專利名稱：觸控裝置結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及觸控技術，特別是ー種觸控裝置結構。
背景技術：
電子裝置包括輸出與輸入裝置介面，以提供人與電子裝置的互動。在輸入裝置介面方面，因為電子材料的快速發(fā)展，觸控式輸入裝置介面已成為目前的主流。傳統(tǒng)的按鍵式輸入裝置，在未來都可能被觸控式輸入裝置所取代。用以達到觸控輸入功能的觸控裝置可以分為電阻式與電容式、電感式、聲波式、光學式等。然，前述不同的觸控裝置在使用時，均容易受到外界的信號干擾而產生誤操作。請參照圖1，為傳統(tǒng)的觸控電路的平面透視圖。如圖I所示，傳統(tǒng)的觸控裝置I主要包括感測電極結構12與周邊連接線13。感測電極結構12所涵蓋的區(qū)域定義為觸控區(qū)域，用以感測使用者的觸控操作。周邊連接線13電性連接感測電極結構12，且周邊連接線·[0004]當人手(或其他導電體)碰到觸控裝置I時，觸控裝置的感測電極結構12由于人手的觸碰產生電容變化并經由周邊連接線13而將感測電極結構12所產生的電容變化傳遞至外部的檢測電路。檢測電路可以檢測到該電容變化而計算出人手所碰到的座標。然而，該電容變化也很容易受到外部的訊號干擾等因素，而導致所述電容變化發(fā)生不正常改變，從而造成觸控裝置的誤動作。特別是當人手因持握或誤碰觸控裝置I的周邊連接線13所在的區(qū)域時，周邊連接線13本身亦會產生干擾電容變化而干擾到周邊連接線13從感測電極結構12所接收的電容變化，該干擾電容變化將與感測電極結構12上產生的電容變化一并輸出至外部的檢測電路，因此，外部的檢測電路將不能準確地檢測出感測電極結構12上產生的電容變化以及產生電容變化的位置。如圖2所示，當人手碰到A點的位置時，有可能因為上述或其他干擾，而使得上述傳統(tǒng)的觸控裝置I之檢測電路可能誤判被人手所碰到的位置為B點。

實用新型內容有鑒于此，本實用新型提供一種觸控裝置結構，利用設置于復數(shù)個周邊連接線處的屏蔽層，配合接地接觸線，可以屏蔽訊號的干擾等因素所造成的誤動作，并借此提高觸控裝置結構的靈敏度與準確性。根據(jù)上述的目的，本實用新型提供一種觸控裝置結構，其包括感測電極結構、屏蔽層、復數(shù)個周邊連接線與接地接觸線。屏蔽層包圍感測電極結構之周邊。復數(shù)個周邊連接線位于所述屏蔽層下方，且電性連接感測電極結構。接地接觸線電性連接屏蔽層。所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述感測電極結構位于一基板之下表面。所述的觸控裝置結構，其特征在于，更包括一絕緣層，位于所述基板之下表面，且夾設于所述基板與所述屏蔽層之間。所述的觸控裝置結構，其特征在于，還包括一第一絕緣圖形，設置于所述屏蔽層與所述周邊連接線之間，用以絕緣所述屏蔽層與所述周邊連接線。所述的觸控裝置結構，其特征在于，更包括ー絕緣保護層，覆蓋于所述感測電極結構、所述周邊連接線與所述接地接觸線之表面。所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述接地接觸線環(huán)繞于所述周邊連接線之周邊。所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述感測電極結構更包括一導電圖形、一第二絕緣圖形以及復數(shù)個導電跨線，且所述第二絕緣圖形設置于所述導電圖形與所述導電跨線之間。所述的觸控裝置結構 ，其特征在于，所述導電圖形包含復數(shù)個彼此獨立的第一軸向導電單元和第二軸向導電單元，且所述第二軸向導電單元沿所述軸向相互連接，所述第一軸向導電單元由所述導電跨線連接。所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述感測電極結構更包括一第一軸向導電圖形、一第二絕緣圖形以及ー第二軸向導電圖形。所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述第二絕緣圖形夾設于第一軸向導電圖形與第二軸向導電圖形之間。綜上所述，本實用新型所提供的觸控裝置結構可以屏蔽訊號干擾，避免誤操作的產生，藉此提升觸控電路運作的可靠性。

下面結合具體實施方式
及附圖，對本實用新型作進ー步詳細說明。圖I為傳統(tǒng)的觸控電路的平面透視圖。圖2為傳統(tǒng)的觸控電路之誤動作的示意圖。圖3為本實用新型實施例之觸控裝置結構的剖面圖。圖4為本實用新型實施例之觸控裝置結構的另ー實施例的剖面圖。圖5為本實用新型實施例之觸控裝置結構之絕緣層的示意圖。圖6為本實用新型實施例之觸控裝置結構的剖面圖。圖7A為本實用新型實施例之觸控裝置結構之導電圖形與屏蔽層的示意圖。圖7B為本實用新型實施例之觸控裝置結構之第一絕緣圖形與第二絕緣圖形的示意圖。圖7C為本實用新型實施例之觸控裝置結構之復數(shù)個導電跨線、復數(shù)個周邊連接線與接地接觸線的示意圖。圖7D為本實用新型實施例之觸控裝置結構的平面透視圖。圖8A為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結構的剖面圖。圖SB為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結構之第一軸向導電圖形與屏蔽層的示意圖。圖SC為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結構之第一絕緣圖形與第二絕緣圖形的示意圖。圖8D為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結構之第二軸向導電圖形、復數(shù)個周邊連接線與接地接觸線的示意圖。圖8E為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結構的平面透視圖。圖9為本實用新型實施例之觸控裝置結構的制造方法的流程圖。圖10為本實用新型實施例之觸控裝置結構的制造方法的流程圖。圖11為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結構的制造方法的流程圖。
具體實施方式
為使熟習本實用新型所屬技術領域之一般技藝者能更進一歩了解本實用新型，下文特列舉本實用新型之數(shù)個較佳實施例，并配合所附圖式，詳細說明本實用新型的構成內容及所欲達成之功效?！灿|控裝置結構的實施例〕為使能更進步了解本實用新型之特征及技術內容，請參閱以下有關本實用新型之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅系用來說明本實用新型，而非對本實用新型的權利范圍作任何的限制。請參照圖3，為本實用新型實施例之觸控裝置結構的剖面圖。觸控裝置結構3主要包括基板30、感測電極結構32、屏蔽層33、復數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36。其中，感測電極結構32位于基板30的下表面，且被感測電極結構32覆蓋的區(qū)域定義為觸控 區(qū)域，未為被其覆蓋的區(qū)域為周邊區(qū)域。屏蔽層33也覆蓋于基板30的下表面，包圍感測電極結構32之復數(shù)側，且位于周邊區(qū)域。復數(shù)個周邊連接線35位于屏蔽層33下方，且電性連接于感測電極結構32。接地接觸線36位于屏蔽層33下方，且電性連接屏蔽層33。接地接觸線36環(huán)繞于復數(shù)個周邊連接線35周邊。另，于屏蔽層33與周邊連接線35之間設置一第一絕緣圖形34，以使屏蔽層33與周邊連接線35之間相互絕緣。請參照圖4，為本實用新型實施例之觸控裝置結構的另ー實施例之剖面圖。在基板30下表面的周邊區(qū)域設置絕緣層31，使絕緣層31夾設于基板30與屏蔽層33之間。另，于感測電極結構32、周邊連接線35與接地接觸線36表面覆蓋絕緣保護層37，以防止其在后續(xù)組裝過程中的受到損傷。請參照圖5，為本實用新型實施例之觸控裝置結構之絕緣層31的示意圖。絕緣層31通常為黑色遮蔽層(Black Mask layer，即BM layer)，用以防止漏光，同時遮蔽周邊連接線35和接地接觸線36。本實施例之觸控裝置結構3可以是透明的或非透明的，當觸控裝置結構3為透明時，觸控裝置結構3更可以與顯示裝置結合。例如顯示裝置(未圖示)可貼合于觸控裝置結構3的絕緣保護層37的表面，此時觸控區(qū)域也同時是觸控式顯示器的顯示區(qū)域。復參照圖4，屏蔽層33位于絕緣層31下，且用以包圍感測電極結構32之復數(shù)側。屏蔽層33為導電性良好之材料,例如金屬、銦錫氧化物(Indium TinOxide, ΙΤ0)等。而屏蔽層33與感測電極結構32的間距可以是O. I厘米至O. 5厘米之間。但本實用新型不因此限定。屏蔽層33與感測電極結構32的間距可以根據(jù)感測電極結構32的尺寸或結構而調整。在本實施例中，屏蔽層33的形狀與絕緣層31相同，但本實用新型并不因此限定。周邊連接線35電性連接感測電極結構32。周邊連接線35與接地接觸線36通常為導電性良好的材料所制成。例如金屬、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)等。屏蔽層33可將感測電極結構32之復數(shù)側所可能接收到的干擾透過接地接觸線36傳送至接地端(未圖示)，藉此避免感測電極結構32誤動作。另外，第一絕緣圖形34將屏蔽層33與復數(shù)個周邊連接線35隔離，使得復數(shù)個周邊連接線35上所傳遞的訊號不會受到屏蔽層33上的電荷或電流所影響。換句話說，第一絕緣圖形34使得復數(shù)個周邊連接線35上所傳遞的訊號受到屏蔽層33以外的干擾是可以被忽略或是在可接受的范圍內。第一絕緣圖形34將屏蔽層33與復數(shù)個周邊連接線35隔離的距離可以是O. I厘米至O. 5厘米之間，但本實用新型并不因此限定。第一絕緣圖形34將屏蔽層33與復數(shù)個周邊連接線35隔離的距離可以依據(jù)觸控裝置3的調整。依據(jù)不同的感測電極結構32，觸控裝置3的迭層方式與制造方式可以不相同。在本說明書中，列舉三種感測電極結構32及其制造方法用以幫助說明，但本實用新型并不因此限定。第一種感測電極結構32的迭層方式可透過以下對圖6至圖10的說明來了解。請同時參照圖6與圖7A，圖6為本實用新型實施例之觸控裝置結構的剖面圖，圖7A為本實用新型實施例之觸控裝置結構之導電圖形321與屏蔽層33的示意圖。觸控裝置結構3的感測電極結構包括導電圖形321、第二絕緣圖形322與復數(shù)個導電跨線323。導電圖形321可以是導電良好的金屬或銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)。在本實施例中的導電圖形321包含兩個軸向的導電結構(X軸與Y軸)，即復數(shù)個彼此獨立的第一軸向(X軸)導電單
元和第二軸向(Y軸)導電單元，其中僅有第二軸向(Y軸)的導電單元沿該軸向(Y軸)相互連接。請同時參照圖6、圖7Α與圖7Β，圖7Β為本實用新型實施例之觸控裝置結構之第一絕緣圖形34與第二絕緣圖形322的示意圖。第二絕緣圖形322部分覆蓋導電圖形321。第一絕緣圖形34位于屏蔽層33下。請同時參照圖6、圖7Β與圖7C，圖7C為本實用新型實施例之觸控裝置結構之復數(shù)個導電跨線、復數(shù)個周邊連接線與接地接觸線的示意圖。復數(shù)個導電跨線323部分覆蓋第ニ絕緣圖形322，且復數(shù)個導電跨線323可連接導電圖形321的第一軸向(X軸)導電單元。復數(shù)個周邊連接線35位于第一絕緣圖形34下。接地接觸線36位于屏蔽層33下，且接地接觸線36電性連接屏蔽層33。在本實施例中，復數(shù)個導電跨線323是非透明的金屬，例如金、銀、銅等，但本實用新型并不因此限定。請同時參照圖5至圖7D，圖7D為本實用新型實施例之觸控裝置結構的平面透視圖。圖6的觸控裝置結構3為將圖5、圖7Α至圖7C所繪示的結構迭合而成，如圖7D所示。導電圖形321、第二絕緣圖形322與導電跨線323形成感測電極結構32。且由圖7D可看出，本實施例之觸控裝置結構3的感測電極結構32為具有兩個軸向(X軸與Y軸)的感測電極結構。復參照圖4，在實際應用時，觸控裝置結構3可能更具有保護層37以利后續(xù)的制造與組裝。絕緣保護層37可以用黃光制程、磁控濺鍍、印刷或噴涂方式制作，并使絕緣保護層37覆蓋復數(shù)個導電跨線323、復數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36。第二種感測電極結構的迭層方式是將感測電極結構32的復數(shù)個導電跨線323由不透明的金屬改為其他透明導電材料，例如銦錫氧化物(ITO)。導電圖形321、第二絕圖形322與導電跨線323可以使用透明的材料，使得感測電極結構32為透明。第三種感測電極結構的迭層方式是將X軸向與Y軸向的電極分別制作在不同層。請參照圖8Α，圖8Α為本實用新型實施例之觸控裝置結構的剖面圖。如圖8Α所示，觸控裝置結構7的感測電極結構72包括第一軸向導電圖形721、第二絕緣圖形722與第二軸向導電圖形723。請同時參照圖8Α至與圖8Ε，本實施例的觸控裝置結構7與圖6的觸控裝置結構3大致相同，其差異僅在于感測電極結構。感測電極結構72包括第一軸向導電圖形721、第二絕緣圖形722與第二軸向導電圖形723。如圖8B所示，感測電極結構72的第一軸向導電圖形721為Y軸向電極。如圖8D所示，第二軸向導電圖形723為X軸向電極。第一軸向導電圖形721與第二軸向導電圖形723的結合即為先前實施例在圖7A中所敘述的導電圖形321。此外，感測電極結構72的第二絕緣圖形722為完整ー層的絕緣圖形，夾設于第一軸向導電圖形721與第二軸向導電圖形723之間，以使第一軸向導電圖形721與第二軸向導電圖形723彼此絕緣。需要注意的是，依據(jù)上述，第一軸向導電圖形721與復數(shù)個周邊連接線35之間被第二絕緣圖形722隔離。為了使第一軸向導電圖形721與復數(shù)個周邊連接線35電性連接，可以在第二絕緣圖形722的適當位置產生復數(shù)個通孔(viaholes)，且使復數(shù)個通孔具有導電性。藉此，圖SB 8D所繪示的結構迭合時，第一軸向導電圖形721與復數(shù)個周邊連接線35可以電性連接，本領域具有通常知識者應可推之實施方式，不再贅述。另外，觸控裝置結構7的其他部分請參照本實施例先前的說明，在此不再贅述。〔觸控裝置結構的制造方法〕觸控裝置結構的制造方法通常是在圖3的基板30之表面上逐步形成觸控裝置結構，再將所形成的觸控裝置結構上下顛倒置放即成為圖3所示的觸控裝置結構3。請同時參照圖4、圖5與圖9，圖9為本實用新型實施例之觸控裝置結構的制造方法的流程圖。此制造方法包括以下步驟。首先，在步驟S81中，形成絕緣層31于基板30的下表面上?；?0可以是裸玻璃，且可以經由化學或物理方法強化裸玻璃的強度。絕緣層31通常為黑色遮蔽層(Black Mask layer, BMlayer)，用以防止漏光。在步驟S81中，絕緣層31可以使用黃光制程或印刷制程來完成。然后，在步驟S82中，形成感測電極結構32于基板30的下表面上。接著，在步驟S83中，形成屏蔽層33，并使屏蔽層33包圍感測電極結構32的復數(shù)側。再來，在步驟S84中，形成第一絕緣圖形34于屏蔽層33上。然后，在步驟S85中，形成復數(shù)個周邊連接線35在第一絕緣圖形34上，且復數(shù)個周邊連接線35電性連接感測電極結構32。由步驟S84與步驟S85可知，第一絕緣圖形34位于屏蔽層33與周邊連接線之間，第一絕緣圖形34用以將屏蔽層33與周邊連接線35隔離，使得復數(shù)個周邊連接線35上所傳遞的訊號不會受到屏蔽層33上的電荷或電流所影響。然后，在步驟S86中，形成接地接觸線36在屏蔽層33上，并使接地接觸線36電性連接屏蔽層33。須要注意的是，當復數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36為相同的導電材料時，步驟S85與步驟S86也可以在同一個制程步驟中完成。另外，實際應用時，觸控裝置結構可能更具有保護層以利后續(xù)的制造與組裝。所以，在步驟S86完成后，可以進行步驟S87，形成絕緣保護層37覆蓋感測電極結構32、復數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36。絕緣保護層37可以使用黃光制程、磁控濺鍍、印刷或噴涂方式完成。請同時參照圖6、圖7A至7D與圖10，圖10為本實用新型實施例之觸控裝置結構的制造方法的流程圖。依據(jù)圖6的感測電極結構32，當復數(shù)個導電跨線323為金屬時，觸控裝置結構3的制造方法可以包括以下步驟。首先，在步驟S91中，形成絕緣層31于基板30的下表面上。步驟S91可以與圖9中的步驟S81相同，不再贅述。然后，在步驟S92中，形成導電圖形321于基板30的下表面上，且形成屏蔽層33于絕緣層31上。導電圖形321與屏蔽層33可以使用相同的導電良好的材料以方便同時形成。導電圖形321是感測電極結構32的其中一部份。例如導電圖形321與屏蔽層33可以是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ΙΤ0)ο在步驟S92中，形成導電圖形321與屏蔽層33的方法使用黃光制程或印刷制層。另外，屏蔽層33的形狀可以與絕緣層31相同，如圖5所示，但本實用新型并不因此限定。再來，在步驟S93中，形成第一絕緣圖形34與第二絕緣圖形322，第一絕緣圖形34部分覆蓋屏蔽層33，第二絕緣圖形322部分覆蓋導電圖形321。第二絕緣圖形322是感測電極結構32的其中一部份。在步驟S93中，形成第一絕緣圖形34與第二絕緣圖形322的方法可以是黃光制程或印刷制程。然后，在步驟S94中，形成復數(shù)個導電跨線323、復數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36，且接地接觸線36電性連接屏蔽層33。復數(shù)個導電跨線323、復數(shù)個周邊連接線35與接地接觸線36可以由相同的導電材料制成，使得復數(shù)個導電跨線323、復數(shù)個周邊連接線 35與接地接觸線36可以在同一個制程步驟完成，以減少制造成本。步驟S94的實施方式可以是先使用磁控濺鍍形成金屬導電層，再使用黃光制程或印刷制程形成復數(shù)個導電跨線323、復數(shù)個周邊連接線35以及復數(shù)個接地接觸線36。然后，在步驟S95中，形成絕緣保護層37覆蓋感測電極結構32、周邊連接線35與接地接觸線36。步驟S95可以與圖9中的步驟S87相同，不再贅述。請同時參照圖8Α與圖11，圖11為本實用新型另ー實施例之觸控裝置結構的制造方法的流程圖。在圖8Α中的觸控裝置結構7的制造方法可以如圖11所示。此制造方法包括以下步驟，首先，在步驟SlOl中，形成絕緣層31于基板30的下表面上。步驟SlOl可以與圖9中的步驟S81相同，不再贅述。然后，在步驟S102中，形成第一軸向導電圖形721于基板30的下表面上，且形成屏蔽層33于絕緣層31上。步驟S102中的第一軸向導電圖形721與屏蔽層33可以使用相同的導電材料，以使第一軸向導電圖形721與屏蔽層33可以在同一個制程步驟中完成。接著，在步驟S103中，形成第二絕緣圖形722與第一絕緣圖形34分別位于第一軸向導電圖形721與屏蔽層33上。第二絕緣圖形722與第一絕緣圖形34可以是相同的絕緣材料，以使第二絕緣圖形722與第一絕緣圖形34可以在同一個制程步驟中完成。再來，在步驟S104中，同時形成第二軸向導電圖形723、復數(shù)個周邊連接線35、接地接觸線36，其中第二軸向導電圖形723位于第二絕緣圖形722上，復數(shù)個周邊連接線35位于第一絕緣圖形34上，接地接觸線36位于屏蔽層33上，并使接地接觸線36電性連接屏蔽層33。第二軸向導電圖形723、復數(shù)個周邊連接線35、接地接觸線36可以是相同的導電材料，以使第二軸向導電圖形723、復數(shù)個周邊連接線35、接地接觸線36可以在同一個制程步驟中完成。然后，在步驟S105中，形成絕緣保護層37，并使絕緣保護層37覆蓋感測電極結構72、周邊連接線35與接地接觸線36?！矊嵤├目赡芄πА掣鶕?jù)本實用新型實施例，上述的觸控裝置結構及其制造方法可以屏蔽掉訊號干擾，藉此提升觸控裝置結構的感測電極結構運作的可靠性。另外，觸控裝置結構的周邊連接線可以屏蔽或消除訊號干擾，特別是人手碰到觸控裝置周圍的連接導線而導致的微小電流變化。據(jù)此，觸控裝置結構的生產品質和良率可以提升，生產成本也可以降低。以上所述，僅為本實用新型較佳實施例而已，故不能以此限定本實用新型的范圍，即依本實用新型申請專利范圍及說明書內容所作的等效變化與修飾，皆應仍屬本實用新型 專利涵蓋的范圍內。
權利要求1.一種觸控裝置結構，包括 ー感測電極結構； 一屏蔽層，包圍所述感測電極結構之周邊； 復數(shù)個周邊連接線，位于所述屏蔽層下方，且電性連接所述感測電極結構； 以及 一接地接觸線，電性連接所述屏蔽層。
2.根據(jù)權利要求I所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述感測電極結構位于一基板之下表面。
3.根據(jù)權利要求2所述的觸控裝置結構，其特征在于，更包括一絕緣層，位于所述基板之下表面，且夾設于所述基板與所述屏蔽層之間。
4.根據(jù)權利要求I所述的觸控裝置結構，其特征在于，還包括一第一絕緣圖形，設置于所述屏蔽層與所述周邊連接線之間，用以絕緣所述屏蔽層與所述周邊連接線。
5.根據(jù)權利要求I所述的觸控裝置結構，其特征在于，更包括ー絕緣保護層，覆蓋于所述感測電極結構、所述周邊連接線與所述接地接觸線之表面。
6.根據(jù)權利要求I所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述接地接觸線環(huán)繞于所述周邊連接線之周邊。
7.根據(jù)權利要求I所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述感測電極結構更包括ー導電圖形、一第二絕緣圖形以及復數(shù)個導電跨線，且所述第二絕緣圖形設置于所述導電圖形與所述導電跨線之間。
8.根據(jù)權利要求7所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述導電圖形包含復數(shù)個彼此獨立的第一軸向導電單元和第二軸向導電單元，且所述第二軸向導電單元沿所述軸向相互連接，所述第一軸向導電單元由所述導電跨線連接。
9.根據(jù)權利要求I所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述感測電極結構更包括一第ー軸向導電圖形、一第二絕緣圖形以及ー第二軸向導電圖形。
10.根據(jù)權利要求9所述的觸控裝置結構，其特征在于，所述第二絕緣圖形夾設于第一軸向導電圖形與第二軸向導電圖形之間。
專利摘要本實用新型提供一種觸控裝置結構，其包括感測電極結構、屏蔽層、復數(shù)個周邊連接線與接地接觸線。屏蔽層包圍感測電極結構之周邊。復數(shù)個周邊連接線位于所述屏蔽層下方，且電性連接感測電極結構。接地接觸線電性連接屏蔽層。據(jù)此，所述觸控裝置結構可以屏蔽掉外部的干擾，藉此提升觸控電路運作的可靠性。
文檔編號G06F3/041GK202472596SQ20112039561
公開日2012年10月3日 申請日期2011年10月13日 優(yōu)先權日2011年10月13日
發(fā)明者吳佳, 江耀誠, 蔡志雄, 黃萍萍 申請人:宸鴻科技(廈門)有限公司