觸控裝置及其形成方法
【專利摘要】一種觸控裝置，包括：蓋板，具有可視區(qū)及位于可視區(qū)側(cè)邊的遮蔽區(qū)，遮蔽區(qū)包括第一區(qū)域、第二區(qū)域以及第三區(qū)域；第一遮蔽層，設(shè)置于蓋板的表面且位于第一區(qū)域及第二區(qū)域內(nèi)，其中第一遮蔽層具有一平整表面；信號引線層，位于第一區(qū)域內(nèi)且設(shè)置于第一遮蔽層的平整表面上；以及第二遮蔽層，至少位于靠近蓋板邊緣的第三區(qū)域內(nèi)，其中，第二遮蔽層的粘度大于第一遮蔽層的粘度。本發(fā)明另提供一種觸控裝置的形成方法。采用本發(fā)明的觸控裝置，可避免遮蔽層采用黑色光阻等粘性較低的材料時(shí)，形成于蓋板邊緣的遮蔽層表面產(chǎn)生不平整的問題。
【專利說明】觸控裝置及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明系有關(guān)于觸控技術(shù)，且特別是有關(guān)于一種觸控裝置及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，觸控裝置已經(jīng)被大量應(yīng)用在各種電子產(chǎn)品中，例如手機(jī)、個(gè)人數(shù)位助理(PDA)或掌上型個(gè)人電腦等。隨著應(yīng)用的需求，近年來已發(fā)展出一種薄型化設(shè)計(jì)的觸控裝置，由于此種薄型化觸控裝置具有輕薄的優(yōu)點(diǎn)，逐漸受到使用者的青睞。
[0003]請參考第I圖，為一薄型化觸控裝置的剖面示意圖，此薄型化觸控裝置由保護(hù)外蓋10、遮蔽層20與觸控元件30所組成，其中，遮蔽層20與觸控元件30皆直接形成于保護(hù)外蓋10的一側(cè)，而保護(hù)外蓋10的另一側(cè)則供使用者觸摸以輸入訊息或操控電子產(chǎn)品。
[0004]上述的薄型化觸控裝置中，遮蔽層20是由低黏度(粘度約3 - 50cps)的遮光材料所形成，由第I圖可看出遮蔽層20的表面是由一平整表面202與一突起表面204所構(gòu)成的不平整表面。遮蔽層20之所以會(huì)有不平整的表面產(chǎn)生是因?yàn)榈宛ざ日诒尾牧显谝婚_始涂布時(shí)即會(huì)因表面張力的物理現(xiàn)象而在靠近保護(hù)外蓋10的邊緣形成不平整的突起表面，使得后續(xù)固化成型的遮蔽層20也不會(huì)具有一個(gè)平整的表面。
[0005]而遮蔽層20的不平整表面會(huì)影響后續(xù)觸控元件30的形成品質(zhì)，進(jìn)而降低薄型化觸控裝置的產(chǎn)品良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在觸控裝置中分別形成具低黏度的第一遮蔽層及具高黏度的第二遮蔽層，讓第二遮蔽層的高粘度特性在靠近保護(hù)蓋板邊緣的地方仍能維持平整的表面，以減少后續(xù)對形成觸控元件的影響，進(jìn)而提高觸控裝置的產(chǎn)品良率。
[0007]本發(fā)明一實(shí)施例提供一種觸控裝置，包括:一蓋板，具有一可視區(qū)及一位于該可視區(qū)側(cè)邊的遮蔽區(qū)，該遮蔽區(qū)從該可視區(qū)往該蓋板邊緣的方向依序劃分的區(qū)域包括一第一區(qū)域、一第二區(qū)域以及一第三區(qū)域；一第一遮蔽層，設(shè)置于該蓋板的表面且位于該第一區(qū)域及該第二區(qū)域內(nèi)，其中該第一遮蔽層具有一平整表面；一信號引線層，位于該第一區(qū)域內(nèi)且設(shè)置于該第一遮蔽層的該平整表面上；以及
[0008]一第二遮蔽層，至少位于靠近該蓋板邊緣的該第三區(qū)域內(nèi)，其中，該第二遮蔽層的粘度大于該第一遮蔽層的粘度。
[0009]本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種觸控裝置的形成方法，包括:提供一蓋板，該蓋板具有一可視區(qū)及一位于該可視區(qū)側(cè)邊的遮蔽區(qū)，該遮蔽區(qū)從該可視區(qū)往該蓋板邊緣的方向依序劃分的區(qū)域包括一第一區(qū)域、一第二區(qū)域以及一第三區(qū)域；形成一第一遮蔽層于該蓋板的表面且位于該第一區(qū)域及該第二區(qū)域內(nèi)，其中該第一遮蔽層具有一平整表面；形成一信號引線層于該第一區(qū)域內(nèi)且設(shè)置于該第一遮蔽層的該平整表面上；以及形成一第二遮蔽層于至少靠近該蓋板邊緣的該第三區(qū)域內(nèi)，其中，該第二遮蔽層的粘度大于該第一遮蔽層的粘度。[0010]本發(fā)明通過第一遮蔽層內(nèi)縮的設(shè)計(jì)，可避免第一遮蔽層采用黑色光阻材料等粘性較低的材料時(shí)，形成于蓋板邊緣的第一遮蔽層表面產(chǎn)生不平整的問題。
[0011]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下:
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1顯示為一傳統(tǒng)薄型化觸控裝置的剖面示意圖。
[0013]圖2a顯示在本發(fā)明一實(shí)施例中觸控裝置100的剖面圖。
[0014]圖2b則顯示圖2a中蓋板110的上視示意圖。
[0015]圖3顯示本發(fā)明一實(shí)施例中電極部的上視圖。
[0016]圖4a至圖4g顯示第一遮蔽層120在第二區(qū)域II內(nèi)可能的圖案。
[0017]圖5顯示在本發(fā)明另一實(shí)施例中的觸控裝置的剖面圖。
[0018]圖6顯示在本發(fā)明又一實(shí)施例中的觸控裝置的剖面圖。
[0019]圖7顯示在本發(fā)明一實(shí)施例中的觸控裝置的方法流程圖。
[0020]圖8至圖12 顯示依照圖7的方法形成觸控裝置的各階段剖面圖或上視圖。
[0021]【主要元件符號說明】
[0022]V—可視區(qū)
[0023]M —遮蔽區(qū)
[0024]I —第一區(qū)域
[0025]II —第二區(qū)域
[0026]III —第三區(qū)域
[0027]100,400,500 —觸控裝置
[0028]110、510—蓋板
[0029]130,530 —感測層
[0030]131、531—電極部
[0031]131X、531X_ 第一電極
[0032]13IY-第二電極
[0033]131Z、531Z —連接部
[0034]133,533 —跨接部
[0035]140、540 —導(dǎo)電部
[0036]150、550 —信號引線層
[0037]160,560 —保護(hù)層
[0038]170,570 —第二遮蔽層
[0039]602、604、606、608 —步驟
【具體實(shí)施方式】
[0040]以下依本發(fā)明的不同特征舉出數(shù)個(gè)不同的實(shí)施例。本發(fā)明中特定的元件及安排系為了簡化，但本發(fā)明并不以這些實(shí)施例為限。舉例而言，于第二元件上形成第一元件的描述可包括第一元件與第二元件直接接觸的實(shí)施例，亦包括具有額外的元件形成在第一元件與第二元件之間、使得第一元件與第二元件并未直接接觸的實(shí)施例。此外，為簡明起見，本發(fā)明在不同例子中以重復(fù)的元件符號及/或字母表示，但不代表所述各實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)間具有特定的關(guān)系。
[0041]參照第2a與2b圖，其中第2a圖顯示在本發(fā)明一實(shí)施例中觸控裝置100的剖面圖，第2b圖則顯示圖2a中蓋板110的上視示意圖。觸控裝置100包含蓋板110、第一遮蔽層120、信號引線層150與第二遮蔽層170，其中，蓋板110具有可視區(qū)V及位于可視區(qū)V側(cè)邊的遮蔽區(qū)M，遮蔽區(qū)M從可視區(qū)V往蓋板110邊緣的方向依序劃分的區(qū)域包括第一區(qū)域1、第二區(qū)域II以及第三區(qū)域III ;第一遮蔽層120則設(shè)置于蓋板110的表面且位于第一區(qū)域I及第二區(qū)域II內(nèi)，其中第一遮蔽層120具有一平整表面；信號引線層150位于第一區(qū)域I內(nèi)且設(shè)置于第一遮蔽層120的平整表面上；以及第二遮蔽層170，至少位于靠近蓋板110邊緣的第三區(qū)域III內(nèi)，其中，第二遮蔽層170的粘度大于第一遮蔽層120的黏度。
[0042]如第2a圖所示，觸控裝置100更包括電性連接信號引線層150的感測層130，感測層130是設(shè)置于蓋板110的表面上且位于蓋板110的可視區(qū)V范圍內(nèi)。
[0043]在本實(shí)施例中，觸控裝置100更包括導(dǎo)電部140，導(dǎo)電部140用以電性連接感測層130與信號引線層150。在其它實(shí)施例中，感測層130亦可直接與信號引線層150電性連接，即觸控裝置100可不包括導(dǎo)電部140。
[0044]在本實(shí)施例中，觸控裝置100更包括保護(hù)層160，其中保護(hù)層160的一面在第三區(qū)域III是設(shè)置在蓋板110的表面上，在第二區(qū)域II是設(shè)置在第一遮蔽層120的平整表面上，在第一區(qū)域I是設(shè)置在信號引線層150上，而保護(hù)層160的另一面則承載第二遮蔽層170。
[0045]在一實(shí)施例中，第一遮蔽層120與第二遮蔽層170的顏色相同。在另一實(shí)施例中，第一遮蔽層120與第二遮蔽層170的顏色不同。
[0046]請?jiān)賲⒖嫉?a圖與第2b圖，以下將更詳細(xì)地說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0047]在本實(shí)施例中，遮蔽區(qū)M更進(jìn)一步是圍繞著可視區(qū)V的周邊，遮蔽區(qū)M的第一區(qū)域I是圍繞可視區(qū)V，第二區(qū)域II圍繞第一區(qū)域I，且第三區(qū)域III圍繞第二區(qū)域II。不難理解，第一區(qū)域1、第二區(qū)域I1、第三區(qū)域III可不限定于第2b圖所示的形狀。
[0048]在一實(shí)施例中，第二區(qū)域II的寬度介于1.5mm至3.5mm，第三區(qū)域III的寬度介于0.25mm至0.5_。然而，本領(lǐng)域具通常知識者應(yīng)可了解遮蔽區(qū)M的第一區(qū)域1、第二區(qū)域
I1、第三區(qū)域III的寬度也可視裝置需要調(diào)整為其它寬度，并非以此為限。
[0049]前述設(shè)置于蓋板110的表面且位于第一區(qū)域I及第二區(qū)域II內(nèi)的第一遮蔽層120是具有一平整表面。要說明的是，本發(fā)明所描述的平整表面，系為區(qū)別于先前技術(shù)中遮蔽層邊緣具有明顯的不平整表面(如明顯突起)，亦即本發(fā)明所描述的平整表面，并不限定于如第2a圖所繪示的沿水平方向具同一厚度的理想情況，第一遮蔽層120的平整表面亦可包含厚度漸變等情況，例如導(dǎo)電部140爬坡位置的第一遮蔽層120可為平滑的弧面狀，其將有利于導(dǎo)電部140在該位置的爬坡，避免導(dǎo)電部140可能存在爬坡斷裂的問題。
[0050]在本實(shí)施例中，位于第二區(qū)域II內(nèi)的第一遮蔽層120具有漸變圖案。第4a至4g圖顯示第一遮蔽層120在第二區(qū)域II內(nèi)可能的圖案。如第4a至4g圖所示，第一遮蔽層120在第二區(qū)域II內(nèi)的漸變的圖案可有各種不同的形狀及樣式。在一些實(shí)施例中，漸變的圖案包括復(fù)數(shù)個(gè)相同或相異的圖形、符號、文字、數(shù)字、或前述之組合。在另一實(shí)施例中，漸變的圖案包括復(fù)數(shù)個(gè)陣列式排列的孔洞。在又一實(shí)施例中，漸變的圖案包括復(fù)數(shù)個(gè)三角形、圓形、矩形、或前述之組合。
[0051]在本實(shí)施例中，如第2a圖所示，感測層130包含一電極部131、復(fù)數(shù)絕緣部132、復(fù)數(shù)跨接部133。更具體地，請同時(shí)參考第3圖，第3圖繪示了一種可應(yīng)用于本發(fā)明的電極部的上視圖。電極部131包含復(fù)數(shù)個(gè)排列成列的第一電極131X，復(fù)數(shù)個(gè)排列成行的第二電極131Y，以及連接相鄰的第二電極131Y的復(fù)數(shù)連接部131Z。復(fù)數(shù)跨接部133可用以連接在同一列上且相鄰的第一電極131X。復(fù)數(shù)絕緣部132可設(shè)置于連接部131Z與跨接部133之間，用以電性絕緣連接部131Z和跨接部133。
[0052]需說明的，盡管第I圖與第3圖的第一電極131X等元件的數(shù)量不同，但不難理解，第I圖與第3圖僅為示例，并不用以限定實(shí)際第一電極131X等元件的數(shù)量和樣態(tài)，且第一電極131X和第二電極131Y的形狀亦不限定于圖示中的菱形或三角形形狀。另應(yīng)注意的是，第2a圖所示的感測層130僅為舉例說明之用，在本發(fā)明其他實(shí)施例中也可具有其它圖案及形式的感測層，本發(fā)明的范疇并非以此為限。
[0053]在本實(shí)施例中，觸控裝置100還包含用以電性連接信號引線層150和第一電極131X的導(dǎo)電部140。其中，導(dǎo)電部140可與跨接部133在同一制程步驟中以相同材料形成，即兩者可一體化形成，但兩者亦可采用不同的材料。在另一實(shí)施例中，信號引線層150可直接電性連接第一電極131X。
[0054]信號引線層150位于第一區(qū)域I內(nèi)且設(shè)置于第一遮蔽層120的平整表面上，且與感測層130電性連接，藉由信號引線層150，可將第一電極131X感應(yīng)的電性變化傳送至信號處理器(未繪示)。另外，排列成行的第二電極131Y也可藉由另一信號引線層(未繪出)傳送其感應(yīng)的電信號變化。需說明的是，信號引線層150與導(dǎo)電部140可僅形成于第一遮蔽層120的一側(cè)，即單邊引線的方式。第I圖所示的為雙邊引線方式，連接同一軸向的信號引線層150可通過并聯(lián)的形式連接至信號處理器(圖未示)，當(dāng)觸控裝置尺寸較大時(shí)，通過雙邊引線的方式有利于減輕信號衰減的問題。
[0055]在一實(shí)施例中，第二遮蔽層170可僅位于靠近蓋板110邊緣的第三區(qū)域III內(nèi)。
[0056]在一實(shí)施例中，第二遮蔽層170的設(shè)置范圍可更包括第二區(qū)域II，即第二遮蔽層170位于第二區(qū)域II和第三區(qū)域III內(nèi)。
[0057]在一較佳實(shí)施例中，如第2a圖所示，第二遮蔽層170的設(shè)置范圍更包括第二區(qū)域II與第一區(qū)域I，即第二遮蔽層170可由遮蔽區(qū)M的第一區(qū)域I延伸至第二區(qū)域II及第三區(qū)域III，使得第二遮蔽層170的范圍涵蓋整個(gè)遮蔽區(qū)M。
[0058]第二遮蔽層170位于信號引線層150上且位于遮蔽區(qū)M內(nèi)，可使遮蔽區(qū)M的遮光效果更佳。此外，由于第一遮蔽層120僅設(shè)置于遮蔽區(qū)M的第一區(qū)域I及第二區(qū)域II而未延伸進(jìn)入第三區(qū)域III，因此可避免位于蓋板110的邊緣的第一遮蔽層120，因物理因素而出現(xiàn)的不平整表面影響觸控裝置的良率。
[0059]由于第一遮蔽層120與第二遮蔽層170不同時(shí)形成且兩者材料選擇上存在差異，故當(dāng)兩者采用相同或相近的顏色，不可避免地，還是容易察覺到兩者之間存在色差，本發(fā)明藉由第一遮蔽層120的漸變圖案，使得第一遮蔽層120及第二遮蔽層170之間交界的部分(亦即蓋板110的第二區(qū)域II)具有良好的過渡區(qū)。相對顏色直接過渡存在的突兀感，漸變圖案使得相近顏色之間的過渡存在層次感，盡而可使肉眼不容易察覺到第一遮蔽層120、第二遮蔽層170之間的色差，同時(shí)能達(dá)到較佳的遮蔽效果。[0060]另，當(dāng)?shù)谝徽诒螌?20與第二遮蔽層170采用不相同的顏色時(shí)，將使得觸控裝置100的遮蔽區(qū)M具有復(fù)合顏色和圖案，進(jìn)而可滿足觸控裝置100遮蔽區(qū)M顏色和圖案多樣化的需求。
[0061]以下，將詳述觸控裝置100各組成元件的其它特性。
[0062]蓋板110可采用透明絕緣材料，如玻璃材質(zhì)或PET等塑膠材質(zhì)。蓋板110可為硬質(zhì)基板或可撓式基板。蓋板110可為平面形狀、曲面形狀，或前述之組合，更具體地，蓋板110例如為2.5D玻璃。
[0063]第一遮蔽層120系主要由樹脂、顏料、感光劑和溶劑組成的有色光阻材料，且其粘度可小于150cps,例如介于3cps至50cps,或者介于60cps至IOOcps。在一較佳實(shí)施例中，第一遮蔽層120采用黑色光阻材料,其粘度可介于3cps至50cps。
[0064]電極部131采用透明導(dǎo)電材料,例如為奈米銀絲(Silver Nano-Wire, SNW)、碳奈米管(Carbon nanotube, CNT)、石墨烯(Graphene)以及氧化金屬(ΙΤ0、ΑΖ0…)等。在一實(shí)施例中，電極部131為高溫形成的銦錫氧化物(ITO)層，其形成溫度可介于300°C至350°C，通過高溫形成的銦錫氧化物(ITO)層的透光性較好。
[0065]跨接部133可為銀、鋁等金屬材料、銦錫氧化物(ITO)透明導(dǎo)電材料，或前述之組合。且較佳地，導(dǎo)電部140與跨接部133相同的透明導(dǎo)電材料，例如銦錫氧化物(ITO)等透明導(dǎo)電材料，如此可避免信號引線層150采用金屬等材料時(shí)，直接電性連接感測層130，造成信號引線層150可視的問題。
[0066]絕緣部132采用絕緣材料，例如為光阻，其可利用曝光與顯影制程形成。在一實(shí)施例中，絕緣部132為有機(jī)或無機(jī)的絕緣材料,例如為聚亞酰胺(polyimide)、環(huán)氧樹脂等材料。
[0067]信號引線層150的材料例如為銀、鋁等金屬材料、銦錫氧化物(ITO)等透明導(dǎo)電材料，或前述之組合。較佳地，信號引線層150采用金屬材料，金屬材料具有較佳的導(dǎo)電性。
[0068]在一實(shí)施例中，當(dāng)電極部131采用銦錫氧化物(ITO)材料，其形成溫度可介于300°C至350°C ;跨接部132A亦可采用銦錫氧化物(ITO)材料，其形成溫度可介于20°C至30°C。高溫(可介于30(TC至350°C )形成的銦錫氧化物(ITO)和低溫(可介于20°C至30°C)形成的銦錫氧化物(ITO)，在采用微影蝕刻工藝形成圖案化形狀時(shí)，所用的蝕刻液不同，亦即在形成跨接部133時(shí)，并不會(huì)破壞已形成的電極部131。
[0069]保護(hù)層160可采用透明絕緣材料，例如為光阻或二氧化硅。在一實(shí)施例中，當(dāng)保護(hù)層160采用透明光阻材料時(shí)，其厚度可為1500nm至2000nm。在另一實(shí)施例中，當(dāng)保護(hù)層160采用二氧化娃材料時(shí),其厚度可為IOnm至30nm。保護(hù)層160的材料和厚度可根據(jù)不同產(chǎn)品需求作調(diào)整，并不限定于以上材料及厚度。
[0070]第二遮蔽層170可與第一遮蔽層120具有不同的粘度，且較佳地，第二遮蔽層170采用粘度較高的材料(例如可介于3500cps-12000cps，更具體地，可為4000cps、6000cps或7500cps),以便較好地控制第二遮蔽層170的表面平整度。第二遮蔽層170可為有色油墨材料(例如黑色油墨材料)，其可由顏料、連結(jié)料和助劑所組成，且粘度可達(dá)上萬cps，其可通過印刷方式形成。較佳地，第一遮蔽層120與第二遮蔽層170采用相同或相近的顏色。
[0071] 需說明的是，由于觸控裝置100形成過程中可能存在高溫步驟(如電極部131采用高溫形成的銦錫氧化物、以及形成過程可能存在烘烤等步驟)，且感測層130、信號引線層150等組件通常采用微影蝕刻的工藝形成，因此第一遮蔽層120采用可通過微影蝕刻工藝處理的光阻材料，可確保在形成第二遮蔽層170之前，觸控裝置100可在相同或相近的環(huán)境條件(包括溫度、濕度、真空度等)下進(jìn)行，進(jìn)而可提高效率。
[0072]第5圖顯示在本發(fā)明另一實(shí)施例中的觸控裝置的剖面圖。第5圖與第I圖所示觸控裝置的差別在于，在第5圖中，第二遮蔽層170系直接形成于信號引線層150上，而后再形成保護(hù)層160。更具體地，在本實(shí)施例中，第二遮蔽層170在第三區(qū)域III是設(shè)置在蓋板110的表面上；第二遮蔽層170在第二區(qū)域II是設(shè)置在第一遮蔽層120的平整表面上；第二遮蔽層170在第一區(qū)域I是設(shè)置在信號引線層150上。本實(shí)施例觸控裝置400的其它特性可與前一實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0073]第6圖顯示在本發(fā)明又一實(shí)施例中的觸控裝置的剖面圖。第6圖與第I圖所示觸控裝置100的差別在于感測層530的結(jié)構(gòu)。在第6圖中，在可視區(qū)V中先形成跨接部533及絕緣部532，而后再形成電極部531和導(dǎo)電部540。請復(fù)參考第I圖和第3圖，與第I圖電極部131相似，電極部531包含復(fù)數(shù)個(gè)排列成列的第一電極531X，復(fù)數(shù)個(gè)排列成行的第二電極(圖6未繪示)，以及連接相鄰的第二電極的復(fù)數(shù)連接部531Z。復(fù)數(shù)跨接部533，用以連接相鄰在同一列上的第一電極531X。復(fù)數(shù)絕緣部532，設(shè)置于連接部531Z與跨接部533之間，用以電性絕緣連接部53IZ和跨接部533。
[0074]跨接部533可為銀、鋁等金屬材料、銦錫氧化物(ITO)等透明導(dǎo)電材料，或前述之組合。在一實(shí)施例中，跨接部533為高溫形成的銦錫氧化物(ITO)層，其形成溫度可介于300 °C 至 350 °C。
[0075]感測層 530采用透明導(dǎo)電材料,例如為奈米銀絲(Silver Nano-Wire, SNW)、碳奈米管(Carbon nanotube, CNT)、石墨烯(Graphene)以及氧化金屬(ΙΤ0、ΑΖ0…)等。
[0076]在一實(shí)施例中，當(dāng)跨接部533采用高溫(可介于300至350°C )形成的銦錫氧化物(ITO)材料時(shí)，電極部531可采用低溫(可介于20°C至30°C )形成的銦錫氧化物(ITO)材料。
[0077]相似于第I圖，在此實(shí)施例中，信號引線層550系藉由導(dǎo)電部540與第一電極531X產(chǎn)生電性連接，且較佳地，導(dǎo)電部540與電極部531采用相同的材料(如銦錫氧化物材料)，且兩者同時(shí)形成。
[0078]在信號引線層550上設(shè)置有保護(hù)層560，且在保護(hù)層560上設(shè)置有第二遮蔽層570，且第二遮蔽層570位于遮蔽區(qū)M中。本實(shí)施例觸控裝置500的其它特性可與圖1所繪示的實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0079]此外，不難理解，在另一實(shí)施例中，觸控裝置可具有類似第6圖所示的感測層結(jié)構(gòu)，然而其第二遮蔽層可直接形成于信號引線層上，而后再形成保護(hù)層(類似第5圖的結(jié)構(gòu))。
[0080]第7圖顯示形成本發(fā)明觸控裝置的方法流程圖。第8至12圖則顯示依照第7圖的方法形成觸控裝置的各階段剖面圖或上視圖。參照第7圖，在步驟602中，提供一蓋板，該蓋板具有一可視區(qū)及一位于該可視區(qū)側(cè)邊的遮蔽區(qū)，該遮蔽區(qū)從該可視區(qū)往該蓋板邊緣的方向依序劃分的區(qū)域包括一第一區(qū)域、一第二區(qū)域以及一第三區(qū)域；在步驟604中，形成一第一遮蔽層于該蓋板的表面且位于該第一區(qū)域及該第二區(qū)域內(nèi)，其中該第一遮蔽層具有一平整表面；在步驟606中，形成一信號引線層于該第一區(qū)域內(nèi)且設(shè)置于該第一遮蔽層的該平整表面上；以及在步驟608中，形成一第二遮蔽層于至少靠近該蓋板邊緣的該第三區(qū)域內(nèi)，其中，該第二遮蔽層的粘度大于該第一遮蔽層的粘度。
[0081]在本發(fā)明的觸控裝置的形成方法中，更包括形成一電性連接該信號引線層的感測層，該感測層是形成于該蓋板的表面上且位于該蓋板的該可視區(qū)范圍內(nèi)。以下將結(jié)合第8圖至第12圖進(jìn)行詳述。
[0082]參照第7、8圖，在步驟602中，提供蓋板110，蓋板110具有可視區(qū)V及位于可視區(qū)V側(cè)邊的遮蔽區(qū)M，遮蔽區(qū)M從可視區(qū)往蓋板110邊緣的方向依序劃分的區(qū)域包括第一區(qū)域
1、第二區(qū)域II以及第三區(qū)域III。請復(fù)參考第2b圖，在一實(shí)施例中，遮蔽區(qū)M更進(jìn)一步是圍繞著可視區(qū)V的周邊，遮蔽區(qū)M的第一區(qū)域I是圍繞可視區(qū)I，第二區(qū)域II圍繞第一區(qū)域I，且第三區(qū)域III圍繞第二區(qū)域II。
[0083]蓋板110可采用透明絕緣材料，如玻璃材質(zhì)或PET等塑膠材質(zhì)。蓋板110可為硬質(zhì)基板或可擾式基板。蓋板110可為平面形狀、曲面形狀，或前述之組合，更具體地，在一實(shí)施例中，蓋板HO例如為2.5D玻璃或3D玻璃。
[0084]第二區(qū)域II的寬度可介于1.5mm至3.5mm,第三區(qū)域III的寬度可介于0.25mm至
0.5_。然而，本領(lǐng)域具通常知識者應(yīng)可了解遮蔽區(qū)132的第一區(qū)域1、第二區(qū)域I1、第三區(qū)域III的寬度也可視裝置需要調(diào)整為其它寬度，并非以此為限。另，第一區(qū)域1、第二區(qū)域
I1、第三區(qū)域III亦不限定于圖2所示的形狀。
[0085]參照第3、7、9圖，在步驟602與步驟604之間，可先在可視區(qū)V內(nèi)的蓋板110上形成電極部131，其中，電極部131包含復(fù)數(shù)個(gè)排列成列的第一電極131X，復(fù)數(shù)個(gè)排列成行的第二電極131Y，以及連接相鄰的第二電極131Y的復(fù)數(shù)連接部131Z。電極部131采用透明導(dǎo)電材料，例如為奈米銀絲(Silver Nano-ffire, SNW)、碳奈米管(Carbon nanotube, CNT)、石墨烯(Graphene)以及氧化金屬(ITO、AZ0..)等。電極部131的形成方法例如為全面性的沉積透明導(dǎo)電材料層，而后再利用微影、蝕刻制程將透明導(dǎo)電材料層圖案化，以形成電極部131。上述沉積的方法例如為濺鍍(sputtering)，或其他已知的沉積方法。在一實(shí)施例中，電極部131采用銦錫氧化物(ITO)材料，其形成溫度可介于300至350°C。
[0086]而后，參照第10圖，在步驟604中在遮蔽區(qū)M的第一區(qū)域I及第二區(qū)域II內(nèi)形成第一遮蔽層120，其中，位于第二區(qū)域II內(nèi)的第一遮蔽層120具有漸變圖案(圖中未顯示，請參照第4a至4g圖)。在一些實(shí)施例中，漸變的圖案包括復(fù)數(shù)個(gè)相同或相異的圖形、符號、文字、數(shù)字、或前述之組合。在另一實(shí)施例中，漸變的圖案包括復(fù)數(shù)個(gè)陣列式排列的孔洞。在又一實(shí)施例中，漸變的圖案包括復(fù)數(shù)個(gè)三角形、圓形、矩形、或前述之組合。第一遮蔽層120系主要由樹脂、顏料、感光劑和溶劑組成的有色光阻材料，且其粘度可小于150cps，例如介于3cps至50cps,或者介于60cps于lOOcps。在一較佳實(shí)施例中，第一遮蔽層120采用黑色光阻材料，其粘度可介于3至50cps。形成第一遮蔽層漸變的圖案的方法例如為微影、蝕亥IJ，或者可為任何已知或未來發(fā)展的圖案化方法。
[0087]繼續(xù)參照第11圖，在步驟604與步驟606之間，在電極部131的各連接部131Z上方形成絕緣部132。絕緣部132可采用絕緣材料，例如為光阻，其可利用微影或印刷制程將此絕緣材料圖案化，形成絕緣部132。在一實(shí)施例中，絕緣部132為有機(jī)或無機(jī)的絕緣材料，例如為聚亞酰胺(polyimide)、環(huán)氧樹脂等材料。
[0088]然后，在絕緣部132上形成跨接部133。此外，可同時(shí)在第一遮蔽層120上形成與感測層130電性連接的導(dǎo)電部140。跨接部133可為銀、鋁等金屬材料、銦錫氧化物(ITO)等透明導(dǎo)電材料，或前述之組合。且較佳地，跨接部133與導(dǎo)電部140采用銦錫氧化物(ITO)等透明導(dǎo)電材料，如此可使避免信號引線層150采用金屬等材料時(shí)，直接電性連接電極部131，造成信號引線層150可視的問題。形成跨接部133和導(dǎo)電部140可采用微影與蝕刻制程或者印刷制程。
[0089]在一實(shí)施例中，當(dāng)電極部131采用銦錫氧化物(ITO)材料時(shí)，其形成溫度可介于300°C至350°C ;跨接部132A亦可采用銦錫氧化物(ITO)材料，其形成溫度介于20°C至30°C，但并不以此為限。高溫形成的銦錫氧化物(ITO)和低溫形成的銦錫氧化物(ITO)，在采用微影蝕刻工藝形成圖案化形狀時(shí)，所用的蝕刻液不同，亦即在形成跨接部133和導(dǎo)電部140時(shí)，并不會(huì)破壞已形成的電極部131。至此，感測層130形成，其組成元件前已詳述，故此處不再贅述。
[0090]另不難理解，在另一實(shí)施例中，當(dāng)感測層采用如第6圖所示的結(jié)構(gòu)時(shí)，電極部531可采用銦錫氧化物(ITO)材料，其形成溫度可介于20°C至30°C ;跨接部533亦可采用銦錫氧化物材料，其形成溫度可介于300°C至350°C，且較佳地，導(dǎo)電部540亦采用銦錫氧化物(ITO)材料，其可與電極部531同時(shí)形成。
[0091]參照第11圖，在步驟606中，在第一遮蔽層120上形成信號引線層150，信號引線層150與電極部131可藉由導(dǎo)電部140電性連接。在另一實(shí)施例中，可不形成導(dǎo)電部140，即可直接將信號引線層150與電極部131電性連接。信號引線層150的材料例如為銀、鋁等金屬材料、銦錫氧化物(ITO)等透明導(dǎo)電材料，或前述之組合。較佳地，信號引線層150金屬材料，這些材料具有較佳的導(dǎo)電性。信號引線層150可藉由為影與蝕刻制程或者印刷制程形成。在另一較佳實(shí)施例中，若跨接部133與信號引線層150采用相同材料，如皆為金屬材料，則跨接部133可與信號引線層150在步驟606中同時(shí)完成。
[0092]參照第11圖，在步驟606與步驟608之間，本發(fā)明的觸控裝置的形成方法，更包括在信號引線層150形成之后形成保護(hù)層150。更具體地，參照第11圖，保護(hù)層160的一面在第三區(qū)域III是設(shè)置在蓋板110的表面上，在第二區(qū)域II是設(shè)置在第一遮蔽層120的平整表面上，在第一區(qū)域I是設(shè)置在信號引線層150上，而保護(hù)層160的另一面則用以承載后續(xù)形成的第二遮蔽層170 (如第12圖所示)。保護(hù)層160可采用透明絕緣材料，例如為光阻或二氧化硅。在一實(shí)施例中，當(dāng)保護(hù)層160采用透明光阻材料時(shí)，其厚度可為1500nm至2000nm。在另一實(shí)施例中，當(dāng)保護(hù)層160采用二氧化娃材料時(shí),其厚度可為IOnm至30nm。保護(hù)層160的材料和厚度可根據(jù)不同產(chǎn)品需求作調(diào)整，并不限定于以上材料及厚度。
[0093]參照第12圖，在步驟608中，在位于遮蔽區(qū)M內(nèi)的保護(hù)層160上形成第二遮蔽層170。
[0094]在一實(shí)施例中，第二遮蔽層170可僅位于靠近蓋板110邊緣的第三區(qū)域III內(nèi)。
[0095]在一實(shí)施例中，第二遮蔽層170的設(shè)置范圍可更包括第二區(qū)域II，即第二遮蔽層170位于第二區(qū)域II和第三區(qū)域III內(nèi)。
[0096]在一較佳實(shí)施例中，如第12圖所示，第二遮蔽層170的設(shè)置范圍更包括第二區(qū)域II與第一區(qū)域I，即第二遮蔽層170可由遮蔽區(qū)M的第一區(qū)域I延伸至第二區(qū)域II及第三區(qū)域III，使得第二遮蔽層170的范圍涵蓋整個(gè)遮蔽區(qū)M。
[0097]在上述實(shí)施例中，是在信號引線層150形成之后形成保護(hù)層160，而在保護(hù)層160形成之后再形成第二遮蔽層170。應(yīng)注意的是，在另一實(shí)施例中，如第5圖所繪示，第二遮蔽層170是在信號引線層150形成之后形成，而后再形成保護(hù)層160，在此實(shí)施例中，第二遮蔽層170在第三區(qū)域III是設(shè)置在蓋板110的表面上，而在另一較佳實(shí)施例中，第二遮蔽層170的形成范圍可更包括第二區(qū)域II與第一區(qū)域I，第二遮蔽層170在第二區(qū)域II是設(shè)置在第一遮蔽層120的平整表面上；第二遮蔽層170在第一區(qū)域I是設(shè)置在信號引線層150上。
[0098]在一實(shí)施例中，第二遮蔽層170可與第一遮蔽層120具有不同的粘度，且較佳地，第二遮蔽層170采用粘度較高的材料(例如可介于3500cps-12000cps，更具體地，可為4000cps、6000cps或7500cps)，以便較好地控制第二遮蔽層170的表面平整度。在一較佳的實(shí)施例中，第二遮蔽層170可為有色油墨材料(較佳地如黑色油墨)，其可由顏料、連結(jié)料和助劑所組成，且粘度可達(dá)上萬cps，其可通過印刷方式形成。較佳地，第一遮蔽層120與第二遮蔽層170采用相同或相近的顏色。
[0099]一般而言，在形成觸控裝置的遮蔽層時(shí)，需將光阻涂布至蓋板(例如為玻璃)邊緣。然而，由于光阻液體與玻璃邊緣的物理影響，造成觸控裝置的遮蔽層在基板邊緣容易出現(xiàn)偏薄、偏厚、缺失等不平整的現(xiàn)象。然而，在本發(fā)明一實(shí)施例的觸控裝置中，可利用二次涂布技術(shù)而避免上述問題。在第一次涂布后，可移除遮蔽區(qū)的邊緣的不平整部分(即第一遮蔽層采用內(nèi)縮的設(shè)計(jì))，而留下具平整表面的第一遮蔽層，在平整表面上可形成具有漸變區(qū)域及正常區(qū)域的第一遮蔽層(例如為黑色光阻層)。而后，再利用與第一遮蔽層顏色相近或相同的涂料進(jìn)行第二次涂布，而形成完全覆蓋遮蔽區(qū)或僅覆蓋部分遮蔽區(qū)的第二遮蔽層(例如為黑色油墨層)。藉此，可避免觸控裝置的邊緣會(huì)有偏薄、偏厚、缺失等不平整的現(xiàn)象。應(yīng)注意的是，若僅為重復(fù)涂布顏色相同或相近的涂料，雖然在蓋板的涂布面的顏色一致，但不可避免，肉眼可察覺出色差(類似于常見顏料在不同時(shí)間點(diǎn)涂布，會(huì)出現(xiàn)色差的情況)。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，藉由在第一遮蔽層及第二遮蔽層的交界處的漸變的圖案，可讓第一、第二遮蔽層的顏色交錯(cuò)，使得其色差能夠有良好的過渡，而達(dá)到肉眼不容易分辨的程度。另，當(dāng)?shù)谝徽诒螌优c第二遮蔽層采用不相同的顏色時(shí)，藉由在第一遮蔽層及第二遮蔽層的交界處的漸變的圖案，將使得觸控裝置的遮蔽區(qū)具有復(fù)合顏色和圖案，進(jìn)而可滿足觸控裝置遮蔽區(qū)顏色和圖案多樣化的需求。
[0100]雖然本發(fā)明已以數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控裝置，其特征在于，包括: 一蓋板，具有一可視區(qū)及一位于該可視區(qū)側(cè)邊的遮蔽區(qū)，該遮蔽區(qū)從該可視區(qū)往該蓋板邊緣的方向依序劃分的區(qū)域包括一第一區(qū)域、一第二區(qū)域以及一第三區(qū)域； 一第一遮蔽層，設(shè)置于該蓋板的表面且位于該第一區(qū)域及該第二區(qū)域內(nèi)，其中該第一遮蔽層具有一平整表面； 一信號引線層，位于該第一區(qū)域內(nèi)且設(shè)置于該第一遮蔽層的該平整表面上；以及一第二遮蔽層，至少位于靠近該蓋板邊緣的該第三區(qū)域內(nèi)，其中，該第二遮蔽層的粘度大于該第一遮蔽層的粘度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控裝置，其特征在于，該第一遮蔽層的粘度介于3cps至50cps,該第二遮蔽層的粘度介于3500cps — 12000cps。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控裝置，其特征在于，該第一遮蔽層系一光阻層，該第二遮蔽層系一油墨層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的觸控裝置，其特征在于，該第一遮蔽層與該第二遮蔽層的顏色相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控裝置，其特征在于，該第一遮蔽層與該第二遮蔽層的顏色不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控裝置，其特征在于，該遮蔽區(qū)的該第二區(qū)域的寬度介于1.5mm 至 3.5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控裝置，其特征在于，該遮蔽區(qū)的該第三區(qū)域的寬度介于0.25mm 至 0.5mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控裝置，其特征在于，該遮蔽區(qū)更進(jìn)一步是圍繞著該可視區(qū)的周邊，該遮蔽區(qū)的該第一區(qū)域是圍繞該可視區(qū)，該第二區(qū)域圍繞該第一區(qū)域，且該第三區(qū)域圍繞該第二區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控裝置，其特征在于，該第二遮蔽層的設(shè)置范圍更包括該第二區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控裝置，其特征在于，位于該第二區(qū)域內(nèi)的該第一遮蔽層具有一漸變圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控裝置，其特征在于，該第二遮蔽層的設(shè)置范圍更包括該第二區(qū)域與該第一區(qū)域，其中: 該第二遮蔽層在該第三區(qū)域是設(shè)置在該蓋板的表面上； 該第二遮蔽層在該第二區(qū)域是設(shè)置在該第一遮蔽層的該平整表面上；以及 該第二遮蔽層在該第一區(qū)域是設(shè)置在該信號引線層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控裝置，其特征在于，更包括一保護(hù)層，其中該保護(hù)層的一面在該第三區(qū)域是設(shè)置在該蓋板的表面上，在該第二區(qū)域是設(shè)置在該第一遮蔽層的該平整表面上，在該第一區(qū)域是設(shè)置在該信號引線層上，而該保護(hù)層的另一面則承載該第二遮蔽層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控裝置，其特征在于，更包括一電性連接該信號引線層的感測層，該感測層是設(shè)置于該蓋板的表面上且位于該蓋板的該可視區(qū)范圍內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的觸控裝置，其特征在于，該感測層包含:一電極部，包含復(fù)數(shù)個(gè)排列成列的第一電極、復(fù)數(shù)個(gè)排列成行的第二電極，以及復(fù)數(shù)個(gè)連接相鄰該第二電極的連接部； 復(fù)數(shù)跨接部，用以連接在同一列上且相鄰的該第一電極；以及 復(fù)數(shù)絕緣部，設(shè)置于該連接部與該跨接部之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的觸控裝置，其特征在于，更包含一導(dǎo)電部，該導(dǎo)電部用以電性連接該感測層與該信號引線層。
16.一種觸控裝置的形成方法，其特征在于，包括: 提供一蓋板，該蓋板具有一可視區(qū)及一位于該可視區(qū)側(cè)邊的遮蔽區(qū)，該遮蔽區(qū)從該可視區(qū)往該蓋板邊緣的方向依序劃分的區(qū)域包括一第一區(qū)域、一第二區(qū)域以及一第三區(qū)域；形成一第一遮蔽層于該蓋板的表面且位于該第一區(qū)域及該第二區(qū)域內(nèi)，其中該第一遮蔽層具有一平整表面； 形成一信號引線層于該第一區(qū)域內(nèi)且設(shè)置于該第一遮蔽層的該平整表面上；以及形成一第二遮蔽層于至少靠近該蓋板邊緣的該第三區(qū)域內(nèi)，其中，該第二遮蔽層的粘度大于該第一遮蔽層的粘度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的觸控裝置的形成方法，其特征在于，該第二遮蔽層的形成范圍更包括該第二區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的觸控裝置的形成方法，其特征在于，位于該第二區(qū)域內(nèi)的該第一遮蔽層具有一漸 變圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的觸控裝置的形成方法，其特征在于，該第二遮蔽層是在該信號引線層形成之后形成，而該第二遮蔽層的形成范圍更包括該第二區(qū)域與該第一區(qū)域，其中: 該第二遮蔽層在該第三區(qū)域是形成在該蓋板的表面上； 該第二遮蔽層在該第二區(qū)域是形成在該第一遮蔽層的該平整表面上；以及 該第二遮蔽層在該第一區(qū)域是形成在該信號引線層上。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的觸控裝置的形成方法，其特征在于，更包括在該信號引線層形成之后形成一保護(hù)層，而在該保護(hù)層形成之后形成該第二遮蔽層，其中該保護(hù)層在該第三區(qū)域是形成在該蓋板的表面上，在該第二區(qū)域是形成在該第一遮蔽層的該平整表面上，在該第一區(qū)域是形成在該信號引線層上。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的觸控裝置的形成方法，其特征在于，更包括形成一電性連接該信號引線層的感測層，該感測層是形成于該蓋板的表面上且位于該蓋板的該可視區(qū)范圍內(nèi)。
【文檔編號】G06F3/041GK103995609SQ201310051706
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2013年2月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月17日
【發(fā)明者】李裕文, 阮克銘, 紀(jì)賀勛, 林奉銘, 許賢斌, 唐傳代 申請人:宸鴻科技(廈門)有限公司