專利名稱：一種rfid芯片以及其內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及RFID芯片的封裝，尤其涉及一種RFID芯片以及其內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法。
背景技術(shù)：
RFID芯片設(shè)計日益朝著低成本，遠的讀寫距離的方向發(fā)展，特別是125KHZ、134KHz的低頻RFID芯片尤為明顯。低頻RFID芯片決定讀寫距離非常關(guān)鍵的一個技術(shù)參數(shù)指標是芯片內(nèi)部的諧振電容的精確度。諧振電容的精確度決定了 RFID電子標簽的最佳工作頻率，最佳工作頻率決定了最佳讀寫的距離。目前市面上的低頻RFID電子標簽內(nèi)部只有一個固定的電容值，如果要修改這個電容值，要通過修改芯片制造的MASK (光照版)來實現(xiàn)。但這種方法也只能從一個固定值改到另外一個固定值，例如從300pF改成320pF，不可 能單獨針對每個電子標簽的諧振電容進行修調(diào)。而目前的芯片加工廠在加工芯片內(nèi)部諧振電容的時候，電容的值都存在一定的波動，無法將電容值做的非常準確，而低頻RFID標簽的天線的電感值也存在一定的波動，這就造成了大批量的電子標簽封裝出來的諧振頻率偏差比較大，一致性很差，不同的電子標簽讀寫距離差別比較大。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種RFID芯片和相應的內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法，從而可以針對每一個RFID芯片編程使其擁有精確的諧振電容值，進而使得該RFID芯片具有最佳的諧振頻率，達到最佳的讀寫距離。本發(fā)明的目的就是為了解決上述技術(shù)問題，提供了一種RFID芯片，包括一個中心電容和EEPROM存儲器一個或一個以上的可編程電容，所述可編程電容分別與一對應的電路控制開關(guān)相連接，所述電路控制開關(guān)與所述EEPROM存儲器電連接，上述電路控制開關(guān)的打開和關(guān)閉由所述EEPROM存儲器中輸出的信息控制。較佳地，所述電路控制開關(guān)包括順次連接的一個PMOS晶體管和一個NMOS晶體管。較佳地，所述EEPROM存儲器中輸出的信息是存放在EEPROM存儲器中的特定地址的一位以上的數(shù)值，所述數(shù)值與所要控制的上述電路控制開關(guān)一一對應。較佳地，所述數(shù)值為“I”時，其所對應的電路控制開關(guān)閉合，這些數(shù)值為“0”時，其所對應的電路控制開關(guān)打開。本發(fā)明還提供了一種RFID芯片內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法，其包括-提供一種RFID芯片，其包括一個中心電容、EEPROM存儲器和一個或一個以上的可編程電容，所述可編程電容分別與一對應的電路控制開關(guān)相連接，所述電路控制開關(guān)與所述EEPROM存儲器電連接，上述電路控制開關(guān)的打開和關(guān)閉由所述EEPROM存儲器中輸出的信息控制；-通過諧振頻率測試設(shè)備來測試所述RFID芯片的諧振頻率fr；
-根據(jù)諧振頻率的計算公式諧振頻率對RFID芯片的內(nèi)部諧振電容值的值進行調(diào)整直至RFID芯片的諧振頻率fr達到最佳諧振頻率值，從而得到此時所對應的最佳內(nèi)部諧振電容值；-根據(jù)所述最佳內(nèi)部諧振電容值設(shè)置EEPROM中的輸出信息內(nèi)容。較佳地，所述電路控制開關(guān)包括順次連接的一個PMOS晶體管和一個NMOS晶體管。較佳地，所述EEPROM存儲器中輸出的信息是存放在EEPROM存儲器中的特定地址的一位以上的數(shù)值，所述數(shù)值與所要控制的上述電路控制開關(guān)一一對應。較佳地，所述數(shù)值為“I”時，其所對應的電路控制開關(guān)閉合，這些數(shù)值為“0”時，其所對應的電路控制開關(guān)打開。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明的尿布套的優(yōu)點及有益效果在于通過一種RFID芯片和相應的內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法，從而可以針對每一個RFID芯片進行設(shè)置使其擁有精確的諧振電容值，進而使得該RFID芯片具有最佳的諧振頻率，達到最佳的讀寫距離。


附圖示出了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起，用來解釋本發(fā)明的原理。通過以下結(jié)合附圖所作的詳細描述，可以更清楚地理解本發(fā)明的目的、優(yōu)點及特征，其中圖I為本發(fā)明實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式實施例I如圖I所示，本發(fā)明所述的RFID芯片的內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法首先在RFID芯片內(nèi)部設(shè)置有一個中心電容，舉例來說，其值可以為320pF。在RFID芯片內(nèi)還設(shè)置有多個可編程電容，舉例來說，其值可以為16p、8p、4p、2p、lp等，上述可設(shè)置電容均分別與順次連接的一個PMOS晶體管和一個NMOS晶體管構(gòu)成的電路控制開關(guān)相連接，上述電路控制開關(guān)打開時，則其所對應的可設(shè)置電容的電容值被計算至RFID芯片的總電容值內(nèi)；否則，當上述電路開關(guān)關(guān)閉時，則其所對應的可設(shè)置電容的電容值不被計算至RFID芯片的總電容值內(nèi)。RFID芯片的總電容值為中心電容的電容值加上打開的開關(guān)電路所對應的電容值總合。上述電路控制開關(guān)的開和關(guān)的值存在RFID芯片內(nèi)部的EEPROM存儲器中的特定地址的字節(jié)(byte)中，一個byte有8位(bit)數(shù)值,這些位(bit)數(shù)值與所要控制的上述電路控制開關(guān)——對應。例如圖I電路圖所示Coil
、Coil[l]、Coil[2]、Coil[3]、Coil[4]這些數(shù)值是存放在EEPROM存儲器中的特定地址的字節(jié)(byte)中，這些數(shù)值為“I”時，其所對應的電路控制開關(guān)閉合，這些數(shù)值為“0”時，其所對應的電路控制開關(guān)打開。在RFID標簽進行最后封裝的時候，使用者通過外圍的自動測試諧振頻率的設(shè)備
來測試芯片的諧振頻率。根據(jù)諧振頻率的計算公式諧振頻率/. = . 可以知，由于各
個標簽的天線電感值(L)的波動而造成的實際諧振頻率與最佳諧振頻率的偏離可以通過對RFID芯片的內(nèi)部諧振電容值的調(diào)整來進行彌補。具體做法是如果諧振頻率過高，則通過增加RFID芯片的總電容值來降低諧振頻率；如果諧振頻率過低，則通過減少RFID芯片的總電容值來增加諧振頻率。通過設(shè)置EEPROM特定地址的字節(jié)(byte)中的數(shù)字來實現(xiàn)不同檔位的諧振電容的修調(diào)來達到精確的諧振頻率。之后讀卡機自動化程序?qū)⒏鶕?jù)計算出的在最佳諧振頻率下的RFID芯片的內(nèi)部諧振電容值對EEPROM中特定地址的字節(jié)(byte)中的數(shù)值進行編程，使得RFID芯片的達到最佳諧振頻率。以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明。在上述實施例中，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改 進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種RFID芯片，包括 一個中心電容和EEPROM存儲器 其特征在于，還包括 一個或一個以上的可編程電容，所述可編程電容分別與一對應的電路控制開關(guān)相連接，所述電路控制開關(guān)與所述EEPROM存儲器電連接，上述電路控制開關(guān)的打開和關(guān)閉由所述EEPROM存儲器中輸出的信息控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RFID芯片，其特征在于，所述電路控制開關(guān)包括順次連接的一個PMOS晶體管和一個NMOS晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RFID芯片，其特征在于，所述EEPROM存儲器中輸出的信息是存放在EEPROM存儲器中的特定地址的一位以上的數(shù)值，所述數(shù)值與所要控制的上述電路控制開關(guān)對應。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的RFID芯片，其特征在于，所述數(shù)值為“I”時，其所對應的電路控制開關(guān)閉合，這些數(shù)值為“0”時，其所對應的電路控制開關(guān)打開。
5.—種RFID芯片內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法，其包括 -提供一種RFID芯片，其包括一個中心電容、EEPROM存儲器和一個或一個以上的可編程電容，所述可編程電容分別與一對應的電路控制開關(guān)相連接，所述電路控制開關(guān)與所述EEPROM存儲器電連接，上述電路控制開關(guān)的打開和關(guān)閉由所述EEPROM存儲器中輸出的信息控制； -通過諧振頻率測試設(shè)備來測試所述RFID芯片的諧振頻率fr ； -根據(jù)諧振頻率的計算公式諧振頻率X對RFID芯片的內(nèi)部諧振電容值的 2 JT^1LC值進行調(diào)整直至RFID芯片的諧振頻率fr達到最佳諧振頻率值，從而得到此時所對應的最佳內(nèi)部諧振電容值； -根據(jù)所述最佳內(nèi)部諧振電容值設(shè)置EEPROM中的輸出信息內(nèi)容。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述RFID芯片內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法，其特征在于，所述電路控制開關(guān)包括順次連接的一個PMOS晶體管和一個NMOS晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述RFID芯片內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法，其特征在于，所述EEPROM存儲器中輸出的信息是存放在EEPROM存儲器中的特定地址的一位以上的數(shù)值，所述數(shù)值與所要控制的上述電路控制開關(guān)一一對應。
8.根據(jù)權(quán)利要7所述RFID芯片內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法，其特征在于，所述數(shù)值為“I”時，其所對應的電路控制開關(guān)閉合，這些數(shù)值為“0”時，其所對應的電路控制開關(guān)打開。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種RFID芯片和相應的內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法。所述RFID芯片包括一個中心電容、EEPROM存儲器、一個或一個以上的可編程電容，所述可編程電容分別與一對應的電路控制開關(guān)相連接，所述電路控制開關(guān)與所述EEPROM存儲器電連接，上述電路控制開關(guān)的打開和關(guān)閉由所述EEPROM存儲器中輸出的信息控制。本發(fā)明所述的RFID芯片和相應的內(nèi)部諧振電容設(shè)置方法可以針對每一個RFID芯片編程使其擁有精確的諧振電容值，進而使得該RFID芯片具有最佳的諧振頻率，達到最佳的讀寫距離。
文檔編號G06K1/12GK102682327SQ20111005925
公開日2012年9月19日 申請日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者徐俊花, 曹玉升 申請人:上海飛聚微電子有限公司