專利名稱：可自配置的多調(diào)壓器專用集成電路核電力輸送的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開一般涉及能依據(jù)所使用的實際應(yīng)用而利用“運行時(on the fly)”所選擇 的各種電力(power)調(diào)壓器(regulator)技術(shù)進(jìn)行供電的ASIC(專用集成電路)核或類似 電子電路。
背景技術(shù)：
ASIC (Application Specific Integrated Circuit，專用集成電路)是針對特定 應(yīng)用而設(shè)計的半導(dǎo)體器件。ASIC實際上可包括已知的電路的任何集合。例如，它們被用于 諸如與照相機(jī)、音樂播放器、導(dǎo)航設(shè)備等一同使用的消費者存儲器器件。它們還被用于許多 其它類型的電子設(shè)備，并且可能高度地專用于特定任務(wù)或一組任務(wù)。AISC核是要由已被設(shè)計并驗證為單獨實體(entiry)的電路來執(zhí)行的定義功能， 并且可用在用于特定工藝技術(shù)的ASIC功能庫中。每個ASIC核是其性能和功能被了解并 且其在本質(zhì)上可以用作構(gòu)造ASIC芯片設(shè)計時的構(gòu)建塊(building block)的元件?？?以將ASIC核實施為功能加上預(yù)定義的物理布局或標(biāo)準(zhǔn)單元、功能加上要由ASIC供應(yīng)商 實現(xiàn)的物理布局(layout)、或者在要完全由消費者集成的依賴于標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的門級網(wǎng)表 (gate-level net list)中體現(xiàn)的功能。在被實施為實際電路時，ASIC核需要調(diào)壓的電力以便進(jìn)行工作。通常，依據(jù)電路 的需求，通過可用的各種調(diào)壓器技術(shù)之一來為ASIC核進(jìn)行供電。例如，對于要求極低靜止 和活躍的工作電流、但是可以忍受使用外部(即，相對大的)電容器的應(yīng)用來說，線性(例 如，低壓差(LDO)調(diào)壓器是非常適合的。例如在微型安全數(shù)字(SD)存儲卡中使用了這種 方法，并且在圖1中以框圖形式圖示了這樣的方法。另一方面，如果板空間(board space) (或其它物理空間)是很寶貴且較高靜止和活躍的工作電流是可忍受的，那么，沒有外部電 容器的無電容(capless)調(diào)壓器可能是更好的解決方案。經(jīng)常在高端存儲卡應(yīng)用(例如記 憶棒類型閃存卡等)中遇到該情形，并且在圖2中以框圖形式圖示了該情形。ASIC芯片的設(shè)計、驗證和構(gòu)造對于電子產(chǎn)品制造商而言代表了重要投資。期望盡 可能地降低這些成本。

發(fā)明內(nèi)容
在一方面中，公開一種用于操作具有專用集成電路(ASIC)的電子產(chǎn)品的方法，其 中所述ASIC器件在其電路中包括線性調(diào)壓器模塊，其被配置來耦合至可選的外部電容； 以及無電容調(diào)壓器模塊，其耦合至該電子產(chǎn)品的內(nèi)部電容，所述方法選擇無電容調(diào)壓器模 塊的低電力子模塊或高電力子模塊之一以用于在ASIC的上電(power up)階段中使用。 ASIC器件的控制邏輯確定是否存在外部電容。如果存在，則控制邏輯使得在ASIC的上電階 段期間使用高電力無電容調(diào)壓器子模塊。否則，在ASIC的上電階段期間僅使用低電力無電 容調(diào)壓器子模塊。在ASIC上電后，控制邏輯可以針對特定工作時間選擇線性調(diào)壓器模塊且 針對其它工作時間選擇無電容調(diào)壓器模塊，或者其可以針對上電后工作的所有時間而選擇一個或另一個。在另一方面，公開了包括專用集成電路(ASIC)器件的電子產(chǎn)品，其中ASIC器件在 其電路中包括線性調(diào)壓器模塊，其被配置來耦合至可選的外部電容；以及無電容調(diào)壓器 模塊，其耦合至該電子產(chǎn)品的內(nèi)部電容。該無電容調(diào)壓器模塊至少包括低電力子模塊和高 電力子模塊兩者。ASIC器件的控制邏輯被配置來確定是否存在外部電容。如果存在，則控 制邏輯使得高電力無電容調(diào)壓器子模塊在ASIC的上電階段期間使用。否則，在ASIC的上 電階段期間僅使用低電力無電容調(diào)壓器子模塊。在ASIC上電后，控制邏輯可以針對特定工 作時間選擇線性調(diào)壓器模塊且針對其它工作時間選擇無電容調(diào)壓器模塊，或者其可以針對 上電后工作的所有時間而選擇一個或另一個。


并入本說明書且構(gòu)成本說明書的一部分的附圖例示了實施方式的一個或多個示 例，并且與示例實施方式的描述一起用于說明各實施方式的原理和實施方案。圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的由采用外部(相對大的)電容的線性電壓調(diào)壓器所供電的 第一電子產(chǎn)品的示意框圖。圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的由采用內(nèi)部(相對小的)電容的線性電壓調(diào)壓器所供電的 第二電子產(chǎn)品的示意框圖。圖3是包括閃存陣列、控制器ASIC器件和與主機(jī)的接口在內(nèi)的示例存儲器器件的 示意框圖。圖4是根據(jù)一個實施方式的第三電子產(chǎn)品的電源部分的示意框圖，其中該第三電 子產(chǎn)品可選擇性地由線性調(diào)壓器模塊或無電容調(diào)壓器模塊來供電，并且該第三電子產(chǎn)品包 括外部電容器檢測器。圖5是根據(jù)一個實施方式的線性調(diào)壓器模塊的示意框圖。圖6是根據(jù)一個實施方式的無電容調(diào)壓器模塊的示意框圖。圖7是根據(jù)一個實施方式的控制無電容調(diào)壓器模塊的控制邏輯的示意框圖。圖8-1、8_2和8-3共同構(gòu)成了圖示根據(jù)一個實施方式的方法的處理流程圖。
具體實施例方式這里在包括ASIC器件的電子產(chǎn)品的背景下描述示例實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將 了解，以下描述僅僅是例示性的，并且不意圖以任何方式限制。其他實施例對于獲益于本公 開的本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將很容易具有暗示性。現(xiàn)在將詳細(xì)參考如附圖中所示的示例實施 例的實施方式。貫穿附圖和以下描述，將使用相同的參考指示符來指代相同或相似的項目。為了清楚，并沒有示出和描述在此所述的實施方案的全部常規(guī)特征。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)認(rèn) 識到，在任何這種實際實施方案的開發(fā)中，必須進(jìn)行大量特定實施方案的決定，以便實現(xiàn)開 發(fā)者的特定目標(biāo)、諸如與應(yīng)用_以及商業(yè)-有關(guān)的約束的兼容性；并且將認(rèn)識到，這些特定 目標(biāo)在各個實施方案之間以及各個開發(fā)者之間變化。此外，將認(rèn)識到，這種開發(fā)努力可能是 復(fù)雜和耗時的，但是其對于受益于本公開的本領(lǐng)域技術(shù)人員來說仍然是常規(guī)的工程任務(wù)。根據(jù)本公開，例如在非易失性存儲器器件的控制器中，可以使用各種類型的操作 系統(tǒng)、計算平臺、計算機(jī)程序和/或通用機(jī)器來實現(xiàn)在此所述的組件、處理步驟和/或數(shù)據(jù)
6結(jié)構(gòu)。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，也可以使用諸如硬連線(hardwired)設(shè)備、場可編 程門陣列(FPGA)、專用集成電路(ASIC)等的具有較不通用的性質(zhì)的設(shè)備，而不脫離在此所 公開的發(fā)明概念的范圍和精神。在由計算機(jī)或機(jī)器來實現(xiàn)包括一系列處理步驟的方法并且 可以將這些處理步驟存儲為一系列可由該機(jī)器讀取的指令的情況下，該一系列指令可以被 存儲在諸如計算機(jī)存儲器器件之類的有形介質(zhì)(例如R0M(只讀存儲器)、PROM(可編程只 讀存儲器)、EEPR0M(電可擦除可編程只讀存儲器)、閃存等)、磁存儲介質(zhì)(例如磁帶、磁盤 等)、光存儲介質(zhì)(例如CD-ROM、DVD-ROM、紙卡(paper card)、紙帶(paper tape)等)和 其他類型的程序存儲器上。根據(jù)一個示例實施方式，本發(fā)明可以用于可與諸如計算機(jī)、數(shù)字相機(jī)、數(shù)字音樂播 放器、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備等的消費者電子設(shè)備一同使用的存儲器器件中。對于本領(lǐng)域技術(shù) 人員來說清楚的，還可以在其他電子產(chǎn)品中采用它。圖3圖示了這樣的存儲器器件的典型 系統(tǒng)框圖。在圖3的示例存儲器器件300中，由被實現(xiàn)為ASIC器件的控制器設(shè)備304來控 制閃存陣列302。接口電路306與控制器304耦接，并且提供與存儲器器件300可以耦接到 的傳統(tǒng)主機(jī)設(shè)備308的連接性。在示例存儲器器件的背景下，控制器304通常由諸如主機(jī)設(shè)備308之類的外部設(shè) 備供電，并且包括諸如圖1和2中所圖示的電源電路，以便調(diào)節(jié)(condition)用于由其電路 使用而提供的電力?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖4，根據(jù)一個實施例，電源電路400包括二者都被提供在ASIC上的線性 調(diào)壓器模塊402 (其需要與具有相對高的電容(在一微法或更大的電容的數(shù)量級)的ASIC 外部的電容器404耦接)以及“無電容”調(diào)壓器模塊406 (其不需要外部電容器，并且利用 非常小的離散去耦電容器或利用ASIC408的電路中固有的電容(在0. 5毫微法到幾毫微法 (nanofarad)電容的數(shù)量級))來實現(xiàn)?，F(xiàn)在可以在不止一種應(yīng)用中使用根據(jù)該概念建立的 ASIC，并且ASIC的開發(fā)成本可以分布在更大的潛在市場上。例如，一個ASIC可以用于建立 與微型SD標(biāo)準(zhǔn)兼容的存儲器器件以及與記憶棒標(biāo)準(zhǔn)兼容的存儲器器件，盡管這種完全不 同的器件將使用不同的電容器布置。根據(jù)電學(xué)設(shè)計的需要，可以采用或不采用外部電容器， 而除了告知控制器ASIC 304之外無需進(jìn)行其他。所謂的“無電容”調(diào)壓器在本領(lǐng)域中是眾所周知的。例如，在Hazucha等人的 Area-Efficient Linear Regulator With Ultra-Fast Load Recognition, IEEEJournal of Solid State Circuits, Vol. 40，No. 4(2005 年 4 月)中詳細(xì)描述了僅使用 0. 6nF 的去 耦電容器的集成線性調(diào)壓器。這樣的電路使用極小的電容一由與調(diào)壓器電路的其余部分一 起被集成在半導(dǎo)體晶片(die)上的離散而低值的電容器提供、或由該電路的固有寄生電容 提供。通常，這些電容的范圍在大約0.5nF至幾nF。在圖5中較詳細(xì)地描繪了線性調(diào)壓器模塊402，其中該線性調(diào)壓器模塊402被圖 示為包括低電力子模塊502(用于提供處于例如待機(jī)模式中的相對低的電力)以及高電力 子模塊504(用于提供處于常規(guī)工作模式中的相對高的電力)。在一個示例實施例中，低電 力子模塊可以提供高至大約5mA的電流，而高電力子模塊可以提供高至大約IOOmA的電流。 通常在某時間選擇一個來使用，或可以一直保持低電力模塊開啟，并且在需要時由高電力 子模塊來補(bǔ)充。在圖6中較詳細(xì)地描繪了無電容調(diào)壓器模塊406，其中該無電容調(diào)壓器模塊406被圖示為包括低電力子模塊602(用于提供處于例如待機(jī)模式中的相對低的電力)以及高電 力子模塊604 (用于提供處于常規(guī)工作模式中的相對高的電力)。在一個示例實施例中，低 電力子模塊可以提供高至大約5mA的電流，而高電力子模塊可以提供高至大約IOOmA的電 流。通常在某時間選擇一個來使用，或可以一直保持低電力模塊開啟，并且在需要時由高電 力子模塊來補(bǔ)充。如果在產(chǎn)品中使用無電容調(diào)壓器，則僅出現(xiàn)毫微法量級的內(nèi)部電容。另一方面，如 果將線性調(diào)壓器配置用于在產(chǎn)品中使用(同時存在外部電容)，則將會出現(xiàn)微法左右的量 級的更大電容。那么，可能的電容值的范圍處于200x或更大的量級。如果未受控制，這意 味著核心電壓(core voltage)的壓擺率(slewrate)將以相同寬度的余量變化。在一種最 糟糕的情況下，電壓可能以毫微秒的量級上升(ramp up)，觸發(fā)可以有效防止控制器上電的 ESD(靜電放電)保護(hù)(鉗位)設(shè)備?；蛘?，在另一最糟糕的情況下，如果爬坡速率(ramp rate)過緩，則可能違反用于產(chǎn)品啟動(wake up)的規(guī)定最小閾值，導(dǎo)致主機(jī)斷定該設(shè)備不 工作。這在一個實施方式中通過默認(rèn)使用無電容調(diào)壓器模塊402的低電力子模塊602(其 避免了 ESD鉗位)來解決，除非被下面所述的各技術(shù)之一推翻(override)。轉(zhuǎn)回到圖4，電源電路400包括控制邏輯410，該控制邏輯410可由被配置來訪問 配置寄存器412的ASIC 304來執(zhí)行。配置寄存器412 (其可以被實施在控制器或閃存陣列 302中)可以存儲如下這樣的信息該信息可用于確定兩個調(diào)壓器模塊之一的上電后初始 選擇。在一個實施方式中，所述配置寄存器可以被配置來禁止外部電容器檢測器414的工 作(下面更詳細(xì)地對其進(jìn)行描述以便更加靈活。由于無電容調(diào)壓器模塊的低電力子模塊在默認(rèn)不存在外部電容器的情況下是穩(wěn) 定的(其以此方式設(shè)計)，因此在上電期間初始自動地選擇其低電力子模塊以將電力提供 給ASIC核。如果然后在上電期間檢測到外部電容，則由于外部電容將會防止調(diào)壓器過快地 爬坡(ramp)，因此使用無電容調(diào)節(jié)模塊的高電力子模塊來加速VDD-core (VDD-核)爬坡速 率也是安全的。為了實現(xiàn)此，將外部電容器檢測器414耦合至節(jié)點416(VDD_COre)，其中所述節(jié)點 416(VDD_core)還耦合至內(nèi)部電容408 (有時稱為寄生電容)以及(可選地)耦合至外部電 容404。理想地，在存在外部電容的情況下，在許多情形下期望強(qiáng)迫該電路利用線性調(diào)壓器 模塊402而不是無電容調(diào)壓器模塊406。通過驗證外部電容器404的存在(或不存在)，外 部電容器檢測器414現(xiàn)在使得這成為可能，由此在某些實施方式中避免了由于ASIC在工廠 的偶然誤配置而引起損壞的可能性(例如，如同通過偶然設(shè)置所述配置寄存器來當(dāng)實際上 不存在(或存在)外部電容器時告知ASIC存在(或不存在)外部電容器)。現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述根據(jù)一個實施方式的外部電容器檢測器414的工作。外部電 容器檢測器414包括脈沖發(fā)生器702、第一和第二鎖存器輸出比較器(704、706)以及用于控 制核調(diào)壓器的爬坡速率的相關(guān)邏輯(708)。上電開始后的事件的序列是1)短暫地生成在線710上的“Discharge』!!”(放電使能)脈沖(在一個實施方式 中，使用大約20 μ s的脈寬)，以便短暫地對VDD_core 712放電(核VDD調(diào)節(jié)電源)。這是 通過導(dǎo)通FET (場效應(yīng)晶體管)714的柵極——其具有將節(jié)點416耦合至地716的效果—— 來實現(xiàn)的。2)如果“LowRef ”比較器706輸出706ο (比較在輸入706a上的VDD_core與在輸入706b上的Discharge』!!)指示VDD_core712電平在短暫放電周期之后仍然高，則其假定 存在具有微法電容的芯片外電容器404(由于短暫放電周期將會使得在小的多的內(nèi)部電容 上的任何電荷放電)。結(jié)果，無電容模塊的高電力模塊和低電力子模塊均被使能用于工作 (HP_en和LP_en被設(shè)置為使能)以加速VDD爬坡速率(由于檢測到電容器的存在，因此這 是安全的)。3)取而代之，如果“LowRef”比較器706輸出706ο指示VDD_core在放電后現(xiàn)在 低，這指示可能缺少外部電容器404(VDD_Core可能已經(jīng)被啟動為低，因此外部電容器仍然 可能或可能不存在)，那么“LP_en”被設(shè)置為使能以便使用無電容調(diào)壓器模塊的低電力子 模塊用于使VDD_core 712電源電平上升。4)接下來，在幾微秒(μ s)后生成‘CharEv-en’ (充電估計脈沖)信號，以再次感 測VDD_core電壓電平。如果‘HighRef，比較器輸出704ο現(xiàn)在指示VDD_core電平為高，那 么這指示由于從低到高的快速爬坡，因而僅存在芯片上電容(即，沒有外部電容)，且因此 在上電期間將僅使能低電力無電容調(diào)壓器模塊。否則，還將使能無電容調(diào)壓器的高電力子 模塊。一旦完成了 ASIC核的上電(即，建立了 VDD_core電壓)，在生產(chǎn)時被存儲在配 置寄存器(其可通過ASIC的控制邏輯——或者在ASIC板上、在閃存陣列上或者另一位置 中一一來訪問)中的配置信息被讀取，并且基于其，ASIC控制邏輯(其可以由可由ASIC中 的控制邏輯所執(zhí)行的固件來實施)選擇期望的調(diào)壓器(線性調(diào)壓器模塊或無電容調(diào)壓器模 塊)用于上電后的工作。然后，所期望的調(diào)壓器開啟(如果尚未開啟)，而另一調(diào)壓器關(guān)閉 (如果其已開啟)?；蛘?，ASIC固件可以基于存在或不存在上述外部電容的在上電期間進(jìn) 行的先前確定，來選擇兩個調(diào)壓器模塊中的一個(或可能兩個)用于在上電后使用。在又 一實施方式中，可以使用在工作期間所感測的條件(例如，電流使用、電池或輸入電力狀態(tài) 等)來選擇“運行(on the fly)”的兩個調(diào)壓器中的一個。圖8-1、8_2和8-3共同構(gòu)成用于圖示根據(jù)一個實施方式的方法800的處理流程 圖。該方法開始于框802。在框806處，在被選擇為足以將任何芯片上電容放電但不足以將更大的可選芯片 外電容(如果存在)放電的短暫時間段期間，在線710上生成放電使能脈沖(圖7)。在框808處，通過線710將放電使能脈沖施加至FET 714的柵極，使得VDD_core 暫時地短路至地716。在判定框810處，檢查LowRef鎖存比較器706的輸出706o(其通過將輸入 706a(VDD_core)和706b (放電使能)進(jìn)行比較來確定)，以查看VDD_core是否被放電。如 果是，則控制轉(zhuǎn)移至框812 ；如果不是，則控制轉(zhuǎn)移至框814。在框814處，得到存在芯片外(大)電容404的結(jié)論。在框816處，使能無電容調(diào)壓器模塊406的低電力602和高電力604子模塊，以便 提供更多的電流，從而加速ASIC的上電。在框818處，ASIC的上電階段完成，控制轉(zhuǎn)移至節(jié)點B。在框812處，仍然不清楚是否存在外部電容404。目前將僅使用無電容調(diào)壓器模塊 406的低電力子模塊602。在框820處，該處理等待一個短時間段。
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在框822處，充電估計脈沖被施加到線704b，被輸入至將其與在輸入線704a上的 VDD_core進(jìn)行比較的HighRef鎖存比較器704。在判定框824處，檢查HighRef比較器704的輸出704ο，以查看其是否指示VDD_ core為高。如果是(其僅在不存在大電容的情況下才可能發(fā)生)，那么控制轉(zhuǎn)移至框826。 否則，控制轉(zhuǎn)移至框828。在框826處，推斷出僅存在芯片外電容408，而不存在芯片外(大的)可選的電容 器 404。在框830處，邏輯框708僅使能無電容調(diào)壓器模塊的低電力子模塊來用于ASIC的 上電階段。在框832處，ASIC上電階段完成，控制轉(zhuǎn)移至節(jié)點B。在框828處，推斷出存在芯片外電容404。在框834處，邏輯框708使能無電容調(diào)壓器模塊406的低電力602和高電力604 子模塊，以用于將ASIC上電。這比單獨的低電力子模塊提供了更多的電流，由此允許更快 速的上電。在框836處，ASIC上電階段完成，控制轉(zhuǎn)移至節(jié)點B。在框838處(從節(jié)點B到達(dá))，在上電之后，ASIC的控制邏輯讀取(多個)配置寄存器。在框840處，基于從(多個)配置寄存器讀取出的信息，來確定上電后階段調(diào)壓器 使用。例如，實際上，這可以是“使用無電容調(diào)壓器模塊”或“使用線性調(diào)壓器模塊”，并且其 可以進(jìn)一步指定是否要初始地使用各自調(diào)壓器模塊的低電力或高電力子模塊，如果期望的 話。在框842處，響應(yīng)于在框840中進(jìn)行的確定，使能適當(dāng)調(diào)壓器模塊(以及可能的子 模塊)用于在上電后階段中使用。在另一實施方式中，也可以修改框838、840和842以便取代允許所述配置寄存器 選擇上電后調(diào)壓器模塊來使用，關(guān)于芯片外電容404的存在或不存在的預(yù)先確定將會產(chǎn)生 該判定，由此在此方面不需要器件的預(yù)配置。于是，現(xiàn)在可以制造單個ASIC器件并且將其用于增加其實用性并降低了總體開 發(fā)和每一部分成本的更廣范圍的產(chǎn)品中。盡管已經(jīng)示出和描述了實施方式和應(yīng)用，但是對于受益于本公開的本領(lǐng)域技術(shù)人 員顯而易見的是，在不脫離此處所述創(chuàng)造性構(gòu)思的情況下，比上述更多的修改都是可能的。 例如，可以在其間提供或選擇另外的調(diào)壓器模塊和/或子模塊。因此，除了所附權(quán)利要求書 的精神之外，本發(fā)明不受到限制。
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權(quán)利要求
一種用于操作電子裝置的方法，該裝置包括ASIC器件；線性調(diào)壓器模塊，其配置為可選地經(jīng)由節(jié)點而耦合至ASIC器件外部的電容器；以及無電容調(diào)壓器模塊，其經(jīng)由所述節(jié)點而耦合至電子產(chǎn)品的內(nèi)部電容，所述無電容調(diào)壓器模塊包括低電力子模塊和高電力子模塊，所述高電力子模塊被配置來提供比所述低電力子模塊更大量的電流，所述方法包含利用所述無電容調(diào)壓器模塊的低電力子模塊經(jīng)由所述節(jié)點初始地將電力施加至所述ASIC器件，以便開始ASIC器件上電；以及檢測外部電容是否被耦合至所述節(jié)點。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含隨后響應(yīng)于檢測到被耦合至所述節(jié)點的ASIC器件外部的電容器，利用無電容調(diào)壓器 模塊的高電力子模塊經(jīng)由所述節(jié)點將電力施加至ASIC器件。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含隨后響應(yīng)于檢測到不存在被耦合至所述節(jié)點的ASIC器件外部的電容器，利用無電容 調(diào)壓器模塊的低電力子模塊經(jīng)由所述節(jié)點將電力施加至ASIC器件。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包含完成所述ASIC器件的上電。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，進(jìn)一步包含完成所述ASIC器件的上電。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包含選擇線性調(diào)壓器模塊或無電容調(diào)壓器模塊中的一個，以在ASIC器件上電之后將電力 提供給ASIC器件。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包含選擇線性調(diào)壓器模塊或無電容調(diào)壓器模塊中的一個，以在ASIC器件上電之后將電力 提供給ASIC器件。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，通過執(zhí)行ASIC器件中的控制邏輯來執(zhí)行所述選擇。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，通過執(zhí)行ASIC器件中的控制邏輯來執(zhí)行所述選擇。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述選擇響應(yīng)于可由ASIC器件訪問的配置寄存器 的存儲狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述選擇響應(yīng)于可由ASIC器件訪問的配置寄存器 的存儲狀態(tài)。
12.一種電子裝置，包含專用半導(dǎo)體芯片(ASIC)器件；線性調(diào)壓器模塊，其配置為可選地經(jīng)由節(jié)點而在工作時耦合至ASIC器件外部的電容器；無電容調(diào)壓器模塊，其經(jīng)由所述節(jié)點而耦合至電子產(chǎn)品的內(nèi)部電容，所述無電容調(diào)壓 器模塊包括低電力子模塊和高電力子模塊，所述高電力子模塊被配置來提供比所述低電力 子模塊更大量的電流；以及控制邏輯，其可由ASIC器件來執(zhí)行，該控制邏輯被配置來檢測可選的外部電容的存 在，并且響應(yīng)于其而被配置來如果檢測到可選的ASIC器件外部的電容器，選擇至少無電 容調(diào)壓器模塊的高電力子模塊以在ASIC的上電階段期間使用。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述控制邏輯被配置來選擇至少無電容調(diào)壓器 模塊的低電力子模塊以在ASIC器件的上電階段期間使用。
14.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述線性調(diào)壓器模塊包括至少第一和第二線性 調(diào)壓器子模塊，所述第一線性調(diào)壓器子模塊被配置來提供高至第一水平的電流，而所述第 二線性調(diào)壓器子模塊被配置來提供高至第二水平的電流。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述第二水平的電流大于所述第一水平的電流。
16.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述裝置初始被配置來在ASIC器件的上電階 段的至少一部分期間，預(yù)先使用無電容調(diào)壓器模塊來用于提供電力以將ASIC器件上電。
17.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述裝置初始被配置來在ASIC器件的上電階 段的至少一部分期間，使用無電容調(diào)壓器模塊的低電力子模塊來用于提供電力以將ASIC 器件上電。
18.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述控制邏輯被配置來至少部分地通過將所述 節(jié)點放電來檢測可選的ASIC器件外部的電容器的存在。
19.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述控制邏輯被配置來至少部分地通過將所述 節(jié)點充電來檢測可選的ASIC器件外部的電容器的存在。
20.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述控制邏輯被配置來至少部分地通過將所述 節(jié)點放電且隨后將所述節(jié)點充電來檢測可選的ASIC器件外部的電容器的存在。
21.如權(quán)利要求12所述的裝置，還包括配置寄存器，其被配置來由ASIC器件來讀取， 該配置寄存器被配置來通過選擇無電容調(diào)壓器模塊和線性調(diào)壓器模塊中的一個以在完成 上電階段后由ASIC器件使用來編程，其中，所述ASIC器件被配置來通過選擇無電容調(diào)壓器 模塊或線性調(diào)壓器模塊中已編程的一個以用于在完成上電階段后使用來響應(yīng)于上述選擇。
22.—種存儲器器件，包含存儲器陣列；接口電路，其被配置來與主機(jī)設(shè)備進(jìn)行通信；控制器，其被耦合以與所述存儲器陣列以及所述接口電路進(jìn)行通信，所述控制器被實 施在ASIC器件上，所述控制器包括線性調(diào)壓器模塊，其被配置來可選地經(jīng)由節(jié)點而在工作時耦合至ASIC器件外部的電 容器；無電容調(diào)壓器模塊，其經(jīng)由所述節(jié)點而被耦合至電子產(chǎn)品的內(nèi)部電容，所述無電容調(diào) 壓器模塊包括低電力子模塊和高電力子模塊，所述高電力子模塊被配置來提供比所述低電 力子模塊更大量的電流；以及控制邏輯，其可由ASIC器件來執(zhí)行，該控制邏輯被配置來檢測可選的ASIC器件外部 的電容器的存在，并且響應(yīng)于其被配置來如果檢測到可選的ASIC器件外部的電容器，則 選擇至少無電容調(diào)壓器模塊的高電力子模塊以在ASIC器件的上電階段期間使用。
23.如權(quán)利要求22所述的存儲器器件，其中，所述存儲器器件初始被配置來在ASIC 器件的上電階段的至少一部分期間，預(yù)先使用無電容調(diào)壓器模塊來用于提供電力以將ASIC 器件上電。
24.如權(quán)利要求22所述的存儲器器件，其中，所述存儲器器件初始被配置來在ASIC 器件的上電階段的至少一部分期間，使用無電容調(diào)壓器模塊的低電力子模塊來用于提供電力以將ASIC器件上電。
25.如權(quán)利要求22所述的存儲器器件，其中，所述控制邏輯被配置來至少部分地通過 將所述節(jié)點放電來檢測可選的ASIC器件外部的電容器的存在。
26.如權(quán)利要求22所述的存儲器器件，其中，所述控制邏輯被配置來至少部分地通過 將所述節(jié)點充電來檢測可選的ASIC器件外部的電容器的存在。
27.如權(quán)利要求22所述的存儲器器件，還包括配置寄存器，其被配置來由ASIC器件來讀取，該配置寄存器被配置來通過選擇無電 容調(diào)壓器模塊和線性調(diào)壓器模塊中的一個以在完成上電階段后由ASIC器件使用來編程， 其中，所述ASIC器件被配置來通過選擇無電容調(diào)壓器模塊或線性調(diào)壓器模塊中已編程的 一個以用于在完成上電階段后使用來響應(yīng)上述選擇。全文摘要
電子產(chǎn)品具有專用半導(dǎo)體電路(ASIC)，所述ASIC在其電路中包括用于與可選外部電容一起使用的線性調(diào)壓器模塊，以及耦合至該產(chǎn)品的內(nèi)部電容的無電容調(diào)壓器模塊。一種操作電子產(chǎn)品的方法選擇無電容調(diào)壓器模塊的低電力子模塊或高電力子模塊以用于在ASIC的上電階段中使用。ASIC的控制邏輯確定是否存在外部電容。如果存在，則在ASIC的上電階段期間使用高電力無電容子模塊；如果不存在，則在ASIC的上電階段期間僅使用低電力無電容子模塊。在ASIC的上電后，控制邏輯可以針對特定工作時間選擇線性調(diào)壓器模塊且針對其它工作時間選擇無電容調(diào)壓器模塊，或者其可以針對上電后工作的所有時間而選擇一個或者另一個。
文檔編號G06F1/26GK101919145SQ200880122146
公開日2010年12月15日 申請日期2008年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月21日
發(fā)明者丹尼爾·P·古延, 史蒂夫·X·奇, ?？死贰·比延, 文森特·A·康迪托, 王永亮, 賴珀莘 申請人:桑迪士克公司