專利名稱：一種基于注入距離的電流源模型的建立方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于 微電子的集成電路設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，如航空電子的中的輻照加效應(yīng)仿真技木，特別涉及航空專用集成電路設(shè)計評估方法。
背景技術(shù)：
太空中的高能粒子包括重粒子、質(zhì)子、α粒子、中子等。它們能導(dǎo)致半導(dǎo)體器件發(fā)生單粒子效應(yīng)，嚴重影響到航天器的可靠性和壽命。單粒子效應(yīng)是指輻射中的高能帶電粒子在穿過電子器件敏感區(qū)時，能量沉積，產(chǎn)生大量的電子-空穴對，并在漂移過程中分別被η區(qū)和P區(qū)所收集，從而產(chǎn)生瞬時脈沖電流，使器件敏感節(jié)點的邏輯狀態(tài)受到影響的現(xiàn)象。其中，造成器件節(jié)點產(chǎn)生電平錯誤翻轉(zhuǎn)的單粒子效應(yīng)稱為為(Single Event Upset, SEU)。因此如何用電流源表征該瞬時脈沖電流，對于評估器件的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)敏感性非常重要。現(xiàn)在采用的電流源注入模型是G. C. Messenger于文獻“Collection of charge onjunction nodes fromion tracks, ” IEEE Trans. Nuc1. Sc1. , vol. NS-29, no. 6, pp. 2024 -2031，Dec. 1982.中提出的雙指數(shù)模型，如下
權(quán)利要求
1.一種基于注入距離的電流源模型的建立方法，具體步驟如下 51.根據(jù)注入離子的種類，確定注入離子的線性傳輸能量； 52.設(shè)定需要評估的注入距離； 53.根據(jù)步驟SI得到的注入離子的線性傳輸能量和S2中設(shè)定的注入距離，得到注入電流表示式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流源模型的建立方法，其特征在于，步驟S3所述的注入電流表示式具體為
3.一種基于注入距離的電流源注入模型，其特征在于，所述電流源注入模型具體表達式為
4.一種電流源注入模型與NMOS電路結(jié)合注入模型，具體包括NM0S晶體管和電流源注入模型，其中，電流源模型跨接在NMOS晶體管的漏極和基極之間，電流方向為從晶體管的漏極流向晶體管的基極，所述電流源注入模型具體表達式為
5.一種電流源注入模型與PMOS電路結(jié)合注入模型，具體包括PM0S晶體管和電流源注入模型，其中，電流源注入模型跨接在PMOS晶體管的漏極和基極之間，電流方向為從晶體管的基極流向晶體管的漏極，所述電流源注入模型具體表達式為
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于注入距離的電流源模型的建立方法，具體步驟如下根據(jù)注入離子的種類，確定注入離子的線性傳輸能量；設(shè)定需要評估的注入距離；根據(jù)得到的注入離子的線性傳輸能量和設(shè)定的注入距離，得到注入電流表示式。本發(fā)明的電流源模型的建立方法引入了注入距離，可以有效地表征在一定距離下單粒子對器件的影響，進而可以方便的對于粒子對周圍器件的影響進行分析。
文檔編號G06F17/50GK102982216SQ20121055177
公開日2013年3月20日 申請日期2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月18日
發(fā)明者李磊, 周婉婷 申請人:電子科技大學(xué)