專利名稱：光學(xué)觸控面板的測(cè)試方法及陣列測(cè)試器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)觸控面板的測(cè)試方法及陣列測(cè)試器，特別涉及一種光學(xué)觸控 面板的感光元件的測(cè)試方法及使用該測(cè)試方法的陣列測(cè)試器。
背景技術(shù)：
在組裝一個(gè)液晶顯示器面板之前，通常會(huì)針對(duì)該液晶顯示器面板的薄膜晶體管陣 列的所有像素單元進(jìn)行電性測(cè)試，從而提早檢測(cè)出薄膜晶體管陣列的不良品以節(jié)省制造成 本、找出薄膜晶體管陣列工藝中的問(wèn)題點(diǎn)以及修補(bǔ)所測(cè)試出的缺陷點(diǎn)以提升工藝良率。公知陣列測(cè)試器(array tester)已經(jīng)可以測(cè)試出薄膜晶體管陣列中的缺陷并對(duì) 所測(cè)試出的缺陷進(jìn)行分類。例如美國(guó)專利第5，546，013號(hào)，標(biāo)題為“用以決定薄膜晶體管 液晶顯示器中的接點(diǎn)品質(zhì)及線路完整度的陣列測(cè)試器(Array tester for determining contact quality and line integrity in a TFT/LCD) ”，即揭示了一種陣列測(cè)試器，其包 含第一裝置通過(guò)分別提供脈沖信號(hào)至柵極線及數(shù)據(jù)線以活化陣列的像素單元；第二裝置從 該陣列的數(shù)據(jù)線擷取信號(hào)波形；第三裝置在選定時(shí)間針對(duì)該信號(hào)波形進(jìn)行取樣；及計(jì)算機(jī) 對(duì)該信號(hào)波形分類以判定該陣列是否存在電性缺陷。近年來(lái)，光學(xué)觸控面板由于具有較佳的操作便利性而成為顯示器產(chǎn)業(yè)的熱門產(chǎn) 品，尤其以嵌入非晶硅材料作為第三切換元件的光學(xué)觸控面板因工藝相容性高而具有較低 的生產(chǎn)成本。然而，公知陣列測(cè)試器并不具有可針對(duì)光學(xué)觸控面板的感光元件進(jìn)行測(cè)試的功 能。因此，有必要提出一種光學(xué)觸控面板的感光元件的良率測(cè)試方法及測(cè)試裝置，以有效預(yù) 先檢測(cè)光學(xué)觸控面板的感光元件的品質(zhì)是否符合出廠規(guī)格。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種光學(xué)觸控面板的感光元件的測(cè)試方法及使用該測(cè)試方法的陣列 測(cè)試器，其可測(cè)試光學(xué)觸控面板的所有感光元件是否為正常運(yùn)作、漏電或斷線，并可測(cè)試出 具有電性缺陷的感光元件的所在位置。本發(fā)明提出一種光學(xué)觸控面板的測(cè)試方法，該光學(xué)觸控面板包含多個(gè)陣列排列的 像素單元，每一像素單元包含讀取線、共通線、感光元件及開(kāi)關(guān)元件，該感光元件耦接該共 通線及該開(kāi)關(guān)元件，該讀取線耦接該開(kāi)關(guān)元件，該測(cè)試方法包含下列步驟耦合負(fù)電位至該 共通線以關(guān)閉該感光元件；耦合正電位至該讀取線；開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件以使該正電位對(duì)該感 光元件充電；關(guān)閉該開(kāi)關(guān)元件預(yù)設(shè)時(shí)間；耦合該負(fù)電位至該讀取線；再度開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件 以通過(guò)該讀取線讀取該感光元件的電位變化；及分析該電位變化。本發(fā)明還提出一種光學(xué)觸控面板的測(cè)試方法，該光學(xué)觸控面板包含多個(gè)陣列排列 的像素單元，每一像素單元包含讀取線、共通線、感光元件及開(kāi)關(guān)元件，該感光元件耦接該 共通線及該開(kāi)關(guān)元件，該讀取線耦接該開(kāi)關(guān)元件，該測(cè)試方法包含下列步驟耦合正電位至 該共通線以開(kāi)啟該感光元件；開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件以使該讀取線、該開(kāi)關(guān)元件、該感光元件及該共通線形成電流通路；及分析該讀取線的電流或電位變化。本發(fā)明還提出一種陣列測(cè)試器，用以測(cè)試光學(xué)觸控面板的感光元件，該光學(xué)觸控 面板包含多個(gè)陣列排列的像素單元，每一像素單元包含讀取線、共通線、開(kāi)關(guān)元件及該感光 元件，該感光元件耦接該共通線及該開(kāi)關(guān)元件，該讀取線耦接該開(kāi)關(guān)元件，該陣列測(cè)試器包 含測(cè)試頭、控制單元及處理單元。該測(cè)試頭包含多個(gè)探針用以分別電性接觸該讀取線的接 觸墊。該控制單元耦接該測(cè)試頭，用以產(chǎn)生第一電位至該讀取線，并另外控制該開(kāi)關(guān)元件的 啟閉以使該第一電位對(duì)該感光元件進(jìn)行充電或放電。該處理單元耦接該測(cè)試頭，用以分析 該讀取線的電流或電位變化以判定該感光元件是否具有缺陷。本發(fā)明的光學(xué)觸控面板的感光元件的測(cè)試方法及陣列測(cè)試器中，通過(guò)分析像素單 元的讀取線所讀出的電流或電位變化，可判定該像素單元中的感光元件是否存在電性缺 陷，并可判定該電性缺陷的種類。


圖1顯示了光學(xué)觸控面板的像素單元的電路示意圖。圖2顯示了第1圖的像素單元的感光元件的剖視圖。圖3a顯示了本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)觸控面板的測(cè)試系統(tǒng)的示意圖，其中讀取線的 接觸墊設(shè)置于非數(shù)據(jù)線側(cè)及非柵極線側(cè)。圖3b顯示了本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)觸控面板的測(cè)試系統(tǒng)的另一示意圖，其中讀取 線的接觸墊設(shè)置于柵極線側(cè)。圖3c顯示了本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)觸控面板的測(cè)試系統(tǒng)的另一示意圖，其中讀取 線的接觸墊設(shè)置于數(shù)據(jù)線側(cè)。圖4a顯示了本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)觸控面板的感光元件的測(cè)試方法的時(shí)序圖。圖4b顯示了本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)觸控面板的感光元件的測(cè)試方法的流程圖。圖5a顯示了本發(fā)明另一實(shí)施例的光學(xué)觸控面板的感光元件的測(cè)試方法的時(shí)序 圖。圖5b顯示了本發(fā)明另一實(shí)施例的光學(xué)觸控面板的感光元件的測(cè)試方法的流程 圖。
具體實(shí)施例方式為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯，下文將結(jié)合附圖，作詳 細(xì)說(shuō)明如下。在本發(fā)明的說(shuō)明中，相同的構(gòu)件以相同的符號(hào)表示，在此首先申明。請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，其顯示了光學(xué)觸控面板的像素單元1的電路示意圖。該光學(xué)觸控 面板包含像素陣列，其包含多個(gè)陣列排列的像素單元。該像素單元1為多個(gè)像素單元其中 之一。該像素單元1包含第一柵極線Glri、第二柵極線Gn、第一數(shù)據(jù)線Dlrt及第二數(shù)據(jù)線Dm 以共同界定該像素單元1。該像素單元1 一般還包含讀取線11、共通線12、像素晶體管13、 感光元件14及開(kāi)關(guān)元件15，其中該像素晶體管13、該感光元件14及該開(kāi)關(guān)元件15例如可 為薄膜晶體管(TFT)。當(dāng)該第二柵極線Gn開(kāi)啟該像素晶體管13時(shí)，該第二數(shù)據(jù)線Dm通過(guò) 該像素晶體管13對(duì)液晶電容131及儲(chǔ)存電容132充電。該感光元件14包含柵極G、源極S 及漏極D ；該柵極G及漏極D耦接至該共通線12，該源極S耦接至該開(kāi)關(guān)元件15。該感光元件14用以吸收光能量以形成光電流Iph。t。當(dāng)該第一柵極線Glri開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件15時(shí)，該 光電流Iph。t?？赏ㄟ^(guò)該開(kāi)關(guān)元件15流至該讀取線11。必須了解的是，圖1所繪示的像素單 元1僅顯示了用以說(shuō)明本發(fā)明時(shí)所需要的部份元件并省略了其他元件，且圖1中所包含各 元件的配置方式僅為像素單元1的一種實(shí)施例，并非用以限定本發(fā)明的測(cè)試方法僅能用以 測(cè)試此種像素單元結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D1及2所示，圖2顯示該感光元件14的一種實(shí)施例的剖視圖。該感光 元件14 一般包含基板16、第一金屬層141 (例如柵極)、絕緣層142、非晶硅層(amorphous silicon) 143及第二金屬層144、145 (例如源極以及漏極)。該第一金屬層141設(shè)置于該基 板16上并耦接該共通線12。該絕緣層142用以絕緣該第一金屬層141。該非晶硅層143形 成于該絕緣層142上并位于該第一金屬層141上方以作為通道。該第二金屬層144及145 則分別形成于該非晶硅層143上方兩側(cè)。應(yīng)該了解的是，圖2僅顯示該感光元件14中用以 說(shuō)明本發(fā)明時(shí)所需要的部分構(gòu)件并省略了其他構(gòu)件，且圖2中所示各構(gòu)件的配置位置并非 用以限定本發(fā)明的測(cè)試方法僅能用以測(cè)試此種結(jié)構(gòu)的感光元件。請(qǐng)參照?qǐng)D3a至3c所示，其顯示了本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)觸控面板的測(cè)試系統(tǒng)的示 意圖，該測(cè)試系統(tǒng)包含陣列測(cè)試器9及觸控面板100。該陣列測(cè)試器9包含測(cè)試頭90、至少 一信號(hào)傳輸線92、控制單元93及處理單元94。此外，該陣列測(cè)試器9可還包含柵極測(cè)試頭 90'及源極測(cè)試頭90"用以進(jìn)行數(shù)據(jù)線電性特性的測(cè)試，及共通線測(cè)試接頭90'"用以 電性連接共通線。該測(cè)試頭90具有多個(gè)探針91 (test probe)分別電性連接讀取線11的 接觸墊111，該信號(hào)傳輸線92用以在所述多個(gè)測(cè)試頭90、90'、90"和90'"及該控制單 元93和處理單元94之間進(jìn)行信號(hào)傳輸。可以了解的是，圖3a至3c中僅顯示用以說(shuō)明本 發(fā)明的部分元件并省略了其他元件；此外在圖3b及3c中，為簡(jiǎn)化圖示而省略了該柵極測(cè)試 頭90'及該源極測(cè)試頭90"的圖示。該觸控面板100包含多個(gè)陣列排列的像素單元1 (如圖1所示)。在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，像 素區(qū)內(nèi)每列像素單元1的讀取線11被拉線至像素區(qū)外并耦接至接觸墊(contact pad) 111。 該陣列測(cè)試器9通過(guò)該信號(hào)傳輸線92電性連接該測(cè)試頭90，該測(cè)試頭90具有多個(gè)探針91 分別用以電性接觸接觸墊111。該陣列測(cè)試器9內(nèi)則包含控制單元93及處理單元94。該 控制單元93用以傳送控制信號(hào)及電壓信號(hào)至該觸控面板100 ；該處理單元94用以分析讀 取線的電流或電位變化以進(jìn)行感光元件14的電性特性判定及缺陷分類。此外，根據(jù)不同的 工藝及結(jié)構(gòu)，該讀取線11的接觸墊111可能設(shè)置于該觸控面板100的非柵極線側(cè)及非數(shù)據(jù) 線側(cè)，如圖3a所示；亦可能設(shè)置于該觸控面板100的柵極線側(cè)，如圖3b所示；或設(shè)置于該觸 控面板100的數(shù)據(jù)線側(cè)，如圖3c所示。本發(fā)明的光學(xué)觸控面板的感光元件的測(cè)試方法中， 只要將該測(cè)試頭90的位置相對(duì)應(yīng)于讀取線11的接觸墊111的位置設(shè)置即可應(yīng)用于不同的 觸控面板中。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1、2及4a所示，接著說(shuō)明本發(fā)明的光學(xué)觸控面板的感光元件的測(cè) 試方法的一種實(shí)施方式。首先，在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，需先將像素區(qū)內(nèi)每一讀取線11拉線至像素 區(qū)外以分別形成接觸墊111，其中所述多個(gè)接觸墊111用以電性連接至陣列測(cè)試器(array tester) 9，例如該陣列測(cè)試器9可通過(guò)該測(cè)試頭90的探針91電性連接該接觸墊111。在寫 入時(shí)間、中，通過(guò)該共通線測(cè)試接頭90'“耦合(couple)負(fù)電位(V。。m)至該共通線12，其 中該負(fù)電位可由該陣列測(cè)試器9的控制單元93提供或由其他適當(dāng)電源提供，且該負(fù)電位的電位值設(shè)定為能夠關(guān)閉該感光元件14 ；因此，該感光元件14的第一金屬層141形成負(fù)電位 而關(guān)閉該感光元件14。接著，由該陣列測(cè)試器9的控制單元93傳送正電位(Vtest)至該接 觸墊111及讀取線11并維持一段適當(dāng)時(shí)間，其中該負(fù)電位及該正電位可在相同時(shí)間或不同 時(shí)間分別傳送至該共通線12及該接觸墊111。當(dāng)該共通線12成為負(fù)電位及該讀取線11成 為正電位后，通過(guò)該第一柵極線Glri開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件15，例如可由該陣列測(cè)試器9的控制單 元93傳送控制信號(hào)(Vs)至該第一柵極線Glri ；因此，可對(duì)位于該感光元件14的該第一金屬 層141及該非晶硅層143間的雜散電容C充電，且該雜散電容C將被充電至預(yù)設(shè)電位(例 如圖4a的V1)。接著在該共通線12為負(fù)電位且該讀取線11為正電位的期間內(nèi)，通過(guò)該第 一柵極線Glri關(guān)閉該開(kāi)關(guān)元件15并維持預(yù)設(shè)時(shí)間。在讀取時(shí)間t2中，該共通線12仍維持為負(fù)電位。此時(shí)，由該陣列測(cè)試器9耦合負(fù) 電位(Vtest)至該接觸墊111及讀取線11并維持一段適當(dāng)時(shí)間，其中該負(fù)電位可由該陣列測(cè) 試器9的控制單元93提供或由其他適當(dāng)電源提供。該負(fù)電位值優(yōu)選相等于耦合至該共通 線12的負(fù)電位值，從而正確測(cè)量該感光元件14的電位變化。接著，在該共通線12及該讀 取線11均為負(fù)電位的期間內(nèi)，該控制單元93通過(guò)該第一柵極線Glri再度開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件 15 ；因此，該陣列測(cè)試器9的處理單元94則可通過(guò)該讀取線11及該接觸墊111讀取該雜散 電容C中的殘留電荷并分析其電位變化以判定該感光元件14為正常運(yùn)作、漏電或斷線。例 如圖4a所示，當(dāng)該處理單元94所讀取的電位如V,ead所示，亦即所讀取到的第二電位V2約 等于第一電位V1 (該雜散電容C在該寫入時(shí)間、被充電所到達(dá)的預(yù)設(shè)電位)，則表示該感 光元件14為正常運(yùn)作；當(dāng)該處理單元94所讀取的電位如Vread'所示，亦即所讀取到的第二 電位V2'小于該第一電位義，則表示該感光元件14為漏電；當(dāng)該處理單元94所讀取的電位 如VMad“所示，亦即讀取到零電位，則表示該開(kāi)關(guān)元件15與該感光元件14間為斷線。綜而言之，當(dāng)該開(kāi)關(guān)元件15在該寫入時(shí)間、被開(kāi)啟時(shí)，該雜散電容C被充電至該 第一電位V1，且當(dāng)該開(kāi)關(guān)元件15在該讀取時(shí)間t2再度被開(kāi)啟時(shí)，該雜散電容C已放電(漏 電)至該第二電位V2 ；其中，當(dāng)該第二電位V2大致等于該第一電位V1時(shí)，該處理單元94判 定該感光元件14為正常運(yùn)作；當(dāng)該第二電位V2小于該第一電位V1時(shí)，判定該感光元件14 為漏電；當(dāng)該第二電位V2大致為零時(shí)，判定該感光元件14為斷線。此外，圖4a中所示的寫入時(shí)間、及讀取時(shí)間t2的長(zhǎng)短可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用而決定，且 正負(fù)電位的傳送時(shí)間及時(shí)間長(zhǎng)短亦可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用而決定。此外，該陣列測(cè)試器9的控制 單元93前后開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件15的維持期間(holding time)T可用以決定該感光元件14的 詳細(xì)操作信息，例如可將該維持期間T與該處理單元94所讀取的殘留電位制作成關(guān)系圖， 則可據(jù)此得到該感光元件14的漏電阻。在實(shí)施例中，該維持期間T可設(shè)定為一個(gè)圖框時(shí)間 (frame time)，因此可根據(jù)測(cè)試結(jié)果得到該感光元件14的實(shí)際操作特性。綜上所述，本發(fā)明的光學(xué)觸控面板的感光元件測(cè)試方法的實(shí)施例顯示在圖4b中， 其包含下列步驟將讀取線拉線以形成接觸墊(步驟210)；耦合負(fù)電位至共通線以關(guān)閉感 光元件(步驟220)；耦合正電位至該接觸墊(步驟230)；開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件以使該正電位對(duì) 感光元件充電(步驟240)；關(guān)閉該開(kāi)關(guān)元件預(yù)設(shè)時(shí)間(步驟250)；耦合該負(fù)電位至該讀取 線(步驟260)；再度開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件以通過(guò)該讀取線讀取該感光元件的電位變化(步驟 270)以及分析該電位變化(步驟280)。由于該測(cè)試方法的詳細(xì)實(shí)施方式已詳述于以上段 落，在此不再贅述。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1、2及5a所示，接著說(shuō)明本發(fā)明的光學(xué)觸控面板的感光元件測(cè)試方 法的另一種實(shí)施方式。首先，在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，同樣需將像素區(qū)內(nèi)每一讀取線11拉線至像素 區(qū)外以分別形成接觸墊111，其中所述多個(gè)接觸墊111用以電性連接至陣列測(cè)試器9的測(cè)試 頭90。通過(guò)共通線測(cè)試接頭90'"耦合正電位(V。。/ )至該共通線12，其中該正電位可 由該陣列測(cè)試器9的控制單元93提供或由其他適當(dāng)電源提供；因此，該感光元件14的第一 金屬層141形成正電位而開(kāi)啟該感光元件14。接著，當(dāng)該共通線12成為正電位后或同時(shí)， 通過(guò)該第一柵極線Glri開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件15，例如可由該陣列測(cè)試器9的控制單元93傳送控 制信號(hào)(Vs')至該第一柵極線Glri以開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件15 ；因此，可在該共通線12、該感光 元件14、該開(kāi)關(guān)元件15及該讀取線11上形成電流通路連接至該接觸墊111及該陣列測(cè)試 器9 ；該陣列測(cè)試器9的處理單元94則可通過(guò)該接觸墊111及讀取線11讀取來(lái)自該感光元 件14的電流變化，并分析所讀取的電流變化以判定該感光元件14是否具有電性缺陷。例 如圖5a所示，當(dāng)該處理單元94所讀取的電流變化如Ikead所示，亦即所讀取的電流值等于預(yù) 設(shè)電流值，則表示該感光元件14為正常運(yùn)作；當(dāng)該處理單元94所讀取的電流變化如Ikead' 所示，亦即所讀取的電流小于預(yù)設(shè)電流值，則表示該感光元件14具有電性缺陷；其中，該預(yù) 設(shè)電流值可根據(jù)電路參數(shù)預(yù)先計(jì)算而得。在另一實(shí)施例中，該處理單元94所讀取的電流變 化亦可先被轉(zhuǎn)換為電壓變化后再被該處理單元94讀取，亦即該陣列測(cè)試器9可具有電流值 及電位值相互轉(zhuǎn)換的功能。綜而言之，該陣列測(cè)試器9的處理單元94將所讀取的電流或電位變化與預(yù)設(shè)電流 值或電位值相比較，以判定該感光元件14是否運(yùn)作正常。在實(shí)施例中，可將該處理單元94 所讀取的電位變化或電流變化利用類比數(shù)字單元轉(zhuǎn)換為數(shù)字信息，從而根據(jù)該數(shù)字信息判 定該感光元件14的運(yùn)作情形。此外，圖5a中所示的正電位的傳送時(shí)間及時(shí)間長(zhǎng)短可根據(jù) 實(shí)際應(yīng)用而決定，并不限定于圖5a所揭示者。綜上所述，本發(fā)明的光學(xué)觸控面板的感光元件測(cè)試方法的另一實(shí)施例顯示于圖 5b，其包含下列步驟將讀取線拉線以形成接觸墊(步驟310)；傳送正電位至共通線以開(kāi)啟 感光元件(步驟320)；開(kāi)啟開(kāi)關(guān)元件以使該共通線、該感光元件、該開(kāi)關(guān)元件及該讀取線形 成電流通路(步驟330)以及分析該讀取線的電流或電位變化(步驟340)。此外，該 試方 法的詳細(xì)實(shí)施方式已詳述于以上段落，于此不再贅述。此外，在另一實(shí)施例中，本發(fā)明的光學(xué)觸控面板的感光元件的測(cè)試方法可依序進(jìn) 行圖4b及圖5b的測(cè)試。例如在第一時(shí)間區(qū)間先進(jìn)行圖4b的測(cè)試后，再在第二時(shí)間區(qū)間進(jìn) 行圖5b的測(cè)試；或者在第一時(shí)間區(qū)間先進(jìn)行圖5b的測(cè)試后，再在第二時(shí)間區(qū)間進(jìn)行圖4b 的測(cè)試，其中測(cè)試順序可預(yù)先設(shè)定于該陣列測(cè)試器9中。例如，在一種實(shí)例中，光學(xué)觸控面 板的感光元件的測(cè)試方法包含下列步驟在第一時(shí)間區(qū)間耦合負(fù)電位至該共通線以關(guān)閉該 感光元件；耦合正電位至該讀取線；開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件以使該正電位對(duì)感光元件充電；關(guān)閉 該開(kāi)關(guān)元件預(yù)設(shè)時(shí)間；耦合該負(fù)電位至該讀取線；再度開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件以通過(guò)該讀取線讀 取該感光元件的第一電位變化；關(guān)閉該開(kāi)關(guān)元件；在第二時(shí)間區(qū)間耦合正電位至該共通線 以開(kāi)啟該感光元件；開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件以使該讀取線、該開(kāi)關(guān)元件、該感光元件及該共通線形 成電流通路以輸出第二電位或電流變化；以及分析該第一電位變化及該第二電位或該電流 變化。由于此實(shí)施例的詳細(xì)測(cè)試方法亦已詳述于前各段落，因此于此不再贅述。如前所述，由于公知陣列測(cè)試器并不具有感光元件的測(cè)試功能，并不適用現(xiàn)行光學(xué)觸控面板的測(cè)試。因此，本發(fā)明提出一種光學(xué)觸控面板的感光元件的測(cè)試方法(圖4b及 5b)及陣列測(cè)試器(圖3a_3c)，利用陣列測(cè)試器根據(jù)從讀取線(read-out line)所讀取的 電流或電位變化以判定光學(xué)觸控面板的所有感光元件是否為正常運(yùn)作、漏電或斷線，并可 測(cè)試具有電性缺陷的感光元件的所在位置。 雖然本發(fā)明已以前述實(shí)施例揭示，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種更動(dòng)與修改。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng) 以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種光學(xué)觸控面板的測(cè)試方法，所述光學(xué)觸控面板包含多個(gè)陣列排列的像素單元，每一像素單元包含讀取線、共通線、感光元件及開(kāi)關(guān)元件，所述感光元件耦接所述共通線及所述開(kāi)關(guān)元件，所述讀取線耦接所述開(kāi)關(guān)元件，所述測(cè)試方法包含下列步驟耦合負(fù)電位至所述共通線以關(guān)閉所述感光元件；耦合正電位至所述讀取線；開(kāi)啟所述開(kāi)關(guān)元件以使所述正電位對(duì)所述感光元件充電；關(guān)閉所述開(kāi)關(guān)元件預(yù)設(shè)時(shí)間；耦合所述負(fù)電位至所述讀取線；再度開(kāi)啟所述開(kāi)關(guān)元件以通過(guò)所述讀取線讀取所述感光元件的電位變化；及分析所述電位變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，還包含下列步驟將所述讀取線拉線以形成接觸墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試方法，其中所述接觸墊位于所述光學(xué)觸控面板的非數(shù)據(jù) 線側(cè)及非柵極線側(cè)、數(shù)據(jù)線側(cè)或柵極線側(cè)其中之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其中所述預(yù)設(shè)時(shí)間為一個(gè)圖框時(shí)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其中分析所述電位變化的步驟還包含下列步驟 根據(jù)所述電位變化判定所述感光元件為正常運(yùn)作、短路或斷線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測(cè)試方法，其中所述正電位將所述感光元件充電至第一電 位，所述感光元件通過(guò)所述讀取線輸出第二電位，分析所述電位變化的步驟還包含下列步 驟當(dāng)所述第二電位大致等于所述第一電位時(shí)，判定所述感光元件為正常運(yùn)作； 當(dāng)所述第二電位小于所述第一電位時(shí)，判定所述感光元件為漏電；及 當(dāng)所述第二電位為零時(shí)，判定所述感光元件為斷線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其中所述開(kāi)關(guān)元件當(dāng)所述共通線為負(fù)電位且所述 讀取線為正電位或負(fù)電位時(shí)被開(kāi)啟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其中所述正電位及所述負(fù)電位由陣列測(cè)試器所提供。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其中所述開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)啟由陣列測(cè)試器所控制。
10. 一種光學(xué)觸控面板的測(cè)試方法，所述光學(xué)觸控面板包含多個(gè)陣列排列的像素單元， 每一像素單元包含讀取線、共通線、感光元件及開(kāi)關(guān)元件，所述感光元件耦接所述共通線及 所述開(kāi)關(guān)元件，所述讀取線耦接所述開(kāi)關(guān)元件，所述測(cè)試方法包含下列步驟耦合正電位至所述共通線以開(kāi)啟所述感光元件；開(kāi)啟所述開(kāi)關(guān)元件以使所述讀取線、所述開(kāi)關(guān)元件、所述感光元件及所述共通線形成 電流通路；及分析所述讀取線的電流或電位變化。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的測(cè)試方法，還包含下列步驟將所述讀取線拉線以形成接觸墊。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的測(cè)試方法，其中所述電流通路由所述讀取線通過(guò)所述接觸 墊耦接至陣列測(cè)試器。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的測(cè)試方法，其中所述接觸墊位于所述光學(xué)觸控面板的非數(shù) 據(jù)線側(cè)及非柵極線側(cè)、數(shù)據(jù)線側(cè)或柵極線側(cè)其中之一。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的測(cè)試方法，其中分析所述讀取線的電流或電位變化還包含 下列步驟將所述電流或電位變化與預(yù)設(shè)電流值或電位值相比較以判定所述感光元件為正 常運(yùn)作或具有缺陷。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的測(cè)試方法，其中所述開(kāi)關(guān)元件當(dāng)所述共通線為正電位時(shí)被開(kāi)啟。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的測(cè)試方法，其中所述正電位由陣列測(cè)試器所提供。
17.一種陣列測(cè)試器，用以測(cè)試光學(xué)觸控面板的感光元件，所述光學(xué)觸控面板包含多個(gè) 陣列排列的像素單元，每一像素單元包含讀取線、共通線、開(kāi)關(guān)元件及所述感光元件，所述 感光元件耦接所述共通線及所述開(kāi)關(guān)元件，所述讀取線耦接所述開(kāi)關(guān)元件，所述陣列測(cè)試 器包含測(cè)試頭，包含多個(gè)探針用以分別電性接觸所述讀取線的接觸墊； 控制單元，耦接所述測(cè)試頭，用以產(chǎn)生第一電位至所述讀取線，并控制所述開(kāi)關(guān)元件的 啟閉以使所述第一電位對(duì)所述感光元件充電或放電；以及處理單元，耦接所述測(cè)試頭，用以分析所述讀取線的電流或電位變化以判定所述感光 元件是否具有缺陷。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的陣列測(cè)試器，其中所述控制單元還產(chǎn)生第二電位至所述共 通線以控制所述感光元件的啟閉。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的陣列測(cè)試器，其中所述第一及第二電位為正電位或負(fù)電位。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的陣列測(cè)試器，其中所述陣列測(cè)試器具有電流值及電位值相 互轉(zhuǎn)換的功能。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光學(xué)觸控面板的測(cè)試方法及一種陣列測(cè)試器，該測(cè)試方法包含下列步驟耦合負(fù)電位至共通線以關(guān)閉感光元件；耦合正電位至讀取線；開(kāi)啟開(kāi)關(guān)元件以使該正電位通過(guò)該讀取線及該開(kāi)關(guān)元件對(duì)該感光元件充電；關(guān)閉該開(kāi)關(guān)元件預(yù)設(shè)時(shí)間；耦合該負(fù)電位至該讀取線；再度開(kāi)啟該開(kāi)關(guān)元件以通過(guò)該讀取線及該開(kāi)關(guān)元件讀取該感光元件的電位變化；以及分析該電位變化。
文檔編號(hào)G06F3/042GK101908306SQ200910141349
公開(kāi)日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2009年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月2日
發(fā)明者蕭建智, 蔡志鴻, 陳柏仰 申請(qǐng)人:瀚宇彩晶股份有限公司