專(zhuān)利名稱(chēng)：一種內(nèi)存電壓控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種內(nèi)存電壓控制電路。
背景技術(shù)：
MOS 管，即金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor, M0SFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET 依照其“通道”的極性不同，可分為 n-type 與 p-type的 M0SFET，通常又稱(chēng)為 NM0SFET 與 PM0SFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS FET,PMOS FET、nM0SFET、pMOSFET 等。脈沖寬度調(diào)制(PWM)，是英文“Pulse Width Modulation”的縮寫(xiě)，簡(jiǎn)稱(chēng)脈寬調(diào)制， 是利用微處理器的數(shù)字輸出來(lái)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)，廣泛應(yīng)用在從測(cè)量、通信到功率控制與變換的許多領(lǐng)域中。內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱(chēng)為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來(lái)，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行，如何實(shí)現(xiàn)內(nèi)存成本更低，性?xún)r(jià)比更高的運(yùn)行，人們一直在尋找更經(jīng)濟(jì)的電路。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決以上的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種內(nèi)存電壓控制電路。本實(shí)用新型公開(kāi)了一種內(nèi)存電壓控制電路，包括與內(nèi)存相連的開(kāi)關(guān)電路，與所述開(kāi)關(guān)電路相連的限流電路，所述的限流電路包括兩個(gè)串接在一起的組合MOS管，所述的組合MOS管柵極外接所述的開(kāi)關(guān)電路，源極串接后輸出所述內(nèi)存需要的電壓。在本實(shí)用新型所述的內(nèi)存電壓控制電路中，所述的開(kāi)關(guān)電路為PWM橋式開(kāi)關(guān)電路。在本實(shí)用新型所述的內(nèi)存電壓控制電路中，所述的開(kāi)關(guān)電路與所述的組合MOS管柵極間具有限流電阻。在本實(shí)用新型所述的內(nèi)存電壓控制電路中，所述的限流電路電路還包括濾波電路，與所述的源極相連接。實(shí)施本實(shí)用新型的內(nèi)存電壓控制電路，具有以下有益的技術(shù)效果電路更簡(jiǎn)約，成本更低。

圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例一種內(nèi)存電壓控制電路模塊方框圖。圖2為圖I中限流電路的電路圖。
具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。目前市面上顯卡上memory電壓主要通過(guò)開(kāi)關(guān)PWM IC配合High/Lower SideMOS(俗稱(chēng)上橋/下橋)來(lái)實(shí)現(xiàn)，由于目前的H/L side單獨(dú)的MOS來(lái)配合的話(huà)，可以承受50安培的電流，但是目前普通的顯卡的memory需求的電流不會(huì)超過(guò)20安培，顯得有些浪費(fèi)和奢侈。請(qǐng)參閱圖1，一種內(nèi)存電壓控制電路，包括內(nèi)存10、開(kāi)關(guān)電路20、限流電路30。內(nèi)存10、開(kāi)關(guān)電路20、限流電路30依次相連。限流電路30的具體電路，請(qǐng)參閱圖2，限流電路30包括兩個(gè)串接在一起的組合MOS管，組合MOS管柵極3及柵極8外接所述的開(kāi)關(guān)電路，源極串接后輸出所述內(nèi)存需要的·電壓。本實(shí)用新型中，開(kāi)關(guān)電路為PWM橋式開(kāi)關(guān)電路。開(kāi)關(guān)電路與組合MOS管柵極3及柵極8間具有限流電阻Rl及電阻R2。限流電路電路還包括濾波電路，與組合MOS管源極相連接，濾波電路由電感LI、電阻R3以及電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5組成。實(shí)施本實(shí)用新型的內(nèi)存電壓控制電路，具有以下有益的技術(shù)效果電路更簡(jiǎn)約，成本更低。上面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本實(shí)用新型并不局限于上述的具體實(shí)施方式
，上述的具體實(shí)施方式
僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的啟示下，在不脫離本實(shí)用新型宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之列。
權(quán)利要求1.一種內(nèi)存電壓控制電路，包括與內(nèi)存相連的開(kāi)關(guān)電路，與所述開(kāi)關(guān)電路相連的限流電路，其特征在于，所述的限流電路包括兩個(gè)串接在一起的組合MOS管，所述的組合MOS管柵極外接所述的開(kāi)關(guān)電路，源極串接后輸出所述內(nèi)存需要的電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)存電壓控制電路，其特征在于，所述的開(kāi)關(guān)電路為PWM橋式開(kāi)關(guān)電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)存電壓控制電路，其特征在于，所述的開(kāi)關(guān)電路與所述的組合MOS管柵極間具有限流電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)存電壓控制電路，其特征在于，所述的限流電路電路還包括濾波電路，與所述的源極相連接。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種內(nèi)存電壓控制電路，包括與內(nèi)存相連的開(kāi)關(guān)電路，與所述開(kāi)關(guān)電路相連的限流電路，所述的限流電路包括兩個(gè)串接在一起的組合MOS管，所述的組合MOS管柵極外接所述的開(kāi)關(guān)電路，源極串接后輸出所述內(nèi)存需要的電壓。實(shí)施本實(shí)用新型的內(nèi)存電壓控制電路，電路更簡(jiǎn)約，成本更低。
文檔編號(hào)G06F1/26GK202661948SQ20122014603
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月6日
發(fā)明者盧松敏 申請(qǐng)人:深圳市微正電子科技開(kāi)發(fā)有限公司