格率高，成本低，適合大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號(hào)G06K19/077GK103246918SQ201310173518
公開(kāi)日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2013年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2013年5月9日
發(fā)明者劉彩鳳, 黃愛(ài)賓, 胡日紅 申請(qǐng)人:杭州電子科技大學(xué), 杭州美思特電子科技有限公司