專利名稱：靜電電容式輸入裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及靜電電容式輸入裝置。
背景技術(shù)：
圖45是表示現(xiàn)有的輸入裝置的一例的主要部分剖面圖。圖46是從圖45的上方 看到的輸入裝置的主要部分平面圖。這些圖所示的輸入裝置9A通過與液晶顯示裝置面板 9B重疊，構(gòu)成所謂觸摸面板。該觸摸面板作為例如手機(jī)9C的顯示裝置及操作裝置使用。手 機(jī)9C具有構(gòu)成殼體的一部分的透明罩cl。輸入裝置9A利用透明粘接劑c2與透明罩cl接 合。在輸入裝置9A的圖45的下方配置有液晶顯示面板9B。關(guān)于這種輸入裝置9A的記載 例如記述于專利文獻(xiàn)1。輸入裝置9A具備透明基板91、92、多個(gè)透明帶狀電極93、94、配線95、96、柔性基板 97,98以及IC芯片99。透明基板91、92相互平行配置。透明帶狀電極93形成于透明基板 91上。透明帶狀電極93沿方向X延伸，具有菱形膨脹的部分和中間細(xì)的部分沿方向X相互 配置的形狀。配線95形成于透明基板91上。另一方面，透明帶狀電極94形成于透明基板 92。透明帶狀電極94沿方向Y延伸，具有菱形狀膨脹的部分和中間細(xì)的部分沿方向Y相互 配置的形狀。配線96形成于透明基板92。IC芯片99經(jīng)由柔性基板97及配線95，與透明 帶狀電極93連接。另外，IC芯片99經(jīng)由柔性基板98及配線96，也與透明帶狀電極94連 接。輸入裝置9A如下所述，檢測(cè)在XY面的手指Fg的接近位置。手機(jī)9C的使用者在操作手機(jī)9C時(shí)，使比透明帶狀電極93、94的菱形形狀的大小 相對(duì)大的手指Fg與透明罩cl接近，或接觸。于是，在手指Fg和多個(gè)透明帶狀電極93之間 及手指Fg和多個(gè)透明帶狀電極94之間產(chǎn)生靜電電容。IC芯片99經(jīng)由配線95及配線96， 測(cè)量根據(jù)手指Fg和透明帶狀電極93、94之間產(chǎn)生的靜電電容而變化的電壓值等(以下，稱 為檢測(cè)值)。接著，IC芯片99對(duì)與多個(gè)透明帶狀電極93的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的檢測(cè)值計(jì)算加 權(quán)平均。利用這種計(jì)算檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近位置。接著，與檢測(cè)方向Y的手指Fg 的接近位置一樣，檢測(cè)方向X的接近位置。經(jīng)過上述順序，輸入裝置9A檢測(cè)XY平面的手指 Fg的接近位置。在使相同的導(dǎo)電體以相同的姿勢(shì)與透明帶狀電極93及透明帶狀電極94接近時(shí)所 測(cè)量的檢測(cè)值的大小稱為透明帶狀電極93的靈敏度或透明帶狀電極94的靈敏度。為了進(jìn) 一步正確地檢測(cè)輸入裝置9A中例如方向Y的手指Fg的接近位置，理想的是每個(gè)透明帶狀 電極93的靈敏度沒有誤差均一。但是，每個(gè)透明帶狀電極93的靈敏度存在誤差。靈敏度的誤差的主要原因在于 對(duì)于每個(gè)透明帶狀電極93，透明帶狀電極93及與透明帶狀電極93連接的配線95和其它配 線、電極等之間產(chǎn)生的寄生電容不同，或者對(duì)于每個(gè)透明帶狀電極93，透明帶狀電極93自 身及與該透明帶狀電極93連接的配線95的電阻值不同。這樣，只要多個(gè)透明帶狀電極93 的靈敏度不均一，即使手指Fg以相同的姿勢(shì)與透明帶狀電極93接近，手指Fg接近的透明狀電極93不同時(shí)，IC芯片99測(cè)量出不同的檢測(cè)值。于是，對(duì)與各透明帶狀電極93對(duì)應(yīng)的 檢測(cè)值計(jì)算加權(quán)平均時(shí)的該檢測(cè)值的附帶加權(quán)為不恰當(dāng)?shù)闹?。這樣，恐怕會(huì)不能正確地檢 測(cè)出方向Y的手指Fg的接近位置。圖47是現(xiàn)有輸入裝置的一例的平面圖(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。該圖所示的輸入 裝置900A具備帶狀電極920、配線980、及IC芯片970。輸入裝置900A作為所謂靜電電容 式觸摸面板使用。帶狀電極920沿方向u并列，同時(shí)沿方向ν延伸。帶狀電極920具備檢測(cè)電極921、 922。檢測(cè)電極921、922均是沿方向ν長(zhǎng)條狀延伸的直角三角形。檢測(cè)電極921及檢測(cè)電 極922沿方向u相互配置。配線980分別與檢測(cè)電極921、922連接。IC芯片970與配線 980連接。導(dǎo)電體即手指Fg接近帶狀電極920。而且，IC芯片970檢測(cè)方向u和方向ν的手 指Fg的接近位置。圖48是表示每個(gè)帶狀電極920的靜電電容的值的直方圖。從圖47的左側(cè)第一、 第二、第三……配置的帶狀電極920的靜電電容的值與從圖48的左側(cè)第一、第二、第三所示 的靜電電容的值對(duì)應(yīng)。圖49是表示全部檢測(cè)電極921的靜電電容的值的和Σ Cl和全部的 檢測(cè)電極922的靜電電容的值的和Σ C2的圖表。方向u的手指Fg的接近位置通過使用圖 48所示的直方圖檢測(cè)。另一方面，方向ν的手指Fg的接近位置通過求出圖49所示的靜電 電容的值的和彼此的比、Σ Cl :EC2檢測(cè)。以這種順序，在IC芯片970內(nèi)可以檢測(cè)手指 Fg的方向U、ν的接近位置。但是，在輸入裝置900A中產(chǎn)生如下所述的問題。使用輸入裝置900A時(shí)，不僅手指 Fg，也存在其它手指不經(jīng)意與觸摸面板接觸的情況。這樣的情況下，在檢測(cè)電極921或檢測(cè) 電極922上不僅產(chǎn)生與手指Fg的靜電電容，而且也產(chǎn)生不經(jīng)意與觸摸面板接觸的手指的靜 電電容。在如上所述的輸入裝置900A中，Σ Cl是全部的檢測(cè)電極921的靜電電容的值的 和，Σ C2是全部的檢測(cè)電極922的靜電電容的值的和。因此，在Σ Cl及Σ C2的值中加上 不經(jīng)意與觸摸面板接觸的手指和檢測(cè)電極921或檢測(cè)電極922之間的靜電電容的值。這導(dǎo) 致不能正確地求出手指Fg的方向ν的接近位置這種不良現(xiàn)象，不予優(yōu)選。專利文獻(xiàn)1 日本特開2008-33777號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2008-269297號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是考慮上述情況而發(fā)明的，其第一課題為，提供可以更正確地檢測(cè)導(dǎo)電體 的接近位置的靜電電容式輸入裝置。本發(fā)明是考慮上述情況而發(fā)明的，其第二課題為，提供即使是多個(gè)導(dǎo)電體接近時(shí)， 也可以更正確地檢測(cè)這些導(dǎo)電體的至少一個(gè)的接近位置的靜電電容式輸入裝置。為了解決所述第一課題，本發(fā)明第一方面提供一種靜電電容式輸入裝置，包括多 個(gè)第一方向檢測(cè)電極，其沿第一方向并列且沿與所述第一方向不同的第二方向延伸；控制 裝置，其根據(jù)導(dǎo)電體及各第一方向中檢測(cè)電極之間產(chǎn)生的靜電電容的變化，檢測(cè)所述第一 方向的所述導(dǎo)電體的接近位置，所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電極的任一個(gè)是低靈敏度電極，所 述多個(gè)第一方向檢測(cè)電極的任一個(gè)是高靈敏度電極，所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電極均為同一大小時(shí)，所述低靈敏度電極的靈敏度比所述高靈敏度電極的靈敏度小，所述低靈敏度電極 的面積比所述高靈敏度電極的面積大。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，還包括基板，其形成有所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電 極；多根配線，其形成于所述基板且從所述基板的端部延伸并與所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電 極分別連接，所述基板的所述多根配線中與所述低靈敏度電極導(dǎo)通的配線的長(zhǎng)度比所述基 板的所述多根配線中與所述高靈敏度電極導(dǎo)通的配線的長(zhǎng)度長(zhǎng)。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，還包括沿所述第二方向并列且沿所述第一方向延伸 的多個(gè)第二方向檢測(cè)電極，各第一方向檢測(cè)電極包含沿所述第二方向排列的多個(gè)第一電極 元件，各第二方向檢測(cè)電極包含沿所述第一方向排列的多個(gè)第二電極元件。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述低靈敏度電極所包含的第一電極元件的任一個(gè) 的面積比所述高靈敏度電極所包含的第一電極元件的任一個(gè)的面積大。在本發(fā)明的理想的實(shí)施方式中，還包括多個(gè)第二方向檢測(cè)電極，其沿所述第二方 向并列且沿所述第一方向延伸；基板，其具有平面狀的第一面，且所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電 極及所述多個(gè)第二方向檢測(cè)電極均形成于所述第一面。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，各第一方向檢測(cè)電極包含沿所述第二方向排列的多 個(gè)第一電極元件，各第二方向檢測(cè)電極包含沿所述第一方向排列的多個(gè)第二電極元件。在本發(fā)明的理想的實(shí)施方式中，還包括與所述多個(gè)第一電極元件的任一個(gè)導(dǎo)通， 且形成于被鄰接的第一和第二電極元件所夾的間隙的多根聯(lián)絡(luò)配線。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，各聯(lián)絡(luò)配線延伸至檢測(cè)所述基板的所述導(dǎo)電體的接 近的檢測(cè)區(qū)域之外的非檢測(cè)區(qū)域?yàn)橹?。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述多根聯(lián)絡(luò)配線中從沿所述第一方向分離的兩個(gè) 第一電極元件分別延伸的兩個(gè)聯(lián)絡(luò)配線的一方朝向所述第一方向的一方延伸，該兩個(gè)聯(lián)絡(luò) 配線的另一方朝向所述第一方向的另一方延伸。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述兩根聯(lián)絡(luò)配線都從沿所述第一方向分離的兩個(gè) 第一電極元件的任一個(gè)向該兩個(gè)第一電極元件彼此分離的方向延伸。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，還包括第一連接配線，其連接所述多個(gè)第一電極元 件中沿所述第二方向鄰接的兩個(gè)第一電極元件彼此，且形成于被該兩個(gè)第一電極元件所夾 的間隙，所述多個(gè)聯(lián)絡(luò)配線的任一個(gè)與該兩個(gè)第一電極元件或所述第一連接配線連接。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，還包括第二連接配線，其連接所述多個(gè)第一電極元 件中夾著所述第一連接配線的兩個(gè)第一電極元件彼此，所述第二連接配線以包圍處于所述 第一連接配線連接的多個(gè)第一電極元件的一端的區(qū)域的元件的方式配置。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，沿所述第一方向分離的兩個(gè)第一電極元件相互相 鄰，該兩個(gè)第一電極元件的一方包含于所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電極中配置于所述第一方向 的一端的元件中。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述聯(lián)絡(luò)配線的一部分構(gòu)成多層基板，在所述多層 基板中所述聯(lián)絡(luò)配線彼此連接。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，還具備光透射層，其形成于被鄰接的第一及第二電 極元件所夾的間隙；涂敷層，其覆蓋所述多個(gè)第一電極元件、所述多個(gè)第二電極元件、及所 述光透射層。
在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，構(gòu)成所述光透射層的材料的折射率與構(gòu)成所述涂敷 層的材料的折射率不同。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，構(gòu)成所述光透射層的材料由與構(gòu)成所述第一電極元 件或所述第二電極元件的材料相同的材料構(gòu)成。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述光透射層包含相互分離的多個(gè)線元。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述光透射層由絕緣性樹脂構(gòu)成。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，各第一方向檢測(cè)電極包括第一滑動(dòng)電極，其以向所 述第二方向的一方去所述第一方向的大小減小的方式在所述第二方向的一方延伸；第二滑 動(dòng)電極，其以向所述第二方向的另一方去所述第一方向的大小減小的方式在所述第二方向 的另一方延伸，所述控制裝置根據(jù)所述導(dǎo)電體與所述多個(gè)第一滑動(dòng)電極之間的靜電電容以 及所述導(dǎo)電體與所述多個(gè)第二滑動(dòng)電極之間的靜電電容的關(guān)系，檢測(cè)所述第二方向的所述 導(dǎo)電體的接近位置。為了解決所述第二課題，本發(fā)明第二方面提供一種靜電電容式輸入裝置，包括沿 第一方向并列且沿與所述第一方向不同的第二方向延伸的多個(gè)帶狀電極；和控制裝置，各 帶狀電極包含第一檢測(cè)電極，其以向所述第二方向去所述第一方向的大小減小的方式在 所述第二方向延伸；第二檢測(cè)電極，其以向所述第二方向的相反方向去所述第一方向的大 小減小的方式在所述第二方向的相反方向延伸，所述控制裝置指定僅所述多個(gè)帶狀電極的 一部分隸屬且所述多個(gè)帶狀電極中第一導(dǎo)電體接近的帶狀電極隸屬的第一電極組，基于所 述第一導(dǎo)電體和所述多個(gè)第一檢測(cè)電極中隸屬于所述第一電極組的檢測(cè)電極之間的靜電 電容及所述第一導(dǎo)電體和所述多個(gè)第二檢測(cè)電極中隸屬于所述第一電極組的檢測(cè)電極之 間的靜電電容的關(guān)系，檢測(cè)所述第二方向的所述第一導(dǎo)電體的接近位置。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，僅所述多個(gè)帶狀電極的一個(gè)隸屬于所述第一電極 組。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，相互相鄰的至少兩個(gè)以上的帶狀電極隸屬于所述第
一電極組。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述控制裝置將相互相鄰的至少兩個(gè)以上的帶狀電 極的每一個(gè)和所述第一導(dǎo)電體之間的靜電電容的變化作為加權(quán)來計(jì)算加權(quán)平均，檢測(cè)所述 第一方向的所述第一導(dǎo)電體的接近位置。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述控制裝置指定僅所述多個(gè)帶狀電極的一部分隸 屬且所述多個(gè)帶狀電極中與所述第一導(dǎo)電體不同的第二導(dǎo)電體接近的帶狀電極隸屬的第 二電極組，基于所述第二導(dǎo)電體和所述多個(gè)第一檢測(cè)電極中隸屬于所述第二電極組的第一 檢測(cè)電極之間的靜電電容及所述第二導(dǎo)電體和所述多個(gè)第二檢測(cè)電極中隸屬于所述第二 電極組的第二檢測(cè)電極之間的靜電電容的關(guān)系，檢測(cè)所述第二方向的所述第二導(dǎo)電體的接 近位置。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，僅所述多個(gè)帶狀電極的一個(gè)隸屬于所述第二電極組。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，相互相鄰的至少兩個(gè)以上的帶狀電極隸屬于所述第
二電極組。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述控制裝置將相互相鄰的至少兩個(gè)以上的帶狀電極的每一個(gè)和所述第二導(dǎo)電體之間的靜電電容的變化作為加權(quán)來計(jì)算加權(quán)平均，檢測(cè)所述 第一方向的所述第二導(dǎo)電體的接近位置。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述多個(gè)第一檢測(cè)電極及所述多個(gè)第二檢測(cè)電極都 是楔狀，各第一檢測(cè)電極被所述多個(gè)第二檢測(cè)電極的兩個(gè)所夾，各第二檢測(cè)電極被所述多 個(gè)第一檢測(cè)電極的兩個(gè)所夾。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述多個(gè)第一檢測(cè)電極分別包含多個(gè)第一楔狀電 極，所述多個(gè)第二檢測(cè)電極分別包含多個(gè)第二楔狀電極，各第一楔狀電極被所述多個(gè)第二 楔狀電極的兩個(gè)所夾，各第二楔狀電極被所述多個(gè)第一楔狀電極的兩個(gè)所夾。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述多個(gè)帶狀電極的任一個(gè)還包含第一連接電極， 其相對(duì)于所述多個(gè)第一楔狀電極，配置于和所述第二方向相反側(cè)，且與各第一楔電極相連； 第二連接電極，其相對(duì)于所述多個(gè)第二楔狀電極，配置于所述第二方向側(cè)，且與各第二楔狀 電極相連。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，還具備基板，其形成有所述多個(gè)帶狀電極；第一引 導(dǎo)配線，其形成于所述基板，與所述多個(gè)第一檢測(cè)電極的任一個(gè)導(dǎo)通；第二引導(dǎo)配線，其形 成于所述基板，與所述多個(gè)第二檢測(cè)電極的任一個(gè)導(dǎo)通，所述第一及第二引導(dǎo)配線在所述 第二方向相對(duì)于所述多個(gè)帶狀電極同一側(cè)形成。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述多個(gè)帶狀電極、所述第一引導(dǎo)配線及所述第二 引導(dǎo)配線由相同材料構(gòu)成。本發(fā)明的其它的特征及優(yōu)點(diǎn)參照附圖，根據(jù)以下進(jìn)行的詳細(xì)說明，變得更明了。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的輸入裝置的主要部分剖面圖；圖2是沿圖的的II-II線的主要部分平面圖；圖3是表示圖2所示的輸入裝置的一部分結(jié)構(gòu)的主要部分平面圖；圖4是表示圖2所示的輸入裝置的一部分結(jié)構(gòu)的主要部分平面圖；圖5是對(duì)圖2所示的每個(gè)電極y的面積比進(jìn)行表示的圖表；圖6 (a)是表示每個(gè)電極y的靈敏度的圖表，(b)是表示每個(gè)電極χ的靈敏度的圖 表；圖7是求出本實(shí)施方式的輸入裝置的電極的面積比Pl時(shí)使用的表；圖8是可以適用本發(fā)明的輸入裝置的主要部分剖面圖；圖9是沿圖8的IX-IX線的輸入裝置的主要部分平面圖；圖10是沿圖9的X-X線的主要部分剖面圖；圖11是可以適用本發(fā)明的輸入裝置的主要部分平面圖；圖12是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的輸入裝置的主要部分平面圖；圖13是表示圖12所示的輸入裝置的一部分結(jié)構(gòu)的主要部分平面圖；圖14是表示圖12所示的輸入裝置的一部分結(jié)構(gòu)的主要部分平面圖；圖15是對(duì)圖12所示的每個(gè)電極y的面積比進(jìn)行表示的圖表；圖16(a)是表示每個(gè)電極y的靈敏度的圖表，(b)是表示每個(gè)電極χ的靈敏度的 圖表；
圖17是求出本實(shí)施方式的輸入裝置的電極的面積比P2時(shí)使用的表；圖18是可以適用本發(fā)明的輸入裝置的主要部分平面圖；圖19是可以適用本發(fā)明的輸入裝置的主要部分平面圖；圖20是可以適用本發(fā)明的輸入裝置的主要部分平面圖；圖21(a)是圖20的區(qū)域Ra的局部放大圖，(b)是圖20的區(qū)域Rb的局部放大圖；圖22是可以適用本發(fā)明的輸入裝置的主要部分平面圖；圖23是可以適用本發(fā)明的輸入裝置的主要部分平面圖；圖24是可以適用本發(fā)明的輸入裝置的主要部分平面圖；圖25是可以適用本發(fā)明的輸入裝置的主要部分平面圖；圖26是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的輸入裝置的主要部分平面圖；圖27是對(duì)圖26所示的每個(gè)電極y的面積比進(jìn)行表示的圖表；圖28 (a)表示電極y的檢測(cè)值，(b)表示Tl、T2的檢測(cè)值。圖29是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的輸入裝置的主要部分平面圖；圖30是主要表示圖29的一部分結(jié)構(gòu)的主要部分平面圖；圖31是主要表示圖29的一部分結(jié)構(gòu)的主要部分平面圖；圖32是圖29的區(qū)域XXXII的局部放大圖；圖33是沿圖32的XXXIII線的主要部分剖面圖；圖34是表示光透射層變形例的主要部分剖面圖；圖35是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的輸入裝置的一例的主要部分剖面圖；圖36是沿圖35的IIIVI-IIIVI線的主要部分平面圖；圖37是表示第五實(shí)施方式的輸入裝置的每個(gè)帶狀電極的靜電電容的值的直方 圖；圖38是表示第五實(shí)施方式的輸入裝置的檢測(cè)電極的靜電電容的值的圖表；圖39是表示第五實(shí)施方式的輸入裝置的檢測(cè)電極的靜電電容的值的圖表；圖40是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的輸入裝置的一例的主要部分平面圖；圖41是圖40的區(qū)域XLI的放大圖；圖42是表示第六實(shí)施方式的輸入裝置的每個(gè)帶狀電極靜電電容的值的直方圖；圖43是表示第六實(shí)施方式的輸入裝置的檢測(cè)電極的靜電電容的值的圖表；圖44是表示第六實(shí)施方式的輸入裝置的檢測(cè)電極的靜電電容的值的圖表；圖45是現(xiàn)有輸入裝置的主要部分剖面圖；圖46是圖45所示的輸入裝置的主要部分平面圖；圖47是現(xiàn)有輸入裝置的一例的平面圖；圖48是表示現(xiàn)有輸入裝置的每個(gè)帶狀電極的靜電電容的值的直方圖；圖49是表示現(xiàn)有輸入裝置的檢測(cè)電極的靜電電容的值的圖表。
具體實(shí)施例方式下面，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式參照附圖具體地說明。(第一實(shí)施方式)使用圖1 圖7，對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是本實(shí)施方式的輸入裝置的主要部分剖面圖。圖2是沿圖1的II-II線的主要部分平面圖。這些圖所示的輸入 裝置AlO具備多個(gè)電極χ、多個(gè)電極y、多個(gè)配線31、多個(gè)配線32 (圖1、圖2中略)、透射板 41、42、保護(hù)層5、襯墊61、透明絕緣材料62、柔性基板71、及IC芯片72。圖2中省略了透射 板41、襯墊61、透明絕緣材料62、柔性基板71及IC芯片72的記載。圖3主要表示圖2的 電極1的主要部分平面圖。圖4主要表示圖2的電極χ的主要部分平面圖。輸入裝置AlO是用于根據(jù)靜電電容的變化檢測(cè)導(dǎo)電體即手指Fg接近的位置的裝 置。輸入裝置AlO通過與液晶顯示面板B重疊，構(gòu)成所謂靜電電容式的觸摸面板。另外，在圖2 圖4中，點(diǎn)劃線所包圍的區(qū)域是檢測(cè)區(qū)域rl。檢測(cè)區(qū)域rl是使手 指Fg接近輸入裝置AlO而檢測(cè)手指Fg的接近的區(qū)域。另一方面，在這些圖中，透射板4的 包圍檢測(cè)區(qū)域rl的框狀的區(qū)域是非檢測(cè)區(qū)域r2。檢測(cè)區(qū)域rl和非檢測(cè)區(qū)域r2的界限為 端部r3、r4及端緣r5、r6。端部r3、r4沿方向X分別位于圖2的下方、上方。端緣r5、r6 沿方向Y分別位于圖2的左方、右方。透射板41、42均透明，呈板狀。透射板41、42由例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、 聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)等透明樹脂的單層樹脂體或選自由它們代表的 透明樹脂的兩種類的材料構(gòu)成的層疊樹脂體或玻璃等構(gòu)成。透射板41具有表面41a及背面41b。表面41a是手指Fg的接觸面。表面41a上 可以形成有例如未圖示的涂敷層。該涂敷層抑制因外來光反射而目視性惡化的情況，起到 防止在透射板41產(chǎn)生損傷的功能。透射板42具有表面42a及背面42b。表面42a與透射 板41的背面41b對(duì)置。多個(gè)電極y形成于透射板41的背面41b。從配置于圖2、圖3的下側(cè)的電極y按 順序?yàn)殡姌Oyl、y2、y3…。電極y分別沿方向X延伸，沿方向Y相互并列。多個(gè)電極y沿方 向Y例如以5mm的間距配置。電極y可以形成幾條，本實(shí)施方式中形成14條。電極y是用 于檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近位置的電極，相當(dāng)于本發(fā)明的第一方向檢測(cè)電極的一例。電 極y是對(duì)由例如ITO、IZO等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成的薄膜施加圖案結(jié)構(gòu)的電極。如圖2、圖3所示，電極y分別具備沿方向X排列的多個(gè)電極元件11及使這些電 極元件11導(dǎo)通的配線部12。在電極y中膨脹的部分是電極元件11，在電極y中中間細(xì)的 部分是配線部12。電極元件11大致是菱形。電極元件11的形狀不限于菱形，也可以是球 形、多邊形或其它形狀。圖5對(duì)每個(gè)電極y的面積比Pl進(jìn)行表示。在該圖中表示將電極y4設(shè)為1時(shí)的每 個(gè)電極y的面積比。如圖5所示，電極y的面積在配置于圖2、圖3的上側(cè)的情況下具有擴(kuò) 大的趨勢(shì)。電極y的面積大的時(shí)，各電極y所包含的電極元件11大。因此，電極元件11隨 著趨向圖3的上側(cè)變大。對(duì)于各電極y的面積的確定方法后述。多個(gè)配線31形成于透射板41的背面41b。配線31分別與電極y連接。配線31 從電極y至透射板41的端部為止。配線31例如由ΙΤ0、ΙΖ0等透明絕緣材料構(gòu)成。配線31 的寬度例如是30 μ m 100 μ m。多個(gè)電極X形成于透射板42的表面42a。從配置于圖2、圖4的左側(cè)的電極χ按 順序?yàn)殡姌Oxl、χ2…。電極χ分別沿方向Y延伸，沿方向X相互并列。多個(gè)電極χ沿方向 X例如以5mm的間距配置。電極χ可以形成幾條，在本實(shí)施方式中形成10條。電極χ是用 于檢測(cè)方向X的手指Fg的接近位置的電極，相當(dāng)于本發(fā)明的第二方向檢測(cè)電極的一例。電極χ是對(duì)例如由ITO、IZO等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成的薄膜施加圖案結(jié)構(gòu)的電極。電極χ分別具備沿方向Y排列的電極元件21、及使這些電極元件21導(dǎo)通的配線部 22。電極χ中膨脹的部分為電極元件21、電極中中間細(xì)的部分是配線部22。電極元件21 分別是大致菱形。電極元件21的形狀不限于菱形，也可以是球形、多邊形或其它形狀。如圖2 圖4所示，與電極元件11的大小隨著趨向圖上方變大相對(duì)照，電極元件 21的大小隨著趨向圖上方變小。電極元件21的大小的確定方法后述。如圖2所示，電極y 及電極χ配置為電極元件21及電極元件11重疊。多個(gè)配線32形成于透射板42的表面42a。配線32分別與電極χ連接。配線32 例如由ITO、IZO等的透明絕緣材料構(gòu)成。如圖1所示，多個(gè)襯墊61配置于被透射板41和透射板42所夾的空間內(nèi)。襯墊61 與透射板41、42的任一個(gè)相接。各襯墊61由二氧化硅或丙烯樹脂(例如，積水化學(xué)工業(yè) $夕口 ^ _ > ν - 構(gòu)成。透明絕緣材料62填充于被透射板41及透射板42所夾的 上述空間內(nèi)。透明絕緣材料62可以使用良好地透射光，并且可以使電極y及電極χ相互絕 緣的材料。保護(hù)層5形成于透射板42的背面42b。保護(hù)層5例如由ITO、IZO等透明導(dǎo)電性 材料構(gòu)成。保護(hù)層5由后保護(hù)層(圖示略)覆蓋。保護(hù)層5起到遮斷外來的噪音的作用。 另外，保護(hù)層5也不必形成。柔性基板71設(shè)置于透射板41的端部。IC芯片72裝載于柔性基板71上。IC芯 片72經(jīng)由柔性基板71及配線31與電極y連接。IC芯片72另外經(jīng)由柔性基板71及配線 32等與電極χ連接。IC芯片72可自由且經(jīng)常測(cè)量對(duì)應(yīng)各電極y的檢測(cè)值。IC芯片72另 外可自由且經(jīng)常測(cè)量對(duì)應(yīng)各電極χ的檢測(cè)值。另外，在C0G(Chip On Glass)時(shí)，IC芯片72 裝載于透射板41上。液晶顯示面板B具備例如相互對(duì)置的透明基板及TFT基板、被它們所夾的液晶層， 具有表示例如提供給手機(jī)的操作的操作菜單畫面及圖像等的功能。由液晶顯示面板B顯示 的圖像通過輸入裝置AlO可目視。液晶顯示面板B的顯示面配置為在方向ζ看與電極x、y重疊。輸入裝置AlO及液晶顯示面板B裝入手機(jī)等，例如，如下述使用。在液晶顯示面板B上顯示包含模擬例如發(fā)揮手機(jī)各功能的圖形的圖標(biāo)的操作菜 單畫面。使用者在不進(jìn)行任何操作的狀態(tài)，在各電極X、y和手指Fg之間幾乎不產(chǎn)生靜電 電容。接著，使用者觸摸與想選擇的功能對(duì)應(yīng)的圖標(biāo)，使手指Fg與透射板41的表面41a接 近。于是，電極x、y和手指Fg的距離減小。由此，手指Fg和各電極χ、y之間靜電電容變 化。多個(gè)電極x、y中和手指Fg的距離越小，靜電電容越大。IC芯片72測(cè)量該靜電電容的 變化作為每個(gè)電極χ、y的檢測(cè)值。接著，IC芯片72對(duì)與多個(gè)電極y的每個(gè)對(duì)應(yīng)的檢測(cè)值 計(jì)算加權(quán)平均。根據(jù)該計(jì)算，IC芯片72檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近位置。同樣，IC芯片 72對(duì)與多個(gè)電極χ的每個(gè)對(duì)應(yīng)的檢測(cè)值計(jì)算加權(quán)平均。根據(jù)該計(jì)算，IC芯片72檢測(cè)方向 X的手指Fg的接近位置。經(jīng)過上述的順序，可以檢測(cè)手指Fg的XY面的接近位置，可以檢測(cè) 使用者要接觸的圖標(biāo)。而且，手機(jī)發(fā)揮與該圖標(biāo)對(duì)應(yīng)的功能。下面，對(duì)電極χ、電極y的大小的確定方法的一例進(jìn)行說明。電極y、電極χ的大小 以電極y的面積均相同時(shí)相對(duì)地靈敏度小的電極y (低靈敏度電極)的面積比相對(duì)地靈敏度大的電極y(高靈敏度電極)的面積大的方式確定。首先，計(jì)算或測(cè)量多個(gè)電極y的面積均相同時(shí)的每個(gè)電極y的靈敏度。為了計(jì)算 或測(cè)量多個(gè)電極y的面積相同時(shí)的每個(gè)電極y的靈敏度，例如執(zhí)行模擬，或?qū)嶋H試制多個(gè)電 極y的面積相同的輸入裝置即可。圖6(a)表示利用模擬計(jì)算多個(gè)電極y的面積相同時(shí)的 每個(gè)電極y的靈敏度Sl的結(jié)果的一例。如該圖所示，電極y的靈敏度Sl從電極yl隨著趨 向yl4處于減小的趨勢(shì)。圖7表示圖6(a)所示的每個(gè)電極y的靈敏度Sl的數(shù)值、另外靈敏度比R及靈敏 度比的倒數(shù)(1/R)。如圖7所示，對(duì)于每個(gè)電極y求出和電極y的靈敏度中最大的靈敏度的值的靈敏 度比R(本實(shí)施方式中和電極y4的靈敏度的比)。接著，求出靈敏度R的倒數(shù)(1/R)。而且， 將倒數(shù)(1/R)設(shè)為和輸入裝置AlO的每個(gè)電極y的面積比Pl。按照該順序，可以確定圖5 所示的每個(gè)電極y的面積比P1。實(shí)際的電極y的面積例如可以設(shè)為電極y均相同時(shí)的電 極y的面積分別乘以倒數(shù)(1/R)的值。只要確定電極y的面積，就可以確定各電極y所包 含的電極元件11的面積。例如，相同的電極y所包含的電極元件11的面積如圖2、圖3所 示，除配置于電極y兩端的之外，視為相同。下面，將電極元件21的面積確定為適當(dāng)?shù)闹狄允闺姌O元件21與電極元件11不重 合。于是，因各電極元件11的面積因趨向圖2的上方變大，所以，各電極元件21的面積趨 向圖2的上方變小。按如上所述的順序，可以確定電極y、電極χ的面積。下面，對(duì)輸入裝置AlO的作用進(jìn)行說明。根據(jù)輸入裝置A10，如圖5所示，在圖6 (a)中相對(duì)地靈敏度小的例如電極yl2及 yl3的面積比該圖中靈敏度相對(duì)地大的例如yl及電極y2的面積大。因此，某導(dǎo)電體以相 同的姿勢(shì)位于相同距離時(shí)的該導(dǎo)電體和電極yl2及電極yl3的靜電電容與該導(dǎo)電體以相同 的姿勢(shì)及位于相同的距離時(shí)的該導(dǎo)電體和電極yl及電極y2的靜電電容相比增大。于是， 關(guān)于靜電電容增大的電極y的檢測(cè)值也增大。因此，可以減小每個(gè)電極y的靈敏度的誤差。 圖6 (a)表示通過模擬來計(jì)算輸入裝置AlO的每個(gè)電極y的靈敏度S2的結(jié)果。如該圖所 示，每個(gè)電極y的靈敏度S2與靈敏度Sl比較，更均一。因此，根據(jù)輸入裝置A10，可以更正 確檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近位置。另外，雖然在輸入裝置AlO中電極元件21的面積隨著向圖2、圖4的上方而減小， 但不必使電極χ彼此的面積比變化。因此，如上所述，即使使每個(gè)電極y的大小不同，也可 以維持方向X的手指Fg的接近位置的檢測(cè)精度。圖6(b)表示每個(gè)電極χ的靈敏度。如該 圖所示，在使電極y的大小相同時(shí)的電極χ的靈敏度S 1和使電極y的大小不同時(shí)的電極 χ的靈敏度S2上幾乎沒有變化。通常，與該電極y連接的配線31的電阻值越大，電極y的靈敏度越小。另外，配線 31的長(zhǎng)度越長(zhǎng)，配線31的電阻值越小。因此，與該電極y連接的配線31的長(zhǎng)度越長(zhǎng)，電極 y的靈敏度越小。在本實(shí)施方式中，配線31在圖3中從透射板41的下側(cè)的端部向電極y延 伸，因此，與配置于該圖中上側(cè)的電極y連接的配線31比與配置于該圖中下側(cè)的電極y連 接的配線31長(zhǎng)。因此，本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)適于使靈敏度相對(duì)小的電極y的靈敏度和靈敏度 相對(duì)大的電極y的靈敏度的差降低。即，本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)適于使多個(gè)電極y的每個(gè)的靈敏度的誤差降低。第一實(shí)施方式中所述的電極y的大小的確定方法也可以適用于圖8 圖10所示 的輸入裝置Al 1及圖11所示的輸入裝置A12。輸入裝置Al 1、Al2在電極y及電極χ均形成 于相同的透射板4的表面4a這一點(diǎn)主要與上述的輸入裝置AlO不同。另外，在這些圖中， 對(duì)與上述實(shí)施方式相同或類似的元件附加與上述實(shí)施方式相同的符號(hào)。圖8是輸入裝置All的主要部分剖面圖。圖9是沿圖8的IX-IX線的主要部分平 面圖。圖10是沿圖9的X-X線的主要部分剖面圖。圖11是輸入裝置A12的主要部分平面 圖。首先，對(duì)輸入裝置All進(jìn)行說明。如圖8、圖9所示，輸入裝置All具備多個(gè)電極x、y、多個(gè)配線31、32、81、82、透射 板4、保護(hù)層5、絕緣層6、柔性基板71及IC芯片72。另外，圖8中為了理解方便，省略配線 31、32、81、82、絕緣層6的記載。多個(gè)電極y形成于透射板4的表面4a。如上所述，電極y分別具備沿方向X排列 的多個(gè)電極元件11及使這些電極元件11導(dǎo)通的配線部12。多個(gè)電極X形成于透射板4的 表面4a。電極χ分別具備沿方向Y排列的多個(gè)電極元件21。另外，在輸入裝置All中也可 以形成輸入裝置AlO的配線部22。如圖9、圖10所示，在電極x、y上層疊有絕緣層6。絕緣層6例如由SiO2構(gòu)成。在 絕緣層6上形成有矩形的開口部63。開口部63全部形成于與電極元件21重疊的區(qū)域。由 此，電極元件21的表面一部分露出。另一方面，絕緣層6完全覆蓋檢測(cè)區(qū)域rl的形成有開 口部63的區(qū)域之外的區(qū)域。如圖10所示，配線32形成于絕緣層6及利用開口部63露出的電極元件21的表 面上。配線32從端部r4的附近越過端部r3，至圖9的透射板4的下緣為止。配線32與電 極元件21連接。由此，配線32分別使相同電極χ所包含的電極元件21彼此導(dǎo)通。配線32 的對(duì)電極元件21的連接部分從開口部63的方向Y的一端631經(jīng)過另一端632形成。配線 32例如由Ag、Al等金屬、或透明的有機(jī)導(dǎo)電材料構(gòu)成。在柔性基板71上形成有配線81、82。配線81與配線31導(dǎo)通。配線82與配線32 導(dǎo)通。配線81、82與IC芯片72連接。在這樣的輸入裝置All中，通過使用與第一實(shí)施方式一樣的方法，使每個(gè)電極y的 大小不同，從而也可以降低每個(gè)電極y的靈敏度的誤差。其結(jié)果是，可以更正確地檢測(cè)方向 Y的手指Fg的接近位置。另外，根據(jù)輸入裝置All，可以使配線32的相對(duì)于電極元件21的連接部分的大小 增加。因此，可以牢固地固定配線32和電極元件21。該結(jié)果是難以分開配線32及電極元 件21。絕緣層6覆蓋電極y的全部。因此，配線32不會(huì)與電極y接觸。由此，可以期待 輸入裝置All的成品率的提高。下面，對(duì)輸入裝置Al2進(jìn)行說明。圖11所示的輸入裝置A12具備多個(gè)電極x、y、多個(gè)配線31、32、36、37、81、82、透射 板4、絕緣層6、柔性基板71及IC芯片72。輸入裝置A12在通過配線36使電極元件11彼 此導(dǎo)通，且通過配線37使電極元件21彼此導(dǎo)通，且這些配線36、37經(jīng)由絕緣層6而絕緣的點(diǎn)與輸入裝置All不同。如圖11所示，與上述的輸入裝置Al 1 —樣，多個(gè)電極y及電極χ形成于透射板4的 表面4a。電極y分別具備沿方向X配置的多個(gè)電極元件11。電極χ分別具備沿方向Y配 置的多個(gè)電極元件21。多個(gè)配線37分別形成于透射板4的表面4a。配線37是用于使構(gòu)成相同的電極 χ的電極元件21彼此導(dǎo)通的配線。配線37形成于被鄰接的兩個(gè)電極元件21所夾的區(qū)域。 配線37例如由Ag、Al、Au等金屬構(gòu)成。配線37例如在透射板4上形成有電極x、y后，通 過印刷等形成。絕緣層6層疊于配線37上。絕緣層6例如由SiO2構(gòu)成。多個(gè)配線36被層疊于絕緣層6上。配線36是用于使構(gòu)成相同的電極y的電極元 件11彼此導(dǎo)通的配線。配線36形成于被鄰接的兩個(gè)電極元件11所夾的區(qū)域，連接這些電 極元件11彼此。配線36例如由Ag、Al、Au等金屬構(gòu)成。另外，電極χ、y及配線31、32、36、37的一部分被涂敷層(圖示略)覆蓋。該涂敷 層利用外來光反射，起到抑制目視性惡化，防止在電極x、y及配線31、32、36、37上產(chǎn)生損傷 的功能。在這樣的輸入裝置A12中通過使用與第一實(shí)施方式相同的方法，使每個(gè)電極y的 大小不同，因此，可以降低每個(gè)電極y的靈敏度的誤差。其結(jié)果是，可以更正確地檢測(cè)方向 Y的手指Fg的接近位置。另外，配線36、37由金屬構(gòu)成。因此，可以實(shí)現(xiàn)配線36、37的電阻值的降低。由 此，可以實(shí)現(xiàn)電極y的靈敏度的提高。另一方面，在維持配線36、37的電阻值時(shí)，可以使配 線36、37的寬度減小。因此，可以使配線36、37重疊的面積減小。由此，可以使配線36、37 的寄生電容減小。于是，也可實(shí)現(xiàn)電極的靈敏度的提高。另外，由于使配線36、37的寬度減小，因此，即使由金屬形成配線36、37，難以對(duì)檢 測(cè)區(qū)域rl的外觀產(chǎn)生影響。(第二實(shí)施方式)使用圖12 圖17對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，在這些圖中，對(duì)于和 上述實(shí)施方式相同或類似的元件，附加與上述實(shí)施方式相同的符號(hào)。圖12是本實(shí)施方式的 輸入裝置的主要部分平面圖。該圖所示的輸入裝置A20在連接電極元件11彼此及電極元 件21彼此的配線31、32形成于被電極元件11、21所夾的間隙的點(diǎn)上主要與上述的輸入裝 置A11、A12不同。輸入裝置A20與上述輸入裝置幾乎相同，具備多個(gè)電極χ、多個(gè)電極y、多個(gè)配線 31、32、81、82、透射板4、柔性基板71、及IC芯片72。圖13是主要表示多個(gè)電極y的主要部分平面圖。圖14是主要表示多個(gè)電極χ的 主要部分平面圖。多個(gè)電極y及多個(gè)電極χ與上述的輸入裝置All、A12相同，均形成于透 射板4的表面4a。如圖13所示，多個(gè)電極y在方向Y并列。電極y分別具備沿方向X排列 的多個(gè)大致菱形的電極元件11。圖15對(duì)每個(gè)電極y的面積比P2進(jìn)行了表示。如該圖所 示，電極y的面積，電極y6 電極yl3比其它的電極y增大。電極y的面積的確定方法與 第一實(shí)施方式幾乎相同，該方法后述。如圖14所示，多個(gè)電極χ在X方向并列。電極χ分別具備沿方向Y排列的多個(gè)大致菱形的電極元件21。如圖12所示，在透射板4的表面4a形成有被電極元件11和電極元 件21所夾的間隙Si。如圖12、圖13所示，多個(gè)配線31形成于透射板4的表面4a。配線31均與電極元 件11連接。配線31具備配線311 315。配線311與配置于圖13的最左側(cè)或最右側(cè)的電極元件11連接。與配置于最左側(cè) 的電極元件11連接的配線311均從連接的電極元件11朝向端緣r5延伸，再沿方向Y向圖 下方延伸。另一方面，與配置于最右側(cè)的電極元件11連接的配線311均從連接的電極元件 11朝向端緣r6延伸，再沿方向Y向圖下方延伸。配線312與配置于圖13的最上側(cè)的電極yl4所包含的電極元件11連接。各配線 312從方向X中相鄰的兩個(gè)電極元件11朝向端部r4延伸，至非檢測(cè)區(qū)域r2。由此，使電極 yl4所包含的電極元件11彼此導(dǎo)通。配線313使電極yl yl3所包含的電極元件11中在方向X相鄰的兩個(gè)電極元件 11彼此導(dǎo)通。配線313形成于被該兩個(gè)電極元件11所夾的間隙。配線313相當(dāng)于本發(fā)明 的第一連接配線的一例。配線314與從圖13上配置為第二的電極yl3所包含的電極元件11連接。各配線 314與配置于由配線313連接的兩個(gè)電極元件11中左側(cè)的電極元件連接。各配線314從 電極元件11朝向端部r4延伸，至非檢測(cè)區(qū)域r2。另外，配線314以包圍電極yl4所包含 的電極元件11的方式配置，沒有與配線312的交叉部分。通過配線313、配線314，使電極 yl3所包含的電極元件11彼此導(dǎo)通。配線315與電極yl yl2所包含的電極元件11連接。配線315也和由配線313 連接的兩個(gè)電極元件11中配置于左側(cè)的電極元件連接。各配線315從電極元件11以穿過 包圍被電極元件11和電極元件21所夾的間隙si的方式向圖下方延伸，橫切端部r3，至非 檢測(cè)區(qū)域r2。如圖12所示，多個(gè)配線81形成于柔性基板71上。配線81分別與配線31連接。 另外，在柔性基板71上與相同的電極y所包含的電極元件11導(dǎo)通的配線81彼此連接。圖 12中，配線81彼此的交點(diǎn)用黑點(diǎn)表示。由引，相同的電極y(限于電極yl yl2)所包含的 電極元件11彼此分別導(dǎo)通。另外，配線314、配線315及配線315和配線81連接的一系列配線相當(dāng)于本發(fā)明的 連絡(luò)配線的一例。如圖12、圖14所示，配線32也與配線31—樣，形成于透射板4的表面4a。配線 32均與電極元件21導(dǎo)通。配線32具有配線321及配線322。配線321使方向Y中相鄰的 兩個(gè)電極元件21彼此導(dǎo)通。配線321形成于被這兩個(gè)電極元件21所夾的間隙。配線322 也使方向Y中相鄰的兩個(gè)電極21彼此導(dǎo)通。配線322為了避免與配線313交叉，以包圍與 配線313連接的兩個(gè)電極元件11的一方的方式配置。通過與配線321及配線322連接，相 同的電極χ所包含電極元件21彼此導(dǎo)通。另外，配線322與本發(fā)明的第二連接配線的一例 相當(dāng)。多個(gè)配線82形成于柔性基板71上。配線82分別與配線32連接。IC芯片72與配線81、82連接。IC芯片72經(jīng)由配線81及配線31等，與電極y連 接。IC芯片72還經(jīng)由配線82及配線32等與電極X連接。
17
在本實(shí)施方式中，也在IC芯片72上進(jìn)行與第一實(shí)施方式相同的處理，可以檢測(cè)手 指Fg的接近位置。下面，對(duì)電極y、電極χ的大小的確定方法的一例進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中電極 y、電極χ的面積也以電極y的面積均相等時(shí)靈敏度相對(duì)低的電極y(低靈敏度電極)的面 積比靈敏度(高靈敏度電極)相對(duì)高的電極y的面積增大的方式確定。首先，計(jì)算或測(cè)定多個(gè)電極y的面積相等時(shí)的每個(gè)電極y的靈敏度。為了計(jì)算或 測(cè)定多個(gè)電極y的面積為相等時(shí)的每個(gè)電極y的靈敏度，例如實(shí)行模擬，或?qū)嶋H試制多個(gè)電 極y相等時(shí)的輸入裝置即可。每個(gè)電極y的靈敏度受到從IC芯片72至電極y為止的配線 31,81的電阻及配線31、81和它們之外的其它配線的寄生電容的影響。圖16(a)表示通過 模擬來計(jì)算多個(gè)電極y的面積相等時(shí)的每個(gè)電極y的靈敏度Sl的結(jié)果的一例。如該圖所 示，電極y的靈敏度Sl具有電極yl0、yll及它們周圍的電極y與其它的電極y相比減小的 趨勢(shì)。圖17表示圖16(a)所示的靈敏度Sl的數(shù)值。得到靈敏度Sl的數(shù)值后，選擇電極yl0、yll的周圍的幾個(gè)電極y，例如電極y6 yl3。而且，如圖17所示，以這些電極y6 yl3比其它電極y增大的方式確定適當(dāng)?shù)闹底?為每個(gè)電極y的面積比P2。這樣，可以確定圖15所示的每個(gè)電極y的面積比P2。而且，根 據(jù)所確定的每個(gè)電極y的面積，確定電極元件11的面積。另外，電極元件21的面積確定為 電極元件21不與電極元件11重疊即可。下面，對(duì)輸入裝置A20的作用進(jìn)行說明。根據(jù)輸入裝置A20，如圖15所示，圖16(a)中靈敏度相對(duì)低的例如，電極ylO及電 極yll的面積比該圖中靈敏度相對(duì)地高的例如電極yl及電極y2增大。因此，某導(dǎo)電體以 相同的姿勢(shì)位于相同距離時(shí)的該導(dǎo)電體和相對(duì)地靈敏度小的電極ylO及電極yll的靜電電 容與某導(dǎo)電體以相同的姿勢(shì)位于相同的距離時(shí)的該導(dǎo)電體和電極yl及電極y2的靜電電容 相比增大。于是，對(duì)應(yīng)電極ylO及電極yll的檢測(cè)值也增大。這樣，可以減小每個(gè)電極y的 靈敏度的誤差。圖6(a)也表示使電極y的大小不同的輸入裝置A20的每個(gè)電極y的靈敏 度S2。如該圖所示，靈敏度S2與靈敏度Sl比較可知更均一。因此，根據(jù)輸入裝置A20，可 以更正確地檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近位置。另外，在配置于圖12的下側(cè)的電極yl、y2等所包含電極元件11的周圍形成有從 配置于電極yl、y2的上方的電極y所包含的電極元件11延伸的多個(gè)配線315。另一方面， 隨著趨近電極ylO及電極yll，在電極元件11的周圍所形成的配線315的數(shù)量減少。隨著 在電極元件11的周圍所形成的配線315的數(shù)量減少，電極元件11的周圍的空間增加。因 此，即使配置于該圖的上側(cè)的例如電極ylO所包含的電極元件11的大小比配置于該圖的下 側(cè)的例如電極yl所包含的電極元件11的大小增大，也不必使多個(gè)電極元件21的大小減 小。因此，即使使每個(gè)電極y的面積不同，也可以維持方向X的手指Fg的接近位置的檢測(cè) 精度。如圖16(b)所示，使電極y的面積不同時(shí)的電極χ的靈敏度S2與電極y的面積相同 時(shí)的電極χ的靈敏度Sl幾乎沒有變化。如圖13所示，在輸入裝置A20，方向X中相鄰的兩個(gè)電極元件11彼此由配線313 連接。因此，只要將至非檢測(cè)區(qū)域r2的配線31與該兩個(gè)電極元件的一方連接，就可以使相 同的電極y所包含的電極元件11彼此導(dǎo)通。由此，可以減少從電極元件11至非檢測(cè)區(qū)域 r2的配線31的數(shù)量。因至非檢測(cè)區(qū)域r2的配線31的數(shù)量減少，可以減少柔性基板71的配線81、82彼此的交叉部分的數(shù)量。由此，可以減小配線81、82之間的寄生電容。其結(jié)果 是可以使電極y及電極χ的靈敏度提高。在第二實(shí)施方式中記述的電極y的大小的確定方法也可以適用于圖18 圖25所 示的輸入裝置A21 A27。另外，在這些圖中，對(duì)于與上述實(shí)施方式相同或類似的元件附加 與上述實(shí)施方式相同的符號(hào)。首先，使用圖18對(duì)輸入裝置A21進(jìn)行說明。圖18是輸入裝置A21的主要部分平面圖。該圖所示的輸入裝置A21在配線31不 包含配線312 314的點(diǎn)及配線32不包含配線322的點(diǎn)與上述輸入裝置A20不同。根據(jù) 輸入裝置A21，因使用上述的方法使每個(gè)電極元件11的大小不同，所以可以降低每個(gè)電極y 的靈敏度的誤差。其結(jié)果是，可以更正確地檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近位置。例如，只要 使電極y4 y7所包含的電極元件11的大小增大即可。接著，使用圖19對(duì)輸入裝置A22進(jìn)行說明。圖19是輸入裝置A22的主要部分平面圖。在該圖所示的輸入裝置A22不包含配線 313的點(diǎn)及配線32不包含配線322的點(diǎn)與上述的輸入裝置A20不同。根據(jù)輸入裝置A22，通 過使用上述的方法使每個(gè)電極元件11的大小不同，可以降低每個(gè)電極y的靈敏度的誤差。 其結(jié)果是，可以更正確地檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近位置。例如，只要使電極y4 y6所 包含的電極元件11的大小增加即可。接著，使用圖20、圖21對(duì)輸入裝置A23進(jìn)行說明。圖20是輸入裝置A23的主要部分平面圖。圖21是圖20的區(qū)域Ra、Rb的局部放 大圖。圖20所示的輸入裝置A23在下述方面與上述的輸入裝置A20不同，S卩，與配置于 圖的下半部分的電極元件11連接的配線31從電極元件11向圖下方延伸，另一方面，與配 置于圖的上半部分的電極元件11連接的配線31從電極元件11向圖上方延伸。另外，配線 31彼此在柔性基板71中不連接，而在非檢測(cè)區(qū)域r2連接的點(diǎn)也與上述的輸入裝置A20不 同。在該圖中，將電極元件11中配置于圖下半部分的電極元件設(shè)為電極元件114、 115。電極元件114是配置于方向X的兩端的電極元件。電極元件115是配置于圖下半部 分的電極元件中除電極元件114之外的電極元件。同樣，將電極元件11中配置于圖的上半 部分的電極元件設(shè)為電極元件116、117。電極元件116是配置于方向X的兩端的電極元件。 電極元件117是配置于圖的上半部分的電極元件中除電極元件116之外的電極元件。配線31 具備配線 331、332、333、341、342、343。配線 331、332、333、341、342、343 例 如由ITO及IZO等透明的導(dǎo)電性材料、Al、Ag、或Au等金屬構(gòu)成。配線331與配置于圖的兩端的電極元件114連接。配線331從配置于圖的右端的 電極元件114沿在非檢測(cè)區(qū)域r2中端緣r6朝向圖下方延伸，再沿端部r3向圖左方延伸。 而且，配線331在圖左下彎曲(參照區(qū)域Ra)，沿端緣r5朝向圖上方延伸，與配置于圖左端 的電極元件114連接。配線332在配線331彎曲為朝向圖上方的部分與配線331連接。配線332朝向圖 下方延伸，分別與形成于柔性基板71的配線81連接。配線333與電極元件115分別連接。配線333從電極元件115沿方向Y向圖下方延伸。配線333在非檢測(cè)區(qū)域r2(例如區(qū)域Rb)與配線331連接。由此，配置于圖的下半 部分的相同的電極y所包含的電極元件11彼此導(dǎo)通。如在圖21 (a)較好地表示，在區(qū)域Ra，多個(gè)配線331和多個(gè)配線332交叉。在區(qū) 域Ra與不同的電極y導(dǎo)通的配線331及配線332隔著絕緣層zl被層疊。由此，防止與不 同的電極y導(dǎo)通的配線331和配線332彼此導(dǎo)通。同樣，如在圖21(b)較好地表示，在區(qū)域Rb，多個(gè)配線331與多個(gè)配線333交叉。 在區(qū)域Rb，與不同的電極y導(dǎo)通的配線331及配線333隔著絕緣層z2被層疊。由此，防止 與不同的電極y導(dǎo)能的配線331、333彼此導(dǎo)通。另外，在區(qū)域Rb多個(gè)配線331和配線32 交叉。在區(qū)域Rb多個(gè)配線331及配線32隔著絕緣層z3被層疊。由此，防止多個(gè)配線331 和配線32導(dǎo)通。當(dāng)然，在區(qū)域Rb之外的與不同的電極y導(dǎo)通的配線331和配線333交叉 的部分及配線331和配線32交叉的部分也形成有絕緣層z2、z3。如圖20所示，配線341與配置于方向X的兩端的電極元件116連接。配線341從 配置于圖右端的電極元件116在非檢測(cè)區(qū)域r2中沿端緣r6朝向圖上方延伸。而且，配線 341在非檢測(cè)區(qū)域r2中沿端部r4朝向圖左方延伸。而且，配線341沿端緣r5朝向圖下方 延伸，并彎曲成朝向圖右方(例如參照區(qū)域Re)。而且，配線341與配置于圖左端的電極元 件116連接。配線342在配線341彎曲為朝向圖右方的部分與配線341連接。而且，配線342 沿端緣r5或端緣r6，延伸至柔性基板71為止。配線342分別與形成于柔性基板71的配線 81連接。配線343分別與電極元件117連接。配線343從電極元件117朝向圖的上方延伸 至端部r4為止。配線343在非檢測(cè)區(qū)域r2與配線341連接(例如參照區(qū)域Rd)。由此，配 置于圖的上半部分的相同的電極y所包含的電極元件11彼此導(dǎo)通。在區(qū)域Rc中，與區(qū)域Ra、Rb 一樣，與不同的電極y導(dǎo)通的配線341和配線342交 叉。在區(qū)域Re，與不同的電極y導(dǎo)通的配線341及配線342隔著絕緣層z4被層疊。由此， 防止與不同的電極y導(dǎo)通的配線341、342彼此導(dǎo)通。在區(qū)域Rd，與不同的電極y導(dǎo)通的配 線341和配線343交叉。在區(qū)域Rd中，與不同的電極y導(dǎo)通的配線341及配線343隔著絕 緣層z5被層疊。由此，防止與不同的電極y導(dǎo)通的配線341、343彼此導(dǎo)通。當(dāng)然，在區(qū)域 Rc、Rd之外的與不同的電極y導(dǎo)通的配線341和配線342交叉的部分及配線341和配線343 交叉的部分也形成有絕緣層z4、z5。根據(jù)這種輸入裝置A23，因使用上述的方法使每個(gè)電極元件11的大小不同，所以 可以降低每個(gè)電極y的靈敏度的誤差。其結(jié)果是，可以更正確地檢測(cè)方向Y的手指Fg的接 近位置。例如，只要使配置于區(qū)域Re的電極元件11的面積增大即可。根據(jù)輸入裝置A23，主要形成于檢測(cè)區(qū)域rl的配線333、343由與電極x、y相同的 材料即透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成時(shí)，可以維持檢測(cè)區(qū)域rl的美觀。另外，電極x、y及配線333、 343由相同的材料構(gòu)成時(shí)，可以同時(shí)形成這些電極x、y及配線333、343。由此，可以實(shí)現(xiàn)輸 入裝置A23的制造工序的簡(jiǎn)單化。主要形成于非檢測(cè)區(qū)域r2的配線331、332、341、342由與電極x、y相同的材料即 透明的導(dǎo)電性材料構(gòu)成時(shí)，也可以實(shí)現(xiàn)輸入裝置A23的制造工序的簡(jiǎn)單化。另外，配線331、332、341、342由Al、Ag、或Au等金屬構(gòu)成時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)配線331、332、341、342的低電阻化。而且，這樣一來，因配線331、332、341、342主要形成于非檢測(cè)區(qū) 域r2，所以不對(duì)檢測(cè)區(qū)域rl的美觀產(chǎn)生壞影響。在區(qū)域Ra、Rb、Re、Rd的配線31、配線32的層疊部分，例如配線31、32中透射板4 側(cè)(即下層側(cè))的配線由透明的導(dǎo)電性材料構(gòu)成，且配線31、32中相對(duì)于絕緣層zl至z5的 任一個(gè)，透射板4的相反側(cè)(即上層側(cè))的配線也可以由金屬構(gòu)成。據(jù)此，可以與電極x、y 同時(shí)形成配線31、32中靠透射板4的配線。另外，可以降低配線31、32中相對(duì)于絕緣層zl 至z5的任一個(gè)的透射板4的相反側(cè)的配線的電阻值。配線333與電極元件115連接，配線343與電極元件117連接。這是指配線31從 電極元件11朝向距該電極元件11近的端部r3或r4延伸。由此，可以縮短檢測(cè)區(qū)域rl的 配線31的長(zhǎng)度，可以降低配線31的電阻值。其結(jié)果是可以期待電極y靈敏度的提高。形成于區(qū)域Ra、Rb、Rc、Rd等的絕緣層zl z5是形成于非檢測(cè)區(qū)域r2的絕緣層， 而不形成于檢測(cè)區(qū)域rl。因此，由于形成這些絕緣層zl z5，從而不對(duì)檢測(cè)區(qū)域rl的光 透射率及折射率產(chǎn)生影響。由此，可依然良好維護(hù)檢測(cè)區(qū)域rl的美觀。另外，在非檢測(cè)區(qū) 域r2形成絕緣層zl z5時(shí)，不需要微細(xì)加工。由此，可以實(shí)現(xiàn)輸入裝置A23的制造工序 的簡(jiǎn)單化。配線331、332、333彼此及配線341、342、343彼此分別在非檢測(cè)區(qū)域r2連接。因 此，不必在柔性基板71中連接配線31彼此、配線32彼此。由此，可以減少在柔性基板71 中必須形成的配線81的數(shù)量。其結(jié)果是，可以實(shí)現(xiàn)柔性基板71的小型化。因此，可以削減 輸入裝置A23的制造成本。下面，使用圖22對(duì)輸入裝置A24進(jìn)行說明。圖22是輸入裝置A24的主要部分平面圖。該圖所示的輸入裝置A24與上述的輸 入裝置A23相比，在配線332(除了配線332')不與配線331直接連接而與電極元件114 連接，且配置于電極元件114及與這些電極元件114鄰接的電極元件21之間所形成的間隙 si這一點(diǎn)不同。另外，輸入裝置A24在配線342(除了配線342')不與配線341直接連接 而與電極元件116連接，且在配置于電極元件116及與該電極元件116鄰接的電極元件21 之間所形成的間隙si的點(diǎn)也與輸入裝置A23不同。配線332在檢測(cè)區(qū)域rl從電極元件114大致沿端緣r5或端緣r6向圖上方延伸。 而且，配線332在方向Y的中央部分橫切端緣r5或端緣r6。另外，配線332在非檢測(cè)區(qū)域 r2沿端緣r5或端緣r6延伸，至柔性基板71。配線332'在圖的右下的非檢測(cè)區(qū)域r2與配線331連接。配線332'也延伸至柔 性基板71。配線342在檢測(cè)區(qū)域rl從電極元件116大致沿端緣r5或端緣r6向下方延伸。而 且，配線342在方向Y的中央部分橫切端緣r5或端緣r6。另外，配線342在非檢測(cè)區(qū)域r2 沿端緣r5或端緣r6延伸，至柔性基板71。配線342'在方向X的中央部分的非檢測(cè)區(qū)域r2與配線341連接。配線342'也 延伸至柔性基板71。根據(jù)這種輸入裝置A24，通過使用上述的方法使每個(gè)電極元件11的大小不同，可 以降低每個(gè)電極y的靈敏度的誤差。其結(jié)果是，可以更正確地檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近 位置。例如，使配置于區(qū)域Rf的電極元件11的大小增大即可。
在輸入裝置A24中，配線331和配線332沒有被層疊。S卩，圖20所示的輸入裝置 A23的區(qū)域Ra的配線331及配線332的交叉部分在輸入裝置A24中沒有形成。因此，可以 減小配線331和配線332之間的寄生電容。由此，可以期待電極y的靈敏度的提高。在輸入裝置A24中，配線341和配線342沒有被層疊。因此，可以減小配線341和 配線342之間的寄生電容。由此，可期待電極y的靈敏度的提高。另外，輸入裝置A24具有 與輸入裝置A23具有的優(yōu)點(diǎn)同樣的優(yōu)點(diǎn)。下面，使用圖23對(duì)輸入裝置A25進(jìn)行說明。圖23是輸入裝置A25的主要部分平面圖。該圖所示的輸入裝置A25與上述的輸入 裝置A24比較，在連結(jié)配置于電極元件11中方向Y的中央的電極元件118彼此的配線334 形成于被方向Y中鄰接的電極元件214、215所夾的間隙這一點(diǎn)不同。另外，輸入裝置A25在 與電極元件214分別連接的配線32沿配線334朝向端緣r5或端緣r6延伸的點(diǎn)也與輸入 裝置A24不同。這些配線32在非檢測(cè)區(qū)域r2中沿端緣r5或端緣r6朝向圖的下方延伸， 與形成于柔性基板71的配線82連接。根據(jù)這種輸入裝置A25，通過使用上述方法使每個(gè)電極元件11的大小不同，可以 降低每個(gè)電極y的靈敏度的誤差。其結(jié)果是可以更正確地檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近位 置。例如，只要使配置于區(qū)域Rg的電極元件11的大小增加即可。在輸入裝置A25中，電極元件118彼此利用配線334導(dǎo)通。因此，不必形成用于使 電極元件118導(dǎo)通的配線331。由此，例如，在區(qū)域Ra及區(qū)域Rb中可以減少配線31、32彼 此的交叉數(shù)量。其結(jié)果是，可以減小配線31彼此及配線31和配線32之間的寄生電容。由 此，可期待電極y的檢測(cè)靈敏度的提高。下面，使用圖24對(duì)輸入裝置A26進(jìn)行說明。圖24是輸入裝置A26的主要部分平面圖。該圖所示的輸入裝置A26其配線31、 32的配置狀態(tài)與上述實(shí)施方式的輸入裝置A23不同。在該圖中，對(duì)于電極y從下按順序?qū)?稱為Ια、1β、1 Υ、1α、1β、1 Y的電極附加符號(hào)。將電極Ia、1β、1 Υ所包含的電極元件 11分別稱為電極元件11 α、11 β、11 Υ。配線31具備配線355、356、357、358。配線355連接電極元件11 α彼此并使其導(dǎo) 通。配線355通過電極元件11 α的左右上方的間隙si。另外，配線355也通過被電極元件 11 β彼此所夾的間隙。配線356連接電極元件11 β彼此并使其導(dǎo)通。配線356形成于被電極元件11 β 彼此所夾的間隙。配線356沿方向X延伸。配線357連接電極元件11 Y彼此并使其導(dǎo)通。配線357通過電極元件11 Y的左 右下方的間隙si。另外，配線357通過被電極元件11 β彼此所夾的間隙。配線358分別與配置于方向X的一端的電極元件Ila、11 β、11γ連接。配線358 從電極元件Ila、11 β、11Υ朝向端緣r5或端緣r6延伸，而且，非檢測(cè)區(qū)域r2中朝向圖下 方延伸。配線358分別與形成于柔性基板71的配線81連接。電極元件21具備電極元件21a、21b、21c。配線32具備配線32m、362、363、364。配線32m連接方向Y中相互鄰接的電極元件 21彼此。配線32m連接在方向Y相互鄰接的電極元件21a、21b彼此，21b、21c彼此。由此，電極元件21a、21b、21c彼此導(dǎo)通。配線362與電極元件21b連接。配線362從電極元件21b朝向端緣r5或端緣r6 延伸。配線362朝向端緣r5或端緣r6中更接近該配線362連接的電極元件21b的電極元 件延伸。配線362以與配線362連接的電極元件21b之外的電極元件21、電極元件11及配 線31、32均不重疊的方式配置為包圍處于電極元件21a、21b、21c中的一端的電極元件21a 或電極元件21c。配線363與配置于圖的最上部的電極元件21a連接。配線363在非檢測(cè)區(qū)域r2中 從該電極元件21a沿端部r4向圖左方或右方延伸，再沿端緣r5或端緣r6向圖下方延伸。 而且，配線363與形成于柔性基板71的配線82連接。配線363在沿端緣r5或端緣r6朝 向圖下方延伸的部分與配線362的一端連接。配線363在端部r4的上方與不同的電極元件21連接的配線363交叉。在該交叉 部分多個(gè)配線363隔著絕緣層z7被層疊。由此，防止與不同的電極χ導(dǎo)通的配線363導(dǎo) 通。同樣地，配線363在沿端緣r5或端緣r6向圖下方延伸的部分與配線362交叉。在該 交叉部分配線363和配線362隔著絕緣層z8被層疊。由此，防止與不同的電極χ導(dǎo)通的配 線363及配線362導(dǎo)通。另外，配線363在沿端緣r5或端緣r6向圖下方延伸的部分與配 線358交叉。在該交叉部分，配線363及配線358隔著絕緣層z9被層疊。由此，防止由此 配線363和配線358導(dǎo)通。配線364與配置于圖的最下部的電極元件21b連接。配線364也與配線82連接。根據(jù)這種輸入裝置A26，通過使用上述方法使每個(gè)電極元件11的大小不同，可以 降低每個(gè)電極y的靈敏度的誤差。其結(jié)果是，可以更正確地檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近位 置。例如，只要使配置于區(qū)域Rh的電極元件11的大小增大即可。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，配線32m使電極元件21a、21b、21c彼此導(dǎo)通。因此，只要將 至非檢測(cè)區(qū)域r2的配線32與電極元件21b連接，就可以使相同的電極χ所包含的電極元 件21彼此導(dǎo)通。即，不必將至非檢測(cè)區(qū)域r2的配線32與電極元件21a、21c導(dǎo)通。因此， 可以減少至非檢測(cè)區(qū)域r2的配線32的數(shù)量。由此，可以減少非檢測(cè)區(qū)域r2的配線31、32 彼此的交叉部分。因此，可以減小配線31、32之間的寄生電容。另外，由于可以減少至非檢 測(cè)區(qū)域r2的配線32的數(shù)量，從而也可以使柔性基板71減小。與配置于圖的左半部分的電極元件21b連接的配線362向圖的左方延伸。另一方 面，與配置于圖的右半部分的電極元件21b連接的配線362向圖的右方延伸。S卩，配線362 朝向更接近于端緣r5或端緣r6中該配線362連接的電極元件21b延伸。因此，可以縮短 檢測(cè)區(qū)域rl的配線362的長(zhǎng)度，可以降低配線362的電阻值?？梢云诖浣Y(jié)果及電極y的 靈敏度的提高。方向X中與相鄰的電極元件21b連接的配線362的一方以包圍電極元件21a的方 式配置，這些配線362的另一方以包圍電極元件21c的方式配置。這些配線362沒有配置 于相同的間隙si。因此，可以縮小間隙si的寬度。由此，可以進(jìn)一步擴(kuò)大占據(jù)檢測(cè)區(qū)域rl 的電極x、y的面積，可以期待電極x、y的靈敏度的提高。沿方向X的端部r3、r4的長(zhǎng)度比沿方向Y的端緣r5、r6的長(zhǎng)度更短。因此，沿方 向X形成配線362適于進(jìn)一步縮短配線362的長(zhǎng)度。下面，使用圖25對(duì)輸入裝置A27進(jìn)行說明。
圖25是輸入裝置A27的主要部分平面圖。電極y中從配置于方向Y的中央的電 極設(shè)為電極la、lb、lc、Id。將電極la、lb、lc、Id所包含的電極元件11分別設(shè)為電極元件 11a、lib、11c、lid。電極la在檢測(cè)區(qū)域rl沿方向X。將電極元件21中配置于方向X的兩端的電極元件設(shè)為電極元件211。另外，將電 極元件21中除電極元件211之外的電極元件設(shè)為電極元件212。在圖25的方向Y的中央部分形成有被電極元件212所夾的間隙s2。間隙s2也被 電極元件Ila所夾。間隙s2沿方向X配置多個(gè)。在輸入裝置A27中間隙s2形成有三個(gè)。配線32與上述實(shí)施方式相同，形成于透射板4的表面4a。將配線32中與電極元 件211連接的配線設(shè)為配線321或配線322。將配線32中與電極元件212連接的配線設(shè)為 配線323或配線324。配線321從電極元件211沿方向X向端緣r5、r6延伸。配線321彼此在非檢測(cè)區(qū) 域r2連接。配線321中形成于非檢測(cè)區(qū)域r2的部分由Ag、Al等金屬構(gòu)成。在圖27中將 由該金屬構(gòu)成的部分用灰色表示。配線322從配置于圖的最下部的電極元件211向圖下方 延伸。配線323形成于被電極元件212所夾的間隙，連接這些電極元件212彼此。但是，配 線323沒有形成于間隙s2。配線324從配置于圖的最上部、最下部的電極元件212分別向 圖上方、圖下方延伸。配線324例如在與端部r3、r4鄰接的非檢測(cè)區(qū)域r2與配線317、318 交叉。為了防止配線324和配線317、318導(dǎo)通，形成有絕緣層ζ。配線31形成于透射板4的表面4a。配線31具備配線314、315、316、317、318。配 線314形成于間隙s2。配線314連接電極元件Ila彼此。配線315從配置于電極元件lib、 IlcUld的端緣r5、r6的附近朝向檢測(cè)區(qū)域rl的內(nèi)部延伸。配線316連接電極元件lib彼 此。配線316從電極元件lib朝向檢測(cè)區(qū)域rl的內(nèi)部延伸，形成于與電極元件Ila鄰接的 間隙si及間隙s2。配線317連接電極元件lie彼此。配線317從電極元件Ilc朝向端部 r3、r4延伸，形成于與電極元件Ild鄰接的間隙Si。配線318連接電極元件Ild彼此。配 線318從電極元件Ild朝向端部r3、r4延伸。配線82與配線322、324分別連接。與配線324連接的配線82彼此在柔性基板71 內(nèi)連接。由此，夾著間隙s2配置于圖的上側(cè)及下側(cè)的電極元件212彼此導(dǎo)通。配線81分別與從配置于方向X的端部的電極元件11延伸的配線31連接。根據(jù)這種輸入裝置A27，通過使用上述的方法使每個(gè)電極元件11的大小不同，可 以降低每個(gè)電極y的靈敏度的誤差。其結(jié)果是可以更正確地檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近 位置。例如，只要使配置于區(qū)域Ri的電極元件11的大小增大即可。另外，通過在間隙si、s2形成配線316，可以連接電極元件lib彼此。因此，在非 檢測(cè)區(qū)域r2等不必形成用于連接電極元件lib彼此的配線31。這適于縮短配線316，適于 實(shí)現(xiàn)配線31的電阻值的降低。另外，在非檢測(cè)區(qū)域r2中可以減少配線31和配線32的交 叉部分。因此，在非檢測(cè)區(qū)域r2中可以減少用于對(duì)配線31和配線32進(jìn)行絕緣的絕緣層。配線321均具有沿方向X向端緣r5、r6延伸的部分。因此，在被鄰接的電極元件 211彼此所夾的間隙可以形成連接與該間隙鄰接的電極元件11的配線31。這適于進(jìn)一步 縮短配線31，也適于實(shí)現(xiàn)配線31的電阻值的降低。配線318從電極元件Ild朝向非檢測(cè)區(qū)域r2延伸，而不向檢測(cè)區(qū)域rl的內(nèi)部延 伸。因此，不必在間隙si形成配線318。其結(jié)果是可以減少必須在間隙si形成的配線31的數(shù)量。由此，可以減小間隙si的大小。這適于使在檢測(cè)區(qū)域rl內(nèi)電極x、y占據(jù)的面積 增加，提高電極x、y的靈敏度。(第三實(shí)施方式)使用圖26 圖28對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，在這些圖中，對(duì)與上 述實(shí)施方式相同或類似的元件附加與上述實(shí)施方式相同的符號(hào)。圖26是本實(shí)施方式的輸 入裝置的主要部分平面圖。該圖所示的輸入裝置A30是所謂滑動(dòng)式的輸入裝置，方向X的 手指Fg的檢測(cè)方法與上述的輸入裝置的方法不同。輸入裝置A30具備多個(gè)電極y、配線38、39、81、82、透射板4、柔性基板71及IC芯 片72。多個(gè)電極y形成于透射板4的表面4a。電極y沿方向Y并列，并且沿方向X延伸。 電極y分別具備滑動(dòng)電極15、16。圖27對(duì)每個(gè)電極y的面積進(jìn)行表示。電極y的面積即指 滑動(dòng)電極15及滑動(dòng)電極16的面積的和。如圖27所示，按電極yl、y2…的順序，電極y的面積增大。每個(gè)電極y的面積可 以按照與第一實(shí)施方式及第二實(shí)施方式中所述的方法同樣的方法來確定。滑動(dòng)電極15是頂端朝向方向X—方的楔狀。即，滑動(dòng)電極15以朝向圖右方，方向 Y的大小減小的方式延伸。滑動(dòng)電極16是頂端朝向方向X的另一方的楔狀。即，滑動(dòng)電極 16以朝向圖左方方向Y的大小減小的方式延伸?；瑒?dòng)電極15及滑動(dòng)電極16沿方向Y相互 配置。配線38、39形成于透射板4的表面4a。配線38、39是對(duì)由例如ΙΤ0、IZO等透明 的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的薄膜實(shí)施了構(gòu)圖的配線。配線38與滑動(dòng)電極15連接，配線39與滑動(dòng) 電極16連接。配線38、39均從滑動(dòng)電極15或滑動(dòng)電極16延伸至透射板4的圖中下端為止。柔性基板71設(shè)置于方向Y的透射板4的端部。柔性基板71上形成有配線81、82。 配線81分別與配線38連接。配線82分別與配線39連接。IC芯片72裝載于柔性基板71 上。IC芯片72經(jīng)由配線81、38與滑動(dòng)電極15連接。另外，IC芯片72經(jīng)由配線82、39與 滑動(dòng)電極16連接。在本實(shí)施方式中，IC芯片72也可獨(dú)立且經(jīng)常地檢測(cè)對(duì)應(yīng)滑動(dòng)電極15的 檢測(cè)值、及對(duì)應(yīng)滑動(dòng)電極16的檢測(cè)值地構(gòu)成。下面，使用圖26、圖28對(duì)檢測(cè)使用輸入裝置A30的手指Fg的接近位置的方法的一 例進(jìn)行說明。圖28(a)是表示每個(gè)電極y的檢測(cè)值的直方圖。在使用者不作任何操作的狀態(tài)下，電極y和手指Fg之間幾乎不產(chǎn)生靜電電容。接 著，如圖26所示，使用者讓手指Fg接近透射板4的表面4a。這時(shí)，電極y和手指Fg的距離 減小。由此，在手指Fg和電極y之間產(chǎn)生靜電電容。電極y中和手指Fg的距離越近，檢測(cè) 值增加。圖28 (a)中電極y中電極y4的檢測(cè)值最大。接著，IC芯片72對(duì)與電極y4相鄰的兩個(gè)電極y3及電極y5的檢測(cè)值計(jì)算加權(quán)平 均。由此，可以檢測(cè)方向Y的手指Fg的更正確的接近位置。接著，使用全部滑動(dòng)電極15的檢測(cè)值的和Tl及全部滑動(dòng)電極16的檢測(cè)值的和 T2，檢測(cè)手指Fg的方向X的位置。圖28(b)表示Tl及T2的值。如該圖所示，滑動(dòng)電極15 的檢測(cè)值的和Tl和滑動(dòng)電極16的檢測(cè)值的和T2的比為1 3。因此，可以判斷方向X的 手指Fg的位置為0. 75。
這樣，在輸入裝置A30中，IC芯片可以檢測(cè)方向Y及方向X的手指Fg的接近位置。在輸入裝置A30中也可以使用與第一實(shí)施方式及第二實(shí)施方式同樣的方法，如圖 27所示使每個(gè)電極y的大小不同，由此，可以降低每個(gè)電極y的靈敏度的誤差。其結(jié)果是可 以更正確地檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近位置。(第四實(shí)施方式)使用圖29 圖33對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖29是本實(shí)施方式的輸 入裝置的主要部分的平面圖。圖30是主要表示圖29的電極y的主要部分平面圖。圖31 是主要表示圖29的電極χ的主要部分平面圖。圖32是圖29的區(qū)域XXXII的局部放大圖。 圖33是沿圖32的XXXIII線的主要部分剖面圖。另外，在這些圖中，對(duì)與上述實(shí)施方式相 同或類似的元件附加與上述實(shí)施方式相同的符號(hào)。輸入裝置A40與輸入裝置A20比較，方向X的尺寸增大，方向Y的尺寸減小。因 此，輸入裝置A40與輸入裝置A20比較，電極χ的數(shù)量增加，電極y的數(shù)量減少。在輸入裝 置A40中電極χ的數(shù)量為20，電極y的數(shù)量為11。輸入裝置A40具備多個(gè)電極X、多個(gè)電極y、多個(gè)配線31、32、光透射層53 (參照?qǐng)D 32、圖33，在圖29 圖31中省略)、涂敷層55 (參照?qǐng)D33、在圖29 圖32中省略)、透射 板4、柔性基板(參照?qǐng)D12，在本實(shí)施方式中圖示略)及IC芯片(參照?qǐng)D12，在本實(shí)施方式 中圖示略)。電極χ、電極y、配線32、透射板4的具體的結(jié)構(gòu)因與輸入裝置A20同樣，所示省略 說明。在本實(shí)施方式中電極y的面積，電極y7 ylO比其它的電極y增大。如圖30所示，配線31與輸入裝置A20同樣具備配線311 315。因這些具結(jié)構(gòu) 與輸入裝置A20同樣，所以省略詳細(xì)的說明。但是，在本實(shí)施方式中與輸入裝置A20不同， 配線315也與多個(gè)電極y中自圖30的上部第二個(gè)電極(電極ylO)連接。在輸入裝置A20 中，配線315不與多個(gè)電極y中自圖13的上部第二個(gè)電極(電極yl3)連接。圖30的電極 y8、y9所包含的電極元件11以三個(gè)為一組，與配線313連接。如圖32、圖33較好地表示，光透射層53形成于透射板4的表面4a。光透射層53 形成于被電極元件11和電極元件21所夾的間隙Si。光透射層53為提高目視性而設(shè)置。 從透射板4入射到光透射層53的光通過光透射層53朝向涂敷層55行進(jìn)。構(gòu)成光透射53 層的材料的折射率與構(gòu)成涂敷層55的材料的折射率不同。優(yōu)選構(gòu)成光透射層53的材料的 折射率與構(gòu)成電極元件11、21的材料的折射率同等大小。在本實(shí)施方式中，光透射層53由 與構(gòu)成電極元件11及電極元件21的材料(例如ΙΤ0、ΙΖ0)相同的材料構(gòu)成。因此，光透射 層53及電極元件11、21的折射率相同。這時(shí)，光透射層53在透射板4的表面4a上與形成 電極元件11、21同時(shí)地形成。光透射層53在使用與構(gòu)成電極元件11及電極元件21的材 料相同的材料時(shí)，光透射層53可以說由導(dǎo)電性的材料構(gòu)成。光透射層53由導(dǎo)電性的材料 構(gòu)成時(shí)，需要光透射層53和與該光透射層53鄰接的電極元件11、21電絕緣。因此，光透射 層53和與該光透射層53鄰接的電極元件11、21隔著間隙而配置。如圖32、圖33較好地表示，在本實(shí)施方式中，光透射層53包含多個(gè)線元53a、53b。 各線元53a、53b是向沿電極元件11及電極元件21的緣的方向延伸的形狀。多個(gè)線元53a、 53b經(jīng)由間隙相互并列。線元53a和電極元件11隔著間隙配置。線元53b和電極元件21 隔著間隙配置。
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如圖32、圖33較好地表示，涂敷層55覆蓋電極x、y、及光透射層53。涂敷層55 起到抑制因外來光反射目視性惡化、或粘接未圖示的透明面板的功能。涂敷層55由使光透 射的透明的絕緣材料構(gòu)成，這種材料例如舉出紫外線硬化樹脂。涂敷層55的折射率例如為 1. 5左右。另外，構(gòu)成電極x、y(電極元件11、21)的材料的折射率例如為2. 0左右。另外， 構(gòu)成透射板4的材料的折射率例如為1. 5左右。下面，對(duì)輸入裝置A40的作用進(jìn)行說明。 在輸入裝置A40中，由于與上述的實(shí)施方式一樣使每個(gè)電極y的大小不同，所以可 以降低每個(gè)電極y的靈敏度誤差。其結(jié)果是，可以更正確地檢測(cè)方向Y的手指Fg的接近位置。輸入裝置A40是方向X的尺寸大，尺寸Y的尺寸小的橫長(zhǎng)的形狀。因此，使電極 YlO所包含的電極元件11彼此導(dǎo)通的配線314的長(zhǎng)度變得比較長(zhǎng)。這樣的情況下，與電極 YlO所包含的電極元件11連接的配線314的電阻增大。另一方面，在輸入裝置A40中，電 極ylO還連接有配線315。由此，可以降低與電極10連接的配線的電阻。因此，根據(jù)輸入裝 置A40，可以使電極ylO的靈敏度和多個(gè)電極ylO中電極ylO之外的電極的靈敏度沒多少差 別。因此，輸入裝置A40適于抑制每個(gè)電極y的靈敏度誤差。在橫長(zhǎng)形狀的輸入裝置A40中，電極y的數(shù)量減少。其結(jié)果是，形成于被圖29的 最下部的電極元件11及電極元件21所夾的間隙si的配線315的數(shù)量減少。因此，即使將 配線315與連接電極ylO所包含的電極元件11連接，也不必?cái)U(kuò)大間隙si的寬度。由此，不 使電極元件11、21的面積減小，可以將配線315與電極ylO所包含的電極元件11連接。在輸入裝置A40中，在光透射層53和涂敷層55的界限，從透射板4的一側(cè)朝向涂 敷層55的一側(cè)的光的一部分反射。因此，將利用由液晶顯示面板B顯示的圖像等中不通過 電極元件11、21而通過間隙si的光所目視的區(qū)域亮度可以趨近利用由液晶顯示面板B顯 示的圖像中通過電極元件11、21的光所目視的區(qū)域的亮度。由此，在看見液晶顯示面板B 所顯示的圖像等時(shí)，在圖像等上難以產(chǎn)生亮區(qū)域和暗區(qū)域。即，看見液晶顯示面板B所顯示 的圖像等時(shí)，圖像等亮度更均一。這樣，輸入裝置A40適于使液晶顯示面板B所顯示的圖像 等的美觀(目視性)提高。在輸入裝置A40中，光透射層53由與構(gòu)成電極元件11、21的材料相同的材料構(gòu) 成。該結(jié)果是，構(gòu)成光透射層53的材料的折射率和構(gòu)成電極元件11、21的材料的折射率相 同。因此，根據(jù)輸入裝置A40，在光通過光透射層53時(shí)和光通過電極元件11、21時(shí)，可以使 從透射板4的一側(cè)朝向涂敷層55 —側(cè)的光的透射率大致相同。由此，看見液晶顯示面板B 所顯示的圖像時(shí)，更難產(chǎn)生圖像等上亮區(qū)域和暗區(qū)域。即，看見液晶顯示面板B所顯示的圖 像等時(shí)，圖像等的亮度更均一。這樣，輸入裝置A40適于進(jìn)一步提高液晶顯示面板B所顯示 的圖像等的美觀(目視性)。在輸入裝置A40中，光透射層53包含相互隔著間隙配置的多個(gè)線元53a、53b。這 種輸入裝置A40適于降低相互鄰接的電極元件11和電極元件21之間寄生電容。作為其理 由之一認(rèn)為如下所述。線元53a由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，且和電極元件11隔著間隙配置。因此，在輸入裝置 A40中，可以說形成有將電極元件11和線元53a作為電極對(duì)的電容器Cl (參照?qǐng)D33)。同 樣，線元53b由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，且和電極元件21隔著間隙配置。因此，在輸入裝置A40中，可以說形成有將電極元件21和線元53b作為電極對(duì)的電容C2 (參照?qǐng)D33)。在本實(shí)施方式 中線元53a、53b還相互隔著間隙配置。因此，輸入裝置A40中可以說形成有將線元53a和 線元53b及為電極對(duì)的電容器C3(參照?qǐng)D33)。如圖33所示，相互鄰接的電極元件11和電極元件21之間的寄生電容是被串聯(lián)連 接的電容器Cl、C2、C3的合成電容。在本實(shí)施方式中，在被串聯(lián)連接的電容器Cl、C2之間 還串聯(lián)地連接有電容器C3。另一方面，與本實(shí)施方式不同，光透射層53不包含相互隔著間 隙配置的線元53a、53b時(shí)，即光透射層53是一種膜狀部件時(shí)，相互鄰接的電極元件11和電 極元件21之間的寄生電容只是被串聯(lián)連接的電容器C1、C2的合成電容。因此，在本實(shí)施方 式中，光透射層53與不包含相互隔著間隙配置的線元53a、53b時(shí)相比，只要串聯(lián)地連接電 容器C3，就可以減小電極元件11和電極元件21之間的寄生電容。因此，輸入裝置A40適于 降低相互鄰接的電極元件11和電極元件21之間的寄生電容。圖34表示光透射層的變形例。本變形例的光透射層53不由導(dǎo)電性材料構(gòu)成而由 絕緣性樹脂構(gòu)成。光透射層53以埋入被電極元件11和電極元件21所夾的間隙si的方式形成。光 透射層53與電極元件11及電極元件21相接。構(gòu)成光透射層53的材料的折射率與構(gòu)成涂 敷層55的材料的折射率不同。優(yōu)選構(gòu)成光透射層53的材料的折射率與構(gòu)成電極元件11、 21的材料的折射率為同等大小。從減小電極元件11和電極元件21之間的寄生電容的觀點(diǎn) 來看，優(yōu)選構(gòu)成光透射層53的材料的電容率比構(gòu)成涂敷層55的材料的電容率小的一種。這種結(jié)構(gòu)中，在光透射層53和涂敷層55的界限，從透射板4的一側(cè)朝向涂敷層55 的一側(cè)的光的一部分反射。因此，可以使利用由液晶顯示面板B顯示的圖像等中不通過電 極元件11、21而通過間隙si的光所目視的區(qū)域的亮度趨近于利用由液晶顯示面板B顯示 的圖像等中通過電極元件11、21的光所目視的區(qū)域的亮度。由此，在看見液晶顯示面板B 所顯示的圖像等時(shí)，在圖像等上難以產(chǎn)生亮區(qū)域和暗區(qū)域。即，看見液晶顯示面板B所顯示 的圖像等時(shí)，圖像等亮度更均一。這樣的結(jié)構(gòu)也適于使液晶顯示面板B所顯示的圖像等的 美觀(目視性)進(jìn)一步提高。構(gòu)成光透射層53的材料的折射率和構(gòu)成電極元件11、21的材料的折射率大致相 同的情況下，可以使從透射板4的一側(cè)朝向涂敷層55的一側(cè)的光的透射率在光通過光透射 層53時(shí)和光通過電極元件11、21時(shí)大致相同。由此，在看見液晶顯示面板B所顯示的圖像 等時(shí)，在圖像等上更難產(chǎn)生亮區(qū)域和暗區(qū)域。即，看見液晶顯示面板B所顯示的圖像等時(shí)， 圖像等的亮度更均一。這種結(jié)構(gòu)也適于使液晶顯示面板B所顯示的圖像等的美觀(目視 性)進(jìn)一步提高。對(duì)于第一 第四實(shí)施方式如下所述。(1)輸入裝置不必與液晶顯示面板B—起使用。電極x、y不必透明。這些電極也 可以由銅等不透明的金屬構(gòu)成。(2)輸入裝置不限于用于手機(jī)。例如，可以在數(shù)字照相機(jī)、個(gè)人導(dǎo)航顯示、自動(dòng)柜員 機(jī)等其它的使用觸摸面板的設(shè)備中使用。(第五實(shí)施方式)圖35是表示本發(fā)明第五實(shí)施方式的輸入裝置的一例的主要部分剖面圖。圖36是 沿圖35的IIIVI-IIIVI線的主要部分平面圖。這些圖所示的輸入裝置Al具備透射板100、多個(gè)帶狀電極200、配線810、820、保護(hù)層500、柔性基板710及IC芯片720。圖35中為了 理解上的方便，省略配線810、820的記載。在圖36中省略保護(hù)層500的記載。輸入裝置Al 是用于根據(jù)靜電電容的變化檢測(cè)導(dǎo)電體即手指Fgl、Fg2接近的位置的輸入裝置。如圖35 所示，輸入裝置Al通過與液晶顯示面板B重疊，構(gòu)成所謂觸摸面板。如圖36所示，由雙點(diǎn)劃線的矩形表示的區(qū)域是檢測(cè)區(qū)域rl。檢測(cè)區(qū)域rl是使手 指Fgl、Fg2接近輸入裝置Al，檢測(cè)手指Fgl、Fg2接近的區(qū)域。另一方面，在uv平面看中， 透射板100的檢測(cè)區(qū)域rl之外的框狀區(qū)域是非檢測(cè)區(qū)域r2。檢測(cè)區(qū)域rl和非檢測(cè)區(qū)域 r2的邊界為端部r7、r8。端部r7、r8均沿方向U。透射板100是由例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、 聚碳酸酯(PC)等透明樹脂的單層樹脂體或玻璃構(gòu)成的透明的板。透射板100具有表面100a 及背面100b。如圖35所示，多個(gè)還狀電極200形成于透射板100的表面100a。如圖36所示，帶 狀電極200沿方向u并列，并且沿方向ν延伸。帶狀電極200是對(duì)由例如ΙΤ0、IZO等透明 導(dǎo)電性材料構(gòu)成的薄膜施加圖案結(jié)構(gòu)的電極。帶狀電極200分別具備檢測(cè)電極221、222。檢測(cè)電極221是頂端朝向方向ν的楔狀。即檢測(cè)電極221以朝向方向ν方向u的 大小減小的方式延伸。檢測(cè)電極222是頂端朝向與方向ν相反方向的楔狀。S卩，檢測(cè)電極 222以朝向方向ν的相反向方向u的大小減小的方式延伸。檢測(cè)電極221和檢測(cè)電極222 沿方向u相互配置。換句話說，除了配置于方向u的端部的檢測(cè)電極221，檢測(cè)電極221被 檢測(cè)電極222所夾。另外，除了配置于方向u的端部的檢測(cè)電極222，檢測(cè)電極222被檢測(cè) 電極221所夾。如圖36所示，配線810、820形成于透射板100的表面100a。配線810、820是對(duì) 由例如ITO、IZO等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成的薄膜施加圖案結(jié)構(gòu)的配線。配線810、820也可 以由與檢測(cè)電極221、222相同的材料構(gòu)成。該情況下，可以在透射板100上同時(shí)地形成配 線810、820及檢測(cè)電極221、222。由此，可以使輸入裝置Al的制造工序簡(jiǎn)單化。另外，配線 810、820也可以由01、々1等低電阻的金屬構(gòu)成。配線810與檢測(cè)電極221連接。配線810 從檢測(cè)電極221的寬度寬的部分沿與方向ν相反方向延伸，至端部r8側(cè)的非檢測(cè)區(qū)域r2。 配線820與檢測(cè)電極222的頂端連接。配線820從檢測(cè)電極222的頂端沿與方向ν相反方 向延伸。配線820也與配線810 —樣，延伸至端部r8側(cè)的非檢測(cè)區(qū)域r2。保護(hù)層500形成于透射板100的背面100b。保護(hù)層500由例如ΙΤ0、ΖΙ0等透明導(dǎo) 電性材料構(gòu)成。保護(hù)層500由背面保護(hù)層(圖示略)覆蓋。保護(hù)層500在來自液晶顯示面 板B的噪音應(yīng)對(duì)上具有效果。另外，有時(shí)在透射板100的背面IOOb沒有保護(hù)層500。這時(shí)， 可以得到除對(duì)來自液晶顯示面板B的噪音應(yīng)對(duì)具有效果之外的可以享受具備保護(hù)層500時(shí) 的效果。柔性基板710設(shè)置于方向ν的透射板100的端部。IC芯片720裝載于柔性基板 710上。IC芯片720經(jīng)由配線810、820及柔性基板710，與檢測(cè)電極221、222連接。IC芯 片720自由且經(jīng)常地可檢測(cè)檢測(cè)電極221、或檢測(cè)電極222和手指Fgl或手指Fg2之間的 靜電電容的變化而構(gòu)成。另外，在C0G(Chip On Glass)時(shí)，IC芯片720裝載于透射板100上。如圖35所示，液晶顯示面板B具備例如，相互對(duì)置的透明基板及TFT基板，被它們夾著的液晶層。液晶顯示面板B具有例如，在手機(jī)的操作用時(shí)提供的操作菜單圖像、及顯示 圖像等的功能。液晶顯示面板B顯示的圖像可連續(xù)目視輸入裝置Al。液晶顯示面板B的顯 示面在方向w看以與檢測(cè)區(qū)域rl重疊的方式構(gòu)成。下面，使用圖35 圖38對(duì)檢測(cè)使用輸入裝置Al的手指Fgl、及Fg2的接近位置的 方法的一例進(jìn)行說明。圖37是表示每個(gè)帶狀電極200的靜電電容的值的直方圖。從圖36 的左側(cè)配置為第一個(gè)、第二個(gè)、第三個(gè)…的帶狀電極200的靜電電容的值與從圖37的左側(cè) 表示為第一個(gè)、第二個(gè)、第三…的靜電電容的值對(duì)應(yīng)。首先，使液晶顯示面板B例如顯示手機(jī)的郵件制作畫面及因特網(wǎng)的內(nèi)容畫面。使 用者在沒有操作的狀態(tài)，帶狀電極200和手指Fgl之間及帶狀電極200和手指Fg2之間幾 乎沒有產(chǎn)生靜電電容。接著，如圖35、圖36所示，使用者讓手指Fgl及手指Fg2接近透射板 100的表面100a。這時(shí)，帶狀電極200和手指Fgl、Fg2的距離縮小。由此，手指Fgl和帶狀 電極200之間及手指Fg2和帶狀電極200之間產(chǎn)生靜電電容。帶狀電極200中和手指Fgl 或手指Fg2的距離越近，靜電電容越增大。在圖36中將手指Fgl接近的帶狀電極200設(shè)為 帶狀電極200a。另外，手指Fg2接近的帶狀電極200設(shè)為帶狀電極200b。如圖37所示，帶狀電極200a、200b的靜電電容的值在全部帶狀電極200的靜電電 容的值中為第一大的值和第二大的值。IC芯片720將帶狀電極200a、200b特指為手指Fgl 或手指Fg2接近的帶狀電極200。接著，對(duì)帶狀電極200a及與該帶狀電極200a相鄰的兩 個(gè)帶狀電極200的靜電電容的值計(jì)算加權(quán)平均。由此，可以檢測(cè)方向u的手指Fgl的更正 確的接近位置。同樣地，對(duì)帶狀電極200b及與該帶狀電極200b相鄰的兩個(gè)帶狀電極200 對(duì)應(yīng)的靜電電容的值計(jì)算加權(quán)平均。由此，可以檢測(cè)方向u的手指Fg2的更正確的接近位 置。在本實(shí)施方式中，將帶狀電極200a稱為電極組300。另外，將帶狀電極200b稱為電極 組 400。接著，使用手指Fgl接近的帶狀電極200a (即電極組300)所包含的檢測(cè)電極221、 222，檢測(cè)手指Fgl的方向ν的位置。圖36中將帶狀電極200a所包含的檢測(cè)電極221、222 分別設(shè)為檢測(cè)電極221a、222a。圖38表示對(duì)應(yīng)檢測(cè)電極221a、222a的靜電電容的值。如圖 38所示，檢測(cè)電極221a的靜電電容的值為Cdwl，檢測(cè)電極222a的靜電電容值為Cup 1。接 著，在IC芯片720中求出Cdwl和Cupl的比，從而檢測(cè)方向ν的手指Fgl的位置。在本實(shí) 施方式中，因Cdwl Cupl = 1 3，所以可以特指方向ν的手指Fgl的位置為0.75。接著，使用手指Fg2接近的帶狀電極200b (即電極組400)所包含的檢測(cè)電極221、 222，檢測(cè)手指Fg2的方向ν的位置。手指Fg2的方向ν的位置的檢測(cè)方法與上述的手指Fgl 的方向ν的位置檢測(cè)方法一樣。在圖36中將帶狀電極200b所包含的檢測(cè)電極221、222分 別設(shè)為檢測(cè)電極221b、222b。圖39表示對(duì)應(yīng)檢測(cè)電極221b、222b的靜電電容的值。如圖 39所示，檢測(cè)電極221b的靜電電容的值為Cdw2。檢測(cè)電極222b的靜電電容的值為Cup2 在本實(shí)施方式中，因Cdw2 Cup2 = 1 1，所以可以特指方向ν的手指Fg2的位置為0.5。這樣，在輸入裝置Al中IC芯片720可以檢測(cè)方向u及方向ν的手指Fgl、Fg2的 接近位置。下面，對(duì)本實(shí)施方式的輸入裝置Al的作用進(jìn)行說明。僅多個(gè)帶狀電極200中的一個(gè)隸屬于電極組300中，而不是多個(gè)帶狀電極200的 全部隸屬。因此，如上所述，手指Fg2接近的帶狀電極200難以包含于電極組300。另一方面，在輸入裝置Al中，為檢測(cè)方向ν的手指Fgl的接近位置使用的檢測(cè)電極221、222是隸屬 于電極組300的電極。因此，IC芯片720抑制因在手指Fg2和檢測(cè)電極221、222之間產(chǎn)生 的靜電電容受到的影響，并且可以檢測(cè)方向ν的手指Fgl的接近位置。因此，不僅手指Fgl， 而且即使手指Fg2接近帶狀電極200，也可以正確地檢測(cè)方向ν的Fgl的接近位置。同樣， 在輸入裝置Al中，也可以正確地檢測(cè)方向ν的手指Fg2的接近位置。其結(jié)果是，根據(jù)輸入 裝置Al，可以更正確地進(jìn)行手指Fgl及手指Fg2的接近位置的檢測(cè)即兩點(diǎn)檢測(cè)。另外，電極組300僅一個(gè)帶狀電極200 (200a)隸屬。因此，電極組300與多個(gè)帶狀 電極200隸屬時(shí)相比，手指Fg2難以接近隸屬于電極組300的帶狀電極200 (200a)。因此， 檢測(cè)方向ν的手指Fgl的接近位置時(shí)，可以期待進(jìn)一步減少因手指Fg2和檢測(cè)電極221、222 之間產(chǎn)生的靜電電容受到的影響。同樣，檢測(cè)方向ν的手指Fg2的接近位置時(shí)，也可以期待 進(jìn)一步減少因在手指Fgl和檢測(cè)電極221、222之間產(chǎn)生的靜電電容而受到的影響。為了檢測(cè)方向u的手指Fgl、Fg2的接近位置，不對(duì)全部的帶狀電極200的靜電電 容而對(duì)三個(gè)帶狀電極200的靜電電容計(jì)算加權(quán)平均。這適于分別正確地檢測(cè)手指Fgl、Fg2 的兩個(gè)導(dǎo)電體的接近位置。配線810、820均從檢測(cè)電極221、222朝向非檢測(cè)區(qū)域r2的端部r8側(cè)延伸。因 此，在輸入裝置Al中不必在非檢測(cè)區(qū)域r2的端部r7側(cè)形成引導(dǎo)配線。由此，可以使透射 板100的有效區(qū)域增加。(第六實(shí)施方式)圖40 圖44表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式。另外，在這些圖中，對(duì)與第五實(shí)施方式 相同或類似的元件附加與第五實(shí)施方式相同的符號(hào)。圖40是表示本發(fā)明的本實(shí)施方式的 輸入裝置的一例的主要部分平面圖。圖41是圖40的區(qū)域XLI的放大圖。圖41表示一個(gè) 帶狀電極200。本實(shí)施方式的輸入裝置A2在帶狀電極200由相互相對(duì)的節(jié)齒狀電極構(gòu)成的 點(diǎn)及多個(gè)帶狀電極200隸屬于電極組300、400的點(diǎn)中與第五實(shí)施方式的輸入裝置Al不同。 下面，具體地說明。如圖40、圖41較好地表示，帶狀電極200具備檢測(cè)電極221、222和連接電極230、 240。如圖41所示，檢測(cè)電極221具備三個(gè)楔狀電極281。楔狀電極281均以朝向方向v， 方向u的大小Ll減小的方式延伸。由此可知，檢測(cè)電極221以方向u的大小(大小Ll的 和)朝向方向ν減小的方式延伸。連接電極230連接楔狀電極281的寬度寬的部分彼此。連接電極230形成于非檢 測(cè)區(qū)域r2。配線810與連接電極230連接。配線810形成于非檢測(cè)區(qū)域r2的端部r8側(cè)。如圖41所示，檢測(cè)電極222具備三個(gè)楔狀電極291。楔狀電極291均以朝向方向 ν的相反方向，方向u的大小L2減小的方式延伸。由此可知，檢測(cè)電極222以方向u的大小 (大小L2的和)朝向方向ν的相反方向減小的方式延伸。連接電極240連接楔狀電極291的寬度寬的部分彼此。連接電極240形成于非檢 測(cè)區(qū)域r2。配線820與楔狀電極291的頂端連接。因此，配線820也與配線810—樣，形成 于非檢測(cè)區(qū)域r2的端部r8側(cè)。下面，使用圖40、圖42 圖44對(duì)檢測(cè)使用輸入裝置A2的手指Fgl及Fg2的接近 位置的方法的一例進(jìn)行說明。圖42是表示每個(gè)帶狀電極200的靜電電容的值的直方圖。從 圖40的左側(cè)配置為第一個(gè)、第二個(gè)、第三個(gè)…的帶狀電極200的靜電電容的值與從圖42的左側(cè)表示為第一個(gè)、第二個(gè)、第三個(gè)…的靜電電容的值對(duì)應(yīng)。方向u的手指Fgl及Fg2的接近位置的檢測(cè)與第五實(shí)施方式一樣地進(jìn)行。即，利用 圖42所示的直方圖，指定手指Fgl接近的帶狀電極200a、及手指Fg2接近的帶狀電極200b。 而且，對(duì)于帶狀電極200a或帶狀電極200b和它們周圍的兩個(gè)帶狀電極200計(jì)算對(duì)應(yīng)靜電 電容的值的加權(quán)平均。由此，檢測(cè)方向u的手指Fgl、Fg2的接近位置。下面，對(duì)檢測(cè)手指Fgl的方向ν的接近位置的方法進(jìn)行敘述。如圖40所示，將帶狀電極200a、及與帶狀電極200a相鄰的兩個(gè)帶狀電極200這 三個(gè)帶狀電極200在本實(shí)施方式中稱為電極組300。為了檢測(cè)手指Fgl的方向ν的接近位 置，使用隸屬于該電極組300的三個(gè)檢測(cè)電極221、及三個(gè)檢測(cè)電極222。在圖40中將電極組300所包含的檢測(cè)電極221、222分別設(shè)為檢測(cè)電極221a、 222a。圖43表示對(duì)應(yīng)檢測(cè)電極221a、222a的靜電電容的值。如圖43所示，三個(gè)檢測(cè)電極 221a的靜電電容的值的各為Cdw3。三個(gè)檢測(cè)電極222a的靜電電容的值的和為Cup3。在 IC芯片720中，通過求出Cdw3和Cup3的比，檢測(cè)方向ν的手指Fgl位置。在本實(shí)施方式中 Cdw3 Cup3 = 1 3，所以可以指定方向ν的手指Fgl的位置為0.75。下面，對(duì)檢測(cè)手指Fg2的方向ν的接近位置的方法進(jìn)行敘述。該方法與檢測(cè)上述 的手指Fgl的方向ν的接近位置的方法相同。在本實(shí)施方式中將帶狀電極200b及與帶狀電極200b相鄰的兩個(gè)帶狀電極200的 三個(gè)帶狀電極200稱為電極組400。為了檢測(cè)手指Fg2的方向ν的接近位置，使用隸屬于該 電極組400的三個(gè)檢測(cè)電極221、及三個(gè)檢測(cè)電極222。在圖40中，將隸屬于帶狀電極200b的檢測(cè)電極221、222分別設(shè)為檢測(cè)電極221b、 222b。圖44表示對(duì)應(yīng)檢測(cè)電極221b、222b的靜電電容的值。如圖44所示，三個(gè)檢測(cè)電極 221b的靜電電容的值的和是Cdw4。三個(gè)檢測(cè)電極222b的靜電電容的值的和是Cup4。在本 實(shí)施方式中，因Cdw4 Cup4 = 1 1，所以可以指定方向ν的手指Fg2的位置為0.5。下面，對(duì)本實(shí)施方式的輸入裝置A2的作用進(jìn)行說明。電極組300僅多個(gè)帶狀電極200中的三個(gè)隸屬，在本實(shí)施方式也不是多個(gè)帶狀 電極200的全部隸屬。因此，如上所述，手指Fg2接近的帶狀電極200難以包含于電極組 300。另一方面，在輸入裝置A2中為了檢測(cè)方向ν的手指Fgl的接近位置而使用的檢測(cè)電 極221a、222a屬于電極組300。因此，IC芯片720抑制因手指Fg2和檢測(cè)電極221a、222a 之間產(chǎn)生的靜電電容而受到的影響，并且可以檢測(cè)方向ν的手指Fgl的接近位置。因此，不 僅手指Fgl，而且即使手指Fg2接近帶狀電極200，也可以正確地檢測(cè)方向ν的手指Fgl的 接近位置。同樣，在輸入裝置A2中，也可以正確地檢測(cè)方向ν的手指Fg2的接近位置。其 結(jié)果是，輸入裝置A2可以進(jìn)行手指Fgl、Fg2的接近位置的正確的檢測(cè)即兩點(diǎn)檢測(cè)。在輸入裝置A2中，通過使一個(gè)檢測(cè)電極221所包含的楔狀電極281的數(shù)量及一個(gè) 檢測(cè)電極222所包含的楔狀電極291的數(shù)量增減，即使不使配線810、820的數(shù)量增減，也可 以變更方向u的楔狀電極281、291的間距。通過縮小方向u的楔狀電極281、291的間距， 不增減配線810、820的數(shù)量，可以以盡可以小的誤差檢測(cè)方向ν的手指Fgl、Fg2的接近位 置。另外，其結(jié)果是，可以抑制沿方向u使手指Fgl及手指Fg2滑動(dòng)時(shí)，手指Fgl及手指Fg2 的檢測(cè)位置在方向ν畫出起伏的軌跡。在本實(shí)施方式中，配線810、820也均朝向端部r8側(cè)的非檢測(cè)區(qū)域r2延伸。因此，在端部r7側(cè)的非檢測(cè)區(qū)域r2不必形成與檢測(cè)電極221或檢測(cè)電極222連接的引導(dǎo)配線。 由此，可以增加透射板100的有效區(qū)域。對(duì)于第五、第六實(shí)施方式如下所述。(1)在上述實(shí)施方式中，表示電極組300、400由一個(gè)或三個(gè)帶狀電極200構(gòu)成的 例子，但本發(fā)明不用說不限于此。另外，電極組300所包含的帶狀電極200的數(shù)量和電極組 400所包含的帶狀電極200的數(shù)量不同也沒關(guān)系。(2)在上述實(shí)施方式中，表示手指Fgl、Fg2的兩點(diǎn)檢測(cè)用的輸入裝置，也可以將輸 入裝置作為一點(diǎn)檢測(cè)用的輸入裝置使用。(3)在上述實(shí)施方式中，表示配線820與檢測(cè)電極222的頂端連接(參照?qǐng)D36)、 或者與楔狀電極291的頂端連接(參照?qǐng)D41)的例子，配線820也可以與檢測(cè)電極222的 從頂端靠檢測(cè)區(qū)域rl的中央的部分連接。(4)輸入裝置不必與液晶顯示面板B—起使用。另外，帶狀電極不必是透明。這些 電極也可以由銅等不透明的金屬構(gòu)成。(5)輸入裝置不限于用于手機(jī)。例如，可以在數(shù)字照相機(jī)、個(gè)人導(dǎo)航顯示、自動(dòng)柜員 機(jī)等其它的使用觸摸面板的設(shè)備中使用。
權(quán)利要求
一種靜電電容式輸入裝置，其特征在于，包括多個(gè)第一方向檢測(cè)電極，其沿第一方向并列且沿與所述第一方向不同的第二方向延伸；和控制裝置，其根據(jù)導(dǎo)電體和各第一方向檢測(cè)電極之間產(chǎn)生的靜電電容的變化，檢測(cè)所述第一方向中的所述導(dǎo)電體的接近位置，所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電極的任一個(gè)是低靈敏度電極，所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電極的任一個(gè)是高靈敏度電極，所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電極均為同一大小時(shí)，所述低靈敏度電極的靈敏度比所述高靈敏度電極的靈敏度小，所述低靈敏度電極的面積比所述高靈敏度電極的面積大。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于，還包括 基板，其形成有所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電極；和多根配線，其形成于所述基板且從所述基板的端部延伸并與所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電 極的各個(gè)連接，所述基板的所述多根配線中與所述低靈敏度電極導(dǎo)通的配線的長(zhǎng)度比所述基板的所 述多根配線中與所述高靈敏度電極導(dǎo)通的配線的長(zhǎng)度長(zhǎng)。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于，還包括沿所述第二方向并列且沿所述第一方向延伸的多個(gè)第二方向檢測(cè)電極， 各第一方向檢測(cè)電極包含沿所述第二方向排列的多個(gè)第一電極元件， 各第二方向檢測(cè)電極包含沿所述第一方向排列的多個(gè)第二電極元件。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述低靈敏度電極所包含的第一電極元件的任一個(gè)的面積比所述高靈敏度電極所包 含的第一電極元件的任一個(gè)的面積大。
5.如權(quán)利要求1所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于，還包括多個(gè)第二方向檢測(cè)電極，其沿所述第二方向并列且沿所述第一方向延伸；和 基板，其具有平面狀的第一面，且所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電極和所述多個(gè)第二方向檢 測(cè)電極均形成于所述第一面。
6.如權(quán)利要求5所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于各第一方向檢測(cè)電極包含沿所述第二方向排列的多個(gè)第一電極元件， 各第二方向檢測(cè)電極包含沿所述第一方向排列的多個(gè)第二電極元件。
7.如權(quán)利要求6所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于，還包括與所述多個(gè)第一電極元件的任一個(gè)導(dǎo)通，且形成于被鄰接的第一和第二電極元件所夾 的間隙的多根聯(lián)絡(luò)配線。
8.如權(quán)利要求7所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于各聯(lián)絡(luò)配線延伸至所述基板的檢測(cè)所述導(dǎo)電體的接近的檢測(cè)區(qū)域之外的非檢測(cè)區(qū)域 為止。
9.如權(quán)利要求8所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述多根聯(lián)絡(luò)配線中從沿所述第一方向分離的兩個(gè)第一電極元件分別延伸的兩個(gè)聯(lián) 絡(luò)配線的一方朝向所述第一方向的一方延伸，該兩個(gè)聯(lián)絡(luò)配線的另一方朝向所述第一方向的另一方延伸。
10.如權(quán)利要求9所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述兩根聯(lián)絡(luò)配線都從沿所述第一方向分離的兩個(gè)第一電極元件的任一個(gè)向該兩個(gè) 第一電極元件彼此分離的方向延伸。
11.如權(quán)利要求7所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于，還包括第一連接配線，其連接所述多個(gè)第一電極元件中沿所述第二方向鄰接的兩個(gè)第一電極 元件彼此，且形成于被該兩個(gè)第一電極元件所夾的間隙，所述多個(gè)聯(lián)絡(luò)配線的任一根與該兩個(gè)第一電極元件或所述第一連接配線連接。
12.如權(quán)利要求11所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于，還包括第二連接配線，其連接所述多個(gè)第一電極元件中夾著所述第一連接配線的兩個(gè)第一電 極元件彼此，所述第二連接配線以包圍處于所述第一連接配線所連接的多個(gè)第一電極元件的一端 的區(qū)域的元件的方式配置。
13.如權(quán)利要求11所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于沿所述第一方向分離的兩個(gè)第一電極元件相互相鄰，該兩個(gè)第一電極元件的一方包含 于所述多個(gè)第一方向檢測(cè)電極中配置于所述第一方向的一端的元件中。
14.如權(quán)利要求7所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述聯(lián)絡(luò)配線的一部分構(gòu)成多層基板，在所述多層基板中所述聯(lián)絡(luò)配線彼此連接。
15.如權(quán)利要求6所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于，還包括光透射層，其形成于被鄰接的第一和第二電極元件所夾的間隙；和涂敷層，其覆蓋所述多個(gè)第一電極元件、所述多個(gè)第二電極元件和所述光透射層。
16.如權(quán)利要求15所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于構(gòu)成所述光透射層的材料的折射率與構(gòu)成所述涂敷層的材料的折射率不同。
17.如權(quán)利要求15所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于構(gòu)成所述光透射層的材料由與構(gòu)成所述第一電極元件或所述第二電極元件的材料相 同的材料構(gòu)成。
18.如權(quán)利要求17所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述光透射層包含相互分離的多個(gè)線元。
19.如權(quán)利要求15所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述光透射層由絕緣性樹脂構(gòu)成。
20.如權(quán)利要求1所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于各第一方向檢測(cè)電極包括第一滑動(dòng)電極，其以向所述第二方向的一方去所述第一方 向的大小減小的方式在所述第二方向的一方延伸；和第二滑動(dòng)電極，其以向所述第二方向 的另一方去所述第一方向的大小減小的方式在所述第二方向的另一方延伸，所述控制裝置根據(jù)所述導(dǎo)電體與所述多個(gè)第一滑動(dòng)電極之間的靜電電容以及所述導(dǎo) 電體與所述多個(gè)第二滑動(dòng)電極之間的靜電電容的關(guān)系，檢測(cè)所述第二方向的所述導(dǎo)電體的 接近位置。
21.一種靜電電容式輸入裝置，其特征在于，包括沿第一方向并列且沿與所述第一方向不同的第二方向延伸的多個(gè)帶狀電極；和 控制裝置，各帶狀電極包括第一檢測(cè)電極，其以向所述第二方向去所述第一方向的大小減小的 方式在所述第二方向延伸；和第二檢測(cè)電極，其以向所述第二方向的相反方向去所述第一 方向的大小減小的方式在所述第二方向的相反方向延伸，所述控制裝置指定僅所述多個(gè)帶狀電極的一部分隸屬且所述多個(gè)帶狀電極中第一導(dǎo) 電體接近的帶狀電極隸屬的第一電極組，基于所述第一導(dǎo)電體與所述多個(gè)第一檢測(cè)電極中隸屬于所述第一電極組的檢測(cè)電極 之間的靜電電容以及所述第一導(dǎo)電體與所述多個(gè)第二檢測(cè)電極中隸屬于所述第一電極組 的檢測(cè)電極之間的靜電電容的關(guān)系，檢測(cè)所述第二方向的所述第一導(dǎo)電體的接近位置。
22.如權(quán)利要求21所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于 僅所述多個(gè)帶狀電極的一個(gè)隸屬于所述第一電極組。
23.如權(quán)利要求21所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于 相互相鄰的至少兩個(gè)以上的帶狀電極隸屬于所述第一電極組。
24.如權(quán)利要求21所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述控制裝置將相互相鄰的至少兩個(gè)以上的帶狀電極的每一個(gè)與所述第一導(dǎo)電體之 間的靜電電容的變化作為加權(quán)來計(jì)算加權(quán)平均，檢測(cè)所述第一方向的所述第一導(dǎo)電體的接 近位置。
25.如權(quán)利要求21所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述控制裝置指定僅所述多個(gè)帶狀電極的一部分隸屬且所述多個(gè)帶狀電極中與所述 第一導(dǎo)電體不同的第二導(dǎo)電體接近的帶狀電極隸屬的第二電極組，基于所述第二導(dǎo)電體與所述多個(gè)第一檢測(cè)電極中隸屬于所述第二電極組的第一檢測(cè) 電極之間的靜電電容以及所述第二導(dǎo)電體與所述多個(gè)第二檢測(cè)電極中隸屬于所述第二電 極組的第二檢測(cè)電極之間的靜電電容的關(guān)系，檢測(cè)所述第二方向的所述第二導(dǎo)電體的接近 位置。
26.如權(quán)利要求25所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于 僅所述多個(gè)帶狀電極的一個(gè)隸屬于所述第二電極組。
27.如權(quán)利要求25所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于 相互相鄰的至少兩個(gè)以上的帶狀電極隸屬于所述第二電極組。
28.如權(quán)利要求25所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述控制裝置將相互相鄰的至少兩個(gè)以上的帶狀電極的每一個(gè)與所述第二導(dǎo)電體之 間的靜電電容的變化作為加權(quán)來計(jì)算加權(quán)平均，檢測(cè)所述第一方向的所述第二導(dǎo)電體的接 近位置。
29.如權(quán)利要求21所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述多個(gè)第一檢測(cè)電極和所述多個(gè)第二檢測(cè)電極都是楔狀，各第一檢測(cè)電極被所述多 個(gè)第二檢測(cè)電極的兩個(gè)所夾，各第二檢測(cè)電極被所述多個(gè)第一檢測(cè)電極的兩個(gè)所夾。
30.如利要求21所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于 所述多個(gè)第一檢測(cè)電極分別包括多個(gè)第一楔狀電極，所述多個(gè)第二檢測(cè)電極分別包括多個(gè)第二楔狀電極，各第一楔狀電極被所述多個(gè)第二楔狀電極的兩個(gè)所夾，各第二楔狀電極被所述多個(gè)第 一楔狀電極的兩個(gè)所夾。
31.如權(quán)利要求30所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于 所述多個(gè)帶狀電極的任一個(gè)還包括第一連接電極，其相對(duì)于所述多個(gè)第一楔狀電極配置于與所述第二方向相反側(cè)，且與 各第一楔電極相連；和第二連接電極，其相對(duì)于所述多個(gè)第二楔狀電極配置于所述第二方向側(cè)，且與各第二 楔狀電極相連。
32.如權(quán)利要求21所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于，還包括 基板，其形成有所述多個(gè)帶狀電極；第一引導(dǎo)配線，其形成于所述基板，與所述多個(gè)第一檢測(cè)電極的任一個(gè)導(dǎo)通；和 第二引導(dǎo)配線，其形成于所述基板，與所述多個(gè)第二檢測(cè)電極的任一個(gè)導(dǎo)通， 所述第一和第二引導(dǎo)配線在所述第二方向相對(duì)于所述多個(gè)帶狀電極形成在同一側(cè)。
33.如權(quán)利要求32所述的靜電電容式輸入裝置，其特征在于所述多個(gè)帶狀電極、所述第一引導(dǎo)配線及所述第二引導(dǎo)配線由相同材料構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種靜電電容式輸入裝置，其可以更正確地檢測(cè)導(dǎo)電體的接近位置，包括多個(gè)電極y，其沿方向Y并列且沿方向X延伸；和IC芯片，其根據(jù)手指及各電極y之間產(chǎn)生的靜電電容靜電電容的變化，檢測(cè)方向Y的手指的接近位置，多個(gè)電極y的任一個(gè)為低靈敏度電極，多個(gè)電極y的任一個(gè)為高靈敏度電極，多個(gè)電極y的全部為同一大小時(shí)，所述低靈敏度電極的靈敏度比所述高靈敏度電極的靈敏度小，所述低靈敏度電極的面積比所述高靈敏度電極的面積大。
文檔編號(hào)G06F3/044GK101907964SQ20101019858
公開日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2010年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月5日
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