觸控裝置結構及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種觸控裝置結構的制造方法，包括提供一基底，基底區(qū)分有一可視區(qū)。形成復數(shù)第一感測電極及復數(shù)第二感測電極于可視區(qū)的基底上，其中第一感測電極與第二感測電極相互絕緣且交錯排列，且其中第二感測電極為不連續(xù)，且相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)。形成一絕緣層于第一感測電極及第二感測電極上。轉印復數(shù)導電架橋于絕緣層上，其中每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極通過絕緣層相互絕緣。本發(fā)明還提供一種觸控裝置結構。通過轉印制程制作導電架橋、絕緣層及感測電極，以降低或排除形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產(chǎn)生的不良影響，進而提升良率。
【專利說明】觸控裝置結構及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控【技術領域】，特別是有關于一種觸控裝置結構及其制造方法。
【背景技術】
[0002]隨著資訊科技的發(fā)展，觸控裝置成為人機之間資訊傳遞的方式之一。觸控裝置分為可視區(qū)及邊框區(qū)，在可視區(qū)中制作電極，在邊框區(qū)分布電極引線，電極引線通過軟性電路板將電極的訊號傳遞到訊號處理器中，完成觸控感應的功能。電極通常由復數(shù)X方向電極及復數(shù)Y方向電極交錯形成。例如，X方向電極及Y方向電極設置在同一透明基底的同側，X方向電極為連續(xù)的，Y方向電極為不連續(xù)的。在X方向電極及Y方向電極交錯位置設置絕緣層及導電架橋，導電架橋連接相鄰兩個Y方向電極，絕緣層設置于導電架橋與X方向電極之間，藉此，X方向電極及Y方向電極相互絕緣并確保在各自方向導通。
[0003]這種具有導電架橋、絕緣層及電極等數(shù)層結構的觸控裝置制造方法，通常是通過多道濺鍍及光刻制程在基底上依序制作出X方向及Y方向電極、覆蓋X方向及Y方向電極的絕緣層以及連接Y方向電極的導電架橋。
[0004]然而，上述觸控裝置制造方法中，形成次一層結構時會對前一步驟已形成之層結構產(chǎn)生影響。例如，上述制作方法中經(jīng)過多次真空濺鍍、曝光、顯影與蝕刻制程后，電極可能會出現(xiàn)裂紋或脫離基底等問題。
[0005]再者，上述制作方法采用真空濺鍍及光刻制程的多道程序，所需設備昂貴，制作成本較高，且化學藥劑污染性大。
[0006]因此，有必要尋求一種新的觸控裝置結構之制造方法，其能夠解決或改善上述的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供一種觸控裝置結構及其制造方法，通過轉印制程制作導電架橋、絕緣層及感測電極，以降低或排除形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產(chǎn)生的不良影響，進而提升良率。
[0008]本發(fā)明提供一種觸控裝置結構之制造方法，包括提供一基底，基底區(qū)分有一可視區(qū)；形成復數(shù)第一感測電極及復數(shù)第二感測電極于可視區(qū)的基底上，其中第一感測電極與第二感測電極相互絕緣且交錯排列，且其中第二感測電極為不連續(xù)，且相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)；形成一絕緣層于第一感測電極及第二感測電極上；以及轉印復數(shù)導電架橋于絕緣層上，其中每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極通過絕緣層相互絕緣。
[0009]本發(fā)明提供另一種觸控裝置結構之制造方法，提供一基底，基底區(qū)分有一可視區(qū)；形成復數(shù)第一感測電極及復數(shù)第二感測電極于可視區(qū)的基底上，其中第一感測電極與第二感測電極相互絕緣且交錯排列，且其中第二感測電極為不連續(xù)，且相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)；以及轉印一絕緣層及復數(shù)導電架橋于第一感測電極及第二感測電極上，其中每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極通過絕緣層相互絕緣。
[0010]本發(fā)明提供另一種觸控裝置結構之制造方法，包括提供一基底，基底區(qū)分有一可視區(qū)；以及轉印復數(shù)第一感測電極、復數(shù)第二感測電極、一絕緣層及復數(shù)導電架橋于該基底上，其中第一感測電極與第二感測電極相互絕緣且交錯排列，第二感測電極為不連續(xù)，且相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)，且其中每一導電架橋電性連接等相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極通過絕緣層相互絕緣。
[0011]本發(fā)明提供一種觸控裝置結構，包括一基底，基底區(qū)分有一可視區(qū)；復數(shù)第一感測電極及復數(shù)第二感測電極相互絕緣且交錯排列于可視區(qū)的基底上，其中第二感測電極為不連續(xù)，且相鄰的第二感測電極之間具有一架橋區(qū)；一絕緣層，設置于第一感測電極及第二感測電極上；一轉印基膜；以及復數(shù)導電架橋，相互間隔地設置于轉印基膜上，其中導電架橋通過一轉印制程設置于絕緣層上，且對應于架橋區(qū)，每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極通過絕緣層相互絕緣。
[0012]本發(fā)明提供另一種觸控裝置結構，包括一基底，基底區(qū)分有一可視區(qū)；復數(shù)第一感測電極及復數(shù)第二感測電極相互絕緣且交錯排列于可視區(qū)的基底上，其中第二感測電極為不連續(xù)，且相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)；一轉印基膜；復數(shù)導電架橋，相互間隔地設置于轉印基膜上；以及一絕緣層，設置于導電架橋上，其中導電架橋及絕緣層通過一轉印制程設置于第一感測電極及第二感測電極上，且其中導電架對應于架橋區(qū)，每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極通過絕緣層相互絕緣。
[0013]本發(fā)明提供另一種觸控裝置結構，包括一基底，基底區(qū)分有一可視區(qū)；一轉印基膜；復數(shù)導電架橋，相互間隔地設置于轉印基膜上；一絕緣層，設置于導電架橋上；以及復數(shù)第一感測電極及復數(shù)第二感測電極，交錯排列在絕緣層上，其中第二感測電極為不連續(xù)，且相鄰第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)，每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且與第一感測電極通過絕緣層相互絕緣，且其中導電架橋、絕緣層、第一感測電極及第二感測電極通過一轉印制程設置于可視區(qū)的基底上。
[0014]根據(jù)本發(fā)明實施例，由于通過轉印制作觸控裝置的導電架橋、絕緣層及感測電極，可降低或排除形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產(chǎn)生的不良影響，進而提升良率。另外，以轉印制程取代濺鍍及光刻制程，可簡化制程，進而提高生產(chǎn)效率。另外由于無需昂貴的制程(例如，濺鍍及光刻制程)設備，因此可提高價格競爭優(yōu)勢以及降低化學藥劑的污染。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1A至1E-2為本發(fā)明一實施例之觸控裝置結構的制造方法的剖面示意圖；
[0016]圖2A至2E為本發(fā)明另一實施例之觸控裝置結構的制造方法的剖面示意圖；
[0017]圖3A至3E為本發(fā)明另一實施例之觸控裝置結構的制造方法的剖面示意圖。
[0018]圖4為本發(fā)明一實施例之觸控裝置結構的爆炸圖。
【具體實施方式】
[0019]以下說明本發(fā)明實施例觸控裝置結構及其制造方法。然而，可輕易了解本發(fā)明所提供的實施例僅用于說明以特定方法制作及使用本發(fā)明，并非用以局限本發(fā)明的范圍。再者，在本發(fā)明實施例之圖式及說明內(nèi)容中使用相同的標號來表示相同或相似的部件。
[0020]請參照圖1D-1及圖4，其為根據(jù)本發(fā)明一實施例之觸控裝置結構剖面示意圖及爆炸圖。在本實施例中，觸控裝置結構包括:一基底100、復數(shù)導電架橋210、一絕緣層224、復數(shù)第一感測電極230、復數(shù)第二感測電極240及一轉印基膜200?；?00區(qū)分有一可視區(qū)110。第一感測電極230及第二感測電極240相互絕緣且交錯排列于可視區(qū)110的基底100上，其中第一感測電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續(xù)結構。第二感測電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續(xù)，且相鄰的第二感測電極240之間界定出架橋區(qū)120。其中第一軸向與第二軸向相互交叉，例如第一軸向與第二軸向相互垂直，但不以此為限。架橋區(qū)120位于可視區(qū)110內(nèi)。絕緣層224設置于第一感測電極230及第二感測電極240上。導電架橋210相互間隔地設置于轉印基膜200上，且對應于架橋區(qū)120，每一導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240，且與第一感測電極230通過絕緣層224相互絕緣。
[0021]第一感測電極230及第二感測電極240可通過轉印制程形成于可視區(qū)110的基底100上。在本實施例中，可先通過印刷制程，例如凹版印刷制程，在一轉印基膜(未繪示)上形成第一感測電極230及第二感測電極240。接著，通過轉印制程將轉印基膜上的第一感測電極230及第二感測電極240轉印至可視區(qū)110的基底100上。在其他實施例中，也可通過印刷制程將第一感測電極230及第二感測電極240形成于基底100上。相較于傳統(tǒng)的濺鍍及光刻制程，由于進行轉印制程時不需要高溫處理，因此第一感測電極230及第二感測電極240的材料不受限于耐高溫的導電材料。第一感測電極230及第二感測電極240的材料可為光學透明導電油墨，透明導電油墨包括納米銀溶膠、銦錫氧化物(IndiumTinOxide, ΙΤ0)溶膠、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, IZO)溶膠、銦錫氟氧化物(IndiumTin Fluorine Oxide, ITFO)溶膠、招鋒氧化物(Aluminum Zinc Oxide, AZ0)溶膠、氟鋒氧化物(Fluorine Zinc 0xide,FZ0)溶膠、納米碳管溶膠或導電高分子(例如，聚乙烯二氧噻吩(poly (3,4-ethylenedioxythiophene), PED0T)溶膠，其中透明導電油墨的導電率可高于I/Ω cm。在其他實施例中，也可通過濺鍍及光刻制程取代上述轉印制程，其中第一感測電極230及第二感測電極240的材質包括ΙΤ0、ΙΖ0、ITF0, AZO或FZO等耐高溫材料。
[0022]在本實施例中，絕緣層224包括彼此隔開的復數(shù)絕緣塊222。絕緣塊222對應于架橋區(qū)120，且設置于第一感測電極230上，以使連接相鄰第二感測電極240的導電架橋210與第一感測電極230電性絕緣。絕緣層224可通過轉印或沉積制程形成。
[0023]導電架橋210通過轉印制程設置于絕緣塊222上，且電性連接相鄰的第二感測電極240。舉例而言，可先通過印刷制程，例如凹版印刷制程，在轉印基膜200上形成導電架橋210。接著，通過轉印制程將具有導電架橋210的轉印基膜200貼附于基底100上，使導電架橋210對應于架橋區(qū)120，且電性連接相鄰的第二感測電極240。導電架橋210與第一感測電極230通過絕緣層224相互絕緣。
[0024]在另一實施例中，如圖1D-2所示，絕緣層224可為一連續(xù)層，且具有復數(shù)對孔洞226對應于架橋區(qū)120，使每一導電架橋210經(jīng)由每一對孔洞226電性連接相鄰的第二感測電極240。
[0025]在本實施例中，基底100可更包括圍繞可視區(qū)110的邊框區(qū)130。再者，觸控裝置結構更包括復數(shù)引線300設置于邊框區(qū)130的基底100上，以電性連接于第一感測電極230及第二感測電極240。
[0026]請參照圖2D，其為根據(jù)本發(fā)明另一實施例之觸控裝置結構剖面示意圖。其中相同于圖1D的部件使用相同的標號并省略其說明。在本實施例中，觸控裝置結構包括:一基底100、復數(shù)導電架橋210、一絕緣層224、復數(shù)第一感測電極230、復數(shù)第二感測電極240及一轉印基膜200?；?00區(qū)分有一可視區(qū)110。第一感測電極230及第二感測電極240相互絕緣且交錯排列在可視區(qū)110的基底100上，其中，第一感測電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續(xù)結構。第二感測電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續(xù)，且相鄰的第二感測電極240之間界定出架橋區(qū)120。架橋區(qū)120位于可視區(qū)110內(nèi)。導電架橋210相互間隔地設置于轉印基膜200上。絕緣層224設置于導電架橋210上。導電架橋210及絕緣層224通過一轉印制程設置于第一感測電極230及第二感測電極240上。導電架橋210對應于架橋區(qū)120，每一導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240，且與第一感測電極230通過絕緣層224相互絕緣。
[0027]與上述圖1D-1的實施例類似，第一感測電極230及第二感測電極240可通過轉印制程形成。在其他實施例中，可通過濺鍍及光刻制程取代上述轉印制程。也可通過印刷制程將第一感測電極230及第二感測電極240直接形成于基底100上。故此處不再贅述。
[0028]在本實施例中，絕緣層224包括彼此隔開且對應于架橋區(qū)120的復數(shù)絕緣塊222。導電架橋210及絕緣層224通過轉印制程設置于第一感測電極230及第二感測電極240上。舉例而言，先通過第一印刷制程，在轉印基膜200上形成導電架橋210。再通過第二印刷制程，在導電架橋210上形成絕緣塊222。接著，將具有導電架橋210及絕緣層224的轉印基膜200貼附于基底100上，使導電架橋210對應于架橋區(qū)120，且電性連接相鄰的第二感測電極240。絕緣塊222位于第一感測電極230和導電架橋210之間，使導電架橋210與第一感測電極230通過絕緣塊222相互絕緣。其中第一或第二印刷制程可為凹版印刷制程。
[0029]在本實施例中，基底100可更包括圍繞可視區(qū)110的邊框區(qū)130。再者，觸控裝置結構更包括復數(shù)引線300設置于邊框區(qū)130的基底100上，以電性連接于第一感測電極230及第二感測電極240。
[0030]在另一實施例中，與圖1D-2的實施例類似，絕緣層224可為一連續(xù)層(未繪示)，且具有復數(shù)對孔洞對應于架橋區(qū)120，使每一導電架橋210經(jīng)由每一對孔洞電性連接相鄰的第二感測電極240。
[0031]請參照圖3D，其為根據(jù)本發(fā)明另一實施例之觸控裝置結構剖面示意圖，其中相同于圖1D的部件使用相同的標號并省略其說明。在本實施例中，觸控裝置結構包括:一基底100、復數(shù)導電架橋210、一絕緣層224、復數(shù)第一感測電極230、復數(shù)第二感測電極240及一轉印基膜200?；?00區(qū)分有一可視區(qū)110。導電架橋210相互間隔地設置于轉印基膜200上。絕緣層224包括彼此隔開的復數(shù)絕緣塊222，復數(shù)絕緣塊222設置于導電架橋210上。第一感測電極230及第二感測電極240相互絕緣且交錯排列于絕緣層224上，其中第一感測電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續(xù)結構。第二感測電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續(xù)。相鄰的第二感測電極240之間界定出架橋區(qū)120。導電架橋210對應于架橋區(qū)120，且電性連接相鄰的第二感測電極240。
[0032]導電架橋210、絕緣層224、第一感測電極230及第二感測電極240通過轉印制程設置于可視區(qū)110的基底100上。舉例而言，先通過第一印刷制程，在轉印基膜200上形成導電架橋210 ;通過第二印刷制程，在導電架橋210上形成絕緣塊222 ;通過第三印刷制程，在絕緣塊222、導電架橋210及轉印基膜200上形成第一感測電極230及第二感測電極240。導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240，且與第一感測電極230通過絕緣層224相互絕緣。接著，將具有導電架橋210、絕緣層224、第一感測電極230及第二感測電極240的轉印基膜200貼附于基底100上。其中，第一、第二或第三印刷制程可為凹版印刷制程。
[0033]在另一實施例中，與圖1D-2的實施例類似，絕緣層224可為一連續(xù)層(未繪示)，且具有復數(shù)對孔洞對應于架橋區(qū)120，使每一導電架橋210經(jīng)由每一對孔洞電性連接相鄰的第二感測電極240。
[0034]在本實施例中，基底100可更包括圍繞可視區(qū)110的邊框區(qū)130。再者，觸控裝置結構更包括復數(shù)引線300設置于邊框區(qū)130的基底100上，用以電性連接第一感測電極230及第二感測電極240。
[0035]圖1A至圖1D-2為對應圖1D_1及圖1D_2實施例之觸控裝置結構的制造方法剖面示意圖。請參照圖1A，提供一基底100，基底100區(qū)分有一可視區(qū)110以及圍繞可視區(qū)110的邊框區(qū)130。形成第一感測電極230及第二感測電極240于可視區(qū)110的基底100上，其中第一感測電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續(xù)結構。第二感測電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續(xù)。相鄰的第二感測電極240之間界定出架橋區(qū)120。舉例而言，可通過一印刷制程，在一轉印基膜(未繪示)上形成前述第一感測電極230及第二感測電極240。接著，通過轉印制程，將第一感測電極230及第二感測電極240形成于可視區(qū)110的基底100上。相較于傳統(tǒng)的濺鍍及光刻制程，由于進行轉印制程時不需要高溫處理，因此第一感測電極230及第二感測電極240的材料不受限于耐高溫的導電材料。第一感測電極230及第二感測電極240可包括透明導電材料(例如，納米銀溶膠、ITO溶膠、IZO溶膠、ITFO溶膠、AZO溶膠、FZO溶膠、納米碳管溶膠或PEDOT溶膠)，其中透明導電材料的導電率高于l/Qcm。在其他實施例中，也可通過濺鍍及光刻制程取代上述轉印制程，其中第一感測電極230及第二感測電極240的材質包括IT0、IZ0、ITF0、AZ0或FZO等耐高溫材料。
[0036]接著，請參照圖1B-1，通過轉印或沉積制程，在第一感測電極230及第二感測電極240上形成一絕緣層224。絕緣層224包括彼此隔開的復數(shù)絕緣塊222，絕緣塊222位于第一感測電極230上，且使第一感測電極230及后續(xù)形成以連接相鄰第二感測電極240的導電架橋210相互絕緣。在另一實施例中，請參照圖1B-2，絕緣層224可為一連續(xù)層，且具有復數(shù)對孔洞226對應于架橋區(qū)120。
[0037]再接著，請參照圖1C及圖1D，其為轉印導電架橋210于絕緣層224上。每一導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240，且與第一感測電極230通過絕緣層224相互絕緣。首先，如圖1C所示，提供一轉印基膜200以進行轉印制程。通過第一印刷制程在轉印基膜200上形成相互間隔的復數(shù)導電架橋210。再通過第二印刷制程在轉印基膜200上形成復數(shù)引線300，引線300對應于邊框區(qū)130。在其他實施例中，導電架橋210與引線300可同時通過第一印刷制程形成。
[0038]然后，請參照圖1D-1，將具有導電架橋210及引線300的轉印基膜200貼附于基底100上。通過上述轉印制程，使轉印基膜200上的導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240。絕緣塊222位于第一感測電極230與導電架橋210之間，使導電架橋210與第一感測電極230電性絕緣。引線300位于邊框區(qū)130的基底100上，以分別電性連接第一感測電極230及第二感測電極240。在另一實施例中，請參照圖1D-2，絕緣層224為一連續(xù)層時，導電架橋210經(jīng)由每一對孔洞226電性連接相鄰的第二感測電極240。
[0039]再者，在將具有導電架橋210及引線300的轉印基膜200貼附于基底100上的步驟之后，根據(jù)轉印基膜200的材料不同，可進行加熱或紫外線處理，以固化導電架橋210及引線300。
[0040]再接著，請參照圖1E-1及圖1E-2，為了制作觸控裝置結構中后續(xù)的其它功能層(例如，保護層、抗反射層等)，或助于與其他電子部件(例如，顯示模組等)的貼合，可將轉印基膜200從基底100上剝離。當觸控裝置結構與其他電子部件貼合時，基底100上相對于形成第一感測電極230及第二感測電極240的表面用以提供使用者直接進行觸控。
[0041]在其他實施例中，在進行導電架橋210的轉印制程之前，可通過其他轉印制程或絲網(wǎng)印刷制程在邊框區(qū)130的基底100上形成復數(shù)引線300，以電性連接第一感測電極230及第二感測電極240。
[0042]圖2A至圖2D為對應圖2D實施例之觸控裝置結構的制造方法剖面示意圖，其中相同于圖1A至圖1D-2的部件使用相同的標號并省略其說明。請參照圖2A，提供一基底100，基底100區(qū)分有一可視區(qū)110以及圍繞可視區(qū)110的邊框區(qū)130。接著，形成復數(shù)第一感測電極230及復數(shù)第二感測電極240于可視區(qū)110的基底100上，本實施例的第一感測電極230及第二感測電極240的態(tài)樣及形成方法與上述圖1A對應的實施例基本相同，故在此不再贅述。
[0043]請參照圖2B至圖2D，其為通過轉印制程形成一絕緣層224及復數(shù)導電架橋210于第一感測電極230及第二感測電極240上，其中每一導電架橋210分別對應于架橋區(qū)120，且電性連接相鄰的第二感測電極240。導電架橋210與第一感測電極230通過絕緣層224相互絕緣。在本實施例中，絕緣層224包括彼此隔開的復數(shù)絕緣塊222。在另一實施例中，與圖1D-2類似，絕緣層可為一連續(xù)層(未繪示)，且具有復數(shù)對孔洞。請參照圖2B，提供一轉印基膜200?？赏ㄟ^第一印刷制程在轉印基膜200上形成相互間隔的復數(shù)導電架橋210。
[0044]請參照圖2C，通過第二印刷制程在每一導電架橋210上對應形成一絕緣塊222，接著，在對應邊框區(qū)130的轉印基膜200上形成復數(shù)引線300。絕緣層224由絕緣油墨材料(例如光學透明油墨)所構成，且其導電率低于l0./Qcm。再者，引線300可由導電油墨(例如銀膠、銅膠或碳膠)所構成，導電油墨的導電率高于l/Qcm。在其他實施例中，導電架橋210與引線300可同時在第一印刷制程中形成。
[0045]請參照圖2D，將具有導電架橋210、絕緣塊222及引線300的轉印基膜200貼附于基底100上，使轉印基膜200上的導電架橋210對應于架橋區(qū)120，且電性連接相鄰的第二感測電極240，絕緣塊222位于第一感測電極230與導電架橋210之間，以使導電架橋210與第一感測電極230電性絕緣。引線300位于基底100的邊框區(qū)130，以分別電性連接第一感測電極230及第二感測電極240。再者，在將具有導電架橋210、絕緣層224及引線300的轉印基膜200貼附于基底100上的步驟之后，根據(jù)轉印基膜200的材料不同，可進行加熱或紫外線處理，以固化導電架橋210、絕緣層224及引線300。
[0046]請參照圖2E，為了制作觸控裝置結構中后續(xù)的其它功能層(例如，保護層、抗反射層等)，或助于與其他電子部件(例如，顯示模組等)的貼合，可將轉印基膜200從基底100上剝離。當觸控裝置結構與其他電子部件貼合時，基底100上相對于形成第一感測電極230及第二感測電極240的表面用以提供使用者直接進行觸控。圖3A至3D為對應圖3D實施例之觸控裝置結構的制造方法剖面示意圖，其中相同于圖1A至圖1D-2的部件使用相同的標號并省略其說明。請參照圖3A，提供一轉印基膜200。通過第一印刷制程在轉印基膜200上形成相互間隔的復數(shù)導電架橋210。
[0047]接著，請參照圖3B，通過第二印刷制程，在導電架橋210上形成一絕緣層224，絕緣層224包括對應導電架橋210的復數(shù)絕緣塊222。在另一實施例中，與圖1D-2類似，絕緣層可為一連續(xù)層(未繪示)，且具有復數(shù)對孔洞。絕緣層224用以使導電架橋210與后續(xù)形成的第一感測電極230相互電性絕緣。接著，在對應邊框區(qū)130的轉印基膜200上形成復數(shù)引線300。在其它實施例中，復數(shù)引線300與復數(shù)導電架橋210可在第一印刷制程中與導電架橋210同時形成，或者，可在形成導電架橋210的步驟與形成絕緣層224的步驟之間形成復數(shù)引線300。
[0048]請參照圖3C，通過第三印刷制程，在導電架橋210及絕緣塊222上形成相互絕緣且交錯排列的復數(shù)第一感測電極230及復數(shù)第二感測電極240。其中第一感測電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續(xù)結構。第二感測電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續(xù)。相鄰的第二感測電極240之間界定出架橋區(qū)120。架橋區(qū)120與導電架橋210互相對應，且導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240。再者，引線300分別電性連接于第一感測電極230及第二感測電極240。本實施例中，通過不同的印刷制程依序制作導電架橋210、絕緣塊222、復數(shù)第一感測電極230及復數(shù)第二感測電極240。由于在凹版印刷制程的最后一步驟形成感測電極，可避免刮傷或破壞感測電極。
[0049]請參照圖3D，將具有導電架橋210、絕緣層224、引線300、第一感測電極230及第二感測電極240的轉印基膜200貼附于基底100上。使第一感測電極230及第二感測電極240位于基底100的可視區(qū)110，且引線300位于基底100的邊框區(qū)130。再者，根據(jù)轉印基膜200的材料不同，可于后續(xù)進行加熱或紫外線處理，以固化導電架橋210、絕緣塊222、引線300、第一感測電極230及第二感測電極240。
[0050]再接著，請參照圖3E，為了制作觸控裝置結構中后續(xù)的其它功能層(例如，保護層、抗反射層等)，或助于與其他電子部件(例如，顯示模組等)的貼合，可將轉印基膜200從基底100上剝離。當觸控裝置結構與其他電子部件貼合時，基底100上相對于形成第一感測電極230及第二感測電極240的表面用以提供使用者直接進行觸控。另外，在其他實施例中，導電架橋210、絕緣層224、引線300、第一感測電極230及第二感測電極240也可通過多道轉印制程分別形成于基底100上。
[0051]本發(fā)明提供的實施例，導電架橋210可由光學透明油墨材料(例如納米銀溶膠、ITO溶膠、IZO溶膠、ITFO溶膠、AZO溶膠、FZO溶膠、納米碳管溶膠或PEDOT溶膠)，其導電率高于1/Qcm。絕緣層224可由絕緣油墨(例如光學透明油墨)所構成，且其導電率低于ΙΟ,/Ω^。引線300可由導電油墨(例如銀膠、銅膠或碳膠)所構成，其導電率高于l/Qcm。轉印基膜200可由具有可撓性的塑膠薄膜(例如聚酯薄膜(polyethyleneterephthalate, PET)、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇或聚酰亞胺)所構成。再者，轉印基膜200的厚度可為20微米至200微米的范圍。根據(jù)轉印基膜200的材料，轉印制程可采用熱轉印、冷轉印或室溫轉印?；?00可由玻璃、塑膠或其他習用的透明材料所構成。
[0052]根據(jù)本發(fā)明實施例，由于可通過轉印制作導電架橋、絕緣層及感測電極，相較于通過濺鍍及光刻制程的傳統(tǒng)制造方法，提高了觸控裝置中感測電極的材料選擇性，而不受限于耐高溫材料。再者，由于通過轉印基膜進行轉印制程以制作觸控裝置的導電架橋、絕緣層及感測電極，可降低或排除形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產(chǎn)生的不良影響，進而提升良率。另外，以轉印制程取代濺鍍及光刻制程，可簡化制程，進而提高生產(chǎn)效率。另外由于無需昂貴的制程(例如，濺鍍及光刻制程)設備，因此可提高價格競爭優(yōu)勢以及降低化學藥劑的污染。
[0053]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明保護的范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，包括: 提供一基底，所述基底區(qū)分有一可視區(qū)； 形成復數(shù)第一感測電極及復數(shù)第二感測電極于所述可視區(qū)的所述基底上，其中所述第一感測電極與所述第二感測電極相互絕緣且交錯排列，且其中所述第二感測電極為不連續(xù)，且所述相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)； 形成一絕緣層于所述第一感測電極及所述第二感測電極上；以及轉印復數(shù)導電架橋于所述絕緣層上，其中每一導電架橋電性連接所述相鄰的第二感測電極，且所述導電架橋與所述第一感測電極通過所述絕緣層相互絕緣。
2.根據(jù)權利要求1所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，轉印所述導電架橋于所述絕緣層上的步驟更包括: 形成所述導電架橋于一轉印基膜上，所述導電架橋相互間隔；以及將具有所述導電架橋的所述轉印基膜貼附于所述基底上，且所述導電架橋對應于所述架橋區(qū)。
3.根據(jù)權利要求2所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，通過印刷制程形成所述導電架橋于所述轉印基膜上。
4.一種觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，包括: 提供一基底，所述基底區(qū)分有一可視區(qū)； 形成復數(shù)第一感測電極及復數(shù)第二感測電極于所述可視區(qū)的所述基底上，其中所述第一感測電極與所 述第二感測電極相互絕緣且交錯排列，且其中所述第二感測電極為不連續(xù)，且所述相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)；以及 轉印一絕緣層及復數(shù)導電架橋于所述第一感測電極及所述第二感測電極上，其中每一導電架橋電性連接所述相鄰的第二感測電極，且所述導電架橋與所述第一感測電極通過所述絕緣層相互絕緣。
5.根據(jù)權利要求4所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，轉印所述絕緣層及所述導電架橋的步驟更包括: 形成所述導電架橋于一轉印基膜上，所述導電架橋相互間隔； 形成所述絕緣層于所述導電架橋上；以及 將具有所述導電架橋及所述絕緣層的所述轉印基膜貼附于所述基底上，且所述導電架橋對應于所述架橋區(qū)。
6.根據(jù)權利要求5所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，通過第一印刷制程形成所述導電架橋于所述轉印基膜上，通過第二印刷制程形成所述絕緣層于所述導電架橋上。
7.根據(jù)權利要求1或4所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，所述第一感測電極及所述第二感測電極通過轉印制程形成，其中所述第一感測電極及所述第二感測電極的材質包括納米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
8.根據(jù)權利要求1或4所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，所述第一感測電極及所述第二感測電極通過濺鍍及光刻制程形成。
9.一種觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，包括:提供一基底，所述基底區(qū)分有一可視區(qū)；以及 轉印復數(shù)第一感測電極、復數(shù)第二感測電極、一絕緣層及復數(shù)導電架橋于所述基底上，其中所述第一感測電極與所述第二感測電極相互絕緣且交錯排列，所述第二感測電極為不連續(xù)，且所述相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)，且其中每一導電架橋電性連接所述相鄰的第二感測電極，且所述導電架橋與所述第一感測電極通過所述絕緣層相互絕緣。
10.根據(jù)權利要求9所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，轉印所述第一感測電極、所述第二感測電極、所述絕緣層及所述導電架橋的步驟更包括: 形成所述導電架橋于一轉印基膜上，所述導電架橋相互間隔； 形成 所述絕緣層于所述導電架橋上； 形成所述第一感測電極與所述第二感測電極于所述絕緣層上；以及 將具有所述導電架橋、所述絕緣層、所述第一感測電極及所述第二感測電極的所述轉印基膜貼附于所述基底上，且所述導電架橋對應于所述架橋區(qū)。
11.根據(jù)權利要求10所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，通過第一印刷制程形成所述導電架橋于所述轉印基膜上，通過第二印刷制程形成所述絕緣層于所述導電架橋上，通過第三印刷制程形成所述第一感測電極與所述第二感測電極于所述絕緣層上。
12.根據(jù)權利要求10所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，所述第一感測電極及所述第二感測電極的材質包括納米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
13.根據(jù)權利要求1、4及9項中任意一項所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，每一導電架橋的材質包括納米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
14.根據(jù)權利要求1、4及9項中任意一項所述之觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，所述基底更區(qū)分有圍繞所述可視區(qū)的邊框區(qū)，且所述制造方法更包括在所述邊框區(qū)的所述基底上形成復數(shù)引線，以分別電性連接于所述第一感測電極及所述第二感測電極。
15.根據(jù)權利要求1、4及9項中任意一項所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，所述基底更區(qū)分有圍繞所述可視區(qū)的邊框區(qū)，且所述制造方法更包括轉印復數(shù)引線于所述邊框區(qū)的所述基底上，以分別電性連接于所述第一感測電極及所述第二感測電極。
16.根據(jù)權利要求1、4及9項中任意一項所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，所述絕緣層包括彼此隔開且對應于所述架橋區(qū)的復數(shù)絕緣塊。
17.根據(jù)權利要求1、4及9項中任意一項所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，所述絕緣層具有復數(shù)對孔洞對應于所述架橋區(qū)，使每一導電架橋經(jīng)由每一對孔洞電性連接所述相鄰的第二感測電極。
18.根據(jù)權利要求1、4及9項中任意一項所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，所述導電架橋的導電率大于l/Qcm，所述絕緣層的導電率小于ΙΟ,/Ω^。
19.根據(jù)權利要求2、5及10項中任意一項所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，在將所述轉印基膜貼附于所述基底的步驟之后，還包括剝離所述轉印基膜，以使所述觸控裝置結構與電子部件貼合。
20.根據(jù)權利要求3、6及11項中任意一項所述的觸控裝置結構的制造方法，其特征在于，所述印刷制程為凹版印刷制程。
21.一種觸控裝置結構，其特征在于，包括: 基底，所述基底區(qū)分有一可視區(qū)； 復數(shù)第一感測電極及復數(shù)第二感測電極相互絕緣且交錯排列于所述可視區(qū)的所述基底上，其中所述第二感測電極為不連續(xù)，且所述相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)； 絕緣層，設置于所述第一感測電極及所述第二感測電極上； 轉印基膜；以及 復數(shù)導電架橋，相互間隔地設置于所述轉印基膜上，其中所述導電架橋通過轉印制程設置于所述絕緣層上，且對應于所述架橋區(qū)，每一導電架橋電性連接所述相鄰的第二感測電極，且所述導電架橋與所述第一感測電極通過所述絕緣層相互絕緣。
22.一種觸控裝置結構，其特征在于，包括: 基底，所述基底區(qū)分有一可視區(qū)； 復數(shù)第一感測電極及復數(shù)第二感測電極相互絕緣且交錯排列于所述可視區(qū)的所述基底上，其中所述第二感測電極為不連續(xù)，且所述相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)； 轉印基膜； 復數(shù)導電架橋，相互間隔地設置于所述轉印基膜上；以及 絕緣層，設置于所述導電架 橋上，其中所述導電架橋及所述絕緣層通過轉印制程設置于所述第一感測電極及所述第二感測電極上，且其中所述導電架對應于所述架橋區(qū)，每一導電架橋電性連接所述相鄰的第二感測電極，且所述導電架橋與所述第一感測電極通過所述絕緣層相互絕緣。
23.一種觸控裝置結構，其特征在于，包括: 基底，所述基底區(qū)分有一可視區(qū)； 轉印基膜； 復數(shù)導電架橋，相互間隔地設置于所述轉印基膜上； 絕緣層，設置于所述導電架橋上；以及 復數(shù)第一感測電極及復數(shù)第二感測電極，交錯排列在所述絕緣層上，其中所述第二感測電極為不連續(xù)，且所述相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區(qū)，每一導電架橋電性連接所述相鄰的第二感測電極，且與所述第一感測電極通過所述絕緣層相互絕緣，且其中所述導電架橋、所述絕緣層、所述第一感測電極及所述第二感測電極通過一轉印制程設置于所述可視區(qū)的所述基底上。
24.根據(jù)權利要求21至23項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述基底更區(qū)分有圍繞所述可視區(qū)的邊框區(qū)，且所述觸控裝置結構更包括復數(shù)引線，設置于所述邊框區(qū)的所述基底上，以分別電性連接所述第一感測電極及所述第二感測電極。
25.根據(jù)權利要求21至23項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述基底更區(qū)分有圍繞所述可視區(qū)的邊框區(qū)，且所述觸控裝置結構更包括復數(shù)引線，設置于所述轉印基膜上，且對應于所述邊框區(qū)，以分別電性連接所述第一感測電極及所述第二感測電極。
26.根據(jù)權利要求21至23項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述導電架橋的材質包括納米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
27.根據(jù)權利要求21至23項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述第一感測電極及所述第二感測電極的材質包括納米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
28.根據(jù)權利要求21至23項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述絕緣層包括彼此隔開的復數(shù)絕緣塊，對應于所述架橋區(qū)。
29.根據(jù)權利要求21至23項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述絕緣層具有復數(shù)對孔洞對應于所述架橋區(qū)，使每一導電架橋經(jīng)由每一對孔洞電性連接所述相鄰的第二 感測電極。
【文檔編號】G06F3/041GK103699253SQ201210388195
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2012年9月27日 優(yōu)先權日:2012年9月27日
【發(fā)明者】張恒耀, 張振炘, 吳孟學, 伍哲毅, 陳麗嫻 申請人:寶宸（廈門）光學科技有限公司