專利名稱：包括導電圖形的觸摸面板及其制備方法
技術領域：
本申請要求于2010年10月19日向KIPO提交的韓國專利申請第10-2010-0102109號的優(yōu)先權，其公開的內容以整體引用的方式并入到本文中。本發(fā)明涉及一種觸摸面板及其制備方法。具體而言，本發(fā)明涉及一種包括導電圖形的觸摸面板及其制備方法。更具體而言，本發(fā)明涉及一種觸摸面板，其中，通過使用導電圖形改善了構成觸摸面板的導電圖形的隱藏性能，以及涉及一種制備所述觸摸面板的方法。
背景技術：
一般而言，靜電電容型觸摸面板使用基于ITO的導電膜，但是ITO的缺點在于，當將ITO應用至大面積的觸摸面板時，通過ITO的RC延遲的實現(xiàn)速度較低，使得難以將ITO應用至大面積上。此外，在其中觸摸屏是通過使用其上沉積有ITO的膜制備的情況下，由于通過ITO膜的彎曲導致的裂縫，難以處理所述觸摸屏。在所述缺點中，特別是，為了克服由RC延遲的放大的問題，已經作出了引入額外的補償芯片的努力，但是其問題在于成本增加了。為了克服所述問題，許多公司正在開發(fā)使用金屬圖形替代ITO導電膜的技術。然而，這種技術的缺點在于在其中使用通用的單一金屬的情況下，由于金屬的高反射系數(shù)，就可視性而言，人眼不能很好地識別圖形，以及對于外部光，由于高反射系數(shù)和霧度值，可能發(fā)生眩光。

發(fā)明內容
技術問題在改善導電圖形的可視性和在觸摸面板中對于外部光的反射性能的努力下作出本發(fā)明，所述觸摸面板包括在有效圖像部分中設置的導電圖形，其不同于使用基于ITO導電膜的已知的觸摸面板。技術方案本發(fā)明的一個示例性的實施方式提供了一種結構體，其包括:基板；設置在所述基板的至少一個表面上的導電層；和設置在所述導電層的至少一個表面上的光吸收層。本發(fā)明的另一個示例性的實施方式提供了一種觸摸面板，其包括:結構體，其包括基板；導電圖形，其被設置在所述基板的至少一個表面上；和光吸收圖形，其被設置在所述導電圖形的至少一個表面上且被設置在對應于所述導電圖形的區(qū)域的至少一部分上。本發(fā)明的再一示例性的實施方式提供了一種包括所述觸摸面板和顯示組件的顯示器。本發(fā)明的再一示例性的實施方式提供了一種結構體，其包括:透明基板；導電層，其被設置在所述透明基板的至少一個表面上且包含金屬、金屬合金、金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物中的至少一種；和光吸收層，其被設置在所述導電層的至少一個表面上，其中，所述光吸收層被設置在所述導電層與透明基板之間，在所述透明基板側測量的總反射系數(shù)為15%以下。
本發(fā)明的再一示例性的實施方式提供了一種觸摸面板，其包括:結構體，其包括透明基板；導電圖形，其被設置在所述透明基板的至少一個表面上且包含選自如下中的至少一種:選自鋁、銀、銅、鑰、釹和鎳中的一種以上的金屬；選自所述金屬中的兩種以上的金屬的合金；包含選自所述金屬中的一種以上的金屬的氧化物；包含選自所述金屬中的一種以上的金屬的氮化物；和包含選自所述金屬中的一種以上的金屬的氮氧化物；和光吸收圖形，其被設置在所述導電圖形的至少一個表面上且被設置在對應于所述導電圖形的區(qū)域的至少一部分上。有益效果根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式，在包括設置在有效圖像部分的導電圖形的觸摸面板中，通過在用戶的觀看側引入光吸收圖形可以防止由導電圖形導致的反射而不會影響所述導電圖形的電導率，并且通過提高光吸收性可以改善所述導電圖形的隱藏性能。此外，通過引入如上所述的光吸收圖形可以進一步提高所述觸摸面板的對比性能。


圖1至3顯示了被包括在根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板中的基板、導電圖形和光吸收圖形的層壓結構。圖4顯示了在根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板中的光的光程。圖5顯示了在根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板中的光吸收圖形和導電圖形的線寬之間的關系。圖6和圖7顯示了在其中根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的觸摸面板具有兩個以上層壓體的情況下的層壓結構。圖8顯示了根據(jù)實驗實施例1的層壓體。圖9顯示了用于測量根據(jù)實驗實施例6的反射系數(shù)的層壓體。圖10顯示了用于測量根據(jù)實驗實施例7的反射系數(shù)的層壓體。圖11為顯示在實驗實施例1、實驗實施例5和實驗實施例7中測量的反射系數(shù)的圖。圖12為顯示實驗實施例1的結構體的顯微鏡反射光測量結果的圖。圖13為顯示實驗實施例1的結構體的太陽光衍射反射圖形結果的圖。圖14為顯示實驗實施例5的結構體的顯微鏡反射光測量結果的圖。圖15為顯示實驗實施例5的結構體的太陽光衍射反射圖形結果的圖。圖16至18為顯示根據(jù)本發(fā)明的詳細的實施例的結構體的光吸收層的色度和總反射系數(shù)的圖。
具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明的一個示例性的實施方式的結構體，其包括:基板；設置在所述基板的至少一個表面上的導電層；和設置在所述導電層的至少一個表面上的光吸收層。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，所述光吸收層表示具有光吸收性的層，以及除了光吸收層之外，還可以由術語，例如，黑色層或深色層表示。在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的結構體中，在所述光吸收層的與所述導電層接觸的表面的相對的表面的方向上測量的總反射系數(shù)可以為15%以下，10%以下，5%以下，和3%以下。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，所述總反射系數(shù)表示:在待測量的表面的相對的表面被黑色層(優(yōu)選黑色)處理之后，在待測量的表面上以90°的角度入射的550nm的光的反射系數(shù)。在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的結構體中，所述光吸收層被設置在所述導電層與基板之間，以及在所述基板側測量的總反射系數(shù)可以為15%以下，10%以下，5%以下，和3%以下。在根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式結構體中，所述光吸收層被設置在與所述基板接觸的導電層的表面的相對表面上，以及在所述光吸收層側測量的總反射系數(shù)可以為15%以下，10%以下，5%以下，和3%以下。在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的結構體中，測量了在所述光吸收層的待測量的表面上以90°的角度入射的光的總反射系數(shù)，并且示于圖16至18。如在圖16和圖18中所示，在其中對550nm的光的總反射系數(shù)為15%以下，優(yōu)選10%以下，更優(yōu)選5%以下，并且更加優(yōu)選3%以下的情況下，可以發(fā)現(xiàn)所述光吸收層可以充分地發(fā)揮其作用。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的結構體的20°光澤度值可以為350以下和300以下。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的結構體的60°光澤度值可以為300以下和250以下。圖16的根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的20°光澤度值為76，以及60°光澤度值為112。圖17的根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的20°光澤度值為237，以及60°光澤度值為197。圖18的根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的20°光澤度值為10，以及60°光澤度值為64。基于CIE色坐標，根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的結構體的顏色范圍(colorrange)的L值可以為I至40。更具體而言，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍可以為30至40，25至30，16至25，5至16，以及I至5。基于CIE色坐標，下面圖16的根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的結構體的光吸收層的顏色范圍的L值為25至30，以及基于CIE色坐標，下面的圖18的根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的結構體的光吸收層的顏色范圍的L值為5至12。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的結構體表示其中基板、導電層和光吸收層作為單獨的層層疊的結構，以及其中導電層和光吸收層通過例如濺射的沉積法依次沉積的多層結構。根據(jù)本發(fā)明的示例性的結構體還可以由例如層壓體和多層結構體的術語表示。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板，其包括:結構體，其包括基板；導電圖形，其被設置在所述基板的至少一個表面上；和光吸收圖形，其被設置在所述導電圖形的至少一個表面上且被設置在對應于所述導電圖形的區(qū)域的至少一部分上。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，在包括設置在有效圖形部分中的導電圖形的觸摸面板中，發(fā)現(xiàn)由所述導電圖形形成的光反射主要影響所述導電圖形的可視性，需要努力去改進它。具體而言，在已知的基于ITO的觸摸面板中，由于ITO的高透射率，由于所述導電圖形的反射系數(shù)的問題沒有突出地顯示，但是發(fā)現(xiàn)所述導電圖形的反射系數(shù)和光吸收在包括設置在有效圖形部分中的導電圖形的觸摸面板中是重要的。因此，在本發(fā)明的示例性實施方式中，在觸摸面板中，引入所述光吸收圖形從而通過降低所述導電圖形的反射系數(shù)來改善隱藏性能。在本發(fā)明的示例性實施方式中，如有必要，在兩個表面中，通過在觸摸面板的用戶的觀看側中設置所述光吸收圖形可以改善根據(jù)所述導電圖形的高反射系數(shù)的隱藏性能。具體而言，由于所述光吸收圖形具有光吸收性，通過降低在所述導電圖形上入射和被所述導電圖形反射的光的量，可以降低所述導電圖形的反射系數(shù)。與所述導電圖形相比，優(yōu)選所述光吸收圖形具有低的反射系數(shù)。因此，與其中用戶直接觀看所述導電圖形的情況相比，可以使光的反射系數(shù)降低，可以使得所述導電圖形的可視性大大下降。在根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板中，所述光吸收圖形可以被設置在面對在所述導電圖形的兩個表面之中的其上安裝有顯示組件的表面的表面上。所述光吸收圖形可以被設置在所述導電圖形的兩個表面上。優(yōu)選地由組成光吸收圖形的材料和組成所述導電圖形的材料形成的整個表面層的總反射系數(shù)較小，以及所述總反射系數(shù)可以為15%以下，10%以下，5%以下，和3%以下。具有高的總反射系數(shù)的材料，例如，Ag、Au或Al，可能不適合于根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的光吸收圖形。優(yōu)選地，所述總反射系數(shù)較小，但是從選擇材料的角度出發(fā)，可以使用所述整個表面層的總反射系數(shù)為0.1%以上的材料。在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的觸摸面板中，所述光吸收圖形包括:與所述導電圖形接觸的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，以及當在所述光吸收圖形的第二表面?zhèn)葴y量所述結構體的總反射系數(shù)時，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)可以由下面的公式I計算。[公式I]總反射系數(shù)(Rt)=觸摸增強玻璃的反射系數(shù)(在其中所述表面為膜的情況下，膜的反射系數(shù))+閉合率(closure ratio) X所述光吸收圖形的的反射系數(shù)在觸摸面板的組成中層疊兩種結構體的情況下，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)可以由下面的公式2計算。[公式2]總反射系數(shù)(Rt)=觸摸增強玻璃的反射系數(shù)(在其中所述表面為膜的情況下，膜的反射系數(shù))+閉合率X所述光吸收圖形的反射系數(shù)X 2因此，在其中存在光吸收圖形的情形與其中不存在光吸收圖形之間的區(qū)別取決于所述光吸收圖形的反射系數(shù)，以及從該觀點出發(fā)，與除了沒有所述光吸收圖形之外具有相同構造的結構體的總反射系數(shù)(RO)相比，所述反射系數(shù)可以下降10 20%、20 30%、30 40%,40 50%和50 70%。也就是，在其中公式I和2的情形下，當所述閉合率范圍從1%變?yōu)?0%以及所述反射系數(shù)范圍由1%變?yōu)?0%時，可以顯示70%的最大反射系數(shù)下降效果，以及可以顯示10%的最小反射系數(shù)下降效果。在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的觸摸面板中，所述光吸收圖形包括:與所述導電圖形接觸的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，以及當在所述光吸收圖形的第二表面?zhèn)葴y量所述結構體的總反射系數(shù)時，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)與所述基板的總反射系數(shù)(RO)之差可以為40%以下、30%以下、20%以下和10%以下。
在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的觸摸面板中，所述觸摸面板可以進一步包括設置在所述結構體一側的額外的基板，以及當在所述額外基板側測量設置在所述結構體上的額外基板的總反射系數(shù)時，與額外基板的總反射系數(shù)的差可以為90%以下、70%以下、30%以下和10%以下。在本文中，總反射系數(shù)表示包括光吸收圖形的觸摸感應器的總反射系數(shù)。在本說明書中，當所述入射光為100%時，所述總反射系數(shù)優(yōu)選為基于在由目標層或光入射的層壓體反射的反射光中的550nm的波長的值的測量值，這是因為550nm波長的總反射系數(shù)通常與整體的總反射系數(shù)的差別不是很大。例如，在通過使用將組成光吸收圖形的材料沉積在基板上的方法，例如，濺射法、CVD (化學氣相沉積)法、熱蒸發(fā)法和電子束沉積法，形成整個表面光吸收層之后，可以測量從空氣側入射的可見光(550nm)的反射系數(shù)。在這種情況下，在所述基板的背面上，即，在沒有形成光吸收層的表面上，通過進行整個表面的黑色處理可以除去在所述基板的背面上的反射。作為基板，可以使用透明基板，但是所述基板不受特別限制，以及可以使用例如，玻璃、塑料基板和塑料膜。在根據(jù)本發(fā)明的示例性的觸摸面板中，所述結構體的20°光澤度值可以為350以下，和300以下。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的結構體的60°光澤度值可以為300以下和250以下。在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的觸摸面板中，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍的L值可以為I至40。更具體而言,基于CIE色坐標,所述結構體的顏色范圍的L值可以為30至40，25至30，16至25，5至16，以及I至5。在根據(jù)本發(fā)明的示例性的觸摸面板中，所述結構體的霧度值可以為5%以下，3%以下和1.5%以下。在根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板中，所述光吸收圖形可以被設置在所述導電圖形與基板之間，并且所述光吸收圖形可以被設置在所述導電圖形的與所述基板接觸的一側的相對表面上。所述光吸收圖形可以被設置在所述導電圖形與基板之間，并且在所述導電圖形的與所述基板接觸的一側的相對表面上。由組成所述光吸收圖形的材料制備的整個表面層的光吸收性不受特別限制，但是可以為5%以上，15%以上，和20%以上。由組成所述光吸收圖形的材料制備的整個表面層的透光率不受特別限制?？梢酝ㄟ^如下方法形成光吸收圖形:通過使用沉積法，例如，濺射法、CVD(化學氣相沉積法)法、熱蒸汽法和電子束沉積法，形成光吸收層；然后使所述光吸收層形成圖形。具體地，在其中使用濺射法的情況下，所述光吸收圖形的撓性優(yōu)異。在所述熱蒸發(fā)法和電子束沉積法中，粒子簡單地層疊，但是所述濺射法的特征在于粒子通過碰撞形成核，即使所述核生長和彎曲，機械性能優(yōu)異。在其中使用濺射法的情況下，所述光吸收圖形與另一層之間的界面附著能力優(yōu)異。通過使用如上所述的沉積法，在沒有使用粘合層或附著層的情況下，在基板或導電圖形上可以直接地形成光吸收圖形，并且可以實現(xiàn)要求的厚度和圖形形狀。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板可以進一步包括:結構體，其包括基板；導電圖形，其被設置在所述基板的至少一個表面上；和光吸收圖形，其被設置在所述導電圖形的至少一個表面上且被設置在對應于所述導電圖形的區(qū)域上。在本文中，絕緣層可以被設置在所述兩個層壓體之間。以相反的方向或相同的方向設置所述兩個層壓體。在所述基板的兩個表面上，可以設置導電圖形和光吸收圖形。在根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板中包括的層壓體的實例如在圖1至圖3中所示。圖1至圖3顯示了所述基板、導電圖形和光吸收圖形的層疊次序，以及所述導電圖形和光吸收圖形實際具有代替整個表面層的圖形形狀。圖1顯示了其中光吸收圖形被設置在所述基板與導電圖形之間的情形。在其中用戶從基板側觀看所述觸摸面板的情況下，所述導電圖形的總的反射系數(shù)可以大大降低。圖2顯示了其中所述光吸收圖形被設置在所述導電圖形的與所述基板接觸的一側的相對表面上的情形。在其中用戶從基板側相對的表面觀看所述觸摸面板的情況下，所述導電圖形的總的反射系數(shù)可以大大降低。圖3顯示了其中所述光吸收圖形被設置所述基板與導電圖形之間，并且在所述導電圖形的與所述基板接觸的一側的相對表面上的情形。在其中用戶從基板側觀看觸摸面板的情形和在其中用戶從基板側的相對的表面觀看觸摸面板的情形下，所述導電圖形的反射系數(shù)可以大大下降。圖4顯示了在所述光吸收圖形上入射的光的光程。在所述光吸收圖形上入射的部分的光可以在所述空氣層與光吸收層之間的界面上被反射，部分的光可以被吸收至光吸收圖形中，以及部分的光可以在所述光吸收圖形與基板之間的界面上被反射，以及部分的光可以透過所述光吸收層。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，所述光吸收圖形和導電圖形可以同時地或單獨地形成圖形，但是用于形成各圖形的層可以單獨地形成。通過如上所述形成圖形，所述光吸收圖形的效果被最優(yōu)化和最大化，可以實現(xiàn)在靜電容型觸摸面板中要求的精細的導電圖形。在所述靜電容型觸摸面板中，在其中沒有實施精細導電圖形的情況下，不能得到在觸摸面板中要求的物理性能，例如，電阻。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，由于光吸收圖形和導電圖形通過單獨的圖形層形成層壓結構，所述結構不同于如下結構:其中至少部分的光吸收材料被隱藏或分散在導電圖形中的結構，或其中通過在單層的導電層上進行表面處理使部分的表面物理地或化學地變形的結構。在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的觸摸面板中，所述光吸收圖形被直接地設置在所述基板或導電圖形上，而在其中沒有設置附著層或粘合層。附著層或粘合層可以影響耐久性或光學性能。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的制備在觸摸面板中包括的層壓體的方法完全不同于其中使用附著層或粘合劑的情形。此外，與其中使用附著層或粘合層的情形相比，在本發(fā)明的示例性的實施方式中，所述基板或導電圖形與光吸收圖形之間的界面性能優(yōu)異。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，所述光吸收圖形的厚度不受特別限制，只要所述圖形具有上述總反射系數(shù)。然而，在制備過程中，考慮到使用導電圖形的蝕刻性能，優(yōu)選所述厚度選自IOnm至400nm,但是優(yōu)選的厚度可以根據(jù)使用的材料和制備方法而不同，以及本發(fā)明的范圍不限于上述數(shù)值范圍。所述光吸收圖形可以由單層或兩層以上的層的多層形成。優(yōu)選所述光吸收圖形為無色，但是其顏色不特別限于此。在這種情況下，無色表示當在物體的表面入射的光沒有被選擇性吸收而是對各組成的波長均勻反射時顯示的顏色。作為光吸收圖形的材料，優(yōu)選地，當形成整個表面層時，可以使用具有上述總反射系數(shù)的材料，但不受特別限制。例如，在濾色片中，可以使用被用作黑色基質的材料的材料。作為光吸收圖形的材料，可以使用提供有減反射功能的光吸收材料。例如，所述光吸收材料可以為在由本領域的普通技術人員設定的沉積條件下通過使用N1、Mo、T1、Cr、Al和Cu形成的氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜、碳化物膜或金屬膜及其組合。本發(fā)明發(fā)現(xiàn)在其中使用Mo、Al或Cu的情況下，與使用氧化物的情形相比，使用氮化物的情形具有更適合于在本發(fā)明的示例性的實施方式中描述的光吸收圖形的光學性能。作為其具體的實例，所述光吸收圖形可以同時包含Ni和Mo。所述光吸收圖形可以包含50至98原子％的Ni和2至50原子％的Mo，以及可以進一步包含0.01至10原子％的其它金屬，例如，如Fe、Ta和Ti原子。在本文中，如果必要，所述光吸收圖形可以進一步包含0.01至30原子％的氮或4原子％以下的氧和碳。作為其另一具體的實例，所述光吸收圖形可以包含選自SiO、SiO2, MgF2和SiNx(x為I以上的整數(shù))中的介電材料和選自Fe、Co、T1、V、Al、Cu、Au和Ag中的金屬，并且可以進一步包含選自Fe、Co、T1、V、Al、Cu、Au和Ag中的兩種以上的金屬的合金。優(yōu)選地，隨著外部光遠離入射方向，所述介電材料分布逐漸下降，而金屬和合金組份相反地分布。在這種情況下，優(yōu)選地，所述介電材料的含量為20至50wt%，以及所述金屬的含量為50至80wt%。在其中所述光吸收圖形進一步包含合金的情況下，優(yōu)選地，所述光吸收圖形包含10至30wt%的介電材料、50至80wt%的金屬、和5至40wt%的合金。作為其另一具體的實例，所述光吸收圖形可以由包含鎳和釩的合金和鎳和釩的一種以上的氧化物、氮化物和氮氧化物的薄膜形成。在這種情況下，優(yōu)選地，包含的釩的含量為26至52原子％，并且優(yōu)選釩與鎳的原子比為26/74至52/48。作為其另一具體的實例，所述光吸收圖形可以包含過渡層，其中包含兩種以上的元素，并且一種元素的組分比根據(jù)外部光的入射方向可以增加約最高20%每100埃。在這種情況下，一種元素可以為金屬元素，例如，鉻、鎢、鉭、鈦、鐵、鎳或鑰，以及除了所述金屬元素之外的元素可以為氧、氮或碳。作為其另一具體的實例，所述光吸收圖形可以包含第一氧化鉻層、金屬層、第二氧化鉻層和鉻鏡，以及在這種情況下，可以包含代替鉻的選自鎢、釩、鐵、鉻、鑰和鈮中的金屬。優(yōu)選地，所述金屬層具有10至30nm的厚度,所述第一氧化鉻層具有35至41nm的厚度，以及第二氧化鉻層具有37至42nm的厚度。作為其另一具體的實例，作為光吸收圖形，可以使用氧化鋁(Al2O3)層、氧化鉻(Cr2O3)層和鉻(Cr)層的層疊結構。在本文中，所述氧化鋁層具有改善的反射特征和防止光漫射特征，以及所述氧化鉻層通過降低斜面反射系數(shù)可以提高對比特征。作為其另一具體的實例，作為光吸收圖形，可以使用由鋁的氮化物(AlNx)和Al形成的層疊的結構。在本文中，所述鋁氮化物(AlNx)通過降低整個層的反射系數(shù)可以提高對比特征。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，優(yōu)選地，所述光吸收層被設置在所述基板與導電圖形之間，但是在組成觸摸面板中，在其中用戶通過代替所述基板的表面的另一表面觀看的情況下，更優(yōu)選所述光吸收圖形被設置在離用戶最近的表面上。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，所述光吸收圖形被設置在對應于導電圖形的區(qū)域上。在本文中，所述對應于導電圖形的區(qū)域表示所述區(qū)域具有與所述導電圖形相同形狀的圖形。然而，所述光吸收圖形的圖形尺寸不需要完全等同于所述導電圖形，以及在其中所述光吸收圖形的線寬比所述導電圖形的線寬更窄或更寬的情形也包含在本發(fā)明的范圍內。例如，優(yōu)選地，所述光吸收圖形具有其中設置有所述導電圖形的區(qū)域的50至150%的面積。優(yōu)選所述光吸收圖形包含具有與所述導電圖形的線寬的相同的線寬或更大的線寬的圖形形狀。在其中所述光吸收圖形包含具有比所述導電圖形的線寬更大的圖形形狀的情況下，當用戶觀看所述圖形時，可以提高其中所述光吸收圖形覆蓋導電圖形的效應，使得存在如下優(yōu)點:可以有效的屏蔽由光澤或由所述導電圖形的反射導致的效應。然而，即使所述光吸收圖形的線寬與所述導電圖形的線寬相同，也可以實現(xiàn)本發(fā)明的目標效果。優(yōu)選地，所述光吸收圖形的線寬比所述導電圖形的線寬大根據(jù)下面公式3的值。[公式3]TconX tangent Θ 3X 2其中Tcon為所述導電圖形厚度，以及O3為當從所述觸摸面板的用戶的視覺位置入射的光經過所述導電圖形和光吸收圖形的角時，光與對于所述基板的表面的切線之間的角度。例如，在例如圖1中的層疊的結構中，根據(jù)公式3的計算公式示于圖5中。O3為根據(jù)斯內爾定律根據(jù)所述基板的折射率和其中設置有光吸收圖形和導電圖形的區(qū)域的介質(例如，觸摸面板的粘合劑)的折射率通過改變觸摸面板的用戶的視覺與基板之間的角度(Q1)而得到的角度。作為其實例，假定觀看者觀看所述層壓體，從而O3值為約80°的角度，以及所述導電圖形的厚度為約200nm，優(yōu)選地，基于側面，所述光吸收圖形的線寬比所述導電圖形的線寬大約2.24 μ m(200nmX tan (80) X 2)。然而，如上所述，即使所述光吸收圖形的線寬與所述導電圖形的線寬相同，也可以實現(xiàn)本發(fā)明的目標效果。為了形成如上所述的光吸收層和導電層的結構，本領域的普通的技術人員可以施加不同的蝕刻條件或沉積厚度。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，所述基板材料可以根據(jù)本發(fā)明示例性的實施方式的層壓體應用的領域適當?shù)剡x擇，以及作為其優(yōu)選的實例，有玻璃或無機材料基板、塑料基板或膜，但是所述材料不限于此。所述導電圖形的材料不受特別限制，但是優(yōu)選為金屬。優(yōu)選所述導電圖形的材料具有優(yōu)異的導電性，并且可以容易地蝕刻。然而，一般而言，具有優(yōu)異的導電性的材料具有的缺點在于反射系數(shù)高。然而，在本發(fā)明的示例性的實施方式中，由于使用了所述光吸收圖形，通過使用具有高反射率的材料可以形成所述導電圖形。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，即使使用具有70%至80%的總反射系數(shù)的材料，通過所述光吸收圖形可以降低反射系數(shù)，降低了所述導電圖形的可視性并保持或提高了對比特征。作為所述導電圖形的材料的具體的實例，優(yōu)選包含金、銀、鋁、銅、釹、鑰、鎳或其合金的單層膜或多層膜。在本文中，所述導電圖形的厚度不受特別限制，但是就所述導電圖形的導電性和其形成方法的經濟效益而言優(yōu)選0.01至10 μ m。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式，當由所述光吸收層的材料和所述導電層的材料形成的層壓體材料被認為是一種材料時測量的電阻率值優(yōu)選為1Χ106Ω.cm至30 X IO6 Ω.cm，且更優(yōu)選 7 XlO6 Ω.cm 以下。用于形成所述導電圖形的方法不受特別限制，以及所述導電圖形可以通過使用直接印刷法形成，或者可以使用在形成所述導電層之后使導電層形成圖形的方法。在其中通過使用印刷法形成所述導電圖形的情況下，可以使用所述導電材料的油墨或印膏，以及除了所述導電材料之外，所述印膏可以進一步包含粘合劑樹脂、溶劑或玻璃粉。在其中形成導電層的情況下，然后使所述層形成圖形，可以使用具有耐蝕刻特征的材料。通過例如沉積法、濺射法、濕涂布法、蒸發(fā)法、電鍍法或無電鍍和金屬箔的層疊的方法可以形成所述導電層。作為用于形成所述導電層的方法，可以使用如下方法，將有機金屬、納米金屬或其復合溶液涂布在所述基板上，然后通過燒結和/或干燥來提供導電性。作為有機金屬，可以使用有機銀，以及作為納米金屬，可以使用納米銀粒子。所述導電層的圖形化可以使用利用耐蝕刻圖形的方法。所述耐蝕刻圖形可以通過使用印刷法、光刻法、照相法、使用掩膜的方法或激光轉印法(例如，熱轉印成像法)形成，印刷法或者光刻法是更優(yōu)選的。所述導電圖形可以通過使用耐蝕刻圖形而被蝕刻，以及可以除去所述耐蝕刻圖形。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，所述導電圖形的線寬可以為ΙΟμπι以下，優(yōu)選
0.1至10 μ m,更優(yōu)選0.2至8 μ m,且更優(yōu)選5 μ m以下。所述導電圖形的厚度可以為10 μ m以下，優(yōu)選2 μ m以下，并且更優(yōu)選10至300nm。優(yōu)選地，所述導電圖形的開口率(opening ratio)為85%至99.5%。所述導電圖形可以為規(guī)則的圖形或不規(guī)則的圖形。作為規(guī)則圖形，可以使用本領域的圖形形狀，例如，網(wǎng)狀圖形。所述不規(guī)則圖形不受特別限制，但是可以為組成維諾圖(Voronoi diagram)的圖形的邊界線形狀。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，在其中同時使用不規(guī)則圖形和光吸收圖形的情況下，通過所述不規(guī)則圖形可以除去具有方向性的光的反射光的衍射圖形，以及通過所述光吸收圖形可以使光的散射的影響最小化，使得可以是可視性的問題最小化。所述導電圖形的節(jié)距優(yōu)選為600 μ m以下，且更優(yōu)選270 μ m以下，但是這可以根據(jù)要求的透光率和導電性由本領域的普通的技術人員控制。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，優(yōu)選包含所述基板的結構體、導電圖形和光吸收圖形的表面電阻為I至250 Ω / 口。在上述范圍內的表面電阻在運行觸摸面板過程中是有利的。在本發(fā)明的示例性的實施方式中，所述光吸收圖形和導電圖形的側面可以具有正錐角(positive taper angle),但是設置在所述導電圖形的與所述基板接觸的的一側的相對表面上的光吸收圖形或導電圖形可以具有反錐角。除了上述的包括基板的結構體、導電圖形和光吸收圖形之外，根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板可以進一步包括額外的結構體。在這種情況下，如在圖6中所示，兩個結構體可以以相同的方向被設置，以及如在圖7中所示，兩個結構體可以以相反的方向被設置。圖6和圖7顯示其中包括了具有相同結構的兩個結構體的情形，但是在根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板中包括的結構體不需要具有相同的結構，并且任一個，優(yōu)選地，僅僅最靠近用戶的結構體可以包括所述基板、導電圖形和光吸收圖形，而額外包括的結構體可以不包括所述光吸收圖形。在兩個以上結構體中的層疊結構可以彼此不同。在包括兩個以上結構體的情況下，可以在它們之間設置絕緣層。在這種情況下，所述絕緣層還可以具有粘合層的功能。在根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板中，所述導電圖形和光吸收圖形可以被分別設置在所述基板的兩個表面上。包括根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的導電圖形和光吸收圖形的由所述結構體組成的觸摸面板的總反射系數(shù)可以為10%以下，7%以下，5%以下和2%以下。在本文中，所述觸摸面板的總反射系數(shù)表示從設置有光吸收圖形側入射的光的總反射系數(shù)，并且為除去在所述基板與空氣層之間的界面的反射系數(shù)的值。通過選擇組成所述光吸收圖形的材料控制反射系數(shù)和通過控制在所述導電圖形與光吸收圖形之間的界面上的反射系數(shù)，控制所述導電圖形的厚度和所述圖形的形狀，可以進一步控制整個結構體的總反射系數(shù)。除了在其上導電圖形形成在所述結構體上的有效圖像部分之外，根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板可以進一步包括電極部分或墊部分，在這種情況下，所述有效圖像部分和電極部分/墊部分可以由相同的導體組成。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板可以進一步包括一種以上的膜，例如，保護膜、偏光膜、減反射膜、防眩膜、耐指紋膜和低反射膜。本發(fā)明提供了用于制備觸摸面板的方法。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式，本發(fā)明提供了用于制備觸摸面板的方法，其包括:在基板上形成導電圖形；和在形成所述導電圖形之前、之后以及在之前和之后形成光吸收圖形。根據(jù)本發(fā)明的另一示例性的實施方式，提供了用于制備靜電容型觸摸面板的方法，其包括:在基板上形成用于形成導電圖形的導電層；在形成所述導電層之前、之后以及之前和之后沉積用于形成光吸收圖形的光吸收層；和單獨地或同時地使所述導電層和光吸收層形成圖形。在所述制備方法中，可以使用上述各層的材料和形成方法。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的結構體包括:透明基板；導電層，其被設置在所述透明基板的至少一個表面上且包含至少一種金屬、金屬合金、金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物；和光吸收層，其被設置在所述導電層的至少一個表面上，其中，所述光吸收層被設置在所述導電層與透明基板之間，在所述透明基板的一側測量的總反射系數(shù)為15%以下。根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式的觸摸面板包括:結構體，其包括透明基板；導電圖形，其被設置在所述透明基板的至少一個表面上且包含選自如下中的至少一種:選自鋁、銀、銅、鑰、釹和鎳中的一種以上的金屬，選自所述金屬的兩種以上的金屬的合金，包含選自所述金屬中的一種以上的金屬的氧化物，包含選自所述金屬中的一種以上的金屬的氮化物，和包含選自所述金屬中的一種以上的金屬的氮氧化物；和光吸收圖形，其被設置在所述導電圖形的至少一個表面上且被設置在對應于所述導電圖形的區(qū)域的至少一部分上。本發(fā)明提供了一種包括所述觸摸面板和顯示組件的顯示器。
具體實施例方式在下文中，結合實施例將詳細描述本發(fā)明。然而，提供下面的實施例用于闡述本發(fā)明，但是本發(fā)明的范圍不限于此。〈實驗實施例1>在所述基板上形成通過使用基于Mo的氮氧化物形成的所述光吸收層之后，通過使用Cu在其上形成所述導電層。接下來，為了測量總反射系數(shù)，在所述導電層的上表面上進行整個表面的黑色處理，以及通過從基板上輻射可見光測量總反射系數(shù)(鏡面反射/550nm)。在這種情況下，所述反射系數(shù)為6.1%。根據(jù)實驗實施例1的層壓體示于圖8中?！磳嶒瀸嵤├?>在所述基板上形成通過使用基于Al的氮氧化物形成的所述光吸收層之后，通過使用Al在其上形成所述導電層。接下來，為了測量總反射系數(shù)，在所述導電層的上表面上進行整個表面的黑色處理，以及通過從基板上輻射可見光測量總反射系數(shù)(鏡面反射/550nm)。在這種情況下，所述反射系數(shù)為2.1%?！磳嶒瀸嵤├?>在所述基板上形成通過使用基于Cu的氮氧化物形成的所述光吸收層之后，通過使用Cu在其上形成所述導電層。接下來，為了測量總反射系數(shù)，在所述導電層的上表面上進行整個表面的黑色處理，以及通過從基板上輻射可見光測量總反射系數(shù)(鏡面反射/550nm)。在這種情況下，所述反射系數(shù)為6%?！磳嶒瀸嵤├?>在所述基板上形成通過使用基于Al的氮氧化物形成的所述光吸收層之后，通過使用Cu在其上形成所述導電層。接下來，為了測量總反射系數(shù)，在所述導電層的上表面上進行整個表面的黑色處理，以及通過從基板上輻射可見光測量總反射系數(shù)(鏡面反射/550nm)。在這種情況下，所述反射系數(shù)為3.1%?！磳嶒瀸嵤├?>除了沒有形成所述光吸收層之外，實施與實驗實施例1相同的方法。在這種情況下，在所述基板的背面上進行整個表面的黑色處理，以及通過將可見光輻射至所述導電層側測量總反射系數(shù)(鏡面反射/550nm)。在這種情況下，所述反射系數(shù)為49.9%。〈實驗實施例6>在如實驗實施例1制備的結構體中，在其中用戶沒有觀看所述光吸收層一側，而是在所述導電圖形的一側觀看的情形下測量總反射系數(shù)。鑒于此，在所述基板的背面上進行整個表面的黑色處理，以及通過將可見光輻射至所述導電層側測量總反射系數(shù)(鏡面反射/550nm)。在這種情況下，所述反射系數(shù)為49.9%。用于測量根據(jù)實驗實施例6的總反射系數(shù)的方法示于圖9中?！磳嶒瀸嵤├?>測量如在實驗實施例1中使用的相同的唯一基板的總反射系數(shù)。通過在所述基板的一個表面上進行整個表面黑色處理并且將可見光輻照至相對表面上測量所述唯一基板的總反射系數(shù)(鏡面反射/550nm)。所述唯一基板的總反射系數(shù)為4.5%。用于測量根據(jù)實驗實施例7的總反射系數(shù)的方法示于圖10中。在實驗實施例1、實驗實施例5和實施實施例7中制備的結構體的總反射系數(shù)示于圖11中。如上所述，在本發(fā)明的示例性的實施方式中，在包括設置在有效圖像部分的導電圖形的觸摸面板中，通過在用戶的觀看側引入光吸收圖形可以防止由導電圖形導致的反射而不會影響所述導電圖形的電導率，并且通過提高光吸收性可以改善所述導電圖形的隱藏性能。此外，通過引入如上所述的光吸收圖形可以進一步提高所述觸摸面板的對比性能。實驗實施例1的結構體的顯微鏡反射光測量結果示于下面的圖12中，并觀看所述太陽光衍射反射圖形并示于下面的圖13中。實驗實施例5的結構體的顯微鏡反射光測量結果示于下面的圖14中，并觀看所述太陽光衍射反射圖形并示于下面的圖15中。實驗實施例2的結構體的光吸收層的色度和總反射系數(shù)示于下面的圖18中，以及實驗實施例3的結構體的光吸收層的色度和總反射系數(shù)示于下面的圖16中。實驗實施例4的結構體的光吸收層的色度和總反射系數(shù)類似于下面的圖18中的色度和總反射系數(shù)。如在下面的圖12至18的結果所示，可以看出當通過顯微鏡的反射模式測量如在本發(fā)明的示例性實施方式中的包含所述光吸收圖形的觸摸面板時，通過所述光吸收圖形，可以看到在黑色中的線，以及在點光源的反射圖像中，所述衍射光的強度被進一步弱化。
權利要求
1.一種結構體，其包括: 基板； 導電層，其被設置在所述基板的至少一個表面上；和 光吸收層，其被設置在所述導電層的至少一個表面上。
2.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，在所述光吸收層的與所述導電層接觸的表面的相對表面的方向上測量的總反射系數(shù)為15%以下。
3.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，在所述光吸收層的與所述導電層接觸的表面的相對表面的方向上測量的總反射系數(shù)為10%以下。
4.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，在所述光吸收層的與所述導電層接觸的表面的相對表面的方向上測量的總反射系數(shù)為5%以下。
5.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，在所述光吸收層的與所述導電層接觸的表面的相對表面的方向上測量的總反射系數(shù)為3%以下。
6.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述光吸收層被設置在所述導電層與基板之間，并且在所述基板側測量的總反射系數(shù)為15%以下。
7.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述光吸收層被設置在所述導電層與基板之間，并且在所述基板側測量的總反射系數(shù)為10%以下。
8.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述光吸收層被設置在所述導電層與基板之間，并且在所述基板側測量的 總反射系數(shù)為5%以下。
9.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述光吸收層被設置在所述導電層與基板之間，并且在所述基板側測量的總反射系數(shù)為3%以下。
10.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述光吸收層被設置在所述導電層與基板接觸的表面的相對表面上，并且在所述光吸收層側測量的總反射系數(shù)為15%以下。
11.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述光吸收層被設置在所述導電層與基板接觸的表面的相對表面上，并且在所述光吸收層側測量的總反射系數(shù)為10%以下。
12.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述光吸收層被設置在所述導電層與基板接觸的表面的相對表面上，并且在所述光吸收層側測量的總反射系數(shù)為5%以下。
13.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述光吸收層被設置在所述導電層與基板接觸的表面的相對表面上，并且在所述光吸收層側測量的總反射系數(shù)為3%以下。
14.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述結構體的20°光澤度值為350以下。
15.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述結構體的20°光澤度值為300以下。
16.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述結構體的60°光澤度值為300以下。
17.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述結構體的60°光澤度值為250以下。
18.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍的L值為30至40。
19.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍的L值為25至30。
20.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍的L值為16至25。
21.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍的L值為5至16。
22.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍的L值為I至5。
23.根據(jù)權利要求1所述的結構體，其中，所述光吸收層包括選自介電材料、金屬、金屬合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物和金屬碳化物中的一種或多種。
24.根據(jù)權利要求23所述的結構體，其中，所述金屬包括選自N1、Mo、T1、Cr、Al、Cu、Fe、Co、T1、V、Au和Ag中的一種或多種。
25.—種觸摸面板,其包括: 結構體，其包括: 基板； 導電圖形，其被設置在所述基板的至少一個表面上；和 光吸收圖形，其被設置在所述導電圖形的至少一個表面上且被設置在對應于所述導電圖形的區(qū)域的至少一部分上。
26.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形被設置在在其上安裝了顯示組件的所述導電圖形的表面的相對表面上。
27.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形被設置在所述導電圖形的兩個表面上。
28.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形包括:與所述導電圖形接觸的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，以及當在所述光吸收圖形的第二表面?zhèn)葴y量所述結構體的總反射系數(shù)時，與除了沒有光吸收圖形之外，具有相同構造的結構體的總反射系數(shù)(RO)相比，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)下降了 10 20%。
29.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形包括:與所述導電圖形接觸的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，以及當在所述光吸收圖形的第二表面?zhèn)葴y量所述結構體的總反射系數(shù)時，與除了沒有光吸收圖形之外，具有相同構造的結構體的總反射系數(shù)(RO)相比，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)下降了 20 30%。
30.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形包括:與所述導電圖形接觸的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，以及當在所述光吸收圖形的第二表面?zhèn)葴y量所述結構體的總反射系數(shù)時，與除了沒有光吸收圖形之外，具有相同構造的結構體的總反射系數(shù)(RO)相比，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)下降了 30 40%。
31.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形包括:與所述導電圖形接觸的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，以及當在所述光吸收圖形的第二表面?zhèn)葴y量所述結構體的總反射系數(shù)時，與除了沒有光吸收圖形之外，具有相同構造的結構體的總反射系數(shù)(RO)相比，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)下降了 40 50%。
32.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形包括:與所述導電圖形接觸的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，以及當在所述光吸收圖形的第二表面?zhèn)葴y量所述結構體的總反射系數(shù)時，與除了沒有光吸收圖形之外，具有相同構造的結構體的總反射系數(shù)(RO)相比，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)下降了 50 70%。
33.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板 ，其中，所述光吸收圖形包括:與所述導電圖形接觸的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，以及當在所述光吸收圖形的第二表面?zhèn)葴y量所述結構體的總反射系數(shù)時，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)與所述基板的總反射系數(shù)(RO)之差為40%以下。
34.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形包括:與所述導電圖形接觸的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，以及當在所述光吸收圖形的第二表面?zhèn)葴y量所述結構體的總反射系數(shù)時，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)與所述基板的總反射系數(shù)(RO)之差為30%以下。
35.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形包括:與所述導電圖形接觸的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，以及當在所述光吸收圖形的第二表面?zhèn)葴y量所述結構體的總反射系數(shù)時，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)與所述基板的總反射系數(shù)(RO)之差為20%以下。
36.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形包括:與所述導電圖形接觸的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，以及當在所述光吸收圖形的第二表面?zhèn)葴y量所述結構體的總反射系數(shù)時，所述結構體的總反射系數(shù)(Rt)與所述基板的總反射系數(shù)(RO)之差為10%以下。
37.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述觸摸面板進一步包括設置在所述結構體一側上的額外的基板，以及當在所述額外基板側測量設置在所述結構體上的額外的基板的總反射系數(shù)時，所述結構體的總反射系數(shù)與所述額外基板的總反射系數(shù)之差為90%以下。
38.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述觸摸面板進一步包括設置在所述結構體一側上的額外的基板，以及當在所述額外基板側測量設置在所述結構體上的額外的基板的總反射系數(shù)時，所述結構體的總反射系數(shù)與所述額外基板的總反射系數(shù)之差為70%以下。
39.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述觸摸面板進一步包括設置在所述結構體一側上的額外的基板，以及當在所述額外基板側測量設置在所述結構體上的額外的基板的總反射系數(shù)時，所述結構體的總反射系數(shù)與所述額外基板的總反射系數(shù)之差為30%以下。
40.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述觸摸面板進一步包括設置在所述結構體一側上的額外的基板，以及當在所述額外基板側測量設置在所述結構體上的額外的基板的總反射系數(shù)時，所述結構體的總反射系數(shù)與所述額外基板的總反射系數(shù)之差為10%以下。
41.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述結構體的20°光澤度值為350以下。
42.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述結構體的20°光澤度值為300以下。
43.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述結構體的60°光澤度值為300以下。
44.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述結構體的60°光澤度值為250以下。
45.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍的L值為30至40。
46.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍的L值為25至30。
47.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍的L值為16至25。
48.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍的L值為5至16。
49.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，基于CIE色坐標，所述結構體的顏色范圍的L值為I至5。
50.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述結構體的霧度值為5%以下。
51.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述結構體的霧度值為3%以下。
52.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述結構體的霧度值為1.5%以下。
53.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形被設置在所述導電圖形與基板之間。
54.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形被設置在所述導電圖形的與所述基板接觸的一側的相對表面上。
55.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形被設置所述導電圖形與基板之間，并且在所述導電圖形的與所述基板接觸的一側的相對表面上。
56.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其進一步包括: 層壓體，其包括: 基板； 設置在所述基板的至少一個表面上的導電圖形；和 光吸收圖形，其被設置在所述導電圖形的至少一個表面上且被設置在對應于所述導電圖形的區(qū)域上。
57.根據(jù)權利要求56所述的觸摸面板，其中，絕緣層被設置在所述兩個層壓體之間。
58.根據(jù)權利要求56所述的觸摸面板，其中，以相反的方向或相同的方向設置所述兩個層壓體。
59.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述導電圖形和光吸收圖形被分別設置在所述基板的兩個表面上。
60.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述導電圖形具有不規(guī)則的圖形形狀。
61.根據(jù)權利要求60所述的觸摸面板，其中，所述導電圖形為組成維諾圖的圖形的邊界線形狀。
62.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形具有與所述導電圖形的線寬相同的線寬的圖形形狀或者具有比所述導電圖形的線寬更大的線寬的圖形形狀。
63.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述導電圖形的線寬為ΙΟμπι以下，其厚度為2 μ m以下，以及其節(jié)距為600 μ m以下。
64.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形是通過沉積法形成的。
65.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形和導電圖形是通過沉積法形成的。
66.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，在所述結構體的導電圖形中，所述電連接的導電圖形的表面電阻為0.5 200 Ω/ 口。
67.根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，其中，所述光吸收圖形包括選自介電材料、金屬、金屬合金、金屬氧化物、金屬氮化物、 金屬氮氧化物和金屬碳化物中的一種或多種。
68.根據(jù)權利要求67所述的觸摸面板，其中，所述金屬包括選自N1、Mo、T1、Cr、Al、Cu、Fe、Co、T1、V、Au和Ag中的一種或多種。
69.—種顯不器,其包括: 根據(jù)權利要求25所述的觸摸面板，和 顯示組件。
70.—種結構體，其包括: 透明基板； 導電層，其被設置在所述透明基板的至少一個表面上且包含金屬、金屬合金、金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化合物中的至少一種；和 光吸收層，其被設置在所述導電層的至少一個表面上， 其中，所述光吸收層被設置在所述導電層與透明基板之間，在所述透明基板側測量的總反射系數(shù)為15%以下。
71.—種觸摸面板,其包括: 結構體，其包括: 透明基板； 導電圖形，其被設置在所述透明基板的至少一個表面上且包含選自如下材料中的至少一種:選自鋁、銀、銅、釹和鎳中的一種以上的金屬；選自所述金屬的兩種以上的金屬的合金；包含選自所述金屬中的一種以`上的金屬的氧化物；包含選自所述金屬中的一種以上的金屬的氮化物；和包含選自所述金屬中的一種以上的金屬的氮氧化物；和 光吸收圖形，其被設置在所述導電圖形的至少一個表面上且被設置在對應于所述導電圖形的區(qū)域的至少一部分上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種觸摸面板，其包括結構體，其包括基板；導電圖形，其被設置在所述基板的至少一個表面上；和光吸收圖形，其被設置在所述導電圖形的至少一個表面上且被設置在對應于所述導電圖形的區(qū)域的至少一部分上。本發(fā)明還涉及制備所述觸摸面板的方法。
文檔編號G06F3/044GK103168285SQ201180050714
公開日2013年6月19日 申請日期2011年10月19日 優(yōu)先權日2010年10月19日
發(fā)明者黃智泳, 黃仁晳, 全相起, 李承憲 申請人:Lg化學株式會社