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卡和主機(jī)設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):6579702閱讀:178來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):卡和主機(jī)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種卡和一種主機(jī)設(shè)備,例如涉及在對(duì)存儲(chǔ)卡和〗吏用 ii殳備進(jìn)4亍^刀始4匕以及終止從主機(jī)召
理,
背景技術(shù)
近年來(lái),作為可移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備的存儲(chǔ)卡已經(jīng)被經(jīng)常用于各種^f更攜
式電子設(shè)務(wù)、諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、照相才;u或者
蜂窩電話中。在所述存儲(chǔ)卡當(dāng)中,PC卡和小型SDTM卡更受關(guān)注。所 述SDTM卡是一種包含閃存、卡控制器等的存儲(chǔ)卡。所述SDTM卡被特 別設(shè)計(jì)成能夠滿(mǎn)足諸如減少尺寸和增加容量及速度的需要。
現(xiàn)有技術(shù)對(duì)于SDTM卡規(guī)定初始化時(shí)間最多是一秒。由此,所有 常規(guī)的SDTM卡都是依照此規(guī)格來(lái)制造的。然而,隨著SDTM卡的容量
增加,自身減少初始化時(shí)間變得越發(fā)困難。因此,初始化時(shí)間的^L少 受到限制。特別的是,當(dāng)把所述卡用于數(shù)字照相機(jī)、電影攝影機(jī)等時(shí), 因?yàn)橐筮@些設(shè)備能夠在通電之后立即進(jìn)行拍攝,所以不能簡(jiǎn)單地隨
著SDTM卡的容量的不斷增加而增加初始化時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
依照本發(fā)明的第一方面,提供了一種主機(jī)設(shè)備,其中插入有具有 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的卡,并且該主機(jī)設(shè)備用于向所述卡發(fā)出檢查
5命令,所述檢查命令指示發(fā)送有關(guān)所述卡是否支持終止處理的信息, 在所述終止處理中,所述卡變換至準(zhǔn)備好停止從主機(jī)設(shè)備供電的狀態(tài)。 依照本發(fā)明的第二方面,提供了一種具有非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 的卡,其用于插入到主機(jī)設(shè)備中,并且用于支持終止處理,在所述終 止處理中,所述卡變換至準(zhǔn)備好停止從主機(jī)設(shè)備供電的狀態(tài),當(dāng)所述 卡接收到指示發(fā)送有關(guān)所述卡是否支持終止處理的信息的檢查命令 時(shí),所述卡發(fā)送一個(gè)表明所述卡支持所述終止處理的響應(yīng)。
依照本發(fā)明的另 一方面,提供了 一種具有非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 的存儲(chǔ)設(shè)備,用于插入到主機(jī)設(shè)備中,并且支持終止處理,在所述終 止處理中,所述存儲(chǔ)設(shè)備變換至準(zhǔn)備好停止從主機(jī)設(shè)備供電的狀態(tài), 當(dāng)所述存儲(chǔ)設(shè)備接收到用于指示發(fā)送有關(guān)所述存儲(chǔ)設(shè)備是否支持終止 處理的信息的檢查命令時(shí),所述存儲(chǔ)設(shè)備發(fā)送表明所述存儲(chǔ)設(shè)備支持 所述終止處理的響應(yīng),在所述存儲(chǔ)設(shè)備完成所述終止處理之后,所述 存儲(chǔ)設(shè)備發(fā)送對(duì)功能停止命令的響應(yīng),該響應(yīng)表明所述存儲(chǔ)設(shè)備準(zhǔn)備 好來(lái)自所述主機(jī)設(shè)備的供電的停止。


圖l是示出依照本發(fā)明第一實(shí)施例的存儲(chǔ)卡的基本部分的配置的
圖2是示出在依照第一實(shí)施例的卡中信號(hào)與信號(hào)引腳的分配的 圖3是示出在依照第一實(shí)施例的卡中的硬件配置的框圖4是詳細(xì)示出依照第一實(shí)施例的卡的寄存器部分的配置的圖; 圖5是示出在NAND型閃存中的數(shù)據(jù)設(shè)置的圖表; 圖6是示出了用于檢查依照第一實(shí)施例的終止處理是否被支持的 處理的流程圖7是切換命令和對(duì)其的響應(yīng)的時(shí)序圖8是示出依照第一實(shí)施例的初始化命令的一部分內(nèi)容的圖;圖9是示出了在初始化期間由依照第 一實(shí)施例的卡和主機(jī)i殳備執(zhí) 行的終止處理的流程圖10是示出了在所述卡已經(jīng)接收到功能停止命令之后并且在它 完成終止處理之前、在依照第一實(shí)施例的卡和主機(jī)設(shè)備之間傳送和接 收信號(hào)的時(shí)序圖11是示出由依照第一實(shí)施例的主機(jī)設(shè)備發(fā)出的功能停止命令 內(nèi)容的基本部分的圖12是示出圖6中所示的處理的一部分的另一示例的圖表;
圖13是示出依照第一實(shí)施例的初始化命令及對(duì)其的響應(yīng)的一部 分內(nèi)容的圖14是示出在初始化期間由依照第一實(shí)施例的卡執(zhí)行的處理的 流程圖15是示出依照本發(fā)明第二實(shí)施例的卡中的硬件配置的框并且
圖16是示出依照本發(fā)明第三實(shí)施例的卡中的硬件配置的框圖。
具體實(shí)施例方式
結(jié)合在"背景技術(shù)"部分中所描述的問(wèn)題,能夠使用一種用于即佳: 在主機(jī)設(shè)備已經(jīng)被斷電之后也能夠連續(xù)地向SDTM卡提供電源電壓的 技術(shù)。這種技術(shù)消除了當(dāng)主機(jī)設(shè)備被打開(kāi)時(shí)對(duì)初始化SDTM卡的需要。 因此,在主機(jī)設(shè)備已經(jīng)通電之后可以立即使用SDTM卡。然而,不利 的是,來(lái)自SDTM卡的漏電流會(huì)使主機(jī)設(shè)備的電池耗盡。從技術(shù)上4艮 難減少這種漏電流。由此,對(duì)這種技術(shù)的利用十分困難。
下面將參照附圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例。在下面的描述中,基本 上具有相同功能和配置的組件將由相同的參考標(biāo)記來(lái)表示。只有當(dāng)需 要時(shí),才會(huì)給出重復(fù)的描述。
(第一實(shí)施例)
圖l示出了依照本發(fā)明第一實(shí)施例的卡的基本部分的配置???存 儲(chǔ)卡)1經(jīng)由總線接口 3向主機(jī)設(shè)備傳送并從中接收信息。所迷卡1
7包括NAND型閃存芯片11、用于控制NAND型閃存11的卡控制器 12以及多個(gè)信號(hào)引腳(第一至第九引腳)13。
多個(gè)信號(hào)引腳13被電連接至卡控制器12。把信號(hào)分配給多個(gè)^f言 號(hào)引腳13、即第一至第九引腳,例如如圖2所示。把數(shù)據(jù)0至3分別 分配給第七引腳、第八引腳、第九引腳和第一引腳。第一引腳還被分 配有卡檢測(cè)信號(hào)。此外,所述第二引腳被分配有命令。第三和第六引 腳被分配有地電壓Vss。第四和第五引腳被分別分配有電源電壓Vdd 和時(shí)鐘信號(hào)。
所述卡l這樣形成,以便使它可以被插入到主機(jī)設(shè)備2中所S殳置 的槽4中并且可以從中移除。主機(jī)設(shè)備2包括電壓供給部5、讀/寫(xiě)控 制部6、命令控制部7、卡檢測(cè)部8等。
所述電壓供給部5、讀/寫(xiě)部6、命令控制部7經(jīng)由第一至第九引 腳向卡1中的卡控制器12傳送并從中接收各種信號(hào)和數(shù)據(jù)。例如,當(dāng) 將要把數(shù)據(jù)寫(xiě)入卡1時(shí),命令控制部7把寫(xiě)命令作為串行信號(hào)經(jīng)由第 二引腳傳送至卡控制器12。在這個(gè)時(shí)候,響應(yīng)于提供給第五引腳的時(shí) 鐘信號(hào),所述卡控制器12加栽被提供給第二引腳的寫(xiě)命令。通過(guò)僅利 用第二引腳,把寫(xiě)命令串行輸入至卡控制器12??z測(cè)部8檢測(cè)是否 有任何卡被插入槽4中。
用于NAND型閃存的接口被用來(lái)在NAND型閃存11和卡控制器 12之間通信。因此,雖然未示出,但是NAND型閃存11和卡控制器 12通過(guò)8位I/O線路連接在一起。例如,當(dāng)所述卡控制器12向NAND 型閃存11寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí),卡控制器12經(jīng)由I/O線路向NAND型閃存11 順序地輸入數(shù)據(jù)輸入命令80H、列地址、頁(yè)地址、數(shù)據(jù)和程序命令I(lǐng)OH。 此處,命令80H中的"H,,表明十六進(jìn)制數(shù)。實(shí)際上,8位信號(hào)"10000000" 被并行提供給8位I/0線路。也就是說(shuō),采用NAND型閃存接口, 一 條多位的命令被并行提供給I/O線路。此外,采用NAND型閃存接口 , 使用相同的I/O線路來(lái)向NAND型閃存11傳遞命令和數(shù)據(jù)。由此, 用于允許主機(jī)設(shè)備2中的主機(jī)控制器和卡1進(jìn)行通信的接口不同于用 于允許NAND型閃存11和卡控制器12進(jìn)4亍通信的接口 。圖3是示出在依照本發(fā)明第一實(shí)施例的卡中的硬件配置的框圖。 如圖3所示,所述主機(jī)設(shè)備2包括用于訪問(wèn)經(jīng)由總線接口 3連接至i殳 備2的卡1的硬件和軟件。當(dāng)卡1連接至主機(jī)設(shè)備2時(shí),卡l通過(guò)由 電壓供給部5供電來(lái)操作??╨依照來(lái)自主機(jī)設(shè)備2的訪問(wèn)來(lái)執(zhí)行處 理。
對(duì)于NAND型閃存11來(lái)說(shuō),用于擦除的擦除塊大小(擦除單元 的塊大小)被設(shè)定為預(yù)定值(例如,256k字節(jié))。此外,以所謂的"頁(yè)" 為單位(例如2k字節(jié))向NAND型閃存11寫(xiě)入并從中讀取數(shù)據(jù)。
所述卡控制器12具有主機(jī)接口模塊21、微處理單元(MPU)23、 閃存控制器26、只讀存儲(chǔ)器(ROM) 24、例如充當(dāng)臨時(shí)儲(chǔ)存存儲(chǔ)器 的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM) 25以及緩沖器27??刂破?2存儲(chǔ)涉及 NAND型閃存11的內(nèi)部物理狀態(tài)的系統(tǒng)數(shù)據(jù)。所述RAM 25是Y吏用 諸如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)之類(lèi)的易失性存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 所述系統(tǒng)數(shù)據(jù)包括表明某一物理塊地址中包含的邏輯扇區(qū)地址數(shù)據(jù)的 序數(shù)的數(shù)據(jù)等,其中這些塊是可寫(xiě)的。
主機(jī)接口模塊21把卡控制器12和主機(jī)設(shè)備2對(duì)接在一起,并且 包括寄存器部22。圖4詳細(xì)地示出了寄存器部22的配置。所述寄存 器部22具有各種寄存器,其中包括卡狀態(tài)寄存器、CID、 RCA、 DSR、 CSD、 SCR和OCR。所述寄存器部還包括初始化方法表明部才莫式寄 存器36和繁忙通知部模式寄存器37。所述初始化方法表明部才莫式寄 存器36把將要包含在初始化方法表明部中的位模式保存在對(duì)初始化 命令的響應(yīng)中。
如下所述那樣來(lái)定義這些寄存器??顟B(tài)寄存器用于正常操作, 并且存儲(chǔ)例如稍后描述的錯(cuò)誤信息。CID、 RCA、 DSR、 CSD、 SCR 和OCR主要用于初始化卡1。 CID (卡標(biāo)識(shí)號(hào),Card IDentification number)存儲(chǔ)卡1的特殊編號(hào)(individual number ) 。 RCA (相對(duì) 卡地址,Relative Card Address)存儲(chǔ)相對(duì)卡地址(在初始化期間由 主機(jī)設(shè)備動(dòng)態(tài)地確定)。DSR(驅(qū)動(dòng)器級(jí)寄存器,Driver Stage Register ) 存儲(chǔ)卡1的總線驅(qū)動(dòng)力等。CSD (卡特定的數(shù)據(jù),Card Specific Data )存儲(chǔ)卡1的特性參數(shù)值。SCR( SD配置數(shù)據(jù)寄存器,SD Configuration data Register)存儲(chǔ)卡1中的數(shù)據(jù)的設(shè)置。此外,OCR (操作條件寄 存器,Operation Condition Register)存儲(chǔ)當(dāng)卡1具有有限的工作電 壓范圍時(shí)的工作電壓。
MPU (控制部)23控制整個(gè)卡1的操作。例如,當(dāng)卡l凈皮供電 時(shí),MPU 23讀取存儲(chǔ)在ROM 24中的固件(控制程序)并且把它加 載到RAM 25上。然后,MPU 23執(zhí)行預(yù)定的處理,以便在RAM 25 上創(chuàng)建各種系統(tǒng)數(shù)據(jù)。MPU 23還從主機(jī)設(shè)備2接收寫(xiě)命令、讀命令 或者擦除命令。然后,MPU23對(duì)NAND型閃存ll執(zhí)行預(yù)定的處理, 或者控制經(jīng)由緩沖器26的數(shù)據(jù)傳輸處理。
ROM 24存儲(chǔ)例如由MPU 23控制的控制程序。RAM 25用作 MPU23的工作區(qū),用于存儲(chǔ)控制程序和各種系統(tǒng)數(shù)據(jù)。此外,所述 閃存控制器26執(zhí)行卡控制器12和NAND型閃存11之間的對(duì)接處理。
當(dāng)把由主機(jī)設(shè)備2發(fā)送的數(shù)據(jù)寫(xiě)入NAND型閃存11時(shí),緩沖器 27臨時(shí)存儲(chǔ)規(guī)定量的數(shù)據(jù)(例如, 一頁(yè))。當(dāng)把從NAND型閃存11 中讀取的數(shù)據(jù)傳送給主機(jī)設(shè)備2時(shí),緩沖器27也臨時(shí)存儲(chǔ)規(guī)定量的數(shù) 據(jù)。
圖5示出了 NAND型閃存ll中的數(shù)據(jù)的設(shè)置。NAND型閃存11 的每一頁(yè)均具有2112字節(jié)((數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部的512字節(jié)+冗余部的10 字節(jié))x4 +管理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部的24字節(jié))。 一個(gè)擦除單元合計(jì)是128 頁(yè)(256k字節(jié)+ 8k字節(jié)(在此情況下,k是l,024))。
此外,所述NAND型閃存11包括頁(yè)緩沖器IIA,用于向閃存輸 入并從中輸出數(shù)據(jù)。頁(yè)緩沖器11A的存儲(chǔ)容量是2,112字節(jié)(2,(H8 字節(jié)+64字節(jié))。對(duì)于數(shù)據(jù)寫(xiě)入等來(lái)說(shuō),所述頁(yè)緩沖器11A按照等于 其自身存儲(chǔ)容量的每一 頁(yè)向閃存輸入并從中輸出數(shù)據(jù)。
如果NAND型閃存11的存儲(chǔ)容量是例如1G比特,那么256k字 節(jié)的塊(擦除單元)的數(shù)目是512。
此外,圖5舉例說(shuō)明了擦除單元是256k字節(jié)的情況。然而,這 實(shí)際上同樣適用于構(gòu)造所述存儲(chǔ)器以便使擦除單元是例如16k字節(jié)的
10塊。在此情況下,每一頁(yè)均具有528字節(jié)(數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部的512字節(jié)+ 冗余部的16字節(jié))。 一個(gè)擦除單元合計(jì)是32頁(yè)(16k字節(jié)+0.5k字節(jié) (在此情況下,k是1,024))。
將NAND型閃存11的其中寫(xiě)入數(shù)據(jù)的區(qū)域(數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū))按照 所保存的數(shù)據(jù)的類(lèi)型劃分為多個(gè)區(qū)域,如圖3所示。所述NAND型閃 存11包括其中存儲(chǔ)有用戶(hù)數(shù)據(jù)的用戶(hù)數(shù)據(jù)區(qū)域34,其中存儲(chǔ)有涉及 卡1的管理信息的管理數(shù)據(jù)區(qū)域31,其中存儲(chǔ)有機(jī)密數(shù)據(jù)的機(jī)密數(shù)據(jù) 區(qū)域32,以及其中存儲(chǔ)有重要數(shù)據(jù)的受保護(hù)數(shù)據(jù)區(qū)域33,作為數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)區(qū)。
所述用戶(hù)數(shù)據(jù)區(qū)域34可以由卡1的用戶(hù)自由訪問(wèn)并使用。只有 當(dāng)主機(jī)設(shè)備2根據(jù)卡1和連接至卡1的主機(jī)設(shè)備2之間的相互驗(yàn)證而 被證明是有效的時(shí),才可以訪問(wèn)受保護(hù)數(shù)據(jù)區(qū)域33。
管理數(shù)據(jù)區(qū)域31存儲(chǔ)諸如卡1的介質(zhì)ID之類(lèi)的卡信息和系統(tǒng)數(shù) 據(jù)。所述機(jī)密數(shù)據(jù)區(qū)域32存儲(chǔ)用于加密的密鑰信息、用于驗(yàn)證的機(jī)密 數(shù)據(jù)和安全信息。
所述卡的操作模式被粗分為SD模式和SPI模式。在SD模式中, 按照來(lái)自主機(jī)設(shè)備2的總線寬度改變命令,將所述卡1設(shè)置為SD 4 位模式或者SD1位模式。
此處,把關(guān)注點(diǎn)放在四個(gè)引腳、即數(shù)據(jù)0引腳(DATO)至數(shù)據(jù) 3引腳(DAT 3)上。在其中數(shù)據(jù)按照每4位寬度傳輸?shù)腟D4位丼莫式 中,所有四個(gè)引腳、即數(shù)據(jù)0引腳(DATO)至數(shù)據(jù)3引腳(DAT3) 都用于數(shù)據(jù)傳輸。與此相比,在其中數(shù)據(jù)按照每l位寬度傳輸?shù)腟D1 位模式中,只有數(shù)據(jù)0引腳(DATO)用于數(shù)據(jù)傳輸,而數(shù)據(jù)1引腳 (DAT1)和數(shù)據(jù)2引腳(DAT2)不用于數(shù)據(jù)傳輸。另一方面,所述 數(shù)據(jù)3引腳(DAT3)例如用于由主機(jī)設(shè)備2中的卡1進(jìn)行的異步中 斷。在SPI模式中,所述數(shù)據(jù)0引腳(DATO )用于從卡1到主機(jī)設(shè) 備2的數(shù)據(jù)信號(hào)線(DATA OUT )。所述命令引腳(CMD )用于從主 機(jī)設(shè)備2到卡1的數(shù)據(jù)信號(hào)線(DATA IN)。所述數(shù)據(jù)1引腳(DATl ) 和數(shù)據(jù)2引腳(DAT2)不使用。此外,在SPI模式中,數(shù)據(jù)3引腳(DAT3 )用來(lái)把片選信號(hào)C3從主機(jī)設(shè)備2發(fā)送到卡1。
現(xiàn)在將參考圖6至14來(lái)給出對(duì)卡1和主機(jī)設(shè)備2的操作的描述。 (對(duì)于支持終端操作的檢查操作)
所述主機(jī)設(shè)備2確定卡1是否支持由功能停止命令指示進(jìn)行的終 止處理(將稍后描迷)。所述確定只須在主機(jī)設(shè)備停止供電以前的任 4可時(shí)間完成即可。
圖6示出了由主機(jī)設(shè)備用來(lái)獲知卡1是否支持終止處理的處理的 流程圖。如圖6所示,所述主機(jī)設(shè)備2向卡1發(fā)出用于確定卡l是否 支持終止處理的命令(步驟S31)。這種命令的示例可以包括所謂的 切換命令。所述切換命令例如用在檢查功能或者設(shè)置功能中。例如, 模式0用作檢查功能,而模式l用作設(shè)置功能。命令中的模式顯示部 分可以被設(shè)置為"0,,或者"1 ,,,以便切換所述才莫式。
當(dāng)主機(jī)設(shè)備2訪問(wèn)卡1時(shí),所述主機(jī)設(shè)備2必須知道卡1的規(guī)格。 主機(jī)設(shè)備2向卡1提供切換命令,所述切換命令被設(shè)置為具有如圖7 所示的檢查功能。然后,主機(jī)設(shè)備2在數(shù)據(jù)線DAT上接收來(lái)自卡1 的狀態(tài)數(shù)據(jù),以便知道卡的規(guī)格。
當(dāng)支持終止處理的卡l接收到切換命令時(shí),所述卡1送回狀態(tài)數(shù) 據(jù),所述狀態(tài)數(shù)據(jù)表明卡1支持所述處理的。主機(jī)設(shè)備2接收所述狀 態(tài)數(shù)據(jù),以便知道在停止供電以前可以執(zhí)行終止處理。
相反,如果卡l支持切換命令、但是不支持所述終止處理,那么 所述狀態(tài)數(shù)據(jù)表示所迷卡1不支持所述處理。主機(jī)設(shè)備2接收這種狀 態(tài)數(shù)據(jù),以便知道終止處理無(wú)法執(zhí)行。
如果卡l不支持切換命令,那么不送回響應(yīng)和狀態(tài)數(shù)據(jù)。因此, 所述主機(jī)設(shè)備2知道終止處理無(wú)法執(zhí)行。主機(jī)i殳備可以檢查卡1的版 本信息,以便知道卡l對(duì)終止處理的支持情況。
如果卡1支持各種可切換的操作模式,那么主機(jī)設(shè)備2發(fā)出切換 命令,所述切換命令處于設(shè)置模式下并且說(shuō)明將由卡1采取的操作模 式。
作為選擇,主機(jī)設(shè)備2可以使用初始化命令來(lái)確定卡1是支持還是不支持終止處理。圖8示出了依照第一實(shí)施例的初始化命令的一部 分內(nèi)容。如圖8所示,所述初始化命令包括命令部CM、終止處理標(biāo) 識(shí)部TP、繁忙通知部BS和檢錯(cuò)碼部,所述檢錯(cuò)碼部例如可以包含循 環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)。所述命令部包含用于標(biāo)識(shí)命令的索引。
依照本實(shí)施例,所述主機(jī)設(shè)備2向卡提供其終止處理標(biāo)識(shí)部TP 被設(shè)置(例如被設(shè)置為"l")以便表示所述主機(jī)設(shè)備2支持終止處理的 初始化命令。
接收到所述初始化命令后,所述卡1向主機(jī)設(shè)備2送回響應(yīng)。所 述響應(yīng)具有與所述命令相同的格式。如果卡l支持終止處理,那么卡 1送回在終止處理標(biāo)識(shí)部TP中表明它支持終止處理的響應(yīng),所述響應(yīng) 是其終止處理標(biāo)識(shí)部TP具有與該命令相同的位的響應(yīng)。所述主機(jī)i殳 備2接收該響應(yīng),以便知道它可以對(duì)卡1采用終止處理。
如果卡l識(shí)別出用于確定支持還是不支持終止處理的命令,但是 卡l不支持所述處理,那么它送回其終止處理標(biāo)識(shí)部被^L置(例如凈皮 設(shè)置為"O,,)以便表示卡1不支持終止處理的響應(yīng)。
在步驟S32中主機(jī)設(shè)備2確定卡1是否支持終止處理之后,主機(jī) 設(shè)備2把數(shù)據(jù)寫(xiě)入卡1中或從中讀取數(shù)據(jù)(步驟S33、 S34)達(dá)所需的 次數(shù)。
(終端操作)
所述主機(jī)i殳備2例如響應(yīng)于主機(jī)i殳備2的斷電而采用下文中所述 的終止處理。如果卡1不支持所述終止處理,那么主機(jī)設(shè)備2依照常 規(guī)方式停止向卡1供電,以便停止從主機(jī)i殳備2訪問(wèn)卡1。
相反,如果卡1支持所述終止處理,那么主機(jī)設(shè)備2和卡l執(zhí)4亍 圖9中所示的終止處理。圖9是示出依照第一實(shí)施例的卡l和主枳ii殳 備2所采用的終止序列的流程圖。圖IO是終止處理的時(shí)序圖。
如圖9和10所示,主機(jī)設(shè)備2首先在命令線CMD上向卡1發(fā) 出功能停止命令(步驟Sl)。所述功能停止命令可以是上述的切換命 令或者新定義的命令。當(dāng)使用所述切換命令時(shí),功能停止命令至少具 有命令部CM和保存指示部SS,如圖11所示。還可以提供檢錯(cuò)碼部ED。當(dāng)使用新定義的命令時(shí),所述指示部CM自身表明此命令是功能 停止命令,因此所述保存指示部SS不是必需的。所述保存指示部SS 可以獲得這樣的位模式(例如"l,,),其至少表明卡l應(yīng)該變換至斷電 就緒狀態(tài),在斷電就緒狀態(tài)中所述卡準(zhǔn)備好例如在保存系統(tǒng)數(shù)據(jù)之后 停止供電。此外,所述保存指示部SS可以具有這樣的位模式(例如 "0"),其表明所述卡1可以在不保存系統(tǒng)數(shù)據(jù)的情況下變換至斷電就 緒狀態(tài)。
卡1接收功能停止命令(步驟S2)。響應(yīng)于此命令,卡1在命 令線CMD上送回一響應(yīng),并且開(kāi)始向主機(jī)設(shè)備2傳送信號(hào)(例如"O"), 該信號(hào)表明卡1正忙于執(zhí)行所述終止處理(步驟S3 )。
在開(kāi)始供電之后,執(zhí)行關(guān)于所述卡1的狀態(tài)是否已經(jīng)改變的確定 (步驟S4)。例如,如果已經(jīng)把數(shù)據(jù)寫(xiě)入卡1中、鎖定/解鎖功能已 經(jīng)改變、或者可編程的CSD寄存器已經(jīng):f皮設(shè)置為另一狀態(tài),那么可以 認(rèn)為卡1的狀態(tài)已經(jīng)改變。
當(dāng)卡1的狀態(tài)已經(jīng)改變時(shí),所述卡l執(zhí)行終止處理(步驟S5)。 所述終止處理可以包括多種處理,并且可以是把存儲(chǔ)在RAM25中的 系統(tǒng)數(shù)據(jù)保存到NAND型閃存11上。所述系統(tǒng)數(shù)據(jù)例如可以:坡保存 到管理數(shù)據(jù)區(qū)域31上。作為選擇,所述系統(tǒng)數(shù)據(jù)可以被保存到獨(dú)立于 NAND型閃存11提供的非易失性存儲(chǔ)器上。系統(tǒng)數(shù)據(jù)的全部或一部 分都可以被保存。
系統(tǒng)數(shù)據(jù)的例子包括地址轉(zhuǎn)換表和分配表。所述地址轉(zhuǎn)換表用來(lái) 把邏輯地址轉(zhuǎn)換為NAND型閃存11的物理地址。所述分配表用來(lái)把 用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的塊(分配有邏輯塊的塊)與不用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的那些塊 (未分配有邏輯塊的塊)加以區(qū)分。
所述終端操作可以包括如下過(guò)程。如果沒(méi)有定義功能停止命令, 那么卡無(wú)法得知何時(shí)停止從主機(jī)設(shè)備供電。因此,所述卡必須把主機(jī) 設(shè)備需要寫(xiě)入的全部數(shù)據(jù)寫(xiě)入NAND型閃存11中,以便為可能的突 然斷電作好準(zhǔn)備。
相反,所述功能停止命令可以讓卡1預(yù)先知道即將停止從主才兒設(shè)備2供電。如圖12所示,這個(gè)優(yōu)點(diǎn)允許卡l只把主機(jī)設(shè)備2要求寫(xiě)入 的部分?jǐn)?shù)據(jù)寫(xiě)入NAND型閃存11中(步驟S33A),并在隨后的時(shí)間 內(nèi)寫(xiě)入其剩余部分(步驟S33B),諸如未由主機(jī)設(shè)備2訪問(wèn)的部分。 當(dāng)采用這種方法時(shí),剩余部分的數(shù)據(jù)例如可以存儲(chǔ)在RAM 25或者 NAND型閃存ll中的高速緩存區(qū)域(臨時(shí)寫(xiě)入?yún)^(qū)域)中。與寫(xiě)入全 部數(shù)據(jù)相比,這種寫(xiě)入方法允許卡1用較短的時(shí)間響應(yīng)于一條寫(xiě)命令 寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
待寫(xiě)入的剩余部分?jǐn)?shù)據(jù)的寫(xiě)入必須在停止向卡1供電以前完成。 因此,所述終止處理的例子包括把剩余部分的數(shù)據(jù)寫(xiě)入NAND型閃存 11中。
應(yīng)注意的是,所述主機(jī)設(shè)備可以在其知道卡1支持終止處理或者 卡1判定出其自身應(yīng)該執(zhí)行哪個(gè)處理之后,命令所述卡寫(xiě)入全部或者 部分?jǐn)?shù)據(jù)。
然后,在圖9中,所述卡1自身設(shè)置表明終止處理已經(jīng)完成的位 模式(例如"l")(步驟S6 )。所述位模式(標(biāo)志)可以被存儲(chǔ)在NAND 型閃存11中的區(qū)域(正常終止表明標(biāo)志35)中,例如,可以存儲(chǔ)在 管理數(shù)據(jù)區(qū)域31中,如圖31所示。
然后, 一旦所述終止處理已經(jīng)完成,那么卡l就把表明繁忙狀態(tài) 已經(jīng)被清除的信號(hào)傳送至主機(jī)設(shè)備2 (步驟S7)。所述主機(jī)設(shè)備2于 是知道繁忙狀態(tài)的清除。
在繁忙狀態(tài)的清除之后,然后,所述卡l變換至低功率模式(步 驟S8)。所述低功率模式允許卡的功耗低于正常狀態(tài)。因此,除了需 要變換至初始化處理的部分之外,中斷供電。由此,正常地完成了卡 1變換至低功率模式。
所述低功率模式可以通過(guò)限制時(shí)鐘信號(hào)的提供來(lái)實(shí)現(xiàn),例如如下 所述的兩種方法的情況下那樣。采用第一種方法,卡l中的時(shí)鐘電路 包括鎖相環(huán)(PLL)電路和振蕩器,并且振蕩器被停止。在此情況下, 振蕩器的功耗減少了。此外,例如,所述PLL電路存儲(chǔ)初始頻率值, 以便使時(shí)鐘電路的振蕩頻率能夠在供電開(kāi)始之后的短時(shí)間內(nèi)被穩(wěn)定。
15采用第二種方法,由主機(jī)設(shè)備2提供的時(shí)鐘被停止。當(dāng)卡l在操 作時(shí),主機(jī)設(shè)備2向位于卡1的前端的大多數(shù)觸發(fā)器提供時(shí)鐘信號(hào)。 卡1的功耗可以通過(guò)停止把時(shí)鐘信號(hào)提供給例如除位于命令解碼電路 中的觸發(fā)器以外的觸發(fā)器而得以減少。
在變換至斷電就緒狀態(tài)(無(wú)源狀態(tài))之后,卡1不接受包括讀/ 寫(xiě)命令在內(nèi)的任何命令,直到初始化再一次開(kāi)始為止。這樣做避免了 在停止向卡l供電之前改變所保存的系統(tǒng)數(shù)據(jù)。
響應(yīng)于繁忙狀態(tài)的清除,主機(jī)設(shè)備2停止向卡1供電(步驟S9)。 如上所述,在清除繁忙狀態(tài)之后,所述卡1變換至低功率模式。這樣 做提供了如下所述的優(yōu)點(diǎn)。 一般說(shuō)來(lái),在繁忙狀態(tài)被清除之后立即停 止向卡1供電。然而,中斷從主機(jī)設(shè)備2供電可能會(huì)因某種原因而失 敗。在此情況下,主機(jī)設(shè)備2的功耗可以通過(guò)避免向卡1提供無(wú)用的 電壓而得以減少。
所迷主機(jī)設(shè)備可以對(duì)卡1的繁忙狀態(tài)提供超時(shí)控制。例如,如果 繁忙狀態(tài)持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于所設(shè)置的超時(shí)周期,那么主機(jī)設(shè)備2停止向卡 l供電。在此情況下,所述正常終止表明標(biāo)志35被二沒(méi)置為表明終止處 理仍未完成的位模式(例如"O,,)。
當(dāng)所述卡1的狀態(tài)在通電之后沒(méi)有改變,并且終止處理在上一次 斷電時(shí)已經(jīng)完成,那么終止處理不是必需的。因此,當(dāng)在步驟S10中 設(shè)置了正常終止表明標(biāo)志35時(shí),然后繼續(xù)進(jìn)行到步驟S7。 (初始化處理)
現(xiàn)在,參考圖13,將給出對(duì)初始化命令及對(duì)其的響應(yīng)的描述。圖 的一部分內(nèi)容。
如圖13所示,所述初始化命令至少具有命令部CM和繁忙通知 部BS。所述初始化命令不具有初始化方法表明部FI。還可以提供檢 錯(cuò)碼部ED。
在所述響應(yīng)中,初始化方法表明部FI (其不是必需的)示出了卡 1已經(jīng)用哪種初始化方法執(zhí)行了初始化。所述繁忙通知部BS用表明卡l正被初始化的位模式(例如位模式"l,,)或者表明初始化已經(jīng)完成的
位模式(例如位模式"0")來(lái)形成。所述初始化方法表明部FI直到繁 忙狀態(tài)被清除時(shí)才是有效的。
參考圖14,現(xiàn)在將給出在卡1的初始化期間由卡l執(zhí)行的處理的 描述。圖14是示出了在初始化期間由依照第一實(shí)施例的卡l執(zhí)行的處 理的流程圖。如圖14所示,所述卡1接收初始化命令(步驟S21), 然后返回對(duì)初始化命令的響應(yīng)。所述響應(yīng)中的繁忙通知部BS具有表 明繁忙狀態(tài)的位模式(步驟S22)。隨后,所述主機(jī)設(shè)備2繼續(xù)發(fā)出 初始化命令,直到卡1向主機(jī)設(shè)備2通知所述初始化處理已經(jīng)通過(guò)繁 忙狀態(tài)的清除而結(jié)束為止???響應(yīng)于對(duì)第一初始化命令的接收,開(kāi) 始如下所述的初始化處理。對(duì)于第二和后續(xù)的初始化命令來(lái)說(shuō),僅4又 返回相同的響應(yīng),在該響應(yīng)中所述繁忙通知部BS具有表明繁忙狀態(tài) 的位模式。
在步驟S23中,所述卡1檢查其內(nèi)部保存的正常終止表明標(biāo)志 35。當(dāng)上一終止處理未能完成時(shí),清除所述正常終止表明標(biāo)志35。然 后,卡l執(zhí)行完整的初始化。也就是說(shuō),執(zhí)行步驟S24。當(dāng)上一終止 處理完全結(jié)束時(shí),設(shè)置所述正常終止表明標(biāo)志35。然后,卡l執(zhí)行高 速的初始化。也就是說(shuō),執(zhí)行步驟S27。步驟S24中的完整初始化是 常規(guī)的初始化處理,并且包括存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤檢查和系統(tǒng)數(shù)據(jù)的併: 存。
在完整的初始化處理中,卡l檢查存儲(chǔ)在NAND型閃存ll中的 存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)是否存在任何錯(cuò)誤。例如,當(dāng)上一次在寫(xiě)入存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)期 間不適當(dāng)?shù)赝V沽讼蚩╨供電時(shí),所述存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)會(huì)被損壞。如果所 述存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)因此被損壞,那么可以恢復(fù)它們。錯(cuò)誤檢查處理和糾錯(cuò) 處理可能會(huì)需要很長(zhǎng)時(shí)間,這是因?yàn)?,它們?cè)诳?的NAND型閃存 11的整個(gè)區(qū)域上執(zhí)行。該時(shí)間隨著存儲(chǔ)器的容量增加而相應(yīng)地增加。 然后,卡1創(chuàng)建系統(tǒng)數(shù)據(jù)并且把其保存到RAM中(步驟S25 )。 通過(guò)省略完整初始化中的某些處理,或者通過(guò)采用與完整初始化 不同的過(guò)程,步驟S27中的高速初始化比完整初始化完成得更快。作為高速初始化的一個(gè)例子,在步驟S27,卡l讀取在上一終止處理期 間保存到NAND型閃存11中的系統(tǒng)數(shù)據(jù),并且把所述數(shù)據(jù)加載到 RAM25上。如果所保存的系統(tǒng)數(shù)據(jù)是整個(gè)系統(tǒng)數(shù)據(jù)的一部分,那么 把它們保存到RAM上,而剩余部分則被再次創(chuàng)建。隨后使用所得到 的系統(tǒng)數(shù)據(jù)。在高速的初始化處理中,省略了在完整初始化期間所執(zhí) 行的對(duì)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤的檢查以及對(duì)系統(tǒng)數(shù)據(jù)的創(chuàng)建。
在已經(jīng)讀取了系統(tǒng)數(shù)據(jù)之后,MPU 23在初始化方法表明部才莫式 寄存器36中設(shè)置用于表明已經(jīng)采用了哪種初始化方法的位模式(步驟 S29)。然后,所述卡l在繁忙通知部模式寄存器37中設(shè)置表明繁忙 狀態(tài)已經(jīng)被清除的位模式(步驟S30)。
當(dāng)接收到下一初始化命令時(shí),卡1在響應(yīng)中4吏用初始化方法表明 部FI和繁忙通知部BS向主機(jī)i殳備2通知在寄存器36和37中所設(shè)置 的這些位模式。當(dāng)所述主機(jī)設(shè)備2接收到該響應(yīng)時(shí),它停止發(fā)出初始 化命令。由此完成了所述初始化處理。
依照本發(fā)明的第 一 實(shí)施例,卡1可以預(yù)先知道主機(jī)i殳備即將停止 供電,并且執(zhí)行終止處理以便為其作好準(zhǔn)備。如果終止處理已經(jīng)正常 地完成了,那么可以執(zhí)行高速的初始化處理來(lái)更加快速地完成初始化。
因此,即便無(wú)法僅僅通過(guò)隨著存儲(chǔ)器容量的增加而改善完整的初 始化方法來(lái)輕易地實(shí)現(xiàn)初始化時(shí)間的減少,但是還是可以減少初始化 時(shí)間的。這樣做減少了對(duì)卡控制器12的設(shè)計(jì)要求。
本實(shí)施例尤其可以減少其中插入了卡1的、諸如數(shù)字照相機(jī)、電 影攝影機(jī)等的主機(jī)設(shè)備2的初始化時(shí)間。這樣做能夠在通電之后立即 進(jìn)行拍攝,事實(shí)上這是非常有效的。
當(dāng)卡l已經(jīng)改變其狀態(tài)時(shí),諸如當(dāng)數(shù)據(jù)寫(xiě)入NAND型閃存11中 時(shí),清除所述正常終止表明標(biāo)志35。只要所述卡的狀態(tài)保持相同,就 可以省略所述終止處理。正常終止表明標(biāo)志35的清除可以在初始〗匕完 成時(shí)執(zhí)行。當(dāng)采用此方法時(shí),每當(dāng)卡l接收到功能停止命令時(shí),必須 執(zhí)行終止處理,即便所述卡的狀態(tài)保持相同也一樣。
(第二實(shí)施例)在第一實(shí)施例中RAM25是非易失性存儲(chǔ)器。與之相比,在第二 實(shí)施例中,RAM25是非易失性的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)或 者鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM)。在此情況下,其中保存有系統(tǒng)數(shù) 據(jù)的存儲(chǔ)器和其中提供有正常終止表明標(biāo)志35的區(qū)域不同于依照第 一實(shí)施例的相應(yīng)存儲(chǔ)器和區(qū)域。有幾個(gè)處理也不同于第一實(shí)施例中所 使用的那些處理。下面將描述這些差別。
圖15是示出在依照本發(fā)明第二實(shí)施例的卡中的硬件配置的框圖。 在圖15中,提供了諸如MRAM或者FeRAM之類(lèi)的非易失性RAM 41,以代替第一實(shí)施例中使用的RAM25。在RAM 41或者NAND型 閃存ll中提供了正常終止表明標(biāo)志35 (在圖中,為了方便起見(jiàn),在 RAM 41和NAND型閃存11中都示出了正常終止表明標(biāo)志35)。
在本實(shí)施例中,在卡1的初始化期間所創(chuàng)建的所有系統(tǒng)數(shù)據(jù)都4皮 保存到RAM 41上。由于MRAM和FeRAM是非易失性的,并且能 以高速操作,因此,與第一實(shí)施例相比,在卡l操作時(shí)不必把系統(tǒng)數(shù) 據(jù)移動(dòng)到SRAM上。因此,在當(dāng)接收功能停止命令時(shí)由卡l執(zhí)行的處 理中(圖9),不需要步驟S4中的處理。此外,在初始化期間由卡l 執(zhí)行的處理中(圖14),不需要步驟S27中的處理。依照本實(shí)施例的 處理的剩余部分與依照第一實(shí)施例的處理相同。
本發(fā)明的第二實(shí)施例可產(chǎn)生與第一實(shí)施例相同的效果。 (第三實(shí)施例)
圖16是示出依照第三實(shí)施例的卡中的硬件配置的框圖。如圖16 所示,除依照第一實(shí)施例的RAM 25以外,還提供了非易失性RAM 41。在非易失性RAM 41或者NAND型閃存11中提供了正常終止表 明標(biāo)志35 (在圖中,為了方便起見(jiàn),在非易失性RAM 41和NAND 型閃存ll中都示出了正常終止表明標(biāo)志35)。
依照本實(shí)施例,在卡1的初始化期間創(chuàng)建的系統(tǒng)數(shù)據(jù)的一部分凈皮 保存到非易失性RAM 41上。系統(tǒng)數(shù)據(jù)的剩余部分^皮保存到NAND型 閃存11上。由于RAM 41是非易失性的并且能以高速操作,因此, 將要被保存到非易失性RAM 41上的那部分系統(tǒng)數(shù)據(jù)不會(huì)被移動(dòng)到
19RAM 25上,而是在非易失性RAM41上操作。另一方面,在卡1搡 作時(shí),將要被保存到NAND型閃存11上的那部分系統(tǒng)數(shù)據(jù)被移動(dòng)到 RAM25并且保存在其中。把此部分系統(tǒng)數(shù)據(jù)移動(dòng)到NAND型閃存11 上,如在第一實(shí)施例的情況下那樣,或者當(dāng)停止向卡l提供電源電壓 時(shí),將其移動(dòng)到非易失性RAM41上。當(dāng)所迷數(shù)據(jù)易于在初始化中4吏 用其它數(shù)據(jù)來(lái)形成時(shí),可以丟棄該數(shù)據(jù)而無(wú)需保存。
在接收到功能停止命令時(shí)由卡l執(zhí)行的處理中(圖9),步驟S4 中的處理對(duì)應(yīng)于把存在于RAM 25上的那部分系統(tǒng)數(shù)據(jù)保存到NAND 型閃存11或者非易失性RAM41的操作。此外,在初始化期間由卡l 執(zhí)行的處理中(圖14),步驟S27中的處理對(duì)應(yīng)于讀取存在于NAND 型閃存11上的那部分已處理和未處理的系統(tǒng)數(shù)據(jù)、并且將其加載到 RAM25上的操作。該處理的剩余部分與依照第一實(shí)施例的處理相同。 本發(fā)明的第三實(shí)施例可產(chǎn)生與第一實(shí)施例相同的效果。 本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)很容易想到另外的優(yōu)點(diǎn)和修改。因此,本發(fā)
例。因此,在不脫離、由所附權(quán)利要求書(shū)及其等效內(nèi)1所限定的、i發(fā) 明的總體構(gòu)思的實(shí)質(zhì)或范圍的情況下,可以做出各種修改。
權(quán)利要求
1.一種具有非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)設(shè)備,用于插入到主機(jī)設(shè)備中,并且支持終止處理,在所述終止處理中,所述存儲(chǔ)設(shè)備變換至準(zhǔn)備好停止從主機(jī)設(shè)備供電的狀態(tài),當(dāng)所述存儲(chǔ)設(shè)備接收到用于指示發(fā)送有關(guān)所述存儲(chǔ)設(shè)備是否支持終止處理的信息的檢查命令時(shí),所述存儲(chǔ)設(shè)備發(fā)送表明所述存儲(chǔ)設(shè)備支持所述終止處理的響應(yīng),在所述存儲(chǔ)設(shè)備完成所述終止處理之后,所述存儲(chǔ)設(shè)備發(fā)送對(duì)功能停止命令的響應(yīng),該響應(yīng)表明所述存儲(chǔ)設(shè)備準(zhǔn)備好來(lái)自所述主機(jī)設(shè)備的供電的停止。
2. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述存儲(chǔ)設(shè)備響應(yīng)于來(lái)自 主機(jī)設(shè)備的所述功能停止命令,執(zhí)行終止處理。
3. 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,所述終止處理包括把存儲(chǔ) 在易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到所迷非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 中。
4. 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,在終止處理完成之后,所 述存儲(chǔ)設(shè)備向所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器寫(xiě)入用于表明所述終止處理 已經(jīng)完成的信息。
5. 如權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中,當(dāng)所述存儲(chǔ)設(shè)備的狀態(tài)自 最近的初始化完成以來(lái)已經(jīng)改變時(shí),所述存儲(chǔ)設(shè)備改變所述信息,以 便表明所述終止處理仍未完成。
6. 如權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中,所述存儲(chǔ)設(shè)備具有用于指 示執(zhí)行初始化的初始化命令,當(dāng)所述信息表明終止處理仍未完成時(shí),使用第一初始化方法來(lái)執(zhí)行初始化,并且當(dāng)所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器表明終止處理已經(jīng)完成時(shí),^使用第二初始化方法來(lái)執(zhí)行初始化,其中所述第二初始化方法完成得比第一初始化方法更快。
7. 如權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中,所述第二初始化方法包括省略了下列中的至少 一項(xiàng)的第 一初始化方法檢查所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤,'恢復(fù)所述錯(cuò)誤,以及構(gòu)造轉(zhuǎn)換表,其中所述轉(zhuǎn)換表示出了寫(xiě)入數(shù)據(jù)的邏輯地址和用于存儲(chǔ)該寫(xiě)入數(shù)據(jù)的所述非易失性存儲(chǔ)器的物理地址之間的關(guān)系。
8. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備,其中,所述存儲(chǔ)設(shè)備包括控制器,該控制器包括RAM和控制部,所述RAM存儲(chǔ)所述控制器的管理數(shù)據(jù);所述控制部控制所述控制器的操作;以及在執(zhí)行初始化時(shí),所述控制部將保存在所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的所述管理數(shù)據(jù)加載到該RAM中。
9. 如權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中,所述存儲(chǔ)設(shè)備包括控制器,該控制器包括RAM和控制部,所述RAM存儲(chǔ)所述控制器的管理數(shù)據(jù);所述控制部控制所述控制器的操作;以及在執(zhí)行初始化時(shí),所述控制部將保存在所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的所述管理數(shù)據(jù)加載到該RAM中。
10. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備,其中,能夠通過(guò)第一初始4匕方法來(lái)將已經(jīng)完成了所述終止處理的存儲(chǔ)設(shè)備初始化,所述第一初始化方法完成得比用來(lái)對(duì)未完成所述終止處理的存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)行初始化的第二一刀始4t方法'決。
11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其中,所述第一初始化方法包括省略了下列中的至少之一的所述第二初始化方法檢查所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤,恢復(fù)所^述錯(cuò)誤,以及構(gòu)造轉(zhuǎn)換表,其中所述轉(zhuǎn)換表示出了寫(xiě)入數(shù)據(jù)的邏輯地址和用于存儲(chǔ)該寫(xiě)入數(shù)據(jù)的所述非易失性存儲(chǔ)器的物理地址之間的關(guān)系。
全文摘要
其中插入有具有非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)設(shè)備的主機(jī)設(shè)備向所述存儲(chǔ)設(shè)備發(fā)出檢查命令。所述檢查命令指示發(fā)送有關(guān)所述存儲(chǔ)設(shè)備是否支持終止處理的信息,在所述終止處理中,所述存儲(chǔ)設(shè)備變換至準(zhǔn)備好停止從主機(jī)設(shè)備供電的狀態(tài)。
文檔編號(hào)G06F3/06GK101655775SQ200910163478
公開(kāi)日2010年2月24日 申請(qǐng)日期2005年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月27日
發(fā)明者藤本曜久 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝
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