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觸控面板制造方法

文檔序號(hào):6424169閱讀:109來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:觸控面板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明為一種觸控面板的制造方法,可以提升電容式觸控面板制程良率,以及減少投射電容式觸控面板的制造程序和減少貼合步驟。
背景技術(shù)
如圖1和圖加所示,投射電容式觸控面板結(jié)構(gòu)為將分別鍍有X軸方向透明導(dǎo)電電極202的透明基板200和鍍有y軸方向透明導(dǎo)電電極212的透明基板210以黏接層220 對(duì)貼而成,然后將貼合好的感測(cè)結(jié)構(gòu)以黏接層240黏貼于硬質(zhì)透明基板260上,形成film/ film/硬質(zhì)透明基板的堆棧結(jié)構(gòu),其中硬質(zhì)透明基板沈0為成形強(qiáng)化玻璃、PC或PMMA,作為觸控面板外層的cover Iens0 Film/film/硬質(zhì)透明基板的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,制作上需要使用到兩層黏貼層220340,以及多道黏貼及對(duì)位手續(xù),使得產(chǎn)品良率偏低。并且投射電容式觸控面板的結(jié)構(gòu)包含了兩層透明基板200、210、兩層黏貼層220J40以及硬質(zhì)透明基板沈0,使得整體堆棧厚度增加,不但造成透光度降低,也不符目前電子裝置尺寸輕薄短小的發(fā)展趨勢(shì)。如圖1和圖2b所示,投射電容式觸控面板結(jié)構(gòu)可將具有Χ軸方向透明導(dǎo)電電極 202制作于透明基板200之上,y軸方向透明導(dǎo)電電極212制作于硬質(zhì)透明基板沈0之上,硬質(zhì)透明基板260為成形強(qiáng)化玻璃。然后以黏接層240黏貼具有χ軸方向透明導(dǎo)電電極202 的透明基板200和具有y軸方向透明導(dǎo)電電極212的硬質(zhì)透明基板沈0,形成film/glass 的結(jié)構(gòu)。Film/glass結(jié)構(gòu)比Film/film/glass結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,制程上少了一次貼合的步驟,可讓良率提升。然而,硬質(zhì)透明基板260為成形強(qiáng)化玻璃,作為觸控面板cover lens,需要依手機(jī)或電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)而有不同外形。因?yàn)閺?qiáng)化玻璃硬度高且相對(duì)于一般玻璃較難加工,切割成形時(shí)容易在玻璃邊緣產(chǎn)生瑕疵(crack),使得硬質(zhì)透明基板260的成形良率偏低。另外于硬質(zhì)透明基板260上形成χ軸方向透明導(dǎo)電電極202以及周邊線路280時(shí)會(huì)面臨技術(shù)瓶頸。 于硬質(zhì)透明基板260上形成χ軸方向透明導(dǎo)電電極202之后要制作周邊線路觀0,將周邊線路280與χ軸方向透明導(dǎo)電電極202電性連接,如果對(duì)位上有偏差時(shí),將造成觸控面板電性不良而產(chǎn)生NG。硬質(zhì)透明基板260為成形強(qiáng)化玻璃,外形的公差大約為0.2毫米。當(dāng)周邊線路280走向細(xì)線路制程線寬低于50微米之后,玻璃外形的公差將使得透明導(dǎo)電極202與周邊線路280不易對(duì)位,而造成良率偏低。由于貼合的手續(xù)目前仍需要人工對(duì)位以及貼合,因此多次對(duì)位和貼合手續(xù)常常會(huì)因?yàn)榄h(huán)境異物進(jìn)入迭層中或人為因素造成制程良率低落,于制程穩(wěn)定度上將造成極大影響。隨著觸控面板周邊線路走向窄邊寬的制程之后,周邊線路線寬尺寸縮小到50微米以下,將使得傳統(tǒng)多次人工對(duì)位貼合的制程穩(wěn)定度遭受極大考驗(yàn)。

發(fā)明內(nèi)容
為了提升電容式觸控面板制程良率,減少投射電容式觸控面板的制造程序和減少貼合步驟,并且可制作出窄邊寬與細(xì)線路的觸控面板,發(fā)明人經(jīng)由努力不懈的實(shí)驗(yàn)以及創(chuàng)新,達(dá)到制程簡(jiǎn)化以及良率提升的目的。
為達(dá)成上述的目的,本發(fā)明的觸控面板的制造方法,包括提供可饒式透明基材, 具有復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)和復(fù)數(shù)線路區(qū),其中每一線路區(qū)位于每一感測(cè)區(qū)的側(cè)邊;形成透明導(dǎo)電層于可饒式透明基材之上;形成第一金屬層于透明導(dǎo)電層之上;圖案化第一金屬層和透明導(dǎo)電層,形成具有第一金屬層于其上的復(fù)數(shù)個(gè)第一感測(cè)串行、復(fù)數(shù)個(gè)第二感測(cè)墊和復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào),其中復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行分別具有復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊和復(fù)數(shù)第一橋接線,復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊以陣列方式排列,復(fù)數(shù)第一橋接線于第一方向電性連接復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊,復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊以陣列方式排列,復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊與復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊相互交錯(cuò),復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)位于復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)之外;覆蓋至少一層透明保護(hù)層于復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)上;移除第一金屬層;形成絕緣層于透明導(dǎo)電層之上;圖案化絕緣層,形成復(fù)數(shù)個(gè)絕緣墊,復(fù)數(shù)絕緣墊分別位于復(fù)數(shù)第一橋接線之上;形成至少一第二金屬層于絕緣層之上;移除至少一層透明保護(hù)層,供復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)對(duì)位;以及圖案化第二金屬層,形成復(fù)數(shù)第二橋接線和端子線路,其中復(fù)數(shù)第二橋接線分別位于復(fù)數(shù)絕緣墊之上,復(fù)數(shù)第二橋接線與于第二方向相鄰的復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊電性連接形成復(fù)數(shù)第二感測(cè)串行,端子線路形成于復(fù)數(shù)線路區(qū)以供連接軟性電路板,端子線路分別連接復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行與復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊,形成感測(cè)結(jié)構(gòu)。
為達(dá)成上述的目的,本發(fā)明的觸控面板的制造方法,包括提供可饒式透明基材,具有復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)和復(fù)數(shù)線路區(qū),其中每一線路區(qū)位于每一感測(cè)區(qū)的側(cè)邊;形成第一透明導(dǎo)電層于可饒式透明基材之上;形成透明絕緣層于第一透明導(dǎo)電層之上;形成第二透明導(dǎo)電層于透明絕緣層之上;形成第一金屬層于第二透明導(dǎo)電層之上;圖案化第一金屬層和第二透明導(dǎo)電層,形成具有第一金屬層于其上的復(fù)數(shù)個(gè)第一感測(cè)串行、復(fù)數(shù)個(gè)第二感測(cè)墊和復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào),其中復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行分別具有復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊和復(fù)數(shù)第一橋接線,復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊以陣列方式排列,復(fù)數(shù)第一橋接線于一第一方向電性連接復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊,復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊以陣列方式排列,復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊與復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊相互交錯(cuò),復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)位于復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)之外;覆蓋至少一層透明保護(hù)層于復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)上;移除第一金屬層;形成絕緣層于透明導(dǎo)電層之上;圖案化絕緣層,形成復(fù)數(shù)絕緣墊,復(fù)數(shù)絕緣墊分別位于復(fù)數(shù)第一橋接線之上;形成至少一第二金屬層于絕緣層之上;移除至少一層透明保護(hù)層,供復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)對(duì)位;以及圖案化第二金屬層,形成復(fù)數(shù)第二橋接線和端子線路,其中復(fù)數(shù)第二橋接線分別位于復(fù)數(shù)絕緣墊之上,復(fù)數(shù)第二橋接線與于第二方向相鄰的復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊電性連接形成復(fù)數(shù)第二感測(cè)串行,端子線路形成于復(fù)數(shù)線路區(qū)以供連接軟性電路板,端子線路分別連接復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行與復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊,形成感測(cè)結(jié)構(gòu)。為達(dá)成上述的目的,本發(fā)明的觸控面板的制造方法,其中絕緣層的材質(zhì)可為二氧化硅、有機(jī)絕緣材質(zhì)、無(wú)機(jī)絕緣材質(zhì)或光阻。為達(dá)成上述的目的,本發(fā)明的觸控面板的制造方法,其中第二金屬層可為至少一層導(dǎo)電金屬。為達(dá)成上述的目的,本發(fā)明的觸控面板的制造方法,其中形成第二金屬層于絕緣層上之后,更包括形成抗反射層于第二金屬層之上;以及圖案化抗反射層和第二金屬層, 形成具有抗反射層于其上的復(fù)數(shù)第二橋接線。為達(dá)成上述的目的,本發(fā)明的觸控面板的制造方法,更包括于圖案化第二金屬層之后形成黏著層于感測(cè)結(jié)構(gòu)之上,然后裁切具有黏著層于感測(cè)結(jié)構(gòu)之上的可饒式透明基材,形成復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材。
為達(dá)成上述的目的,本發(fā)明的觸控面板的制造方法,更包括以黏著層黏著每一片狀感測(cè)基材于硬質(zhì)透明基板。為達(dá)成上述的目的,本發(fā)明的觸控面板的制造方法,更包括形成黏著層于可饒式透明基材之下;然后裁切具有黏著層以及感測(cè)結(jié)構(gòu)的可饒式透明基材,形成復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材;以及以黏著層黏著每一片狀感測(cè)基材于硬質(zhì)透明基板。為達(dá)成上述的目的,本發(fā)明的觸控面板的制造方法,更包括形成抗干擾層于可饒式透明基材之下。為達(dá)成上述的目的,本發(fā)明的觸控面板的制造方法,更包括形成透明絕緣保護(hù)層于感測(cè)結(jié)構(gòu)之上。


圖1和圖h、b所示為習(xí)知的投射電容式觸控面板。圖3a所示為本發(fā)明的一實(shí)施例的觸控面板的俯視圖。圖北所示為本發(fā)明的一實(shí)施例的觸控面板的側(cè)視圖。圖3c至圖池所示為本發(fā)明的一實(shí)施例的觸控面板的俯視圖。圖3i至圖3k所示為本發(fā)明的一實(shí)施例的觸控面板的側(cè)視圖。圖如所示為本發(fā)明的一實(shí)施例的觸控面板的俯視圖。圖4b所示為本發(fā)明的一實(shí)施例的觸控面板的側(cè)視圖。圖如至圖4h所示為本發(fā)明的一實(shí)施例的觸控面板的俯視圖。圖4i至圖4k所示為本發(fā)明的一實(shí)施例的觸控面板的側(cè)視圖。圖號(hào)說(shuō)明
200,210 透明基板
202 χ軸方向透明導(dǎo)電電極
220、240黏接層
212 y軸方向透明導(dǎo)電電極
260硬質(zhì)透明基板
30、40 感測(cè)結(jié)構(gòu)
300、400可饒式透明基材
301、401復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū) 303,403復(fù)數(shù)線路區(qū) 404第一透明導(dǎo)電層 405透明絕緣層 310透明導(dǎo)電層 410第二透明導(dǎo)電層 311,411復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行 3111,4111復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊 3112、4112復(fù)數(shù)第二橋接線 3121,4121復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊 3122,4122復(fù)數(shù)第二橋接線3115,4115復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào) 320,420第一金屬層 321、421透明保護(hù)層 331、431復(fù)數(shù)絕緣墊 3123,4123端子線路 350、450黏著層 360、460硬質(zhì)透明基板 370,470復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材 390、490觸控基材。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參考圖3a至圖3k所示為本發(fā)明的一實(shí)施例所提供觸控面板的制造方法的示意圖。如圖3a,提供可饒式透明基材300,具有復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)301和復(fù)數(shù)線路區(qū)303,其中每一線路區(qū)303位于每一感測(cè)區(qū)301的側(cè)邊,亦可位于每一感測(cè)區(qū)301的四周??绅埵酵该骰?00為可饒曲的材質(zhì)所構(gòu)成,可以卷曲成滾筒狀??绅埵酵该骰?00的材質(zhì)例如可為PEN、PET、PES、可饒式玻璃、PMMA, PC或PI之一,也可為上述材質(zhì)的多層復(fù)合材料,而前述材質(zhì)之上亦可形成有多層的透明堆棧結(jié)構(gòu)的基材,多層的透明堆棧結(jié)構(gòu)例如可為抗反射層。如圖北所示,接著形成透明導(dǎo)電層310于可饒式透明基材300之上,其中透明導(dǎo)電層 310的材質(zhì),例如可為銦錫氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、摻雜有鋁的氧化鋅、以及摻雜有銻的氧化錫中之一或其混合物。再形成第一金屬層320于透明導(dǎo)電層310之上,第一金屬層320可為至少一層導(dǎo)電金屬層,或者多層導(dǎo)電金屬層。其材質(zhì)可為銅合金、鋁合金、金、 銀、鋁、銅、鉬等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖稹6鄬訉?dǎo)電金屬層的結(jié)構(gòu),例如可為鉬層/鋁層/鉬層的堆棧結(jié)構(gòu),或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖鸬囊环N或多種材質(zhì)而堆棧的多層導(dǎo)電金屬層結(jié)構(gòu)。接著如圖3c和圖3d所示,圖3d為圖3c的部分區(qū)域圖標(biāo)。進(jìn)行第一道黃光制程,將第一金屬層320和透明導(dǎo)電層310圖案化。形成圖案化光阻層(無(wú)圖示)于第一金屬層320之上,其中光阻層的材質(zhì)可為液態(tài)光阻或干膜光阻。然后進(jìn)行蝕刻步驟,同時(shí)蝕刻未受光阻層保護(hù)的第一金屬層320和透明導(dǎo)電層310, 以及去除該圖案化光阻層,形成具有第一金屬層320于其上的復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行311、復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊3121和復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)3115。復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行311分別具有復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊 3111和復(fù)數(shù)第一橋接線3112,復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊3111以陣列方式排列,復(fù)數(shù)第一橋接線3112 于第一方向Dl電性連接復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊3111。復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊3121以陣列方式排列,復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊3121與復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊3111彼此相互交錯(cuò)。復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)3115位于復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)301之外,例如復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)3115可位于復(fù)數(shù)線路區(qū)303之中,或者位于復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)301和復(fù)數(shù)線路區(qū)303之外。接下來(lái)如圖3e所示,覆蓋透明保護(hù)層321于復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào) 3115的第一金屬層320之上,用以保護(hù)金屬材質(zhì)的復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)3115,避免因?yàn)楹罄m(xù)鍍膜制程覆蓋住復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)3115影響CCD對(duì)位,更可以同時(shí)覆蓋多層透明保護(hù)層321于復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)3115的第一金屬層320之上,用以保護(hù)第一金屬層320
以供對(duì)位。接著移除位于復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行311和復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊3121上的第一金屬層320。如圖3f所示,再形成絕緣層(無(wú)圖示)于第一金屬層320之上,絕緣層的材質(zhì)可為二氧化硅(SiO2)、有機(jī)絕緣材質(zhì)、無(wú)機(jī)絕緣材質(zhì)或光阻,光阻例如可為液態(tài)光阻或干膜光阻。接著以CXD對(duì)位復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)3115進(jìn)行第二道黃光制程,若是所形成的絕緣層透光度太低造成CXD無(wú)法對(duì)位,則移除其中一層透明保護(hù)層321以使對(duì)位記號(hào)3115上的第一金屬層320露出供CXD對(duì)位。圖案化絕緣層形成復(fù)數(shù)絕緣墊331,復(fù)數(shù)絕緣墊331形成于復(fù)數(shù)第一橋接線3112之上,每一絕緣墊331沿第二方向D2跨過(guò)每一第一橋接線3112。絕緣層若為光阻,制程為將絕緣層曝光顯影,再形成復(fù)數(shù)絕緣墊331。若絕緣層為二氧化硅(SiO2)、 有機(jī)絕緣材質(zhì)或無(wú)機(jī)絕緣材質(zhì),制程為于絕緣層上形成光阻,再曝光顯影以及蝕刻。而使絕緣層圖案化而形成復(fù)數(shù)個(gè)絕緣墊331。接著如圖3g,形成至少一第二金屬層(無(wú)圖示)于絕緣層之上,然后同時(shí)移除位于復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)3115的第一金屬層320上的至少一層透明保護(hù)層321以及位于該層透明保護(hù)層321上的第二金屬層,裸露出復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)3115。接著以CXD對(duì)位復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)3115 進(jìn)行第三道黃光制程,圖案化第二金屬層形成復(fù)數(shù)第二橋接線3122和端子線路3123,該些第二橋接線3115分別位于絕緣墊331之上,復(fù)數(shù)第二橋接線3122與于第二方向D2相鄰的復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊3121電性連接,形成復(fù)數(shù)第二感測(cè)串行312,端子線路3123形成于復(fù)數(shù)線路區(qū)303以供連接軟性電路板(無(wú)圖標(biāo)),端子線路3123分別連接復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行311 與該復(fù)數(shù)第二感測(cè)串行312,形成感測(cè)結(jié)構(gòu)30。其中第三道黃光制程包括形成圖案化光阻層于第二金屬層之上,然后進(jìn)行蝕刻步驟,以及去除該圖案化光阻層。其中光阻層的材質(zhì)可為液態(tài)光阻或干膜光阻。第二橋接線3122的結(jié)構(gòu)可為至少一層導(dǎo)電金屬層,或者多層導(dǎo)電金屬層。其中導(dǎo)電金屬層的材質(zhì)可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖?。多層?dǎo)電金屬層的結(jié)構(gòu),例如可為鉬層/鋁層/鉬層的堆棧結(jié)構(gòu),或者可為選自銅合金、 鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖鸬囊环N或多種材質(zhì)而堆棧的多層導(dǎo)電金屬層結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電金屬層多為使用物理氣相沉積(PVD)或是化學(xué)氣相沉積(CVD),沉積速率快且制程穩(wěn)定。上述制程中更可以形成抗反射層于第二金屬層之上,再進(jìn)行第三道黃光制程, 圖案化抗反射層和第二金屬層,形成具有抗反射層于其上的第二橋接線3122??狗瓷鋵拥牟馁|(zhì)可為深色導(dǎo)電金屬,例如 ITO、TiN, TiAlCN, TiAlN, NbO, NbN, Nb2Ox, TiC、SiC 或 WC。亦可為深色絕緣材質(zhì),例如可為CuO、CoO、WO3> MoO3> CrO, CrON、Nb205??狗瓷鋵涌捎行Ы档徒饘俨馁|(zhì)所造成的光反射。上述制程中更可以形成抗干擾層(無(wú)圖示)于可饒式透明基材 300之下,抗干擾層的材質(zhì)例如可為銦錫氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、摻雜有鋁的氧化鋅、以及摻雜有銻的氧化錫中之一或其混合物,抗干擾層可防止觸控面板受到下方顯示器的電性干擾。接著如圖池和圖3j所示,形成黏著層于復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)30之上,然后裁切覆蓋有該黏著層于復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)30之上的可饒式透明基材,形成復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材370。然后將每一片狀感測(cè)基材370上的每一感測(cè)結(jié)構(gòu)30沖切下來(lái)形成觸控基材390,再以黏著層350 黏貼于硬質(zhì)透明基板360。其中觸控基材390與硬質(zhì)透明基板360形狀相似。由于觸控基材390為軟性材質(zhì),所以很容易依照觸控面板設(shè)計(jì)之外型來(lái)沖切。并且免除黃光制程制作小片成型玻璃制程的難度,本發(fā)明僅需將沖切下來(lái)的觸控基材390貼至成型玻璃即可制作出觸控面板。本發(fā)明的一實(shí)施例所提供觸控面板的制造方法,更包括形成黏著層于可饒式透明基材之下,然后裁切可饒式透明基材,形成復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材。接著如圖3k所示,將每一片狀感測(cè)基材370上的每一感測(cè)結(jié)構(gòu)30沖切下來(lái)形成觸控基材390,再以黏著層350黏貼于硬質(zhì)透明基板360。其中觸控基材390與硬質(zhì)透明基板360形狀相似。由于觸控基材390 為軟性材質(zhì),所以很容易依照觸控面板設(shè)計(jì)的外型來(lái)沖切。并且免除黃光制程制作小片成型玻璃制程的難度,本發(fā)明僅需將沖切下來(lái)的觸控基材390貼至成型玻璃即可制作出觸控面板。 請(qǐng)參考圖如至圖4k所示為本發(fā)明的一實(shí)施例所提供觸控面板的制造方法的示意圖。提供可饒式透明基材400,具有復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)401和復(fù)數(shù)線路區(qū)403,其中每一線路區(qū) 403位于每一感測(cè)區(qū)401的側(cè)邊,亦可位于每一感測(cè)區(qū)301的四周。可饒式透明基材400為可饒曲的材質(zhì)所構(gòu)成,可以卷曲成滾筒狀??绅埵酵该骰?00的材質(zhì)例如可為PEN、PET、 PES、可饒式玻璃、PMMA、PC或PI之一,也可為上述材質(zhì)的多層復(fù)合材料,而前述材質(zhì)之上亦可形成有多層的透明堆棧結(jié)構(gòu)的基材,多層的透明堆棧結(jié)構(gòu)例如可為抗反射層。形成第一透明導(dǎo)電層404于可饒式透明基材400之上,其中第一透明導(dǎo)電層404的材質(zhì),例如可為銦錫氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、摻雜有鋁的氧化鋅、以及摻雜有銻的氧化錫中之一或其混合物。形成透明絕緣層405于第一透明導(dǎo)電層404之上,透明絕緣層405的材質(zhì)可為二氧化硅、有機(jī)絕緣材質(zhì)、無(wú)機(jī)絕緣材質(zhì)或光阻。形成第二透明導(dǎo)電層410于可饒式透明基材400之上,其中第二透明導(dǎo)電層410的材質(zhì),例如可為銦錫氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、摻雜有鋁的氧化鋅、以及摻雜有銻的氧化錫中之一或其混合物。再形成第一金屬層 420于第二透明導(dǎo)電層410之上,第一金屬層420可為至少一層導(dǎo)電金屬層,或者多層導(dǎo)電金屬層。其材質(zhì)可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖?。多層?dǎo)電金屬層的結(jié)構(gòu),例如可為鉬層/鋁層/鉬層的堆棧結(jié)構(gòu),或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、 鋁、銅、鉬等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖鸬囊环N或多種材質(zhì)而堆棧的多層導(dǎo)電金屬層結(jié)構(gòu)。接著如圖如和圖4d所示,圖4d為圖如的部分區(qū)域圖標(biāo)。進(jìn)行第一道黃光制程,同時(shí)將第一金屬層420和第二透明導(dǎo)電層410圖案化。其中第一道黃光制程包括形成圖案化光阻層(無(wú)圖示)于第一金屬層420之上,其中光阻層的材質(zhì)可為液態(tài)光阻或干膜光阻。然后進(jìn)行蝕刻步驟,蝕刻去除未受光阻層保護(hù)的第一金屬層420和第二透明導(dǎo)電層410,以及去除該圖案化光阻層413,形成具有第一金屬層420于其上的復(fù)數(shù)個(gè)第一感測(cè)串行411、復(fù)數(shù)個(gè)第二感測(cè)墊4121和復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)4115。其中復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行411分別具有復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊 4111和復(fù)數(shù)第一橋接線4112,復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊4111以陣列方式排列,復(fù)數(shù)第一橋接線4112 于第一方向Dl電性連接復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊4111。復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊4121以陣列方式排列,復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊4121與復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊4111彼此相互交錯(cuò)。復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)4115位于復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)401之外,例如復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)4115可位于復(fù)數(shù)線路區(qū)403之中,或者位于復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)401和復(fù)數(shù)線路區(qū)403之外。接下來(lái)如圖如所示,覆蓋至少一層透明保護(hù)層421于復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)4115上,用以保護(hù)金屬材質(zhì)的復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)4115,避免因?yàn)楹罄m(xù)鍍膜制程覆蓋住復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)4115而影響CCD對(duì)位。接著移除位于復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行411和復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊4121上的第一金屬層420。如圖如和圖4f所示,再形成絕緣層于第一金屬層420之上,絕緣層的材質(zhì)可為二氧化硅(SiO2)、有機(jī)絕緣材質(zhì)、無(wú)機(jī)絕緣材質(zhì)或光阻,光阻例如可為液態(tài)光阻或干膜光阻。接著以CCD對(duì)位復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)4115進(jìn)行第二道黃光制程,若是所形成的絕緣層透光度太低造成C⑶無(wú)法對(duì)位,則移除其中一層透明保護(hù)層421以使對(duì)位記號(hào)4115上的第一金屬層420露出供CXD對(duì)位。圖案化絕緣層形成復(fù)數(shù)個(gè)絕緣墊431,復(fù)數(shù)絕緣墊431形成于復(fù)數(shù)第一橋接線4112之上,每一絕緣墊431沿第二方向D2跨過(guò)每一第一橋接線4112。絕緣層若為光阻,制程為將絕緣層曝光顯影,形成復(fù)數(shù)絕緣墊431。若絕緣層為二氧化硅(SiO2)、有機(jī)絕緣材質(zhì)或無(wú)機(jī)絕緣材質(zhì),制程為于絕緣層上形成光阻,再曝光顯影以及蝕刻。而使絕緣層圖案化而形成復(fù)數(shù)絕緣墊431。接著如圖4g,形成至少一第二金屬層于絕緣層之上,然后同時(shí)移除位于復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)4115上的其中一層透明保護(hù)層421以及位于透明保護(hù)層421上的第二金屬層,裸露出復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)4115。接著以C⑶對(duì)位復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)4115以進(jìn)行第三道黃光制程,圖案化第二金屬層形成復(fù)數(shù)第二橋接線4122和端子線路4123,復(fù)數(shù)第二橋接線4115分別位于絕緣墊431之上,藉由絕緣墊431與第一橋接線4112之間電性絕緣。復(fù)數(shù)第二橋接線4122與于第二方向D2相鄰的復(fù)數(shù)第二感測(cè)墊4121電性連接,形成復(fù)數(shù)第二感測(cè)串行412,端子線路4123形成于復(fù)數(shù)線路區(qū)403以供連接軟性電路板(無(wú)圖標(biāo)),端子線路4123分別連接復(fù)數(shù)第一感測(cè)串行411與復(fù)數(shù)第二感測(cè)串行412,形成感測(cè)結(jié)構(gòu)40。其中第三道黃光制程包括形成圖案化光阻層于第二金屬層之上,然后進(jìn)行蝕刻步驟,以及去除該圖案化光阻層。 其中光阻層的材質(zhì)可為液態(tài)光阻或干膜光阻。第二橋接線4122的結(jié)構(gòu)可為至少一層導(dǎo)電金屬層,或者多層導(dǎo)電金屬層。其中導(dǎo)電金屬層的材質(zhì)可為銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、 鉬等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖?。多層?dǎo)電金屬層的結(jié)構(gòu),例如可為鉬層/鋁層/鉬層的堆棧結(jié)構(gòu),或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖鸬囊环N或多種材質(zhì)而堆棧的多層導(dǎo)電金屬層結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電金屬層多為使用物理氣相沉積(PVD)或是化學(xué)氣相沉積(CVD),沉積速率快且制程穩(wěn)定。上述制程中更可以形成抗反射層于第二金屬層之上,進(jìn)行第三道黃光制程,圖案化抗反射層和第二金屬層,形成具有抗反射層于其上的第二橋接線4122??狗瓷鋵拥牟馁|(zhì)可為深色導(dǎo)電金屬,例如ITO、TiN、TiAlCN、TiAlN、NbO、NbN、 Nb20x、TiC、SiC 或 WC。亦可為深色絕緣材質(zhì),例如可為 Cu0、Co0、W03、Mo03、Cr0、Cr0N、Nb205。 抗反射層可有效降低金屬材質(zhì)所造成的光反射。接著如圖4h和圖4j所示,形成黏著層于復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)40之上,然后裁切覆蓋有該黏著層于復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)40之上的可饒式透明基材,形成復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材470。然后將每一片狀感測(cè)基470上的每一感測(cè)結(jié)構(gòu)40沖切下來(lái)形成觸控基材490,再以黏著層450黏貼于硬質(zhì)透明基板460。其中觸控基材490與硬質(zhì)透明基板460形狀相似。由于觸控基材 490為軟性材質(zhì),所以很容易依照觸控面板設(shè)計(jì)之外型來(lái)沖切。并且免除黃光制程制作小片成型玻璃制程的難度,本發(fā)明僅需將沖切下來(lái)的觸控基材490貼至成型玻璃即可制作出觸控面板。本發(fā)明的一實(shí)施例所提供觸控面板的制造方法。更包括形成黏著層于可饒式透明基材之下,然后裁切可饒式透明基材,形成復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材。如圖4k所示,將每一片狀感測(cè)基材470上的每一感測(cè)結(jié)構(gòu)40沖切下來(lái)形成觸控基材490,再以黏著層450黏貼于硬質(zhì)透明基板460。其中觸控基材490的形狀與硬質(zhì)透明基板460形狀相似。由于觸控基材490 為軟性材質(zhì),所以很容易依照觸控面板設(shè)計(jì)之外型來(lái)沖切。并且免除黃光制程制作小片成型玻璃制程的難度,本發(fā)明僅需將沖切下來(lái)的觸控基材490貼至成型玻璃即可制作出觸控面板。本發(fā)明的一實(shí)施例所提供觸控面板的制造方法。形成復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)于饒式透明基材之后,再形成透明絕緣保護(hù)層覆蓋復(fù)數(shù)感測(cè)結(jié)構(gòu)之上,以及不具有感測(cè)結(jié)構(gòu)的可饒式透明基板之上,僅于端子線路與軟性電路板電性連接的區(qū)域(無(wú)圖標(biāo))無(wú)透明絕緣保護(hù)層覆蓋。透明絕緣保護(hù)層的材質(zhì)可為二氧化硅(SiO2)、有機(jī)絕緣材質(zhì)、無(wú)機(jī)絕緣材質(zhì)或光阻,光阻例如可為液態(tài)光阻或干膜光阻,對(duì)于防止感測(cè)結(jié)構(gòu)的水氣入侵或氧化的保護(hù)相當(dāng)優(yōu)異。
權(quán)利要求
1.一種觸控面板的制造方法,其特征在于,包括提供一可饒式透明基材,具有復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)和復(fù)數(shù)線路區(qū),其中每一線路區(qū)位于每一感測(cè)區(qū)的側(cè)邊;形成一透明導(dǎo)電層于該可饒式透明基材之上; 形成一第一金屬層于該透明導(dǎo)電層之上;圖案化該第一金屬層和該透明導(dǎo)電層,形成具有該第一金屬層于其上的復(fù)數(shù)個(gè)第一感測(cè)串行、復(fù)數(shù)個(gè)第二感測(cè)墊和復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào),其中該些第一感測(cè)串行分別具有復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊和復(fù)數(shù)第一橋接線,該些第一感測(cè)墊以陣列方式排列,該些第一橋接線于一第一方向電性連接該些第一感測(cè)墊,該些第二感測(cè)墊以陣列方式排列,該些第二感測(cè)墊與該些第一感測(cè)墊相互交錯(cuò),該些對(duì)位記號(hào)位于該些感測(cè)區(qū)之外;覆蓋至少一層透明保護(hù)層于位于該些對(duì)位記號(hào)的該第一金屬層之上; 移除該第一金屬層,留下該些對(duì)位記號(hào)上的該第一金屬層; 形成一絕緣層于該透明導(dǎo)電層之上;圖案化該絕緣層,形成復(fù)數(shù)個(gè)絕緣墊,該些絕緣墊分別位于該些第一橋接線之上; 形成至少一第二金屬層于該絕緣層之上;移除至少一層該透明保護(hù)層,暴露出位于該些對(duì)位記號(hào)上的該第一金屬層;以及圖案化該第二金屬層,形成復(fù)數(shù)第二橋接線和一端子線路,其中該些第二橋接線分別位于該些絕緣墊之上,該些第二橋接線與于一第二方向相鄰的該些第二感測(cè)墊電性連接形成復(fù)數(shù)第二感測(cè)串行,該端子線路形成于該些線路區(qū)以供連接一軟性電路板,該端子線路分別連接該些第一感測(cè)串行與該些第二感測(cè)墊,形成一感測(cè)結(jié)構(gòu)。
2.一種觸控面板的制造方法,其特征在于,包括提供一可饒式透明基材,具有復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)和復(fù)數(shù)線路區(qū),其中每一線路區(qū)位于每一感測(cè)區(qū)的側(cè)邊;形成一第一透明導(dǎo)電層于該可饒式透明基材之上; 形成一透明絕緣層于該第一透明導(dǎo)電層之上; 形成一第二透明導(dǎo)電層于該透明絕緣層之上; 形成一第一金屬層于該第二透明導(dǎo)電層之上;圖案化該第一金屬層和該第二透明導(dǎo)電層,形成具有該第一金屬層于其上的復(fù)數(shù)個(gè)第一感測(cè)串行、復(fù)數(shù)個(gè)第二感測(cè)墊和復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào),其中該些第一感測(cè)串行分別具有復(fù)數(shù)第一感測(cè)墊和復(fù)數(shù)第一橋接線,該些第一感測(cè)墊以陣列方式排列,該些第一橋接線于一第一方向電性連接該些第一感測(cè)墊,該些第二感測(cè)墊以陣列方式排列,該些第二感測(cè)墊與該些第一感測(cè)墊相互交錯(cuò),該些對(duì)位記號(hào)位于該些感測(cè)區(qū)之外;覆蓋至少一層透明保護(hù)層于位于該些對(duì)位記號(hào)的該第一金屬層之上; 移除該第一金屬層,留下該些對(duì)位記號(hào)上的該第一金屬層; 形成一絕緣層于該透明導(dǎo)電層之上;圖案化該絕緣層,形成復(fù)數(shù)個(gè)絕緣墊,該些絕緣墊分別位于該些第一橋接線之上; 形成至少一第二金屬層于該絕緣層之上;移除至少一層該透明保護(hù)層,暴露出位于該些對(duì)位記號(hào)上的該第一金屬層;以及圖案化該第二金屬層,形成復(fù)數(shù)第二橋接線和一端子線路,其中該些第二橋接線分別位于該些絕緣墊之上,該些第二橋接線與于一第二方向相鄰的該些第二感測(cè)墊電性連接形成復(fù)數(shù)第二感測(cè)串行,該端子線路形成于該些線路區(qū)以供連接一軟性電路板,該端子線路分別連接該些第一感測(cè)串行與該些第二感測(cè)墊,形成一感測(cè)結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的觸控面板的制造方法,其特征在于,該絕緣層的材質(zhì)可為二氧化硅、有機(jī)絕緣材質(zhì)、無(wú)機(jī)絕緣材質(zhì)或光阻。
4.如權(quán)利要求1或2所述的觸控面板的制造方法,其特征在于,該第二金屬層可為至少一層導(dǎo)電金屬。
5.如權(quán)利要求4所述的觸控面板的制造方法,其特征在于,形成該第二金屬層于該絕緣層上之后,更包括形成一抗反射層于該第二金屬層之上;以及圖案化該抗反射層和該第二金屬層,形成具有該抗反射層于其上的復(fù)數(shù)第二橋接線。
6.如權(quán)利要求1或2所述的觸控面板的制造方法,其特征在于,更包括于圖案化該第二金屬層之后形成一黏著層于該感測(cè)結(jié)構(gòu)之上,然后裁切具有該黏著層于該感測(cè)結(jié)構(gòu)之上的該可饒式透明基材,形成復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材。
7.如權(quán)利要求6所述的觸控面板的制造方法,其特征在于,更包括以該黏著層黏著每一片狀感測(cè)基材于一硬質(zhì)透明基板。
8.如權(quán)利要求1或2所述的觸控面板的制造方法,其特征在于,更包括形成一黏著層于該可饒式透明基材之下;然后裁切具有該黏著層以及該感測(cè)結(jié)構(gòu)的該可饒式透明基材,形成復(fù)數(shù)片狀感測(cè)基材;以及以該黏著層黏著每一片狀感測(cè)基材于一硬質(zhì)透明基板。
9.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制造方法,其特征在于,更包括形成一抗干擾層于該可饒式透明基材之下。
10.如權(quán)利要求1或2所述的觸控面板的制造方法,其特征在于,更包括形成一透明絕緣保護(hù)層于該感測(cè)結(jié)構(gòu)之上。
全文摘要
本發(fā)明為一種觸控面板的制造方法,包括提供可饒式透明基材,具有復(fù)數(shù)感測(cè)區(qū)和復(fù)數(shù)線路區(qū),其中每一線路區(qū)位于每一感測(cè)區(qū)的側(cè)邊;形成透明導(dǎo)電層于可饒式透明基材之上;形成第一金屬層于透明導(dǎo)電層之上;圖案化第一金屬層和透明導(dǎo)電層;覆蓋至少一層透明保護(hù)層于復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)上;移除第一金屬層;形成絕緣層于透明導(dǎo)電層之上;圖案化絕緣層,形成復(fù)數(shù)個(gè)絕緣墊,復(fù)數(shù)絕緣墊分別位于復(fù)數(shù)第一橋接線之上;形成至少一第二金屬層于絕緣層之上;移除至少一層透明保護(hù)層,供復(fù)數(shù)對(duì)位記號(hào)對(duì)位;以及圖案化第二金屬層。本發(fā)明一種觸控面板的制造方法,可以提升電容式觸控面板制程良率,以及減少投射電容式觸控面板的制造程序和減少貼合步驟。
文檔編號(hào)G06F3/044GK102446018SQ20111012525
公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者陳維釧 申請(qǐng)人:陳維釧
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