專(zhuān)利名稱(chēng)：一種具有柔性透明導(dǎo)電薄膜的電容觸摸屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本技術(shù)涉及電容型觸摸屏，具體地說(shuō)，是一種柔性透明電容型觸摸屏。
背景技術(shù)：
常規(guī)的電容型觸摸屏是在透明導(dǎo)電玻璃兩側(cè)涂敷有ITO薄膜層(鍍膜導(dǎo)電玻璃)，ITO薄膜層作為工作面，四個(gè)角上引出電極，內(nèi)層ITO為屏蔽層以保證良好的工作環(huán)境。當(dāng)手指觸摸在觸控屏表面上時(shí)，由于人體電場(chǎng)和導(dǎo)電玻璃表面ITO薄膜層形成以一個(gè)耦合電容，對(duì)于高頻電流來(lái)說(shuō)，電容是直接導(dǎo)體，于是手指從接觸點(diǎn)吸走一個(gè)很小的電流。這個(gè)電流分別從觸控屏四角上的電極中流出，并且流經(jīng)這四個(gè)電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過(guò)對(duì)這四個(gè)電流比例的精確計(jì)算，得出觸摸點(diǎn)的位置信息。常規(guī)的電阻型觸摸屏是由透明導(dǎo)電薄膜和透明導(dǎo)電玻璃(或透明導(dǎo)電薄膜)以導(dǎo)·電膜面相對(duì)，中間以圓柱形的間隔支撐。在透明導(dǎo)電薄膜上用手或筆等施加壓力使導(dǎo)電膜相接觸。在導(dǎo)電膜上施加電壓，通過(guò)控制電路判斷出這個(gè)接觸點(diǎn)的位置。這種電阻型觸摸屏因?yàn)橹圃旆绞降暮?jiǎn)易性，價(jià)格的適當(dāng)性，接觸點(diǎn)判斷的準(zhǔn)確性等的優(yōu)點(diǎn)，比起光學(xué)方式或超音波方式，這種觸摸屏應(yīng)用廣泛。缺點(diǎn)是不能同時(shí)感受到多接觸點(diǎn)的判斷，不能感受手指移動(dòng)方式。常規(guī)的電容型觸摸屏較電阻型觸摸屏觸點(diǎn)敏感，但因?yàn)橹谱骰臑橥该鲗?dǎo)電玻璃板，其厚度、重量均受玻璃基材所限。玻璃基材太薄，強(qiáng)度受到影響，受到外界壓力、或彎曲時(shí)觸摸屏易碎、或破損。同時(shí)因?yàn)殪o電感應(yīng)的特殊要求，通常要求增加兩側(cè)透明ITO薄膜層厚度，降低電阻值低。由此而影響到其透光性能，造成色度b*偏高，全光線(xiàn)透光率偏低。作為一透明導(dǎo)電薄膜的制造方式，在透明的薄膜基材上使用物理方式沉積氧化錫銦(ΙΤ0)。但是這種透明導(dǎo)電薄膜上氧化錫銦薄膜的附著耐久性很差，在高溫處理后的表面電阻有很大的變化。
發(fā)明內(nèi)容本技術(shù)的目的在是針對(duì)玻璃型電容觸摸屏厚度厚、重量過(guò)重、透光率、不能卷曲的問(wèn)題，提供一種柔性可卷曲、厚度薄、重量輕、表面電阻小、高透光、低色度的電容型觸摸屏。本技術(shù)的具有柔性導(dǎo)電薄膜的電容型觸摸屏，包括柔性透明薄膜基材I ;在柔性透明薄膜基材I上表面上依次層疊有第一 Nb2O5薄膜層2、第一 Nb2Ox (0〈x〈5)薄膜層3、第一 SiO2薄膜層4、第一 SiOx (0<x<2)薄膜層5、第一 ITO薄膜層6 ;在柔性透明薄膜基材I下表面上有第二 ITO薄膜層7。上述的電容型觸摸屏，它還包括位于柔性透明薄膜基材I上表面與Nb2O5薄膜層2之間的第一樹(shù)脂薄膜層8，位于柔性透明薄膜基材I下表面與第二 ITO薄膜層7之間的第二樹(shù)脂薄膜層9。第一樹(shù)脂薄膜層8或第二樹(shù)脂薄膜層9能夠使得膜層的附著性能增加。第一樹(shù)脂薄膜層8或第二樹(shù)脂薄膜層9可以是丙烯酸樹(shù)脂薄膜層。[0010]上述的電容型觸摸屏，它還包括柔性透明薄膜基材I下表面與第二 ITO薄膜層7之間的依次層疊的第二 Nb2O5薄膜層12、第二 Nb2Ox (0<x<5)薄膜層13、第二 SiO2薄膜層14、第二 SiOx (0〈x〈2)薄膜層 15。上述的電容型觸摸屏，柔性透明薄膜基材I為PET薄膜基材。上述的電容型觸摸屏，柔性透明薄膜基材I厚度為5 -250 。柔性透明薄膜基材的厚度未滿(mǎn)5 的時(shí)候，在柔性透明薄膜基材上依靠物理沉積覆膜的時(shí)候，基膜如同皺紋紙一樣加工很難制成的，厚度超過(guò)250 的時(shí)候，基膜非常硬，不適合觸摸屏的特性。上述的電容型觸摸屏，第一 SiO2薄膜層4厚度為O. 5nm-150nm。當(dāng)?shù)谝?SiO2薄膜厚度低于5nm時(shí)，則達(dá)不到防劃耐磨、阻斷水分滲透的目的。厚度超過(guò)200nm時(shí)將使得透明性能降低。第一 SiO2薄膜層增加了第一 ITO薄膜層的附著力，同時(shí)阻斷了柔性透明薄膜基材的水分的滲透。即使在高溫處理的環(huán)境下，也使得第一 ITO薄膜層的表面電阻變化減小?！ど鲜龅碾娙菪陀|摸屏，第一 SiOx (0<x<2)薄膜層5厚度為O. 5nm_150nm。上述的電容型觸摸屏，第一 Nb2O5薄膜層2厚度為O. 5nm-150nm。上述的電容型觸摸屏，第一 Nb2Ox (0〈x〈5)薄膜層3厚度為O. 5nm_150nm。本技術(shù)的有益效果一、輕薄。由于柔性透明薄膜基材與玻璃基板相比具有韌性大、比重小的特點(diǎn)，本技術(shù)采用柔性透明薄膜作為基材，與玻璃型電容觸摸屏相比，厚度更薄、重量輕。二、柔軟。由于基材采用柔性透明薄膜，柔軟，可卷曲，可應(yīng)用于柔性顯示器件，如電子紙等。三、由于增加了 Nb205、Si02及其非完全氧化物薄膜層組合，減少了光線(xiàn)的反射。相對(duì)沒(méi)有這種多層薄膜結(jié)構(gòu)的觸摸屏，本技術(shù)的觸摸屏具有相對(duì)高的全光線(xiàn)透過(guò)率。四、同時(shí)由于Nb205、SiO2及其非完全氧化物薄膜層組合，更加有利于增寬透過(guò)光譜的范圍，全光線(xiàn)透過(guò)率增加，有助于降低色度值b*。本技術(shù)相對(duì)沒(méi)有Nb205、Si02及其非完全氧化物薄膜組合的觸摸屏而言，其電阻值相同的情況下，色度b*小，全光線(xiàn)透光率更聞。

圖I是多層薄膜結(jié)構(gòu)的觸摸屏示意圖。圖2是含硬化表面柔性透明導(dǎo)電薄膜電容型觸摸屏示意圖。圖3是雙面鍍膜柔性透明導(dǎo)電薄膜電容型觸摸屏示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例I :參見(jiàn)圖2所示，I、在厚度是188 的PET薄膜基材I的兩面，將丙烯酸樹(shù)脂使用濕式印刷的方法覆膜。覆膜后采用熱風(fēng)干燥，用紫外線(xiàn)方式硬化，在PET薄膜基材兩面分別形成厚度約5的第一樹(shù)脂薄膜層8或第二樹(shù)脂薄膜層9。2、在第一樹(shù)脂薄膜層8表面，使用反應(yīng)磁控濺射鍍膜的方式形成厚度5nm的第一Nb2O5薄膜層2。接著，在第一 Nb2O5薄膜層2上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射鍍膜的方法形成15nm的第一 Nb2Ox (0〈x〈5)薄膜層3 ;同樣使用反應(yīng)磁控濺射鍍膜的方法，在第一 Nb2Ox (0<x<5)薄膜層3形成厚度70nm的第一 SiO2薄膜層4,在第一 SiO2薄膜層4上形成20nm厚的第一SiOx (0〈x〈2)薄膜層5。最后在第一 SiOx (0〈x〈2)薄膜層5上使用同樣方法形成厚度25nm的第一 ITO薄膜層6，在第二樹(shù)脂薄膜層9使用同樣方法形成的第二 ITO薄膜層7。實(shí)施例2 實(shí)施例2與實(shí)施例I不同之處在于第一 Nb2O5薄膜層2、第一 Nb2Ox (0<x<5)薄膜層3、第一 SiO2薄膜層4、第一 SiOx (0〈x〈2)薄膜層5、第一 ITO薄膜層6的厚度分別為10nm、10nm、80nm、30nm、30nmo實(shí)施例3: 實(shí)施例3與實(shí)施例I不同之處在于第一 Nb2O5薄膜層2、第一 Nb2Ox (0<x<5)薄膜層3、第一 SiO2薄膜層4、第一 SiOx (0〈x〈2)薄膜層5、第一 ITO薄膜層6的厚度分別為15nm、5nm、60nm、20nm、30nmo實(shí)施例4 實(shí)施例4與實(shí)施例I不同之處在于第一 Nb2O5薄膜層2、第一 Nb2Ox (0<x<5)薄膜層3、第一 SiO2薄膜層4、第一 SiOx (0〈x〈2)薄膜層5、第一 ITO薄膜層6的厚度分別為10nm、10nm、90nm、30nm、30nmo實(shí)施例5:參見(jiàn)圖I所示的一種具有柔性導(dǎo)電薄膜的電容型觸摸屏，在柔性透明薄膜基材I上表面上依次層疊有第一 Nb2O5薄膜層2、第一 Nb2Ox (0<x<5)薄膜層3、第一 SiO2薄膜層
4、第一 SiOx (0〈x〈2)薄膜層5、第一 ITO薄膜層6 ;在柔性透明薄膜基材I下表面上有第二ITO薄膜層7。實(shí)施例6:參見(jiàn)圖3所示，I、在厚度是25 的PET薄膜基材I的兩面，將丙烯酸樹(shù)脂使用濕式印刷的方法覆膜。覆膜后采用熱風(fēng)干燥，用紫外線(xiàn)方式硬化，在PET薄膜基材兩面分別形成厚度約5 的第一樹(shù)脂薄膜層8或第二樹(shù)脂薄膜層9。2、在第一樹(shù)脂薄膜層8表面，使用反應(yīng)磁控濺射鍍膜的方式形成厚度5nm的第一Nb2O5薄膜層2。接著，在第一 Nb2O5薄膜層2上通過(guò)反應(yīng)磁控濺射鍍膜的方法形成15nm的第一 Nb2Ox (0〈x〈5)薄膜層3 ;同樣使用反應(yīng)磁控濺射鍍膜的方法，在第一 Nb2Ox (0<x<5)薄膜層3形成厚度70nm的第一 SiO2薄膜層4,在第一 SiO2薄膜層4上形成20nm厚的第一SiOx (0〈x〈2)薄膜層5。最后在第一 SiOx (0〈x〈2)薄膜層5上使用同樣方法形成厚度25nm的第一 ITO薄膜層6。3、在第二樹(shù)脂薄膜層9上使用反應(yīng)磁控濺射鍍膜的方法，依次形成IOnm厚的第二Nb2O5薄膜層12、IOnm厚的第二 Nb2Ox (0〈x〈5)薄膜層13、90nm厚的第二 SiO2薄膜層14、30nm厚的第二 SiOx (0〈x〈2)薄膜層15、30nm厚的第二 ITO薄膜層7。利用反應(yīng)磁控濺射方式形成Nb2Ox薄膜層、Nb2O5薄膜層；其中Nb2Ox中X值在0-5之間，其折射率在2. 2至2. 6之間。SiO2薄膜層與ITO薄膜層之間增加一層Si非完全氧化物層，即SiOx (0<x<2)薄膜層。利用反應(yīng)磁控濺射工藝，改變沉積SiOx薄膜層氧化程度，獲得折射率從2. 74逐漸變化到I. 58 ( λ =1550nm)的SiOx漸變折射率薄膜材料，更有助于提高光線(xiàn)的透光性能。SiOx薄膜厚度在O. 5nm到150nm,其厚度未滿(mǎn)O. 5 nm時(shí),很難形成連續(xù)性的薄膜，超過(guò)150nm的話(huà)，將造成薄膜光線(xiàn)透光性降低。對(duì)實(shí)施例1-4進(jìn)行測(cè)試通過(guò)Minolta CM-3600D光學(xué)分析測(cè)量裝置，測(cè)定全光線(xiàn)透光率Tr和色度b*。使用4點(diǎn)探針?lè)治鲅b置，測(cè)定常溫下的表面電阻值；各在150°C、I個(gè)小時(shí)熱處理之后的表面電阻。結(jié)果見(jiàn)表I。本技術(shù)提供了一種柔性透明電容型觸摸屏。這種柔性透明電容型觸摸屏除了厚度薄、重量輕外，b*值性能更加優(yōu)越，全光線(xiàn)透光率更高，除應(yīng)用于手機(jī)、游戲機(jī)、導(dǎo)航儀、掌上機(jī)等，可適用于柔性顯示器，比如電子紙等。表I
權(quán)利要求1.一種具有柔性透明導(dǎo)電薄膜的電容觸摸屏，其特征在于，包括柔性透明薄膜基材(I);在柔性透明薄膜基材(I)上表面上依次層疊有第一 Nb2O5薄膜層(2)、第一 Nb2Ox(0〈x〈5)薄膜層(3)、第一 SiO2薄膜層(4)、第一 SiOx (0〈x〈2)薄膜層(5)、第一 ITO薄膜層(6);在柔性透明薄膜基材(I)下表面上有第二 ITO薄膜層(7)。
2.如權(quán)利要求I所述的電容觸摸屏，其特征在于，它還包括位于柔性透明薄膜基材(I)上表面與Nb2O5薄膜層(2)之間的第一樹(shù)脂薄膜層(8)，位于柔性透明薄膜基材(I)下表面與第二 ITO薄膜層(7)之間的第二樹(shù)脂薄膜層(9)。
3.如權(quán)利要求I所述的電容觸摸屏，其特征在于，它還包括柔性透明薄膜基材(I)下表面與第二 ITO薄膜層(7)之間的依次層疊的第二 Nb2O5薄膜層(12)、第二 Nb2Ox (0〈x〈5)薄膜層(13)、第二 SiO2 薄膜層(14)、第二 SiOx (0<x<2)薄膜層(15)。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的電容觸摸屏，其特征在于，柔性透明薄膜基材(I)為PET薄膜基材。
5.如權(quán)利要求1、2或3所述的電容觸摸屏，其特征在于，柔性透明薄膜基材(I)厚度為5 μ m-250 μ m。
6.如權(quán)利要求1、2或3所述的電容觸摸屏，其特征在于，第一SiO2薄膜層(4)厚度為O.5nm_150nmo
7.如權(quán)利要求1、2或3所述的電容觸摸屏，其特征在于，第一Si0x(0〈x〈2)薄膜層(5)厚度為 O. 5nm_150nm。
8.如權(quán)利要求1、2或3所述的電容觸摸屏，其特征在于，第一Nb2O5薄膜層(2)厚度為O.5nm_150nmo
9.如權(quán)利要求1、2或3所述的電容觸摸屏，其特征在于，第一Nb2Ox (0〈x〈5)薄膜層(3)厚度為 O. 5nm_150nm。
專(zhuān)利摘要本技術(shù)提供一種柔性可卷曲、厚度薄、重量輕、表面電阻小、高透光、低色度的具有柔性透明導(dǎo)電薄膜的電容觸摸屏，它包括柔性透明薄膜基材；在柔性透明薄膜基材上表面上依次層疊有第一Nb2O5薄膜層、第一Nb2Ox(0<x<5)薄膜層、第一SiO2薄膜層、第一SiOx(0<x<2)薄膜層、第一ITO薄膜層；在柔性透明薄膜基材下表面上有第二ITO薄膜層。
文檔編號(hào)G06F3/044GK202795320SQ20122040399
公開(kāi)日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月15日
發(fā)明者王魯南, 王建華, 竇立峰 申請(qǐng)人:南京匯金錦元光電材料有限公司