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固態(tài)硬盤系統(tǒng)中緩沖器高緩的編程方法和裝置的制作方法

文檔序號:6596306閱讀:330來源:國知局
專利名稱:固態(tài)硬盤系統(tǒng)中緩沖器高緩的編程方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種固態(tài)硬盤系統(tǒng)中緩沖器高緩的編程方法和裝置,特別是,涉及一種固態(tài)硬盤系統(tǒng)中,減少在由多個存儲器芯片構(gòu)成的存儲器中存儲緩沖器高緩的頁時所發(fā)生的延誤的編程方法和裝置。
背景技術(shù)
存儲數(shù)據(jù)的存儲裝置有磁盤(magnetic disk)、半導(dǎo)體存儲器等。由于存儲裝置根據(jù)種類互相具有不同的物理性特征,因此需要與物理性特征相對應(yīng)的管理方法?,F(xiàn)有存儲裝置中磁盤被廣泛地使用(magnetic disk)。磁盤的特征為平均每千字節(jié)(kilobyte)需要數(shù)毫秒(millisecond)的讀寫時間。此外,磁盤的特征為,根據(jù)數(shù)據(jù)被存儲的物理性位置光標(biāo)(arm)到達(dá)的時間的不同,因此讀寫的時間也不同。最近,比起磁盤,讀寫時間短、電力消耗低、體積小的非易失性(non-volatile)存儲器在加速地替代磁盤。這是因為非易失性存儲器實現(xiàn)了大容量化而產(chǎn)生的結(jié)果。非易失性存儲器可用電力進(jìn)行讀取(read)、寫入(write)及擦除(erase),并在沒有電源的狀態(tài)下也能維持被存儲的數(shù)據(jù)的一種半導(dǎo)體存儲器裝置。用于非易失性存儲器裝置的數(shù)據(jù)存儲過程,除了被叫作寫入以外,還被叫作編程(programming)。具代表性的非易失性存儲器可為閃存(Flash memory),閃存比起現(xiàn)有的硬盤驅(qū)動器HDD(Hard Disk Drive),體積小、電力消耗低,具有可提高讀取速度的優(yōu)點。最近,用于利用大容量閃存來替代HDD的固態(tài)硬盤SSD(Solid State Disk)也已被提議出來。閃存的種類中,具代表性的為NAND方式的閃存和NOR方式的內(nèi)存等。NAND方式和 NOR方式可根據(jù)信元(cell)陣列(array)的結(jié)構(gòu)和操作方式被區(qū)分。稱一個閃存為閃存芯片時,為了大容量可被構(gòu)成為使用多個閃存芯片的多芯片。 在這種情況下,多個閃存芯片共享一個數(shù)據(jù)總線。閃存在寫入及擦除中所需的時間比傳送相對來說要久。因此,在多芯片的情況下,利用流水線(pipelining)技法。流水線是指在執(zhí)行向一個閃存芯片寫入命令期間,按順序地對其他閃存芯片進(jìn)行傳送和寫入,可起到隱藏用于一個芯片的寫入時間的效果。另外,作為現(xiàn)有的閃存的基本讀取/寫入的單位的頁,比主機(jī)中指示的基本命令的單位扇區(qū)要大許多。因此,主機(jī)在發(fā)出小單位的寫入命令語時,控制器通過緩沖器高緩或閃存轉(zhuǎn)換層,從所對應(yīng)的閃存芯片讀取其原本頁,利用請求的扇區(qū)創(chuàng)建一個頁。此后,必須進(jìn)行將創(chuàng)建的一個頁在閃存芯片中重新使用的附加工作,但是在這種情況下,控制器在存儲原本頁的閃存芯片處于寫入操作時,為了讀取原本頁必須等待直到寫入操作結(jié)束為止。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)課題本發(fā)明的實施例,提供一種固態(tài)硬盤系統(tǒng)中緩沖器高緩的編程方法和裝置。本發(fā)明的實施例,提供一種固態(tài)硬盤系統(tǒng)中的編程方法和裝置,其減少在由多個存儲器芯片構(gòu)成的存儲器中存儲緩沖器高緩的頁時所發(fā)生的延誤。本發(fā)明的實施例,提供一種固態(tài)硬盤系統(tǒng)中優(yōu)先存儲的編程方法和裝置,其在由多個存儲器芯片所構(gòu)成的存儲器中存儲緩沖器高緩的頁時,無須等待,即生成能夠存儲的頁。技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的實施例的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩的編程裝置,包括緩沖器高緩單元、存儲器單元和控制單元。緩沖器高緩單元存儲頁;存儲器單元包括多個存儲器芯片; 控制單元考慮向所述多個存儲器芯片中的至少一個目標(biāo)存儲芯片中存儲時可能發(fā)生的等待時間,將所述頁中至少一個頁選擇為犧牲頁。根據(jù)本發(fā)明的實施例的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩的編程裝置,包括緩沖器高緩單元、存儲器單元和控制單元。緩沖器高緩單元存儲頁;存儲器單元包括一個以上存儲器芯片;控制單元在為將從所述緩沖器高緩單元的所述頁中選出的犧牲頁存儲至存儲器單元的目標(biāo)存儲器器芯片中須等待時,選擇新的犧牲頁,直到選擇到無須等待便能夠存儲的犧牲頁。根據(jù)本發(fā)明的實施例的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程方法,包括以下步驟從緩沖器高緩單元的頁中選擇犧牲頁;和當(dāng)為將所述犧牲頁存儲至存儲器單元的目標(biāo)存儲器芯片中須等待時,選擇新的犧牲頁,直到選擇到無須等待便能夠存儲的犧牲頁。技術(shù)效果根據(jù)本發(fā)明的實施例,涉及一種固態(tài)硬盤系統(tǒng)中緩沖器高緩的編程方法和裝置, 其包括緩沖器高緩單元、存儲器單元和控制單元,其中緩沖器高緩單元存儲頁;存儲器單元包括一個以上存儲器芯片;控制單元考慮向所述多個存儲器芯片中的至少一個目標(biāo)存儲芯片中存儲時可能發(fā)生的等待時間,將至少一個頁選擇為犧牲頁,由此減少將緩沖器高緩的頁存儲時所發(fā)生的延誤,提高寫入的性能。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的無延誤地存儲緩沖器高緩的頁的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示圖;圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的固態(tài)硬盤系統(tǒng)中存儲器單元的結(jié)構(gòu)的示圖;圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的將固態(tài)硬盤系統(tǒng)中無延誤地存儲緩沖器高緩的頁的例子與現(xiàn)有方法作比較的示圖;圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的固態(tài)硬盤系統(tǒng)中無延誤地將緩沖器高緩的頁存儲的過程的流程圖。
具體實施例方式以下,將參照附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行詳細(xì)說明,但是本發(fā)明的并不受實施例的限制或限定。各附圖中出示的相同的參考符號表示相同的結(jié)構(gòu)。此外,當(dāng)某些內(nèi)容被判斷為會沒必要地使本發(fā)明的要點模糊不清時,省略其詳細(xì)的說明。本發(fā)明的實施例是涉及一種固態(tài)硬盤系統(tǒng)中的編程方法和裝置,其減少將緩沖器高緩的頁存儲在由多個存儲器芯片所構(gòu)成的存儲器中時發(fā)生的延誤,以下將參照圖1,對根據(jù)本發(fā)明的實施例的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的構(gòu)造進(jìn)行說明。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的無延誤地存儲緩沖器高緩的頁的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示圖。參照圖1,固態(tài)硬盤SSD(Solid State Disk)系統(tǒng)120可包括緩沖器高緩單元122、 轉(zhuǎn)換層單元124、存儲器單元1 和控制單元128。主機(jī)110向固態(tài)硬盤系統(tǒng)120請求扇區(qū)單位的讀取或?qū)懭?。緩沖器高緩單元122為了減少在讀取操作或?qū)懭氩僮髦兴璧臅r間,存儲經(jīng)常使用的數(shù)據(jù)。緩沖器高緩單元122可專門進(jìn)行寫入操作。其起到掩蓋存儲器單元126的緩慢寫入性能的作用。即,同樣的請求在較快的時間內(nèi)再次進(jìn)入時,可立即在緩沖器高緩單元 122中處理,因此不需要搜索存儲器單元126。轉(zhuǎn)換層單元124,可基于對至少一個閑置條的存取結(jié)果,生成物理扇區(qū)(physical sector)和邏輯扇區(qū)(logical sector)之間的映射。也就是說,轉(zhuǎn)換層單元1 將請求的邏輯地址轉(zhuǎn)換為對應(yīng)的物理地址,并將物理地址轉(zhuǎn)換為邏輯地址。此外,轉(zhuǎn)換層單元124由于存儲器單元的基本讀取或?qū)懭氲膯挝粸轫?,所以將扇區(qū)單位的請求轉(zhuǎn)換為頁單位。存儲器單元126以包括多個存儲器芯片來構(gòu)成,以下將參照圖2來說明存儲器單元126的結(jié)構(gòu).圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的固態(tài)硬盤系統(tǒng)中存儲器單元的結(jié)構(gòu)的示圖。參考圖2,固態(tài)硬盤系統(tǒng)120因大容量的需要,不是將存儲器單元由一個存儲器芯片來構(gòu)成,而是將其由許多個的存儲器芯片222、224、2沈構(gòu)成。此外,許多個的存儲器芯片 222,224,226共享一個數(shù)據(jù)總線210。存儲器芯片222、224、226作為固態(tài)硬盤SSD(Solid State Disk),可作用為NAND 方式的閃存或NOR方式的閃存等。存儲器芯片222、224、2沈在寫入或擦除的命令中所需的時間比傳送相對來說要久,因此利用流水線(pipelining)技法。此外,存儲器單元126,不受圖2的限定,可由按頻道具備數(shù)據(jù)總線的多個頻道來構(gòu)成。在這種情況下,多個存儲器芯片與多個頻道中的任何一個相連接,且多個頻道互相獨立。控制單元1 控制固態(tài)硬盤系統(tǒng)120的整體的操作,并根據(jù)本發(fā)明的實施例,其可控制轉(zhuǎn)換層單元124。即,所述控制單元1 可執(zhí)行轉(zhuǎn)換層單元124的功能。本發(fā)明中將其分開構(gòu)成來示出是為了將各功能區(qū)別來說明。因此,在實際體現(xiàn)產(chǎn)品時,可將轉(zhuǎn)換層單元 124構(gòu)成為在控制單元128中處理。此外,控制單元128,當(dāng)感應(yīng)到緩沖器高緩單元122的存儲活動時,在可使用的存儲器芯片的閑置(idle)存儲器芯片中選擇目標(biāo)存儲器芯片。在這種情況下,目標(biāo)存儲器芯片的選擇,是將存儲器單元126的閑置存儲器芯片中空著的可存儲空間最大的存儲器芯片選擇為目標(biāo)存儲器芯片。即將閑置存儲器芯片中自由頁最多的存儲器芯片選擇為目標(biāo)存儲器芯片ο此后,控制單元1 將緩沖器高緩單元122中被存儲的扇區(qū)單位的數(shù)據(jù)以頁為單位進(jìn)行區(qū)分,且選擇頁中最久沒被使用的頁作為目標(biāo)存儲器芯片中將被存儲的犧牲(victim)頁。本發(fā)明的實施例中,犧牲頁是指存儲器芯片中將被存儲的頁。此后,控制單元128,當(dāng)為將選擇的犧牲頁存儲至存儲器單元的目標(biāo)存儲器芯片中須等待時,選擇新的犧牲頁,直到選擇到無須等待便可存儲的犧牲頁。犧牲頁須等待的情況,是犧牲頁為部分頁且存儲犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為不閑置的情況。本發(fā)明的實施例中,部分頁是指緩沖器高緩單元122中存儲的數(shù)據(jù)不是構(gòu)成頁的整個數(shù)據(jù)而是一部分的情況。無須等待便可存儲的犧牲頁,在犧牲頁為整個頁的情況下可以。此外,無須等待便可存儲的犧牲頁,也可在犧牲頁為部分頁且存儲犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為不閑置的情況下可以。本發(fā)明的實施例中,整個頁是指緩沖器高緩單元122中被存儲的數(shù)據(jù)是構(gòu)成頁的整個數(shù)據(jù)??刂茊卧?28,在犧牲頁為部分頁且存儲犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為閑置時, 在存儲器單元126中讀取原本頁,并將犧牲頁一起合并存儲在目標(biāo)存儲器芯片中??刂茊卧?28,犧牲頁為整個頁的話,將犧牲頁存儲在目標(biāo)存儲器芯片中??刂茊卧?28,當(dāng)不存在用于目標(biāo)存儲器芯片的無須等待便可存儲的犧牲頁時,選擇存儲器單元126中新的目標(biāo)存儲器芯片,并選擇新的犧牲頁,直到選擇到無須等待便可存儲的犧牲頁。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的將固態(tài)硬盤系統(tǒng)中無延誤地存儲緩沖器高緩的頁的例子與現(xiàn)有方法作比較的示圖。參考圖3,由4個存儲器芯片構(gòu)成的存儲器單元310中,存儲有如圖所示順序的頁。緩沖器高緩單元320中,存儲有多個頁,且位于左側(cè)的頁是很久之前的頁,存儲的順序為從左側(cè)頁至右側(cè)頁的順序。在此,緩沖器高緩單元320中存儲的頁中,用陰影表示的頁為整個頁,且沒有用陰影表示的頁為部分頁。觀察根據(jù)現(xiàn)有的一般的存儲方法的圖表330的話,固態(tài)硬盤系統(tǒng)將整個頁第6頁傳送至第1存儲器芯片,且在第1存儲器芯片寫入期間將下一個第7頁傳送至第2存儲器芯片,且在第2存儲器芯片寫入期間傳送下一個第8頁。固態(tài)硬盤系統(tǒng)如上所述,將第6頁至第9頁傳送至所對應(yīng)的閑置頁。即,整個頁第6、第7、第8、第9頁通過數(shù)據(jù)總線按順序地被傳送。此后,固態(tài)硬盤系統(tǒng)在存儲部分頁第2頁之前確認(rèn)存儲器單元310。確認(rèn)結(jié)果可確認(rèn)為存儲有第2頁的整個頁的第3芯片為使用中。因此,固態(tài)硬盤系統(tǒng)在芯片等待的時間 332期間等待,直到第3芯片為閑置狀態(tài)為止。此外,固態(tài)硬盤系統(tǒng),可讀取第2頁的整個頁來與第2頁的部分頁結(jié)合,并發(fā)送至第1存儲芯片來將其存儲后,存儲整個頁即第5頁。但是,觀察使用根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲方法的時間圖表340,由于第2頁是需要等待時間的頁,所以先將不需要等待時間的第5頁存儲。此外,存儲第5頁后,在第3存儲器芯片為使用中且不存在無須等待便可存儲的頁時,固態(tài)硬盤系統(tǒng)可在等待后與被存儲的第2頁的整個頁一起合并存儲。但是,存儲第5頁后,在第3存儲器芯片為閑置時,固態(tài)硬盤系統(tǒng)無須等待,可將第2頁的整個頁與第2頁的部分頁一起合并存儲在閑置的存儲器芯片中。以下,將參照下面的示圖,來對在根據(jù)如上所述構(gòu)成的本發(fā)明的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩的編程方法進(jìn)行說明。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的固態(tài)硬盤系統(tǒng)中無延誤地將緩沖器高緩的頁存儲的過程的流程圖。參照圖4,根據(jù)本發(fā)明的實施例,固態(tài)硬盤系統(tǒng),在步驟400中感應(yīng)緩沖器高緩存儲活動的發(fā)生時進(jìn)行步驟402,在沒被選擇的閑置存儲器芯片中選擇目標(biāo)存儲器芯片。在這種情況下,目標(biāo)存儲器芯片的選擇,將所述存儲器單元的閑置存儲器芯片中空著的可存儲空間最大的存儲器芯片選擇為目標(biāo)存儲器芯片。即將閑置存儲器芯片中自由頁最多的存儲器芯片選擇為目標(biāo)存儲器芯片。此后,固態(tài)硬盤系統(tǒng)進(jìn)行步驟404,將沒被選擇的頁中最久沒被使用的頁選擇為要存儲至目標(biāo)存儲器芯片中的犧牲頁。固態(tài)硬盤系統(tǒng)進(jìn)行步驟406來確認(rèn)犧牲頁是否為部分頁。當(dāng)確認(rèn)結(jié)果為犧牲頁是整個頁時,進(jìn)行步驟402,將犧牲頁存儲至目標(biāo)存儲器芯片中,并進(jìn)行步驟416。當(dāng)步驟406的確認(rèn)結(jié)果為犧牲頁是部分頁時,固態(tài)硬盤系統(tǒng)進(jìn)行408步驟,確認(rèn)存儲犧牲頁的原本頁的存儲器芯片是否閑置。當(dāng)步驟408的確認(rèn)結(jié)果為存儲犧牲頁的原本頁的存儲器芯片閑置時,固態(tài)硬盤系統(tǒng)進(jìn)行步驟410,讀取原本頁,并將犧牲頁一起合并存儲在目標(biāo)存儲器芯片中,進(jìn)行步驟 416。此后,固態(tài)硬盤系統(tǒng)進(jìn)行步驟416來確認(rèn)緩沖器高緩存儲活動是否結(jié)束。在確認(rèn)結(jié)果為存儲活動沒有結(jié)束時,返回步驟402。但是在存儲活動結(jié)束時,結(jié)束根據(jù)本發(fā)明的實施例的算法。此外,當(dāng)步驟408的確認(rèn)結(jié)果為存儲犧牲頁的原本頁的存儲器芯片閑置時,固態(tài)硬盤系統(tǒng)進(jìn)行步驟414,確認(rèn)緩沖器高緩中將被存儲在選擇的目標(biāo)存儲器芯片中的沒被選擇的頁是否存在。當(dāng)步驟414的確認(rèn)結(jié)果為存在沒被選擇的頁時,固態(tài)硬盤系統(tǒng)返回404步驟,選擇新的犧牲頁并執(zhí)行之后一系列的過程。但是,當(dāng)步驟414的確認(rèn)結(jié)果為不存在沒被選擇的頁時,固態(tài)硬盤系統(tǒng)返回步驟 402,選擇新的目標(biāo)存儲芯片并執(zhí)行之后一系列的過程。根據(jù)本發(fā)明的用于固態(tài)硬盤的控制器的操作方法,包括包含由計算機(jī)執(zhí)行各種操作的程序指令的計算機(jī)可讀媒體。該媒體計算機(jī)可讀可包括獨立的或結(jié)合的程序指令、 數(shù)據(jù)文件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等。媒體和程序指令可專門為本發(fā)明的目的設(shè)計和創(chuàng)建,或為計算機(jī)軟件技術(shù)人員熟知而應(yīng)用。計算機(jī)可讀媒體的例子包括磁媒體(magnetic media),如硬盤、軟盤和磁帶;光學(xué)媒體(optical media),如CD ROM、DVD ;磁光媒體(magneto-optical media),如光盤(floptical disk);和專門配置為存儲和執(zhí)行程序指令的硬件設(shè)備,如只讀存儲器(ROM)、隨機(jī)存取存儲器(RAM)等。程序指令的例子,既包括機(jī)器代碼,如由編譯器產(chǎn)生的,也包括含有可由計算機(jī)使用解釋程序執(zhí)行的更高級代碼的文件。如上所示,本發(fā)明中雖然已參照具體的構(gòu)成要素等類似特定事項和有限的實施及附圖進(jìn)行了說明,但是本發(fā)明并不局限于所述實施例,在本發(fā)明所屬領(lǐng)域中具備通常知識的人均可以從此記載中進(jìn)行各種修改和變形。因此,本發(fā)明的范圍不受說明的實施例的局限或定義,而是由后附的權(quán)利要求范圍以及權(quán)利要求范圍等同內(nèi)容定義。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,包括緩沖器高緩單元,其存儲頁;存儲器單元,其包括多個存儲器芯片;和控制單元,其考慮向所述多個存儲器芯片中的至少一個目標(biāo)存儲芯片中存儲時可能發(fā)生的等待時間,將所述頁中至少一個頁選擇為犧牲頁。
2.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述控制單元,在選擇所述犧牲頁時,考慮所述頁的使用頻率或最近的使用時間來選擇。
3.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述控制單元,將所述頁中,沒有被選為過犧牲頁的最久沒有被使用且向所述目標(biāo)存儲器芯片中存儲時無須等待便能夠存儲的頁選擇為所述犧牲頁。
4.如權(quán)利要求3所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述犧牲頁須等待的情況,是所述犧牲頁為部分頁且存儲所述犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為不閑置的情況。
5.如權(quán)利要求3所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述無須等待便能夠存儲的犧牲頁,是所述犧牲頁為整個頁的情況,或所述犧牲頁為部分頁且存儲所述犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為閑置的情況。
6.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述控制單元, 在所述犧牲頁為部分頁且存儲所述犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為閑置時,讀取所述原本頁,并將所述犧牲頁一起合并存儲在所述目標(biāo)存儲器芯片中。
7.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述控制單元,在所述犧牲頁為整個頁時,將所述犧牲頁存儲在所述目標(biāo)存儲器芯片中。
8.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述控制單元,在選擇所述犧牲頁中,事先將所述存儲器單元的閑置存儲器芯片中空著的能夠存儲空間最大的存儲器芯片選擇為所述目標(biāo)存儲器芯片。
9.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述控制單元,當(dāng)新的犧牲頁的選擇結(jié)果為不存在所述無須等待便能夠存儲的犧牲頁時,從所述存儲器單元中新的目標(biāo)存儲器芯片。
10.一種固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,包括緩沖器高緩單元,其存儲頁;存儲器單元,其包括一個以上存儲器芯片;和控制單元,其在為將從所述緩沖器高緩單元的所述頁中選出的犧牲頁存儲至存儲器單元的目標(biāo)存儲器器芯片中須等待時,選擇新的犧牲頁,直到選擇到無須等待便能夠存儲的犧牲頁。
11.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述控制單元, 將所述緩沖器高緩單元的所述頁中沒被選擇為存儲對象的、最久沒被使用的頁選擇為所述犧牲頁或所述新的犧牲頁。
12.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述控制單元中所述犧牲頁須等待的情況,是所述犧牲頁為部分頁且存儲所述犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為不閑置的情況。
13.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述無須等待便能夠存儲的犧牲頁,是所述犧牲頁為整個頁的情況,或所述犧牲頁為部分頁且存儲所述犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為閑置的情況。
14.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述控制單元, 在所述犧牲頁為部分頁且存儲所述犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為閑置時,讀取所述原本頁,并將所述犧牲頁一起合并存儲在所述目標(biāo)存儲器芯片中。
15.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述控制單元, 在所述犧牲頁為整個頁時,將所述犧牲頁存儲在所述目標(biāo)存儲器芯片中。
16.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程裝置,其中,所述控制單元, 在選擇所述犧牲頁中,事先將所述存儲器單元的閑置存儲器芯片中空著的能夠存儲空間最大的存儲器芯片選擇為所述目標(biāo)存儲器芯片。
17.一種固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程方法,包括以下步驟從緩沖器高緩單元的頁中選擇犧牲頁;和當(dāng)為將所述犧牲頁存儲至存儲器單元的目標(biāo)存儲器芯片中須等待時,選擇新的犧牲頁,直到選擇到無須等待便能夠存儲的犧牲頁。
18.如權(quán)利要求17所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程方法,其中,所述犧牲頁或所述新的犧牲頁的選擇,將所述緩沖器高緩單元的所述頁中沒被選擇為存儲對象的、最久沒被使用的頁選擇為所述犧牲頁或所述新的犧牲頁。
19.如權(quán)利要求17所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程方法,其中,當(dāng)所述犧牲頁須等待的情況,是所述犧牲頁為部分頁且存儲所述犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為不閑置的情況。
20.如權(quán)利要求17所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程方法,其中,所述無須等待便能夠存儲的犧牲頁,是所述犧牲頁為整個頁的情況,或所述犧牲頁為部分頁且存儲所述犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為閑置的情況。
21.如權(quán)利要求17所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程方法,其進(jìn)一步包括以下步驟當(dāng)所述無須等待便能夠存儲的犧牲頁被選中時,在所述犧牲頁為部分頁且存儲所述犧牲頁的原本頁的存儲器芯片為閑置時,讀取所述原本頁,并將所述犧牲頁一起合并存儲在所述目標(biāo)存儲器芯片中。
22.如權(quán)利要求17所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程方法,其進(jìn)一步包括以下步驟當(dāng)所述無須等待便能夠存儲的所述犧牲頁被選中時,在所述犧牲頁為整個頁時,將所述犧牲頁存儲在所述目標(biāo)存儲器芯片中。
23.如權(quán)利要求17所述的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器高緩編程方法,在從所述緩沖器高緩單元的頁中選擇所述犧牲頁的步驟之前,在具有一個以上存儲器芯片的所述存儲器單元的閑置存儲器芯片中,將空著的能夠存儲空間最大的存儲器芯片選擇為所述目標(biāo)存儲器芯片。
24.一種記錄有用于執(zhí)行權(quán)利要求17至23中任何一項所述方法的程序的計算機(jī)可讀記錄媒體。
全文摘要
本發(fā)明提出一種固態(tài)硬盤系統(tǒng)中緩沖器高緩的編程方法和裝置。根據(jù)本發(fā)明的實施例的固態(tài)硬盤系統(tǒng)的緩沖器(buffer)高緩(cache)編程裝置,包括緩沖器高緩單元、存儲器單元和控制單元。緩沖器高緩單元存儲頁,存儲器單元包括多個存儲器芯片,控制單元考慮向所述多個存儲器芯片中的至少一個目標(biāo)存儲芯片中存儲時可能發(fā)生的等待時間,將所述頁中至少一個頁選擇為犧牲頁(victim page)。
文檔編號G06F13/10GK102317924SQ200980156623
公開日2012年1月11日 申請日期2009年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月11日
發(fā)明者孟承冽, 樸漢默, 沈孝擇, 薛真鎬, 金載極, 金鎮(zhèn)洙 申請人:韓商英得聯(lián)股份有限公司
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