專利名稱：非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的檢測的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測電路及用于檢測天線通信范圍內(nèi)的非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的方法。明確地，本發(fā)明涉及一種檢測電路及用于檢測發(fā)射電磁場的天線通信范圍內(nèi)的非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的方法，該非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備被構(gòu)造用干與電磁場電感耦合。
背景技術(shù)：
為了讀取和/或?qū)懭肽康摹⒃跊]有任何電接觸的情況下被訪問的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備， 如智能卡或識別標(biāo)記已經(jīng)變得越來越普遍。特別地，對于個(gè)人或產(chǎn)品識別應(yīng)用，廣泛使用無線電頻率識別(RFID)系統(tǒng)。在RFID系統(tǒng)中，非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備和讀取器或讀取/寫入設(shè)備之間的非接觸通信是基于RF場，即電磁場的電感耦合，該電磁場由讀取/寫入設(shè)備的天線，以及導(dǎo)電體，典型地為數(shù)據(jù)存儲設(shè)備中集成的線圈所發(fā)射。只要RF場打開，電感耦合就發(fā)生在讀取設(shè)備的通信范圍內(nèi)，即在天線的附近。相應(yīng)地，為了檢測、識別和/或驗(yàn)證讀取/寫入設(shè)備通信范圍內(nèi)的無源非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，周期性地打開RF場，例如每250毫秒，以幾毫秒的持續(xù)時(shí)間發(fā)射調(diào)制的識別/驗(yàn)證信號，并檢測來自數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的響應(yīng)。在讀取/寫入設(shè)備未與電源線相連而依賴于電池的設(shè)置(setUp)中，識別/驗(yàn)證信號的周期發(fā)射是效率差的，因?yàn)檫@消耗了太多的電能，特別地，當(dāng)不存在數(shù)據(jù)存儲裝置吋。理想的是， 如果非接觸數(shù)據(jù)存儲裝置處于讀取/寫入設(shè)備的通信范圍內(nèi)，才發(fā)射識別/驗(yàn)證信號。WO 03/052672描述了ー種非接觸集成電路讀取器，其包括用于發(fā)射磁場的調(diào)諧天線和用于檢測處于讀取器通信周界內(nèi)的非接觸集成電路存在的裝置，其包括線圈。根據(jù)WO 03/052672，發(fā)射具有10-50 μ s持續(xù)時(shí)間的短磁場脈沖，并借助包括整流ニ極管和低通濾波器的數(shù)據(jù)接收電路，在天線處抽取具有根據(jù)磁場脈沖的包絡(luò)脈沖的包絡(luò)信號。監(jiān)視包絡(luò)脈沖的幅度，并且如果至少ー個(gè)包絡(luò)脈沖具有低于檢測閾值的幅度，則認(rèn)定物體已經(jīng)進(jìn)入通信周界內(nèi)。隨后，發(fā)射常規(guī)的識別/驗(yàn)證請求信號以便檢測已經(jīng)進(jìn)入通信周界的物體是否是非接觸設(shè)備。WO 03/052672的方法需要接收電路在能夠檢測到非接觸裝置之前產(chǎn)生包絡(luò)脈沖。US 7，598，872描述了ー種用于檢測天線通信范圍內(nèi)識別介質(zhì)的方法，所述天線用于發(fā)送和接收讀取/寫入?yún)g元的RF信號，該單元根據(jù)MHz頻率帯，例如IOMHz內(nèi)的RF場的電感耦合原理進(jìn)行操作。根據(jù)US 7，598，872，經(jīng)由天線周期性地發(fā)射短探詢(polling)信號，例如5ys，其比常規(guī)識別/驗(yàn)證信號更短并且包括RF場的許多基波(載波)振蕩。為了避免探詢信號開始時(shí)載波振蕩的振幅增長(build-up)的瞬態(tài)相位，在探詢信號發(fā)射開始之后，例如在后半時(shí)(second half)的探詢信號中，諸如在3 μ s的時(shí)間延遲之后，以限定的時(shí)間延遲在天線處檢測具有RF場的多個(gè)穩(wěn)定基波振蕩的反饋信號。隨后，將檢測到的反饋信號與參考信號進(jìn)行比較，并且如果反饋信號不同于參考信號，假定識別介質(zhì)處于天線的通信范圍內(nèi)，并且發(fā)射常規(guī)的識別/驗(yàn)證請求信號用以檢測、識別和/或驗(yàn)證識別介質(zhì)。 在延遲時(shí)間內(nèi)，發(fā)生沉降過程(settling process)使得在檢測到的測量范圍內(nèi)，檢測到的反饋信號僅包括穩(wěn)定的基波振蕩。一方面，將反饋信號限定于穩(wěn)定振蕩需要在檢測過程中的時(shí)間延遲；同時(shí)另一方面，反饋信號在探詢信號末端之前與參考信號進(jìn)行比較。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的ー個(gè)目的是提供一種檢測電路和用于檢測發(fā)射電磁場的天線的通信范圍內(nèi)非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的方法，其被構(gòu)造以與電磁場電感耦合，該檢測電路和檢測方法至少不具有現(xiàn)有技術(shù)的ー些缺陷。特別地，本發(fā)明的ー個(gè)目的是提供一種在能夠檢測到非接觸設(shè)備存在之前，不必需要接收電路產(chǎn)生包絡(luò)脈沖的檢測電路和檢測方法。特別地，本發(fā)明的另一目的是提供ー種不需要用于將檢測限制于穩(wěn)定載波振蕩的時(shí)間延遲的檢測電路和檢測方法。根據(jù)本發(fā)明，這些目的通過獨(dú)立權(quán)利要求的特征予以實(shí)現(xiàn)。另外，更多有利的實(shí)施例遵循從屬權(quán)利要求和說明書。非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，例如識別介質(zhì)，被構(gòu)造用干與天線，諸如讀取器或讀取/寫入設(shè)備的天線所發(fā)出的電磁場進(jìn)行電感耦合。對于檢測天線通信范圍內(nèi)的非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，檢測電路具有用于連接至天線的連接器以及用于在電磁場脈沖發(fā)射過程中檢測天線處反饋信號。在本發(fā)明文本中，術(shù)語“反饋信號”指前進(jìn)和反射的波(天線處)總和的信號。根據(jù)本發(fā)明，上述目的特別地實(shí)現(xiàn)于用于檢測天線通信范圍內(nèi)非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的檢測電路被進(jìn)ー步構(gòu)造用以在電磁場脈沖開始時(shí)載波振動的振幅增長過程中產(chǎn)生基于反饋信號的評價(jià)信號，以及基于閾值和振幅增長過程中產(chǎn)生的評價(jià)信號檢測通信范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。通過基于電磁場脈沖開始時(shí)載波振蕩的振幅增長的瞬態(tài)相位中所產(chǎn)生的評價(jià)信號檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的存在，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的檢測能夠在電磁場的載波振蕩穩(wěn)定之前開始。因此，電磁場脈沖的寬度能夠被縮短，并且用于檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備存在的能量消耗由此也能被減少。在優(yōu)選實(shí)施例中，檢測電路被構(gòu)造以基于評價(jià)信號確定振幅增長的斜率，以及基于閾值和振幅增長的斜率檢測通信范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。明確地，當(dāng)振幅增長斜率在連續(xù)的電磁場脈沖之間明顯改變(減少或増加)時(shí)檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。在另ー優(yōu)選實(shí)施例中，檢測電路被構(gòu)造以在電磁場脈沖開始時(shí)載波振蕩的振幅增長過程中，基于反饋信號和比較值的比較產(chǎn)生用作比較信號的評價(jià)信號，以及基于振幅增長過程中產(chǎn)生的比較信號和閾值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的存在。在一個(gè)實(shí)施例中，檢測電路被構(gòu)造以產(chǎn)生比較信號用以指示反饋信號的過度 (exceeding)振蕩，過度振蕩在各種情況中具有大于比較值的振幅，以及基于振幅增長過程中限定時(shí)間間隔內(nèi)過度振蕩的數(shù)量檢測數(shù)據(jù)存儲裝置的存在。實(shí)質(zhì)上，振幅增長過程中限定時(shí)間間隔內(nèi)過度振蕩的數(shù)量是振幅增長斜率的度量(measure)。在另ー實(shí)施例中，檢測電路包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器和用于使天線與模數(shù)轉(zhuǎn)換器輸入端相連的Villard電路。Villard電路被構(gòu)造以在電磁場脈沖開始時(shí)載波振蕩的振幅增長過程中，通過將反饋信號從天線換位(transposition)到模數(shù)轉(zhuǎn)換器的限定操作范圍產(chǎn)生評價(jià)信號。檢測電路被構(gòu)造以基于由模數(shù)轉(zhuǎn)換器從振幅增長過程中限定點(diǎn)處實(shí)時(shí)提供的評價(jià)信號產(chǎn)生的數(shù)字值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的存在。相應(yīng)地，Villard電路通過增加電容器中的各自電荷提供反饋信號的測量，并且振幅增長過程中限定點(diǎn)處實(shí)時(shí)增長電荷的值是振幅增長斜率的度量。
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在另ー實(shí)施例中，檢測電路被構(gòu)造以產(chǎn)生比較信號用以指示反饋信號的定相，和確定比較信號和電磁場脈沖的載波振蕩之間的相移，以及基于相移和閾值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的存在。在一種變型中，檢測電路包括異或元件，其用于由比較信號和電磁場脈沖的載波振蕩產(chǎn)生相位信號，其表示比較信號和電磁場脈沖的載波振蕩之間相移，并且檢測電路被構(gòu)造以關(guān)于電磁場脈沖根據(jù)相位信號確定平均相移，以及基于電磁場脈沖的平均相移和閾值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的存在。優(yōu)選地，檢測電路被構(gòu)造以基于指示通信范圍內(nèi)物體的增強(qiáng)效應(yīng)的上閾值以及指示通信范圍內(nèi)物體的衰減效應(yīng)的下閾值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。例如，大于上閾值的振幅增長的斜率表示通信范圍內(nèi)物體的增強(qiáng)效應(yīng)，而小于下閾值的振幅增長的斜率表示通信范圍內(nèi)物體的衰減效應(yīng)。明確地，高于上閾值的過度振蕩的數(shù)量表示目前物體的增強(qiáng)效應(yīng)，而低于下閾值的過度振蕩的數(shù)量表示目前物體的衰減效應(yīng)。相應(yīng)地，高于上閾值的相移表示目前物體的增強(qiáng)效應(yīng)，而低于下閾值的相移表示目前物體的衰減效應(yīng)。優(yōu)選地，檢測電路被構(gòu)造以根據(jù)之前發(fā)射的電磁場脈沖的振幅增長過程中所產(chǎn)生的評價(jià)信號動態(tài)地限定閾值。除了用于檢測天線通信范圍內(nèi)非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的檢測電路外，本發(fā)明進(jìn)ー步涉及在用于發(fā)射電磁場的天線的通信范圍內(nèi)檢測非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的方法，非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備被構(gòu)造用以與電磁場進(jìn)行電感耦合。在電磁場脈沖發(fā)射過程中，在天線處檢測反饋信號。在電磁場脈沖開始時(shí)載波振蕩的振幅增長過程中，基于反饋信號產(chǎn)生評價(jià)信號。基于閾值和振幅增長過程中產(chǎn)生的評價(jià)信號檢測通信范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。優(yōu)選地，振幅增長的斜率是基于評價(jià)信號確定的，并且基于閾值和振幅增長的斜率檢測通信范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中，在電磁場脈沖開始時(shí)載波振蕩的振幅增長過程中，基于反饋信號和比較值的比較，產(chǎn)生作為比較信號的評價(jià)信號。在一種變型中，比較信號指示具有大于比較值的振幅的反饋信號的過度振蕩，并且基于振幅增長過程中限定時(shí)間間隔內(nèi)過度振蕩數(shù)量檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的存在。在另ー變型中，比較信號指示反饋信號的定相。確定比較信號和電磁場脈沖的載波振蕩之間的相移，并且基于相移和閾值，檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的存在。在另ー實(shí)施例中，天線經(jīng)由Villard電路與模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸入端相連，并且在電磁場脈沖開始時(shí)載波振蕩的振幅增長過程中，由Villard電路執(zhí)行電流積分(current integration)和從天線換位到模數(shù)轉(zhuǎn)換器的限定操作范圍的反饋信號的換位產(chǎn)生評價(jià)信號。通過來自振幅增長過程中限定點(diǎn)處實(shí)時(shí)提供的評價(jià)信號的模數(shù)轉(zhuǎn)換所產(chǎn)生的數(shù)字值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的存在。


本發(fā)明將借助實(shí)例參照附圖進(jìn)行更詳細(xì)地描述，其中圖1示出了示意性說明了讀取/寫入設(shè)備的框圖，所述讀取/寫入設(shè)備具有用于檢測讀取/寫入設(shè)備的天線的通信范圍內(nèi)非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的檢測電路。圖加示出了在天線發(fā)射的電磁場中沒有設(shè)備吋，在電磁場脈沖開始時(shí)載波振蕩的振幅增長過程中于天線處檢測到的反饋信號的圖表。
圖2b示出了在天線發(fā)射的電磁場中存在具有衰減效應(yīng)的設(shè)備時(shí)振幅增長過程中反饋信號的圖表。圖2c示出了在天線發(fā)射的電磁場中存在具有增強(qiáng)效應(yīng)的設(shè)備時(shí)振幅增長過程中反饋信號的圖表。圖3示出了示意性說明了讀取/寫入設(shè)備的框圖，該讀取/寫入設(shè)備具有用于檢測天線的通信范圍內(nèi)非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的檢測電路的另ー實(shí)施例。圖4示出了說明了表示電磁場脈沖的載波振蕩的振蕩信號，表示天線處檢測的反饋信號的定相的比較信號，以及指示振蕩信號和比較信號之間相移的相移信號的過程的時(shí)序圖。圖fe示出了在電磁場脈沖開始時(shí)載波振蕩的振幅增長過程中，當(dāng)在天線發(fā)射的電磁場中不存在設(shè)備吋，于天線處檢測到的反饋信號的圖表。圖恥示出了在天線發(fā)射的電磁場中存在具有正相移效應(yīng)的設(shè)備時(shí)振幅增長過程中反饋信號的圖表。圖5c示出了當(dāng)在天線發(fā)射的電磁場中存在具有負(fù)相移效應(yīng)的設(shè)備時(shí)振幅增長過程中反饋信號的圖表。圖6示出了示意性說明了讀取/寫入設(shè)備的框圖，該設(shè)備具備具有用于積分反饋信號的Villard電路的檢測電路的ー個(gè)實(shí)施例。圖7示出了在電磁場脈沖開始時(shí)載波振蕩的振幅增長過程中于天線處檢測的反饋信號，以及通過指示振幅增長斜率的電流積分所產(chǎn)生的評價(jià)信號的圖表。圖8示出了說明用于檢測讀取/寫入設(shè)備的天線的通信范圍內(nèi)非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的多種示例性步驟順序的流程圖。
具體實(shí)施例方式在圖1、3和6中，參考標(biāo)記1表示讀取器和/或讀取/寫入設(shè)備，以下共同稱作 “讀取器”，其被構(gòu)造和操作用以通過與讀取器1的天線4發(fā)射的電磁場或電磁場脈沖的電感耦合從非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備2讀取數(shù)據(jù)和/或?qū)懭霐?shù)據(jù)到非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。如圖1、3和6中示意性說明，非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備2，以下稱作“非接觸設(shè)備”，包括用于與讀取器1的電磁場電感耦合的天線線圈20。天線線圈20與微芯片相連，微芯片包括包含例如產(chǎn)品或用戶識別數(shù)據(jù)的存儲數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲。例如，非接觸設(shè)備是以標(biāo)簽，(智能)卡，手鏈，鑰匙扣(key tag)形式實(shí)現(xiàn)的RFID標(biāo)記或RFID發(fā)射應(yīng)答器。例如，讀取器1 是根據(jù)例如IS018092，IS015693或IS014443標(biāo)準(zhǔn)中限定的標(biāo)準(zhǔn)化的RFID協(xié)議，或根據(jù)專有數(shù)據(jù)傳輸或RFID協(xié)議與非接觸設(shè)備2進(jìn)行相互作用的RFID讀取器。例如，讀取器1借助具有IOOKHz至2. 5GHz范圍內(nèi)的載波頻率的電磁場3或電磁場脈沖30進(jìn)行操作。特別地， 載波頻率被設(shè)定為RFID系統(tǒng)的工作頻率，如6. 78MHz, 13. 56MHz，或27. 12MHz (或13. 56MHz 的其他倍數(shù))。如圖1、3和6中示意性說明，讀取器包括用于分別檢測讀取器1或其天線4的RF 通信范圍內(nèi)非接觸設(shè)備2的存在的檢測電路10。檢測電路10通過連接器與天線4電連接， 用以在讀取器1通過其天線4發(fā)射用作探詢信號的短電磁場脈沖30的過程中檢測反饋信號，如下文更詳細(xì)地描述。此外，檢測電路10包括處理單元13，其用于通過借助多種電路和/或元件處理檢測到的反饋信號或從反饋信號得出的相應(yīng)信號或值確定在通信范圍內(nèi)是否存在非接觸設(shè)備2。例如，處理單元13包括具有存儲程序模塊或其他程序邏輯單元的微處理器。在圖1的實(shí)施例中，檢測電路10進(jìn)ー步包括輸入緩沖器15，用于使輸入緩沖器15 與天線4相連的RC電路，與輸入緩沖器15的輸出端和處理單元13相連的計(jì)數(shù)器12，與計(jì)數(shù)器12和處理單元13相連的定時(shí)器14，以及與輸入緩沖器15相連的閾值模塊11。如圖 1中所示，天線4經(jīng)由電容器C與輸入緩沖器15的輸入端相連。閾值模塊11，例如數(shù)/模轉(zhuǎn)換器，經(jīng)由電阻器R與輸入緩沖器15的輸入端相連并被構(gòu)造以設(shè)置閾值電壓Vthresh。在一種變型中，閾值模塊11是處理単元13的一部分。優(yōu)選地，輸入緩沖器15被構(gòu)造成遲滯輸入緩沖器，其在天線電壓Uant超出了閾值電壓Vthresh 設(shè)置的比較值時(shí)產(chǎn)生具有高輸出電平的比較輸出信號Ucomp，并且在天線電壓Uant回復(fù)至或低于閾值電壓Vthresh設(shè)置的比較值時(shí)產(chǎn)生具有低輸出電平，例如零的比較輸出信號。例如，電磁場脈沖30具有脈沖寬度tp，其例如被設(shè)定為1 μ s至5 μ s范圍內(nèi)的長度或持續(xù)時(shí)間，如3 μ s，并由此顯著地短于標(biāo)準(zhǔn)RFID讀取器的常規(guī)識別或驗(yàn)證信號，該信號典型地處于幾毫秒級。如圖加，2b，2c，5a，恥和5c中示意性說明，電磁場脈沖30 (探詢信號)在電磁場脈沖30的開始時(shí)具有瞬時(shí)(transient)振幅增長相位，其中電磁場脈沖30 的載波振蕩使其振幅增長至?xí)r間ta，例如ta ^ 500ns時(shí)穩(wěn)定振蕩的完全最大振幅Α。正如下文中概述的，天線4處檢測到的反饋信號Uant在評價(jià)時(shí)間間隔
內(nèi)的振幅增長過程中被評價(jià)和分析。通常，評價(jià)時(shí)間(間隔)tm，振幅增長時(shí)間ta(例如，上升時(shí)間)以及脈沖寬度tp 之間的關(guān)系被限定為tm彡ta彡tp?？墒?，對于慢增長時(shí)間ta，例如，ta彡2μ s，根據(jù)天線的Q等級to-rating)，在時(shí)間ta時(shí)達(dá)到穩(wěn)定振幅的完全最大振幅A之前，于振幅增長過程中的時(shí)間ta'時(shí)開始測量。優(yōu)選地，評價(jià)時(shí)間tm和脈沖寬度tp具有相同的持續(xù)時(shí)間tm = tp。在優(yōu)選的構(gòu)造中，評價(jià)時(shí)間tm、振幅增長時(shí)間ta (上升時(shí)間)、以及脈沖寬度tp具有相同的持續(xù)時(shí)間tm = ta = tp，例如tm = ta = tp = 2 μ s或tm = ta = tp = 3 μ s ；或?qū)τ诼仙闆r(scenario) tm = ta' =tp,例如 tm = ta' = tp = 2 μ s 或 tm = ta' = tp
=3μ s。表格1，概述了不同實(shí)施例情況的多種構(gòu)造。
權(quán)利要求
1.一種檢測用于發(fā)射電磁場(3)的天線的通信范圍內(nèi)非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備(2)的檢測電路(10)，該非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備被構(gòu)造用以與電磁場(3)進(jìn)行電感耦合，檢測電路(10) 具有用于連接天線(4)和用于電磁場脈沖(30)發(fā)射期間檢測天線(4)處的反饋信號的連接器，其中檢測電路(10)進(jìn)ー步被構(gòu)造用以在電磁場脈沖(30)開始時(shí)載波振蕩的振幅增長 (ta)過程中基于反饋信號產(chǎn)生評價(jià)信號，并基于振幅增長(ta)過程中產(chǎn)生的評價(jià)信號和閾值檢測通信范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備⑵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的檢測電路(10)，其中檢測電路(10)被構(gòu)造以基于評價(jià)信號確定振幅增長的斜率，以及基于閾值和振幅增長的斜率檢測通信范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備(2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的檢測電路(10)，其中檢測電路(10)被構(gòu)造以在電磁場脈沖 (30)開始時(shí)振蕩的振幅增長過程中，基于反饋信號和比較值的比較產(chǎn)生用作比較信號的評價(jià)信號，以及基于振幅增長(ta)過程中產(chǎn)生的比較信號和閾值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備(2)的存在。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的檢測電路(10)，其中檢測電路(10)被構(gòu)造以產(chǎn)生用于指示反饋信號的過度振蕩的比較信號(Ucomp)，過度振蕩具有大于比較值的振幅，以及基于振幅增長 (ta)過程中限定時(shí)間間隔(tm)內(nèi)過度振蕩的數(shù)量和閾值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備(2)的存在。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2的檢測電路(10)，其中檢測電路(10)包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器(18)和用于使天線⑷與模數(shù)轉(zhuǎn)換器(18)的輸入端相連的Villard電路(VC) ,Villard電路(VC) 被構(gòu)造以在電磁場脈沖(30)開始時(shí)振蕩的振幅增長(ta)過程中，通過電流積分和將反饋信號從天線(4)換位到模數(shù)轉(zhuǎn)換器(18)的限定操作范圍產(chǎn)生評價(jià)信號(Vint)，并且檢測電路(10)被構(gòu)造以基于由模數(shù)轉(zhuǎn)換器在從振幅增長(ta)過程中限定點(diǎn)處實(shí)時(shí)(tm)的評價(jià)信號(Vint)產(chǎn)生的數(shù)字值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備O)的存在。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的檢測電路(10)，其中檢測電路(10)被構(gòu)造以產(chǎn)生用于指示反饋信號的定相的比較信號(UantCmos)，以便確定比較信號和電磁場脈沖(30)的載波振蕩之間的相移，以及基于相移和閾值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備⑵的存在。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的檢測電路(10)，其中檢測電路(10)包括異或元件(16)，其用于由比較信號(UantCmos)和電磁場脈沖(30)的載波振蕩(Ufc)中產(chǎn)生相位信號 (UphaseSiift)，相位信號表示比較信號(UantCmos)和電磁場脈沖(30)的載波振蕩(Ufc) 之間相移，并且檢測電路(10)被構(gòu)造以由相位信號(UphaseShift)中為電磁場脈沖(30) 確定平均相移，以及基于電磁場脈沖(30)的平均相移和閾值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備O)的存在。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7之ー的檢測電路(10)，其中檢測電路(10)被構(gòu)造以基于指示通信范圍內(nèi)物體的增強(qiáng)效應(yīng)的上閾值以及指示通信范圍內(nèi)物體的衰減效應(yīng)的下閾值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備(2)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8之ー的檢測電路(10)，其中檢測電路(10)被構(gòu)造以根據(jù)之前發(fā)射的電磁場脈沖(30)的振幅增長(ta)過程中所產(chǎn)生的評價(jià)信號動態(tài)地限定閾值。
10.一種在用于發(fā)射電磁場(3)的天線的通信范圍內(nèi)檢測非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備 (2)的方法，非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備被構(gòu)造用以與電磁場C3)進(jìn)行電感耦合，該方法包括在電磁場脈沖(30)發(fā)射過程中，在天線(4)處檢測反饋信號(Si)，在電磁場脈沖(30)開始時(shí)載波振蕩的振幅增長(ta)過程中，基于反饋信號產(chǎn)生評價(jià)信號(S》，和基于振幅增長(ta)過程中產(chǎn)生的評價(jià)信號和閾值檢測通信范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備 (2) (S3)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，進(jìn)ー步包括是基于評價(jià)信號確定振幅增長的斜率(S31)， 并且基于閾值和振幅增長的斜率檢測通信范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備(2)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11的方法，進(jìn)ー步包括在電磁場脈沖(30)開始時(shí)振蕩的振幅增長(ta)過程中，基于反饋信號和比較值的比較，產(chǎn)生作為比較信號的評價(jià)信號(S221)， 比較信號(Ucomp)指示具有大于比較值的振幅的反饋信號的過度振蕩，并且基于振幅增長 (ta)過程中限定時(shí)間間隔(tm)內(nèi)過度振蕩數(shù)量檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備O)的存在。
13.根據(jù)權(quán)利要求10或11的方法，進(jìn)ー步包括經(jīng)由Villard電路(VC)使天線(4)與模數(shù)轉(zhuǎn)換器(18)的輸入端相連，在電磁場脈沖(30)開始時(shí)振蕩的振幅增長(ta)過程中，由將反饋信號從天線(4)換位到模數(shù)轉(zhuǎn)換器(18)的限定操作范圍的Villard電路(VC)產(chǎn)生評價(jià)信號(Vint)，并且基于由模數(shù)轉(zhuǎn)換(18)根據(jù)振幅增長(ta)過程中限定點(diǎn)處實(shí)時(shí)(tm) 提供的評價(jià)信號(Vint)所產(chǎn)生的數(shù)字值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備O)的存在。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，進(jìn)ー步包括在電磁場脈沖(30)開始時(shí)振蕩的振幅增長 (ta)過程中，基于反饋信號和比較值的比較，產(chǎn)生作為比較信號的評價(jià)信號(UantCmos)， 比較信號(UantComs)指示反饋信號的定相，確定比較信號(UantComs)和電磁場脈沖(30) 的載波振蕩(Ufc)之間的相移(S32)，以及基于相移和閾值檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備O)的存在。
全文摘要
用于檢測天線通信范圍內(nèi)的非接觸數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，該設(shè)備被構(gòu)造用以與天線發(fā)射的電磁場電感耦合，在電磁場脈沖發(fā)射過程中于天線處檢測反饋信號(S1)。在電磁場脈沖開始時(shí)載波振蕩的振幅增長過程中，基于反饋信號產(chǎn)生評價(jià)信號(S2)，并基于評價(jià)信號檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備(S3)。通過基于振幅增長過程中產(chǎn)生的評價(jià)信號檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的存在，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的檢測能夠在電磁場脈沖的載波振蕩穩(wěn)定之前開始。因此，電磁場脈沖的寬度能夠被縮短，由此，用于檢測數(shù)據(jù)存儲設(shè)備存在的能量消耗能夠被降低。
文檔編號G06K7/00GK102542224SQ20111028710
公開日2012年7月4日 申請日期2011年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者彼特·豪斯曼, 馬塞·普拉斯, 馬提亞·施瑙貝爾特 申請人:勵智識別技術(shù)有限公司