專利名稱：坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置。
背景技術(shù)：
作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的輸入設(shè)備，例如觸摸面板是已知的。觸摸面板 可以安裝在顯示設(shè)備上，可以檢測顯示設(shè)備上的坐標(biāo)位置并得到與坐 標(biāo)位置相對應(yīng)的檢測信號。從而，觸摸面板使得可以向計(jì)算機(jī)系統(tǒng)直 接輸入與坐標(biāo)位置相對應(yīng)的檢測信號，從而可以進(jìn)行容易和直觀的輸 入。
對于觸摸面板，人們提出了電阻膜類型、光學(xué)類型和電容耦合類 型等各種類型。在這樣的觸摸面板中， 一般使用具有筒單結(jié)構(gòu)并且要 求簡單控制系統(tǒng)的電阻膜類型的觸摸面板。電阻膜類型的觸摸面板可 以是4線型、5線型、8線型或很多其它類型以在電阻膜上配置電極。
在這些類型中，5線型觸摸面板沒有可能是4線型觸摸面板和8 線型觸摸面板的問題的涉及邊緣滑動(dòng)的問題。這是因?yàn)?，?線型觸 摸面板中，配置在操作面一側(cè)的上基板的導(dǎo)電膜僅用于讀取電位。因 此，5線型觸摸面板被用于要求嚴(yán)格的操作環(huán)境或長期耐用的市場。
圖9示出5線型電阻膜類型觸摸面板的結(jié)構(gòu)的例子。圖9所示的 5線型電阻膜類型觸摸面板1包括上基板11和下基板12。在下基板 12中，在玻璃基板21的整個(gè)區(qū)域上形成透明電阻膜22，在透明電阻
4膜22上形成X軸坐標(biāo)檢測電極23和24以及Y軸坐標(biāo)檢測電極25和 26。在上基板ll中，在膜基板31上形成透明電阻膜32，在透明電阻 膜32上形成坐標(biāo)檢測電極33。
在5線型電阻膜類型觸摸面板1中，首先，在X軸坐標(biāo)檢測電極 23和24之間施加電壓。結(jié)果，沿著下基板12的透明電阻膜22的X 軸方向Xl-X2產(chǎn)生電位分布。然后，通過檢測出下基板12的透明電 阻膜22在上基板11與下基板12接觸的位置處的電位，可以檢測出上 基板11與下基板12接觸的位置的X坐標(biāo)。接著，在Y軸坐標(biāo)檢測電 極25和26之間施加電壓。結(jié)果，沿著下基板12的透明電阻膜22的 Y軸方向Yl-Y2產(chǎn)生電位分布。然后，通過檢測出下基板12的透明 電阻膜22在上基板11與下基板12接觸的位置處的電位，可以檢測出 上基板11與下基板12接觸的位置的Y坐標(biāo)。
此時(shí)，在這種類型的觸摸面板中，存在如何使沿著下基板12的透 明電阻膜22的X軸方向Xl-X2和Y軸方向Yl-Y2中的每一個(gè)方向均 勻地產(chǎn)生電位分布的問題。作為解決該問題的方法，日本公開專利申 請No. 10-83251 (以下稱為專利文獻(xiàn)l)公開了一種在電阻膜的周圍設(shè) 置多級電位分布校正圖案的方法。
曰本公開專利申請No. 2001-125724 (以下稱為專利文獻(xiàn)2)公開 了一種設(shè)置包圍輸入面的周圍的共用電極的方法。日本公開專利申請 No. 2007-25904 (以下稱為專利文獻(xiàn)3 )公開了 一種在設(shè)置在透明電阻 膜上的絕緣膜中形成開口部分并且從開口部分提供電位的方法。
應(yīng)注意的是，由于要求安裝了坐標(biāo)檢測設(shè)備的裝置的尺寸減小， 因此會(huì)要求減小這樣的坐標(biāo)檢測設(shè)備的尺寸。根據(jù)專利文獻(xiàn)l中公開 的坐標(biāo)檢測設(shè)備，由于如上所述在電阻膜的周圍設(shè)置多級電位分布校 正圖案，因此難以減小坐標(biāo)檢測設(shè)備的尺寸。
在專利文獻(xiàn)2公開的方法中，如上所述設(shè)置包圍輸入面的周圍的 共用電極，除非透明電阻膜與圖案電阻的電阻比增大，否則透明電阻 膜的電位分布會(huì)變形。
在專利文獻(xiàn)3公開的方法中，在設(shè)置在透明電阻膜上的絕緣膜中
5形成開口部分，盡管可以解決上述兩個(gè)問題，但可能需要復(fù)雜的制造 工藝。特別是，由于在制造中可能發(fā)生的材料或電阻值的可能偏差， 產(chǎn)品性能的產(chǎn)出可能降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明考慮到上述問題而作出，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠 以高的生產(chǎn)率制造具有減小的尺寸并且具有提高的坐標(biāo)位置檢測能 力的坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于制造坐標(biāo)檢測設(shè)備的坐標(biāo)檢測設(shè)備的 制造裝置。該坐標(biāo)檢測設(shè)備具有形成在基板上的電阻膜和向該電阻膜 施加電壓的共用電極。在該坐標(biāo)檢測設(shè)備中，在電阻膜上產(chǎn)生電位分 布，檢測出所述電阻膜在與探頭接觸的位置處的電位，并且檢測出所
述電阻膜的該位置的坐標(biāo),該制造裝置包括激光光源，照射激光以 除去所述電阻膜的一部分，形成電阻膜除去部分；光學(xué)系統(tǒng)，使激光 會(huì)聚；多個(gè)探頭，在經(jīng)由所述共用電極向所述電阻膜施加了電壓的狀 態(tài)下測量所述電阻膜的表面的電位；X-Y工作臺(tái)，至少二維地使所述 基板移動(dòng)；以及控制部分，控制所述X-Y工作臺(tái)和所述激光光源。
本實(shí)施方式的其它目的和優(yōu)點(diǎn)在以下說明中部分闡述，部分會(huì)從 該說明得以明確，或者可以通過實(shí)踐本發(fā)明而得知。本發(fā)明的目的和 優(yōu)點(diǎn)將通過后附權(quán)利要求中特別指出的要素和組合來實(shí)現(xiàn)和獲得。應(yīng) 當(dāng)理解的是，上述的一般性說明和以下的詳細(xì)說明僅僅是示例性和解 釋性的，不構(gòu)成對所要求保護(hù)的發(fā)明的限制。


圖l示出實(shí)施方式的制造裝置的結(jié)構(gòu)。 圖2示出玻璃基板和透明電阻膜的波長與透射率之間的關(guān)系。 圖3示出由實(shí)施方式的制造裝置制造的坐標(biāo)檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)。 圖4A、 4B、 4C、 4D和4E示出圖l所示的坐標(biāo)檢測設(shè)備的面板 部分的結(jié)構(gòu)。圖5示出圖4A、 4B、 4C、 4D和4E所示的坐標(biāo)檢測i殳備的電阻 膜除去部分的部分平面圖。
圖6A和6B示出圖1所示的坐標(biāo)檢測設(shè)備的上基板的結(jié)構(gòu)。 圖7示出圖1所示的坐標(biāo)檢測設(shè)備的接口板進(jìn)行的操作的流程圖。
圖8A和8B示出圖1所示的坐標(biāo)檢測設(shè)備的下基板中的電位分 布的狀態(tài)。
圖9示出現(xiàn)有技術(shù)的5線型電阻膜類型觸摸面板的結(jié)構(gòu)。 圖IO示出圖l所示的控制電路可能包括的計(jì)算機(jī)的框圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施方式，提供一種用于制造坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝
壓的共用電極。在該坐標(biāo)檢測設(shè)備中，在電阻膜上產(chǎn)生電位分布，檢 測出所述電阻膜在與探頭接觸的位置處的電位，并且檢測出所述電阻 膜上的該位置的坐標(biāo)。該制造裝置包括激光光源，照射激光以除去 電阻膜的一部分，形成電阻膜除去部分；光學(xué)系統(tǒng)，使激光會(huì)聚；多 個(gè)探頭，在共用電極向電阻膜提供電壓的狀態(tài)下測量所述電阻膜的表 面上的電位；X-Y工作臺(tái)，至少二維地移動(dòng)基板；以及控制部分，控 制X-Y工作臺(tái)和激光光源。
在優(yōu)選實(shí)施方式的制造裝置中，所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的基板可以由 透射激光的絕緣材料制成；由所述激光光源從所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的基 板的、與所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的基板的形成有所述電阻膜的面相反的面 照射激光。
而且，在優(yōu)選實(shí)施方式的制造裝置中，所述多個(gè)探頭可以設(shè)置在 所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的基板的、與所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的基板的設(shè)置有所 述激光光源的一側(cè)相反的一側(cè)。
而且，在優(yōu)選實(shí)施方式的制造裝置中，所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的電阻 膜由包括ITO (氧化銦錫)或氧化銦、氧化錫或氧化鋅的材料制成。
7而且，在優(yōu)選實(shí)施方式的制造裝置中，所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的所迷 基板和所述電阻膜可以在可見區(qū)域中是透明的。
而且，在優(yōu)選實(shí)施方式的制造裝置中，所述激光的波長可以落入
340 420[nm的范圍內(nèi)。
而且，在優(yōu)選實(shí)施方式的制造裝置中，所述激光光源可以是準(zhǔn)分 子激光器(excimer laser)。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，可以提供能夠以高的生產(chǎn)率制造具有減小的 尺寸并且具有提高的坐標(biāo)位置檢測能力的坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置。
以下參照圖1更具體地說明優(yōu)選實(shí)施方式中的制造裝置。
優(yōu)選實(shí)施方式中的制造裝置包括X-Y工作臺(tái)51，具有二維地 移動(dòng)坐標(biāo)檢測設(shè)備的玻璃基板131的功能；激光光源52;光學(xué)系統(tǒng)， 用于將由激光光源52發(fā)射的激光會(huì)聚到形成在坐標(biāo)檢測設(shè)備的玻璃 基板131上的、由ITO等制成的坐標(biāo)檢測設(shè)備的透明電阻膜132上； 和控制電路54，控制X-Y工作臺(tái)51的移動(dòng)和激光光源52的振蕩定 時(shí)?？刂齐娐?4和X-Y工作臺(tái)51由用于控制信號的通信、供電等的 線纜55連接在一起，控制電路54和激光光源52由用于控制信號的 通信、供電等的線纜56連接在一起。并且，設(shè)置用于測量透明電阻 膜132上的電位的探頭57和電位測量單元58。在電壓經(jīng)由坐標(biāo)檢測 設(shè)備的未示出的后述的共用電極134施加到透明電阻膜132上的狀態(tài) 下，使探頭57與透明電阻膜132的表面接觸，利用探頭57來測量透 明電阻膜132上的電位。
如后所述，根據(jù)這樣利用探頭57測量的透明電阻膜132上的電 位信息，除去坐標(biāo)檢測設(shè)備的透明電阻膜132的相應(yīng)部分，以形成電 阻膜除去部分133。為了如上所述經(jīng)由用于測量透明電阻膜132上的 電位的共用電極134向測量透明電阻膜132施加電壓，探頭57包括 用于向共用電極134施加電壓的探頭。根據(jù)所測量的電位的信息除去 透明電阻膜132的相應(yīng)部分以形成電阻膜除去部分133的具體方法將 在后面說明制造方法時(shí)說明。應(yīng)注意的是，其上形成透明電阻膜132的坐標(biāo)檢測設(shè)備的玻璃基 板131以如下方式設(shè)置到X-Y工作臺(tái)51上激光光源52位于玻璃基 板131的、與形成透明電阻膜132的一側(cè)相反的一側(cè)上。而且，探頭 57和電位測量單元58設(shè)置在與玻璃基板131的設(shè)置有激光光源52的 一側(cè)相反的、玻璃基板131的形成透明電阻膜132的一側(cè)上。應(yīng)注意， 為了說明的目的，圖1所示的玻璃基板131和透明電阻膜132用夸張 的厚度示出。
如上所述，探頭57和電位測量單元58設(shè)置在玻璃基板131的、 與設(shè)置有激光光源52的一側(cè)相反的一側(cè)上。因此，可以不考慮探頭 57和電位測量單元58的存在而通過激光光源52照射激光。這樣，提 高了制造裝置中的配置的自由度，并且能夠以更少的限制在制造裝置 中進(jìn)行作業(yè)。從而能夠提高作業(yè)效率。
在參照圖l如上所述構(gòu)成的制造裝置中，形成有透明電阻膜132 的坐標(biāo)檢測設(shè)備的玻璃基板131放置在X-Y工作臺(tái)51上。在該狀態(tài) 下，隨著X-Y工作臺(tái)51 二維地移動(dòng)玻璃基板131，激光光源52利用 激光照射透明電阻膜132的預(yù)定區(qū)域，以形成電阻膜除去部分133。 激光光源52在本實(shí)施方式中是準(zhǔn)分子激光器，并且激光光源52發(fā)射 的激光的波長約為355[nm]。玻璃基板131透射該波長的激光，但透 明電阻膜132對于該波長的激光具有低的透射率。因此，在這樣照射 了該波長的激光的預(yù)定區(qū)域，玻璃基板131透射激光，而這樣具有低 透射率的透明電阻膜132吸收激光。因此，這樣照射激光的結(jié)果，在 這樣照射了激光的預(yù)定區(qū)域，透明電阻膜132由于燒蝕而從玻璃基板 131的表面除去。這樣，每個(gè)電阻膜除去部分133形成為在透明電阻 膜132中鉆出的孔。
具體地說，如圖2所示，玻璃基板131的透射率和透明電阻膜 132的透射率針對光波長而不同。特別是，在波長355[nm]附近，存 在玻璃基板131的透射率和透明電阻膜132的透射率之差大的波長區(qū) 域，在該波長區(qū)域中，玻璃基板131透射激光，但透明電阻膜132對 于該激光具有低的透射率。盡管在透明電阻膜132的具體材料中具體值略微不同，但落入340 420[nm范圍內(nèi)的波長由玻璃基板131透 射，可以用于除去透明電阻膜132，形成電阻膜除去部分133。這一 事實(shí)是由發(fā)明人從試驗(yàn)觀察得到的。在本實(shí)施方式中，以此為依據(jù)， 使用波長355[nm的激光來除去透明電阻膜132的一部分以形成電阻 膜除去部分133。
這樣，在本實(shí)施方式的制造裝置中，形成在玻璃基板131上的透 明電阻膜132的預(yù)定區(qū)域被除去以形成電阻膜除去部分133。這樣除 去了透明電阻膜132的每個(gè)預(yù)定區(qū)域具有如后所述可以使透明電阻膜 132中的電位分布均勻的形狀。在該實(shí)施方式中，作為透明電阻膜132 的材料，使用ITO。另外，替代地，可以使用包括氧化銦、氧化錫或 氧化鋅并且在可見區(qū)域中透明的材料來作為透明電阻膜132的材料。 這種情況下，可以得到與使用ITO作為本實(shí)施方式中的透明電阻膜 132的材料的情況相同的效果。
接著，說明利用本實(shí)施方式的制造裝置制造的坐標(biāo)檢測設(shè)備。具 體地說，利用本實(shí)施方式的制造裝置制造后述的下基板121。 (系統(tǒng)結(jié)構(gòu))
圖3示出實(shí)施方式的坐標(biāo)檢測設(shè)備中的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。作為本實(shí)施方 式中的坐標(biāo)檢測設(shè)備100，說明5線型電阻膜類型觸摸面板。本實(shí)施 方式的坐標(biāo)檢測設(shè)備100包括面板部分111和接口板112。
面板部分111包括下基板121、上基板122、隔片123和FPC (Flexible Printed Circuit,軟性印刷電路板)線纜124。下基板121 和上基板122經(jīng)由隔片123粘接在一起。隔片123由絕緣性的兩面膠 帶等形成。隔片123在下基板121和上基板122之間保持預(yù)定間隔的 狀態(tài)下將下基板121和上基板122粘接在一起。FPC線纜124具有在 軟性印刷電路板上形成第1~第5布線的結(jié)構(gòu)。FPC線纜124例如通 過使用各向異性導(dǎo)電膜等進(jìn)行的熱壓縮粘接而與下基板121連接。 (下基板121)
接著，參照圖4A、 4B、 4C、 4D和4E說明下基板121的結(jié)構(gòu)。
10圖4A示出下基板121的平面圖。圖4B示出沿線4B-4B截取的下基 板121的截面圖。圖4C示出沿線4C-4C截取的下基板121的截面圖。 圖4D示出沿線4D-4D截取的下基板121的截面圖。圖4E示出沿線 4E-4E截取的下基板121的截面圖。
下基板121包括玻璃基板131、透明電阻膜132、電阻膜除去部 分133、共用電極134、第1絕緣膜135、第1 ~第4布線136-1、 136-2、 136-3和136-4以及第2絕緣膜137。在玻璃基板131上，在玻璃基板 131的幾乎整個(gè)區(qū)域上形成透明電阻膜132。透明電阻膜132例如可 以通過利用真空蒸鍍方法等形成由ITO等制成的膜來形成，透射可見 區(qū)域的光并且具有預(yù)定的電阻。 (電阻膜除去部分133)
電阻膜除去部分133形成在透明電阻膜132在玻璃基板131周圍 的位置處，并且形成到形成有共用電極134的區(qū)域內(nèi)部。如圖5所示， 相鄰的電阻膜除去部分133之間的間隔W彼此相等。如后所述，相 鄰的電阻膜除去部分133之間的間隔W對應(yīng)于后述的電位提供部分 141。如圖4A和圖5所示，相鄰的電阻膜除去部分133之間的間距在 面板部分121的矩形的第1邊171-1、第2邊171-2、第3邊171-3、 第4邊171-4中的每一個(gè)的兩端附近較長，并且隨著接近第1~第4 邊171-1、 171-2、 171-3、 171-4中的每一個(gè)的兩端之間的中央而變短。 具體地說，從第1~第4邊171-1、 171-2、 171-3、 171-4中的每一個(gè) 的兩端通過中夾，電阻膜除去部分133的間距Pl、 P2、 P3、 P4、... 如圖5所示為P1>P2>P3>P4...。 (電位提供部分141)
每個(gè)上述的電位提供部分141是如上所述除去了透明電阻膜132 的相鄰的電阻膜除去部分133之間剩下的透明電阻膜132的一部分。 通過該電位提供部分141，電位從共用電極134提供給透明電阻膜132 的整個(gè)區(qū)域。在本實(shí)施方式中，具體地說，參照圖4A、 4B、 4C、 4D、 4E和5，相鄰的電位提供部分141之間的間距在面板部分121的第1 ~ 第4邊171-1、 171-2、 171-3、 171-4中的每一個(gè)的兩端附近較長，并
ii且隨著接近第1~第4邊171-1、 171-2、 171-3、 171-4中的每一個(gè)的 兩端之間的中央而變短。通過這樣構(gòu)成電位提供部分141，可以減少 電位分布可能顯著變形的第1~第4邊171-1、 171-2、 171-3、 171-4 周圍可能存在的電位分布的變形。從而可以通過如上所述構(gòu)成電位提 供部分141來使透明電阻膜132上產(chǎn)生的電位分布均勻。由此可以在 坐標(biāo)檢測設(shè)備100中精確地檢測坐標(biāo)位置。
應(yīng)注意，電阻膜除去部分133的具體形狀不限于圖4A、 4B、 4C、 4D、 4E和5中示出的形狀。只要利用電阻膜除去部分133或電位提 供部分141的作用而使透明電阻膜132上產(chǎn)生的電位分布均勻，電阻 膜除去部分133可以具有任意形狀。 (共用電極134)
共用電極134例如由Ag-C制成，并且形成在電阻膜除去部分133 以外的透明電阻膜132上。
如圖4A所示，共用電極134沿著下基板121的矩形的4個(gè)邊 171-1、 171-2、 171-3、 171-4延伸。 (第1絕緣膜135 )
第l絕緣膜135以將第l絕緣膜135設(shè)置在電阻膜除去部分133 上方并且覆蓋共用電極134的方式形成。第1絕緣膜135在下基板121 的矩形的4個(gè)角上分別在其中形成第1 ~第4通孔151-1、 151-2、 151-3、 151-4。第1~第4通孔151-1、 151-2、 151-3、 151-4作為驅(qū)動(dòng)電壓施
加部分。
(第1 ~第4布線136-1 ~ 136-4 )
第1布線136-1例如由Ag等低電阻材料制成，沿著下基板121 的第1邊171-1而形成在第1絕緣膜135上。如圖4C所示，第1布 線136-1進(jìn)一步延伸而埋入形成在第1絕緣膜135中的第1通孔151-1， 從而在設(shè)置有第l通孔151-1的第l角處與共用電極134連接。而且， 第l布線136-1與圖3所示的FPC線纜124中包含的對應(yīng)的第l布線 連接。
同樣，第2布線136-2例如由Ag等低電阻材料制成，沿著與下基板121的第l邊171-1相對的第2邊171-2而形成在第l絕緣膜135 上。第2布線136-2進(jìn)一步延伸而埋入形成在第1絕緣膜135中的第 2通孔151-2，從而在設(shè)置有第2通孔151-2的第2角處與共用電極 134連接。而且，第2布線136-2與圖3所示的FPC線纜124中包含 的對應(yīng)的第2布線連接。
第3布線136-3例如由Ag等低電阻材料制成，沿著第3邊171-3 在第2邊171-2側(cè)的一半而形成在第l絕緣膜135上，該第3邊171-3 與下基板121的第1和第2邊171-1和171-2垂直。第3布線136-3 進(jìn)一步延伸而埋入形成在第1絕緣膜135中的第3通孔151-3，從而 在設(shè)置有第3通孔151-3的第3角處與共用電極134連接。而且，第 3布線136-3與圖3所示的FPC線纜124中包含的對應(yīng)的第3布線連 接。
第4布線136-4例如由Ag等低電阻材料制成，沿著下基板121 的第3邊171-3在第1邊171-1側(cè)的一半而形成在第1絕緣膜135上。 第4布線136-4進(jìn)一步延伸而埋入形成在第1絕緣膜135中的第4通 孔151-4，從而在設(shè)置有第4通孔151-4的第4角處與共用電極134 連接。而且，第4布線136-4與圖3所示的FPC線纜124中包含的對 應(yīng)的第4布線連接。
第2絕緣膜137形成在第1絕緣膜135上以覆蓋第1 ~第4布線 136-1、 136-2、 136-3和136-4。并且，上基板122經(jīng)由圖3所示的隔 片123而粘接在第2絕緣膜137上方。 (上基板122 )
接著，參照圖6A和6B說明上基板122的結(jié)構(gòu)。圖6A示出上基 板122的俯視圖，圖6B示出上基板122的截面圖。應(yīng)注意，為了說 明的目的，圖6B所示的上基板122用夸張的厚度示出。上基板122 包括膜基板211、透明電阻膜212和電極213。膜基板211例如由具 有PET (Polyethylene terephthalate,聚對苯二甲酸乙二酯)等材料 的柔性的樹脂膜制成。
在膜基板211的與下基板121相對的一側(cè)，在膜基板211的整個(gè)區(qū)域上形成透明電阻膜212。透明電阻膜212例如由ITO等透明導(dǎo)電 材料制成。
電極213在圖6A和6B所示的X方向的端部配置在上基板122 的透明電阻膜212上。電極213經(jīng)由觸點(diǎn)(未示出)與FPC線纜124 的第5布線連接。應(yīng)注意，F(xiàn)PC線纜124如圖3所示還與下基板121 連接。上基板122用作探頭，通過接口板112檢測出與上基板122接 觸處的、設(shè)置在下基板121上的透明電阻膜132上的電位。從而在坐 標(biāo)檢測設(shè)備100中檢測出坐標(biāo)位置。 (檢測過程)
接著，說明本實(shí)施方式的坐標(biāo)檢測設(shè)備100中的檢測坐標(biāo)位置的 過程。圖7示出接口板112執(zhí)行的操作的流程圖。圖8A和8B示出設(shè) 置在下基板121上的透明電阻膜132上產(chǎn)生的電位分布。圖8A示出 當(dāng)檢測X坐標(biāo)時(shí)沿X方向Xl-X2產(chǎn)生的電位分布。圖8B示出當(dāng)檢測 Y坐標(biāo)時(shí)沿Y方向Yl-Y2產(chǎn)生的電位分布。
應(yīng)注意，在坐標(biāo)檢測i殳備100中，如圖3所示，在下基板121 與上基板122之間插入隔片123，由此，上基板122如上所述以預(yù)定 間隔離開形成在下基板121上的透明電阻膜132。在該狀態(tài)下，當(dāng)上 基板122上的特定位置被向下(沿方向Z2)按下時(shí)，上基板122與 透明電阻膜132在該特定位置處接觸。
在步驟Sl-l中，接口板112向第1布線136-1和第2布線136-2 施加電壓Vx，并將第3布線136-3和第4布線136-4接地。從而，電 壓Vx被施加到共用電極134的第1和第2角(對應(yīng)于第1和第2通 孔151-1和151-2 )，并且，共用電極134的第3和第4角(對應(yīng)于 第3和第4通孔151-3和151-4 )接地。結(jié)果，沿著共用電極134的4 個(gè)邊產(chǎn)生電位分布。然后，從這樣產(chǎn)生了電位分布的共用電極134的 4個(gè)邊，將電位經(jīng)由各個(gè)電位提供部分141而提供到透明電阻膜132 內(nèi)部。結(jié)果，在透明電阻膜132上產(chǎn)生如圖8A的虛線所示沿著Xl-X2 方向均勻的電位分布。應(yīng)注意，在現(xiàn)有技術(shù)中，電位分布可能如圖8A 的點(diǎn)劃線所示變形。根據(jù)本實(shí)施方式的坐標(biāo)檢測設(shè)備，利用電阻膜除
14去部分133或電位提供部分141的作用而避免了這樣的變形，可以進(jìn) 行X坐標(biāo)的精確檢測。
接著，在步驟Sl-2中，接口板112經(jīng)由上基板122和FPC線纜 124的第5布線檢測出上基板122與透明電阻膜132接觸的上述特定 位置處的、透明電阻膜132上的電位。然后，在步驟Sl-3中，接口板 112根據(jù)這樣檢測出的、形成在下基板121上的透明電阻膜132上的 電位，得到對應(yīng)的X坐標(biāo)。
接著，在步驟Sl-4中，接口板112向第1布線136-1和第4布 線136-4施加電壓Vy，并將第2布線136-2和第3布線136-3接地。 從而，電壓Vy被施加到共用電極134的第1和第4角(對應(yīng)于第l 和第4通孔151-1和151-4 )，并且，共用電極134的第2和第3角 (對應(yīng)于第2和第3通孔151-2和151-3)接地。結(jié)果，沿著共用電 極134的4個(gè)邊產(chǎn)生電位分布。然后，從這樣產(chǎn)生了電位分布的共用 電極134的4個(gè)邊，將電位經(jīng)由各個(gè)電位提供部分141而提供到透明 電阻膜132內(nèi)部。結(jié)果，在透明電阻膜132上產(chǎn)生如圖8B的虛線所 示沿著Yl-Y2方向均勻的電位分布。應(yīng)注意，在現(xiàn)有技術(shù)中，電位分 布可能如圖8B的點(diǎn)劃線所示變形。根據(jù)本實(shí)施方式的坐標(biāo)檢測設(shè)備， 利用電阻膜除去部分133或電位提供部分141的作用而避免了這樣的 變形，可以進(jìn)行Y坐標(biāo)的精確檢測。
接著，在步驟Sl-5中，接口板112經(jīng)由上基板122和FPC線纜 124的第5布線檢測出上基板122與透明電阻膜132接觸的上述特定 位置處的、透明電阻膜132上的電位。然后，在步驟Sl-6中，接口板 112根據(jù)這樣檢測出的、形成在下基板121上的透明電阻膜132上的 電位，得到對應(yīng)的Y坐標(biāo)。
這樣，在本實(shí)施方式的坐標(biāo)檢測設(shè)備中，第1~第4布線136-1、 136-2、 136-3和136-4如圖4B、 4C和4E所示層疊在共用電極134上 方，從而可以減小面板部分lll的尺寸。而且，通過形成電阻膜除去 部分133，如上參照圖8A和8B所述，可以使在檢測X坐標(biāo)或Y坐 標(biāo)時(shí)在下基板121上的透明電阻膜132上產(chǎn)生的電位分布沿著方向Xl-X2或方向Yl-Y2均勻。結(jié)果，可以進(jìn)行精確的坐標(biāo)檢測。 (制造方法)
接著，說明用于制造上述的坐標(biāo)檢測設(shè)備的本實(shí)施方式的制造裝 置所執(zhí)行的執(zhí)行方法。具體地，參照圖4A、 4B、 4C、 4D和4E說明 用于制造上述的下基板121的制造方法。
首先，在玻璃基板131上，用濺射法、真空蒸鍍法等形成由ITO 等制成的透明電阻膜132。
接著，在透明電阻膜132上形成由Ag-C等制成的共用電極134。 具體地，使用包括Ag-C等的漿料，進(jìn)行絲網(wǎng)印刷以形成對應(yīng)的圖案， 然后進(jìn)行烘焙。從而形成共用電極134。
接著，在透明電阻膜132中形成電阻膜除去部分133。具體地， 使用參照圖l說明的制造裝置，通過玻璃基板131將激光照射到透明 電阻膜132上的、要除去透明電阻膜132的對應(yīng)位置上。然后，通過 燒蝕在上述對應(yīng)位置處除去透明電阻膜132，形成電阻膜除去部分 133。此時(shí)，通過X-Y工作臺(tái)51移動(dòng)玻璃基板131的位置，由激光光 源52根據(jù)控制電路54的信號照射激光，從而在上述對應(yīng)位置處除去 透明電阻膜132，形成電阻膜除去部分133。
如上參照圖1所述，除去透明電阻膜132的對應(yīng)部分以形成電阻 膜除去部分133是根據(jù)由探頭57和電位測量單元58測量的電位信息 來進(jìn)行的。具體地說有兩種方法。第一種方法是，首先，使用探頭57 和電位測量單元58并經(jīng)由共用電極134向透明電阻膜132施加電壓。 結(jié)果，由探頭57和電位測量單元58測量出現(xiàn)在透明電阻膜132上的 電位。根據(jù)這樣得到的電位，可以得到如圖8A或8B所示針對方向 Xl-X2和方向Yl-Y2中的每一個(gè)而在透明電阻膜132上產(chǎn)生的電位分 布。根據(jù)這樣得到的電位分布，以當(dāng)這樣得到的電位分布中包含變形 時(shí)會(huì)消除該變形的方式，確定電阻膜除去部分的實(shí)際形狀。然后，根 據(jù)這樣確定的電阻膜除去部分133的實(shí)際形狀，使用激光光源52和 X-Y工作臺(tái)51形成電阻膜除去部分133。
第二種方法是，在執(zhí)行了上述第一種方法后，使用探頭57和電位測量單元58并經(jīng)由共用電極134再次向透明電阻膜132施加電壓。 然后，由探頭57和電位測量單元58再次測量出現(xiàn)在透明電阻膜132 上的電位，根據(jù)這樣得到的電位，可以得到針對方向Xl-X2和方向 Yl-Y2中的每一個(gè)而在透明電阻膜132上產(chǎn)生的電位分布。根據(jù)這樣 得到的電位分布，如果電位分布仍然存在變形，則以消除該剩下的變 形的方式，修正按第一種方法確定的上述電阻膜除去部分的實(shí)際形 狀。然后，根據(jù)這樣修正后的形狀，使用激光光源52和X-Y工作臺(tái) 51校正按第一種方法形成的電阻膜除去部分133。
接著，形成具有第1~第4通孔151-1、 151-2、 151-3、 151-4的 第1絕緣膜135。具體地說，使用絕緣漿料，進(jìn)行絲網(wǎng)印刷以形成對 應(yīng)的圖案，然后進(jìn)行烘焙。從而形成第1絕緣膜135。
然后，在第1絕緣膜135上形成由Ag等制成的第1~第4布線 136-1、 136-2、 136-3和136-4。具體地說，使用包括Ag的導(dǎo)電漿料， 進(jìn)行絲網(wǎng)印刷以形成對應(yīng)的閨案，然后進(jìn)行烘焙。從而形成第1~第 4布線136-1、 136-2、 136-3和136-4。
然后，形成第2絕緣膜137。具體地說，使用絕緣漿料，進(jìn)行絲 網(wǎng)印刷以形成對應(yīng)的圖案，然后進(jìn)行烘焙。從而形成第2絕緣膜137。
這樣制造出下基板121。 (制造裝置的控制電路)
圖1所示的控制電路54可以包括計(jì)算機(jī)，該計(jì)算機(jī)控制控制電 路54的操作，從而控制電路54能夠自動(dòng)地執(zhí)行上述第一種方法或第 二種方法，以使用探頭57和電位測量單元58測量透明電阻膜132上 的電位，確定電阻膜除去部分133的形狀，并且使用激光光源52和 X-Y工作臺(tái)51形成電阻膜除去部分133。
圖10示出可用作控制電路54可包括的上述計(jì)算機(jī)的計(jì)算機(jī)的框 圖。如圖10所示，該計(jì)算機(jī)包括CPU 1110，用于通過執(zhí)行寫在程 序中的指令來進(jìn)行各種操作；鍵盤、鼠標(biāo)等輸入部分1130，用于操作 者輸入操作內(nèi)容或數(shù)據(jù)；CRT、液晶顯示設(shè)備等顯示部分1140,用于 向操作者顯示CPU 1110的處理進(jìn)程、處理結(jié)果等；ROM、 RAM等存儲(chǔ)器1120，用于存儲(chǔ)要由CPU 1110執(zhí)行的程序或用作CPU 1110 的工作區(qū)；硬盤驅(qū)動(dòng)器1150，用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)等；CD-ROM驅(qū) 動(dòng)器1160，用于使用CD-ROM 1161作為信息記錄介質(zhì)而從外部裝入 程序或數(shù)據(jù)；以及調(diào)制解調(diào)器1170，用于經(jīng)由互聯(lián)網(wǎng)、LAN等通信 網(wǎng)絡(luò)1180從外部服務(wù)器下栽程序等。
圖IO所示的計(jì)算機(jī)裝入或下載具有指令的程序，該程序用于使 CPU 1110按照寫在程序中的指令執(zhí)行上述第一種方法或第二種方 法，以使用探頭57和電位測量單元58測量透明電阻膜132上的電位， 確定電阻膜除去部分133的形狀，并且使用激光光源52和X-Y工作 臺(tái)51形成電阻膜除去部分133。 CD-ROM 1161可以用作用于裝入程 序的信息記錄介質(zhì)。并且，通信網(wǎng)絡(luò)1180可以用于下載程序。該程 序然后被安裝到硬盤驅(qū)動(dòng)器1150中，裝入存儲(chǔ)器1120，并由CPU 1110 執(zhí)行。結(jié)果，計(jì)算機(jī)執(zhí)行上述第一種方法或第二種方法，以使用探頭 57和電位測量單元58測量透明電阻膜132上的電位，確定電阻膜除 去部分133的形狀，并且使用激光光源52和X-Y工作臺(tái)51形成電阻 膜除去部分133。
這里所述的所有例子和條件性語言都是用于教導(dǎo)目的，以幫助讀 者理解本發(fā)明和發(fā)明人提出的概念以提高現(xiàn)有技術(shù)，應(yīng)當(dāng)理解為不限 于這些具體說明的例子和條件，并且說明書中的這些例子的組織也不 涉及本發(fā)明的優(yōu)劣的展示。盡管具體說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但應(yīng) 當(dāng)理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種改變、 替換和變更。
權(quán)利要求
1.一種坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置，該坐標(biāo)檢測設(shè)備包括形成在基板上的電阻膜和向該電阻膜施加電壓的共用電極，其中，在電阻膜上產(chǎn)生電位分布，檢測出所述電阻膜在與探頭接觸的位置處的電位，并且檢測出所述電阻膜上的該位置的坐標(biāo)，該制造裝置包括激光光源，照射激光以除去所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的電阻膜的一部分，形成電阻膜除去部分；光學(xué)系統(tǒng)，使激光會(huì)聚；多個(gè)探頭，在經(jīng)由所述共用電極向所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的電阻膜施加了電壓的狀態(tài)下測量所述電阻膜的表面的電位；X-Y工作臺(tái)，至少二維地使所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的基板移動(dòng)；以及控制部分，控制所述X-Y工作臺(tái)和所述激光光源。
2. 如權(quán)利要求l所述的坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置，其中， 所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的基板由透射激光的絕緣材料制成； 由所述激光光源從所述基板的、與形成有所述電阻膜的面相反的面照射激光。
3. 如權(quán)利要求2所述的坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置，其中， 所述多個(gè)探頭設(shè)置在與設(shè)置有所述激光光源的一側(cè)相反的一側(cè)。
4. 如權(quán)利要求1所述的坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置，其中， 所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的電阻膜由包括ITO或氧化銦、氧化錫或氧化鋅的材料制成。
5. 如權(quán)利要求1所述的坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置，其中， 所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的所述基板和所述電阻膜在可見區(qū)域中是透明的。
6. 如權(quán)利要求l所述的坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置，其中， 所述激光的波長落入340 ~ 420nm的范圍內(nèi)。
7. 如權(quán)利要求6所述的坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置，其中， 所述激光光源包括準(zhǔn)分子激光器。
8. 如權(quán)利要求l所述的坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置，其中， 所述多個(gè)探頭包括用于在經(jīng)由所述共用電極向所述電阻膜施加了電壓的狀態(tài)下測量所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的電阻膜的表面的電位時(shí)向 所述坐標(biāo)檢測設(shè)備的所述共用電極施加電壓的探頭。
9. 如權(quán)利要求l所述的坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置，其中， 所述控制部分構(gòu)成為控制所述X-Y工作臺(tái)和所述激光光源，以在沿著所述共用電極的位置處形成所述電阻膜除去部分，控制經(jīng)由所 迷共用電極提供給所述電阻膜的電位，以使在所述電阻膜上產(chǎn)生的電 位分布均勻。
全文摘要
本發(fā)明提供一種坐標(biāo)檢測設(shè)備的制造裝置，該坐標(biāo)檢測設(shè)備包括形成在基板上的電阻膜和向該電阻膜施加電壓的共用電極，其中，在電阻膜上產(chǎn)生電位分布，檢測出電阻膜在接觸位置處的電位，并且檢測出電阻膜的接觸位置的坐標(biāo)。在該制造裝置中，激光光源照射激光以除去電阻膜的一部分，形成電阻膜除去部分；光學(xué)系統(tǒng)使激光會(huì)聚；多個(gè)探頭在共用電極向電阻膜提供電壓的情況下測量電阻膜的表面的電位；X-Y工作臺(tái)至少二維地使基板移動(dòng)；控制部分控制X-Y工作臺(tái)和激光光源。
文檔編號G06F3/045GK101582003SQ200910139059
公開日2009年11月18日 申請日期2009年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月15日
發(fā)明者近藤幸一 申請人:富士通電子零件有限公司