專(zhuān)利名稱(chēng)：基于返回散射和斜測(cè)電離圖聯(lián)合反演電離層參數(shù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電離層反演、重構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于返回散射和斜測(cè)電離圖聯(lián)合反演電離層參數(shù)的方法。
背景技術(shù)：
隨著HF無(wú)線電波在廣播、通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，針對(duì)HF信道電離層的研究也越來(lái)越深入。電離層具有隨時(shí)間、空間而變化的特性，因此實(shí)時(shí)地進(jìn)行電離層探測(cè)，了解電離層的結(jié)構(gòu)，有著非常重要的意義。電離層反演正是一種基于實(shí)時(shí)探測(cè)數(shù)據(jù)獲取電離層狀態(tài)的技術(shù)。電離層反演問(wèn)題中，以基于模式的電離層模型參數(shù)反演應(yīng)用較為普遍?；谀Ｊ椒?，國(guó)內(nèi)外學(xué)者利用不同的探測(cè)數(shù)據(jù)發(fā)展了多種電離層參數(shù)反演方法。目前，現(xiàn)有反演方法通常是基于單種探測(cè)手段進(jìn)行的，反演的精度和穩(wěn)定性難以達(dá)到要求。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的分析，本發(fā)明旨在提供一種基于返回散射和斜測(cè)電離圖聯(lián)合反演電離層參數(shù)的方法，用以解決現(xiàn)有探測(cè)方法存在的諸多問(wèn)題。本發(fā)明的目的主要是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種基于返回散射和斜測(cè)電離圖聯(lián)合反演電離層參數(shù)的方法，包括步驟A 確定返回散射探測(cè)和斜向探測(cè)聯(lián)合反演需要使用的電離層模型為準(zhǔn)拋物模型；步驟B:設(shè)定電離層模型參數(shù)的大小，利用設(shè)定的電離層參數(shù)進(jìn)行計(jì)算得到仿真的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖；步驟C 對(duì)仿真的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖添加隨機(jī)誤差后作為最終反演用的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖；步驟D 對(duì)最終反演用的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣作為反演的輸入并確定電離層模型的搜索域，比較反演的結(jié)果和設(shè)定的電離層模型參數(shù)的差異， 從而判斷反演算法的有效性。其中，所述準(zhǔn)拋物模型表示為，
權(quán)利要求
1.一種基于返回散射和斜測(cè)電離圖聯(lián)合反演電離層參數(shù)的方法，其特征在于，包括 步驟A 確定返回散射探測(cè)和斜向探測(cè)聯(lián)合反演需要使用的電離層模型為準(zhǔn)拋物模型；步驟B:設(shè)定電離層模型參數(shù)的大小，利用設(shè)定的電離層參數(shù)進(jìn)行計(jì)算得到仿真的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖；步驟C:對(duì)仿真的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖添加隨機(jī)誤差后作為最終反演用的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖；步驟D 對(duì)最終反演用的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣作為反演的輸入并確定電離層模型的搜索域，比較反演的結(jié)果和設(shè)定的電離層模型參數(shù)的差異，從而判斷反演算法的有效性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述準(zhǔn)拋物模型表示為，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟D具體包括 基于平方誤差最小準(zhǔn)則，在反演用的返回散射電離圖前沿電離圖上取K1個(gè)觀測(cè)值 (p^fi)，在反演用的斜測(cè)電離圖取K2個(gè)觀測(cè)值(式，·/；)，對(duì)應(yīng)的由電離層模型的搜索域內(nèi)的電離層模型參數(shù)計(jì)算得到的群路徑為A(U)和乙?guī)凇?;)，觀測(cè)值與計(jì)算值之間的均方誤差為，
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于返回散射和斜測(cè)電離圖聯(lián)合反演電離層參數(shù)的方法，包括確定返回散射探測(cè)和斜向探測(cè)聯(lián)合反演需要使用的電離層模型為準(zhǔn)拋物模型；設(shè)定電離層模型參數(shù)的大小，利用設(shè)定的電離層參數(shù)進(jìn)行計(jì)算得到仿真的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖；對(duì)仿真的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖添加隨機(jī)誤差后作為最終反演用的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖；對(duì)最終反演用的返回散射電離圖前沿和斜測(cè)電離圖進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣作為反演的輸入，比較反演的結(jié)果和設(shè)定的電離層模型參數(shù)的差異，從而判斷反演算法的有效性；本發(fā)明通過(guò)引入新型的電離層聯(lián)合探測(cè)技術(shù)以及利用同一探測(cè)區(qū)域多種形式的探測(cè)數(shù)據(jù)作為反演算法的輸入，有效提高反演精度和穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)G06F19/00GK102411664SQ20101028872
公開(kāi)日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2010年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
發(fā)明者楊東升, 柳文, 焦培南, 程延鋒 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十二研究所