專(zhuān)利名稱(chēng):電子產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及電子產(chǎn)品,尤其涉及包含觸發(fā)器的電子產(chǎn)品。
背景技術(shù):
一般而言,除了普通的用戶(hù)工作模式之外,電子產(chǎn)品還會(huì)設(shè)計(jì)一個(gè)測(cè)試模式,用于研發(fā)階段的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試和出廠前的工廠測(cè)試,這個(gè)模式由于涉及到很多的電路內(nèi)部的原理和特性參數(shù),是需要受到保護(hù)的,因此需要對(duì)用戶(hù)保密。各個(gè)電子產(chǎn)品制造商也會(huì)有自己的一套方法進(jìn)入工廠測(cè)試模式?!つ壳埃话悴捎密浖男问?,S卩,通過(guò)一個(gè)口令或調(diào)入一段程序,強(qiáng)制產(chǎn)品進(jìn)入測(cè)試模式,而這些口令和程序是對(duì)外保密的。對(duì)于研發(fā)人員,特別是硬件開(kāi)發(fā)人員,要記住這些復(fù)雜的口令實(shí)在是一件浪費(fèi)腦力且無(wú)效的事情。對(duì)于工廠測(cè)試,無(wú)疑又增加了測(cè)試時(shí)間,產(chǎn)生了更多的測(cè)試成本。如果輸錯(cuò)命令,還有可能影響模塊的當(dāng)前工作狀態(tài)。
實(shí)用新型內(nèi)容為了克服前述現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題,提出了本實(shí)用新型。本實(shí)用新型提供了一種電子產(chǎn)品,包括外部引腳和處理器,其特征在于,還包括測(cè)試模式啟動(dòng)電路,該測(cè)試模式啟動(dòng)電路的輸入端連接到所述外部引腳且輸出端連接到所述處理器,其中在該電子產(chǎn)品的上電初始階段期間,所述輸入端通過(guò)所述外部引腳接收外部電壓,當(dāng)該外部電壓使得所述輸出端的輸出滿(mǎn)足預(yù)定條件時(shí),所述處理器驅(qū)使該電子產(chǎn)品進(jìn)入測(cè)試模式。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于-研發(fā)人員不需要記住復(fù)雜的口令就可以對(duì)電子產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試,操作失誤也不會(huì)產(chǎn)生不良影響;-對(duì)于工廠測(cè)試而言,節(jié)省了測(cè)試時(shí)間,從而降低了測(cè)試成本;-電路簡(jiǎn)單,成本很低;-隱蔽性更強(qiáng),這是因?yàn)殡娮赢a(chǎn)品一般都有幾個(gè)外部連接器,每個(gè)外部連接器上都有很多引腳,所以用戶(hù)很難揭秘如何進(jìn)入測(cè)試模式。
圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的電子產(chǎn)品的示意性框圖。圖2示出了圖1中所示的測(cè)試模式啟動(dòng)電路的一個(gè)實(shí)例。圖3示出了圖1中所示的測(cè)試模式啟動(dòng)電路的另一個(gè)實(shí)例。圖4示出了圖3所示的反相施密特觸發(fā)器的一個(gè)示例性電路。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖更詳細(xì)地描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案。附圖和以下的描述僅僅是為了充分公開(kāi)本實(shí)用新型,而不應(yīng)當(dāng)理解為是對(duì)本實(shí)用新型的限制。本實(shí)用新型的保護(hù)范圍由所附權(quán)利要求書(shū)限定。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子產(chǎn)品100的示意性框圖。如圖1所示,該電子產(chǎn)品100包括處理器110、測(cè)試模式啟動(dòng)電路120以及外部引腳Pin。處理器110可以是微處理器或者微控制器單元(MCU)。測(cè)試模式啟動(dòng)電路120的輸入端連接到外部引腳Pin且輸出端連接到處理器110。外部引腳Pin可以選擇為在上電初始階段不參與電子產(chǎn)品100的工作的、電子產(chǎn)品100的任何外部連接器上的任何一個(gè)引腳;除了上電初始階段的其它時(shí)間段,該引腳Pin可以參與電子產(chǎn)品100的任何工作。上電初始階段為從為電子產(chǎn)品上電開(kāi)始到電子產(chǎn)品進(jìn)入測(cè)試模式或者用戶(hù)工作模式之前的那段時(shí)間。對(duì)于包含了測(cè)試模式啟動(dòng)電路120的電子產(chǎn)品100,如果在上電初始階段期間,外部引腳Pin被施加電壓,當(dāng)該電壓使得測(cè)試模式啟動(dòng)電路120的輸出端的輸出滿(mǎn)足預(yù)定條件時(shí),處理器110就驅(qū)使該電子產(chǎn)品100進(jìn)入測(cè)試模式。圖2示出了圖1中的測(cè)試模式啟動(dòng)電路120的一個(gè)實(shí)例。圖2所示的測(cè)試模式啟動(dòng)電路120的例子為施密特觸發(fā)器220 (以下簡(jiǎn)稱(chēng)為觸發(fā)器220),觸發(fā)器220的輸入端Vin可以連接到電子產(chǎn)品100的外部引腳Pin,輸出端Vout可以連接到處理器110。對(duì)于包含了觸發(fā)器220的電子產(chǎn)品100,可以在處理器110中預(yù)先設(shè)定只有在上電初始階段期間檢測(cè)到觸發(fā)器220的輸出從低電平(即,邏輯“O”)變成高電平(即,邏輯“I”)時(shí)或者檢測(cè)到觸發(fā)器220的輸出為邏輯“I”時(shí),才驅(qū)使該電子產(chǎn)品100進(jìn)入測(cè)試模式。如果在電子產(chǎn)品100的上電初始階段期間,向所述外部引腳Pin施加于大于觸發(fā)器220的閾值電壓的電壓,則觸發(fā)器220的輸出由邏輯“O”變成邏輯“1”,于是,根據(jù)預(yù)先設(shè)定的條件,處理器110驅(qū)使電子產(chǎn)品100進(jìn)入測(cè)試模式。在上電初始階段期間施加于引腳Pin的電壓小于觸發(fā)器220的閾值電壓時(shí),觸發(fā)器220的輸出保持邏輯“O”不變,因此預(yù)先設(shè)定的條件未滿(mǎn)足,則處理器110忽略此次操作(向引腳Pin施加電壓的操作)并且驅(qū)使電子產(chǎn)品100直接進(jìn)入用戶(hù)工作模式。而如果不是在上電初始階段期間向外部引腳Pin施加電壓,則無(wú)論所施加電壓的大小如何,處理器110都不會(huì)驅(qū)使電子產(chǎn)品100進(jìn)入測(cè)試模式。此外,如果向不是連接到觸發(fā)器220的引腳Pin的另外的引腳施加電壓,處理器110也不會(huì)驅(qū)使電子產(chǎn)品100進(jìn)入測(cè)試模式。圖3示出了圖1中的測(cè)試模式啟動(dòng)電路120的另一個(gè)實(shí)例。圖2所示的測(cè)試模式啟動(dòng)電路120的另一個(gè)實(shí)例為反相施密特觸發(fā)器320 (以下簡(jiǎn)稱(chēng)為觸發(fā)器320),觸發(fā)器320的輸入端Vin可以連接到電子產(chǎn)品100的外部引腳Pin,輸出端Vout可以連接到處理器 110。可以在處理器110中預(yù)先設(shè)定只有在上電初始階段期間檢測(cè)到觸發(fā)器320的輸出從高電平(即,邏輯“ I ”)變成低電平(即,邏輯“O”)時(shí)或者檢測(cè)到觸發(fā)器320的輸出為邏輯“O”時(shí),才驅(qū)使該電子產(chǎn)品100進(jìn)入測(cè)試模式。如果在電子產(chǎn)品100的上電初始階段期間,向所述外部引腳Pin施加于大于觸發(fā)器320的閾值電壓的電壓,觸發(fā)器320的輸出由邏輯“ I ”變成邏輯“0”,于是,根據(jù)預(yù)先設(shè)定的條件,處理器110驅(qū)使電子產(chǎn)品100進(jìn)入測(cè)試模式。在上電初始階段期間施加于引腳Pin的電壓小于觸發(fā)器320的閾值電壓時(shí),觸發(fā)器320的輸出保持邏輯“I”不變,因此預(yù)先設(shè)定的條件未滿(mǎn)足,則處理器110忽略此次操作(向引腳Pin施加電壓的操作)并且驅(qū)使電子產(chǎn)品100直接進(jìn)入用戶(hù)工作模式。而如果不是在上電初始階段期間向外部引腳Pin施加電壓,則無(wú)論所施加電壓的大小如何,處理器110都不會(huì)驅(qū)使電子產(chǎn)品100進(jìn)入測(cè)試模式。此外,如果向不是連接到觸發(fā)器320的引腳Pin的另外的引腳施加電壓,處理器110也不會(huì)驅(qū)使電子產(chǎn)品100進(jìn)入測(cè)試模式。圖4示出了觸發(fā)器320的一個(gè)示例性電路。圖4所示的觸發(fā)器320包括第一電阻器R1、第二電阻器R2、第三電阻器R3、第一二極管D1、第二二極管D2以及pnp晶體管T,第一電阻器Rl的一端連接到輸入端Vin且另一端連接到第一二極管Dl的正極,第一二極管Dl的負(fù)極連接到第二電阻器R2的一端和第二二極管D2的負(fù)極,第二電阻器R2的另一端接地,第二二極管D2的正極連接到晶體管T的基極,晶體管T的發(fā)射極接收參考電壓Vref、集電極連接到第三電阻器R3的一端和輸出端Vout,且第三電阻器R3的另一端接地。在一個(gè)例子中,Rl為75kQ、R2為200k Ω、R3為IOkQ。在這種情況下,例如,施加Vref = 5V的參考電壓,考慮二極管Dl、D2的壓降且晶體管T的發(fā)射極和基極之間的壓降均為O. 5v,則觸發(fā)器320的閾值電壓為6V。當(dāng)Vin上施加了大于6V的電壓時(shí),Vout上的電壓就從高電·平變?yōu)榈碗娖?邏輯“O”)。根據(jù)預(yù)先設(shè)定的條件,處理器110驅(qū)使電子產(chǎn)品100進(jìn)入測(cè)試模式。盡管在上面參考圖4描述了反相施密特觸發(fā)器320的一個(gè)示例性電路以及用于該示例性電路的示例性參數(shù),但是應(yīng)當(dāng)理解,本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)實(shí)際需要構(gòu)造施密特觸發(fā)器220和反相施密特觸發(fā)器320的其它各種具體電路以及選擇相應(yīng)的參數(shù)。所述電子產(chǎn)品100包括但不限于移動(dòng)電話、照相機(jī)、平板電腦、多媒體播放器、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)等。盡管用上面的實(shí)施例具體描述了本實(shí)用新型,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,在本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi),可以對(duì)上述實(shí)施例和實(shí)例做出各種更改和變化,這些更改和變化都落入由所附權(quán)利要求書(shū)限定的本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電子產(chǎn)品,包括外部引腳和處理器,其特征在于,還包括測(cè)試模式啟動(dòng)電路, 該測(cè)試模式啟動(dòng)電路的輸入端連接到所述外部引腳且輸出端連接到所述處理器,其中在該電子產(chǎn)品的上電初始階段期間,所述輸入端通過(guò)所述外部引腳接收外部電壓,當(dāng)該外部電壓使得所述輸出端的輸出滿(mǎn)足預(yù)定條件時(shí),所述處理器驅(qū)使該電子產(chǎn)品進(jìn)入測(cè)試模式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電子產(chǎn)品,所述外部引腳是在上電初始階段不參與所述電子產(chǎn)品的工作的、所述電子產(chǎn)品的任何外部連接器上的任何一個(gè)引腳,并且除了上電初始階段的其它時(shí)間段,該引腳能夠參與所述電子產(chǎn)品的任何工作。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的電子產(chǎn)品,其中所述測(cè)試模式啟動(dòng)電路是施密特觸發(fā)器,該施密特觸發(fā)器的輸入端連接到所述外部引腳且輸出端連接到所述處理器,所述預(yù)定條件為該施密特觸發(fā)器的輸出從低電平變到高電平或者為高電平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的電子產(chǎn)品,其中所述測(cè)試模式啟動(dòng)電路是反相施密特觸發(fā)器, 該反相施密特觸發(fā)器的輸入端連接到所述外部引腳且輸出端連接到所述處理器,所述預(yù)定條件為該反相施密特觸發(fā)器的輸出從高電平變到低電平或者為低電平。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的電子產(chǎn)品,其中所述反相施密特觸發(fā)器包括第一電阻器、第二電阻器、第三電阻器、第一二極管、第二二極管以及pnp晶體管,其中第一電阻器的一端連接到作為該反相施密特觸發(fā)器的輸入端且另一端連接到第一二極管的正極,第一二極管的負(fù)極連接到第二電阻器的一端和第二二極管的負(fù)極,第二電阻器的另一端接地,第二二極管的正極連接到所述pnp晶體管的基極,所述pnp晶體管的發(fā)射極接收參考電壓、集電極連接到第三電阻器的一端并且作為該反相施密特觸發(fā)器的輸出端,第三電阻器的另一端接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的電子產(chǎn)品,其中所述第一電阻器的電阻為75kQ、第二電阻器的電阻為200k Ω且第三電阻器的電阻為IOkQ。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2的電子產(chǎn)品,其中該電子產(chǎn)品為移動(dòng)電話、照相機(jī)、平板電腦、多媒體播放器或者個(gè)人數(shù)字助理。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種電子產(chǎn)品,包括外部引腳和處理器,其特征在于,還包括測(cè)試模式啟動(dòng)電路,該測(cè)試模式啟動(dòng)電路的輸入端連接到所述外部引腳且輸出端連接到所述處理器,其中在該電子產(chǎn)品的上電初始階段期間,所述輸入端通過(guò)所述外部引腳接收外部電壓,當(dāng)該外部電壓使得所述輸出端的輸出滿(mǎn)足預(yù)定條件時(shí),所述處理器驅(qū)使該電子產(chǎn)品進(jìn)入測(cè)試模式。
文檔編號(hào)G06F21/12GK202854812SQ201220602438
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月15日
發(fā)明者劉艷麗, 魏建將 申請(qǐng)人:大陸汽車(chē)投資(上海)有限公司