專利名稱：靜電電容型輸入裝置和帶輸入裝置的光電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及根據(jù)與輸入位置檢測用電極結(jié)合的靜電電容的變化來檢測輸入位置 的靜電電容型輸入裝置和具備該靜電電容型輸入裝置的帶輸入裝置的光電裝置。
背景技術(shù)：
手機(jī)、汽車導(dǎo)航儀、個(gè)人電腦、售票機(jī)、銀行的終端等電子設(shè)備有的在液晶裝置等 的表面配置被叫做觸摸屏的輸入裝置，一邊參照在液晶裝置的圖像顯示區(qū)域所顯示的圖 像，一邊進(jìn)行信息輸入。在這種輸入裝置中，靜電電容型輸入裝置對(duì)于多個(gè)輸入位置檢測用 電極的每一個(gè)，監(jiān)視所結(jié)合的靜電電容。因此，當(dāng)手指接近多個(gè)輸入位置檢測用電極中的任 一個(gè)時(shí)，手指接近的輸入位置檢測用電極就有在與手指之間產(chǎn)生的靜電電容部分的靜電電 容增大，因此，能夠特定手指所接近的電極。在這種靜電電容型輸入裝置中，由于要檢測與輸入位置檢測用電極結(jié)合的電容變 化，所以容易受到電磁波干擾的影響。于是有提案對(duì)于靜電電容型輸入裝置，在與輸入操 作側(cè)的相反側(cè)設(shè)置透明的電屏蔽用基板和形成有電屏蔽用導(dǎo)電膜的基板。(參照專利文獻(xiàn) 1)。專利文獻(xiàn)1 日本特表2003-511799號(hào)公報(bào)但專利文獻(xiàn)1記載的屏蔽結(jié)構(gòu)盡管對(duì)于靜電電容型輸入裝置而遮斷了從輸入操 作側(cè)侵入的電磁波干擾，但由于追加了基板，所以增加零件個(gè)數(shù)而使成本增大，而且有靜電 電容型輸入裝置的厚度尺寸增大的問題點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上的問題點(diǎn)，本發(fā)明的課題在于提供一種靜電電容型輸入裝置和具備該靜 電電容型輸入裝置的帶輸入裝置的光電裝置，即使不追加電磁屏蔽用基板，也難于受到要 從輸入操作側(cè)的相反側(cè)侵入的電磁波干擾的影響。為了解決上述課題，本發(fā)明的靜電電容型輸入裝置在基板的輸入?yún)^(qū)域內(nèi)設(shè)置有多 個(gè)輸入位置檢測用電極，其中，具有對(duì)所述基板而從該基板側(cè)開始順次層合的下層側(cè)導(dǎo)電 膜、層間絕緣膜和上層側(cè)導(dǎo)電膜，由在所述下層側(cè)導(dǎo)電膜和所述上層側(cè)導(dǎo)電膜中的位于輸 入操作側(cè)的第一導(dǎo)電膜而形成有作為所述輸入位置檢測用電極在所述基板的面內(nèi)方向朝 向第一方向延伸的第一輸入位置檢測用電極，和在所述基板的面內(nèi)方向而向與所述第一方 向交叉的第二方向延伸且在與所述第一輸入位置檢測用電極的交叉部分具備中斷部分的 第二輸入位置檢測用電極，由在所述下層側(cè)導(dǎo)電膜和所述上層側(cè)導(dǎo)電膜中的位于輸入操作 側(cè)的相反側(cè)的第二導(dǎo)電膜而形成有在所述交叉部分經(jīng)由所述層間絕緣膜而與所述第一輸 入位置檢測用電極重疊來把所述第二輸入位置檢測用電極的中斷部分電連接的中繼電極、 從該中繼電極分離而經(jīng)由所述層間絕緣膜平面地與所述第一輸入位置檢測用電極和所述 第二輸入位置檢測用電極重疊的輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極。本發(fā)明有在向基板層合的下層側(cè)導(dǎo)電膜和上層側(cè)導(dǎo)電膜中的位于輸入操作側(cè)的4第一導(dǎo)電膜而形成有輸入位置檢測用電極(第一輸入位置檢測用電極和第二輸入位置檢 測用電極)，由位于輸入操作側(cè)的相反側(cè)的第二導(dǎo)電膜而形成有與輸入位置檢測用電極 (第一輸入位置檢測用電極和第二輸入位置檢測用電極)平面地重疊的輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電 極。因此，難于受到要從輸入操作側(cè)的相反側(cè)向輸入?yún)^(qū)域侵入的電磁波干擾的影響。輸入 區(qū)域內(nèi)屏蔽電極與把在與第一輸入位置檢測用電極的交叉部分中斷的第二輸入位置檢測 用電極電連接的中繼電極同樣地是由第二導(dǎo)電膜形成。因此，即使不追加電磁屏蔽用基板， 也難于受到要從輸入操作側(cè)的相反側(cè)向輸入?yún)^(qū)域侵入的電磁波干擾的影響。本發(fā)明中，優(yōu)選在所述基板中所述輸入?yún)^(qū)域的外側(cè)區(qū)域由所述第一導(dǎo)電膜和所述 第二導(dǎo)電膜中的一個(gè)導(dǎo)電膜而形成有與所述輸入位置檢測用電極電連接的配線，由所述第 一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜中的另一個(gè)導(dǎo)電膜而形成有經(jīng)由所述層間絕緣膜而與所述配 線平面地重疊的外周側(cè)屏蔽電極。這種結(jié)構(gòu)能夠使配線難于受到要侵入的電磁波干擾的影 響。本發(fā)明中，能夠采用所述配線由所述第一導(dǎo)電膜形成、所述外周側(cè)屏蔽電極由所 述第二導(dǎo)電膜形成的結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠難于受到要從輸入操作側(cè)的相反側(cè)向配線侵 入的電磁波干擾的影響。這時(shí)，優(yōu)選所述外周側(cè)屏蔽電極由所述第二導(dǎo)電膜形成而與所述輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽 電極成為一體。這種結(jié)構(gòu)能夠在達(dá)輸入?yún)^(qū)域和外周側(cè)區(qū)域的整個(gè)區(qū)域設(shè)置連續(xù)的屏蔽電 極。因此，能夠難于受到要從輸入操作側(cè)的相反側(cè)向輸入?yún)^(qū)域和配線侵入的電磁波干擾的影響。本發(fā)明中，也可以采用所述配線由所述第二導(dǎo)電膜形成，所述外周側(cè)屏蔽電極由 所述第一導(dǎo)電膜形成的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)能夠使配線難于受到要從輸入操作側(cè)侵入的電磁波 干擾的影響。本發(fā)明中，優(yōu)選在所述基板中所述配線的外周側(cè)由所述第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜 中形成有所述配線側(cè)的導(dǎo)電膜來形成屏蔽用輔助電極，所述屏蔽用輔助電極和所述屏蔽電 極在所述配線的外周側(cè)設(shè)置的所述層間絕緣膜的非形成區(qū)域重疊并電連接。這種結(jié)構(gòu)能夠 使配線難于受到要從配線的外周側(cè)侵入的電磁波干擾的影響。本發(fā)明中，所述下層側(cè)導(dǎo)電膜、所述層間絕緣膜和所述上層側(cè)導(dǎo)電膜在所述基板 而有時(shí)被形成在位于輸入操作側(cè)的基板面的情況，這時(shí)，所述上層側(cè)導(dǎo)電膜是所述第一導(dǎo) 電膜，所述下層側(cè)導(dǎo)電膜是第二導(dǎo)電膜。本發(fā)明中，所述下層側(cè)導(dǎo)電膜、所述層間絕緣膜和所述上層側(cè)導(dǎo)電膜在所述基板 而也可以采用被形成在位于輸入操作側(cè)的相反側(cè)的基板面的結(jié)構(gòu)，這時(shí)，所述下層側(cè)導(dǎo)電 膜是所述第一導(dǎo)電膜，所述上層側(cè)導(dǎo)電膜是第二導(dǎo)電膜。適用本發(fā)明的靜電電容型輸入裝置例如在構(gòu)成帶輸入裝置的光電裝置時(shí)使用，該 帶輸入裝置的光電裝置對(duì)所述基板而在輸入操作側(cè)的相反側(cè)構(gòu)成有生成圖像用的光電屏。適用本發(fā)明的帶輸入裝置的光電裝置被使用在手機(jī)、汽車導(dǎo)航儀、個(gè)人電腦、售票 機(jī)、銀行的終端等電子設(shè)備。


圖1(A)-圖I(C)是適用本發(fā)明的靜電電容型輸入裝置的說明圖2(A)-圖2(B)是模式表示適用本發(fā)明的帶輸入裝置的光電裝置剖面結(jié)構(gòu)的說 明圖；圖3(A)-圖3(D)是模式表示本發(fā)明實(shí)施例1靜電電容型輸入裝置平面結(jié)構(gòu)的說 明圖；圖4是把在本發(fā)明實(shí)施例1靜電電容型輸入裝置的基板形成的各電極等的平面結(jié) 構(gòu)放大表示的說明圖；圖5(A)-圖5(C)是表示本發(fā)明實(shí)施例1靜電電容型輸入裝置的基板剖面結(jié)構(gòu)的 說明圖；圖6(A)-圖6(D)是模式表示本發(fā)明實(shí)施例2靜電電容型輸入裝置平面結(jié)構(gòu)的說 明圖；圖7是把在本發(fā)明實(shí)施例2靜電電容型輸入裝置的基板形成的各電極等的平面結(jié) 構(gòu)放大表示的說明圖；圖8(A)-圖8(C)是表示本發(fā)明實(shí)施例2靜電電容型輸入裝置的基板剖面結(jié)構(gòu)的 說明圖；圖9(A)-圖9(C)是表示本發(fā)明實(shí)施例3靜電電容型輸入裝置的基板剖面結(jié)構(gòu)的 說明圖；圖10(A)-圖10(C)是表示本發(fā)明實(shí)施例4靜電電容型輸入裝置的基板剖面結(jié)構(gòu) 的說明圖；圖11(A)-圖Il(C)是具備適用本發(fā)明的靜電電容型輸入裝置的電子設(shè)備的說明 圖。符號(hào)說明1靜電電容型輸入裝置 2輸入屏 加基板的輸入?yún)^(qū)域2b基板的外側(cè)區(qū)域 如下層側(cè)導(dǎo)電膜 4b上層側(cè)導(dǎo)電膜20基板 21輸入位置檢測用電極 25輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極27配線 觀外周側(cè)屏蔽電極 四屏蔽用輔助電極100帶輸入裝置的光電裝置 211第一輸入位置檢測用電極211c連結(jié)部分 212第二輸入位置檢測用電極214層間絕緣膜 215中繼電極 218交叉部分218a中斷部分
具體實(shí)施例方式參照

本發(fā)明的實(shí)施例。在以下說明所參照的圖中，為了使各層和各部件 成為在附圖上能夠識(shí)別程度的大小，對(duì)于每各層和各部件而使縮尺不同。以下，在說明各實(shí) 施例共通的基本結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行各實(shí)施例的詳細(xì)說明。[基本結(jié)構(gòu)](帶輸入裝置的光電裝置的整體結(jié)構(gòu))圖1是適用本發(fā)明的靜電電容型輸入裝置的說明圖，圖1(A)、圖1(B)、圖I(C)分 別是模式表示具備本例靜電電容型輸入裝置的帶輸入裝置的光電裝置整體結(jié)構(gòu)的說明圖、 模式表示靜電電容型輸入裝置電結(jié)構(gòu)的說明圖、向靜電電容型輸入裝置供給的電位的說明圖。圖2是模式表示適用本發(fā)明的帶輸入裝置的光電裝置剖面結(jié)構(gòu)的說明圖，圖2(A)、圖 2(B)分別是在基板的位于輸入操作側(cè)的第一面?zhèn)仍O(shè)置輸入位置檢測用電極結(jié)構(gòu)例的說明 圖、在基板的輸入操作側(cè)的相反側(cè)的第二面?zhèn)仍O(shè)置輸入位置檢測用電極結(jié)構(gòu)例的說明圖。圖I(A)中，本例的帶輸入裝置的光電裝置100大體具有由液晶裝置等構(gòu)成的圖 像生成裝置5和在該圖像生成裝置5中與射出顯示光側(cè)的面重疊配置的靜電電容型輸入 裝置1。靜電電容型輸入裝置1具備輸入屏2(觸摸屏)，圖像生成裝置5具備作為光電屏 5a(顯示屏)的液晶屏。本例中，輸入屏2和光電屏如都具備有矩形的平面形狀，在俯視 看靜電電容型輸入裝置1和帶輸入裝置的光電裝置100時(shí)的中央?yún)^(qū)域是輸入?yún)^(qū)域加。在 圖像生成裝置5和帶輸入裝置的光電裝置100中，俯視看與輸入?yún)^(qū)域加重疊的區(qū)域是圖像 生成區(qū)域。輸入屏2中在端部2e位于的側(cè)連接有柔性配線基板35，光電屏fe中在端部2e 位于的側(cè)連接有柔性配線基板73。如圖1⑶所示，靜電電容型輸入裝置1經(jīng)由柔性配線基板35而電連接有用于檢 測在輸入屏2的輸入操作的控制用IC10，從IClO向輸入屏2供給參照?qǐng)DI(C)后述的電位。在圖1 (A)和圖2 (A)、圖2 (B)中，圖像生成裝置5是透射型和半透射反射型的有源 矩陣型液晶顯示裝置，在光電屏fe配置有輸入屏2側(cè)的相反側(cè)(射出顯示光側(cè)的相反側(cè)) 配置有背光源裝置(未圖示)。背光源裝置例如具備在配置于光電屏5a的靜電電容型輸 入裝置1側(cè)的相反側(cè)重疊配置有透光性導(dǎo)光板和向?qū)Ч獍宓膫?cè)端部射出白色光等的發(fā)光 二極管等光源，從光源射出的光而從導(dǎo)光板的側(cè)端部射入后，一邊在導(dǎo)光板內(nèi)傳播一邊向 光電屏fe射出。在導(dǎo)光板與光電屏fe之間有時(shí)也配置有光散射片和棱鏡片等片狀光學(xué)部 件。在圖像生成裝置5中，對(duì)光電屏如而在顯示光的射出側(cè)重疊配置有第一偏振片 81，在其相反側(cè)重疊配置有第二偏振片82。因此，把靜電電容型輸入裝置1利用丙烯酸樹脂 類等透光性粘接劑99粘接在第一偏振片81。光電屏fe具備配置在顯示光射出側(cè)的相反 側(cè)的透光性元件基板50和對(duì)于該元件基板50而在顯示光射出側(cè)相對(duì)配置的透光性相對(duì)基 板60。相對(duì)基板60和元件基板50利用矩形框狀的密封材料71而被相互貼合，在相對(duì)基板 60與元件基板50之間被密封材料71包圍的區(qū)域內(nèi)保持有液晶層55。在元件基板50中與 相對(duì)基板60相對(duì)的面利用ITOandium Tin Oxide)膜等透光性導(dǎo)電膜而形成有多個(gè)像素 電極58，在相對(duì)基板60中，與元件基板50相對(duì)的面利用ITO膜等透光性導(dǎo)電膜而形成有 共通電極68。且在相對(duì)基板60形成有濾色片。另外，在圖像生成裝置5是IPSan Plane Switching)方式和FFS(Fringe Field Switching)方式的情況下，共通電極68被設(shè)置在元 件基板50側(cè)。且也有時(shí)把元件基板50對(duì)于相對(duì)基板60而配置在顯示光射出側(cè)。元件基 板50中，在從相對(duì)基板60的邊緣伸出的伸出區(qū)域59C0G安裝有驅(qū)動(dòng)用IC75，且柔性配線基 板73與伸出區(qū)域59連接。另外，與元件基板50上的開關(guān)元件同時(shí)地在元件基板50還形 成有驅(qū)動(dòng)電路。(靜電電容型輸入裝置1的詳細(xì)結(jié)構(gòu))在圖2(A)、圖2(B)所示的靜電電容型輸入裝置1中，輸入屏2具備由玻璃板和塑 料板等構(gòu)成的透光性基板20，本例中作為基板20而使用玻璃基板。在把基板20由塑料材 料構(gòu)成的情況下，作為塑料材料而能夠使用PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PC (聚碳酸酯)、 PES (聚醚砜)、PI (聚酰亞胺)、聚降冰片烯等環(huán)狀烯烴樹脂等耐熱性的透光性片。以下，把7基板20中位于輸入操作側(cè)的基板面作為第一面20a、把位于輸入操作側(cè)的相反側(cè)的基板面 作為第二面20b來說明。詳細(xì)情況后述，但在圖2(A)、圖2(B)所示的靜電電容型輸入裝置1中，圖2㈧所 示的結(jié)構(gòu)例在基板20的第一面20a從基板20看而從下層側(cè)向上層側(cè)地形成有下層側(cè)導(dǎo)電 膜如、層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b，在下層側(cè)導(dǎo)電膜如和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b中利用 上層側(cè)導(dǎo)電膜4b來形成輸入位置檢測用電極21。且利用下層側(cè)導(dǎo)電膜如來形成中繼電極 和輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極。在基板20的端部20e有柔性配線基板35與第一面20a連接。在 基板20的第一面20a側(cè)利用粘接劑90e等而粘貼有透光性和絕緣性的罩90，在該罩90的 與基板20的第一面20a的外側(cè)區(qū)域2b重疊的區(qū)域印刷有絕緣性的遮光層90a。被該遮光 層90a包圍的區(qū)域是輸入?yún)^(qū)域2a。遮光層90a與光電屏fe的外側(cè)區(qū)域重疊，把從圖像生成 裝置5的光源和導(dǎo)光板的端部泄漏的光遮斷。圖2(B)所示的結(jié)構(gòu)例在基板20的第二面20b從基板20看而從下層側(cè)向上層側(cè) 地形成有下層側(cè)導(dǎo)電膜如、層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b，在下層側(cè)導(dǎo)電膜如和上層 側(cè)導(dǎo)電膜4b中利用下層側(cè)導(dǎo)電膜如來形成輸入位置檢測用電極21。且利用上層側(cè)導(dǎo)電 膜4b來形成中繼電極和輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極。該結(jié)構(gòu)的情況下，在基板20的端部20e有 柔性配線基板35與第二面20b連接。本例也在基板20的第一面20a側(cè)利用粘接劑90e等 而粘貼有透光性和絕緣性的罩90，在該罩90的與基板20的第一面20a的外側(cè)區(qū)域2b重疊 的區(qū)域印刷有絕緣性的遮光層90a。以下，把本發(fā)明適用在基板20的位于輸入操作側(cè)的第一面20a形成有下層側(cè)導(dǎo)電 膜如、層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b的例(圖2(A)所示的例)作為實(shí)施例1、2來說 明。這時(shí)，下層側(cè)導(dǎo)電膜如和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b中，上層側(cè)導(dǎo)電膜4b相當(dāng)于是位于輸入操 作側(cè)的第一導(dǎo)電膜，下層側(cè)導(dǎo)電膜如相當(dāng)于是位于輸入操作側(cè)的相反側(cè)的第二導(dǎo)電膜。以下，把本發(fā)明適用在基板20的位于輸入操作側(cè)的相反側(cè)的第二面20b形成有下 層側(cè)導(dǎo)電膜如、層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b的例(圖2(B)所示的例)作為實(shí)施例 3、4來說明。這時(shí)，下層側(cè)導(dǎo)電膜如和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b中，下層側(cè)導(dǎo)電膜如相當(dāng)于是位于 輸入操作側(cè)的第一導(dǎo)電膜，上層側(cè)導(dǎo)電膜4b相當(dāng)于是位于輸入操作側(cè)的相反側(cè)的第二導(dǎo) 電膜。[實(shí)施例1]參照?qǐng)D3 圖5來說明參照?qǐng)D2(A)說明的形式的靜電電容型輸入裝置1。圖3是模式表示本發(fā)明實(shí)施例1靜電電容型輸入裝置平面結(jié)構(gòu)的說明圖。圖3 (A)、 圖3(B)、圖3(C)、圖3(D)分別是表示靜電電容型輸入裝置1的形成在基板20的各電極等 平面位置關(guān)系的說明圖、表示形成在基板20的上層側(cè)導(dǎo)電膜4b平面結(jié)構(gòu)的說明圖、表示形 成在基板20的層間絕緣膜214平面結(jié)構(gòu)的說明圖、表示形成在基板20的上層側(cè)導(dǎo)電膜4b 平面結(jié)構(gòu)的說明圖。把圖3(B)、圖3(C)、圖3(D)所示的元件重疊表示在圖3(A)。圖4是把 在本發(fā)明實(shí)施例1靜電電容型輸入裝置1的基板20形成的各電極等的平面結(jié)構(gòu)放大表示 的說明圖。圖3(B)、圖3(C)、圖3(D)中把上層側(cè)導(dǎo)電膜4b、層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電膜 4b的形成區(qū)域作為灰色區(qū)域來表示。在圖3(A)和圖4中，把下層側(cè)導(dǎo)電膜如用實(shí)線表示、 把層間絕緣膜214用虛線表示、把上層側(cè)導(dǎo)電膜4b用點(diǎn)劃線表示。在圖3(A)、圖3(B)、圖3(C)、圖3(D)和圖4中，對(duì)于輸入?yún)^(qū)域加而把其角部分的位置用英文字母的“L”狀標(biāo)記表 示。在后述實(shí)施例2所參照的附圖中也是同樣。圖5是表示本發(fā)明實(shí)施例1靜電電容型輸入裝置1的基板20剖面結(jié)構(gòu)的說明圖， 圖5(A)、圖5(B)、圖5(C)分別是把基板20沿圖4所示的Al-Al'線、Bl-Bl'線、Cl-Cl' 線剖切時(shí)的剖視圖。以下說明的靜電電容型輸入裝置1是把本發(fā)明適用在位于輸入操作側(cè)的第一面 20a形成有下層側(cè)導(dǎo)電膜如、層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b的例(圖2(A)所示的例)， 上層側(cè)導(dǎo)電膜4b相當(dāng)于是位于輸入操作側(cè)的第一導(dǎo)電膜，下層側(cè)導(dǎo)電膜如相當(dāng)于是位于 輸入操作側(cè)的相反側(cè)的第二導(dǎo)電膜。如圖3、圖4和圖5所示，本例的靜電電容型輸入裝置1中，在基板20的第一面20a 側(cè)，從基板20看而從下層側(cè)向上層側(cè)順序地形成有下層側(cè)導(dǎo)電膜4a、層間絕緣膜214和上 層側(cè)導(dǎo)電膜4b。本例中，下層側(cè)導(dǎo)電膜如和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b由膜厚度10 40nm的ITO膜 和IZOandium Zinc Oxide)膜等透光性導(dǎo)電膜構(gòu)成，層間絕緣膜214由膜厚度40 60nm 的硅氧化膜等透光性導(dǎo)電膜構(gòu)成。在基板20的第一面20a有時(shí)在其整個(gè)面形成有由硅氧化 膜等構(gòu)成的透光性基底保護(hù)膜，這時(shí)，就成為在基底保護(hù)膜上順次層合有下層側(cè)導(dǎo)電膜如、 層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b。為了構(gòu)成該靜電電容型輸入裝置1，首先按圖3(B)所 示的圖形來形成下層側(cè)導(dǎo)電膜如，然后按圖3(C)所示的圖形來形成層間絕緣膜214。接著 按圖3(D)所示的圖形來形成上層側(cè)導(dǎo)電膜4b。如圖3 (A)、圖3 (D)、圖4和圖5所示，首先把上層側(cè)導(dǎo)電膜4b作為多個(gè)菱形區(qū)域 而形成在輸入?yún)^(qū)域2a，該菱形區(qū)域構(gòu)成輸入位置檢測用電極21 (第一輸入位置檢測用電 極211和第二輸入位置檢測用電極21 的焊盤部211a、212a (大面積部分)。這些焊盤部 211^21 在χ方向和y方向交替配列。多個(gè)焊盤部211a中在X方向(第一方向)相鄰的 焊盤部211a彼此經(jīng)由連結(jié)部分211c連接，焊盤部211a和連結(jié)部分211c構(gòu)成在X方向延 伸的第一輸入位置檢測用電極211。對(duì)此，多個(gè)焊盤部211a構(gòu)成在Y方向(第二方向)延伸的第二輸入位置檢測用電 極212，在Y方向相鄰的焊盤部211a之間，即與連結(jié)部分211c重疊的部分則具備中斷部分。上層側(cè)導(dǎo)電膜4b在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b被作為從輸入位置檢測用電極 21 (第一輸入位置檢測用電極211和第二輸入位置檢測用電極21 延伸的配線27而形成， 且在端部2e附近被作為第一安裝端子2 和第二安裝端子24b形成。在構(gòu)成該配線27時(shí)， 優(yōu)選在上層側(cè)導(dǎo)電膜4b的上層使鉻、銀、鋁、銀-鋁合金等金屬層沿配線27的形成區(qū)域延 伸。只要采用該多層結(jié)構(gòu)，就能夠減少配線27的配線電阻。且上層側(cè)導(dǎo)電膜4b在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b被作為通過配線27的外周側(cè)的 屏蔽用輔助電極四而形成。屏蔽用輔助電極四沿基板20的端部20f、20g、20h延伸，兩端 與第二安裝端子24b連接。在此，屏蔽用輔助電極四在相當(dāng)于是基板20的三個(gè)邊的端部 20f.20g.20h都從圖3(C)所示的層間絕緣膜214的外周邊緣向外周側(cè)延伸。如圖3 (A)、圖3 (C)、圖4和圖5所示，層間絕緣膜214被形成在整個(gè)輸入?yún)^(qū)域2a。 且層間絕緣膜214也被形成在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b，被形成在除了基板20外周邊緣 的廣闊區(qū)域。在層間絕緣膜214被形成有兩個(gè)一組的接觸孔21 ，該接觸孔21 在圖3 (A) 所示的焊盤部211a經(jīng)由中斷部分218a而被形成在與相對(duì)的端部重疊的位置。層間絕緣膜214的外周邊緣與基板20的端部加的間隔比層間絕緣膜214的外周邊緣與基板20的其他 端部20f、20g、20h的間隔寬，以確保用于形成第一安裝端子2 和第二安裝端子Mb的空 間。如圖3 (A)、圖3 (B)、圖4和圖5所示，下層側(cè)導(dǎo)電膜如在輸入?yún)^(qū)域加中作為中繼 電極215而被形成在與圖3 (C)所示的接觸孔21 重疊的區(qū)域。且下層側(cè)導(dǎo)電膜如在輸入 區(qū)域加中作為經(jīng)由窄縫25s的輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25而被形成在與中繼電極215之間。 輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25被形成在除了中繼電極215和窄縫25s以外的整個(gè)輸入?yún)^(qū)域加。還有，下層側(cè)導(dǎo)電膜如作為外周側(cè)屏蔽電極觀而被形成在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū) 域2b。在此，輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25和外周側(cè)屏蔽電極觀作為一體的大半?yún)^(qū)域而被形成 在基板20的廣闊區(qū)域。外周側(cè)屏蔽電極觀被形成在直到相當(dāng)于是基板20的三個(gè)邊的端 部20f、20g、20h附近，在端部20f、20g、20h附近從圖3(C)所示的層間絕緣膜214的外周邊 緣向外周側(cè)伸出。外周側(cè)屏蔽電極觀在基板20的端部加附近也被形成在廣闊區(qū)域，從層 間絕緣膜214的外周邊緣向外周側(cè)伸出。但外周側(cè)屏蔽電極觀在形成有第一安裝端子2 的區(qū)域被形成具有凹部觀&。外周側(cè)屏蔽電極觀在與該凹部^a相當(dāng)?shù)膮^(qū)域位于層間絕緣 膜214的外周邊緣內(nèi)側(cè)，不向?qū)娱g絕緣膜214的外周側(cè)伸出。(輸入位置檢測用電極21的結(jié)構(gòu))當(dāng)把這種結(jié)構(gòu)的下層側(cè)導(dǎo)電膜4a、層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b重疊，則基 板20就成為圖3 (A)、圖4、圖5 (A)、圖5 (B)、圖5 (C)所示的結(jié)構(gòu)。當(dāng)俯視看該基板20時(shí)， 在輸入?yún)^(qū)域加的內(nèi)側(cè)形成有多個(gè)輸入位置檢測用電極21。本例中，輸入位置檢測用電極 21由向X方向延伸的多列第一輸入位置檢測用電極211和向Y方向延伸的多列第二輸入位 置檢測用電極212構(gòu)成。在此，輸入位置檢測用電極21 (第一輸入位置檢測用電極211和第二輸入位置檢 測用電極212)在下層側(cè)導(dǎo)電膜如和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b中是由上層側(cè)導(dǎo)電膜4b形成，由同 一層構(gòu)成。因此，在基板20的第一面20a存在有多個(gè)第一輸入位置檢測用電極211與第二 輸入位置檢測用電極212的交叉部分218。本例的第一輸入位置檢測用電極211和第二輸 入位置檢測用電極212中，第一輸入位置檢測用電極211即使在交叉部分218也利用由上 層側(cè)導(dǎo)電膜4b構(gòu)成的連結(jié)部分21 Ic而在X方向被連接延伸，對(duì)此，第二輸入位置檢測用電 極212則在交叉部分218構(gòu)成有中斷部分218a。但在交叉部分218在層間絕緣膜214的下 層形成有中繼電極215，該中繼電極215經(jīng)由層間絕緣膜214的接觸孔21 而把經(jīng)由中斷 部分218a相鄰的焊盤211a彼此電連接。因此，第二輸入位置檢測用電極212在Y方向被 電連接。由于中繼電極215經(jīng)由層間絕緣膜214而與連結(jié)部分211c重疊，所以不會(huì)短路。這種結(jié)構(gòu)的第一輸入位置檢測用電極211和第二輸入位置檢測用電極212分別在 被交叉部分218夾住的區(qū)域具有矩形的大面積焊盤部211a、212a，第一輸入位置檢測用電 極211的位于交叉部分218的連結(jié)部分211c成為比焊盤部211a、212a寬度窄的細(xì)寬度形 狀。中繼電極215也被形成比焊盤部211a、212a寬度窄的細(xì)寬度形狀。(屏蔽結(jié)構(gòu))本例的靜電電容型輸入裝置1中，下層側(cè)導(dǎo)電膜如在輸入?yún)^(qū)域加具備從中繼電 極215分離的輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25，該輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25相對(duì)第一輸入位置檢測用 電極211和第二輸入位置檢測用電極212而經(jīng)由層間絕緣膜214在輸入操作側(cè)的相反側(cè)重10
下層側(cè)導(dǎo)電膜如具備與輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25成一體的外周側(cè)屏蔽電極觀，該 外周側(cè)屏蔽電極觀在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b相對(duì)配線27而經(jīng)由層間絕緣膜214在輸 入操作側(cè)的相反側(cè)重疊。且外周側(cè)屏蔽電極觀在相當(dāng)于是基板20的三個(gè)邊的端部20f、 20g、20h比從層間絕緣膜214向外周側(cè)伸出并與屏蔽用輔助電極四重疊而電連接。屏蔽用輔助電極四在第一安裝端子Ma的配列區(qū)域兩側(cè)具備有第二安裝端子 Mb，柔性配線基板35與第一安裝端子2 和第二安裝端子24b連接。(輸入位置檢測等的動(dòng)作)如圖I(B)所示，本例的靜電電容型輸入裝置1中相對(duì)輸入屏2的第一安裝端子 24a和第二安裝端子24b而經(jīng)由柔性配線基板35連接有IC10。在此，IClO具備經(jīng)由柔性 配線基板35而向第一安裝端子2 順次輸出位置檢測信號(hào)VD的端子Ila和經(jīng)由柔性配線 基板35而向第二安裝端子24b輸出屏蔽電位VS的端子lib。IClO還具備有向輸入屏2輸 出接地電位的接地端子，但由于與本發(fā)明沒有直接關(guān)系，所以省略圖示和說明。這種結(jié)構(gòu)的靜電電容型輸入裝置1中，IClO例如輸出圖I(C)所示的矩形脈沖狀的 位置檢測信號(hào)VD。其結(jié)果是在輸入位置檢測用電極21沒有電容寄生的情況下，從端子Ila 檢測出圖I(C)中實(shí)線表示的波形的信號(hào)。對(duì)此，當(dāng)輸入位置檢測用電極21有電容寄生時(shí)， 則如圖I(C)中虛線所示那樣，由電容而引起產(chǎn)生波形的變形，所以能夠檢測出輸入位置檢 測用電極21是否有電容寄生。因此，本例向多個(gè)輸入位置檢測用電極21順次地輸出位置 檢測信號(hào)VD并對(duì)于各個(gè)輸入位置檢測用電極21而監(jiān)視所結(jié)合的靜電電容。因此，當(dāng)手指 接近多個(gè)輸入位置檢測用電極21中的某一個(gè)時(shí)，由于在手指所接近的輸入位置檢測用電 極21就有在與手指之間產(chǎn)生的靜電電容部分的靜電電容增大，因此，能夠特定手指所接近 的電極。(本例的作用和效果)在參照?qǐng)D1 圖5說明的靜電電容型輸入裝置1中，由于檢測與輸入位置檢測用 電極21結(jié)合的電容變化，所以容易受到電磁波干擾的影響。于是，本例在柔性配線基板35 所形成的配線3 形成有屏蔽層35b，經(jīng)由屏蔽用配線35c而向該屏蔽層3 施加屏蔽電位 VS0本例中作為屏蔽電位VS而被施加與向輸入位置檢測用電極21供給的位置檢測信號(hào)VD 是波形(也包括相位)相同的電位。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)在配線35a與屏蔽層3 之間沒有電 容寄生的狀態(tài)。本例中，從IClO經(jīng)由柔性配線基板35和第二安裝端子24b而向輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽 電極25、外周側(cè)屏蔽電極觀和屏蔽用輔助電極四施加與位置檢測信號(hào)VD是波形(也包括 相位)相同的屏蔽電位VS。在此，輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25相對(duì)輸入位置檢測用電極21而在輸入操作側(cè)的相 反側(cè)重疊。因此，能夠把要從輸入操作側(cè)的相反側(cè)向輸入位置檢測用電極21侵入的電磁波 干擾利用輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25來遮斷。另外，外周側(cè)屏蔽電極觀在基板20中相對(duì)在輸 入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b延伸的多個(gè)配線27而在輸入操作側(cè)的相反側(cè)重疊。因此，能夠把 要從輸入操作側(cè)的相反側(cè)向配線27侵入的電磁波干擾利用外周側(cè)屏蔽電極觀來遮斷。因 此，輸入屏2難于受到要從輸入操作側(cè)侵入的電磁波的影響。因此，在本例的靜電電容型輸 入裝置1中難于產(chǎn)生由電磁波干擾的影響而引起的誤動(dòng)作。
屏蔽電位VS是與向輸入位置檢測用電極21供給的位置檢測信號(hào)VD波形(也包 括相位)相同的電位。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)在輸入位置檢測用電極21與輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25 之間以及在配線27與外周側(cè)屏蔽電極觀之間沒有電容寄生的狀態(tài)。因此，即使設(shè)置了輸 入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25和外周側(cè)屏蔽電極觀，對(duì)于以靜電電容方式進(jìn)行的輸入位置的檢測 也沒有障礙。輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25和外周側(cè)屏蔽電極觀由形成中繼電極215時(shí)所使用的下 層側(cè)導(dǎo)電膜如所形成。屏蔽用輔助電極四由形成第一輸入位置檢測用電極211、第二輸入 位置檢測用電極212和配線27時(shí)所使用的上層側(cè)導(dǎo)電膜4b所形成。因此，即使不另外追 加屏蔽用基板，也具有能夠可靠地進(jìn)行對(duì)于輸入位置檢測用電極21和配線27的電磁屏蔽 的優(yōu)點(diǎn)。而且本例中，利用外周側(cè)屏蔽電極28和屏蔽用輔助電極四而對(duì)基板20外周邊緣 的大致整體來進(jìn)行屏蔽，所以能夠把要從周圍(側(cè)面)向配線27和輸入?yún)^(qū)域加侵入的電 磁波干擾遮斷。且利用上層側(cè)導(dǎo)電膜4b和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b這兩者而在基板20的外側(cè)區(qū)域2b來 設(shè)置第一安裝端子2 和第二安裝端子Mb。因此，能夠經(jīng)由與基板20連接的柔性配線基 板35來從外部向屏蔽電極VS施加電位，容易向輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25、外周側(cè)屏蔽電極 28和屏蔽用輔助電極四來施加屏蔽電位VS。且還能夠向第一安裝端子2 和第二安裝端 子24b連接共通的柔性配線基板35。且由于第二安裝端子24b在第一安裝端子2 的配列 區(qū)域兩側(cè)與外周側(cè)屏蔽電極觀電連接，所以能夠把要從周圍(側(cè)面)向配線27和輸入?yún)^(qū) 域加侵入的電磁波干擾遮斷。[實(shí)施例2]參照?qǐng)D6 圖8來說明參照?qǐng)D2(A)說明的樣式的靜電電容型輸入裝置1。圖6是模式表示本發(fā)明實(shí)施例2靜電電容型輸入裝置平面結(jié)構(gòu)的說明圖。圖6 (A)、 圖6(B)、圖6(C)、圖6(D)分別是表示靜電電容型輸入裝置1的形成在基板20的各電極等 平面位置關(guān)系的說明圖、表示形成在基板20的上層側(cè)導(dǎo)電膜4b平面結(jié)構(gòu)的說明圖、表示形 成在基板20的層間絕緣膜214平面結(jié)構(gòu)的說明圖和表示形成在基板20的上層側(cè)導(dǎo)電膜 4b平面結(jié)構(gòu)的說明圖。把圖6(B)、圖6(C)、圖6(D)所示的元件重疊表示在圖6(A)。圖7 是把在本發(fā)明實(shí)施例2靜電電容型輸入裝置1的基板20形成的各電極等的平面結(jié)構(gòu)放大 表示的說明圖。圖8是表示本發(fā)明實(shí)施例2靜電電容型輸入裝置1的基板20剖面結(jié)構(gòu)的 說明圖，圖8(A)、圖8(B)、圖8(C)分別是把基板20沿圖6所示的A2-A2'線、B2-B2'線、 C2-C2'線剖切時(shí)的剖視圖。以下說明的靜電電容型輸入裝置1與實(shí)施例1同樣地是把本發(fā)明適用在位于輸入 操作側(cè)的第一面20a形成有下層側(cè)導(dǎo)電膜如、層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b的例(圖 2 (A)所示的例)，上層側(cè)導(dǎo)電膜4b相當(dāng)于是位于輸入操作側(cè)的第一導(dǎo)電膜，下層側(cè)導(dǎo)電膜 如相當(dāng)于是位于輸入操作側(cè)的相反側(cè)的第二導(dǎo)電膜。但在本例中，如以下說明的那樣，把屏蔽用輔助電極四和配線27由下層側(cè)導(dǎo)電膜 如形成，而把外周側(cè)屏蔽電極觀由上層側(cè)導(dǎo)電膜4b形成。其他的結(jié)構(gòu)則與實(shí)施例1大致 相同。因此，對(duì)于共通的部分則付與相同的符號(hào)而省略它們的詳細(xì)說明。(各電極等的結(jié)構(gòu))
如圖6、圖7和圖8所示，本例的靜電電容型輸入裝置1中，在基板20的第一面20a 側(cè)從基板20看而從下層側(cè)向上層側(cè)順序地形成有下層側(cè)導(dǎo)電膜如、層間絕緣膜214和上層 側(cè)導(dǎo)電膜4b。本例中，下層側(cè)導(dǎo)電膜如和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b由膜厚度10 40nm的ITO膜 和IZOandium Zinc Oxide)膜等透光性導(dǎo)電膜構(gòu)成，層間絕緣膜214由膜厚度40 60nm 的硅氧化膜等透光性導(dǎo)電膜構(gòu)成。為了構(gòu)成該靜電電容型輸入裝置1，首先按圖6(B)所示 的圖形來形成下層側(cè)導(dǎo)電膜如，然后按圖6(C)所示的圖形來形成層間絕緣膜214。接著按 圖6(D)所示的圖形來形成上層側(cè)導(dǎo)電膜4b。如圖6(A)、圖6(D)、圖7和圖8所示，本例也與實(shí)施例1同樣地把上層側(cè)導(dǎo)電膜 4b作為多個(gè)菱形區(qū)域而形成在輸入?yún)^(qū)域2a，該菱形區(qū)域構(gòu)成輸入位置檢測用電極21 (第 一輸入位置檢測用電極211和第二輸入位置檢測用電極21 的焊盤部211a、212a (大面 積部分)。多個(gè)焊盤部211a中在X方向(第一方向)相鄰的焊盤部211a彼此經(jīng)由連結(jié)部 分211c連接，焊盤部211a和連結(jié)部分211c構(gòu)成在X方向延伸的第一輸入位置檢測用電極 211。對(duì)此，多個(gè)焊盤部211a構(gòu)成在Y方向(第二方向)延伸的第二輸入位置檢測用電極 212，在Y方向相鄰的焊盤部211a之間，即與連結(jié)部分211c重疊的部分則具備中斷部分。且上層側(cè)導(dǎo)電膜4b在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b被作為外周側(cè)屏蔽電極觀形成。 在此，外周側(cè)屏蔽電極觀被形成在直到相當(dāng)于是基板20的三個(gè)邊的端部20f、20g、20h附 近，在端部20f、20g、20h附近從圖6(C)所示的層間絕緣膜214的外周邊緣向外周側(cè)伸出。 外周側(cè)屏蔽電極觀在基板20的端部2e附近也被形成在廣闊區(qū)域，從層間絕緣膜214的外 周邊緣向外周側(cè)伸出。但外周側(cè)屏蔽電極觀在形成有第一安裝端子Ma的區(qū)域被形成具 有凹部^a。外周側(cè)屏蔽電極觀在與該凹部28a相當(dāng)?shù)膮^(qū)域位于層間絕緣膜214的外周邊 緣內(nèi)側(cè)，不向?qū)娱g絕緣膜214的外周側(cè)伸出。且上層側(cè)導(dǎo)電膜4b也被形成在與第一安裝端子2 和第二安裝端子24b重疊的 位置。如圖6 (A)、圖6 (C)、圖7和圖8所示，層間絕緣膜214被形成在整個(gè)輸入?yún)^(qū)域2a。 且層間絕緣膜214也被形成在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b，被形成在除了基板20外周邊緣 的廣闊區(qū)域。在層間絕緣膜214被形成有兩個(gè)一組的接觸孔21 ，該接觸孔21 在圖6 (A) 所示的焊盤部211a經(jīng)由中斷部分218a而被形成在與相對(duì)的端部重疊的位置。層間絕緣膜 214的外周邊緣與基板20的端部2e的間隔比層間絕緣膜214的外周邊緣與基板20的其他 端部20f、20g、20h的間隔寬，以確保用于形成第一安裝端子2 和第二安裝端子Mb的空 間。且層間絕緣膜214在與圖6 (D)所示的輸入位置檢測用電極21 (第一輸入位置檢 測用電極211和第二輸入位置檢測用電極21 的端部重疊的位置形成有接觸孔214b。該 接觸孔214b的位置也是與圖6(B)所示的配線27端部重疊的位置。如圖6 (A)、圖6 (B)、圖7和圖8所示，下層側(cè)導(dǎo)電膜如在輸入?yún)^(qū)域加中作為中繼 電極215而被形成在與圖6 (C)所示的接觸孔21 重疊的區(qū)域。且下層側(cè)導(dǎo)電膜如在輸入 區(qū)域加中作為經(jīng)由窄縫25s的輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25而被形成在與中繼電極215之間。 輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25被形成在除了中繼電極215和窄縫25s以外的整個(gè)輸入?yún)^(qū)域加。且下層側(cè)導(dǎo)電膜如在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b被作為從與輸入位置檢測用電 極21 (第一輸入位置檢測用電極211和第二輸入位置檢測用電極21 的端部重疊的位置延伸到第一安裝端子Ma的配線27而形成，而且在端部20e附近被作為第一安裝端子2 和第二安裝端子24b形成。且下層側(cè)導(dǎo)電膜如在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b被作為通過配線27的外周側(cè)的 屏蔽用輔助電極四而形成。屏蔽用輔助電極四沿基板20的端部20f、20g、20h延伸，兩端 與第二安裝端子24b連接。在此，屏蔽用輔助電極四在相當(dāng)于是基板20的三個(gè)邊的端部 20f.20g.20h都從圖6(C)所示的層間絕緣膜214的外周邊緣向外周側(cè)延伸。若把這種結(jié)構(gòu)的下層側(cè)導(dǎo)電膜如、層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b重疊，則中 繼電極215經(jīng)由層間絕緣膜214的接觸孔21 而把經(jīng)由中斷部分218a相鄰的焊盤211a 彼此電連接。且配線27的端部經(jīng)由接觸孔214b而與輸入位置檢測用電極21 (第一輸入位 置檢測用電極211和第二輸入位置檢測用電極21 的端部電連接。(屏蔽結(jié)構(gòu))本例的靜電電容型輸入裝置1中，也與實(shí)施例1同樣，在下層側(cè)導(dǎo)電膜如在輸入 區(qū)域加中，具備從中繼電極215分離的輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25，該輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25 相對(duì)第一輸入位置檢測用電極211和第二輸入位置檢測用電極212而經(jīng)由層間絕緣膜214 在輸入操作側(cè)的相反側(cè)重疊。上層側(cè)導(dǎo)電膜4b具備外周側(cè)屏蔽電極觀，該外周側(cè)屏蔽電極觀在輸入?yún)^(qū)域加的 外側(cè)區(qū)域2b相對(duì)配線27而經(jīng)由層間絕緣膜214在輸入操作側(cè)重疊。且外周側(cè)屏蔽電極觀 在相當(dāng)于是基板20的三個(gè)邊的端部20f、20g、20h從層間絕緣膜214向外周側(cè)伸出并與屏 蔽用輔助電極四重疊而電連接。(本例的主要效果)本例也與實(shí)施例1同樣地，從圖1所示的IClO經(jīng)由柔性配線基板35和第二安裝 端子24b而向輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25、外周側(cè)屏蔽電極28和屏蔽用輔助電極四施加與位 置檢測信號(hào)VD波形(也包括相位)相同的屏蔽電位VS。在此，輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25相對(duì)輸入位置檢測用電極21而在輸入操作側(cè)的相 反側(cè)重疊。因此，能夠把要從輸入操作側(cè)的相反側(cè)向輸入位置檢測用電極21侵入的電磁波 干擾利用輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25來遮斷。外周側(cè)屏蔽電極28在基板20中相對(duì)在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b延伸的多個(gè)配 線27而在輸入操作側(cè)重疊。因此，能夠把要從輸入操作側(cè)向配線27侵入的電磁波干擾利 用外周側(cè)屏蔽電極觀來遮斷。屏蔽電位VS是與向輸入位置檢測用電極21供給的位置檢測信號(hào)VD而波形(也包 括相位)相同的電位。因此，有在輸入位置檢測用電極21與輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25之間 以及在配線27與外周側(cè)屏蔽電極觀之間沒有電容寄生的狀態(tài)等與實(shí)施例1同樣的效果。[實(shí)施例3]參照?qǐng)D9來說明參照?qǐng)D2 (B)說明的形式的靜電電容型輸入裝置1。以下所說明的 靜電電容型輸入裝置1與實(shí)施例1、實(shí)施例2相反，是把本發(fā)明實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)適用在位于 輸入操作側(cè)的相反側(cè)的第二面20b形成有下層側(cè)導(dǎo)電膜4a、層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電 膜4b的例(圖2(B)所示的例)。該結(jié)構(gòu)的靜電電容型輸入裝置1，下層側(cè)導(dǎo)電膜如相當(dāng) 于是位于輸入操作側(cè)的第一導(dǎo)電膜，上層側(cè)導(dǎo)電膜4b相當(dāng)于是位于輸入操作側(cè)的相反側(cè) 的第二導(dǎo)電膜。在采用這種結(jié)構(gòu)的情況下由于基本結(jié)構(gòu)也與實(shí)施例1相同，所以對(duì)于共通14的部分則付與相同的符號(hào)而省略它們的詳細(xì)說明。圖9是表示本發(fā)明實(shí)施例3靜電電容型輸入裝置1的基板20剖面結(jié)構(gòu)的說明圖， 圖9(A)、圖9(B)、圖9(C)分別相當(dāng)于是把基板20沿圖4所示的Α1-ΑΓ線、Bl-Bl'線、 Cl-Cl'線剖切時(shí)的剖視圖。本例中，首先按參照?qǐng)D3 (A)、圖3 (D)說明的圖形來形成下層側(cè)導(dǎo)電膜如，然后按 參照?qǐng)D3(A)、圖3(C)說明的圖形來形成層間絕緣膜214。接著按參照?qǐng)D3(A)、圖3(B)說 明的圖形來形成上層側(cè)導(dǎo)電膜4b。因此，如圖9所示，利用下層側(cè)導(dǎo)電膜如而形成輸入位 置檢測用電極21 (第一輸入位置檢測用電極211和第二輸入位置檢測用電極21 、配線27 和屏蔽用輔助電極29。且在下層側(cè)導(dǎo)電膜如的上層形成有具備接觸孔21 的層間絕緣膜 214。利用上層側(cè)導(dǎo)電膜4b而形成中繼電極215、輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25和外周側(cè)屏蔽電 極28。其結(jié)果是，成為中繼電極215經(jīng)由層間絕緣膜214的接觸孔21 而把經(jīng)由中斷部 分218a相鄰的焊盤211a彼此電連接。另外，輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25相對(duì)第一輸入位置檢 測用電極211和第二輸入位置檢測用電極212而經(jīng)由層間絕緣膜214在輸入操作側(cè)的相反 側(cè)重疊。且外周側(cè)屏蔽電極28在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b相對(duì)配線27而經(jīng)由層間絕緣 膜214在輸入操作側(cè)的相反側(cè)重疊。因此，根據(jù)本例，與實(shí)施例1同樣地能夠利用輸入?yún)^(qū)域 內(nèi)屏蔽電極25而把要從輸入操作側(cè)的相反側(cè)向輸入位置檢測用電極21侵入的電磁波干擾 遮斷。能夠利用外周側(cè)屏蔽電極觀而把要從輸入操作側(cè)的相反側(cè)向配線27侵入的電磁波 干擾遮斷。因此，輸入屏2難于受到要從輸入操作側(cè)侵入的電磁波的影響。因此，在本例的 靜電電容型輸入裝置1中難于產(chǎn)生由電磁波干擾的影響而引起的誤動(dòng)作等，有與實(shí)施例1 同樣的效果。[實(shí)施例4]參照?qǐng)D10來說明參照?qǐng)D2(B)說明的形式的靜電電容型輸入裝置1。以下所說明 的靜電電容型輸入裝置1是把本發(fā)明實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)適用在位于輸入操作側(cè)的相反側(cè)的第 二面20b形成有下層側(cè)導(dǎo)電膜如、層間絕緣膜214和上層側(cè)導(dǎo)電膜4b的例(圖2(B)所示 的例)。該結(jié)構(gòu)的靜電電容型輸入裝置1，下層側(cè)導(dǎo)電膜如相當(dāng)于是位于輸入操作側(cè)的第 一導(dǎo)電膜，上層側(cè)導(dǎo)電膜4b相當(dāng)于是位于輸入操作側(cè)的相反側(cè)的第二導(dǎo)電膜。在采用這種 結(jié)構(gòu)的情況下由于基本結(jié)構(gòu)也與實(shí)施例2相同，所以對(duì)于共通的部分則付與相同的符號(hào)而 省略它們的詳細(xì)說明。圖10是表示本發(fā)明實(shí)施例4靜電電容型輸入裝置1的基板20剖面結(jié)構(gòu)的說明圖， 圖10 (A)、圖10 (B)、圖10 (C)分別相當(dāng)于是把基板20沿圖7所示的A2-A2'線、B2-B2'線、 C2-C2'線剖切時(shí)的剖視圖。本例中，首先按參照?qǐng)D6 (A)、圖6 (D)說明的圖形來形成下層側(cè)導(dǎo)電膜4a，然后按 參照?qǐng)D6(A)、圖6(C)說明的圖形來形成層間絕緣膜214。接著按參照?qǐng)D6(A)、圖6(B)說明 的圖形來形成上層側(cè)導(dǎo)電膜4b。因此，如圖10所示，利用下層側(cè)導(dǎo)電膜如而形成輸入位 置檢測用電極21 (第一輸入位置檢測用電極211和第二輸入位置檢測用電極21 和外周 側(cè)屏蔽電極觀。且在下層側(cè)導(dǎo)電膜如的上層形成有具備接觸孔214a、214b的層間絕緣膜 214。利用上層側(cè)導(dǎo)電膜4b而形成中繼電極215、輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25、配線27和屏蔽 用輔助電極四。
其結(jié)果是，成為中繼電極215經(jīng)由層間絕緣膜214的接觸孔21 而把經(jīng)由中斷部 分218a相鄰的焊盤211a彼此電連接。輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25相對(duì)第一輸入位置檢測用 電極211和第二輸入位置檢測用電極212而經(jīng)由層間絕緣膜214在輸入操作側(cè)的相反側(cè)重 疊。因此，根據(jù)本例，與實(shí)施例1 3同樣地能夠利用輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極25而把要從輸 入操作側(cè)的相反側(cè)向輸入位置檢測用電極21侵入的電磁波干擾遮斷。且外周側(cè)屏蔽電極 28成為在輸入?yún)^(qū)域加的外側(cè)區(qū)域2b相對(duì)配線27而經(jīng)由層間絕緣膜214在輸入操作側(cè)重 疊。因此，與實(shí)施例2同樣地能夠利用外周側(cè)屏蔽電極觀而把要從輸入操作側(cè)向配線27 侵入的電磁波干擾遮斷。[其他實(shí)施例]在上述實(shí)施例中，在相對(duì)配線27而在輸入操作側(cè)形成外周側(cè)屏蔽電極28時(shí)使用 了下層側(cè)導(dǎo)電膜如或上層側(cè)導(dǎo)電膜4b，但例如也可以把在圖2所示的罩90形成的遮光層 90a由鉻等導(dǎo)電膜來形成，把該遮光層90a作為屏蔽電極來利用。
上述實(shí)施例中，作為圖像生成裝置5而使用了液晶裝置，但作為圖像生成裝置5也 可以使用有機(jī)電致發(fā)光裝置。[向電子設(shè)備的安裝例]下面說明適用上述實(shí)施例帶輸入裝置的光電裝置100的電子設(shè)備。圖11㈧表示 具備帶輸入裝置的光電裝置100的可移動(dòng)型個(gè)人電腦結(jié)構(gòu)。個(gè)人電腦2000具備作為顯示 單元的帶輸入裝置的光電裝置100和本體部2010。在本體部2010設(shè)置有電源開關(guān)2001和 鍵盤2002。圖11 (B)表示具備帶輸入裝置的光電裝置100的手機(jī)結(jié)構(gòu)。手機(jī)3000具備多 個(gè)操作按鈕3001、畫面移動(dòng)按鈕3002和作為顯示單元的帶輸入裝置的光電裝置100。通過 操作畫面移動(dòng)按鈕3002而使被帶輸入裝置的光電裝置100所顯示的畫面滾動(dòng)。圖Il(C)表 示適用帶輸入裝置的光電裝置100的信息攜帶終端(PDA =Persona Digital Assistants) 的結(jié)構(gòu)。信息攜帶終端4000具備多個(gè)操作按鈕4001、電源開關(guān)4002和作為顯示單元的 帶輸入裝置的光電裝置100。當(dāng)操作電源開關(guān)4002，則把住址目錄和計(jì)劃安排的各種信息 顯示在帶輸入裝置的光電裝置100。作為適用帶輸入裝置的光電裝置100的電子設(shè)備，除了圖11所示之外，能夠舉出 數(shù)碼相機(jī)、液晶電視、取景器型和監(jiān)視直視型錄象機(jī)、汽車導(dǎo)航儀、尋呼機(jī)、電子筆記本、電 子計(jì)算器、文字處理器、工作站、可視電話、POS終端、銀行終端等電子設(shè)備等。且作為這些 各種電子設(shè)備的顯示部而能夠恰當(dāng)?shù)厥褂蒙鲜龅膸л斎胙b置的光電裝置100。1權(quán)利要求
1.一種靜電電容型輸入裝置，在基板的輸入?yún)^(qū)域內(nèi)設(shè)置有多個(gè)輸入位置檢測用電極， 其特征在于，具有對(duì)所述基板而從該基板側(cè)開始順次層合的下層側(cè)導(dǎo)電膜、層間絕緣膜和上層側(cè)導(dǎo) 電膜，由在所述下層側(cè)導(dǎo)電膜和所述上層側(cè)導(dǎo)電膜中的位于輸入操作側(cè)的第一導(dǎo)電膜而形 成有作為所述輸入位置檢測用電極在所述基板的面內(nèi)方向朝向第一方向延伸的第一輸入 位置檢測用電極、和在所述基板的面內(nèi)方向而向與所述第一方向交叉的第二方向延伸且在 與所述第一輸入位置檢測用電極的交叉部分具備中斷部分的第二輸入位置檢測用電極，由在所述下層側(cè)導(dǎo)電膜和所述上層側(cè)導(dǎo)電膜中的位于輸入操作側(cè)的相反側(cè)的第二導(dǎo) 電膜而形成有在所述交叉部分經(jīng)由所述層間絕緣膜而與所述第一輸入位置檢測用電極重 疊來把所述第二輸入位置檢測用電極的中斷部分電連接的中繼電極、從該中繼電極分離而 經(jīng)由所述層間絕緣膜平面地與所述第一輸入位置檢測用電極和所述第二輸入位置檢測用 電極重疊的輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電電容型輸入裝置，其特征在于， 在所述基板中位于所述輸入?yún)^(qū)域的外側(cè)區(qū)域，由所述第一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜中的一個(gè)導(dǎo)電膜而形成有與所述輸入位置檢測 用電極電連接的配線，由所述第一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜中的另一個(gè)導(dǎo)電膜而形成有經(jīng)由所述層間絕緣 膜而與所述配線平面地重疊的外周側(cè)屏蔽電極。
3.如權(quán)利要求2所述的靜電電容型輸入裝置，其特征在于， 所述配線由所述第一導(dǎo)電膜形成、所述外周側(cè)屏蔽電極由所述第二導(dǎo)電膜形成。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電電容型輸入裝置，其特征在于，所述外周側(cè)屏蔽電極由所述第二導(dǎo)電膜形成，并且與所述輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極成為一體。
5.如權(quán)利要求2所述的靜電電容型輸入裝置，其特征在于， 所述配線由所述第二導(dǎo)電膜形成、所述外周側(cè)屏蔽電極由所述第一導(dǎo)電膜形成。
6.如權(quán)利要求2到5任一項(xiàng)所述的靜電電容型輸入裝置，其特征在于，在所述基板中所述配線的外周側(cè)由所述第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜中形成所述配線側(cè) 的導(dǎo)電膜來形成屏蔽用輔助電極，在設(shè)置于所述配線的外周側(cè)的所述層間絕緣膜的非形成區(qū)域，所述屏蔽用輔助電極和 所述屏蔽電極重疊并電連接。
7.如權(quán)利要求1到6任一項(xiàng)所述的靜電電容型輸入裝置，其特征在于，所述下層側(cè)導(dǎo)電膜、所述層間絕緣膜和所述上層側(cè)導(dǎo)電膜在所述基板而被形成在位于 輸入操作側(cè)的基板面，所述上層側(cè)導(dǎo)電膜是所述第一導(dǎo)電膜， 所述下層側(cè)導(dǎo)電膜是所述第二導(dǎo)電膜。
8.如權(quán)利要求1到6任一項(xiàng)所述的靜電電容型輸入裝置，其特征在于，所述下層側(cè)導(dǎo)電膜、所述層間絕緣膜和所述上層側(cè)導(dǎo)電膜在所述基板而被形成在位于 輸入操作側(cè)的相反側(cè)的基板面，所述下層側(cè)導(dǎo)電膜是所述第一導(dǎo)電膜， 所述上層側(cè)導(dǎo)電膜是所述第二導(dǎo)電膜。
9. 一種帶輸入裝置的光電裝置，具備權(quán)利要求1到8任一項(xiàng)所述的靜電電容型輸入裝 置，其特征在于，對(duì)所述基板而在輸入操作側(cè)的相反側(cè)構(gòu)成有生成圖像用的光電屏。
全文摘要
提供一種靜電電容型輸入裝置和具備該靜電電容型輸入裝置的帶輸入裝置的光電裝置，即使不追加電磁屏蔽用基板，也難于受到要從輸入操作側(cè)的相反側(cè)侵入的電磁波干擾的影響。在靜電電容型輸入裝置(1)的輸入屏(2)中，利用下層側(cè)導(dǎo)電膜(4a)和上層側(cè)導(dǎo)電膜(4b)中位于輸入操作側(cè)的上層側(cè)導(dǎo)電膜(4b)而形成向X方向延伸的第一輸入位置檢測用電極(211)和向Y方向延伸的第二輸入位置檢測用電極(212)。且利用位于輸入操作側(cè)的相反側(cè)的下層側(cè)導(dǎo)電膜(4a)而形成把第二輸入位置檢測用電極(212)的中斷部分(218a)電連接的中繼電極(215)，而且形成經(jīng)由層間絕緣膜(214)而平面地與第一輸入位置檢測用電極(211)和第二輸入位置檢測用電極(212)重疊的輸入?yún)^(qū)域內(nèi)屏蔽電極(25)。
文檔編號(hào)G06F3/044GK102043555SQ20101050689
公開日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2010年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月21日
發(fā)明者倉島健 申請(qǐng)人:索尼公司