專利名稱：互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型cmos標(biāo)準(zhǔn)單元電路物理庫模型設(shè)計(jì)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，具體涉及互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型電路的單元庫物理庫模型設(shè)計(jì)方法。
背景技術(shù)：
互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型(“Dual Data Stream” Spatial Redundancy)電路的設(shè)計(jì)方法，是將 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)電路中的 PMOS (P-channal Metal Oxide Semiconductor)網(wǎng)絡(luò)和 NMOS (N-channal Metal Oxide Semiconductor)網(wǎng)絡(luò)輸入輸出信號隔離。應(yīng)用這種方法設(shè)計(jì)的電路能夠有效地抑制由外界粒子入射到CMOS電路反偏二極管結(jié)引起的瞬態(tài)脈沖的傳播，隨著研究的深入，電路實(shí)現(xiàn)方式有很多種，應(yīng)用范圍越來越廣泛。圖I給出了互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型電路結(jié)構(gòu)示意圖，圖I中PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)將輸入信號運(yùn)算后分別傳遞到對應(yīng)的輸出端口和傳輸管的控制端，產(chǎn)生Yp的輔助信號的 PMOS網(wǎng)絡(luò)和產(chǎn)生Yn的輔助信號的NMOS網(wǎng)絡(luò)將輸入信號運(yùn)算后分別傳遞到NMOS傳輸管和 PMOS傳輸管的數(shù)據(jù)端，由傳輸管的控制信號決定是否將Yp(Yn)的輔助信號傳遞到輸出端口 Yn (Yp)。圖I中的NMOS傳輸管和PMOS傳輸管起到了隔離瞬態(tài)脈沖傳播的作用。上述CMOS邏輯門電路設(shè)計(jì)中，PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)輸入輸出信號被隔離開，使用全定制設(shè)計(jì)方法可以很容易分辨各信號的連接關(guān)系。但是，目前基于單元庫的半定制設(shè)計(jì)EDA (Electronic Design Automatic)工具中的算法是根據(jù)單元的邏輯功能和時(shí)序進(jìn)行邏輯綜合以確定連接關(guān)系，因此需要單元的輸出與輸入的邏輯關(guān)系一一對應(yīng)，而在上述方法中PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)的輸入輸出信號極性相同，略有相位差別，輸入與輸出的邏輯關(guān)系定義無法按照EDA工具中設(shè)定的單元綜合庫模型格式描述出來。通過簡化互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型CMOS電路的單元時(shí)序關(guān)系，將兩個(gè)輸入端表征成一個(gè)輸入，將兩個(gè)輸出端表征成一個(gè)輸出，使單元的邏輯功能描述符合EDA工具中提供的端口邏輯功能定義方法，通過標(biāo)準(zhǔn)單元特征化手段的得到綜合庫模型?；パa(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型CMOS電路標(biāo)準(zhǔn)單元綜合庫模型設(shè)計(jì)方法對應(yīng)的物理庫模型設(shè)計(jì)不能采用常用的設(shè)計(jì)流程完成，互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型CMOS電路的設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)單元的應(yīng)用很難被推廣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元電路物理庫模型設(shè)計(jì)方法，按照單元庫設(shè)計(jì)流程，在完成PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)輸入輸出信號隔離的單元電路圖和版圖的設(shè)計(jì)后，應(yīng)用輔助線和輔助層分別對電路圖和版圖PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)輸入輸出端口進(jìn)行虛擬連接，設(shè)計(jì)出不區(qū)分PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)輸入輸出端口電路圖和版圖，按照物理庫模型設(shè)計(jì)方法從增加輔助連接的版圖抽取得到滿足EDA工具格式要求物理庫模型，同時(shí)在工藝文件中設(shè)置特殊的格點(diǎn)和特殊的布線軌道。
具體包括如下步驟 1)計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)單元電路的單元庫中的金屬層中心距；2)設(shè)置多個(gè)虛擬層虛擬金屬層、虛擬通孔層、虛擬連接通孔層；3)計(jì)算多個(gè)虛擬層的參數(shù)虛擬金屬層寬度、虛擬金屬層間距、虛擬金屬層中心距、虛擬通孔寬度、相鄰虛擬金屬對虛擬通孔的覆蓋值、虛擬連接通孔的寬度；4)根據(jù)步驟I)和3)計(jì)算的上述參數(shù)來修正標(biāo)準(zhǔn)單元電路的版圖邊框和輸入輸出端口的坐標(biāo)位置；并將CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元中同一信號的PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)金屬按如下放置PM0S網(wǎng)絡(luò)端口金屬放置在NMOS網(wǎng)絡(luò)端口金屬上方，金屬層寬度為連接通孔寬度，預(yù)留一個(gè)金屬間距；5)用步驟2)中設(shè)置的虛擬層連接PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)端口，完成單元物理庫模型設(shè)計(jì)。所述步驟I)中金屬層中心距為通孔的寬度、相鄰?fù)椎淖钚「采w值的兩倍及金屬層的最小寬度的和。所述步驟3)中參數(shù)虛擬金屬層寬度設(shè)置為設(shè)計(jì)規(guī)則要求的連接通孔的最小寬度的2倍與金屬層最小間距的和；虛擬金屬層間距為設(shè)計(jì)規(guī)則要求的金屬層最小間距，虛擬金屬層中心距為按照設(shè)計(jì)規(guī)則計(jì)算的金屬層中心距的兩倍；虛擬連接通孔的寬度為設(shè)計(jì)規(guī)則要求的連接通孔寬度的2倍加上金屬層間距；相鄰虛擬金屬層對虛擬通孔的最小覆蓋至為虛擬連接通孔的寬度減去設(shè)計(jì)規(guī)則要求的通孔尺寸值的一半。本發(fā)明的有益效果是能夠完成互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元電路的物理庫模型設(shè)計(jì)，使得采用互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型CMOS設(shè)計(jì)的超大規(guī)模集成電路能夠應(yīng)用基于標(biāo)準(zhǔn)單元的半定制設(shè)計(jì)來完成，提高了上述類型電路的設(shè)計(jì)效率。


圖I、互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型的CMOS電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖2、普通標(biāo)準(zhǔn)單元庫工藝文件中金屬層中心距的定義方法示意圖。圖3、互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型的CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元庫的工藝文件中虛擬金屬層寬度、虛擬金屬層間距、虛擬金屬層中心距示意圖。圖4、互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型的CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元庫的工藝文件中虛擬通孔的寬度、相鄰虛擬金屬對虛擬通孔的覆蓋值、虛擬連接通孔的寬度示意圖。圖5、互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型的CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元版圖中預(yù)留的PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)端口金屬相對位置及寬度示意圖。圖6、互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型的CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元版圖中用輔助層連接的PMOS網(wǎng)絡(luò)和 NMOS網(wǎng)絡(luò)端口金屬示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做詳細(xì)描述。為了能清楚的表述發(fā)明內(nèi)容，首先明確版圖設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)規(guī)則、金屬層、通孔、連接通孔、標(biāo)準(zhǔn)單元庫及庫模型、綜合庫模型、物理庫模型、標(biāo)準(zhǔn)單元庫設(shè)計(jì)流程、金屬層中心距、格點(diǎn)、布線軌道、標(biāo)準(zhǔn) 單元高度、標(biāo)準(zhǔn)單元最小寬度的定義。版圖設(shè)計(jì)在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中，復(fù)雜的制造過程中各個(gè)真實(shí)的物理層次如作為互連線鋁或者銅、做為柵的多晶等和作為雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域控制的圖形等的平面設(shè)計(jì)工作被從制造過程中分離出來，稱為版圖設(shè)計(jì)，版圖設(shè)計(jì)的成果形式為二維的圖形，被用于制作光刻板。設(shè)計(jì)規(guī)則在工藝制造過程中，通過大量實(shí)驗(yàn)得到了同一圖層間和不同圖層間的設(shè)計(jì)規(guī)律， 將能得到高成品率的規(guī)律總結(jié)出來，對照版圖設(shè)計(jì)中的層次制定出的文件稱為設(shè)計(jì)規(guī)則。金屬層制造工藝中金屬互連線在版圖設(shè)計(jì)中對應(yīng)的平面圖形通常被稱為金屬層，設(shè)計(jì)規(guī)則中規(guī)定了金屬層的最小寬度、最小間距等信息。通孔制造工藝中通過刻蝕介質(zhì)添加金屬填充物將具有連接關(guān)系的相鄰金屬層的連接到一起，刻蝕區(qū)域的圖形在版圖設(shè)計(jì)中對應(yīng)的平面圖形稱為通孔，設(shè)計(jì)規(guī)則中規(guī)定了通孔的寬度、最小間距、相鄰金屬對通孔的最小覆蓋值等信息。連接通孔將包含通孔及通孔相鄰金屬層組成的符合設(shè)計(jì)規(guī)則的組合圖形稱為連接通孔。其寬度為通孔的寬度與相鄰金屬對通孔的最小覆蓋值的兩倍的和。標(biāo)準(zhǔn)單元庫及庫模型將若干個(gè)具有一定邏輯功能的邏輯門電路、鎖存器和觸發(fā)器等時(shí)序的電路組成集合，這個(gè)集合中至少包括與門、或門、反相器和觸發(fā)器四個(gè)電路，將集合中每個(gè)電路作為獨(dú)立的個(gè)體分別進(jìn)行詳細(xì)的表征，表征的內(nèi)容包括電路圖、版圖、輸入輸出間邏輯功能和時(shí)序的描述、相對于版圖較簡潔的關(guān)鍵圖形描述、邏輯功能的硬件描述語言描述，這個(gè)集合稱為標(biāo)準(zhǔn)單元庫，各種描述方式稱為庫模型。綜合庫模型對輸入輸出間邏輯功能和時(shí)序的進(jìn)行詳細(xì)描述并符合規(guī)定格式的文件。物理庫模型庫模型中相對于版圖較簡潔的關(guān)鍵圖形描述成為物理庫模型，這種描述要符合規(guī)定的格式。其中關(guān)鍵圖形指單元版圖中的部分信息由預(yù)先定義的標(biāo)識層設(shè)計(jì)的輸入輸出端口標(biāo)識、與端口標(biāo)識連接的金屬、單元的邊界、單元內(nèi)所有金屬層。對于基于時(shí)序的布線工具，需要將綜合庫模型信息寫入到物理庫模型中。 標(biāo)準(zhǔn)單元庫設(shè)計(jì)流程確定標(biāo)準(zhǔn)單元庫中單元的種類數(shù)量后，按照電路圖、網(wǎng)表、版圖、綜合庫模型、物理庫模型、邏輯功能的硬件描述語言描述的順序設(shè)計(jì)各種庫模型。金屬層中心距在標(biāo)準(zhǔn)單元庫設(shè)計(jì)中，需要對每層金屬都定義金屬層中心距，所確定的數(shù)值存放在標(biāo)準(zhǔn)單元庫工藝文件中。按照設(shè)計(jì)規(guī)則中金屬層的最小寬度和最小間距，可以得到兩個(gè)有最小間距和最小寬度的圖形，這兩個(gè)圖形的在某一方向上的中心線的距離為這一金屬層的最小中心距。較常用的金屬層中心距大于這一金屬層的最小中心距，圖2給出了較常用的金屬層中心距的定義方法，確定的數(shù)值為通孔的寬度、相鄰金屬對通孔的最小覆蓋值的兩倍及金屬層的最小寬度的和。格點(diǎn)基于標(biāo)準(zhǔn)單元庫的版圖設(shè)計(jì)過程中，將每層金屬層所在平面按照單元庫工藝文件中給出的金屬層中心距規(guī)劃出網(wǎng)格，這種劃分方式得到的虛擬的點(diǎn)稱為格點(diǎn)，格點(diǎn)的起點(diǎn)從平面的原點(diǎn)開始。布線軌道按照格點(diǎn)的劃分方法，將相鄰格點(diǎn)的中心線作為起連接作用的金屬層的中心線或者將格點(diǎn)所在位置作為起連接作用的金屬層的中心線的方法得到的金屬層位置稱為布線軌道。標(biāo)準(zhǔn)單元高度標(biāo)準(zhǔn)單元庫設(shè)計(jì)之初，要在預(yù)估部分標(biāo)準(zhǔn)單元的高度后，根據(jù)第2金屬層中心距選擇適當(dāng)?shù)恼麛?shù)，常用的做法為目前高度值較大單元的高度除以第2金屬層中心距取整后加1，用該整數(shù)乘以第2金屬層中心距作為標(biāo)準(zhǔn)單元高度，工藝文件中記錄標(biāo)準(zhǔn)單元高度。標(biāo)準(zhǔn)單元最小寬度第3金屬層中心距的值為可允許的標(biāo)準(zhǔn)單元最小寬度，為了讓標(biāo)準(zhǔn)單元在使用過程中能整齊拼接，標(biāo)準(zhǔn)單元寬度必須是標(biāo)準(zhǔn)單元最小寬度的整數(shù)倍，該整數(shù)的確定方法為將該單元的寬度除以標(biāo)準(zhǔn)單元最小寬度后取整加I。明確以上概念后，下面詳述發(fā)明實(shí)施步驟。具體實(shí)施步驟如下步驟I圖2給出了較常用的金屬層中心距的定義方法，連接通孔至連接通孔的中心距作為金屬層中心距，確定的數(shù)值為通孔的寬度、相鄰金屬對通孔的最小覆蓋值的兩倍及金屬層的最小寬度的和。中心距確定過程中不僅要根據(jù)本層金屬設(shè)計(jì)規(guī)則來確定，有時(shí)還要結(jié)合其他金屬層的規(guī)則來確定，如奇數(shù)層金屬布線層中心距確定時(shí)需互相考慮，一般來說第I金屬層、第 3金屬層、第5金屬層等奇數(shù)金屬層中心距設(shè)置成相等的值，雖然該設(shè)置值會(huì)大于第I金屬層等低層金屬根據(jù)圖2所示方法得出的金屬層中心距，但從宏觀考慮，這種設(shè)置方法會(huì)節(jié)省布線資源?；パa(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元庫的工藝文件較一般標(biāo)準(zhǔn)單元庫物理庫模型的工藝文件復(fù)雜，首先，需要設(shè)置多個(gè)虛擬層，包括虛擬的金屬層、虛擬通孔和虛擬連接通孔；針對各虛擬層需設(shè)置相應(yīng)的寬度、間距等數(shù)值，如虛擬金屬層寬度、虛擬金屬層間距、 虛擬金屬層中心距、虛擬通孔的寬度、相鄰虛擬金屬對虛擬通孔的覆蓋值、虛擬連接通孔的寬度，這些數(shù)值的設(shè)置方法都不同于常見設(shè)置。圖3和圖4給出了上述虛擬層的設(shè)置的方法示意圖。如圖3所示起連接作用的虛擬金屬層的寬度設(shè)置值為設(shè)計(jì)規(guī)則要求的連接通孔的最小寬度的2倍與金屬層最小間距的和，起連接作用的虛擬金屬層的間距為設(shè)計(jì)規(guī)則要求的金屬層最小間距，虛擬金屬層中心距為按照設(shè)計(jì)規(guī)則計(jì)算的金屬層中心距的兩倍。如圖4所示虛擬連接通孔的寬度為設(shè)計(jì)規(guī)則要求的連接通孔寬度的2倍加上金屬間距，相鄰虛擬金屬層對虛擬通孔的最小覆蓋值為連接通孔的寬度減去設(shè)計(jì)規(guī)則要求的通孔尺寸值的一半，圖中實(shí)線區(qū)域?yàn)檫B接通孔，虛線區(qū)域?yàn)榘凑赵O(shè)計(jì)規(guī)則可放置的通孔和金屬層。步驟2互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元版圖邊框和輸入輸出端口的坐標(biāo)位置需按工藝文件中的虛擬金屬層中心距設(shè)置確定。需要注意的是，須將同一信號的PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS 網(wǎng)絡(luò)端口金屬在放置成如圖5中所示的形狀，PMOS網(wǎng)絡(luò)端口金屬放置在NMOS網(wǎng)絡(luò)端口金屬上方，金屬層寬度為連接通孔寬度，預(yù)留一個(gè)金屬層間距。圖6給出了用輔助層連接的PMOS 網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)端口金屬示意圖，輔助層寬度與工藝文件中的虛擬連接通孔寬度一致，為在布局布線過程連接輸入輸出端口做準(zhǔn)備。步驟3在LVS文件編寫過程中，利用不同的打標(biāo)層匹配真實(shí)的金屬層和輔助層，分別在版圖中對應(yīng)位置放置輸入輸出端口的標(biāo)志。完成版圖后進(jìn)行LVS檢查，保證版圖與電路圖在未添加輔助連接和添加輔助連接的對應(yīng)連接關(guān)系都正確步驟4利用添加輔助連接的版圖來完成各單元物理庫模型的抽取，版圖中PMOS網(wǎng)絡(luò)和 NMOS網(wǎng)絡(luò)端口被輔助層連接在一起，物理庫模型單元的各信號端口唯一，應(yīng)用過程中連接關(guān)系不會(huì)出現(xiàn)歧義。應(yīng)用過程中的注意事項(xiàng)有為了保證連線和通孔的方向一致性，布局布線時(shí)需注意單元方向，所有單元可以水平翻轉(zhuǎn)使用，不可以垂直翻轉(zhuǎn)使用。待用戶完成目標(biāo)芯片總版圖后，去掉單元版圖中的輔助層，并將起連接作用的金屬層和連接通孔處理成PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)分離的起連接作用的金屬層，以達(dá)到將PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)輸入輸出信號隔離的目的。
權(quán)利要求
1.互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元電路物理庫模型設(shè)計(jì)方法，其特征在于，包括如下步驟 1)計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)單元電路的單元庫中的金屬層中心距； 2)設(shè)置多個(gè)虛擬層虛擬金屬層、虛擬通孔層、虛擬連接通孔層； 3)計(jì)算多個(gè)虛擬層的參數(shù)虛擬金屬層寬度、虛擬金屬層間距、虛擬金屬層中心距、虛擬通孔寬度、相鄰虛擬金屬對虛擬通孔的覆蓋值、虛擬連接通孔的寬度； 4)根據(jù)步驟I)和3)計(jì)算的上述參數(shù)來修正標(biāo)準(zhǔn)單元電路的版圖邊框和輸入輸出端口的坐標(biāo)位置；并將CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元中同一信號的PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)金屬按如下放置PMOS網(wǎng)絡(luò)端口金屬放置在NMOS網(wǎng)絡(luò)端口金屬上方，金屬層寬度為連接通孔寬度，預(yù)留一個(gè)金屬間距； 5)用步驟2)中設(shè)置的虛擬層連接PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)端口，完成單元物理庫模型設(shè)計(jì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述步驟I)中金屬層中心距為通孔的寬度、相鄰?fù)椎淖钚「采w值的兩倍及金屬層的最小寬度的和。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述步驟3)中參數(shù)虛擬金屬層寬度設(shè)置為設(shè)計(jì)規(guī)則要求的連接通孔的最小寬度的2倍與金屬層最小間距的和；虛擬金屬層間距為設(shè)計(jì)規(guī)則要求的金屬層最小間距，虛擬金屬層中心距為按照設(shè)計(jì)規(guī)則計(jì)算的金屬層中心距的兩倍；虛擬連接通孔的寬度為設(shè)計(jì)規(guī)則要求的連接通孔寬度的2倍加上金屬層間距；相鄰虛擬金屬層對虛擬通孔的最小覆蓋至為虛擬連接通孔的寬度減去設(shè)計(jì)規(guī)則要求的通孔尺寸值的一半。
全文摘要
一種互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型CMOS標(biāo)準(zhǔn)單元電路物理庫模型設(shè)計(jì)方法，按照單元庫設(shè)計(jì)流程，在完成PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)輸入輸出信號隔離的單元電路圖和版圖的設(shè)計(jì)后，應(yīng)用輔助線和輔助層分別對電路圖和版圖PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)輸入輸出端口進(jìn)行虛擬連接，設(shè)計(jì)出不區(qū)分PMOS網(wǎng)絡(luò)和NMOS網(wǎng)絡(luò)輸入輸出端口電路圖和版圖，按照物理庫模型設(shè)計(jì)方法從增加輔助連接的版圖抽取得到滿足EDA工具格式要求物理庫模型，同時(shí)在工藝文件中設(shè)置特殊的格點(diǎn)和特殊的布線軌道。本發(fā)明使得采用互補(bǔ)數(shù)據(jù)冗余結(jié)構(gòu)型CMOS設(shè)計(jì)的超大規(guī)模集成電路能夠應(yīng)用基于標(biāo)準(zhǔn)單元的半定制設(shè)計(jì)來完成，提高了上述類型電路的設(shè)計(jì)效率。
文檔編號G06F17/50GK102622481SQ201210056380
公開日2012年8月1日 申請日期2012年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月6日
發(fā)明者盧紅利, 吳龍勝, 岳紅菊, 李海松, 王忠芳, 王鵬, 趙德益 申請人:中國航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七一研究所