專利名稱：一種抗金屬電子標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子標(biāo)簽領(lǐng)域，尤其涉及ー種抗金屬電子標(biāo)簽。
背景技術(shù)：
電子標(biāo)簽是RFID射頻識(shí)別系統(tǒng)的主要組成單元。隨著射頻識(shí)別技術(shù)的發(fā)展，工作于UHF頻段的各類型電子標(biāo)簽被越來(lái)越多地運(yùn)用于物流、倉(cāng)儲(chǔ)等領(lǐng)域。因一些產(chǎn)品的外殼是金屬材料做成，傳統(tǒng)RFID標(biāo)簽在金屬表面無(wú)法正常工作，因此，需要ー種抗金屬電子標(biāo)簽
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供ー種抗金屬電子標(biāo)簽，解決傳統(tǒng)RFID標(biāo)簽在金屬表面無(wú)法正常工作的技術(shù)問(wèn)題。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案ー種抗金屬電子標(biāo)簽，包括基板、金屬薄膜、匹配環(huán)和標(biāo)簽芯片，所述金屬薄膜為一體結(jié)構(gòu)，并包括第一部分薄膜、第二部分薄膜和中間部分薄膜，所述第一部分薄膜與第二部分薄膜位于所述中間部分薄膜兩側(cè)，所述第一部分薄膜與所述基板下表面完全或部分貼合，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面與所述基板上表面部分貼合，所述中間部分薄膜與所述基板的側(cè)面完全或部分貼合，所述匹配環(huán)部分貼合在所述第二部分薄膜的外表面上，所述標(biāo)簽芯片設(shè)置在所述匹配環(huán)上。所述第二部分薄膜的內(nèi)表面與所述基板上表面貼合部分的面積、所述匹配環(huán)的形狀和/或所述匹配環(huán)的大小可調(diào)。所述第二部分薄膜的內(nèi)表面的長(zhǎng)度與所述基板上表面的長(zhǎng)度一致，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面的寬度可調(diào)；或者所述第二部分薄膜的內(nèi)表面的寬度與所述基板上表面的寬度一致，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面的長(zhǎng)度可調(diào)。所述第一部分薄膜通過(guò)粘貼的方式與所述基板下表面完全或部分貼合。所述第二部分薄膜的內(nèi)表面通過(guò)粘貼的方式與所述基板上表部分貼合。所述中間部分薄膜通過(guò)粘貼的方式與所述基板的側(cè)面完全或部分貼合。還包括粘合層，所述粘合層為一體結(jié)構(gòu)，并包括第一部分粘合層、第二部分粘合層和中間部分粘合層，所述第一部分粘合層與第二部分粘合層位于所述中間部分粘合層兩偵牝所述第一部分薄膜通過(guò)所述第一部分粘合層與所述基板下表面完全或部分貼合，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面通過(guò)所述第二部分粘合層與所述基板上表面部分貼合，所述中間部分薄膜通過(guò)所述中間部分粘合層與所述基板的側(cè)面完全或部分貼合。所述粘合層為雙面膠。所述匹配環(huán)未與所述第二部分薄膜的外表面貼合的部分固定在所述基板上表面未被所述第二部分薄膜的內(nèi)表面貼合的部分。所述粘合層還包括第三部分粘合層，所述匹配環(huán)未與所述第二部分薄膜的外表面貼合的部分通過(guò)所述第三部分粘合層固定在所述基板上表面。本實(shí)用新型提供ー種抗金屬電子標(biāo)簽，其包括基板、金屬薄膜、匹配環(huán)和標(biāo)簽芯片，金屬薄膜為一體結(jié)構(gòu)，并包括第一部分薄膜、第二部分薄膜和中間部分薄膜，第一部分薄膜與第二部分薄膜位于中間部分薄膜兩側(cè)，第一部分薄膜與基板下表面完全或部分貼合，第二部分薄膜的內(nèi)表面與基板上表面部分貼合，中間部分薄膜與基板的側(cè)面完全或部分貼合，匹配環(huán)部分貼合在上述第二部分薄膜的外表面上，匹配環(huán)連接在標(biāo)簽芯片的兩端。本實(shí)用新型通過(guò)基板、金屬薄膜、匹配環(huán)的配合，解決了傳統(tǒng)RFID標(biāo)簽在金屬表面無(wú)法正常工作的技術(shù)問(wèn)題，同時(shí)金屬薄膜貼在金屬物品上形成共地，可増加反射能量，本發(fā)明制作簡(jiǎn)單、材料便宜，節(jié)約了成本，容易推廣。進(jìn)ー步，第二部分薄膜的內(nèi)表面與所述基板上表面貼合的面積、匹配環(huán)的形狀和/或匹配環(huán)的大小可調(diào)，因此，可實(shí)現(xiàn)天線方向増益的同時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)工作頻率可調(diào)、阻抗匹配可調(diào)、帶寬可調(diào)等。

圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例ー種抗金屬電子標(biāo)簽的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型另ー實(shí)施例ー種抗金屬電子標(biāo)簽的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖I和/或圖2中抗金屬電子標(biāo)簽的正面示意圖。
具體實(shí)施方式
圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例ー種抗金屬電子標(biāo)簽的整體結(jié)構(gòu)示意圖，請(qǐng)參考圖I :—種抗金屬電子標(biāo)簽,包括基板11、金屬薄膜、匹配環(huán)13和標(biāo)簽芯片14,金屬薄膜為一體結(jié)構(gòu)，并包括第一部分薄膜121、第二部分薄膜122和中間部分薄膜123，所述第一部分薄膜121與第二部分薄膜122位于中間部分薄膜123兩側(cè)，第一部分薄膜121與基板11下表面完全貼合，第二部分薄膜122的內(nèi)表面與基板11上表面部分貼合，中間部分薄膜123與基板11的側(cè)面完全貼合，匹配環(huán)13部分貼合在第二部分薄膜122的外表面上，標(biāo)簽芯片14設(shè)置在匹配環(huán)13上。進(jìn)ー步，第二部分薄膜122的內(nèi)表面與基板11上表面貼合部分的面積、匹配環(huán)13的形狀和/或匹配環(huán)13的大小可調(diào)。本實(shí)施例可以通過(guò)這些調(diào)整，來(lái)調(diào)整標(biāo)簽的阻抗匹配，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)工作頻率可調(diào)、阻抗匹配可調(diào)、帶寬可調(diào)等。如標(biāo)簽芯片14的阻抗虛部過(guò)大時(shí)，可以增大匹配環(huán)。進(jìn)ー步，第二部分薄膜122的內(nèi)表面的長(zhǎng)度與基板11上表面的長(zhǎng)度一致，第二部分薄膜122的內(nèi)表面的寬度可調(diào)；或者第二部分薄膜122的內(nèi)表面的寬度與基板11上表面的寬度一致，第二部分薄膜122的內(nèi)表面的長(zhǎng)度可調(diào)。這樣方便標(biāo)簽的制作。本實(shí)施例中，第一部分薄膜121與基板11下表面不局限于完全貼合的方式，還可以采用部分貼合的方式。中間部分薄膜123與基板11的側(cè)面不局限于完全貼合的方式，還可以采用部分貼合的方式。進(jìn)ー步，第一部分薄膜121通過(guò)粘貼的方式與基板11下表面完全或部分貼合、第二部分薄膜122的內(nèi)表面通過(guò)粘貼的方式與基板11上表面部分貼合和/或中間部分薄膜123通過(guò)粘貼的方式與基板11的側(cè)面完全或部分貼合。粘貼方式包括多種。[0026]基板11的厚度可以為Imm到IOmm,基板的材料可以選擇pvc、塑料、pcb板等，也可以根據(jù)標(biāo)簽需求尋找對(duì)應(yīng)介電常數(shù)的材料；金屬薄膜12為銅箔或鋁箔等，匹配環(huán)13為金屬環(huán)，可以由ー圖金屬線圈或帶有基板的蝕刻金屬、印刷金屬構(gòu)成。進(jìn)一歩，匹配環(huán)13未與第二部分薄膜122的外表面貼合的部分可以固定在基板上11表面未被第二部分薄膜122的內(nèi)表面貼合的部分。圖2為本實(shí)用新型另ー實(shí)施例ー種抗金屬電子標(biāo)簽的整體結(jié)構(gòu)示意圖，請(qǐng)參考圖2 還包括粘合層15,粘合層15為一體結(jié)構(gòu)，并包括第一部分粘合層151、第二部分粘合層152和中間部分粘合層153，第一部分粘合層151與第二部分粘合層152位于中間部分粘合層153兩側(cè)，第一部分粘合層151位于第一部分薄膜121與基板11下表面之間，第一部分薄膜121通過(guò)第一部分粘合層151與基板11下表面完全貼合，第二部分粘合層152位于第二部分薄膜122的內(nèi)表面與基板11上表面之間，第二部分薄膜122的內(nèi)表面通過(guò)第 二部分粘合層152與基板11上表面部分貼合，中間部分粘合層153位于中間部分薄膜123與基板11的側(cè)面之間，中間部分薄膜123通過(guò)中間部分粘合層153與基板11的側(cè)面完全貼合。粘合層15還包括第三部分粘合層154，匹配環(huán)13未與第二部分薄膜122的外表面貼合的部分通過(guò)第三部分粘合層154固定在基板11上表面未被第二部分薄膜122的內(nèi)表面貼合的部分。進(jìn)ー步，粘合層15為雙面膠。圖3為圖I和/或圖2中抗金屬電子標(biāo)簽的正面示意圖，請(qǐng)參考圖3 第二部分薄膜122覆蓋了基板11上表面的右邊部分，匹配環(huán)13的右邊部分貼合在第二部分薄膜122的外表面上，基板11上表面的左邊部分用于固定匹配環(huán)13的左邊部分(未與第二部分薄膜122的外表面貼合的部分)，匹配環(huán)13連接在標(biāo)簽芯片14的兩端，并形成內(nèi)部空間。可以通過(guò)調(diào)整第二部分薄膜122的內(nèi)表面與基板11上表面貼合的面積、匹配環(huán)13的形狀和/或匹配環(huán)13的大小，來(lái)調(diào)整標(biāo)簽的阻抗匹配，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)工作頻率可調(diào)、阻抗匹配可調(diào)、帶寬可調(diào)等。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.ー種抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在干，包括基板、金屬薄膜、匹配環(huán)和標(biāo)簽芯片，所述金屬薄膜為一體結(jié)構(gòu)，并包括第一部分薄膜、第二部分薄膜和中間部分薄膜，所述第一部分薄膜與第二部分薄膜位于所述中間部分薄膜兩側(cè)，所述第一部分薄膜與所述基板下表面完全或部分貼合，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面與所述基板上表面部分貼合，所述中間部分薄膜與所述基板的側(cè)面完全或部分貼合，所述匹配環(huán)部分貼合在所述第二部分薄膜的外表面上，所述標(biāo)簽芯片設(shè)置在所述匹配環(huán)上。
2.如權(quán)利要求I所述的抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面與所述基板上表面貼合部分的面積、所述匹配環(huán)的形狀和/或所述匹配環(huán)的大小可調(diào)。
3.如權(quán)利要求2所述的抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面的長(zhǎng)度與所述基板上表面的長(zhǎng)度一致，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面的寬度可調(diào)；或者所述第二部分薄膜的內(nèi)表面的寬度與所述基板上表面的寬度一致，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面的長(zhǎng)度可調(diào)。
4.如權(quán)利要求I至3任ー項(xiàng)所述的抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，所述第一部分薄膜通過(guò)粘貼的方式與所述基板下表面完全或部分貼合。
5.如權(quán)利要求I至3任ー項(xiàng)所述的抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面通過(guò)粘貼的方式與所述基板上表部分貼合。
6.如權(quán)利要求I至3任ー項(xiàng)所述的抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，所述中間部分薄膜通過(guò)粘貼的方式與所述基板的側(cè)面完全或部分貼合。
7.如權(quán)利要求I至3任ー項(xiàng)所述的抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，還包括粘合層，所述粘合層為一體結(jié)構(gòu)，并包括第一部分粘合層、第二部分粘合層和中間部分粘合層，所述第一部分粘合層與第二部分粘合層位于所述中間部分粘合層兩側(cè)，所述第一部分薄膜通過(guò)所述第一部分粘合層與所述基板下表面完全或部分貼合，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面通過(guò)所述第二部分粘合層與所述基板上表面部分貼合，所述中間部分薄膜通過(guò)所述中間部分粘合層與所述基板的側(cè)面完全或部分貼合。
8.如權(quán)利要求7所述的抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，所述粘合層為雙面膠。
9.如權(quán)利要求7所述的抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在干，所述匹配環(huán)未與所述第二部分薄 膜的外表面貼合的部分固定在所述基板上表面未被所述第二部分薄膜的內(nèi)表面貼合的部分。
10.如權(quán)利要求9所述的抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，所述粘合層還包括第三部分粘合層，所述匹配環(huán)未與所述第二部分薄膜的外表面貼合的部分通過(guò)所述第三部分粘合層固定在所述基板上表面。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種抗金屬電子標(biāo)簽，包括基板、金屬薄膜、匹配環(huán)和標(biāo)簽芯片，所述金屬薄膜為一體結(jié)構(gòu)，并包括第一部分薄膜、第二部分薄膜和中間部分薄膜，所述第一部分薄膜與第二部分薄膜位于所述中間部分薄膜兩側(cè)，所述第一部分薄膜與所述基板下表面完全或部分貼合，所述第二部分薄膜的內(nèi)表面與所述基板上表面部分貼合，所述中間部分薄膜與所述基板的側(cè)面完全或部分貼合，所述匹配環(huán)部分貼合在所述第二部分薄膜的外表面上，所述標(biāo)簽芯片設(shè)置在所述匹配環(huán)上。本實(shí)用新型通過(guò)以上技術(shù)方案，解決傳統(tǒng)RFID標(biāo)簽在金屬表面無(wú)法正常工作的技術(shù)問(wèn)題。
文檔編號(hào)G06K19/077GK202523096SQ201120440970
公開(kāi)日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2011年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月9日
發(fā)明者甘泉 申請(qǐng)人:國(guó)民技術(shù)股份有限公司