標(biāo)簽制造方法和標(biāo)簽用構(gòu)件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種標(biāo)簽制造方法和標(biāo)簽用構(gòu)件。所述標(biāo)簽制造方法包括：配置工序，在該配置工序，配置標(biāo)簽用構(gòu)件，從而在基材和覆蓋材料之間設(shè)置磁性構(gòu)件；切斷工序，在該切斷工序，與所述基材一起切斷所述磁性構(gòu)件，從而從所述標(biāo)簽用構(gòu)件切出標(biāo)簽；去除工序，在該去除工序，從所述標(biāo)簽用構(gòu)件去除所述基材的不需要部分；以及檢測工序，在該檢測工序，檢測在所述基材的所述不需要部分中是否存在所述標(biāo)簽，或者檢測在已去除了所述基材的所述不需要部分的所述標(biāo)簽用構(gòu)件中是否存在所述標(biāo)簽。
【專利說明】標(biāo)簽制造方法和標(biāo)簽用構(gòu)件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種標(biāo)簽制造方法和標(biāo)簽用構(gòu)件。
【背景技術(shù)】
[0002]日本特開2006-330967號公報(專利文獻(xiàn)I)公開了一種非接觸式電子標(biāo)簽(ICtag)的制造方法，該方法包括:在連續(xù)的基膜表面上形成天線圖案并且在該天線圖案上安裝集成電路芯片；布置具有間隔的帶形結(jié)構(gòu)從而在集成電路芯片的兩側(cè)形成平行的帶形凹槽并且將該結(jié)構(gòu)安裝在天線圖案表面上；將表面保護(hù)構(gòu)件層壓在集成電路芯片和帶狀結(jié)構(gòu)表面上；并且切成各個非接觸式電子標(biāo)簽或者形成切斷線從而能被切斷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]因此，本發(fā)明的一個目的是提高包括磁性構(gòu)件的標(biāo)簽的生產(chǎn)率。
[0004]根據(jù)本發(fā)明的第一方案，提供了一種標(biāo)簽制造方法，該標(biāo)簽制造方法包括:配置工序，在該配置工序，配置標(biāo)簽用構(gòu)件，從而在基材和覆蓋材料之間設(shè)置磁性構(gòu)件；切斷工序，在該切斷工序，與所述基材一起切斷所述磁性構(gòu)件，從而從所述標(biāo)簽用構(gòu)件切出標(biāo)簽；去除工序，在該去除工序，從所述標(biāo)簽用構(gòu)件去除所述基材的不需要部分；以及檢測工序，在該檢測工序，檢測在所述基材的所述不需要部分中是否存在所述標(biāo)簽，或者檢測在已去除了所述基材的所述不需要部分的所述標(biāo)簽用構(gòu)件中是否存在所述標(biāo)簽。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的第二方案，在根據(jù)本發(fā)明的第一方案的制造方法中，在所述配置工序中，可以沿著所述基材的傳送方向設(shè)置所述磁性構(gòu)件。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的第三方案，在根據(jù)本發(fā)明的第一方案或第二方案的制造方法中，當(dāng)在所述檢測工序中檢測到在所述基材的所述不需要部分中存在所述標(biāo)簽時，停止所述配置工序、所述切斷工序以及所述去除工序。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的第四方案，在根據(jù)本發(fā)明的第一方案或第二方案的制造方法中，當(dāng)在所述檢測工序中檢測到在已去除了所述基材的所述不需要部分的所述標(biāo)簽用構(gòu)件中不存在所述標(biāo)簽時，停止所述配置工序、所述切斷工序以及所述去除工序。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的第五方案，提供了一種標(biāo)簽用構(gòu)件，所述標(biāo)簽用構(gòu)件包括:基材，該基材包括具有間隔的多個標(biāo)簽區(qū)域；覆蓋材料，該覆蓋材料設(shè)置在所述基材的粘合層上；以及磁性構(gòu)件，所述磁性構(gòu)件設(shè)置成在所述基材和所述覆蓋材料之間穿過所述多個標(biāo)簽區(qū)域并且具有強(qiáng)巴克豪森效應(yīng)。(Barkhausen effect)。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的第一方案，與不提供檢測工序的情況相比，能夠提高包括磁性構(gòu)件的標(biāo)簽的生產(chǎn)率。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的第二方案，與磁性構(gòu)件不沿著基材的傳送方向設(shè)置的情況相比，能夠提高包括磁性構(gòu)件的標(biāo)簽的生產(chǎn)率。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的第三方案，與即使在檢測到基材的不需要部分中存在標(biāo)簽時也不停止配置工序、切斷工序和去除工序的情況相比，能夠提高包括磁性構(gòu)件的標(biāo)簽的生產(chǎn)率。[0012]根據(jù)本發(fā)明的第四方案，與即使在檢測到在已去除了基材的不需要部分的標(biāo)簽用構(gòu)件中不存在標(biāo)簽時也不停止配置工序、切斷工序和去除工序的情況相比，能夠提高包括磁性構(gòu)件的標(biāo)簽的生產(chǎn)率。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的第五方案，與不包括當(dāng)前構(gòu)造的標(biāo)簽用構(gòu)件相比，能夠提高包括具有強(qiáng)巴克豪森效應(yīng)的磁性構(gòu)件的標(biāo)簽的生產(chǎn)率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]將基于下面的附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，在附圖中:
[0015]圖1是示出標(biāo)簽制造設(shè)備的示意性構(gòu)造的示例圖；
[0016]圖2是示出標(biāo)簽紙的平面圖；
[0017]圖3是示出標(biāo)簽紙的放大部分的平面圖，其中非晶磁線與基紙一起被切斷；
[0018]圖4是示出其中基紙的不需要部分從標(biāo)簽紙剝除的狀態(tài)的立體圖；
[0019]圖5是示出其中利用位于基紙的不需要部分中的激光傳感器檢測標(biāo)簽區(qū)域的狀態(tài)的說明圖；
[0020]圖6A是示出在利用激光傳感器檢測時的OK狀態(tài)的說明圖；
[0021]圖6B是示出在利用激光傳感器檢測時的不滿意狀態(tài)的說明圖；以及
[0022]圖7是示出其中利用CXD圖像傳感器來檢測基紙的不需要部分已被去除的標(biāo)簽紙的狀態(tài)的說明圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。另外，為了便于說明，各圖中適當(dāng)?shù)匕ǖ募^F指示標(biāo)簽紙主體50 (標(biāo)簽紙60)的傳送方向，箭頭C指示垂直于傳送方向的方向(橫向方向)。而且，箭頭UP指示向上方向。然而，這些方向均不被具體地限定。另外，沿標(biāo)簽紙主體50 (標(biāo)簽紙60)的傳送方向的上游側(cè)可以被簡稱為上游側(cè)，沿傳送方向的下游側(cè)可以被簡稱為下游側(cè)。
[0024]如圖1所示,標(biāo)簽制造設(shè)備10包括:饋送部12,該饋送部支承為饋送標(biāo)簽紙主體
50;貼附部14，該貼附部向從饋送部12饋送的標(biāo)簽紙主體50供應(yīng)作為具有強(qiáng)巴克豪森效應(yīng)的磁性構(gòu)件的示例的非晶磁線56，配置作為標(biāo)簽用構(gòu)件的示例的標(biāo)簽紙60。
[0025]而且，標(biāo)簽制造設(shè)備10包括:切斷部16，該切斷部制出切口，以便形成作為標(biāo)簽紙60上的產(chǎn)品的標(biāo)簽64 (參見圖4);去除部20，該去除部從標(biāo)簽紙60去除標(biāo)簽64不使用的不需要部分62 (參見圖4);以及回收部18，該回收部將已去除了不需要部分62的標(biāo)簽紙60 (標(biāo)簽組合體66)切成每個預(yù)定長度并且回收被切斷的標(biāo)簽紙。
[0026]如圖1至圖4所不,作為在一個表面上具有粘合層53的基材的不例的基紙52和作為覆蓋材料的示例的剝離紙54利用粘合層53彼此貼附，因此，標(biāo)簽紙主體50被配置且卷繞成卷軸形狀，并且被支承在饋送部12上。而且，基材和覆蓋材料可以由非磁性材料(例如紙材等)形成。因此，在本示例性實(shí)施方式中，基紙52和剝離紙54被用作示例。
[0027]在貼附部14中，剝離紙54從基紙52的粘合層53臨時剝除，非晶磁線56被供應(yīng)到基紙52的粘合層53并被貼附，之后，將剝離紙54再次貼附到基紙52的粘合層53。具體地，剝離紙54繞基紙52的傳送方向上游側(cè)的引導(dǎo)輥22卷繞，并且在從基紙52的粘合層53剝除的同時向上方側(cè)傳送。
[0028]而且，在上方側(cè)，剝離紙54繞引導(dǎo)輥24卷繞，沿傳送方向被引導(dǎo)，接著繞引導(dǎo)輥26卷繞并且被向下方側(cè)引導(dǎo)。被引導(dǎo)到下方側(cè)的剝離紙54繞基紙52的傳送方向下游側(cè)的弓I導(dǎo)輥28卷繞。
[0029]借助引導(dǎo)輥28，剝離紙54被再次貼附到基紙52的粘合層53，同時非晶磁線56被夾設(shè)在基紙52 (粘合層53)和剝離紙54之間。另外，在貼附部14中，設(shè)置有調(diào)節(jié)單元(未示出)，該調(diào)節(jié)單元將基紙52的傳送長度調(diào)節(jié)成對應(yīng)于被引導(dǎo)到引導(dǎo)輥22、24、26和28的剝離紙54。
[0030]而且，非晶磁線56沿著傳送方向被線性地供應(yīng)(設(shè)置)，從而穿過標(biāo)簽紙主體50中的多個(多行:在本實(shí)施方式中為3行)標(biāo)簽區(qū)域58 (由圖2中的虛線示出)的每個中心(沿各標(biāo)簽64的橫向方向的中央部)。因此,沿垂直于傳送方向的方向(橫向方向)設(shè)置多個(在本實(shí)施方式中為3個)供應(yīng)非晶磁線56的供應(yīng)部30。
[0031]而且，標(biāo)簽區(qū)域58是指在從標(biāo)簽紙60 (基紙52)切除之前的要成為標(biāo)簽64的區(qū)域。然而，標(biāo)簽區(qū)域也可以指在不需要部分62中去除了標(biāo)簽64的區(qū)域。另外，將非晶磁線56設(shè)置在標(biāo)簽紙主體50的基紙52 (粘合層53)和剝離紙54之間，從而形成標(biāo)簽紙60 (參見圖2)。
[0032]這里，非晶磁線56的存在通過磁致伸縮振動檢出，其有別于所謂的磁致伸縮元件。而且,非晶磁線為這樣的已知線,其中:飽和磁致伸縮系數(shù)λ s的絕對值為Ippm以下，并且具有響應(yīng)于低強(qiáng)度的交變場而反復(fù)反磁化的特性(強(qiáng)巴克豪森效應(yīng))。
[0033]因此，檢測由于強(qiáng)巴克豪森效應(yīng)而產(chǎn)生的磁場變化(磁信號)，并且因此從(未示出的)安全區(qū)檢測到被非法攜帶出的貼有標(biāo)簽64的物品(未示出)等。
[0034]具體地，例如，包括勵磁線圈的一對門(未示出)布置成在安全區(qū)的入口中彼此面對，并且從勵磁線圈產(chǎn)生具有預(yù)定水平(閾值Hp)以上的幅度的交變場。之后，當(dāng)物品穿過門時，在貼到物品上的標(biāo)簽64的非晶磁線56中周期地產(chǎn)生反磁化，由檢測線圈(未示出)檢測到根據(jù)反磁化輸出的電脈沖(磁信號)(檢測到強(qiáng)巴克豪森效應(yīng))。
[0035]因此，根據(jù)其中由于該檢測而從門等產(chǎn)生報警聲的系統(tǒng)，在心理上防止從安全區(qū)偷竊出或無意地攜帶出物品。而且，利用小角度磁化旋轉(zhuǎn)法(Smal 1-Angle MagnetizationRotation Method (SAMR))測量出飽和磁致伸縮系數(shù)λ s,該方法在K.Narita, J.Yamazaki和H.Fukunaga.電氣和電子工程師協(xié)會磁學(xué)會報.1980 (16):435中公開。
[0036]另外，非晶磁線56是直徑近似為30 μ m至45 μ m的線，并且設(shè)置在基紙52 (粘合層53)和剝離紙54之間。然而，為了便于說明，在各圖中，非晶磁線56的尺寸(厚度)被夸大示出。
[0037]如圖1所示，切斷部16包括橫向切斷部16A和縱向切斷部16B，在所述橫向切斷部中，剝離紙54再次從基紙52的粘合層剝除，基紙53沿垂直于傳送方向的方向(橫向方向)與非晶磁線56 —起被切斷，之后剝離紙54被再次貼附到基紙52的粘合層53，在所述縱向切斷部中，僅標(biāo)簽紙60的基紙52沿著傳送方向(縱向方向)被切斷。
[0038]在橫向切斷部16A中，剝離紙54繞基紙52的傳送方向上游側(cè)的引導(dǎo)輥32卷繞，并且在從基紙52的粘合層53剝除的同時向上方側(cè)傳送。而且，在上方側(cè)，剝離紙54繞引導(dǎo)輥34卷繞并且沿傳送方向被引導(dǎo)，接著剝離紙54繞引導(dǎo)輥36卷繞并向下方側(cè)被引導(dǎo)。被引導(dǎo)到下方側(cè)的剝離紙54繞基紙52的傳送方向下游側(cè)的引導(dǎo)輥38卷繞。
[0039]另一方面，在引導(dǎo)輥32的下游側(cè)和引導(dǎo)輥38的上游側(cè)，沿著與傳送方向垂直的方向設(shè)置有切割器40。利用該切割器40，沿著橫向方向上的虛線(其包括角部的在平面圖中為弧形部的一部分)將基紙52與非晶磁線56 —起切斷，其中所述虛線限定了各標(biāo)簽區(qū)域58 (標(biāo)簽64)(參照圖3)。
[0040]而且，如圖1所示，剝離紙54借助引導(dǎo)輥38被再次貼附到基紙52 (粘合層53)，其中所述基紙52與非晶磁線56 —起沿著橫向方向被切斷。也就是說，將圖3所示的狀態(tài)的標(biāo)簽紙60供應(yīng)到縱向切斷部16B。
[0041]另外，在橫向切斷部16A中，還設(shè)置有調(diào)節(jié)單元(未示出)，該調(diào)節(jié)單元對應(yīng)于被引導(dǎo)至引導(dǎo)輥32、34、36和38的剝離紙54來調(diào)節(jié)基紙52的傳送長度。而且，相鄰的標(biāo)簽64在傳送方向上的間隔W (參照圖3)可以是Imm以上。如果間隔W小于1mm，則擔(dān)心會切到位于標(biāo)簽64之間的不需要部分62，并且利用切割器41難以切斷標(biāo)簽64之間的剝離紙54。
[0042]在縱向切斷部16B中，沿著傳送方向設(shè)置有切割器42。利用該切割器42，沿著縱向方向上的虛線(該虛線還包括角部的在平面圖中為弧形部的其余部分)切斷基紙52，其中所述虛線限定了各標(biāo)簽區(qū)域58 (標(biāo)簽64)。而且，切割器42相對于標(biāo)簽紙60的高度位置等被調(diào)節(jié)，從而僅切斷貼到剝離紙54上的基紙52 (而不切斷剝離紙54)。
[0043]如圖1所示，在回收部18中設(shè)置有切割器41，該切割器41構(gòu)造成豎直移動。因此，基紙52的不被標(biāo)簽64所用的不需要部分62已經(jīng)被剝離并去除了的標(biāo)簽集合體66(剝離紙54)利用切割器41切成各預(yù)定長度并且被回收到回收部18中。而且，如圖4所示，在標(biāo)簽組合體66中，作為產(chǎn)品的多個標(biāo)簽64設(shè)置在剝離紙54上。
[0044]如圖1和圖4所示，在去除部20中，基紙52的不被標(biāo)簽64所用的不需要部分62從標(biāo)簽紙60剝離并且被去除。具體地，在去除部20中設(shè)置有引導(dǎo)輥44，該引導(dǎo)輥將基紙52的不需要部分62引導(dǎo)至卷繞部46，并且基紙52的由引導(dǎo)輥44引導(dǎo)的不需要部分62由卷繞部46卷繞成卷軸形狀。另外，被卷繞成卷軸形狀的不需要部分62被單獨(dú)回收。
[0045]而且，在基紙52的不需要部分62從引導(dǎo)輥44被傳送到卷繞部46時，利用作為檢測單元的示例的激光檢測器48來檢測不需要部分62中是否存在錯誤。也就是說，如圖5所示，激光檢測器48的發(fā)光部48A和受光部48B布置在其中標(biāo)簽區(qū)域58夾設(shè)在基紙52的不需要部分62中的位置。
[0046]另外，如圖6A所示，在作為產(chǎn)品的標(biāo)簽64已從基紙52的不需要部分62中的標(biāo)簽區(qū)域58去除的情況下，由于受光部48B接收到發(fā)光部48A從標(biāo)簽64已被去除的標(biāo)簽區(qū)域58中照射的激光L，因此，確定為在被回收于回收部18中的標(biāo)簽組合體66中未產(chǎn)生缺陷單元的“0K狀態(tài)”，即確定為“無錯誤”。
[0047]另一方面，如圖6B所示，當(dāng)作為產(chǎn)品的標(biāo)簽64未被去除而是保留在基紙52的不需要部分62中的標(biāo)簽區(qū)域58中時，由于從發(fā)光部48A照射的激光因保留的標(biāo)簽64而被阻擋從而受光部48B接收不到激光，因此確定為“不滿意狀態(tài)”，即在被回收到回收部18的標(biāo)簽組合體66中出現(xiàn)缺陷單元的，也就是說，確定為“存在錯誤”。
[0048]另外，當(dāng)確定了“存在錯誤”時，標(biāo)簽制造設(shè)備10臨時停止，去除被回收在回收部18的最上層上的成為缺陷單元的標(biāo)簽組合體66 (標(biāo)簽64的至少一部分不存在)。而且，作為標(biāo)簽64保留在不需要部分62中的主要原因，考慮切割器40相對于非晶磁線56的切割故障。
[0049]接下來，將描述在如上所述構(gòu)造的標(biāo)簽制造設(shè)備10中的操作(標(biāo)簽64的制造方法)。
[0050]首先，從饋送部12饋送標(biāo)簽的紙主體50并且將其供應(yīng)到貼附部14。在被供應(yīng)到貼附部14的標(biāo)簽紙主體50中，從基紙52的粘合層53剝除剝離紙54。而且，從基紙52的粘合層53剝除的剝離紙54被引導(dǎo)到引導(dǎo)輥22，繞引導(dǎo)輥24和26卷繞，并且被進(jìn)一步引導(dǎo)到引導(dǎo)輥28。
[0051]另一方面，非晶磁線56在引導(dǎo)輥28緊前面處被供應(yīng)到剝除了剝離紙54的基紙52的粘合層53上。另外，由于引導(dǎo)輥28，非晶磁線56被貼附到基紙52的粘合層53并且剝離紙54被貼附到基紙52的粘合層53 (非晶磁線56)上。
[0052]由此，制造出非晶磁線56被設(shè)置在基紙52 (粘合層53)和剝離紙54之間的標(biāo)簽紙60 (參照圖2)(配置工序)。而且，供應(yīng)非晶磁線56的供應(yīng)部30沿橫向方向設(shè)置為多個(在本實(shí)施方式中為3個)，并且非晶磁線56分別相對于標(biāo)簽紙主體50中的多個(多行:在該情況下為3行)標(biāo)簽區(qū)域58的橫向方向的中央部沿著傳送方向被線性地供應(yīng)。
[0053]以這種方式制造的標(biāo)簽紙60被傳送到切斷部16的橫向切斷部16A。與貼附部14類似，在橫向切斷部16A中，將剝離紙54從基紙52的粘合層53剝除。另外，從基紙52的粘合層53剝除的剝離紙54被引導(dǎo)到引導(dǎo)輥32，繞引導(dǎo)輥34和36卷繞，并且被進(jìn)一步引導(dǎo)到引導(dǎo)輥38。
[0054]另一方面，根據(jù)其中剝離紙54被剝除的基紙52的傳送，利用切割器40順序地執(zhí)行相對于基紙52的各標(biāo)簽區(qū)域58沿橫向方向切割。由此，沿著傳送方向設(shè)置在基紙52的粘合層53上的非晶磁線56與基紙52 —起被切斷(切斷工序)。而且，在切斷之后，利用引導(dǎo)輥38將剝離紙54再次貼附到基紙52的粘合層53。
[0055]連續(xù)地，將再次貼附有剝離紙54的標(biāo)簽紙60傳送到切斷部16的縱向切斷部16B。在縱向切斷部16B中，根據(jù)標(biāo)簽紙60的傳送，利用切割器42順序地執(zhí)行相對于基紙52的各標(biāo)簽區(qū)域58沿縱向方向的切割(切斷工序)。而且，此時，不對剝離紙54進(jìn)行切割。也就是說，切割器42僅切斷基紙52。
[0056]這樣，在執(zhí)行了沿標(biāo)簽紙60的各標(biāo)簽區(qū)域58的橫向方向和縱向方向切割(如果標(biāo)簽64從標(biāo)簽紙60被切除)的情況下，將基紙52的不被標(biāo)簽64所用的不需要部分62從剝離紙54剝除并且利用去除部20去除(去除工序)。借此，制造出多個標(biāo)簽64以恒定間隔設(shè)置在剝離紙54上的標(biāo)簽組合體66 (參照圖4)，并且利用切割器41將標(biāo)簽組合體66切成各預(yù)定長度并且將其回收在回收部18中。
[0057]另一方面，基紙52的從剝離紙54剝除的不需要部分由引導(dǎo)輥44引導(dǎo)到卷繞部46。另外，在引導(dǎo)期間，利用激光傳感器48檢測在基紙52的不需要部分62中是否存在標(biāo)簽64 (檢測工序)。也就是說，從發(fā)光部48A照射的激光L以規(guī)則速度從不需要部分62中的標(biāo)簽區(qū)域58穿過并且由受光部48B接收。
[0058]這里，例如，如圖6A所示，當(dāng)利用切割器40適當(dāng)?shù)厍袛喾蔷Т啪€56并且從標(biāo)簽區(qū)域58去除了標(biāo)簽64時，激光L僅被標(biāo)簽64之間的不需要部分62遮擋。
[0059]然而，例如，如圖6B所示，當(dāng)由于切割器40相對于非晶磁線56來說出現(xiàn)切割故障而未從標(biāo)簽區(qū)域58去除標(biāo)簽64時，激光L被不需要部分62和未從標(biāo)簽區(qū)域58去除的標(biāo)簽64遮擋。
[0060]也就是說，與圖6A中的不需要部分62相比，對于圖6B中的不需要部分62來說，通過受光部48的激光L的非受光時間會更長。由此，檢測到在不需要部分62中包括的標(biāo)簽64，從而檢測到在回收到回收部18的標(biāo)簽組合體66中存在缺陷單元(至少一部分標(biāo)簽64不存在)。
[0061]這樣，如果檢測到在不需要部分62中“存在錯誤”，則標(biāo)簽制造設(shè)備10被臨時停止(停止工序)。由此，由于被確定為缺陷單元的標(biāo)簽組合體66被回收在回收部18中的最上層，能夠快速去除缺陷單元。因此，提高作為產(chǎn)品的標(biāo)簽64的生產(chǎn)率。
[0062]另外，不利用激光傳感器48檢測不需要部分62中是否存在標(biāo)簽64，如圖7所示，而是在引導(dǎo)輥44和回收部18之間設(shè)置有作為檢測單元的示例的CCD圖像傳感器68，利用CXD圖像傳感器68檢測在剝除了不需要部分62的標(biāo)簽紙60 (標(biāo)簽組合體66)中是否存在標(biāo)簽64。
[0063]在該情況下，如果在標(biāo)簽組合體66的應(yīng)存在標(biāo)簽64的位置處存在標(biāo)簽64，則確定為“0K狀態(tài)”，即，確定為“不存在錯誤”；如果標(biāo)簽64不存在，則確定為“不滿意狀態(tài)”，即，確定為“存在錯誤”。而且，如果由CXD圖像傳感器68檢測到“存在錯誤”，則標(biāo)簽制造設(shè)備10被臨時停止(停止工序)，并且去除被確定為缺陷單元的標(biāo)簽組合體66。由此，提高標(biāo)簽
的生產(chǎn)率。
[0064]如上所述，描述了根據(jù)本示例性實(shí)施方式的標(biāo)簽64和標(biāo)簽紙60的制造方法。然而，根據(jù)本示例性實(shí)施方式的標(biāo)簽64和標(biāo)簽紙60的制造方法不局限所示的那些，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)其設(shè)計能夠被適當(dāng)?shù)馗淖?。例如，回收?8可以被構(gòu)造成使得標(biāo)簽組合體66被卷繞成卷軸形狀并且被回收。
[0065]另外，檢測單元不局限于激光傳感器48或者CXD圖像傳感器68。例如，當(dāng)檢測在剝除了不需要部分62的標(biāo)簽紙60 (標(biāo)簽組合體66)中是否存在標(biāo)簽64時，檢測單元可以是檢測剝離紙54和標(biāo)簽64之間的臺階(標(biāo)簽64的厚度)的檢測單元，并且可以是檢測在剝離紙54上是否規(guī)則地設(shè)置有金屬(非晶磁線56)的檢測單元。
[0066]而且，磁性構(gòu)件不局限于非晶磁線56。例如，磁性構(gòu)件可以是寬度為2mm以下的帶狀非晶磁體(未示出)。而且，磁性構(gòu)件可以是其中多個非晶磁線56纏結(jié)的單個線。另外，非晶磁線56不局限于沿著基紙52的傳送方向設(shè)置的非晶磁線。
[0067]而且，非晶磁線56可以構(gòu)造成被埋設(shè)到標(biāo)簽64。也就是說，基紙52由兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，而不具有粘合層53，非晶磁線56可以被設(shè)置在這兩個層之間。當(dāng)非晶磁線如上被構(gòu)造時，由于更難以從外部分辨非晶磁線56，因此非晶磁線變得更加理想。
[0068]也就是說，如果標(biāo)簽64是難以從外部分辨非晶磁性56的標(biāo)簽，則由于更難以理解在貼有標(biāo)簽64的物品上安裝有安全功能件，因此可以抑制或者防止安全功能件(非晶磁線56)被不正當(dāng)?shù)厝コ?br> [0069]為了示意和描述的目的提供了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的前面的描述。其并不旨在窮舉本發(fā)明或?qū)⒈景l(fā)明限于所公開的精確形式。顯然，許多修改和變化對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。選出并描述這些實(shí)施方式是為了最佳地說明本發(fā)明的原理和其實(shí)際應(yīng)用，由此使得本領(lǐng)域其他技術(shù)人員能夠針對各種實(shí)施方式理解本發(fā)明，并且存在適于所預(yù)期的具體用途的各種修改。本發(fā)明的范圍旨在由所附權(quán)利要求及其等同物來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種標(biāo)簽制造方法，該標(biāo)簽制造方法包括: 配置工序，在該配置工序，配置標(biāo)簽用構(gòu)件，從而在基材和覆蓋材料之間設(shè)置磁性構(gòu)件； 切斷工序，在該切斷工序，與所述基材一起切斷所述磁性構(gòu)件，從而從所述標(biāo)簽用構(gòu)件切出標(biāo)簽； 去除工序，在該去除工序，從所述標(biāo)簽用構(gòu)件去除所述基材的不需要部分；以及檢測工序，在該檢測工序，檢測在所述基材的所述不需要部分中是否存在所述標(biāo)簽，或者檢測在已去除了所述基材的所述不需要部分的所述標(biāo)簽用構(gòu)件中是否存在所述標(biāo)簽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽制造方法， 其中，在所述配置工序中，沿著所述基材的傳送方向設(shè)置所述磁性構(gòu)件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的標(biāo)簽制造方法， 其中，當(dāng)在所述檢測工序中檢測到在所述基材的所述不需要部分中存在所述標(biāo)簽時，停止所述配置工序、所述切斷工序以及所述去除工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的標(biāo)簽制造方法， 其中，當(dāng)在所述檢測工序中檢測到在已去除了所述基材的所述不需要部分的所述標(biāo)簽用構(gòu)件中不存在所述標(biāo)簽時，停止所述配置工序、所述切斷工序以及所述去除工序。
5.一種標(biāo)簽用構(gòu)件，所述標(biāo)簽用構(gòu)件包括: 基材，該基材包括具有間隔的多個標(biāo)簽區(qū)域； 覆蓋材料，該覆蓋材料設(shè)置在所述基材的粘合層上；以及 磁性構(gòu)件，所述磁性構(gòu)件設(shè)置成在所述基材和所述覆蓋材料之間穿過所述多個標(biāo)簽區(qū)域并且具有強(qiáng)巴克豪森效應(yīng)。
【文檔編號】G06K19/07GK103577864SQ201310071402
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月10日
【發(fā)明者】栗原英三, 坂卷克己, 山口昭治, 蒔田圣吾 申請人:富士施樂株式會社