專利名稱：基于移動行業(yè)處理器接口mipi協(xié)議接口裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電器接口裝置，特別是涉及用于移動設備的基于行業(yè)協(xié)議的接口裝置。
背景技術：
現(xiàn)有技術移動產品，如移動電話、移動電腦、數(shù)碼照相機等，正在向著更輕更薄的方向發(fā)展。傳統(tǒng)的并行數(shù)據(jù)總線在移動產品有限的設計空間里造成的空間浪費，同時，在高 速數(shù)據(jù)傳輸情況下，并行數(shù)據(jù)總線帶來高功耗和電磁干擾EMI噪聲。為解決此問題，多個 標準化組織制定適于移動設備的通信標準，其中最引人注目的要算由移動行業(yè)處理器接口 MobileIndustry Processor Interface 聯(lián)盟制定的接 口協(xié)議，簡稱 MIPI 協(xié)議。依照 MIPI 協(xié)議可以使的接口具有低功耗、低EMI的優(yōu)點，同時能節(jié)省中間連接的成本，提高可靠性并 且使終端產品的機械設計更具彈性。但是，目前還沒有基于MIPI協(xié)議的接口裝置真正投入 產業(yè)。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題在于避免現(xiàn)有技術的不足之處而提出一種基于MIPI協(xié) 議的接口裝置，即D-PHY接口裝置，其中D-PHY代表500Mbit/s物理層，D是羅馬數(shù)字500的 簡寫，PHY是物理層的簡寫。所述D-PHY接口裝置對收發(fā)數(shù)據(jù)模塊提出了具體的實現(xiàn)方案， 尤其是對于高速接收數(shù)據(jù)模塊和低功耗發(fā)送數(shù)據(jù)模塊。本發(fā)明解決所述技術問題可以通過采用以下技術方案來實現(xiàn)設計、制造一種基于移動行業(yè)處理器接口 MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層D-PHY接 口裝置，包括數(shù)據(jù)收發(fā)模塊和對收發(fā)數(shù)據(jù)進行處理的通道控制和接口邏輯模塊。尤其是，所 述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊包括與用于接收/發(fā)送數(shù)據(jù)的差分端口電連接的高速接收子模塊、高速發(fā) 送子模塊、低功耗接收子模塊和低功耗發(fā)送子模塊中的至少一個子模塊；當所述數(shù)據(jù)收發(fā) 模塊設置低功耗接收子模塊和低功耗發(fā)送子模塊中的任一個子模塊時，所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊 還包括低功耗競爭檢測模塊；所述高速接收子模塊用于將輸入至所述接口裝置的低功耗低 擺幅的差分信號放大整形成輸出電壓擺幅接近或者等于電源電壓的軌至軌rail to rail 信號。所述高速接收子模塊用于將輸入至所述接口裝置的低功耗低擺幅的差分信號放大整 形成輸出電壓擺幅接近或者等于電源電壓的軌至軌rail to rail信號。所述高速接收子模塊包括數(shù)據(jù)通道和時鐘通道，所述數(shù)據(jù)通道包括接收輸入至所 述差分端口的數(shù)據(jù)信號的信號放大子模塊、與該放大子模塊電連接的信號整形子模塊和與 所述信號整形子模塊電連接的延遲采樣子模塊，所述延遲采樣子模塊將被放大整形的數(shù)據(jù) 輸入信號輸出至通道控制和接口邏輯模塊；所述時鐘通道包括接收輸入至所述差分端口的 時鐘信號的信號放大子模塊和與該信號放大子模塊電連接的信號整形子模塊，所述信號整 形子模塊將放大整形后的時鐘信號分別輸出至數(shù)據(jù)通道的延遲采樣子模塊和通道控制和 接口邏輯模塊。
所述信號放大子模塊包括級聯(lián)的兩個信號放大單元和為該兩信號放大單元提供偏置電流的恒流單元；所述級聯(lián)的兩信號放大單元的輸入端電連接所述差分端口，輸出端 電連接信號整形子模塊的輸入端；所述信號放大單元包括兩背靠背電連接的第一 P溝道增 強型絕緣柵型場效應管，該兩第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應管各自的漏極都與第二 P 溝道增強型絕緣柵型場效應管的源極電連接，所述兩第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應管 各自的襯底、第二 P溝道增強型絕緣柵型場效應管的襯底和漏極都電連接接口電源，所述 兩第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應管各自的源極通過相應的第一電阻電連接接口公共 地端；所述兩第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應管各自的柵極分別是兩信號放大單元的差 分輸入端，源極分別是兩信號放大單元的差分輸出端；所述恒流單元包括串聯(lián)在一起的第 三電阻、第四電阻和第五電阻，通過一個場效應管的源極與另一個場效應管的漏極電連接 的方式依次串行電連接的第三P溝道增強型絕緣柵型場效應管、第一 N溝道增強型絕緣柵 型場效應管和第二 N溝道增強型絕緣柵型場效應管，以及面對面電連接的兩第三N溝道增 強型絕緣柵型場效應管；所述串聯(lián)的三個電阻依照從第三電阻至第五電阻的順序電連接在 接口電源與一所述第三N溝道增強型絕緣柵型場效應管的漏極之間；所述第三P溝道增強 型絕緣柵型場效應管的漏極和襯底電連接接口電源，所述第二 N溝道增強型絕緣柵型場效 應管的源極電連接另一所述第三N溝道增強型絕緣柵型場效應管的漏極；所述第一、第二 N 溝道增強型絕緣柵型場效應管各自的襯底、所述兩第三N溝道增強型絕緣柵型場效應管各 自的源極和襯底都電連接接口公共地端；所述兩第三N溝道增強型絕緣柵型場效應管各自 的柵極都電連接所述第四電阻與第五電阻的串聯(lián)節(jié)點；所述第二 N溝道增強型絕緣柵型場 效應管的柵極電連接所述第三電阻與第四電阻的串聯(lián)節(jié)點；所述第三P溝道增強型絕緣柵 型場效應管的柵極和第一N溝道增強型絕緣柵型場效應管的漏極電連接為偏置電流輸出 端口，該端口分別與各信號放大單元各自的第二P溝道增強型絕緣柵型場效應管的柵極電 連接。所述信號整形子模塊包括兩自偏置單元；所述自偏置單元包括源極與接口電源的 第四P溝道增強型絕緣柵型場效應管、源極與該第四P溝道增強型絕緣柵型場效應管的漏 極電連接的第五P溝道增強型絕緣柵型場效應管、漏極與所述第五P溝道增強型絕緣柵型 場效應管的漏極電連接的第四N溝道增強型絕緣柵型場效應管和漏極與所述第四N溝道增 強型絕緣柵型場效應管的源極電連接的第五N溝道增強型絕緣柵型場效應管；所述第五N 溝道增強型絕緣柵型場效應管的源極與接口公共地端電連接；所述兩自偏置單元各自第五 P溝道增強型絕緣柵型場效應管的源極電連接，各自第四N溝道增強型絕緣柵型場效應管 的源極電連接；所述各自偏置單元的第五P溝道增強型絕緣柵型場效應管的柵極與第四N 溝道增強型絕緣柵型場效應管的柵極電連接成為所述信號整形子模塊的輸入端，各自偏置 單元的第四P溝道增強型絕緣柵型場效應管的柵極、第五P溝道增強型絕緣柵型場效應管 的漏極、第四N溝道增強型絕緣柵型場效應管和漏極第五N溝道增強型絕緣柵型場效應管 的柵極電連接成為所述信號整形子模塊的輸出端。所述延遲采樣子模塊包括分別電連接在信號整形子模塊輸出的兩差分支路上的 依次串行電連接的延時單元和D觸發(fā)器；其中一差分支路上的D觸發(fā)器直接輸出至所述通 道控制和接口邏輯模塊，另差分支路上的D觸發(fā)器經過一非門輸出至所述通道控制和接口 邏輯模塊；所述時鐘通道輸出的差分時鐘信號分別輸入各自相應的D觸發(fā)器的時鐘輸入端。所述信號放大子模塊還包括與恒流單元電連接的快速啟動單元；該快速啟動單元 包括串行電連接的三個非門、與非門、延時單元和第六P溝道增強型絕緣柵型場效應管；依 照串行連接順序，所述三個非門中的第一個非門獲取快速啟動信號，第三個非門輸出至延 時單元的輸入端，第二個非門和延時單元的輸出端分別電連接與非門的兩輸入端；所述與 非門的輸出端電連接第六P溝道增強型絕緣柵型場效應管的柵極；該第六P溝道增強型絕 緣柵型場效應管的漏極電連接所述接口公共地端，其源極電連接所述恒流單元的第一 N溝 道增強型絕緣柵型場效應管的漏極。所述高速接收子模塊還包括分別電連接在所述數(shù)據(jù)通道和時鐘通道各自的差分 輸入端口的輸入阻抗單元；該阻抗單元包括分別電連接在兩差分輸入支路上的兩組第六電 阻和第六N溝道增強型絕緣柵型場效應管；所述第二電阻一端電連接一差分輸入端，另一 端電連接相應的第六N溝道增強型絕緣柵型場效應管的漏極；所述兩第六N溝道增強型絕 緣柵型場效應管的柵極電連接在一起，它們的源極也電連接在一起并通過電容接地。本發(fā)明解決所述技術問題可以通過采用以下技術方案來實現(xiàn)設計、制造一種基于移動行業(yè)處理器接口 MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層D-PHY接 口裝置，包括數(shù)據(jù)收發(fā)模塊和對收發(fā)數(shù)據(jù)進行處理的通道控制和接口邏輯模塊。尤其是， 所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊包括與用于接收/發(fā)送數(shù)據(jù)的差分端口電連接的高速接收子模塊、高速 發(fā)送子模塊、低功耗接收子模塊和低功耗發(fā)送子模塊中的至少一個子模塊；當所述數(shù)據(jù)收 發(fā)模塊設置低功耗接收子模塊和低功耗發(fā)送子模塊中的任一個子模塊時，所述數(shù)據(jù)收發(fā)模 塊還包括低功耗競爭檢測模塊；所述低功耗發(fā)送子模塊用于控制輸出所述接口裝置信號的 波形，使信號波形中從波峰的15%至波峰的85%的上升沿時間和從波谷的15%至波谷的 85%的下降沿時間不大于25ns。所述低功耗發(fā)送子模塊包括分別設置在對應各差分端口的差分支路上的兩低功 耗發(fā)送單元；該低功耗發(fā)送單元電連接在所述通道控制和接口邏輯模塊與該低功耗發(fā)送單 元所在差分支路對應的差分端口之間，包括P溝道場效應管控制單元和N溝道場效應管控 制單元，以及分別為該兩場效應管控制單元各自配置的S個第七P溝道增強型絕緣柵型場 效應管和S個第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管，其中S是自然數(shù)；所述P溝道場效應管 控制單元和N溝道場效應管控制單元的數(shù)據(jù)輸入端電連接而成為所述低功耗發(fā)送單元的 輸入端，并且由各自的控制邏輯接收端接收所述通道控制和接口邏輯模塊發(fā)來的控制邏輯 數(shù)據(jù)；所述P溝道場效應管控制單元的S個輸出端口分別電連接各第七P溝道增強型絕緣 柵型場效應管的柵極；同樣，所述N溝道場效應管控制單元的S個輸出端口分別電連接各 第七N溝道增強型絕緣柵型場效應管的柵極；所述各第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管 的漏極電連接所述接口電源；所述各第七N溝道增強型絕緣柵型場效應管的源極接地；所 述各第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管的源極電連接各自對應的第七N溝道增強型絕緣 柵型場效應管的漏極成為所述低功耗發(fā)送單元的輸出端；所述P溝道場效應管控制單元和 N溝道場效應管控制單元根據(jù)邏輯接收端接收到的控制邏輯控制各自連接的場效應管的導 通個數(shù)，從而控制輸出波形上升沿和/或下降沿的斜率。所述低功耗發(fā)送子模塊還包括電連接在所述 低功耗發(fā)送單元與P溝道場效應管 控制單元和N溝道場效應管控制單元的數(shù)據(jù)輸入端之間的緩沖器；所述P溝道場效應管控制單元和N溝道場效應管控制單元都包括各自的場效應管關斷反饋發(fā)送端和接收端；所述 P溝道場效應管控制單元的場效應管關斷反饋發(fā)送端電連接N溝道場效應管控制單元的場 效應管關斷反饋接收端，用于將所述第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管的關斷情況反饋 給所述N溝道場效應管控制單元；所述P溝道場效應管控制單元的場效應管關斷反饋接收 端電連接N溝道場效應管控制單元的場效應管關斷反饋發(fā)送端，用于接收從所述N溝道場 效應管控制單元反饋的第七N溝道增強型絕緣柵型場效應管的關斷情況。同現(xiàn)有技術相比較，本發(fā)明“基于移動行業(yè)處理器接口 MIPI協(xié)議接口裝置”的技 術效果在于1.本發(fā)明提出能夠實施的基于MIPI協(xié)議接口裝置的具體方案，尤其提出適于產 業(yè)的該接口裝置的高速接收子模塊和低功耗發(fā)送子模塊的實現(xiàn)方案；2.所述高速接收子模塊采用放大整形方式將幅度小、電平低、頻率高的輸入信號 轉換為軌至軌rail to rail信號，所述放大子模塊在溫度變化和工藝偏差情況下都確保具 有穩(wěn)定電路工作點，所述快速啟動單元使高速接收子模塊能夠對高速輸入的信號作出及時 的相應；3.所述低功耗發(fā)送子模塊不僅完成了信號轉換，而且還能靈活地調整輸出波形的 上升沿和下降沿的斜率，令輸出的信號更加符合MIPI協(xié)議的要求。


圖1是本發(fā)明“基于移動行業(yè)處理器接口 MIPI協(xié)議接口裝置”的基本原理示意框 圖；圖2是本發(fā)明第一實施例高速接收子模塊110的電原理示意框圖；圖3是所述高速接收子模塊110的電路原理示意圖；圖4是本發(fā)明第二實施例低功耗發(fā)送子模塊140的電原理示意圖；圖5是所述第一實施例快速啟動單元313的控制信號時序示意圖；圖6是所述低功耗發(fā)送子模塊140在沒有調整波形斜率時的波形示意圖；圖7是所述低功耗發(fā)送子模塊140在調整波形斜率后的波形示意圖。
具體實施例方式以下結合附圖所示各實施例作進一步詳述。本發(fā)明基于移動行業(yè)處理器接口 MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層D-PHY接口裝置，如圖1所示，包括數(shù)據(jù)收發(fā)模塊100和對收發(fā)數(shù)據(jù)進行處理的通道控制和接口邏輯模塊 200。所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊100包括與用于接收/發(fā)送數(shù)據(jù)的差分端口 Dp、Dn電連接的高速接 收子模塊110、高速發(fā)送子模塊120、低功耗接收子模塊130和低功耗發(fā)送子模塊140中的 至少一個子模塊。當所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊100設置低功耗接收子模塊130和低功耗發(fā)送子模 塊140中的任一個子模塊時，所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊100還包括低功耗競爭檢測模塊150。如圖1所示，虛線箭頭代表通道控制和接口邏輯模塊200向各子模塊發(fā)出的控制 信號。所述通道控制和接口邏輯模塊200用于控制接收發(fā)出的信號，使從DP、Dn輸入和輸 出的數(shù)據(jù)符合MIPI協(xié)議的標準，同時通道控制和接口邏輯模塊200還與其它所述接口裝置 的相應模塊或者與將數(shù)據(jù)轉換為符合MIPI協(xié)議標準數(shù)字數(shù)據(jù)的裝置的相應模塊連接，以MIPI協(xié)議標準設定的方式傳輸數(shù)字數(shù)據(jù)，一般情況下，這種數(shù)字數(shù)據(jù)包括時鐘信息、數(shù)據(jù)信 息和控制信息。在一個所述接口裝置中，不必設置所有高速接收子模塊110、高速發(fā)送子模塊 120、低功耗接收子模塊130和低功耗發(fā)送子模塊140，只需根據(jù)實際需要設置相應子模塊 即可。例如在設定為從裝置端時，所述時鐘信息只是接收時鐘不需要發(fā)送，因此就不需要高 速發(fā)送子模塊120。本發(fā)明第一實施例，如圖2和圖3所示，對所述接口裝置的高速接收子模塊110 提出一種實現(xiàn)方案。所述高速接收子模塊110接收的數(shù)據(jù)具有幅度小、電平低和頻率高的 特點，具體地，其直流電平范圍是70mV 330mV，幅度范圍是_40mV 460mV，頻率范圍是 80MHz 1GHz。所述高速接收子模塊110用于將輸入至所述接口裝置的低功耗低擺幅的差 分信號放大整形成輸出電壓擺幅接近或者等于電源電壓的軌至軌rail to rail信號。如圖2所示，所述高速接收子模塊110包括數(shù)據(jù)通道111和時鐘通道112，所述數(shù) 據(jù)通道111包括接收輸入至所述差分端口 Dp、Dn的數(shù)據(jù)信號的信號放大子模塊310、與該放 大子模塊電連接的信號整形子模塊320和與所述信號整形子模塊320電連接的延遲采樣子 模塊330，所述延遲采樣子模塊330將被放大整形的數(shù)據(jù)輸入信號輸出至通道控制和接口 邏輯模塊200。所述時鐘通道112包括接收輸入至所述差分端口 DP、Dn的時鐘信號的信號 放大子模塊310和與該信號放大子模塊310電連接的信號整形子模塊320，所述信號整形子 模塊320將放大整形后的時鐘信號分別輸出至數(shù)據(jù)通道111的延遲采樣子模塊330和通道 控制和接口邏輯模塊200?？梢?，所述數(shù)據(jù)通道111和時鐘通道112前半部分放大整形子模 塊相同，信號接收整形后，數(shù)據(jù)通路接收到的信號經過時鐘采樣輸出到通道控制和接口邏 輯模塊200，時鐘通道112接收到的信號直接傳送給數(shù)據(jù)通路111和通道控制和接口邏輯模 塊200作為時鐘，所述數(shù)據(jù)通路111多了延遲采樣子模塊330。如圖3所示，所述信號放大子模塊310包括級聯(lián)的兩個信號放大單元311和為該 兩信號放大單元311提供偏置電流的恒流單元312 ；所述級聯(lián)的兩信號放大單元311的輸 入端VIP1、Vini電連接所述差分端口 DP、Dn,輸出端V·、Von2電連接信號整形子模塊320的輸
入立而 V1P3、V1n3O所述信號放大單元311包括兩背靠背電連接的第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應 管Ml、Μ2，該兩第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應管Mil、M12各自的漏極d都與第二 P溝 道增強型絕緣柵型場效應管M2的源極s電連接，所述兩第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應 管M11、M12各自的襯底B、第二 P溝道增強型絕緣柵型場效應管M2的襯底B和漏極d都電 連接接口電源VDD，所述兩第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應管Ml 1、M12各自的源極s通過 相應的第一電阻R0、R1電連接接口公共地端Vss ；所述兩第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應 管M11、M12各自的柵極g分別是兩信號放大單元311的差分輸入端VIP1、VIN1、VIP2、VIN2，源極 s分別是兩信號放大單元311的差分輸出端Vm、Vm、Vtff2、Vffl2。所述恒流單元312包括串聯(lián)在一起的第三電阻Ra、第四電阻Rb和第五電阻Re，通 過一個場效應管的源極s與另一個場效應管的漏極d電連接的方式依次串行電連接的第三 P溝道增強型絕緣柵型場效應管M3、第一 N溝道增強型絕緣柵型場效應管M4和第二 N溝道 增強型絕緣柵型場效應管M5，以及面對面電連接的兩第三N溝道增強型絕緣柵型場效應管 M6UM62 ；所述串聯(lián)的三個電阻Ra、Rb、Rc依照從第三電阻Ra至第五電阻Rc的順序電連接在接口電源Vdd與一所述第三N溝道增強型絕緣柵型場效應管M61的漏極d之間；所述第三 P溝道增強型絕緣柵型場效應管M3的漏極d和襯底B電連接接口電源VDD，所述第二 N溝道 增強型絕緣柵型場效應管M5的源極s電連接另一所述第三N溝道增強型絕緣柵型場效應 管M61的漏極d ；所述第一、第二 N溝道增強型絕緣柵型場效應管M4、M5各自的襯底B、所述 兩第三N溝道增強型絕緣柵型場效應管M61、M62各自的源極s和襯底B都電連接接口公共 地端Vss ；所述兩第三N溝道增強型絕緣柵型場效應管M61、M62各自的柵極g都電連接所述 第四電阻Rb與第五電阻Rc的串聯(lián)節(jié)點；所述第二 N溝道增強型絕緣柵型場效應管M5的柵 極g電連接所述第三電阻Ra與第四電阻Rb的串聯(lián)節(jié)點；所述第三P溝道增強型絕緣柵型 場效應管M3的柵極g和第一 N溝道增強型絕緣柵型場效應管M4的漏極d電連接為偏置電 流輸出端口，該端口分別與各信號放大單元311各自的第二 P溝道增強型絕緣柵型場效應 管M2的柵極g電連接。所述信號放大單元311和恒流單元312中需要比較器速度快，低功耗，在工藝偏 差，溫度變化情況下工作點保持穩(wěn)定?？紤]到配合輸入電壓直流值范圍，采用P溝道增強型 絕緣柵型場效應管輸入。為了在工藝偏差，溫度變化情況下工作點保持穩(wěn)定，放大器采用電 阻負載，并且使用和負載電阻匹配的電阻產生直流偏置電流。放大器的直流工作點由負載 電阻以及直流偏置電流決定。以Vm的直流工作點為例，
(Vdd — VSkSfitYto)Voni = N · Iq · R0，其中八=，為Bias支路電流，N為Rtl支路直流電 流與Itl的比值。如果由于芯片生產工藝存在偏差，出現(xiàn)實際生產出的電阻偏離設計值，或者，如果 電流保持不變，電阻因為工藝偏差或者溫度變化改變，那么VONI' = N · I0 · R0'這樣，電路直流工作點也發(fā)生變化。同樣，如果電流Itl因為工藝和溫度變化，也會 引起電路直流工作點變化。如果想要隨溫度變化和工藝偏差維持電路工作點基本不變，就 要使Itl和電阻值相關聯(lián)并且乘積隨溫度和工藝偏差保持不變。如果電阻的類型和排列方式一致，偏差也是基本一致的。如圖。Ra，Rb，Re, RO Rl采用P-POLY電阻，版圖上的布局走向一樣，這樣當工藝偏差或者溫度變化使電阻阻值改 變，這些電阻變化量的比例很相近，設為α，則變化后
忽略場效應管 Vgs 變化則
電流源支路電流變?yōu)? 這樣，計算Vqni的直流工作點得 可以看出Vm的直流工作點和電阻變化前保持一致。因此，上述電路在溫度變化 和工藝偏差情況下能夠穩(wěn)定電路工作點。所述信號整形子模塊320包括兩自偏置單元321 ；所述自偏置單元321包括源極s 與接口電源Vdd的第四P溝道增強型絕緣柵型場效應管M71、源極s與該第四P溝道增強型絕緣柵型場效應管M71的漏極d電連接的第五P溝道增強型絕緣柵型場效應管M72、漏極d 與所述第五P溝道增強型絕緣柵型場效應管M72的漏極d電連接的第四N溝道增強型絕緣 柵型場效應管M73和漏極d與所述第四N溝道增強型絕緣柵型場效應管M73的源極s電連 接的第五N溝道增強型絕緣柵型場效應管M74 ；所述第五N溝道增強型絕緣柵型場效應管 M74的源極s與接口公共地端Vss電連接；所述兩自偏置單元321各自第五P溝道增強型絕 緣柵型場效應管M72的源極s電連接，各自第四N溝道增強型絕緣柵型場效應管M73的源 極s電連接；所述各自偏置單元321的第五P溝道增強型絕緣柵型場效應管M72的柵極g 與第四N溝道增強型絕緣柵型場效應管M73的柵極g電連接成為所述信號整形子模塊320 的輸入端VIP3、VIN3，各自偏置單元321的第四P溝道增強型絕緣柵型場效應管M71的柵極g、 第五P溝道增強型絕緣柵型場效應管M72的漏極d、第四N溝道增強型絕緣柵型場效應管 M73和漏極d第五N溝道增強型絕緣柵型場效應管M74的柵極g電連接成為所述信號整形 子模塊320的輸出端VQP3、V0n3o
所述信號整形子模塊320要求速度快，輸出達到軌至軌rail to rail。整形電路 使用自偏置差分比較器。當Vip3高，Vin3低時，Vop3輸出高電平，Von3輸出低電平，X點偏置電 壓由PMO提供。當Vip3低，Vin3高時，V吧輸出低電平，Vw3輸出高電平，X偏置電壓由第四P 溝道增強型絕緣柵型場效應管M71提供，對Y偏置電壓分析同X點一樣，從而輸出幅度達到
rail to rail。所述延遲采樣子模塊330使用時鐘通道112接收到的時鐘對數(shù)據(jù)通路接收到的數(shù) 據(jù)采樣，使用D觸發(fā)器結構。時鐘的上升沿和下降沿各采樣一次，也就是使用接收到的差分 時鐘信號正向端上升沿和反向端的上升沿各采樣一次。因為時鐘信號延遲比數(shù)據(jù)信號延遲 大，為了保證采樣數(shù)據(jù)準確，對接收到的數(shù)據(jù)采樣前加入延遲模塊調整數(shù)據(jù)延遲時間，使數(shù) 據(jù)和時鐘正交。所述延遲采樣子模塊330包括分別電連接在信號整形子模塊320輸出的兩 差分支路上的依次串行電連接的延時單元331和D觸發(fā)器332 ；其中一差分支路上的D觸 發(fā)器332直接輸出至所述通道控制和接口邏輯模塊200，另差分支路上的D觸發(fā)器332經過 一非門333輸出至所述通道控制和接口邏輯模塊200 ；所述時鐘通道112輸出的差分時鐘 信號分別輸入各自相應的D觸發(fā)器332的時鐘輸入端CK。所述信號放大子模塊310當?shù)谝?N溝道增強型絕緣柵型場效應管M4的柵極g有 效的時候工作，但是啟動速度慢，為了提高啟動速度，設計了快速啟動電路。所述信號放大 子模塊310還包括與恒流單元312電連接的快速啟動單元313 ；該快速啟動單元313包括 串行電連接的三個非門314、與非門316、延時單元315和第六P溝道增強型絕緣柵型場效 應管M8 ；依照串行連接順序，所述三個非門中的第一個非門314獲取快速啟動信號，第三個 非門314輸出至延時單元315的輸入端，第二個非門314和延時單元315的輸出端分別電 連接與非門316的兩輸入端；所述與非門316的輸出端電連接第六P溝道增強型絕緣柵型 場效應管M8的柵極g ；該第六P溝道增強型絕緣柵型場效應管M8的漏極d電連接所述接 口公共地端Vss，其源極s電連接所述恒流單元312的第一 N溝道增強型絕緣柵型場效應管 M4的漏極d。如圖5所示，通過延時單元315和組合邏輯產生EN_S信號。EN有效，從低電 平變?yōu)楦唠娖綍r，EN_S端產生一個短時的負脈沖，第六P溝道增強型絕緣柵型場效應管M8 當EN_S為低電平的時候導通。負脈沖時間根據(jù)延時單元315決定，EN_S為低的時候拉低 bias到一個比較低的電平，約為一個閾值電壓，使電路快速啟動，EN_S變回高電平，撤銷其對bias影響。這樣，所述信號放大子模塊310使信號EN開始有效的時候更快的得到偏置 電流，電路更快開始工作。本發(fā)明第一實施例高速傳輸時需要限定輸入電阻100Ω使阻抗匹配，最大程度上 減小信號反射。所述高速接收子模塊110還包括分別電連接在所述數(shù)據(jù)通道111和時鐘通 道112各自的差分輸入端口的輸入阻抗單元400 ；計入了開關電阻，總電阻為100歐姆。該 阻抗單元400包括分別電連接在兩差分輸入支路上的兩組第六電阻R3、R4和第六N溝道增 強型絕緣柵型場效應管M91、M92 ；所述第二電阻R3、R4 —端電連接一差分輸入端，另一端電 連接相應的第六N溝道增強型絕緣柵型場效應管M91、M92的漏極d ；所述兩第六N溝道增 強型絕緣柵型場效應管M91、M92的柵極g電連接在一起，它們的源極s也電連接在一起并 通過電容接地。本發(fā)明第二實施例，如圖4所示，所述低功耗發(fā)送子模塊140用于控制輸出所述接 口裝置信號的波形，使信號波形中從波峰的15%至波峰的85%的上升沿時間和從波谷的 15%至波谷的85%的下降沿時間不大于25ns。所述功耗發(fā)送子模塊140傳輸數(shù)字信號，接收1. 8V的數(shù)字信號轉換成1. 2V輸出， 輸出高電壓1. 1 1. 3V，低電壓50mV -50mV，要求上升下降沿符合MIPI D-PHY規(guī)范，即 波形從15%到85%的上升下降時間最大25ns，對于不同的負載電容，上升下降的斜率也有 嚴格的要求。為了符合規(guī)范，需要加入控制電路調整輸出晶體管的上拉下拉速度，調整輸出 信號斜率，同時也可以控制上升下降過程中各個時段的斜率。所述低功耗發(fā)送子模塊140包括分別設置在對應各差分端口 DP、Dn的差分支路上 的兩低功耗發(fā)送單元141 ；該低功耗發(fā)送單元141電連接在所述通道控制和接口邏輯模塊 200與該低功耗發(fā)送單元141所在差分支路對應的差分端口之間，包括P溝道場效應管控制 單元501和N溝道場效應管控制單元502，以及分別為該兩場效應管控制單元501、502各
自配置的S個第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管Mm、MU2.....Mus和S個第七P溝道增強
型絕緣柵型場效應管Mvi、Mv2.....Mvs，其中S是自然數(shù)；所述P溝道場效應管控制單元501
和N溝道場效應管控制單元502的數(shù)據(jù)輸入端Id電連接而成為所述低功耗發(fā)送單元141的 輸入端，并且由各自的控制邏輯接收端Ira接收所述通道控制和接口邏輯模塊200發(fā)來的 控制邏輯數(shù)據(jù)；所述P溝道場效應管控制單元501的S個輸出端口分別電連接各第七P溝
道增強型絕緣柵型場效應管Mm、MU2.....Mus的柵極g;同樣，所述N溝道場效應管控制單元
502的S個輸出端口分別電連接各第七N溝道增強型絕緣柵型場效應管MV1、MV2.....Mvs的
柵極g ；所述各第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管Mm、Mu2.....Mus的漏極d電連接所述
接口電源Vdd ；所述各第七N溝道增強型絕緣柵型場效應管MV1、Mv2.....Mvs的源極s接地；
所述各第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管Mm、MU2.....Mus的源極s電連接各自對應的第
七N溝道增強型絕緣柵型場效應管Mvi、Mv2.....Mvs的漏極d成為所述低功耗發(fā)送單元141
的輸出端；所述P溝道場效應管控制單元501和N溝道場效應管控制單元502根據(jù)邏輯接收端Iew接收到的控制邏輯控制各自連接的場效應管的導通個數(shù)，從而控制輸出波形上升 沿和/或下降沿的斜率。本發(fā)明第二實施例，所述S = 4。輸出上拉下拉晶體管使用各自的控制信號。為了適應負載電容變化控制驅動能力 和上升下降沿的斜率，控制電路可以調節(jié)輸出級使用的P溝道增強型絕緣柵型場效應管和 N溝道增強型絕緣柵型場效應管個數(shù)從而調節(jié)斜率。在實際應用中還可根據(jù)需要在電路中加入電容電阻調節(jié)上升下降沿。所述場效應管控制單元根據(jù)輸入Ira的控制邏輯信號控制 后面輸出級P溝道增強型絕緣柵型場效應管和N溝道增強型絕緣柵型場效應管。P溝道增 強型絕緣柵型場效應管和N溝道增強型絕緣柵型場效應管可以分成很多組控制，每組中晶
體管通路的個數(shù)(pl，p2......, nl, n2......)可以相同也可以不同。例如pi = 1，p2 =
2，p3 = 4，p4 = 8，上拉的時候選擇某些組導通，就可以控制電路上拉PMOS個數(shù)為pl = 1，
p2 = 2，pl+p2 = 3，p3 = 4，p3+pl = 5，p3+p2 = 6，......pl+p2+p3+p4 = 15。當然，晶體
管的大小不一定一致，調節(jié)的個數(shù)也不一定要連續(xù)變化，根據(jù)需要決定。為了滿足MIPI標準對上升下降沿斜率的規(guī)定，僅僅控制上拉下拉晶體管的個數(shù) 可能不能完全達到要求，在上拉下拉過程中，需要控制信號可以控制不同時段打開特定個 數(shù)的晶體管，通過控制不同時刻的上拉下拉能力來修正上升下降沿斜率。比如在上升沿的 時候，某一階段的上升沿快，如圖6所示波形，中間部分上拉速度過快，就在這個階段減小 上拉導通晶體管P溝道增強型絕緣柵型場效應管個數(shù)，使上升沿整個范圍內斜率都符合 MIPI規(guī)范，如圖7所示波形。對于下降沿斜率也可作類似調整。如果輸入驅動能力不足，所述低功耗發(fā)送子模塊140還包括電連接在所述低功耗 發(fā)送單元141與P溝道場效應管控制單元501和N溝道場效應管控制單元502的數(shù)據(jù)輸入 端ID之間的緩沖器510。所述P溝道場效應管控制單元501和N溝道場效應管控制單元502都包括各自的 場效應管關斷反饋發(fā)送端和接收端；所述P溝道場效應管控制單元501的場效應管 關斷反饋發(fā)送端Oclo電連接N溝道場效應管控制單元502的場效應管關斷反饋接收端Ia。，
用于將所述第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管Mm、MU2.....Mus的關斷情況反饋給所述N
溝道場效應管控制單元502;所述P溝道場效應管控制單元(501)的場效應管關斷反饋接 收端電連接N溝道場效應管控制單元502的場效應管關斷反饋發(fā)送端，用于接收從
所述N溝道場效應管控制單元502反饋的第七N溝道增強型絕緣柵型場效應管MV1、MV2.....
Mvs的關斷情況。在一般的反相器結構中，PMOS和NMOS共用一個輸入，輸入由高到低或者由 低到高變化過程中，P溝道增強型絕緣柵型場效應管和N溝道增強型絕緣柵型場效應管會 有一段時間都導通，形成電源到地的通路，造成了比較大的功耗。上述結構將二者控制信號 分開，同時加入判斷電路分析晶體管是否已經關閉。N-shut-down和P-shut-down信號分 別代表N溝道增強型絕緣柵型場效應管已經關閉和P溝道增強型絕緣柵型場效應管已經關 閉。因為晶體管關閉需要一定時間，可以根據(jù)仿真結果在N-shut-down和P-shut-down信 號通路上加入延遲，來保證打開其中一個通路，上拉或者下拉通路，的時候，另外的一個是 關閉的，降低功耗。
權利要求
一種基于移動行業(yè)處理器接口MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層D-PHY接口裝置，包括數(shù)據(jù)收發(fā)模塊(100)和對收發(fā)數(shù)據(jù)進行處理的通道控制和接口邏輯模塊(200)；其特征在于所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊(100)包括與用于接收/發(fā)送數(shù)據(jù)的差分端口(DP、DN)電連接的高速接收子模塊(110)、高速發(fā)送子模塊(120)、低功耗接收子模塊(130)和低功耗發(fā)送子模塊(140)中的至少一個子模塊；當所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊(100)設置低功耗接收子模塊(130)和低功耗發(fā)送子模塊(140)中的任一個子模塊時，所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊(100)還包括低功耗競爭檢測模塊(150)；所述高速接收子模塊(110)用于將輸入至所述接口裝置的低功耗低擺幅的差分信號放大整形成輸出電壓擺幅接近或者等于電源電壓的軌至軌rail to rail信號。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于移動行業(yè)處理器接口MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層 D-PHY接口裝置，其特征在于所述高速接收子模塊(110)包括數(shù)據(jù)通道(111)和時鐘通道(112)，所述數(shù)據(jù)通道 (111)包括接收輸入至所述差分端口(Dp、Dn)的數(shù)據(jù)信號的信號放大子模塊(310)、與該放 大子模塊電連接的信號整形子模塊(320)和與所述信號整形子模塊(320)電連接的延遲采 樣子模塊(330)，所述延遲采樣子模塊(330)將被放大整形的數(shù)據(jù)輸入信號輸出至通道控 制和接口邏輯模塊(200)；所述時鐘通道(112)包括接收輸入至所述差分端口(Dp、Dn)的時鐘信號的信號放大子 模塊(310)和與該信號放大子模塊(310)電連接的信號整形子模塊(320)，所述信號整形子 模塊(320)將放大整形后的時鐘信號分別輸出至數(shù)據(jù)通道(111)的延遲采樣子模塊(330) 和通道控制和接口邏輯模塊(200)。
3.根據(jù)權利要求2所述的基于移動行業(yè)處理器接口MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層 D-PHY接口裝置，其特征在于所述信號放大子模塊(310)包括級聯(lián)的兩個信號放大單元(311)和為該兩信號放大 單元(311)提供偏置電流的恒流單元(312)；所述級聯(lián)的兩信號放大單元(311)的輸入端 (VIP1, Vini)電連接所述差分端口(DP、Dn)，輸出端(VQP2、VQN2)電連接信號整形子模塊(320) 的輸入端(VIP3、Vin3)；所述信號放大單元(311)包括兩背靠背電連接的第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應管 (Ml、M2)，該兩第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M11、M12)各自的漏極(d)都與第二 P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M2)的源極(s)電連接，所述兩第一 P溝道增強型絕緣柵 型場效應管(M11、M12)各自的襯底(B)、第二 P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M2)的襯底 (B)和漏極(d)都電連接接口電源(Vdd)，所述兩第一P溝道增強型絕緣柵型場效應管(Mil、 M12)各自的源極(s)通過相應的第一電阻(R0、R1)電連接接口公共地端(Vss)；所述兩第一 P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M11、M12)各自的柵極(g)分別是兩信號放大單元(311) 的差分輸入端(VIP1、VIN1, Vip2, Vin2)，源極(s)分別是兩信號放大單元(311)的差分輸出端(V〇P1、V〇N1、V〇P2、V〇N2)；所述恒流單元(312)包括串聯(lián)在一起的第三電阻(Ra)、第四電阻(Rb)和第五電阻 (Re)，通過一個場效應管的源極(s)與另一個場效應管的漏極(d)電連接的方式依次串行 電連接的第三P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M3)、第一 N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M4)和第二 N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M5)，以及面對面電連接的兩第三N溝道增強 型絕緣柵型場效應管(M61、M62)；所述串聯(lián)的三個電阻(Ra、Rb、Re)依照從第三電阻(Ra) 至第五電阻(Re)的順序電連接在接口電源(Vdd)與一所述第三N溝道增強型絕緣柵型場效 應管(M61)的漏極(d)之間；所述第三P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M3)的漏極(d)和 襯底⑶電連接接口電源(Vdd)，所述第二 N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M5)的源極(s) 電連接另一所述第三N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M61)的漏極(d)；所述第一、第二 N 溝道增強型絕緣柵型場效應管(M4、M5)各自的襯底(B)、所述兩第三N溝道增強型絕緣柵 型場效應管(M61、M62)各自的源極(s)和襯底⑶都電連接接口公共地端(Vss)；所述兩第 三N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M61、M62)各自的柵極(g)都電連接所述第四電阻(Rb) 與第五電阻(Re)的串聯(lián)節(jié)點；所述第二 N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M5)的柵極(g) 電連接所述第三電阻(Ra)與第四電阻(Rb)的串聯(lián)節(jié)點；所述第三P溝道增強型絕緣柵型 場效應管(M3)的柵極(g)和第一 N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M4)的漏極(d)電連接 為偏置電流輸出端口，該端口分別與各信號放大單元(311)各自的第二 P溝道增強型絕緣 柵型場效應管(M2)的柵極(g)電連接。
4.根據(jù)權利要求2所述的基于移動行業(yè)處理器接口MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層 D-PHY接口裝置，其特征在于所述信號整形子模塊(320)包括兩自偏置單元(321)；所述自偏置單元(321)包括源 極(s)與接口電源(Vdd)的第四P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M71)、源極(s)與該第四 P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M71)的漏極(d)電連接的第五P溝道增強型絕緣柵型場 效應管(M72)、漏極(d)與所述第五P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M72)的漏極(d)電 連接的第四N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M73)和漏極(d)與所述第四N溝道增強型絕 緣柵型場效應管(M73)的源極(s)電連接的第五N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M74)； 所述第五N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M74)的源極(s)與接口公共地端(Vss)電連接； 所述兩自偏置單元(321)各自第五P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M72)的源極(s)電連 接，各自第四N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M73)的源極(s)電連接；所述各自偏置單 元(321)的第五P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M72)的柵極(g)與第四N溝道增強型絕 緣柵型場效應管(M73)的柵極(g)電連接成為所述信號整形子模塊(320)的輸入端(VIP3、 VIN3)，各自偏置單元(321)的第四P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M71)的柵極(g)、第五 P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M72)的漏極(d)、第四N溝道增強型絕緣柵型場效應管 (M73)和漏極(d)第五N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M74)的柵極(g)電連接成為所述 信號整形子模塊(320)的輸出端(VQP3、VQN3)。
5.根據(jù)權利要求2所述的基于移動行業(yè)處理器接口MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層 D-PHY接口裝置，其特征在于所述延遲采樣子模塊(330)包括分別電連接在信號整形子模塊(320)輸出的兩差分支 路上的依次串行電連接的延時單元(331)和D觸發(fā)器(332)；其中一差分支路上的D觸發(fā) 器(332)直接輸出至所述通道控制和接口邏輯模塊(200)，另差分支路上的D觸發(fā)器(332) 經過一非門(333)輸出至所述通道控制和接口邏輯模塊(200)；所述時鐘通道(112)輸出 的差分時鐘信號分別輸入各自相應的D觸發(fā)器(332)的時鐘輸入端(CK)。
6.根據(jù)權利要求3所述的基于移動行業(yè)處理器接口MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層D-PHY接口裝置，其特征在于所述信號放大子模塊(310)還包括與恒流單元(312)電連接的快速啟動單元(313)； 該快速啟動單元(313)包括串行電連接的三個非門(314)、與非門(316)、延時單元(315) 和第六P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M8)； 依照串行連接順序，所述三個非門中的第一個非門(314)獲取快速啟動信號，第三個 非門(314)輸出至延時單元(315)的輸入端，第二個非門(314)和延時單元(315)的輸出 端分別電連接與非門(316)的兩輸入端；所述與非門(316)的輸出端電連接第六P溝道增 強型絕緣柵型場效應管(M8)的柵極(g)；該第六P溝道增強型絕緣柵型場效應管(M8)的 漏極(d)電連接所述接口公共地端(Vss)，其源極(s)電連接所述恒流單元(312)的第一 N 溝道增強型絕緣柵型場效應管(M4)的漏極(d)。
7.根據(jù)權利要求2所述的基于移動行業(yè)處理器接口MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層 D-PHY接口裝置，其特征在于所述高速接收子模塊(110)還包括分別電連接在所述數(shù)據(jù)通道(111)和時鐘通道 (112)各自的差分輸入端口的輸入阻抗單元(400)；該阻抗單元(400)包括分別電連接在 兩差分輸入支路上的兩組第六電阻(R3、R4)和第六N溝道增強型絕緣柵型場效應管(M91、 M92)；所述第二電阻(R3、R4) —端電連接一差分輸入端，另一端電連接相應的第六N溝道增 強型絕緣柵型場效應管(M91、M92)的漏極(d)；所述兩第六N溝道增強型絕緣柵型場效應 管(M91、M92)的柵極(g)電連接在一起，它們的源極(s)也電連接在一起并通過電容(C) 接地。
8.一種基于移動行業(yè)處理器接口 MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層D-PHY接口裝置，包括 數(shù)據(jù)收發(fā)模塊(100)和對收發(fā)數(shù)據(jù)進行處理的通道控制和接口邏輯模塊(200)；其特征在 于所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊(100)包括與用于接收/發(fā)送數(shù)據(jù)的差分端口(DP、Dn)電連接的高 速接收子模塊(110)、高速發(fā)送子模塊(120)、低功耗接收子模塊(130)和低功耗發(fā)送子模 塊(140)中的至少一個子模塊；當所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊(100)設置低功耗接收子模塊(130) 和低功耗發(fā)送子模塊(140)中的任一個子模塊時，所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊(100)還包括低功耗 競爭檢測模塊(150)；所述低功耗發(fā)送子模塊(140)用于控制輸出所述接口裝置信號的波形，使信號波形中 從波峰的15%至波峰的85%的上升沿時間和從波谷的15%至波谷的85%的下降沿時間不 大于25ns。
9.根據(jù)權利要求8所述的基于移動行業(yè)處理器接口MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層 D-PHY接口裝置，其特征在于所述低功耗發(fā)送子模塊(140)包括分別設置在對應各差分端口(DP、Dn)的差分支路上 的兩低功耗發(fā)送單元(141)；該低功耗發(fā)送單元(141)電連接在所述通道控制和接口邏輯 模塊(200)與該低功耗發(fā)送單元(141)所在差分支路對應的差分端口之間，包括P溝道場 效應管控制單元(501)和N溝道場效應管控制單元(502)，以及分別為該兩場效應管控制單 元(501、502)各自配置的S個第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管(Mm、MU2、…、Mus)和S 個第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管(MV1、MV2、…、Mvs、)，其中S是自然數(shù)；所述P溝道場效應管控制單元(501)和N溝道場效應管控制單元(502)的數(shù)據(jù)輸入端(Id)電連接而成為所述低功耗發(fā)送單元(141)的輸入端，并且由各自的控制邏輯接收端 (Icon)接收所述通道控制和接口邏輯模塊(200)發(fā)來的控制邏輯數(shù)據(jù)；所述P溝道場效應管 控制單元(501)的S個輸出端口分別電連接各第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管(Mm、 MU2、…、Mus)的柵極(g)；同樣，所述N溝道場效應管控制單元(502)的S個輸出端口分別 電連接各第七N溝道增強型絕緣柵型場效應管(MV1、MV2、…、Mvs)的柵極(g)；所述各第七P 溝道增強型絕緣柵型場效應管(Mm、MU2、…、Mus)的漏極(d)電連接所述接口電源(Vdd)；所 述各第七N溝道增強型絕緣柵型場效應管(MV1、MV2、…、Mvs)的源極(s)接地；所述各第七 P溝道增強型絕緣柵型場效應管(Mm、MU2、…、Mus)的源極(s)電連接各自對應的第七N溝 道增強型絕緣柵型場效應管(MV1、MV2、…、Mvs)的漏極(d)成為所述低功耗發(fā)送單元(141) 的輸出端； 所述P溝道場效應管控制單元(501)和N溝道場效應管控制單元(502)根據(jù)邏輯接收 端(Iot)接收到的控制邏輯控制各自連接的場效應管的導通個數(shù)，從而控制輸出波形上升 沿和/或下降沿的斜率。
10.根據(jù)權利要求9所述的基于移動行業(yè)處理器接口 MIPI協(xié)議的500Mbit/s物理層 D-PHY接口裝置，其特征在于所述低功耗發(fā)送子模塊(140)還包括電連接在所述低功耗發(fā)送單元(141)與P溝道場 效應管控制單元(501)和N溝道場效應管控制單元(502)的數(shù)據(jù)輸入端(Id)之間的緩沖 器(510)；所述P溝道場效應管控制單元(501)和N溝道場效應管控制單元(502)都包括各自的 場效應管關斷反饋發(fā)送端和接收端；所述P溝道場效應管控制單元(501)的場 效應管關斷反饋發(fā)送端電連接N溝道場效應管控制單元(502)的場效應管關斷反饋 接收端(1_)，用于將所述第七P溝道增強型絕緣柵型場效應管(Mm、MU2、…、Mus)的關斷情 況反饋給所述N溝道場效應管控制單元(502)；所述P溝道場效應管控制單元(501)的場 效應管關斷反饋接收端電連接N溝道場效應管控制單元(502)的場效應管關斷反饋 發(fā)送端(0_)，用于接收從所述N溝道場效應管控制單元(502)反饋的第七N溝道增強型絕 緣柵型場效應管(MV1、MV2、…、Mvs)的關斷情況。
全文摘要
基于移動行業(yè)處理器接口MIPI協(xié)議接口裝置，包括數(shù)據(jù)收發(fā)模塊和對收發(fā)數(shù)據(jù)進行處理的通道控制和接口邏輯模塊。尤其是，所述數(shù)據(jù)收發(fā)模塊包括與用于接收/發(fā)送數(shù)據(jù)的差分端口電連接的高速接收子模塊、高速發(fā)送子模塊、低功耗接收子模塊和低功耗發(fā)送子模塊中的至少一個子模塊；所述高速接收子模塊用于將輸入至所述接口裝置的低功耗低擺幅的差分信號放大整形成輸出電壓擺幅接近或者等于電源電壓的軌至軌rail to rail信號。所述低功耗發(fā)送子模塊用于控制輸出所述接口裝置信號的波形，使信號波形中從波峰的15％至波峰的85％的上升沿時間和從波谷的15％至波谷的85％的下降沿時間不大于25ns。本發(fā)明提出適于產業(yè)應用的高速接收子模塊和低功耗發(fā)送子模塊的實現(xiàn)方案。
文檔編號G06F13/40GK101847134SQ20101004284
公開日2010年9月29日 申請日期2010年1月19日 優(yōu)先權日2010年1月19日
發(fā)明者孫慶余, 莫良華 申請人:敦泰科技(深圳)有限公司