專利名稱：導(dǎo)電光學(xué)器件、信息輸入裝置以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電光學(xué)器件、信息輸入裝置以及顯示裝置，并且更具體地，涉及在一個(gè)主表面上形成透明導(dǎo)電層的導(dǎo)電光學(xué)器件。
背景技術(shù)：
近年來，已在包括在移動裝置、移動電話等中的顯示裝置上設(shè)置了用于輸入信息的觸摸板。例如，電阻膜型觸摸板具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中，兩個(gè)透明導(dǎo)電膜隔著由諸如丙烯酸樹脂的絕緣材料構(gòu)成的間隔物而設(shè)置為彼此相對，并且透明導(dǎo)電膜用作觸摸板的電極。透明導(dǎo)電膜包括具有透明性的基板(諸如高分子膜)和形成在基板上的透明導(dǎo)電層。作為構(gòu)成透明導(dǎo)電膜的透明導(dǎo)電層，已經(jīng)廣泛使用了通過使用具有高折射率(例如，約為I. 9至約2. I)的材料(諸如銦錫氧化物)而形成的無機(jī)導(dǎo)電化合物的薄膜。然而， 無機(jī)導(dǎo)電化合物的薄膜的柔性(撓性，flexibility)不足，因此，透明導(dǎo)電膜具有較差的可彎曲性。如果將透明導(dǎo)電層形成為較薄以提高透明導(dǎo)電膜的可彎曲性，則難以獲得透明導(dǎo)電膜所需的例如約50 Ω / □至約500 Ω / 口的表面電阻值。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)理想的表面電阻值，如果透明導(dǎo)電層形成得較厚，則透明導(dǎo)電膜的可彎曲性和透射率降低。以這種方式，難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電膜的可彎曲性、低電阻和高透射率。為了解決該問題，例如，日本未審查專利申請公開第2009-302029號公開了一種柔性透明導(dǎo)電膜，其中，通過在具有氣體阻隔功能的塑料膜上涂覆包含導(dǎo)電氧化物顆粒和粘合基質(zhì)的涂覆液來形成透明導(dǎo)電層。另外，例如，日本未審查專利申請公開第 2010-225375號公開了一種透明導(dǎo)電膜，其通過首先在透明有機(jī)高分子膜上形成有機(jī)高分子導(dǎo)電化合物的層并在其上形成無機(jī)導(dǎo)電化合物的層來獲得。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在日本未審查專利申請公開第2009-302029或2010-225375號中，如果要實(shí)現(xiàn)低電阻，則透明導(dǎo)電層的厚度增大，從而使得不能獲得充分的可彎曲性。因此，期望提供一種導(dǎo)電光學(xué)器件、信息輸入裝置和顯示裝置，能夠在對于彎曲保持導(dǎo)電性的同時(shí)確保低電阻和高透射率。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，提供了一種導(dǎo)電光學(xué)器件，其包括基板具有柔性的；結(jié)構(gòu)體元件，由以小于等于可見光的波長的微小間距配置在基板的表面上的多個(gè)凸部或凹部構(gòu)成；以及透明導(dǎo)電層，形成在結(jié)構(gòu)體元件上，其中，結(jié)構(gòu)體元件的縱橫比為大于等于O. I 小于等于I. 8，其中，透明導(dǎo)電層具有仿效結(jié)構(gòu)體元件的表面，并且其中，該導(dǎo)電光學(xué)器件對于彎曲試驗(yàn)保持導(dǎo)電性。在本發(fā)明中，優(yōu)選包括結(jié)構(gòu)體元件和透明導(dǎo)電層的基板具有柔性。在采用該構(gòu)造的情況下，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體元件的縱橫比被設(shè)定為大于等于O. I小于等于1.8，并且透明導(dǎo)電層具有仿效結(jié)構(gòu)體元件的表面。這是因?yàn)槟軌驅(qū)τ趶澢囼?yàn)保持導(dǎo)電性。術(shù)語“對于彎曲試驗(yàn)保持導(dǎo)電性”具體由這樣的狀態(tài)來定義，其中，繞Φ4金屬棒卷繞后的中間電阻的測量值與卷繞之前(沒有彎曲)的中間電阻的電阻值之間的變化在小于等于50%的范圍內(nèi)。在導(dǎo)電光學(xué)器件被用作透明導(dǎo)電膜的情況下，就同時(shí)實(shí)現(xiàn)可彎曲性、低電阻和高透射率而言，優(yōu)選透明導(dǎo)電層的表面電阻被設(shè)定為在大于等于50Ω/ □小于500Ω/ □的范圍內(nèi)。優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體元件的頂部的透明導(dǎo)電層的厚度在大于等于5nm小于等于150nm的范圍內(nèi)。在本發(fā)明中，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體元件被配置為在基板的表面上構(gòu)成多個(gè)軌跡列。優(yōu)選多列軌跡例如具有直線形狀或圓弧形狀，或者優(yōu)選多列軌跡形成為蜿蜒狀。在本發(fā)明中，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體元件周期地配置為六方點(diǎn)陣狀或類六方點(diǎn)陣狀。此處，六方點(diǎn)陣表不正六方形狀的點(diǎn)陣。與正六方形狀的點(diǎn)陣不同，類六方點(diǎn)陣表不變形的正六方形狀的點(diǎn)陣。例如，在結(jié)構(gòu)體元件以直線配置的情況下，類六方點(diǎn)陣圖案表示通過在直線形狀配置方向(軌跡方向)上延伸正六方形狀的點(diǎn)陣以使其變形所形成的六方點(diǎn)陣。在結(jié)構(gòu)體元件被配置為蜿蜒狀的情況下，類六方點(diǎn)陣表示通過使結(jié)構(gòu)體元件的配置蜿蜒而使正六方形狀的點(diǎn)陣變形所形成的六方點(diǎn)陣。另外，類六方點(diǎn)陣表示通過在直線形狀配置方向(軌跡方向)上延伸正六方形狀的點(diǎn)陣以使其變形、并通過使結(jié)構(gòu)體元件的配置蜿蜒而使正六方形狀的點(diǎn)陣變形所形成的六方點(diǎn)陣。另外，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體元件周期地配置為四方點(diǎn)陣狀或類四方點(diǎn)陣狀。此處，四方點(diǎn)陣表示正四方形狀的點(diǎn)陣。與正四方形狀的點(diǎn)陣不同，類四方點(diǎn)陣表示變形的正四方形狀的點(diǎn)陣。例如，在結(jié)構(gòu)體元件以直線配置的情況下，類四方點(diǎn)陣表示通過在直線形狀配置方向(軌跡方向)上延伸正四方形狀的點(diǎn)陣以使其變形所形成的四方點(diǎn)陣。在結(jié)構(gòu)體元件蜿蜒配置的情況下，類六方點(diǎn)陣表示通過結(jié)構(gòu)體元件的蜿蜒配置而使正四方形狀的點(diǎn)陣變形所形成的四方點(diǎn)陣。另外，類四方點(diǎn)陣表示通過在直線形狀配置方向(軌跡方向)上延伸正四方形狀的點(diǎn)陣以使其變形、并通過結(jié)構(gòu)體元件的蜿蜒配置而使正四方形狀的點(diǎn)陣變形所形成的四方點(diǎn)陣。在本發(fā)明中，結(jié)構(gòu)體元件為在軌跡延伸方向上具有長軸方向的橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀。在本發(fā)明中，橢圓包括數(shù)學(xué)上定義的理想橢圓以及以一定程度變形的橢圓。圓形包括數(shù)學(xué)上定義的理想圓形以及以一定程度變形的圓形。在本發(fā)明中，以微小間距配置在基板的表面上的多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件構(gòu)成多列軌跡， 并在三列相鄰的軌跡中形成六方點(diǎn)陣圖案、類六方點(diǎn)陣圖案、四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案。因此，能夠增大結(jié)構(gòu)體元件在表面上的填充密度，從而能夠提高可見光等的反射防止效率。因此，能夠獲得具有良好反射防止特性和高透射率的導(dǎo)電光學(xué)器件。另外，優(yōu)選的是，在一個(gè)主表面以及與該一個(gè)主表面相對的一側(cè)的主表面上形成結(jié)構(gòu)體元件的微小配置的情況下，例如，在光入射面和光出射面設(shè)置至兩面的情況下，可以進(jìn)一步提高透射特性。例如，在導(dǎo)電光學(xué)器件被用作觸摸板的情況下，多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件形成在成為觸摸側(cè)的表面上或形成在附接在顯示裝置上的一側(cè)的表面上。通過這樣做，可以提高觸摸板的反射防止特性和透射特性。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以實(shí)現(xiàn)能夠確保低電阻和高透射率并對于彎曲保持導(dǎo)電性的導(dǎo)電光學(xué)器件。


圖的平面圖；例的處理例的處理圖
圖
圖
圖
圖
圖
圖
IA是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)器件的構(gòu)造的實(shí)例；
IB是沿圖IA中所示的線IB-IB截取的導(dǎo)電光學(xué)器件的截面IC是圖IA中所示的導(dǎo)電光學(xué)器件的部分放大透視2A是圖IA中所示的導(dǎo)電光學(xué)器件的部分放大平面2B是示出了結(jié)構(gòu)體元件被配置為形成四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案的實(shí)例
2C是示出了結(jié)構(gòu)體元件被配置為蜿蜓狀(meander)的平面3A至圖3C是示出了結(jié)構(gòu)體元件的配置的其他構(gòu)造的實(shí)例的平面4是示出了輥型母板盤曝光裝置的構(gòu)造的實(shí)例的示意5A至圖是示出了制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)器件的方法的實(shí)
6A至圖6D是示出了制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)器件的方法的實(shí)
7A是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的觸摸板的構(gòu)造的實(shí)例的透視7B是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的觸摸板的構(gòu)造的實(shí)例的截面8 A是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的第一修改例的觸摸板的第一修改例的透視
SB是示出了第一導(dǎo)電光學(xué)器件的構(gòu)造的實(shí)例的分解透視8C是沿圖8B的線VIIIC-VIIIC截取的示意性截面9A是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的第二修改例的觸摸板的構(gòu)造的實(shí)例的透視圖9B是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的第二修改例的觸摸板的構(gòu)造的實(shí)例的截面圖；圖IOA是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的第三修改例的觸摸板的構(gòu)造的實(shí)例的透視圖；圖IOB是沿圖IOA的線XB-XB截取的截面圖；圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的顯示裝置的構(gòu)造的實(shí)例的示意性截面
透視圖12A是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的電化學(xué)器件的構(gòu)造的實(shí)例的示意性圖12B是沿圖12A的線XIIB-XIIB截取的截面圖；以及
圖13是不出了試樣1-1至1-3、試樣2-1和試樣3-1的導(dǎo)電光學(xué)器件的電阻變化
率的曲線圖。
具體實(shí)施方式
將參考附圖以下面的順序來描述本發(fā)明的實(shí)施方式。I.第一實(shí)施方式2.第二實(shí)施方式(信息輸入裝置(觸摸板)的應(yīng)用例)3.第三實(shí)施方式(顯示裝置(電子紙)的應(yīng)用例)4.第四實(shí)施方式(電化學(xué)器件的應(yīng)用例(染料敏化太陽能電池))〈I.第一實(shí)施方式>[導(dǎo)電光學(xué)器件的構(gòu)造]圖IA是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)器件的構(gòu)造的實(shí)例的示意性平面圖。圖IB是沿圖IA中的線IB-IB截取的導(dǎo)電光學(xué)器件的截面圖。圖IC是圖IA中所示的導(dǎo)電光學(xué)器件的部分放大透視圖。圖2A是圖IA中所示的導(dǎo)電光學(xué)器件的部分放大平面圖。圖2B是示出了結(jié)構(gòu)體元件被配置為形成四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案的實(shí)例的平面圖。圖2C是示出了結(jié)構(gòu)體元件被配置為蜿蜒狀的實(shí)例的平面圖。下文中，在導(dǎo)電光學(xué)器件的平面中的兩個(gè)垂直方向被設(shè)定為X軸方向和Y軸方向，并且垂直于X軸方向和Y軸方向的方向被稱作Z軸方向。導(dǎo)電光學(xué)器件包括基板，具有柔性；多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件，由以小于等于用于減少反射的光的波長的微小間距配置在基板的表面上的多個(gè)凸部或凹部構(gòu)成；以及形成在結(jié)構(gòu)體元件上的透明導(dǎo)電層。該導(dǎo)電光學(xué)元件具有防止在圖IA至圖IC的-Z方向上透射的光在結(jié)構(gòu)體元件和環(huán)境空氣的界面上反射的作用。如圖IA至圖IC所示，根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)器件I包括具有配置有多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件3的表面的基板2和形成在結(jié)構(gòu)體元件3上的透明導(dǎo)電層4。結(jié)構(gòu)體元件3的縱橫比被設(shè)定為大于等于O. I小于等于I. 8，并且透明導(dǎo)電層4具有效仿結(jié)構(gòu)體元件3的表面。由于透明導(dǎo)電層4形成在縱橫比大于等于O. I小于等于1.8的結(jié)構(gòu)體元件3上，所以對于彎曲試驗(yàn)保持了導(dǎo)電光學(xué)器件I的導(dǎo)電性。下文中，將依次描述包括在導(dǎo)電光學(xué)器件I中的基板2、結(jié)構(gòu)體元件3和透明導(dǎo)電層4。(基板)基板2例如為具有透明性的透明基板?；?的材料例如包括具有透明性的塑料材料、玻璃等作為主要成分。然而，基板2的材料不特別限于此。就諸如透射率、折射率和分散度的光學(xué)特性以及諸如耐沖擊性、耐熱性和耐用性的其他特性而言，塑料材料優(yōu)選包括聚甲基丙烯酸甲酯、諸如乙烯基單體(諸如甲基丙烯酸甲酯、其他烷基(甲基)丙烯酸酯以及苯乙烯)的共聚物的(甲基)丙烯酸樹脂；諸如聚碳酸酯和二甘醇雙(烯丙基碳酸酯)(CR-39)的聚碳酸酯樹脂；熱固性(甲基)丙烯酸樹脂，諸如(溴化)雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物以及聚合物的共聚物以及(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯的尿烷改性單體的聚合物和共聚物；聚酯，特別地，為聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯以及不飽和聚酯，丙烯腈苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、多芳基化合物、聚苯硫醚、聚醚酮、環(huán)烯聚合物(商品名稱ART0N、ZE0N0R)等。另外，就耐熱性而言， 還可以使用芳綸樹脂。在基板2的主要成分為玻璃的情況下，優(yōu)選基板2具有使基板2具有柔性的厚度，例如，約50 μ m至約100 μ m的厚度。在基板2為塑料膜的情況下，基板2例如可以通過擠出上述樹脂的方法、拉伸上述樹脂的方法、以及用溶劑稀釋上述樹脂、形成膜狀層并干燥的流延成型方法等來獲得。另外，基板2的厚度例如為在約25 μ m至約500 μ m的范圍內(nèi)。在塑料材料被用作基板2的情況下，為了進(jìn)一步提高塑料材料的表面的表面能、 涂覆特性、平滑度、平坦度等，可以通過表面處理來制備底涂層。底涂層例如包括有機(jī)烷氧基金屬化合物、聚酯、丙烯酸改性的聚酯、聚氨酯等。另外，為了獲得與底涂層的制備相同的效果，也可以對基板2的表面執(zhí)行電暈放電、UV(紫外線)照射處理等?；?的形狀例如包括片狀、板狀和塊狀，但基板2的形狀不特別限于上述形狀。 此處，可以限定片包括膜。優(yōu)選地，根據(jù)諸如照相機(jī)的光學(xué)裝置等中需要預(yù)定的反射防止功能的部分的形狀等來適當(dāng)?shù)剡x擇基板2的形狀。(結(jié)構(gòu)體元件)作為凸部的多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件3被配置在基板2的表面上。結(jié)構(gòu)體元件3以小于等于用于減少反射的光的波段的小配置間距(例如，以與可見光的波長基本相同的配置間距)而周期性地二維配置。此處，配置間距表示在圖2A至圖2C中示出的配置間距Pl和配置間距P2。用于減少反射的光的波段例如為紫外光的波段、可見光的波段或者紅外光的波段。此處，紫外光的波段為IOnm至360nm的波段；可見光的波段為360nm至830nm的波段； 紅外光的波段為830nm至Imm的波段。更具體地，配置間距優(yōu)選大于等于ISOnm小于等于 350nm，更優(yōu)選地，大于等于190nm小于等于280nm。如果配置間距小于180nm，則存在難以制造結(jié)構(gòu)體元件3的趨勢。另一方面，如果配置間距超過350nm，則存在發(fā)生可見光衍射的趨勢。如圖2A至圖2C所示，結(jié)構(gòu)體元件3被配置為形成例如多列軌跡T1、T2、T3、...(下文中，統(tǒng)稱為“軌跡Τ”)。如圖2Α所示，Pl表示同一軌跡(例如，Tl)中的結(jié)構(gòu)體元件3的配置間距。Ρ2表示兩個(gè)相鄰的軌跡(例如，Tl和Τ2)的結(jié)構(gòu)體元件3的配置間距，即，結(jié)構(gòu)體元件3在相對于軌跡延伸方向土 Θ方向上的配置間距(例如，al和a7之間的距離或者 a2和a7之間的距離)。在本發(fā)明中，軌跡表示結(jié)構(gòu)體元件3形成以直線形狀或曲線形狀排成的列的部分。另外，列方向表示在形成一組結(jié)構(gòu)體元件3的基板2的表面上垂直于軌跡延伸方向(例如，X軸方向)的方向。在圖2A中所示的實(shí)例中，兩個(gè)相鄰軌跡T之間的結(jié)構(gòu)體元件3例如配置在半間距位移位置處。更具體地，在兩個(gè)相鄰的軌跡T之間，另一軌跡(例如，T2)的結(jié)構(gòu)體元件3配置于在一個(gè)軌跡(例如，Tl)中配置的結(jié)構(gòu)體元件3中的中間位置處(半間距位移位置)。 結(jié)果，如圖2A所示，結(jié)構(gòu)體元件3被配置為使得形成六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案，其中，結(jié)構(gòu)體元件3的中心位于三列相鄰的軌跡(Tl至T3)中的點(diǎn)al至a7。在實(shí)施方式中， 六方點(diǎn)陣圖案表示正六方形狀的點(diǎn)陣圖案。另外，與正六方形狀的點(diǎn)陣圖案不同，類六方點(diǎn)陣圖案表示在軌跡延伸方向(例如，X軸方向)上被拉伸的變形的六方點(diǎn)陣圖案。在結(jié)構(gòu)體元件3被配置為使得形成類六方點(diǎn)陣圖案的情況下，如圖2A所示，優(yōu)選同一軌跡(例如，Tl)中的結(jié)構(gòu)體元件3的配置間距Pl大于兩個(gè)相鄰的軌跡(例如，Tl和 T2)之間的結(jié)構(gòu)體元件3的配置間距(即結(jié)構(gòu)體元件3在相對于軌跡延伸方向的土 Θ方向上的配置間距)。結(jié)構(gòu)體元件3以這種方式進(jìn)行配置，以使得可以進(jìn)一步增大結(jié)構(gòu)體元件3 的填充密度。在圖2B所示的實(shí)例中，結(jié)構(gòu)體元件3在三列相鄰的軌跡中形成四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案。此處，與正四方點(diǎn)陣圖案不同，類四方點(diǎn)陣圖案表示在軌跡延伸方向(X方向)上被拉伸的變形的四方點(diǎn)陣圖案。在圖2C所示的實(shí)例中，結(jié)構(gòu)體元件3以蜿蜒軌跡(下文中，被稱為擺動軌跡)配置。優(yōu)選基板2上的軌跡的擺動彼此相同步。換言之，優(yōu)選擺動是同步的擺動。以此方式， 擺動彼此相同步，使得能夠保持六方點(diǎn)陣或類六方點(diǎn)陣的單位點(diǎn)陣形狀。作為擺動軌跡的波形，例如，可以示例出正弦波形、三角波形等。擺動軌跡的波形不限于周期波形，而也可以使用非周期波形。擺動軌跡的擺動幅度選擇為例如約±10μπι。另外，在結(jié)構(gòu)體元件被配置為蜿蜒狀的情況下，類六方點(diǎn)陣表示通過結(jié)構(gòu)體元件的蜿蜒配置而使正六方形狀的點(diǎn)陣變形所形成的六方點(diǎn)陣。另外，類六方點(diǎn)陣可以表示通過在直線形狀的配置方向(軌跡方向)上延伸以變形并且通過結(jié)構(gòu)體元件的蜿蜒配置而使正六方形狀的點(diǎn)陣變形所形成的六方點(diǎn)陣。類四方點(diǎn)陣表示通過結(jié)構(gòu)體元件的蜿蜒配置而使正四方形狀的點(diǎn)陣變形所形成的四方點(diǎn)陣。另外，類四方點(diǎn)陣可以表示通過在直線形狀的配置方向(軌跡方向)上延伸正四方形狀的點(diǎn)陣以變形并且通過結(jié)構(gòu)體元件的蜿蜒配置而使正四方形狀的點(diǎn)陣變形所形成的四方點(diǎn)陣。圖3Α至圖3C是示出了結(jié)構(gòu)體元件的配置的其他構(gòu)造的實(shí)例的平面圖。如圖3Α 所示，形成在基板2的表面上的結(jié)構(gòu)體元件3的尺寸可以被任意設(shè)定；并且如圖3Β所示，形成在基板2的表面上的結(jié)構(gòu)體元件3的配置可以被任意設(shè)定。另外，如圖3C表示，形成在基板2上的結(jié)構(gòu)體元件3的尺寸和配置可以被任意設(shè)定。作為結(jié)構(gòu)體元件3的具體形狀，例如，可以示例出椎體形、柱形、針形、半球形、半橢圓球形、多邊形等。然而，不限于上述形狀，并且可以采用其他形狀。另外，可以采用切去頂部的形狀，并且可以在結(jié)構(gòu)體元件3的表面上，例如，頂部上形成微孔。考慮到容易形成,優(yōu)選結(jié)構(gòu)體元件3具有椎體形或通過在軌跡方向上延伸或收縮椎體形所形成的椎體形。優(yōu)選結(jié)構(gòu)體元件3具有軸對稱的椎體形或通過在軌跡方向上延伸或收縮椎體形所形成的椎體形。在結(jié)構(gòu)體元件3接合至相鄰的結(jié)構(gòu)體元件3的情況下，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體元件3除了接合至相鄰的結(jié)構(gòu)體元件3的下部之外具有軸對準(zhǔn)椎體形或通過在軌跡方向上延伸或收縮椎體形所形成的椎體形。作為椎體形，例如，可以示例出圓椎形狀、圓錐臺形狀、橢圓椎形狀、橢圓椎臺形狀等。此處，如上所述，椎體形除了圓椎形狀和圓椎臺形狀之外還包括橢圓椎形狀和橢圓椎臺形狀。另外，圓椎臺形狀表示通過切去圓椎形狀的頂部所形成的形狀，并且橢圓錐臺形狀表示通過切去橢圓錐形狀的頂部的形狀。優(yōu)選結(jié)構(gòu)體元件3具有其中軌跡延伸方向上的寬度大于垂直于延伸方向的列方向上的寬度的底面的椎體形狀。更具體地，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體元件3具有其頂部為曲面的橢圓錐形狀作為其底面為具有長軸和短軸的橢圓狀、卵形或蛋形的圓錐結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)?，如果結(jié)構(gòu)體元件3具有這些形狀,能夠提高列方向上的填充率(packing ratio)。另外，在圖IC所示的實(shí)例中，盡管結(jié)構(gòu)體元件3具有相同的尺寸和/或形狀，但結(jié)構(gòu)體元件3不限于此?？梢曰旌闲纬删哂袃煞N以上的尺寸和/或形狀的結(jié)構(gòu)體元件3。在通過使用后文所述的棍型母板盤(roll masterdisc)曝光裝置來制造棍型母板盤的情況下，優(yōu)選采用頂部具有凸?fàn)钋娴臋E圓錐形狀或頂部平坦的橢圓錐臺形狀作為結(jié)構(gòu)體元件 3的形狀，并且底面的橢圓形的長軸的方向與軌跡延伸方向一致?？紤]到提高反射特性，優(yōu)選頂部的斜率是平緩的并且從中央部到底部的斜率逐漸變陡的椎體形狀(參考圖1C)。另外，考慮到提高反射特性和透射特性，優(yōu)選中央部的斜率陡于底部和頂部的斜率的圓錐形狀或頂部平坦的椎體形狀。在結(jié)構(gòu)體元件3具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的情況下，優(yōu)選底面的長軸的方向平行于軌跡延伸方向。另外，如圖IC所示，優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體元件3的周圍的部分或全部中制備突起6。這是因?yàn)?，通過這樣做，即使在結(jié)構(gòu)體元件3的填充率較低的情況下，也可以將反射率抑制得較低。更具體地，例如，如圖IC所示，突起6設(shè)置在相鄰的結(jié)構(gòu)體元件3之間。另外，可以在結(jié)構(gòu)體元件3的周圍的部分或全部中設(shè)置細(xì)長突起6。細(xì)長突起6例如在從結(jié)構(gòu)體元件3 的頂部至其底部的方向上延伸。突起6的形狀包括截面三角形狀，截面矩形形狀等。然而， 突起6的形狀不特別限于此，而可以通過考慮容易形成等來選擇。另外，可以通過使結(jié)構(gòu)體元件3的周圍的部分或全部的表面粗糙化來形成微小凹凸部。更具體地，微小凹凸部例如可以通過使相鄰結(jié)構(gòu)體元件3之間的表面粗糙化來形成。考慮到在制造導(dǎo)電光學(xué)器件I的處理中結(jié)構(gòu)體元件3從模具等剝離，優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體元件3的周邊部制備襟邊部(edge portion)。此處,襟邊部表示在結(jié)構(gòu)體元件3的底部的周邊部中設(shè)置的突起?？紤]到剝離特性，優(yōu)選襟邊部具有高度在從結(jié)構(gòu)體元件3的頂部至其底部的方向上平緩降低的曲面。另外，盡管可以在結(jié)構(gòu)體元件3的周邊部的部分中設(shè)置襟邊部，但考慮到提高剝離特性，優(yōu)選襟邊部設(shè)置在結(jié)構(gòu)體元件3的整個(gè)周邊部中。另外，結(jié)構(gòu)體元件3不限于所示的凸部形狀，而其可以由形成在基板2的表面上的凹部構(gòu)成。 在結(jié)構(gòu)體元件3為凹部的情況下，襟邊部變?yōu)樵O(shè)置于凹部(作為結(jié)構(gòu)體元件3)的開口的周邊部中的曲面。優(yōu)選在軌跡延伸方向上的結(jié)構(gòu)體元件3的高度Hl小于在列方向上的結(jié)構(gòu)體元件 3的高度H2。換言之，優(yōu)選結(jié)構(gòu)體元件3的高度Hl和H2滿足關(guān)系Hl < H2。這是因?yàn)?，如果結(jié)構(gòu)體元件3被配置為滿足Hl > H2，則必須要擴(kuò)大軌跡延伸方向上的配置間距P1，使得結(jié)構(gòu)體元件3在軌跡延伸方向上的填充率降低。以此方式，如果填充率降低，則反射特性劣化。優(yōu)選結(jié)構(gòu)體元件3的縱橫比(平均高度/平均配置間距)被設(shè)定為在大于等于 O. I小于等于I. 8的范圍內(nèi)。這是因?yàn)閷?dǎo)電光學(xué)器件I對于彎曲試驗(yàn)可以保持導(dǎo)電性。另外，如果縱橫比超過I. 8，則在導(dǎo)電光學(xué)器件I的制造期間結(jié)構(gòu)體元件3的剝離特性劣化，并且存在不能完美復(fù)制出復(fù)制物的趨勢?？梢匀缦芦@得平均配置間距和平均高度。導(dǎo)電光學(xué)器件I被切割為包括結(jié)構(gòu)體元件3的頂部。通過透射電子顯微鏡(TEM)拍攝截面。接下來，從拍攝的TEM圖片中獲得結(jié)構(gòu)體元件3的配置間距(圖2A至圖2C中所示的配置間距Pl或P2)和結(jié)構(gòu)體元件3的高度 (截面的凹凸形狀的頂部和谷底部之間的高度差)。該測量是對于從導(dǎo)電光學(xué)器件I隨機(jī)選擇的10個(gè)位置而重復(fù)執(zhí)行的。分別通過將測量值pl、p2、. . . plO和測量值hl、h2、. . . hlO 簡單平均(算術(shù)平均)來獲得平均配置間距和平均高度(算術(shù)平均)。換言之，分別通過由下面的等式(I)和(2)所表達(dá)的關(guān)系來限定平均配置間距和平均高度。(平均配置間距)=(pl+p2+.· · +plO)/10 ... (I)(平均高度)=(hl+h2+.. . +hl0)/10. . . (2)此處，Pl :在軌跡延伸方向上的配置間距，Hl :在軌跡延伸方向上的結(jié)構(gòu)體元件的高度，P2 :在相對于軌跡延伸方向的± Θ方向(此處，Θ =60° -5，并且6優(yōu)選為0°< δ <11°，并且更優(yōu)選3° ( δ ^6° )上的配置間距，并且Η2:在相對于軌跡延伸方向土 Θ方向上的結(jié)構(gòu)體元件的高度。在結(jié)構(gòu)體元件3為凹部的情況下，在上述等式(2)中， 結(jié)構(gòu)體元件的高度被替換為結(jié)構(gòu)體元件的深度。另外，本發(fā)明不限于所有結(jié)構(gòu)體元件3的縱橫比均相同的情況，而結(jié)構(gòu)體元件3可以被構(gòu)造為具有在大于等于O. I小于等于I. 8的范圍中的恒定高度分布。具有高度分布的結(jié)構(gòu)體元件3被設(shè)置為使得可以減少反射特性的波長依賴性。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的反射防止特性的導(dǎo)電光學(xué)器件I。此處，高度分布表示具有兩種以上高度(深度)的結(jié)構(gòu)體元件3被設(shè)置在基板2 的表面上。換言之，這表示在基板2的表面上設(shè)置了具有基準(zhǔn)高度的結(jié)構(gòu)體元件3和具有與結(jié)構(gòu)體元件3的基準(zhǔn)高度不同的結(jié)構(gòu)體元件3。具有與基準(zhǔn)高度不同的高度的結(jié)構(gòu)體元件3例如周期性或非周期性地(任意)設(shè)置在基板2的表面上。周期性的方向例如可以為軌跡延伸方向、列方向等。當(dāng)同一軌跡上的結(jié)構(gòu)體元件3的配置間距由Pl表示并且在兩個(gè)相鄰的軌跡之間的結(jié)構(gòu)體元件3的配置間距由Ρ2表示時(shí)，優(yōu)選比率Ρ1/Ρ2滿足關(guān)系1.00 ( Ρ1/Ρ2 ( I. I 或I. 00 < Ρ1/Ρ2 ( I. I。在該數(shù)值范圍內(nèi)，由于可以提高具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的結(jié)構(gòu)體元件3的填充率，所以能夠提高反射防止特性。當(dāng)上限為100%時(shí)，結(jié)構(gòu)體元件3在基板的表面上的填充率在大于等于65%的范圍內(nèi)，優(yōu)選地，在大于等于75 %的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地為大于等于86 %。通過將填充率設(shè)定在該范圍內(nèi)，能夠提高反射防止特性。為了提高填充率，優(yōu)選使相鄰的結(jié)構(gòu)體元件3的下部相接合，或通過結(jié)構(gòu)體元件的底面的橢圓率的調(diào)整等使結(jié)構(gòu)體元件3變形。此處，當(dāng)結(jié)構(gòu)體元件的底面在軌跡方向(X方向)上的直徑由a表不、并且在垂直于軌跡方向上的列方向(Y方向)上的直徑由b表示時(shí)，則橢圓率由(a/b)X100定義。另外，結(jié)構(gòu)體元件3的直徑a和b 為如下獲得的值。通過掃描電子顯微鏡(SEM)而以俯視圖拍攝導(dǎo)電光學(xué)器件I的表面，并且從拍攝的SEM圖片中隨機(jī)地提取10個(gè)結(jié)構(gòu)體元件3。接下來，測量每個(gè)提取的結(jié)構(gòu)體元件3的底面的直徑a和b。接下來，通過將所測量的值a和b簡單平均(算術(shù)平均)來獲得直徑a和b的平均值，并且將平均值設(shè)定為結(jié)構(gòu)體元件3的直徑a和b。此處，結(jié)構(gòu)體元件3的填充率(平均填充率)為如下獲得的值。首先，通過掃描電子顯微鏡(SEM)而以俯視圖拍攝導(dǎo)電光學(xué)器件I的表面。接下來，從拍攝的SEM圖片中隨機(jī)地選擇單位點(diǎn)陣Uc，并且測量單位點(diǎn)陣Uc的配置間距Pl和軌跡間距Tp (參考圖1A)。另外，通過圖像處理測量位于單位點(diǎn)陣Uc的中心處的結(jié)構(gòu)體元件3的底面的面積S。接下來，通過使用所測量的配置間距P1、軌跡間距Tp和底面的面積 S而從下面的等式(3)中獲得填充率。填充率=(S(hex. )/S (單位))X 100 ... (3)單位點(diǎn)陣的面積S (單位)=Pl X 2Tp在單位點(diǎn)陣中存在的結(jié)構(gòu)體元件3的底面的面積S(hex. ) = 2S上述填充率計(jì)算處理是對于隨機(jī)選自拍攝的SEM圖片的10個(gè)位置的單位點(diǎn)陣而執(zhí)行的。接下來，通過將所測量的值簡單平均(算術(shù)平均)來獲得填充率的平均值，并且將平均值設(shè)定為結(jié)構(gòu)體元件3的填充率。關(guān)于結(jié)構(gòu)體元件3重疊的情況和在結(jié)構(gòu)體元件3之間存在諸如突起6的亞結(jié)構(gòu)體元件3的情況的填充率，可以通過使用與相對于結(jié)構(gòu)體元件3的高度的5 %的高度相對應(yīng)的部分作為閾值來判定面積比的方法來獲得填充率。直徑2r與配置間距Pl的比率((2r/Pl) X100)大于等于85 %，優(yōu)選大于等于 90%，更優(yōu)選為大于等于95%。這是因?yàn)樵谠摲秶鷥?nèi)可以提高結(jié)構(gòu)體元件3的填充率，使得能夠提高反射防止特性。隨著比率((2r/Pl)X100)的增大，如果結(jié)構(gòu)體元件3的重疊增加得太多，則存在反射防止特性劣化的趨勢。因此，優(yōu)選比率((2r/Pl) X100)的上限值被設(shè)定為使得結(jié)構(gòu)體元件在這樣的一部分中彼此相接合，在該部分中，在考慮折射率的光路長度的使用環(huán)境下的光的波段的最大值小于等于1/4。此處，配置間距Pl為結(jié)構(gòu)體元件3在軌跡方向上的配置間距，并且直徑2r為結(jié)構(gòu)體元件的底面在軌跡方向上的直徑。另外，在結(jié)構(gòu)體元件的底面具有圓形的情況下，直徑2r為該直徑；并且在結(jié)構(gòu)體元件的底面具有橢圓形的情況下，直徑2r為長軸。(透明導(dǎo)電層)優(yōu)選透明導(dǎo)電層4包括透明氧化物半導(dǎo)體作為主成分。作為透明氧化物半導(dǎo)體， 例如，可以使用諸如SnO2、InO2、ZnO和CdO的兩元素化合物、包含諸如Sn、In、Zn和Cd中的至少一種元素的三元素化合物或多元素(復(fù)合物)氧化物。作為構(gòu)成透明導(dǎo)電層4的材料， 例如，可以示例出IT0(In203、Sn02 :銦錫氧化物)、ΑΖ0(Α1203、Ζη0 :鋁摻雜的鋅氧化物)、SZ0、 FTO (氟摻雜的錫氧化物)、Sn02 (錫氧化物)、GZO (鎵摻雜的鋅氧化物)、IZ0(In203，ZnO 鋅銦氧化物)等?？紤]到高可靠性和低電阻，ITO是優(yōu)選的?？紤]到提高導(dǎo)電性，優(yōu)選構(gòu)成透明導(dǎo)電層4的材料處于非晶材料和多晶材料混合的狀態(tài)。透明導(dǎo)電層4通過仿效結(jié)構(gòu)體元件3的表面形狀而形成，并且優(yōu)選地，結(jié)構(gòu)體元件3和透明導(dǎo)電層4的表面形狀彼此基本相似。這是因?yàn)槟軌蛲ㄟ^抑制由于形成透明導(dǎo)電層4而導(dǎo)致的折射率分布(refractive index profile)的變化來保持良好的反射防止特性和/或透射特性。優(yōu)選在結(jié)構(gòu)體元件的頂部的透明導(dǎo)電層4的厚度在大于等于5nm小于等于150nm 的范圍內(nèi)。此時(shí)，通過將結(jié)構(gòu)體元件3的縱橫比設(shè)定在大于等于O. I小于等于I. 8的范圍內(nèi)，當(dāng)在結(jié)構(gòu)體元件的頂部的透明導(dǎo)電層4的厚度被設(shè)定在大于等于5nm小于等于150nm 的范圍內(nèi)時(shí)，導(dǎo)電光學(xué)器件I對于彎曲試驗(yàn)?zāi)軌虮３謱?dǎo)電性。換言之，如果縱橫比和在結(jié)構(gòu)體元件的頂部的透明導(dǎo)電層4的厚度滿足上述數(shù)值范圍，則能夠獲得例如在大于等于 50 Ω / □小于500 Ω / □的范圍內(nèi)的表面電阻，并且同時(shí)實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電膜的可彎曲性、低電阻以及高透射率。優(yōu)選透明導(dǎo)電層4的表面電阻在大于等于50 Ω/□小于500 Ω/□的范圍內(nèi)。這是因?yàn)椋ㄟ^將表面電阻設(shè)定在該范圍內(nèi)，可以將透明導(dǎo)電光學(xué)器件I用作各種觸摸板的上部電極或下部電極。此處，通過4端子測量(JISK 7194)來獲得透明導(dǎo)電層4的表面電阻。[制造導(dǎo)電光學(xué)器件的方法]接下來，參考圖4至圖6描述制造具有上述構(gòu)造的導(dǎo)電光學(xué)器件I的方法的實(shí)例。[輥型母板盤曝光裝置的構(gòu)造]首先，將參考圖4描述用于制造輥型母板盤的輥型母板盤曝光裝置的構(gòu)造。輥型母板盤曝光裝置是通過使用光盤記錄裝置作為基礎(chǔ)而構(gòu)成的。輥型母板盤101例如為具有圓柱形的母板盤。輥型母板盤101具有形成在其表面上的轉(zhuǎn)印表面Sp。例如,具有凹狀或凸?fàn)畹亩鄠€(gè)結(jié)構(gòu)體元件103形成在轉(zhuǎn)印表面Sp上,并且結(jié)構(gòu)體元件103的形狀被轉(zhuǎn)印至涂覆在基板102上的能量射束固化樹脂組成物118，使得形成具有導(dǎo)電光學(xué)器件I的結(jié)構(gòu)體元件3的形狀層30。換言之，在轉(zhuǎn)印表面Sp上形成了導(dǎo)電光學(xué)器件I的結(jié)構(gòu)體元件3的凹凸形狀反轉(zhuǎn)的圖案。作為輥型母板盤101的材料，例如，可以使用金屬、玻璃、石英、透明樹脂、有機(jī)無機(jī)混合材料等，但其沒有具體限制。作為透明樹脂，例如，可以示例出聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)等。作為有機(jī)無機(jī)混合材料，例如，可以示例出聚二甲基硅氧烷 (PDMS)等。圖4是示出了用于制造輥型母板盤的輥型母板盤曝光裝置的構(gòu)造的實(shí)例的示意圖。輥型母板盤曝光裝置是通過使用光盤記錄裝置作為基礎(chǔ)而構(gòu)成的。激光源21是用于使作為膜而附在作為記錄介質(zhì)的輥型母板盤101的表面上的抗蝕劑曝光以使具有例如266nm波長λ的記錄激光104振蕩的光源。從光源21發(fā)射的激光 104作為平行光束直線傳播，以在電光器件(Ε0Μ :電光調(diào)制器)22上入射。透過電光器件22 的激光104在反射鏡23上反射以被導(dǎo)入調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25。反射鏡23通過偏光分束器構(gòu)成,并具有反射一種偏光成分并透過另一偏光成分的功能。透過反射鏡23的偏光成分由光電二極管24接收，并且通過基于光接收信號控制電光學(xué)器件22來執(zhí)行激光104的相位調(diào)制。在調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25中，通過聚光透鏡26在由玻璃(SiO2)等構(gòu)成的聲光器件(Α0Μ 聲光調(diào)制器)27上會聚激光104。激光104通過聲光器件27而進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制并進(jìn)行發(fā)散， 此后，激光104通過透鏡28變?yōu)槠叫泄馐恼{(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25發(fā)出的激光104被反射鏡 31反射以水平或平行地導(dǎo)入到可移動光學(xué)臺32上?？梢苿庸鈱W(xué)臺32包括擴(kuò)束器33和物鏡34。導(dǎo)入到可移動光學(xué)臺32上的激光104 通過擴(kuò)束器33形成為所需的光束形狀，此后，利用激光104通過物鏡34而照射輥型母板盤 101上的抗蝕劑層。輥型母板盤101安裝在連接至主軸馬達(dá)35的轉(zhuǎn)臺36上。接下來，在輥型母板盤101旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，激光104在輥型母板盤101的高度方向上移動，并且用激光104 間歇地照射抗蝕劑層，從而對抗蝕劑層執(zhí)行曝光處理。所形成的潛像基本上為具有在圓周方向上的長軸的橢圓形狀。激光104的移動是通過在箭頭R的方向上移動可移動光學(xué)臺32 來執(zhí)行的。曝光裝置例如包括用于在抗蝕劑層上形成對應(yīng)于諸如圖2Α中所示的六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案的二維圖案的潛像的控制機(jī)構(gòu)37?？刂茩C(jī)構(gòu)37包括格式器 (formatter) 29和驅(qū)動器39。格式器29包括極性反轉(zhuǎn)單元，并且極性反轉(zhuǎn)單元控制激光 104在抗蝕劑層上的照射的定時(shí)。驅(qū)動器39接收極性反轉(zhuǎn)單元的輸出并控制聲光器件27。在輥型母板盤曝光裝置中，生成用于使極性反轉(zhuǎn)格式器信號和每一軌跡中記錄裝置的控制器同步的信號，使得二維圖案空間地連接，并且通過聲光器件27來執(zhí)行強(qiáng)度調(diào)制。通過合適數(shù)量的旋轉(zhuǎn)、合適的調(diào)制頻率和合適的傳輸間距而以恒定角速度(CAV)執(zhí)行圖案化，使得可以記錄六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案。例如，為了將圓周方向上的周期設(shè)定為315nm并將相對于圓周方向約60°方向(約-60°方向)上的周期設(shè)定為300nm,傳輸間距可被設(shè)定為251nm(畢達(dá)哥拉斯定理,Pythagoras' theorem)。極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率根據(jù)棍的旋轉(zhuǎn)數(shù)(例如，1800rpm、900rpm、450rpm或225rpm)而變化。例如,對應(yīng)于棍的旋轉(zhuǎn)數(shù)1800rpm、900rpm、450rpm和225rpm的極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率變?yōu)?7. 70MHz、 18. 85MHz、9. 34MHz和4. 7IMHz?？梢酝ㄟ^可移動光學(xué)臺32上的擴(kuò)束器(BEX) 33將遠(yuǎn)紫外線光激光擴(kuò)展為五倍光束直徑，并利用遠(yuǎn)紫外線光激光通過數(shù)值孔徑(NA)為O. 9的物鏡34 照射輥型母板盤101上的抗蝕劑層以形成微小潛像，來獲得在所需的記錄區(qū)域內(nèi)空間頻率 (在圓周方向上315nm的周期,在圓周方向的約60°方向(約-60°方向)上的300nm的周期)恒定的類六方點(diǎn)陣圖案。[制造導(dǎo)電光學(xué)器件的方法]圖5A至圖6D是示出了制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)器件的方法的實(shí)例的處理圖。(抗蝕劑膜形成處理)首先，如圖5A所示，制備圓柱形的輥型母板盤101。接下來，如圖5B所示，在輥型母板盤101的表面上形成抗蝕劑層133。作為抗蝕劑層133的材料，例如，可以使用有機(jī)抗蝕劑和無機(jī)抗蝕劑中的任一種。作為有機(jī)抗蝕劑，例如，可以使用酚醛抗蝕劑、化學(xué)增幅型抗蝕劑等。另外，作為無機(jī)抗蝕劑，可以使用例如包括一種或兩種以上過渡金屬的金屬化合物。(曝光處理)接下來，如圖5C所示，通過激光(曝光射束)104照射形成在輥型母板盤101上的抗蝕劑層133。更具體地，將輥型母板盤101安裝在圖4中所示的輥型母板盤曝光裝置的轉(zhuǎn)臺36上并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，并且利用激光(曝光射束)104照射抗蝕劑層133。此時(shí)，當(dāng)在輥型母板盤101的高度方向(平行于圓柱或圓筒輥型母板盤101的中心軸的方向)上移動激光 104的同時(shí)，間歇地執(zhí)行激光104的照射，使得在抗蝕劑層133的整個(gè)表面上執(zhí)行曝光。通過這樣做，在抗蝕劑層133的整個(gè)表面上以基本上等于可見光的波長的間距形成根據(jù)激光 104的軌線的潛像104。潛像105被設(shè)置為例如在母板盤的表面上構(gòu)成多列軌跡并且形成六方點(diǎn)陣圖案或類六方點(diǎn)陣圖案。潛像105例如為具有在軌跡延伸方向上的長軸方向的橢圓形狀。(顯影處理)接下來，如圖所示，在使輥型母板盤101旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，通過將顯影溶液滴在抗蝕劑層133上而對抗蝕劑層133執(zhí)行顯影處理。如所示的，在通過正型抗蝕劑形成抗蝕劑層 133的情況下，由于與非曝光部相比，被曝光至激光104的曝光部對于顯影溶液的溶解速度增大，所以在抗蝕劑層133上形成了根據(jù)潛像(曝光部)的圖案。(蝕刻處理)接下來，通過使用形成在輥型母板盤101上的抗蝕劑層133的圖案作為掩模而對輥型母板盤101的表面執(zhí)行蝕刻處理。通過這樣做，如圖6A所示，能夠獲得具有在軌跡延伸方向上的長軸方向的橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀的凹部。作為蝕刻，例如，可以使用干蝕刻或濕蝕刻。(轉(zhuǎn)印處理)接下來，根據(jù)需要，將對摻雜有能量射束固化樹脂組合物118的基板102的表面施加諸如電暈處理、等離子體處理、火焰處理、UV處理、臭氧處理或噴沙處理。接下來，如圖6C 所示，能量射束固化樹脂組合物118摻雜或印刷在伸長的基板102或輥型母板盤101上。摻雜方法沒有特別限制，例如，可以使用在基板或盤上澆灌、旋涂法、凹版涂覆法、口模式涂覆法(die coating)、棒涂法等。作為印刷方法，例如，可以使用凸版印刷、膠印法、凹版印刷法、凹雕印刷法、橡皮板印刷法、絲網(wǎng)印刷法等。接下來，根據(jù)需要，可以執(zhí)行溶液去除或諸如預(yù)烘焙的熱處理。能量射束固化樹脂組合物表示可以通過能量射束的照射來固化的樹脂組合物。能量射束表示電子束、紫外光、紅外光、激光、可見光、電離放射線(X射線、α射線、β射線、Y 射線等)、微波、高頻波等，其中，可以使用能量射束作為原子基團(tuán)、陽離子、陰離子等的聚合反應(yīng)的引發(fā)。根據(jù)需要，在使用時(shí)可以使能量射束固化樹脂組合物118與另一樹脂相混合。 例如，可以使能量射束固化樹脂組合物118與諸如熱固性樹脂的另一固化樹脂相混合。另外，能量射束固化樹脂組合物118可以為有機(jī)無機(jī)混合材料。另外，可以混合和使用兩種以上類型的能量射束固化樹脂組合物。通過紫外光固化的UV固化樹脂可以優(yōu)選被用作能量射束固化樹脂組合物118。UV固化樹脂例如由單官能單體、雙官能單體、多官能單體、引發(fā)劑等制成。更具體地，UV固化樹脂可以由以下列出的材料中的一種或其混合物制成。單官能單體例如可以包括羥酸系(丙烯酸)、或羥基系(2-羥乙丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯、4-羥丁基丙烯酸酯)、烷基、脂環(huán)系(丙烯酸異丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸環(huán)己基酯)、其他官能單體 (2-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基丙烯酸酯、四氫化糠基丙烯酸酯、芐基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、N, N-二甲基氨基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨基丙基丙烯酸酯、N，N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰嗎啉、N-異丙基丙稀酰胺、N，N- 二乙基丙烯酰胺、N-乙烯吡咯烷酮、2-(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羥丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羥丙基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基丙烯酸酯、 2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯)、2，4，6-三溴苯酚丙烯酸酯、2- (2,4,6-三溴苯酚) 乙基丙烯酸酯)和2-乙基己基丙烯酸酯等。雙官能團(tuán)單體可以包括例如三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二烯丙基醚、 尿烷丙烯酸酯等。多官能團(tuán)單體例如可以包括三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五和六丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。引發(fā)劑例如可以包括2，2- 二甲氧基-1，2- 二苯乙烷-I-酮、1_羥基環(huán)苯基酮、 2-羥基-2-甲基-I-苯基丙烷-I-酮等。另外，根據(jù)需要，能量射束固化樹脂組合物118可以包括填充物、功能性添加劑、 溶劑、無機(jī)材料、顏料、抗靜電劑、敏化染料等。作為填充物，例如，可以使用所有的無機(jī)顆粒和有機(jī)顆粒。作為無機(jī)顆粒，例如，可以示例出諸如Si02、Ti02、Zr02、Sn02或Al2O3的金屬氧化物顆粒。作為功能性添加劑，例如，可以示例出均化劑、表面控制劑、吸收劑、消泡劑等。接下來，當(dāng)輥型母板盤101旋轉(zhuǎn)時(shí)，使其轉(zhuǎn)印表面Sp緊密附至能量射束固化樹脂組合物118，并且利用能量射束例如通過基板102或輥型母板盤101來照射能量射束固化樹脂組合物118。通過這樣做，使能量射束固化樹脂組合物118固化，從而形成形狀層30。例如，可以通過調(diào)整輥型母板盤101對于基板102的表面的壓力來選擇基板3b的有無或基板 3b的厚度。
在能量射束通過基板102照射的情況下，優(yōu)選基板102對于所照射的能量射束具有透明度?；?02的材料沒有特別限制，而是可以根據(jù)其使用適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，可以使用諸如甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、纖維素二乙酸酯、纖維素酯、纖維素乙酸丁酸酯、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚醚酮、聚氨酯、環(huán)烯聚合物、環(huán)烯共聚物的塑料，玻璃、磁性材料以及半導(dǎo)體。接下來，從輥型母板盤101的轉(zhuǎn)印表面Sp剝離形成在基板102上的形狀層30。通過這樣做，如圖6D所示，可以獲得在基板102的表面上形成形狀層30的層壓結(jié)構(gòu)。在轉(zhuǎn)印處理中，可以在以下情況下轉(zhuǎn)印凹凸形狀，即，將具有帶狀的基板102的縱向設(shè)定為輥型母板盤101的旋轉(zhuǎn)移動方向。(透明導(dǎo)電層的形成處理)接下來，在結(jié)構(gòu)體元件3的凹凸表面上形成透明導(dǎo)電層4。作為形成透明導(dǎo)電層4 的方法，例如，可以使用諸如熱CVD、等離子體CVD或光學(xué)CVD的CVD方法(化學(xué)氣相沉積方法通過利用化學(xué)反應(yīng)從氣相中沉積薄膜的技術(shù))以及諸如真空沉積、等離子體輔助沉積、 濺射或離子鍍的PVD方法(物理氣相沉積方法通過在基板上聚集在真空中蒸發(fā)的材料形成薄膜的技術(shù))。在上述實(shí)例中，盡管構(gòu)造為使得通過相對于包括結(jié)構(gòu)體元件3和基板2的形狀層 30的層壓結(jié)構(gòu)形成透明導(dǎo)電層4，來獲得導(dǎo)電光學(xué)器件I，但結(jié)構(gòu)體元件可以相對于基板2 而一體地形成?！?.第二實(shí)施方式〉圖7A是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的觸摸板的構(gòu)造的實(shí)例的透視圖。圖7B 是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的觸摸板的構(gòu)造的實(shí)例的截面圖。觸摸板是所謂的電阻膜型觸摸板。電阻膜型觸摸板可以為模擬電阻膜型觸摸板和數(shù)字電阻膜型觸摸板中的一種。如圖7A所示，作為信息輸入裝置的觸摸板201包括具有輸入信息的觸摸面(輸入面)的第一導(dǎo)電光學(xué)器件211和面向第一導(dǎo)電光學(xué)器件211的第二導(dǎo)電光學(xué)器件221。第一導(dǎo)電光學(xué)器件211和第二導(dǎo)電光學(xué)器件221通過設(shè)置在其周邊部之間的粘合劑而彼此相粘附。作為粘合層215，例如，可以使用粘合漿、粘合帶等。例如，觸摸板201通過粘合層 240而粘附至顯示裝置250。作為粘合劑240的材料，例如，可以使用丙烯酸粘合劑、橡膠粘合劑、硅粘合劑等。考慮到透明度，丙烯酸粘合劑是優(yōu)選的。作為顯示裝置，例如，可以使用各種顯示裝置，諸如等離子體顯示器(等離子體顯示面板PDP)、電致發(fā)光(EL)顯示器、表面導(dǎo)電電子發(fā)射器顯示器(SED)等。根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)器件I被用作第一導(dǎo)電光學(xué)器件211和第二導(dǎo)電光學(xué)器件221中的至少一個(gè)。結(jié)構(gòu)體兀件213形成在第一導(dǎo)電光學(xué)器件211和第二導(dǎo)電光學(xué)器件221的兩個(gè)相對表面的至少一個(gè)上。結(jié)構(gòu)體元件213的縱橫比被構(gòu)造為大于等于O. I小于等于I. 8?？紤]到同時(shí)實(shí)現(xiàn)觸摸板的透明導(dǎo)電膜的可彎曲性、低電阻和高透射率，優(yōu)選在兩個(gè)表面上均形成結(jié)構(gòu)體元件213。透明導(dǎo)電層214形成在結(jié)構(gòu)體元件213上。透明導(dǎo)電層214包括仿效結(jié)構(gòu)體元件214的表面。
16
在第二實(shí)施方式中，由于在縱橫比大于等于O. I小于等于I. 8的結(jié)構(gòu)體元件213 上形成透明導(dǎo)電層214，所以對于彎曲試驗(yàn)，形成結(jié)構(gòu)體元件213和透明導(dǎo)電層214的導(dǎo)電光學(xué)器件的導(dǎo)電性得以保持。因此，相對于構(gòu)成觸摸板的導(dǎo)電光學(xué)器件，能夠確保觸摸板的透明導(dǎo)電膜所必需的透射率和表面電阻值，并且能夠獲得良好的可彎曲性。另外，在根據(jù)第二實(shí)施方式的觸摸板結(jié)合有柔性顯示裝置(例如，柔性有機(jī)EL顯示器等)的情況下，能夠獲得具有良好可彎曲性的信息輸入裝置。單層或多層反射防止層可以形成在第一導(dǎo)電光學(xué)器件211成為觸摸側(cè)的表面上。 這是因?yàn)?，反射率降低，從而能夠提高可見度。另外，除了觸摸板201的內(nèi)部以外，還可以在觸摸表面上以小于等于可見光的波長的微小間距配置多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件。多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件可以進(jìn)一步配置在粘附在顯示裝置250上的一側(cè)的背表面上。第一導(dǎo)電光學(xué)器件211成為觸摸側(cè)的表面可以進(jìn)一步包括硬涂層或防污的硬涂層。這是因?yàn)槟軌蛱岣哂|摸板201的觸摸表面的耐刮擦性。根據(jù)需要，可以在觸摸板201 上進(jìn)一步包括前面板。在第一基板212或第二基板222中，在形成了結(jié)構(gòu)體元件的區(qū)域的周邊部中形成諸如配線層的周邊構(gòu)件的情況下，可以在周邊部中形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件。這是因?yàn)槟軌蛱岣咧T如配線層的周邊構(gòu)件和基板的粘附力。[第二實(shí)施方式的第一修改例]圖8A是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的第一修改例的觸摸板的第一修改例的透視圖。觸摸板201A是矩陣電阻膜型觸摸板。觸摸板201A包括彼此相對而配置以由點(diǎn)隔板 (dot spacer)(未不出)分開預(yù)定間隙的第一導(dǎo)電光學(xué)器件231和第二導(dǎo)電光學(xué)器件241。圖SB是示出了第一導(dǎo)電光學(xué)器件的構(gòu)造的實(shí)例的分解透視圖。圖SC是沿圖SB 的線VIIIC-VIIIC截取的示意性截面圖。另外，由于第二導(dǎo)電光學(xué)器件241的構(gòu)造與第一導(dǎo)電光學(xué)器件231的構(gòu)造基本上相同，所以忽略了對分解透視圖的描述。第一矩形區(qū)域Rl和第二矩形區(qū)域R2被設(shè)定為在第一導(dǎo)電光學(xué)器件231的兩個(gè)主表面中的面向第二導(dǎo)電光學(xué)器件241的一個(gè)主表面上交替地重復(fù)。第一導(dǎo)電光學(xué)器件231 的表面與根據(jù)上述實(shí)施方式的導(dǎo)電器件中的基板的表面的結(jié)構(gòu)的相同之處在于，例如，以小于等于可見光的波長的配置間距來配置多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件233。第二實(shí)施方式的第一修改例中的第一導(dǎo)電光學(xué)器件231的表面與根據(jù)上述實(shí)施方式的導(dǎo)電器件中的基板的表面的結(jié)構(gòu)的不同之處在于，例如，僅在第一區(qū)域Rl的第一導(dǎo)電光學(xué)器件的表面上連續(xù)形成透明導(dǎo)電層。因此，由連續(xù)形成的透明導(dǎo)電層構(gòu)成的多個(gè)水平⑴電極(第一電極)234在第一導(dǎo)電光學(xué)器件231的兩個(gè)主表面中面向第二導(dǎo)電光學(xué)器件241的一個(gè)主表面上形成為條紋狀。第一矩形區(qū)域Rl和第二矩形區(qū)域R2被設(shè)定為在第二導(dǎo)電光學(xué)器件241的兩個(gè)主表面中面向第一導(dǎo)電光學(xué)器件231的一個(gè)主表面上交替地重復(fù)。第二導(dǎo)電光學(xué)器件241的表面與根據(jù)上述實(shí)施方式的導(dǎo)電器件中的基板的表面的結(jié)構(gòu)的相同之處在于，例如，以小于等于可見光的波長的配置間距來配置多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件。第二實(shí)施方式的第一修改例中的第一導(dǎo)電光學(xué)器件241的表面與根據(jù)上述實(shí)施方式的導(dǎo)電器件中的基板的表面的結(jié)構(gòu)的不同之處在于，例如，僅在第一區(qū)域Rl中的第一導(dǎo)電光學(xué)器件的表面上連續(xù)形成透明導(dǎo)電層。因此，由連續(xù)形成的透明導(dǎo)電層構(gòu)成的多個(gè)垂直⑴電極(第二電極)244在第二導(dǎo)電光學(xué)器件241的兩個(gè)主表面中面向第一導(dǎo)電光學(xué)器件231的一個(gè)主表面上形成為條紋狀。第一導(dǎo)電光學(xué)器件231和第二導(dǎo)電光學(xué)器件241的第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2具有第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2彼此相垂直的關(guān)系。換言之，第一導(dǎo)電光學(xué)器件231的水平電極234和第二導(dǎo)電光學(xué)器件241的垂直電極244具有水平電極234和垂直電極244彼此垂直的關(guān)系?？梢孕纬傻谝粎^(qū)域Rl和第二區(qū)域R2的縱橫比彼此不同的結(jié)構(gòu)體元件。通過這樣做，能夠進(jìn)一步提高觸摸板20IA的反射防止特性和/或透射特性。[第二實(shí)施方式的第二修改例]圖9A是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的第二修改例的觸摸板的構(gòu)造的實(shí)例的透視圖。圖9B是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的第二修改例的觸摸板的構(gòu)造的實(shí)例的截面圖。觸摸板201B為所謂的電容觸摸板。多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件253形成在其內(nèi)部中。觸摸板201B例如通過粘合層240而粘附在顯示裝置250上。如圖9A和圖9B所示，根據(jù)第二實(shí)施方式的第二修改例的觸摸板201B包括基板 252、形成在基板252上的透明導(dǎo)電層254以及保護(hù)層259。多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件253以小于等于可見光的波長的微小間距而配置在基板252和保護(hù)層259中的至少一個(gè)上。保護(hù)層259為包括例如SiO2等的介電材料作為主要成分的介電層。透明導(dǎo)電層 254具有根據(jù)觸摸板201B的類型而不同的構(gòu)造。例如，在觸摸板201B為表面型電容觸摸板的情況下，透明導(dǎo)電層254為具有基本恒定的厚度的薄膜。在觸摸板201B為投影型電容觸摸板的情況下，透明導(dǎo)電層254為以預(yù)定間距配置的點(diǎn)陣形狀等的透明電極圖案。作為透明導(dǎo)電層254的材料,可以使用上述的第一實(shí)施方式的材料。[第二實(shí)施方式的第三修改例]圖IOA是示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的第三修改例的觸摸板的構(gòu)造的實(shí)例的透視圖。圖IOB是沿圖IOA的線XB-XB截取的截面圖。觸摸板201C為ITO柵格、投影型電容觸摸板。觸摸板201C包括彼此重疊的第一導(dǎo)電光學(xué)器件271和第二導(dǎo)電光學(xué)器件281。在圖IOA和圖IOB所示的實(shí)例中，第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2被設(shè)定為在第一導(dǎo)電光學(xué)器件271的兩個(gè)主表面中面向第二導(dǎo)電光學(xué)器件281的一個(gè)主表面上交替地重復(fù)， 并且相鄰的第一區(qū)域Rl被第二區(qū)域R2分開。第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2被設(shè)定為在第二導(dǎo)電光學(xué)器件281的兩個(gè)主表面中面向第一基板272 —側(cè)的相反側(cè)的一個(gè)主表面上交替地重復(fù)，并且相鄰的第一區(qū)域Rl被第二區(qū)域R2分開。第一導(dǎo)電光學(xué)器件271和第二導(dǎo)電光學(xué)器件281的表面結(jié)構(gòu)與上述第一修改例的導(dǎo)電器件的相同之處在于僅在第一區(qū)域Rl的表面上連續(xù)形成透明導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電光學(xué)器件271的第一區(qū)域Rl通過在X軸方向上重復(fù)地連接具有預(yù)定形狀的單位區(qū)域Cl而形成，并且第二區(qū)域R2通過在X軸方向上重復(fù)地連接具有預(yù)定形狀的單位區(qū)域C2而形成。第二導(dǎo)電光學(xué)器件281的第一區(qū)域Rl通過在Y軸方向上重復(fù)地連接具有預(yù)定形狀的單位區(qū)域Cl而形成，并且第二區(qū)域R2通過在Y軸方向上重復(fù)地連接具有預(yù)定形狀的單位區(qū)域C2而形成。作為單位區(qū)域Cl的形狀和單位區(qū)域C2的形狀，例如，可以示例出鉆石形(菱形)、三角形、矩形等，但本發(fā)明不限于這些形狀。在第一區(qū)域Rl中第一基板272的表面為以例如小于等于可見光的波長的配置間距形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件273的波表面，并且透明導(dǎo)電層形成在結(jié)構(gòu)體元件273上。類似地，在第一區(qū)域Rl中第二基板282的表面為以例如小于等于可見光的波長的配置間距形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件283的波表面，并且透明導(dǎo)電層形成在結(jié)構(gòu)體元件283上。因此，由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的多個(gè)水平(X)電極(第一電極)274被配置在第一基板272的兩個(gè)主表面中面向第二基板282的一個(gè)主表面上。另外，由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的多個(gè)垂直(Y)電極(第一電極)284被配置在第二基板282的兩個(gè)主表面中面向第一基板272的一個(gè)主表面上。第一基板272的水平電極274和第二基板282的垂直電極284具有水平電極274 和垂直電極284彼此垂直的關(guān)系。在第一導(dǎo)電光學(xué)器件271和第二導(dǎo)電光學(xué)器件281彼此重疊的狀態(tài)下，第一基板272的第一區(qū)域Rl和第二基板282的第二區(qū)域R2彼此重疊；并且第一基板272的第二區(qū)域R2和第二基板282的第一區(qū)域Rl彼此重疊。如圖IOB所示，可以在第一導(dǎo)電光學(xué)器件271的附至顯示裝置上的一側(cè)的表面上形成多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件。通過這樣做，能夠提高觸摸板的透射特性?！?.第三實(shí)施方式〉圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的顯示裝置的構(gòu)造的實(shí)例的示意性截面圖。顯示裝置301為所謂的微膠囊(microencapsulated)電泳型電子紙。顯示裝置301包括第一導(dǎo)電光學(xué)器件311、設(shè)置為面向第一導(dǎo)電光學(xué)器件311的第二導(dǎo)電光學(xué)器件321 ；以及設(shè)置在兩個(gè)器件之間的微膠囊層(介質(zhì)層)370。此處，盡管描述了本發(fā)明適用于微膠囊電泳型電子紙的實(shí)例，但電子紙不限于該實(shí)例。如果介質(zhì)層設(shè)置在被設(shè)置為彼此面對的圖案基板之間，則本發(fā)明可以適用于該情況。此處，介質(zhì)還包括諸如空氣的氣體以及液體或固體。另外，介質(zhì)可以包括膠囊、顏料、顆粒等的構(gòu)件。除了微膠囊型電泳型電子紙以外，作為可以應(yīng)用本發(fā)明的電子紙，例如，還可以示例出扭轉(zhuǎn)球型電子紙、熱可重寫型電子紙、調(diào)色顯示型電子紙、面內(nèi)電泳型電子紙、顆粒電子型電子紙等。微膠囊層370包括多個(gè)微膠囊380。例如，在微膠囊中密封了設(shè)置有黑色顆?；虬咨w粒的透明液體(分散介質(zhì))。根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)器件I被用作第一導(dǎo)電光學(xué)器件311和第二導(dǎo)電光學(xué)器件321的至少一個(gè)。在圖11中所示的實(shí)例中，第一導(dǎo)電光學(xué)器件311由第一基板312 和透明導(dǎo)電層314構(gòu)成。第一基板312包括以例如小于等于可見光的波長的配置間距形成在面向第二導(dǎo)電光學(xué)器件321的一側(cè)的表面上的多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件313。透明導(dǎo)電層314形成在結(jié)構(gòu)體元件313上。另一方面，第二導(dǎo)電光學(xué)器件321由第二基板322和透明導(dǎo)電層 324構(gòu)成。第二基板322包括以例如小于等于可見光的波長的配置間距而形成在面向第一導(dǎo)電光學(xué)器件311的一側(cè)的表面上的多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件323。透明導(dǎo)電層324形成在結(jié)構(gòu)體元件323上。根據(jù)需要，第一導(dǎo)電光學(xué)器件311可以通過諸如粘合劑的粘合層340而粘附在諸如玻璃的支撐件360上。透明導(dǎo)電層314和透明導(dǎo)電層324根據(jù)電子紙301的驅(qū)動類型而形成為預(yù)定的電極圖案。作為驅(qū)動類型，例如，可以示例出簡單矩陣驅(qū)動類型、有源矩陣驅(qū)動類型、節(jié)段驅(qū)動類型等。在第三實(shí)施方式中，由于透明導(dǎo)電層形成在縱橫比為大于等于O. I小于等于I. 8 的結(jié)構(gòu)體元件上，所以能夠確保構(gòu)成顯示裝置的透明導(dǎo)電膜的透射率和表面電阻值，并能夠獲得良好的可彎曲性?！?.第四實(shí)施方式〉
圖12A是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的電化學(xué)器件的構(gòu)造的實(shí)例的示意性透視圖。圖12B是沿圖12A的線XIIB-XIIB截取的截面圖。電化學(xué)器件401是所謂的染料敏化太陽能電池。電化學(xué)器件401包括第一導(dǎo)電光學(xué)器件411、第二導(dǎo)電光學(xué)器件421和其間包含電解質(zhì)488和染料486的半導(dǎo)體顆粒487。染料486表現(xiàn)出對于光L的敏化(增感)作用。另外，盡管圖12A示出了第一導(dǎo)電光學(xué)器件411和第二導(dǎo)電光學(xué)器件421分別粘附在由玻璃等構(gòu)成的支撐件461和支撐件462上的實(shí)例，但根據(jù)需要來設(shè)置支撐件461 和支撐件462。另外，為便于描述，染料486和半導(dǎo)體顆粒487被示出為具有較大的尺寸，但其所圖示的尺寸不是其實(shí)際尺寸。與根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電光學(xué)器件相似的導(dǎo)電光學(xué)器件被用作第一導(dǎo)電光學(xué)器件411和第二導(dǎo)電光學(xué)器件421中的至少一個(gè)。在圖12A和圖12B所示的實(shí)例中，結(jié)構(gòu)體元件413和結(jié)構(gòu)體元件423分別形成在第一基板412和第二基板422的兩個(gè)相對表面上。透明導(dǎo)電層414形成在結(jié)構(gòu)體兀件413 上，并且透明導(dǎo)電層414具有仿效結(jié)構(gòu)體元件413的表面。另外，透明導(dǎo)電層424形成在結(jié)構(gòu)體元件423上，并且透明導(dǎo)電層424具有仿效結(jié)構(gòu)體元件423的表面。此外，在圖12A中所示的實(shí)例中，盡管光L從第一導(dǎo)電光學(xué)器件411的外側(cè)(在圖12A中附接支撐件461的一側(cè))入射在支撐染料486的半導(dǎo)體顆粒487上，但其可以被構(gòu)造為使得光L從第二導(dǎo)電光學(xué)器件421的外側(cè)入射。另外，其可以被構(gòu)造為使得光從第一導(dǎo)電光學(xué)器件411的外側(cè)和第二導(dǎo)電光學(xué)器件421的外側(cè)入射。支撐對入射光L表現(xiàn)出敏化作用的染料486的半導(dǎo)體顆粒487的層形成在第一導(dǎo)電光學(xué)器件411的主表面中面向第二導(dǎo)電光學(xué)器件421的一側(cè)的表面上。換言之，染料敏化太陽能電池的光電極由透明導(dǎo)電層414和支撐染料486的半導(dǎo)體顆粒487的層構(gòu)成。另一方面，形成在結(jié)構(gòu)體元件423上的透明導(dǎo)電層424具有作為染料敏化太陽能電池的相對電極的作用。從第一導(dǎo)電光學(xué)器件411的外側(cè)入射在電化學(xué)器件401上的光L透過第一導(dǎo)電光學(xué)器件411以在光電極上入射。在半導(dǎo)體顆粒487的層(支撐對入射光L表現(xiàn)出敏化作用的染料486)上入射的光L激勵染料486，使得產(chǎn)生電子。電子迅速地從染料486傳遞至半導(dǎo)體顆粒487。另一方面，失去電子的染料486接收來自電解質(zhì)488的離子的電子，并且傳遞電子的分子接收來自相對電極的表面的電子。在該一系列反應(yīng)中，在第一導(dǎo)電光學(xué)器件 411和第二導(dǎo)電光學(xué)器件421 (電連接至支撐染料486的半導(dǎo)體顆粒487的層)之間產(chǎn)生了電動勢。以此方式，執(zhí)行了光電轉(zhuǎn)換。在第四實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電光學(xué)器件411和第二導(dǎo)電光學(xué)器件421被用作構(gòu)成染料敏化太陽能電池的電極的構(gòu)件。因此，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)染料敏化太陽能電池的電極所需的低電阻和高透射率，并且能夠獲得染料敏化太陽能電池的良好可彎曲性。[實(shí)施例]下文中，將通過實(shí)施例詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。在下文描述的實(shí)施例中，通過改變形成在導(dǎo)電光學(xué)器件的表面上的結(jié)構(gòu)體元件的縱橫比來進(jìn)行彎曲試驗(yàn)，并且通過比較彎曲試驗(yàn)之前和之后導(dǎo)電光學(xué)器件的中間電阻來檢查導(dǎo)電光學(xué)器件的可彎曲性。(試樣1-1)
首先，制備外徑為126mm的玻璃輥型母板盤，并且將抗蝕劑層附至玻璃輥型母板盤的表面上。接下來，將作為記錄介質(zhì)的玻璃輥型母板盤轉(zhuǎn)印至圖4中所示的輥型母板盤曝光裝置，并且對抗蝕劑層執(zhí)行曝光，使得在抗蝕劑層上圖案化形成三列相鄰的軌跡中的六方點(diǎn)陣圖案。接下來，將顯影處理施加于玻璃輥型母板盤上的抗蝕劑層上，以溶解曝光部分中的抗蝕劑層，從而執(zhí)行顯影。通過這樣做，獲得了抗蝕劑層在六方點(diǎn)陣圖案中開口的抗蝕劑玻璃母板盤。接下來，在CHF3氣氛中執(zhí)行等離子體蝕刻，在玻璃輥型母板盤的表面上獲得具有橢圓錐體形狀的凹部。此時(shí)，圖案的蝕刻量(深度)通過蝕刻時(shí)間而改變。最后，通過O2拋光完全去除抗蝕劑層，從而獲得輥型母板盤。接下來，將涂覆有UV固化樹脂的輥型母板盤和亞克力片彼此緊密地粘合，并且在通過紫外光的照射執(zhí)行固化的同時(shí)執(zhí)行剝離。通過這樣做，獲得了在一個(gè)主表面上配置多個(gè)結(jié)構(gòu)體元件的光學(xué)片。接下來，通過濺射方法而在結(jié)構(gòu)體元件上形成具有IlOnm厚度的 ITO 膜。然后,通過切割光學(xué)片(其中，ITO膜形成為5mmX25mm的矩形)來獲得試樣1-1 的導(dǎo)電光學(xué)器件。測量如上制造的試樣1-1的結(jié)構(gòu)體元件的間距和高度，以獲得250nm和155nm的值。換言之，試樣1-1的結(jié)構(gòu)體元件的縱橫比為O. 62。(試樣1-2)在與試樣1-1的導(dǎo)電光學(xué)器件相同的條件下獲得試樣1-2的導(dǎo)電光學(xué)器件,只是結(jié)構(gòu)體元件的間距和高度分別被設(shè)定為250nm和120nm，并且縱橫比被設(shè)定為O. 48。(試樣1-3)在與試樣1-1的導(dǎo)電光學(xué)器件相同的條件下獲得試樣1-3的導(dǎo)電光學(xué)器件，只是結(jié)構(gòu)體元件的間距和高度分別被設(shè)定為250nm和90nm,并且縱橫比被設(shè)定為O. 36。(試樣2-1)在與試樣1-1的導(dǎo)電光學(xué)器件相同的條件下獲得試樣2-1的導(dǎo)電光學(xué)器件,只是結(jié)構(gòu)體元件的間距和高度分別被設(shè)定為250nm和IOnm,并且縱橫比被設(shè)定為O. 04。(試樣3-1)沒有轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)體元件，并在亞克力片上形成厚度為IlOnm的ITO膜，從而獲得試樣
3-1的導(dǎo)電光學(xué)器件。通過四端子法測量試樣1-1至試樣1-3、試樣2-1和試樣3_1的每一個(gè)的表面電阻。關(guān)于試樣1-1至試樣1-3、試樣2-1和試樣3-1,在表I中列出了縱橫比和表面電阻的測量值之間的關(guān)系。[表I]
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電光學(xué)器件，包括基板，具有柔性；結(jié)構(gòu)體元件，由以小于等于可見光的波長的微小間距配置在所述基板的表面上的多個(gè)凸部或凹部構(gòu)成；以及透明導(dǎo)電層，形成在所述結(jié)構(gòu)體元件上，其中，所述結(jié)構(gòu)體元件的縱橫比大于等于O. I小于等于I. 8，其中，所述透明導(dǎo)電層具有仿效所述結(jié)構(gòu)體元件的表面，以及其中，所述導(dǎo)電光學(xué)元件對于彎曲試驗(yàn)保持導(dǎo)電性。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述透明導(dǎo)電層的表面電阻在大于等于50 Ω / □小于500 Ω / □的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，在所述結(jié)構(gòu)體元件的頂部的所述透明導(dǎo)電層的厚度在大于等于5nm小于等于150nm的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述結(jié)構(gòu)體元件被配置為在所述基板的表面上構(gòu)成多列軌跡，以及其中，所述軌跡具有直線形狀或圓弧形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述結(jié)構(gòu)體元件被配置為在所述基板的表面上構(gòu)成多列軌跡，以及其中，所述軌跡形成為蜿蜓狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述結(jié)構(gòu)體元件被配置為在所述基板的表面上構(gòu)成多列軌跡，以及其中，所述結(jié)構(gòu)體元件被構(gòu)造為形成六方點(diǎn)陣圖案、類六方點(diǎn)陣圖案、四方點(diǎn)陣圖案或類四方點(diǎn)陣圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述結(jié)構(gòu)體元件被配置為在所述基板的表面上構(gòu)成多列軌跡，以及其中，所述結(jié)構(gòu)體元件為在所述軌跡的延伸方向上具有長軸方向的橢圓錐形狀或橢圓錐臺形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述結(jié)構(gòu)體元件為頂部具有曲面的橢圓錐形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述基板具有與所述表面相對的一側(cè)的另一表面，以及其中，所述導(dǎo)電光學(xué)器件還包括由以小于等于可見光的波長的微小間距配置在所述基板的所述另一表面上的多個(gè)凸部或凹部構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述結(jié)構(gòu)體元件對所述基板的表面的填充率大于等于65%。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述結(jié)構(gòu)體元件對所述基板的表面的填充率大于等于73%。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述結(jié)構(gòu)體元件的直徑2r與所述結(jié)構(gòu)體元件的配置間距Pl的比率((2r/Pl) X100)大于等于85%。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述直徑2r與所述配置間距Pl的比率((2r/Pl) X100)大于等于 90%。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述透明導(dǎo)電層為透明電極圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電光學(xué)器件，其中，所述微小間距大于等于ISOnm小于等于 350nmo
16.—種信息輸入裝置,具有根據(jù)權(quán)利要求I至15中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電光學(xué)器件。
17.—種顯示裝置，具有根據(jù)權(quán)利要求I至15中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電光學(xué)器件。
全文摘要
本發(fā)明提供了導(dǎo)電光學(xué)器件、信息輸入裝置以及顯示裝置，該導(dǎo)電光學(xué)器件包括基板，具有柔性；結(jié)構(gòu)體元件，由以小于等于可見光的波長的微小間距配置在基板的表面上的多個(gè)凸部或凹部構(gòu)成；以及透明導(dǎo)電層，形成在結(jié)構(gòu)體元件上，其中，結(jié)構(gòu)體元件的縱橫比大于等于0.1小于等于1.8，其中，透明導(dǎo)電層具有仿效結(jié)構(gòu)體元件的表面，以及其中，該導(dǎo)電光學(xué)元件對于彎曲試驗(yàn)保持導(dǎo)電性。
文檔編號G06F3/041GK102592715SQ201110390528
公開日2012年7月18日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月7日
發(fā)明者村本穣, 林部和彌, 梶谷俊一 申請人:索尼公司