專利名稱：版圖驗證規(guī)則的測試向量虛擬層生成方法
技術領域：
版圖驗證規(guī)則的測試向量虛擬層生成方法是集成電路輔助設計軟件工具中版圖驗證(DRC)中的一種檢查方法。本發(fā)明屬于集成電路輔助設計軟件工具中版圖驗證領域。
背景技術：
集成電路(IC)設計的后期包括版圖設計和版圖驗證，而這兩項功能是EDA工具中的重要環(huán)節(jié)；版圖驗證是根據(jù)版圖設計規(guī)則、電學規(guī)則和原始輸入的邏輯關系對版圖設計進行正確性的驗證并且可以通過對電路和參數(shù)的提取，產(chǎn)生電路模擬的輸入文件進行后模擬，以進一步檢查電學性能。版圖驗證規(guī)則文件是用來驗證版圖設計是否符合工藝加工約束條件的重要文件，這個文件的正確與否直接關系著芯片加工成敗。為了驗證該規(guī)則文件的正確性，需要構造很多測試向量，然后分析測試向量的計算結果是否與版圖驗證規(guī)則文件一致。這里測試向量指的一般是一組版形，用來反映是否違反設計規(guī)則的測試用例。在版圖驗證規(guī)則文件中，經(jīng)常會遇到特殊的器件圖形與其它layer之間的幾何規(guī)則的檢查，例如MOS管是器件規(guī)則檢查中經(jīng)常出現(xiàn)的圖形，常見的規(guī)則有:M0S管的Gate到其它layer之間的距離檢查，MOS管的Gate被其它Layer包圍的距離檢查。普通的構造測試向量的方法是:針對每一個規(guī)則，都手工構造一個MOS管的圖形，然后再構造MOS管的Gate與其它Layer的距離關系圖形。這種方法的弱點是:M0S管的器件與其它Layer的關系很多時，手工花MOS管的工作量較大，需要尋找一種可以重復引用MOS管Gate的機制。為了解決上述問題，本發(fā)明提出了一種虛擬層的生成方法，該方法引入了NgateLayer和PGateLayer兩個虛擬層,這兩個虛擬層可以直接與其它任意layer進行間距和包圍的檢查，而不需要每次都畫MOS管圖形。引入虛擬層后，可以支持任意復雜的MOS管類型，例如高壓MOS管，兩層Poly的MOS管等。

發(fā)明內(nèi)容
假設一個設計規(guī)則的描述如下:M0S管的Gate層的圖形到Ml圖形的最小距離不能小于0.1微米。這個規(guī)則的圖示如圖1所示:在圖1中，藍色圖形是MOS管的溝道GateLayer，紅色圖形是MOS管的有源區(qū)，它通常由兩個layer疊在一起組成，如果是NMOS管，它由注入層AA和N型的有源區(qū)SN組成，如果是PMOS管，它由注入層AA和P型的有源區(qū)SP組成?；疑膱D形是孔Contact，綠色的圖形是要檢查的Ml的圖形。本例中要檢查藍色圖形與綠色圖形的距離。一個完整的MOS管圖形由有源區(qū)，溝道和孔三部分組成，其中有源區(qū)可能由2個甚至多個layer疊加在一起組成；溝道可以是第一層poly,也可以是第二層poly ;孔層Contact是唯一的一個layer組成。為了自動生成GateLayer到Ml距離檢查的測試向量，本專利的基本思路是:首先通過全局layer的定義內(nèi)嵌一個MOS管的layer定義,其次在定義規(guī)則時直接引用MOS管的GateLayer這個虛擬層來實現(xiàn)高效的測試向量生成。全局層的定義如圖2所示。在圖2中,Wiring Layer的第一個layer是GT,它就是構成MOS管的溝道layer,在 ContactLayer 的第一個 layer 是 CT,它就是構成 MOS 管的 Contact Layer,在 NactiveLayers中SN, AA就是構成N型MOS管的有源區(qū)，在Pactive Layers中SP, AA就是構成P型MOS管的有源區(qū)，這些Layer構成了 一個普通MOS管的基本圖形。定義全局layer后,可以通過直接引用NgateLayer的虛擬層來實現(xiàn)GateLayer到Ml距離的定義，定義方法如圖3所示。在圖3中，Layerl填入了 Ml這個原始的普通layer,在Layer2中填入了NgateLayer這個虛擬層,工具允許其自動填入虛擬層。選項Parallel To Gate的含義是:檢查與Gate平行方向的Spacing,另外一個選項是Perpendicular To Gate,其含義是:檢查與Gate垂直方向的Spacing。填入上述信息后，運行自動生成測試向量的過程，得到了圖4的測試向量結果:從圖4可以看到，測試向量會自動把Gate的圖形生成，原因是:在全局layer的設置中，已經(jīng)把Nactive Layer, Wiring Layer, Contact Layer都設置好了，工具會自動尋找這些layer來生成一個Gate的圖形。再比如，如果要檢查Gate圖形中Contact與Gate的距離，如圖5所示。為了生成圖5的測試向量，可以通過直接引用NgateLayer的虛擬層來實現(xiàn)GateLayer到Contact距離的定義,定義方法如圖6所示。填入圖6的信息后，運行自動生成測試向量的過程，得到了圖7的測試向量結果，可以看到，符合預期的結果。以上介紹了虛擬層NgateLayer的應用，同理,針對虛擬層PGateLayer的圖形，構造方法與此類似，不再贅述。


圖1GateLayer到Ml圖形的距離示意2全局layer定義圖示圖3GateLayer到Ml圖形距離的參數(shù)輸入4GateLayer到Ml圖形距離的測試向量結果5GateLayer到Contact圖形的距離不意6GateLayer到Contact圖形距離的參數(shù)輸入7GateLayer到Contact圖形距離的測試向量結果圖
具體實施方式
:第一步:如果版檢查規(guī)則的針對典型的MOS器件，定義2個虛擬層NGateLayer和PGateLayer0這兩個虛擬層可以直接用來定義與其它層的間距和包圍的規(guī)則。第二步:在全局連接關系的定義中，定義MOS管的有源層(Nactive Layer,Pactive Layer)、溝道層(Poly)、孔層(Contact)等layer,使得后續(xù)規(guī)則可以直接飲用這些 layer。第三步:針對虛擬層與其它Layer的間距檢查，工具直接自動生成MOS管的NgateLayer (PGateLayer)與其它Layer之間的距離關系圖，而不需要人工花MOS管的器件。第四步:針對虛擬層與其它Layer的包圍檢查，工具直接自動生成MOS管的NgateLayer (PGateLayer)與其它Layer之間的包圍距離關系圖，而不需要人工花MOS管的器件。
權利要求
1.版圖驗證規(guī)則的測試向量虛擬層生成方法，它的基本含義是在版圖驗證規(guī)則的測試向量生成過程中，針對一些復雜的器件圖形，往往需要通過人工畫器件圖形的方法來生成復雜器件。本專利提出了 一種虛擬層的定義，通過對虛擬層進行幾何規(guī)則檢查，解決了描述復雜器件圖形規(guī)則工作量較大的問題，從而提高了測試向量生成的效率。
具體步驟如下: (1)針對典型的MOS器件,定義2個虛擬層NGateLayer和PGateLayer。這兩個虛擬層可以直接用來定義與其它層的間距和包圍的規(guī)則。
(2)在全局連接關系的定義中，定義MOS管的有源層(NactiveLayer, PactiveLayer)、溝道層(Poly)、孔層(Contact)等layer,使得后續(xù)規(guī)則可以直接飲用這些layer。 ⑶針對虛擬層與其它Layer的間距檢查，工具直接自動生成MOS管的NgateLayer (PGateLayer)與其它Layer之間的距離關系圖，而不需要人工花MOS管的器件。 ⑷針對虛擬層與其它Layer的包圍檢查，工具直接自動生成MOS管的NgateLayer (PGateLayer)與其它Layer之間的包圍距離關系圖，而不需要人工花MOS管的器件。
全文摘要
版圖驗證規(guī)則文件是用來驗證版圖設計是否符合工藝加工約束條件的重要文件，為了驗證該規(guī)則文件的正確性，需要構造很多測試向量，然后分析計算結果是否與版圖驗證規(guī)則文件一致。在版圖驗證規(guī)則文件中，經(jīng)常會遇到特殊的器件圖形與其它層之間的幾何規(guī)則的檢查，常見的規(guī)則有MOS管的Gate到其它層之間的距離檢查，MOS管的Gate被其它層包圍的距離檢查。普通的構造測試向量的方法是針對每一個規(guī)則，都手工構造一個MOS管的圖形，然后再構造MOS管的Gate與其它層的距離關系圖形。為了提高生成效率，本發(fā)明提出了一種虛擬層的生成方法，該方法引入了NgateLayer和PGateLayer兩個虛擬層，這兩個虛擬層可以直接與其它任意層進行間距和包圍的檢查，而不需要每次都畫MOS管圖形。
文檔編號G06F17/50GK103164564SQ201210512408
公開日2013年6月19日 申請日期2012年12月4日 優(yōu)先權日2012年12月4日
發(fā)明者侯勁松, 王勇, 張萍, 李寧 申請人:天津藍海微科技有限公司