用于生成識(shí)別密鑰的裝置及方法
【專利摘要】提供一種識(shí)別密鑰生成裝置，在半導(dǎo)體制備工程中違反所提供的設(shè)計(jì)規(guī)定，概率性地確定構(gòu)成電路的節(jié)點(diǎn)之間是否短路，從而來(lái)生成識(shí)別密鑰。所述識(shí)別密鑰生成裝置可包括：識(shí)別密鑰生成單元，其通過(guò)確定半導(dǎo)體芯片內(nèi)的導(dǎo)電層之間(between?conductive?layers)電連接的接點(diǎn)(contact)或通路(via)是否使所述導(dǎo)電層短路，來(lái)生成識(shí)別密鑰；和識(shí)別密鑰讀取單元，其通過(guò)讀取所述導(dǎo)電層是否由于所述通路被短路，從而來(lái)讀取識(shí)別密鑰。
【專利說(shuō)明】用于生成識(shí)別密鑰的裝置及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及數(shù)字安全領(lǐng)域，特別是一種生成識(shí)別密鑰的裝置及方法，該識(shí)別密鑰在加密與解碼方法以及數(shù)字簽名中被使用，來(lái)用于電子裝置安全性；嵌入式系統(tǒng)(Embeddedsystem)安全性；系統(tǒng)芯片SoC (System on Chip)安全性；智能卡(Smart Card)安全性,全球用戶識(shí)別卡 USIM(Universal Subscriber Identity Module)安全性等。
技術(shù)背景
[0002]隨信息化社會(huì)的高度發(fā)展，個(gè)人隱私保護(hù)的需求也正在不斷提高，因此，構(gòu)建用于將信息加密及解碼來(lái)安全傳送的安全系統(tǒng)的技術(shù)成為一種必須的十分的重要的技術(shù)。
[0003]在高度信息化的社會(huì),與高性能計(jì)算機(jī)一起,嵌入式系統(tǒng)(Embedded System)或系統(tǒng)芯片SoC(System on Chip)形態(tài)的計(jì)算機(jī)裝置的使用度也正不斷增加。例如,射頻識(shí)別 RFID (Radio-Frequency IDentif ication)、智能卡(Smart Card)、全球用戶識(shí)別卡USIM(Universal Subscriber Identity Module),一次性密碼0TP(0ne Time Password)等計(jì)算機(jī)裝置正被廣泛應(yīng)用。
[0004]為了在該計(jì)算機(jī)裝置中構(gòu)建安全系統(tǒng)，一般使用加密及解碼計(jì)算法中的加密鑰匙(Cryptographic-key)或固定識(shí)別碼，以下，加密鑰匙(Cryptographic-key)或固定識(shí)別碼被稱為識(shí)別密鑰。一般是通過(guò)在外部生成安全加密的偽隨機(jī)碼PRN(Pseudc) RandomNumber),存儲(chǔ)在閃存(Flash Memory)或電可擦只讀存儲(chǔ)器(EEPR0M, ElectricallyErasable Programmable Read-Only Memory, EEPR0M)等非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中的方法來(lái)使用該識(shí)別密鑰。
[0005]最近，有關(guān)存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)裝置中的識(shí)別密鑰，正受到旁路攻擊(side channelattack),逆向工程(reverse engineering)攻擊等多種攻擊。正對(duì)該攻擊,作為安全地生成并存儲(chǔ)識(shí)別密鑰的方法PUF(Physical Unclonable Function)技術(shù)正被開發(fā)。
[0006]PUF(Physically Unclonable Function)也稱為硬件指紋(hardwarefingerprint)，是利用電子系統(tǒng)中存在的細(xì)微物理性特征差異來(lái)生成識(shí)別密鑰，并維持或存儲(chǔ)使其不改變的技術(shù)。
[0007]為了將PUF作為識(shí)別密鑰來(lái)使用，第一，須充分確保所生成的識(shí)別密鑰的隨機(jī)數(shù)性，且第二，須針對(duì)時(shí)間流逝或使用環(huán)境的變化來(lái)維持其值不變。
[0008]但是，在現(xiàn)有的技術(shù)中較難確保充分的隨機(jī)數(shù)性，且由于隨時(shí)間流逝的物理性特征變化或使用環(huán)境的變化，仍不能解決有關(guān)所生成的識(shí)別密鑰變化的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]技術(shù)課題
[0010]提供一種識(shí)別密鑰生成裝置及方法，其利用半導(dǎo)體工程來(lái)生成隨機(jī)數(shù)值，并開發(fā)PUF技術(shù)，具有值在生成之后也不會(huì)改變的特性，從而作為識(shí)別密鑰來(lái)使用。
[0011]此外，提供一種識(shí)別密鑰生成裝置及方法，在具有數(shù)字值的形態(tài)的識(shí)別密鑰中，數(shù)字值O和數(shù)字值I之間的平衡性(balancing)被概率性地保證。
[0012]進(jìn)一步，提供一種識(shí)別密鑰生成裝置及方法，其制造費(fèi)用低廉，且制作過(guò)程簡(jiǎn)單，不能進(jìn)行物理性地復(fù)制，從而實(shí)現(xiàn)PUF來(lái)強(qiáng)力抵制外部的破壞。
[0013]技術(shù)方案
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面，提供一種識(shí)別密鑰生成裝置，在半導(dǎo)體制備工程中故意違反所提供的設(shè)計(jì)規(guī)定，概率性地確定構(gòu)成電路的節(jié)點(diǎn)之間是否短路，來(lái)生成識(shí)別密鑰。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種識(shí)別密鑰生成裝置，所述識(shí)別密鑰生成裝置包括:識(shí)別密鑰生成單元，其通過(guò)確定將半導(dǎo)體芯片內(nèi)的導(dǎo)電層之間(between conductivelayers)電連接的接點(diǎn)(contact)或通路(via)是否使所述導(dǎo)電層短路,來(lái)生成識(shí)別密鑰；和識(shí)別密鑰讀取單元，其通過(guò)讀取所述導(dǎo)電層是否由于所述通路被短路，從而來(lái)讀取識(shí)別密鑰。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述識(shí)別密鑰生成單元由包含接點(diǎn)或通路的電路來(lái)構(gòu)成。該接點(diǎn)或通路與所述半導(dǎo)體工程設(shè)計(jì)規(guī)定中的制定的尺寸要小。如上所述，通過(guò)較小設(shè)計(jì)的接點(diǎn)或通路可概率性地確定所述導(dǎo)電層之間是否短路。
[0017]此外，通過(guò)接點(diǎn)或通路，導(dǎo)電層的短路與否被確定后，由于不具有隨時(shí)間或使用環(huán)境變化的特性，因此，在生成之后其值也決定不改變。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述識(shí)別密鑰生成單元，設(shè)置接點(diǎn)或通路的尺寸，盡量將所述接點(diǎn)或通路致使所述導(dǎo)電層之間短路的概率與不能短路的概率相同。其用于使經(jīng)所述識(shí)別密鑰生成單元生成的數(shù)字值為O的概率和為I的概率盡量為1/2。
[0019]同時(shí)，所述識(shí)別密鑰生成單元，由利用一對(duì)導(dǎo)電層和連接其之間的一個(gè)接點(diǎn)或通路來(lái)生成I比特?cái)?shù)字值的電路來(lái)構(gòu)成，并可利用N個(gè)如上所述的電路來(lái)生成N比特的識(shí)別密鑰。
[0020]當(dāng)所述識(shí)別密鑰生成單元中生成的構(gòu)成N比特識(shí)別密鑰的數(shù)字值為O的概率和I的概率不到1/2時(shí)，生成的識(shí)別密鑰的隨機(jī)數(shù)性會(huì)下降。
[0021]因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，為了確保生成的識(shí)別密鑰的隨機(jī)數(shù)性，可進(jìn)一步包括用于處理所述識(shí)別密鑰的識(shí)別密鑰處理單元。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述識(shí)別密鑰生成裝置，進(jìn)一步包括:識(shí)別密鑰處理單元，當(dāng)所述識(shí)別密鑰讀取單元接收所輸入的N比特的數(shù)字值，將所述N比特的數(shù)字值以k個(gè)單位進(jìn)行分組，并在被分組的多個(gè)組中比較第I組與第2組，且所述第I組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特所構(gòu)成的值比所述第2組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特所構(gòu)成的值大時(shí)，所述識(shí)別密鑰處理單元將代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值決定為1，從而來(lái)處理所述識(shí)別密鑰。
[0023]優(yōu)選是，當(dāng)生成O和I的概率為1/2時(shí)，雖然生成的識(shí)別密鑰可最大地被確保隨機(jī)數(shù)性，但實(shí)際上，較難使O和I的生成概率為1/2。但是，如上所述，當(dāng)以k個(gè)比特進(jìn)行分組來(lái)比較兩個(gè)組時(shí)，就算O和I的生成概率不是1/2，由于兩個(gè)組具有同等的條件，因此，所述第I組比所述第2組具有更大的值的概率和具有更小的值的概率相同。
[0024]但是，在此，所述第I組和所述第2組也可能具有相同的值，在這種情況下，將代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值決定為I或O中的任何一個(gè)，或者也可以不決定。由此，在識(shí)別密鑰生成裝置中，就算O和I的生成概率不是1/2，通過(guò)識(shí)別密鑰處理單元，可最終使O和I的生成概率相同，由此可確保隨機(jī)數(shù)性。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在如上所述的包含有識(shí)別密鑰處理單元的識(shí)別密鑰生成裝置中，為了生成M比特的識(shí)別密鑰，當(dāng)以k個(gè)比特進(jìn)行分組時(shí)，須生成Mxk比特，但是，由于所述第I組和所述第2組的值相同，存在可不決定代表值的情況，因此，相比Mxk比特，制備可生成更多的比特的電路。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)側(cè)面，提供一種識(shí)別密鑰生成裝置，包括:識(shí)別密鑰生成單元，根據(jù)半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距(spacing)，利用所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的短路情況，來(lái)生成識(shí)別密鑰；和識(shí)別密鑰讀取單元，讀取所述導(dǎo)電層之間的短路情況，從而來(lái)讀取識(shí)別密鑰。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)側(cè)面，提供一種識(shí)別密鑰生成裝置，包括:識(shí)別密鑰生成單元，根據(jù)半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距(spacing)，利用所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的短路情況，來(lái)生成識(shí)別密鑰；和識(shí)別密鑰讀取單元，讀取所述導(dǎo)電層之間的短路情況，從而來(lái)讀取識(shí)別密鑰，且其中，所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距(spacing)，以違反半導(dǎo)體制備工程中所提供的設(shè)計(jì)規(guī)定的大小來(lái)設(shè)置。
[0028]在這種情況下，所述識(shí)別密鑰生成單元，可根據(jù)所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距，使所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間短路的概率和不短路的概率的差異保持在一定的誤差范圍內(nèi)。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的又另一個(gè)側(cè)面，提供一種識(shí)別密鑰生成方法，包括以下步驟:在半導(dǎo)體制備工程中故意違反所提供的設(shè)計(jì)規(guī)定，概率性地確定構(gòu)成電路的節(jié)點(diǎn)之間是否短路，來(lái)生成識(shí)別密鑰；以及通過(guò)讀取所述構(gòu)成電路的節(jié)點(diǎn)之間是否短路，從而來(lái)讀取識(shí)別密鑰。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的又另一個(gè)側(cè)面，提供一種識(shí)別密鑰生成方法，包括以下步驟:根據(jù)半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距(spacing)，通過(guò)確定所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間是否短路，來(lái)生成識(shí)別密鑰；以及通過(guò)讀取所述導(dǎo)電層之間是否短路，從而來(lái)讀取識(shí)別密鑰。其中，所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距(spacing)，以違反半導(dǎo)體制備工程中所提供的設(shè)計(jì)規(guī)定的大小來(lái)設(shè)置。
[0031]技術(shù)效果
[0032]利用半導(dǎo)體制備工程，來(lái)生成隨機(jī)(random)的識(shí)別密鑰，且該值在生成之后不會(huì)
改變，信賴度較高。
[0033]此外，在具有數(shù)字值的形態(tài)的識(shí)別密鑰中，數(shù)字值O和數(shù)字值I之間的平衡性被概率性地保證，從而可確保隨機(jī)數(shù)性。
[0034]進(jìn)一步，生成識(shí)別密鑰的費(fèi)用低廉，且制作過(guò)程簡(jiǎn)單，不能進(jìn)行物理性地復(fù)制，從而可強(qiáng)力抵制外部的破壞。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成裝置的示圖。
[0036]圖2是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0037]圖3是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元的結(jié)構(gòu)的圖表。
[0038]圖4是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0039]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的使識(shí)別密鑰生成單元中可生成識(shí)別密鑰的接點(diǎn)或通路陣列的示圖。
[0040]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，利用圖5的接點(diǎn)或通路陣列來(lái)生成識(shí)別密鑰的識(shí)別密鑰生成單元的結(jié)構(gòu)的示圖。
[0041]圖7是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰處理單元處理識(shí)別密鑰的過(guò)程的示意圖。
[0042]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成方法的示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。但是，本發(fā)明并不受實(shí)施例限制或局限，各附圖中所示出的相同符號(hào)表示相同的部件。
[0044]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成裝置100的示圖。
[0045]識(shí)別密鑰生成單元110利用半導(dǎo)體工程來(lái)生成隨時(shí)間不會(huì)改變的識(shí)別密鑰，雖然所生成的識(shí)別密鑰是隨機(jī)(random)的,但時(shí)間流逝也不會(huì)改變。
[0046]識(shí)別密鑰生成單元110所生成的識(shí)別密鑰可以是N比特(N為自然數(shù))的數(shù)字值。
[0047]所生成的識(shí)別密鑰的信賴度中最重要的要素為識(shí)別密鑰的隨機(jī)數(shù)性(或是可稱為隨機(jī))，和隨時(shí)間值也不會(huì)改變的不變性。
[0048]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元110，其被用來(lái)使半導(dǎo)體制備工程上所生成的節(jié)點(diǎn)(node)之間的短路(short)情況具隨機(jī)數(shù)性。此外，由于節(jié)點(diǎn)之間的短路情況隨時(shí)間或使用環(huán)境不會(huì)改變，因此，一次生成的識(shí)別密鑰也不會(huì)改變。
[0049]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，識(shí)別密鑰生成單元110根據(jù)半導(dǎo)體制備工程上所生成的導(dǎo)電層(conductive layers)之間接點(diǎn)或通路(via)所引起的導(dǎo)電層的短路情況來(lái)生成識(shí)別密鑰。
[0050]由于接點(diǎn)或通路被設(shè)計(jì)為使導(dǎo)電層之間連接，通常接點(diǎn)或通路被決定為可使導(dǎo)電層之間短路的尺寸。此外，通常設(shè)計(jì)規(guī)定(rule)中，為了保障使導(dǎo)電層之間短路，須確定最小的接點(diǎn)或通路尺寸。
[0051]但是，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元110的體現(xiàn)中，使接點(diǎn)或通路的尺寸故意小于設(shè)計(jì)規(guī)定，從而一部分的接點(diǎn)或通路使導(dǎo)電層之間短路，另外一部分的接點(diǎn)或通路沒有使導(dǎo)電層之間短路，由此，概率性地確定短路與否。
[0052]雖然在現(xiàn)有的半導(dǎo)體工程中，接點(diǎn)或通路沒有使導(dǎo)電層之間短路時(shí)工程上為失敗，但可將其用來(lái)生成具隨機(jī)數(shù)性的識(shí)別密鑰。
[0053]根據(jù)實(shí)施例的接點(diǎn)或通路的尺寸設(shè)定將參照?qǐng)D2至圖3來(lái)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0054]同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，識(shí)別密鑰生成單元110將半導(dǎo)體制備工程中導(dǎo)電線之間的間距(spacing)故意決定為小于設(shè)計(jì)規(guī)定,從而概率性地確定導(dǎo)電線之間是否短路，由此生成具隨機(jī)數(shù)性的識(shí)別密鑰。
[0055]在該實(shí)施例中，故意違反現(xiàn)有的半導(dǎo)體制備工程中對(duì)于保證導(dǎo)電線之間開路的設(shè)計(jì)規(guī)定，即，一定標(biāo)準(zhǔn)以上的間距，來(lái)生成隨機(jī)的識(shí)別密鑰。
[0056]上述實(shí)施例的導(dǎo)電線間距的設(shè)定將參照?qǐng)D4來(lái)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0057]識(shí)別密鑰生成單元110，將根據(jù)上述實(shí)施例生成的識(shí)別密鑰電力地生成，可通過(guò)讀取晶體管(read transistor)來(lái)識(shí)別導(dǎo)電層之間是否由于接點(diǎn)或通道被短路,或是導(dǎo)電線之間是否短路。該結(jié)構(gòu)將參照?qǐng)D6進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0058]同時(shí)，在利用上述的接點(diǎn)或通路的尺寸調(diào)整的實(shí)施例中，就算調(diào)整接點(diǎn)或通路的尺寸，從而調(diào)整用于使導(dǎo)電層之間短路的接點(diǎn)或通路與沒有使導(dǎo)電層之間短路的通路的比率盡量為1/2的相同概率，但是也不能保證在短路時(shí)(例如，數(shù)字值為O)與不短路時(shí)(例如，數(shù)字值為I)的比率概率性地完全相同。
[0059]S卩，接點(diǎn)或通道的尺寸按設(shè)計(jì)規(guī)定中的值越大，斷路的概率也就越大，相反，越小，沒有短路的概率也就越大。短路時(shí)和沒有短路時(shí)的概率中任何一方增大時(shí)，所生成的識(shí)別密鑰的隨機(jī)數(shù)性也就越低。
[0060]該問(wèn)題，在上述調(diào)整導(dǎo)電線之間的間距(spacing)的實(shí)施例中也亦然。
[0061]因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的，識(shí)別密鑰生成裝置100進(jìn)一步包括識(shí)別密鑰處理單元130，其處理識(shí)別密鑰生成單元110所生成的識(shí)別密鑰來(lái)保證隨機(jī)數(shù)性。作為參考，在本說(shuō)明書中，識(shí)別密鑰處理單元雖然作為技術(shù)用語(yǔ)來(lái)使用，但不應(yīng)解釋為通過(guò)附加的技法或計(jì)算法來(lái)加工所生成的識(shí)別密鑰，應(yīng)理解為是表示執(zhí)行O和I之間的平衡性(balancing)的一系列構(gòu)成，來(lái)用于保證所生成的識(shí)別密鑰的隨機(jī)數(shù)性。
[0062]該識(shí)別密鑰處理單元130的運(yùn)作將參照?qǐng)D7來(lái)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0063]圖2是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0064]其示出在半導(dǎo)體制備工程中，金屬層1202和金屬層2201之間的通路被形成。
[0065]在根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)定使通路尺寸足夠大的組210中，所有的通路使金屬層1202和金屬層2201短路，且將短路情況以數(shù)字值來(lái)表示時(shí)，全都為O。
[0066]同時(shí)，在通路尺寸非常小的組230中，所有的通路沒有使金屬層1202和金屬層2201短路。因此，將短路情況以數(shù)字值來(lái)表示時(shí)，全都為I。
[0067]此外，在通路尺寸為組210和組230之間的組220中，一部分通路使金屬層1202和金屬層2201短路，且另外一部分通路沒有使金屬層1202和金屬層2201短路。
[0068]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元110與組220相同地來(lái)設(shè)定通路尺寸，一部分通路使金屬層1202和金屬層2201短路，且另外一部分通路沒有使金屬層1202和金屬層2201短路。
[0069]有關(guān)通路尺寸的設(shè)計(jì)規(guī)定根據(jù)半導(dǎo)體工程可有所不同，例如，0.1Sum的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 CMOS (Complementary metal - oxide - semiconductor)工程中，當(dāng)通路的設(shè)計(jì)規(guī)定為0.25um時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元110中將通路尺寸設(shè)定為0.19um，概率性地分布金屬層之間是否短路。
[0070]優(yōu)選是，該短路與否的概率分布為50%的短路概率，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元110，其結(jié)構(gòu)為使所述概率分布最大地接近于50%來(lái)設(shè)定通路尺寸。在該通路尺寸設(shè)定過(guò)程中，可根據(jù)工程試驗(yàn)來(lái)決定通路尺寸。
[0071]圖3是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元的結(jié)構(gòu)的圖表。
[0072]在圖表中，可確定通路的尺寸越大，金屬層之間的短路概率接近于I。根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)定的通路尺寸Sd，為可充分保證金屬層之間的短路的值。
[0073]此外，Sm是理論性金屬層的短路概率為0.5的通路尺寸，如圖所示，雖然根據(jù)工程值互不相同，經(jīng)試驗(yàn)可找到最相似的值，但較難找到正確的SM。
[0074]因此，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元110中，根據(jù)具體的試驗(yàn)，金屬層之間的短路情況可設(shè)定在0.5至具一定的允許誤差的Sxl和Sx2范圍之內(nèi)(所述Sxl和Sx2雖然沒有圖示，但其為Sx附近的一定區(qū)域內(nèi))。[0075]圖4是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0076]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，可調(diào)整金屬線之間的間距，從而概率性地確定金屬線之間是否短路。
[0077]在充分保證金屬線之間的短路將金屬線間距較小設(shè)定的組410中，金屬線在所有情況下被短路。
[0078]此外，在將金屬線間距較大設(shè)定的組430中，金屬線在所有情況下不短路。
[0079]在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元110中，類似組420來(lái)設(shè)定金屬線間距，使金屬線中的一部分被短路，且一部分沒有被短路，從而概率性地實(shí)現(xiàn)短路。
[0080]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元110為生成識(shí)別密鑰，半導(dǎo)體層中所形成的接點(diǎn)或通路陣列的示例性結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0081]其示出半導(dǎo)體基板(substrate)中被層壓的金屬層之間制備有橫向M個(gè)的通路，縱向N個(gè)(但M和N是自然數(shù))，總共M*N個(gè)的通路。
[0082]識(shí)別密鑰生成單元110可根據(jù)M*N個(gè)的通路是否使金屬層之間短路(數(shù)字值為O)還是沒有短路(數(shù)字值為1)，來(lái)生成M*N比特(bit)的識(shí)別密鑰。
[0083]此外，上述生成的M*N比特的識(shí)別密鑰由識(shí)別密鑰讀取單元120被讀取。
[0084]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成單元120的具體的電路結(jié)構(gòu)的示圖。
[0085]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，識(shí)別密鑰生成單元120利用讀取晶體管在基準(zhǔn)電壓Vdd和接地(ground)之間檢測(cè)是否短路。
[0086]由下拉電路構(gòu)成的圖6的示例中(在本說(shuō)明中，就算沒有提到，但通過(guò)上拉電路的示例可被確定，因此省略有關(guān)下拉電路的說(shuō)明)，當(dāng)識(shí)別密鑰生成單元110內(nèi)的個(gè)別通路使金屬層短路時(shí)，輸出值為0，不短路時(shí)輸出值為I。通過(guò)上述過(guò)程，識(shí)別密鑰生成單元110生成識(shí)別密鑰。
[0087]當(dāng)然，利用金屬線之間的短路的實(shí)施例也如上所述來(lái)生成識(shí)別密鑰。
[0088]雖然根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖6的識(shí)別密鑰生成單元120的結(jié)構(gòu)僅為一個(gè)實(shí)施例，但本發(fā)明不僅局限于該實(shí)施例。
[0089]因此，當(dāng)通過(guò)檢測(cè)識(shí)別密鑰生成單元110內(nèi)的金屬層之間或金屬線之間是否短路來(lái)生成數(shù)字值的結(jié)構(gòu)時(shí)，可在不超出本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行改變，此外，該結(jié)構(gòu)不排除在本發(fā)明的范圍之外。
[0090]同時(shí)，由識(shí)別密鑰生成單元110生成的密鑰，被傳送并存儲(chǔ)至識(shí)別密鑰讀取單元120中，識(shí)別密鑰讀取單元120可以是用于接收并存儲(chǔ)生成的識(shí)別密鑰的寄存器或觸發(fā)器(未示圖)。
[0091]以下，就算沒有說(shuō)明，也應(yīng)理解為識(shí)別密鑰讀取單元不僅可以是用于讀取并存儲(chǔ)生成的識(shí)別密鑰的寄存器或觸發(fā)器，也可以是起到相同作用的其他結(jié)構(gòu)。
[0092]圖7是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰處理單元處理識(shí)別密鑰的過(guò)程的示意圖。
[0093]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，識(shí)別密鑰處理單元130將識(shí)別密鑰生成單元110所生成的M*N比特的數(shù)字值以一定的個(gè)數(shù)分組。
[0094]雖然，在本說(shuō)明書中參照?qǐng)D7，針對(duì)將數(shù)字值分組進(jìn)行了說(shuō)明，但其僅為例示的實(shí)施例，其在由寄存器或觸發(fā)器構(gòu)成的識(shí)別密鑰讀取單元120中也可將寄存器或觸發(fā)器分組，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可在不超出本發(fā)明的范圍內(nèi)對(duì)此進(jìn)行改變。
[0095]在圖7的示例中，4個(gè)數(shù)字值被分成一組。
[0096]此外，識(shí)別密鑰處理單元比較組710和組720各自所生成的4比特?cái)?shù)字值的大小。此外，當(dāng)組710的4比特?cái)?shù)字值比組720的4比特?cái)?shù)字值大時(shí)，將代表所述組710和組720的數(shù)字值決定為I。
[0097]相反，當(dāng)組710的4比特?cái)?shù)字值比組720的4比特?cái)?shù)字值小時(shí)，將代表所述組710和組720的數(shù)字值決定為O。
[0098]當(dāng)然，當(dāng)組720的4比特?cái)?shù)字值比組710的4比特?cái)?shù)字值大時(shí)，也可將代表數(shù)字值決定為I。
[0099]當(dāng)組710的4比特?cái)?shù)字值和組720的4比特?cái)?shù)字值相同時(shí)，將代表數(shù)字值決定為I或0，或是也很以不決定代表數(shù)字值。
[0100]在該方式中，可比較組730和組740來(lái)生成代表數(shù)字值，利用生成的識(shí)別密鑰來(lái)決定最終的識(shí)別密鑰。
[0101]該過(guò)程可理解為是用于提高識(shí)別密鑰的隨機(jī)數(shù)性的識(shí)別密鑰處理過(guò)程。
[0102]在識(shí)別密鑰生成單元110中，由于短路的比率(數(shù)字值O)和不短路的比率(數(shù)字值I)互不相同，可能會(huì)出現(xiàn)O和I的平衡性(balancing)不符的情況，但是，由于在此情況下，在各比特中I和O被生成的概率對(duì)于兩個(gè)組來(lái)說(shuō)是相同的(就算概率不是50%)，因此，兩個(gè)組中的任何一個(gè)組比另一個(gè)組具備更大的數(shù)字值的概率為50%。因此，通過(guò)上述過(guò)程，可理解為O和I的概率平衡性相符。
[0103]同時(shí)，原生成的識(shí)別密鑰為M*N時(shí)，在圖7中，識(shí)別密鑰處理單元130所最終決定的識(shí)別密鑰可為(M*N/8)比特。從而利用8比特的數(shù)字值來(lái)決定新的I比特的數(shù)字值。
[0104]此外，雖然參照本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)識(shí)別密鑰處理單元130的分組或識(shí)別密鑰處理過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明，但是，用于維持?jǐn)?shù)字值O和I的平衡性的識(shí)別密鑰處理過(guò)程可在不超出本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行改變。
[0105]由識(shí)別密鑰生成單元110生成及識(shí)別密鑰處理單元130所決定的新識(shí)別密鑰，其具有隨機(jī)數(shù)性，且一次生成后，成為理論上永久不變的具信賴性的值。
[0106]因此，根據(jù)本方明的一個(gè)實(shí)施例，無(wú)須較高的制造費(fèi)用便可制備出值不會(huì)隨時(shí)間而改變的具隨機(jī)特性的可信賴的識(shí)別密鑰。
[0107]此外，在半導(dǎo)體制備工程中，上述隨機(jī)的識(shí)別密鑰被生成，由于該識(shí)別密鑰在制造結(jié)束后也不改變，因此不需要現(xiàn)有方法中的將外部的識(shí)別密鑰記錄在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中的另外的過(guò)程，且就算半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)圖被泄漏，由于制備工程上物理性特征的差異，識(shí)別密鑰一旦生成不可復(fù)制，因此較高的安全性。此外，不需要非揮發(fā)性存儲(chǔ)器制備工程，因此，可減少制造費(fèi)用。
[0108]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的識(shí)別密鑰生成方法的示圖。
[0109]在步驟810中，識(shí)別密鑰生成單元110生成識(shí)別密鑰。
[0110]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，識(shí)別密鑰生成單元110，其特征在于半導(dǎo)體制備工程上生成的節(jié)點(diǎn)(node)之間的短路(short)與否具隨機(jī)數(shù)性。此外，由于節(jié)點(diǎn)之間的短路特征不會(huì)物理性地改變，因此，一次生成的識(shí)別密鑰也不會(huì)改變。[0111]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，識(shí)別密鑰生成單元110通過(guò)確定半導(dǎo)體制備工程上生成的導(dǎo)電層(conductive layers)之間是否由于接點(diǎn)或通路(via)被短路,從而來(lái)生成識(shí)別密鑰。根據(jù)上述實(shí)施例的接點(diǎn)或通路的尺寸設(shè)定可與參照?qǐng)D2至圖3所述的相同。
[0112]同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，識(shí)別密鑰生成單元110在半導(dǎo)體制備工程中調(diào)整導(dǎo)電線線之間的間距(spacing)，從而使導(dǎo)電線中的一部分短路，且一部分不短路，從而生成具隨機(jī)數(shù)性的識(shí)別密鑰。該實(shí)施例與參照?qǐng)D4至圖6所述的相同。
[0113]在步驟820中，識(shí)別密鑰單元120將根據(jù)上述實(shí)施例生成的識(shí)別密鑰存儲(chǔ)在寄存器或觸發(fā)器中并保存。在識(shí)別密鑰的生成和讀取過(guò)程中，可利用讀取寄存器(readtransistor)來(lái)識(shí)別導(dǎo)電層之間是否由于接點(diǎn)或通路被短路，或是導(dǎo)電線之間是否短路。該過(guò)程與參照?qǐng)D6所述的相同。
[0114]此外，在步驟830中，識(shí)別密鑰處理單元130處理識(shí)別密鑰生成單元110所生成的識(shí)別密鑰來(lái)保證隨機(jī)數(shù)性。
[0115]上述識(shí)別密鑰處理過(guò)程與參照?qǐng)D7所述的相同。
[0116]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法，其可通過(guò)多種計(jì)算機(jī)手段被記錄在執(zhí)行各種操作的程序指令的計(jì)算機(jī)可讀媒體。該媒體計(jì)算機(jī)可讀媒體可包括獨(dú)立的或結(jié)合的程序指令、數(shù)據(jù)文件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等。媒體和程序指令可專門為本發(fā)明的目的設(shè)計(jì)和創(chuàng)建，或?yàn)橛?jì)算機(jī)軟件技術(shù)人員熟知而應(yīng)用。計(jì)算機(jī)可讀媒體的例子包括:磁媒體(magnetic media),如硬盤、軟盤和磁帶；光學(xué)媒體(optical media),如⑶ROM、DVD ;磁光媒體(magneto-opticalmedia),如光盤(floptical disk);和專門配置為存儲(chǔ)和執(zhí)行程序指令的硬件設(shè)備,如只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)等。程序指令的例子，既包括機(jī)器代碼，如由編譯器產(chǎn)生的，也包括含有可由計(jì)算機(jī)使用解釋程序執(zhí)行的更高級(jí)代碼的文件。所述硬件設(shè)備可配置為作為一個(gè)以上軟件模塊運(yùn)行以執(zhí)行上面所述的本發(fā)明的示例性實(shí)施例的操作，反之亦然。
[0117]如上所示，本發(fā)明雖然已參照有限的實(shí)施例和附圖進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明并不局限于所述實(shí)施例，在本發(fā)明所屬領(lǐng)域中具備通常知識(shí)的人均可以從此記載中進(jìn)行各種修改和變形。
[0118]因此，本發(fā)明的范圍不受說(shuō)明的實(shí)施例的局限或定義，而是由后附的權(quán)利要求范圍以及與權(quán)利要求范圍等同的內(nèi)容來(lái)定義。
【權(quán)利要求】
1.一種識(shí)別密鑰生成裝置，包括: 識(shí)別密鑰生成單元，在半導(dǎo)體制備工程中違反所提供的設(shè)計(jì)規(guī)定，概率性地確定構(gòu)成電路的節(jié)點(diǎn)之間是否短路，來(lái)生成識(shí)別密鑰；和 識(shí)別密鑰讀取單元，讀取所述構(gòu)成電路的節(jié)點(diǎn)之間是否短路，從而來(lái)讀取識(shí)別密鑰。
2.如權(quán)利要求1所述的識(shí)別密鑰生成裝置，其中，所述構(gòu)成電路的節(jié)點(diǎn)為半導(dǎo)體的導(dǎo)電層，且 所述識(shí)別密鑰生成單元，通過(guò)確定所述半導(dǎo)體的導(dǎo)電層之間形成的接點(diǎn)或通路是否使所述導(dǎo)電層短路，來(lái)生成識(shí)別密鑰。
3.如權(quán)利要求2所述的識(shí)別密鑰生成裝置，其中，所述識(shí)別密鑰讀取單元，讀取所述導(dǎo)電層之間是否由于所述接點(diǎn)或通路被短路，從而來(lái)讀取所述識(shí)別密鑰。
4.如權(quán)利要求2所述的識(shí)別密鑰生成裝置，其中，所述半導(dǎo)體的導(dǎo)電層之間所形成的所述接點(diǎn)或通路，其尺寸比半導(dǎo)體制備工程中提供的設(shè)計(jì)規(guī)定的尺寸要小。
5.如權(quán)利要求2所述的識(shí)別密鑰生成裝置，其中，所述識(shí)別密鑰生成單元，根據(jù)所述接點(diǎn)或通路的尺寸，使所述半導(dǎo)體的導(dǎo)電層之間所形成的所述接點(diǎn)或通路致使所述導(dǎo)電層短路的概率與不短路的概率的差異保持在一定的誤差范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的識(shí)別密鑰生成裝置，其中，所述識(shí)別密鑰生成單元，利用N個(gè)通過(guò)一對(duì)導(dǎo)電層和連接其之間的一個(gè)接點(diǎn)或通路來(lái)生成I比特?cái)?shù)字值的單位結(jié)構(gòu)，且通過(guò)所述N個(gè)的單位結(jié)構(gòu)來(lái)生成N比特的識(shí)別密鑰，其中，N是自然數(shù)。
7.如權(quán)利要求6所述的識(shí)別密鑰生成裝置，進(jìn)一步包括: 識(shí)別密鑰處理單元，當(dāng)所述識(shí)別密鑰讀取單元接收所輸入的N比特的數(shù)字值，將所述N比特的數(shù)字值以k個(gè)單位進(jìn)行分組，并在被分組的多個(gè)組中比較第I組與第2組，且所述第I組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特所構(gòu)成的值比所述第2組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特所構(gòu)成的值大時(shí)，所述識(shí)別密鑰處理單元將代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值確定為1，從而來(lái)處理所述識(shí)別密鑰，其中，k是自然數(shù)。
8.如權(quán)利要求7所述的識(shí)別密鑰生成裝置，其中，所述識(shí)別密鑰處理單元，當(dāng)所述第I組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特構(gòu)成的值與所述第2組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特構(gòu)成的值相同時(shí)，根據(jù)設(shè)置選擇性地將代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值確定為I或O中的任何一個(gè)，或是不確定代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值。
9.一種識(shí)別密鑰生成裝置，包括: 識(shí)別密鑰生成單元，根據(jù)半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距，通過(guò)確定所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間是否短路，來(lái)生成識(shí)別密鑰；和 識(shí)別密鑰讀取單元，通過(guò)讀取所述導(dǎo)電層之間是否短路，從而來(lái)讀取識(shí)別密鑰，且 其中，所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距，以違反半導(dǎo)體制備工程中所提供的設(shè)計(jì)規(guī)定的大小來(lái)設(shè)置。
10.如權(quán)利要求9所述的識(shí)別密鑰生成裝置，其中，所述識(shí)別密鑰生成單元，根據(jù)所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距，使所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間短路的概率和不短路的概率的差異保持在一定的誤差范圍內(nèi)。
11.如權(quán)利要求9所述的識(shí)別密鑰生成裝置，其中，所述識(shí)別密鑰生成單元，通過(guò)N個(gè)具相同間距的導(dǎo)電層對(duì)，并根據(jù)所述N個(gè)導(dǎo)電層對(duì)各自的短路情況，來(lái)生成I比特的數(shù)字值，從而所述N個(gè)導(dǎo)電層對(duì)生成N比特的識(shí)別密鑰，其中，N是自然數(shù)。
12.如權(quán)利要求11所述的識(shí)別密鑰生成裝置，進(jìn)一步包括: 識(shí)別密鑰處理單元，當(dāng)所述識(shí)別密鑰讀取單元接收所輸入的N比特的數(shù)字值，將所述N比特的數(shù)字值以k個(gè)單位進(jìn)行分組，并在被分組的多個(gè)組中比較第I組與第2組，且所述第I組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特所構(gòu)成的值比所述第2組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特所構(gòu)成的值大時(shí)，所述識(shí)別密鑰處理單元將代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值確定為1，從而來(lái)處理所述識(shí)別密鑰，其中，k是自然數(shù)。
13.如權(quán)利要求12所述的識(shí)別密鑰生成裝置，其中，所述識(shí)別密鑰處理單元，當(dāng)所述第I組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特構(gòu)成的值與所述第2組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特構(gòu)成的值相同時(shí)，根據(jù)設(shè)置選擇性地將代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值確定為I或O中的任何一個(gè)，或是不設(shè)定代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值。
14.一種識(shí)別密鑰生成方法，包括以下步驟: 在半導(dǎo)體制備工程中違反所提供的設(shè)計(jì)規(guī)定，概率性地確定構(gòu)成電路的節(jié)點(diǎn)之間是否短路，來(lái)生成識(shí)別密鑰；以及 讀取所述構(gòu)成電路的節(jié)點(diǎn)之間的短路情況，從而來(lái)讀取識(shí)別密鑰。
15.如權(quán)利要求14所 述的識(shí)別密鑰生成方法，其中，所述構(gòu)成電路的節(jié)點(diǎn)為半導(dǎo)體的導(dǎo)電層，且 所述識(shí)別密鑰生成步驟，通過(guò)確定所述半導(dǎo)體的導(dǎo)電層之間形成的接點(diǎn)或通路是否使所述導(dǎo)電層短路，來(lái)生成識(shí)別密鑰。
16.如權(quán)利要求15所述的識(shí)別密鑰生成方法，其中，所述識(shí)別密鑰讀取步驟，通過(guò)讀取所述導(dǎo)電層之間是否由于所述接點(diǎn)或通路被短路，從而來(lái)讀取所述識(shí)別密鑰。
17.如權(quán)利要求15所述的識(shí)別密鑰生成方法，其中，所述半導(dǎo)體的導(dǎo)電層之間所形成的所述接點(diǎn)或通路，其尺寸比半導(dǎo)體制備工程中提供的設(shè)計(jì)規(guī)定的尺寸要小。
18.如權(quán)利要求15所述的識(shí)別密鑰生成方法，其中，所述識(shí)別密鑰生成步驟，設(shè)定所述接點(diǎn)或通路的尺寸，使所述半導(dǎo)體的導(dǎo)電層之間所形成的所述接點(diǎn)或通路致使所述導(dǎo)電層短路的概率與不短路的概率的差異保持在一定的誤差范圍內(nèi)。
19.如權(quán)利要求14所述的識(shí)別密鑰生成方法，其中，所述識(shí)別密鑰生成步驟，利用N個(gè)通過(guò)一對(duì)導(dǎo)電層和連接其之間的一個(gè)接點(diǎn)或通路來(lái)生成I比特?cái)?shù)字值的單位結(jié)構(gòu)，且通過(guò)所述N個(gè)的單位結(jié)構(gòu)來(lái)生成N比特的識(shí)別密鑰，其中，N是自然數(shù)。
20.如權(quán)利要求19所述的識(shí)別密鑰生成方法，進(jìn)一步包括: 識(shí)別密鑰處理步驟，當(dāng)所述識(shí)別密鑰讀取單元接收所輸入的N比特的數(shù)字值，將所述N比特的數(shù)字值以k個(gè)單位進(jìn)行分組，并在被分組的多個(gè)組中比較第I組與第2組，且所述第I組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特所構(gòu)成的值比所述第2組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特所構(gòu)成的值大時(shí)，所述識(shí)別密鑰處理單元將代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值確定為1，從而來(lái)處理所述識(shí)別密鑰，其中，k是自然數(shù)。
21.如權(quán)利要求20所述的識(shí)別密鑰生成方法，其中，所述識(shí)別密鑰處理步驟，當(dāng)所述第I組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特構(gòu)成的值與所述第2組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特構(gòu)成的值相同時(shí)，根據(jù)設(shè)置選擇性地將代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值確定為I或O中的任何一個(gè)，或是不確定代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值。
22.—種識(shí)別密鑰生成方法，包括以下步驟: 根據(jù)半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距，通過(guò)確定所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間是否短路，來(lái)生成識(shí)別密鑰；以及 讀取所述導(dǎo)電層之間是否短路，從而來(lái)讀取識(shí)別密鑰，且 其中，所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距，以違反半導(dǎo)體制備工程中所提供的設(shè)計(jì)規(guī)定的大小來(lái)設(shè)置。
23.如權(quán)利要求22所述的識(shí)別密鑰生成方法，其中，所述識(shí)別密鑰生成步驟，設(shè)置所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間的間距，使所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之間短路的概率和不短路的概率的差異保持在一定的誤差范圍內(nèi)。
24.如權(quán)利要求22所述的識(shí)別密鑰生成方法，其中，所述識(shí)別密鑰生成步驟，通過(guò)N個(gè)具相同間距的導(dǎo)電層對(duì)，并根據(jù)所述N個(gè)導(dǎo)電層對(duì)各自的短路情況，來(lái)生成I比特的數(shù)字值，從而所述N個(gè)導(dǎo)電層對(duì)生成N比特的識(shí)別密鑰，其中，N是自然數(shù)。
25.如權(quán)利要求24所述的識(shí)別密鑰生成方法，進(jìn)一步包括: 識(shí)別密鑰處理步驟 ，當(dāng)所述識(shí)別密鑰讀取單元接收所輸入的N比特的數(shù)字值，將所述N比特的數(shù)字值以k個(gè)單位進(jìn)行分組，并在被分組的多個(gè)組中比較第I組與第2組，且所述第I組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特所構(gòu)成的值比所述第2組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特所構(gòu)成的值大時(shí)，所述識(shí)別密鑰處理單元將代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值確定為1，從而來(lái)處理所述識(shí)別密鑰，其中，k是自然數(shù)。
26.如權(quán)利要求25所述的識(shí)別密鑰生成方法，其中，所述識(shí)別密鑰處理步驟，當(dāng)所述第I組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特構(gòu)成的值與所述第2組中所包含的由k個(gè)數(shù)字比特構(gòu)成的值相同時(shí)，根據(jù)設(shè)置選擇性地將代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值確定為I或O中的任何一個(gè)，或是不確定代表所述第I組和所述第2組的數(shù)字值。
27.—種記錄有用于執(zhí)行權(quán)利要求14至26中任何一項(xiàng)的識(shí)別密鑰生成方法的軟件的計(jì)算機(jī)可讀記錄媒體。
【文檔編號(hào)】G06F21/73GK103443801SQ201180066876
【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2011年1月28日 優(yōu)先權(quán)日:2010年12月9日
【發(fā)明者】金東奎, 崔秉德, 金兌郁 申請(qǐng)人:Ictk有限公司