專(zhuān)利名稱(chēng)：利用可制造性模型的魯棒設(shè)計(jì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路(芯片)的設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)：
在集成電路(IC)的制造設(shè)計(jì)(DFM)中，為設(shè)計(jì)人員提供來(lái)自晶片制造的信息，以 便改善產(chǎn)品的最后產(chǎn)率。然而，制造過(guò)程中的變化使得幾乎不可能為設(shè)計(jì)人員提供任何有 用信息以預(yù)測(cè)這些變化。因此，需要一種方法和系統(tǒng)來(lái)跟蹤對(duì)晶片之間、工廠(fab)之間的 過(guò)程變化的靈敏度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明包括利用可制造性模型的魯棒設(shè)計(jì)。可以在集成電路設(shè)計(jì)中提供一種方 法、系統(tǒng)和/或計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)，以跟蹤對(duì)晶片之間和/或工廠之間的過(guò)程變化的靈敏度， 以便輔助設(shè)計(jì)人員預(yù)測(cè)這些變化，從而改善產(chǎn)品的最終產(chǎn)率。 —個(gè)實(shí)施例包括識(shí)別一個(gè)或多個(gè)表征集成電路特征尺度的變化的模型，所述變化 是由于一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程和一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段(section)上的設(shè)計(jì)圖案 或特征之間的相互作用造成的。可以組合來(lái)自多個(gè)模型的被表征變化，以產(chǎn)生設(shè)計(jì)的一個(gè) 或多個(gè)幾何參數(shù)中變化數(shù)據(jù)的條件分布、范圍或統(tǒng)計(jì)度量。 在其它實(shí)施例中，制造過(guò)程可以代表單個(gè)制造設(shè)施之內(nèi)或來(lái)自多個(gè)制造設(shè)施的一 個(gè)或多個(gè)處理工具或流程。制造過(guò)程可以包括半導(dǎo)體器件的制作中使用的化學(xué)機(jī)械拋光、 蝕刻、光刻、沉積、注入或電鍍過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)模型。在其它實(shí)施例中，可以針對(duì)如下一項(xiàng) 或多項(xiàng)表征所述變化由于設(shè)計(jì)圖案與制造過(guò)程的相互作用導(dǎo)致的單個(gè)芯片內(nèi)的變化、晶 片級(jí)或管芯間的變化、對(duì)于單個(gè)工具或流程而言的晶片之間的變化、對(duì)于工具或流程特定 的變化測(cè)量值或?qū)τ谥圃煸O(shè)施特定的變化測(cè)量值。在其它實(shí)施例中，靈敏度可以是利用一 個(gè)或多個(gè)分布對(duì)模型表征的變化或被表征變化的統(tǒng)計(jì)特征的給定設(shè)計(jì)或塊的評(píng)估，所述變 化例如是范圍、最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)偏差或平均值。在其它實(shí)施例中，表征給定集成電路設(shè) 計(jì)的多個(gè)變體并可以比較它們的靈敏度，可以確定魯棒性水平或可以將結(jié)果用作計(jì)分過(guò)程 的一部分。 可以使用一些實(shí)施例來(lái)選擇一種設(shè)計(jì)變體而不是另一種，或者對(duì)集成電路設(shè)計(jì)建 議其它修改?？梢圆糠值厥褂靡恍?shí)施例來(lái)為設(shè)計(jì)的幾何參數(shù)表征電氣影響，包括電阻、電 容或電感的計(jì)算。可以使用一些實(shí)施例來(lái)確定布線期間的線路形狀或位置，確定設(shè)計(jì)中的 偽填充(dummy fill)的形狀和位置，產(chǎn)生設(shè)計(jì)規(guī)則，設(shè)計(jì)規(guī)則的違反(violation)，預(yù) 或 評(píng)估與包含該區(qū)段的任何設(shè)計(jì)相關(guān)聯(lián)的產(chǎn)率，為基于圖案的熱點(diǎn)匹配產(chǎn)生布局圖案，模擬變化的電氣影響，計(jì)算統(tǒng)計(jì)定時(shí)值，為RC提取生成或修改角部情況(corner case)，為該區(qū) 段的任何部分計(jì)算電阻、電容或電感，評(píng)估該區(qū)段對(duì)環(huán)境的靈敏度，修改該區(qū)段中包含的布 局的任何部分，減小該區(qū)段或該區(qū)段之內(nèi)的布局的任何部分對(duì)環(huán)境的靈敏度，評(píng)估設(shè)計(jì)的 一個(gè)或多個(gè)級(jí)，生成偽填充形狀和圖案，評(píng)價(jià)環(huán)境對(duì)包括定時(shí)分析、功率和信號(hào)完整性的區(qū) 段的電氣影響作為統(tǒng)計(jì)定時(shí)分析的一部分，選擇內(nèi)嵌的第三方IP，評(píng)價(jià)內(nèi)嵌的第三方IP， 進(jìn)行物理核對(duì)作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一部分，生成設(shè)計(jì)的布線或作為設(shè)計(jì)的布線后優(yōu)化的一部 分，或?qū)﹄娮釉O(shè)計(jì)過(guò)程的任何階段期間的區(qū)段進(jìn)行評(píng)估。 另一個(gè)實(shí)施例包括識(shí)別一個(gè)或多個(gè)表征集成電路特征尺度的變化的模型，所述變 化是由于一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程和一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征之 間的相互作用造成的?？梢蕴峁┚哂性O(shè)計(jì)的區(qū)段和一個(gè)或多個(gè)模型的語(yǔ)境(context)或環(huán) 境，以模擬區(qū)段和環(huán)境之間的相互作用?？梢詫?duì)計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)中模擬相互作用的結(jié)果進(jìn) 行存儲(chǔ)?？梢越M合來(lái)自多個(gè)模型的被表征變化，以產(chǎn)生設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)幾何參數(shù)中變化 數(shù)據(jù)的條件分布或統(tǒng)計(jì)度量，所述變化數(shù)據(jù)例如是最大值、最小值、平均值、范圍或標(biāo)準(zhǔn)偏 差值。 在一些實(shí)施例中，設(shè)計(jì)的該區(qū)段包括設(shè)計(jì)的單元、宏或塊。在一些實(shí)施例中，可以 在計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)中存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)或設(shè)計(jì)的區(qū)段或塊的變化和幾何描述，使用數(shù)據(jù) 挖掘方法或統(tǒng)計(jì)方法來(lái)檢索和計(jì)算諸如特征厚度或?qū)挾鹊鹊囊粋€(gè)或多個(gè)幾何參數(shù)的諸如 最大值、最小值或平均值等的統(tǒng)計(jì)信息。 可以使用一些實(shí)施例來(lái)模擬多個(gè)變化源的影響并確定設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)的區(qū)段或塊或一 組設(shè)計(jì)變體或?qū)ψ兓男薷牡聂敯粜??？梢圆糠质褂靡恍?shí)施例來(lái)選擇一種設(shè)計(jì)、塊設(shè)計(jì) 變體或修改而不是另一種。 一些實(shí)施例可以 另一個(gè)實(shí)施例包括使用一個(gè)或多個(gè)模型，所述模型表征因一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程之 間的相互作用造成的集成電路特征尺度的變化?？梢允褂靡粋€(gè)或多個(gè)語(yǔ)境環(huán)境表征一個(gè)或 多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征。表征可以檢驗(yàn)(examine)設(shè)計(jì)的一個(gè)或多 個(gè)級(jí)?？梢栽诙x、增加、移動(dòng)或修改形狀時(shí)使用表征來(lái)評(píng)價(jià)設(shè)計(jì)。 在一些實(shí)施例中，制造過(guò)程包括制作半導(dǎo)體器件中使用的化學(xué)機(jī)械拋光、蝕刻、光 刻、沉積、注入或電鍍過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)模型。在其它實(shí)施例中，針對(duì)如下一項(xiàng)或多項(xiàng)表征 所述變化由于設(shè)計(jì)圖案與制造過(guò)程的相互作用導(dǎo)致的單個(gè)芯片內(nèi)的變化、晶片級(jí)或管芯 間的變化、對(duì)于單個(gè)工具或流程而言的晶片間的變化、對(duì)于工具或流程特定的變化測(cè)量值 或?qū)τ谥圃煸O(shè)施特定的變化測(cè)量值。 可以使用一些實(shí)施例來(lái)確定設(shè)計(jì)規(guī)則的違反，修改設(shè)計(jì)規(guī)則或使設(shè)計(jì)規(guī)則更為嚴(yán) 格，確定布線期間的線形狀或位置，確定設(shè)計(jì)內(nèi)的偽填充的形狀和位置，預(yù)測(cè)或評(píng)估與包含 該部分的任何設(shè)計(jì)相關(guān)聯(lián)的產(chǎn)率，確定熱點(diǎn)的違反，模擬變化的電氣影響，計(jì)算統(tǒng)計(jì)定時(shí) 值，為RC提取生成或修改角部情況，為該區(qū)段的任何部分計(jì)算電阻、電容或電感，評(píng)估該區(qū) 段對(duì)環(huán)境的靈敏度，修改該區(qū)段中包含的布局的任何部分，減小該區(qū)段或該區(qū)段內(nèi)的布局 的任何部分對(duì)環(huán)境的靈敏度，評(píng)估設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)級(jí)，評(píng)價(jià)環(huán)境對(duì)包括定時(shí)、功率和信號(hào) 完整性分析的區(qū)段的電氣影響作為統(tǒng)計(jì)定時(shí)分析的一部分，選擇內(nèi)嵌的第三方IP，評(píng)價(jià)內(nèi) 嵌的第三方IP，進(jìn)行物理核對(duì)作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一部分，生成設(shè)計(jì)的布線或作為設(shè)計(jì)的布線 后優(yōu)化的一部分，或評(píng)估電子設(shè)計(jì)過(guò)程的任何階段期間的區(qū)段。
7
在其它實(shí)施例中，可以產(chǎn)生模型以預(yù)測(cè)電子設(shè)計(jì)中的幾何形狀。可以通過(guò)組合因 制造過(guò)程與如下一項(xiàng)或多項(xiàng)的圖案相互作用所導(dǎo)致的變化來(lái)產(chǎn)生模型管芯間的變化、工 具間的變化、晶片間的變化、工廠間的變化。在一些實(shí)施例中，可以在計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)中存 儲(chǔ)模型或來(lái)自模型的預(yù)測(cè)。其它實(shí)施例可以包括使用模型來(lái)估計(jì)變化對(duì)電子設(shè)計(jì)的物理或 電氣性質(zhì)的影響，或者如果還與裝置性質(zhì)結(jié)合，估計(jì)對(duì)電子裝置的物理或電氣性質(zhì)的影響。


圖1A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片。 圖IB圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的作為晶片位置和厚度的函數(shù)的管芯之間的關(guān) 系。 圖1C示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處于沿晶片直徑的三個(gè)位置，即邊緣、中點(diǎn)和中 心位置處的管芯的側(cè)視圖。 圖ID圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的對(duì)于晶片上管芯而言晶片位置和厚度之間 的關(guān)系。 圖2A圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)于給定芯片布局而言銅耗和銅密度之間的關(guān) 系。 圖2B圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的特征寬度和厚度之間的關(guān)系。 圖3A-D示出了利用根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的模型計(jì)算參數(shù)靈敏度的范例方式。 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于設(shè)計(jì)決策A和B的另一方式。 圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的兩種設(shè)計(jì)決策A和B的評(píng)價(jià)。 圖6示出了利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)模型檢驗(yàn)新設(shè)計(jì)的單元、塊或總
體設(shè)計(jì)的方式。 圖7A-B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的產(chǎn)生模型預(yù)測(cè)并確定魯棒性的方式。
圖8A-B示出了根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的判斷靈敏度的一種方式。
圖9示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于模擬可制造性變化的分布的方式。
圖10A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使用情形的范例。 圖IOB示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例利用額外的模型來(lái)計(jì)算所制造特征中得到的二 維或三維變化。 圖11示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種方式，用于針對(duì)芯片上給定的空間位置組 合確定性預(yù)測(cè)并隨后使用在空間上無(wú)變化或大致在空間上無(wú)變化的制造變化分布。
圖12示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的過(guò)程流程，該過(guò)程用于在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施 例的設(shè)計(jì)工具內(nèi)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。 圖13示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的可以在其上實(shí)施用于魯棒設(shè)計(jì)的方法的計(jì)算機(jī) 化系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式
通常，設(shè)計(jì)人員或設(shè)計(jì)工具將指定期望的特征，例如布局之內(nèi)的線或柵極的尺度。 可以采用一系列制造過(guò)程來(lái)嘗試和再現(xiàn)期望的尺度。然而，由于靠近其它特征或圖案導(dǎo)致 的變化可能會(huì)造成芯片內(nèi)的變化，其中，由于相鄰結(jié)構(gòu)的原因，布局中指定的相同預(yù)期特征將被制造得具有不同尺度。類(lèi)似地，根據(jù)管芯在晶片上的位置，同一芯片設(shè)計(jì)內(nèi)的相同特征可能會(huì)得到不同的再現(xiàn)。對(duì)于CMP和蝕刻而言，通常能觀察到徑向的影響，其中，沿給定半徑的管芯具有類(lèi)似的管芯級(jí)制造效果。 當(dāng)過(guò)程隨著時(shí)間轉(zhuǎn)換時(shí)，可能會(huì)造成額外的變化。如果對(duì)來(lái)自較長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)制造的晶片的所有管芯測(cè)量并繪制管芯或芯片內(nèi)的給定位置的厚度，該厚度將呈現(xiàn)出變化。這樣一來(lái)，設(shè)計(jì)人員指定的每種形狀或特征在該形狀或特征被制造時(shí)都會(huì)造成一種分布。
形狀和特征的變化還將導(dǎo)致電氣性能的分布。如果形狀或特征的變化性或分布是已知的，則設(shè)計(jì)人員可以選擇對(duì)變化更有抵抗力或呈現(xiàn)出將不會(huì)導(dǎo)致不期望影響的分布的形狀或特征。 可以測(cè)量制造后的變化性數(shù)據(jù)并記錄在數(shù)據(jù)庫(kù)中。然而，在很多情況下，為了生成統(tǒng)計(jì)學(xué)相關(guān)的樣本，進(jìn)行測(cè)量可能成本太昂貴或費(fèi)時(shí)。可以創(chuàng)建模型來(lái)預(yù)測(cè)制造后的變化性，并可以將模型的輸出存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)中。在一些情況下，數(shù)據(jù)的量將很多，因而，可以使用數(shù)據(jù)挖掘方法來(lái)提取關(guān)于一種或多種變量的變化性的統(tǒng)計(jì)學(xué)相關(guān)信息。 一個(gè)范例是對(duì)晶片上的中心和邊緣管芯而言的作為線寬函數(shù)的互連線厚度。線的厚度可能受到周?chē)鷪D案密度、用于生成互連的蝕刻、沉積、電鍍和CMP工藝以及影響晶片級(jí)變化的諸如工具頭中的CMP區(qū)域壓力控制等的工具設(shè)置的影響。 —旦使用模型對(duì)被分成個(gè)體分布的預(yù)測(cè)進(jìn)行計(jì)算，就可以使用應(yīng)用概率方法來(lái)組合分布并提取相關(guān)的統(tǒng)計(jì)測(cè)度值，例如標(biāo)準(zhǔn)偏差、范圍、平均值或方差。例如，如果要在兩個(gè)工廠A和B都制造特定的設(shè)計(jì)并且在設(shè)計(jì)過(guò)程中需要考慮兩個(gè)工廠的變化性，就可能需要對(duì)利用來(lái)自工廠A的模型預(yù)測(cè)的厚度分布和利用來(lái)自工廠B的模型預(yù)測(cè)的另一厚度分布進(jìn)行組合。在該范例中，假設(shè)分布是獨(dú)立的，可以通過(guò)對(duì)兩個(gè)厚度分布進(jìn)行巻積來(lái)形成工廠A和工廠B的組合厚度分布。通常，例如，通過(guò)對(duì)個(gè)體概率密度或概率質(zhì)量函數(shù)進(jìn)行巻積來(lái)完成工廠之間的表示獨(dú)立隨機(jī)變量之和的分布的組合。 在應(yīng)用概率論理論中描述了處理分布的適當(dāng)?shù)膸喎e方法和其它的適用方法的范例，例如在如下文獻(xiàn)中所公開(kāi)的Alyin Drake, "Fundamentals ofApplied ProbabilityTheory",McGraw-hill，Classic Textbook Series, 1967年首次出版，1988重新發(fā)行。可以使用另外的數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)來(lái)從通過(guò)預(yù)測(cè)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)中提取關(guān)系。這些方法可以包括歸納邏輯程序設(shè)計(jì)、貝葉斯方法、動(dòng)態(tài)程序設(shè)計(jì)和利用主要成分分析、部分最小二乘法或最近鄰域的聚類(lèi)方法(clustering method)。可以在Usama Fayyad等人的"Advancesin KnowledgeDiscovery and Data Mining", MIT Press, 1996中找到對(duì)這些方法的一般介紹。
圖IA示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例100的晶片。晶片110包括多個(gè)管芯120、130和140。邊緣管芯120和140位于晶片的邊緣附近，中心管芯130位于晶片的中心附近。晶片的厚度并非在整個(gè)晶片上都是相等的。描述了兩種變化。有芯片內(nèi)變化和芯片間變化。CMP造成的晶片級(jí)厚度變化通常是徑向的。具體而言，邊緣管芯具有類(lèi)似的晶片級(jí)特性，而中心管芯具有不同的晶片級(jí)特性?？梢酝ㄟ^(guò)繪制如圖IB所示的厚度來(lái)表現(xiàn)這一點(diǎn)。
圖IB圖示了在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中作為晶片位置和厚度函數(shù)的管芯之間的關(guān)系。在一個(gè)實(shí)施例中，晶片的中心比邊緣厚150。在另一個(gè)實(shí)施例中，邊緣比晶片中心厚160。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以通過(guò)與給定徑向距離相交的管芯數(shù)量對(duì)晶片級(jí)變化加權(quán)。
圖1C示出了處于沿晶片直徑的三個(gè)位置，即邊緣、中點(diǎn)和中心位置處的管芯的側(cè)視圖。在每個(gè)管芯內(nèi)的點(diǎn)A和點(diǎn)B進(jìn)行厚度測(cè)量。在一個(gè)實(shí)施例中，點(diǎn)A處的測(cè)量值比點(diǎn)B處薄。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以在一個(gè)(邊緣)或多個(gè)管芯位置測(cè)量管芯。進(jìn)行厚度測(cè)量是為了對(duì)晶片上的管芯進(jìn)行抽樣。在另一個(gè)實(shí)施例中，為了預(yù)測(cè)不同批次中的一個(gè)或多個(gè)管芯的厚度，針對(duì)很多不同晶片和不同批次獲取厚度。在另一個(gè)實(shí)施例中，設(shè)計(jì)可以由兩個(gè)制造源代工，這樣一來(lái)，從不同工廠獲取測(cè)量值。 圖ID圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的對(duì)于晶片上管芯而言的晶片位置和厚度之間的關(guān)系。如果在管芯位置點(diǎn)A和點(diǎn)B獲得測(cè)量值T，則測(cè)量值將形成一種分布。 一個(gè)實(shí)施例包括在點(diǎn)A和B處的一個(gè)或多個(gè)如下測(cè)量值多個(gè)管芯、晶片之間、批次之間以及工廠之間?？梢詫⒎植紙D示為柱狀圖，可以計(jì)算各種統(tǒng)計(jì)度量，例如平均值T、最大值T、最小值T、方差T、 T的范圍或T的標(biāo)準(zhǔn)偏差。 一個(gè)實(shí)施例包括作為管芯位置、批次號(hào)或工廠的函數(shù)的條件分布。 一個(gè)實(shí)施例使用各徑向位置上的管芯分布知識(shí)來(lái)估計(jì)全晶片級(jí)變化分布。 一個(gè)實(shí)施例使用一個(gè)或多個(gè)分布來(lái)估計(jì)功能或參數(shù)產(chǎn)率。 在一些情況下，大量的測(cè)量可能經(jīng)濟(jì)上不可行，可以從上述測(cè)量值的子集生成模型。在本實(shí)施例中，模型可以是純粹經(jīng)驗(yàn)的或可以是物理或化學(xué)過(guò)程的數(shù)學(xué)表達(dá)。不論哪種狀況，都可以使用數(shù)據(jù)來(lái)校準(zhǔn)或修改模型以更好地估計(jì)諸如變量T的幾何特征。 一個(gè)實(shí)施例使用測(cè)量數(shù)據(jù)和基于模型的計(jì)算的組合來(lái)針對(duì)給定管芯級(jí)圖案或芯片設(shè)計(jì)生成圖1D中所述的分布。 因此，知道了一個(gè)點(diǎn)在晶片半徑上位置，就可以預(yù)測(cè)厚度以及對(duì)產(chǎn)率帶來(lái)最佳影
響所需的芯片設(shè)計(jì)變化。在另一個(gè)實(shí)施例中，利用等離子體蝕刻的徑向特性預(yù)測(cè)諸如側(cè)壁
角度和溝槽深度等也具有局部和全局/徑向圖案相關(guān)性的特征。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以
將這種信息用于物理定時(shí)分析。在另一實(shí)施例中，記錄并關(guān)聯(lián)不同晶片上的點(diǎn)。 可以繪制作為幾何特征(例如線寬度、密度)函數(shù)的物理(例如厚度)或電氣(例
如延遲)參數(shù)的分布?？梢詫?shù)據(jù)作為一個(gè)或多個(gè)模型，例如工廠A或工廠B或管芯位置
的函數(shù)加以匯編。圖2A圖示了對(duì)于給定芯片布局而言銅耗和銅密度之間的關(guān)系。 圖2B圖示了特征寬度和厚度之間的關(guān)系。在一個(gè)實(shí)施例中，針對(duì)幾何性質(zhì)(例如
線網(wǎng)密度或?qū)挾?獲取模型產(chǎn)生的變化性參數(shù)(例如厚度、寬度)的柱狀圖。給定特征在
特定幾何性質(zhì)方面的分布可以用于人工或自動(dòng)研究和修改布局。在另一個(gè)實(shí)施例中，使用
來(lái)自散點(diǎn)圖的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，例如范圍和平均值，來(lái)檢驗(yàn)變量對(duì)給定幾何性質(zhì)的敏感性?？梢允?br> 用算法來(lái)確定作為一組幾何設(shè)計(jì)特征選項(xiàng)的函數(shù)的給定參數(shù)，例如厚度或?qū)挾鹊淖钚》讲?br> 或范圍?？梢杂稍O(shè)計(jì)人員更改這些參數(shù)，以改善功能或參數(shù)輸出產(chǎn)率。 圖3A-D示出了利用模型計(jì)算參數(shù)靈敏度的范例方法。在圖3A中，使用一個(gè)或多
個(gè)模型來(lái)為(1)中一種或多種設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)布局級(jí)生成制造后特征預(yù)測(cè)。在(2)中，
生成數(shù)據(jù)模型以將布局的空間位置、幾何特征和模型預(yù)測(cè)的因制造導(dǎo)致的幾何變化性關(guān)聯(lián)
起來(lái)。數(shù)據(jù)模型存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)庫(kù)中。在圖3B中，針對(duì)具體的布局幾何性質(zhì)匯編模型預(yù)測(cè)的感 興趣參數(shù)，例如厚度?？梢跃幹迫萜?bin)，從而將數(shù)據(jù)分組成柱狀圖，并可以使用特征的
規(guī)則性，例如固定的線寬值。應(yīng)用統(tǒng)計(jì)度量，從而可以檢驗(yàn)給定線寬和密度的厚度數(shù)據(jù)的平
均值、標(biāo)準(zhǔn)偏差、樣本計(jì)數(shù)或范圍之間的關(guān)系?？梢杂每梢暦绞浇o出或以數(shù)值方式表達(dá)這
些關(guān)系的檢驗(yàn)。跟蹤樣本計(jì)數(shù)可能有助于確保提供足夠數(shù)量的樣本，以確保統(tǒng)計(jì)相關(guān)的分
析。在一個(gè)實(shí)施例中，可以跟蹤這種關(guān)系并用于建議要采集的其 數(shù)據(jù)。在圖3C中，設(shè)計(jì)工程師審察作為特定幾何特征的函數(shù)的統(tǒng)計(jì)關(guān)系，以在設(shè)計(jì)決策或修改中提供指導(dǎo)。在圖3D中，制造工程師審察作為特定幾何特征的函數(shù)的統(tǒng)計(jì)關(guān)系，以提供與過(guò)程或工具配方(toolrecipe)和設(shè)置相關(guān)的制造決策或修改方面的指導(dǎo)。 在一個(gè)實(shí)施例中，知道一個(gè)設(shè)計(jì)選擇是否比另一個(gè)設(shè)計(jì)選擇對(duì)變化而言更為魯棒可能是有幫助的。在一些情況下，可能影響給定設(shè)計(jì)選擇的潛在變量的數(shù)量相當(dāng)大；可以采用容納統(tǒng)計(jì)相關(guān)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)庫(kù)。在圖4中示出了這個(gè)范例，其中示出了設(shè)計(jì)決策A和B的布局圖。在實(shí)踐中，差異可能是兩個(gè)不同線寬、線間距、偽填充方法、單元變體、諸如有無(wú)彎折(jog)等的布線決策的結(jié)果。差異也可以是符合更保守的規(guī)則集(ruledeck)以及符合更寬松的規(guī)則集的一個(gè)單元、框或更大設(shè)計(jì)區(qū)段。 計(jì)算或提取布局的特定幾何描述以生成適當(dāng)表達(dá)。使用這種幾何表達(dá)從預(yù)先計(jì)算
的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)庫(kù)提取相關(guān)數(shù)據(jù)。例如，對(duì)于給定的布線設(shè)計(jì)而言，決策A可以是X1的線寬
以及X 2的間距，設(shè)計(jì)決策B可以是Z1的線寬以及Z2的間距。數(shù)據(jù)庫(kù)包含用于從一個(gè)或多
個(gè)設(shè)計(jì)匯編的線寬和間距值的制造變化性數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)庫(kù)還可以包括針對(duì)一個(gè)或多個(gè)管芯位
置、一個(gè)或多個(gè)工廠、一個(gè)或多個(gè)晶片批次的值或?qū)﹄S機(jī)工廠數(shù)據(jù)的抽樣。 可以使用數(shù)據(jù)挖掘或統(tǒng)計(jì)學(xué)方法來(lái)匯編適當(dāng)?shù)姆植迹绮捎闷骄稻又小w一
化、分布的巻積或形成復(fù)合條件概率函數(shù)。可以利用諸如平均值、方差、標(biāo)準(zhǔn)偏差或范圍的
統(tǒng)計(jì)度量提供或概括原始分布。將用于兩種設(shè)計(jì)決策的相關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)用于分析和比較。盡
管在給定設(shè)計(jì)和特定過(guò)程需要高水平精確度時(shí)模型可能是有用的，但所需的計(jì)算時(shí)間可能
很長(zhǎng)。 一個(gè)實(shí)施例使用數(shù)據(jù)挖掘方法來(lái)提供快速的統(tǒng)計(jì)相關(guān)分析并可能將這種分析與可制
造性規(guī)則結(jié)合起來(lái)。 在一個(gè)實(shí)施例中，使用數(shù)據(jù)來(lái)確定決策A與B對(duì)變化性的相對(duì)靈敏度關(guān)系，所述變化性例如是因?yàn)镃MP造成的線厚度變化、由于蝕刻或光刻造成的線或門(mén)寬度變化、一個(gè)工廠造成的來(lái)自CMP的厚度變化、多個(gè)工廠造成的來(lái)自CMP的厚度變化、兩個(gè)不同工廠的CMP工藝流程的中心和邊緣管芯的厚度變化?？梢詸z驗(yàn)相對(duì)靈敏度并用于選擇更魯棒的設(shè)計(jì)?？梢缘夭捎脠D4中所示的計(jì)算流程來(lái)檢驗(yàn)多種設(shè)計(jì)決策，決定設(shè)計(jì)，例如布線或庫(kù)的表征。 圖5中示出了另一個(gè)實(shí)施例，其中評(píng)價(jià)了兩種設(shè)計(jì)決策A和B。在本實(shí)施例中，使
用一種或多種模型來(lái)產(chǎn)生對(duì)作為設(shè)計(jì)決策A和B的函數(shù)的變化性的預(yù)測(cè)?？梢詫⒛Ｐ皖A(yù)測(cè)
的數(shù)據(jù)與來(lái)自數(shù)據(jù)庫(kù)的相關(guān)數(shù)據(jù)組合，或獨(dú)立使用其生成用于分析的數(shù)據(jù)的分布?？梢允?br> 用數(shù)據(jù)挖掘或統(tǒng)計(jì)學(xué)方法來(lái)匯編適當(dāng)?shù)姆植迹绮捎闷骄稻又?、歸一化、分布的巻積或
形成復(fù)合條件概率函數(shù)?？梢岳弥T如平均值、方差、標(biāo)準(zhǔn)偏差或范圍等的統(tǒng)計(jì)度量來(lái)提供
或概括原始分布?？梢詫⒂糜趦煞N設(shè)計(jì)決策的相關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)用于分析和比較。在一個(gè)實(shí)施
例中，使用數(shù)據(jù)來(lái)確定決策A與B對(duì)變化性的相對(duì)靈敏度關(guān)系，所述變化性例如是由CMP造
成的線厚度變化、由蝕刻或光刻造成的線或柵極寬度變化、一個(gè)工廠造成的來(lái)自CMP的厚
度變化、多個(gè)工廠造成的來(lái)自CMP的厚度變化、兩個(gè)不同工廠的CMP工藝流程的中心和邊緣
管芯的厚度變化?？梢詸z驗(yàn)相對(duì)靈敏度并用于選擇更魯棒的設(shè)計(jì)。可以迭代地使用圖5中
所示的計(jì)算流程來(lái)檢驗(yàn)多種設(shè)計(jì)決策，決定設(shè)計(jì)，例如布線或庫(kù)的表征。 在圖6所示的實(shí)施例中，利用一種或多種模型來(lái)檢驗(yàn)新設(shè)計(jì)的單元、框或整體設(shè)
計(jì)，所述模型可以包括全范圍的制造變化性，例如芯片內(nèi)圖案相關(guān)性、管芯間晶片級(jí)變化性、晶片間變化性和/或隨機(jī)變化性。這些模型可以包括由于蝕刻或CMP處理導(dǎo)致的厚度變 化性、由于蝕刻或光刻處理導(dǎo)致的寬度變化性、由于離子注入光刻導(dǎo)致的閾值電壓變化性、 沉積或STI CMP變化性?？梢岳肦C提取和定時(shí)分析將物理特征變化性轉(zhuǎn)換成電氣變化 性?？赡苄枰ㄟ^(guò)組合分布來(lái)匯編相關(guān)數(shù)據(jù)，從而可產(chǎn)生作為芯片內(nèi)、管芯間給定線寬和密 度以及隨機(jī)變化性的函數(shù)的例如厚度等的變化性度量。在一些情況下，給定多個(gè)分布，可以 計(jì)算條件概率。另一個(gè)實(shí)施例可以利用數(shù)據(jù)庫(kù)中存儲(chǔ)的先前計(jì)算的數(shù)據(jù)，其中，從數(shù)據(jù)庫(kù)中 挖掘類(lèi)似的幾何特征，以補(bǔ)充或替換圖示方框中明示的模型產(chǎn)生的預(yù)測(cè)。通常，模型將提供 針對(duì)具體設(shè)計(jì)調(diào)節(jié)的更精確模擬，但在實(shí)踐中通過(guò)很多模型進(jìn)行計(jì)算可能在計(jì)算方面是昂 貴的。 在圖7A所示的實(shí)施例中，可以修改單元、框或整體設(shè)計(jì)并用于產(chǎn)生作為原始設(shè)計(jì) 與修改設(shè)計(jì)的函數(shù)的模型預(yù)測(cè)。使用所得的變化性信息來(lái)確定設(shè)計(jì)修改對(duì)制造變化性的靈 敏度。修改可以簡(jiǎn)單到是一個(gè)或多個(gè)線寬、邊緣和間隔、偽填充密度、空間設(shè)置、線的長(zhǎng)度或 寬度(形狀)、線彎折、觸點(diǎn)、通孔、柵極等的擾動(dòng)?？梢酝ㄟ^(guò)現(xiàn)有技術(shù)的模型預(yù)測(cè)來(lái)確定或 通過(guò)規(guī)則或表格來(lái)預(yù)先確定擾動(dòng)。獨(dú)立使用或結(jié)合相關(guān)信息的數(shù)據(jù)庫(kù)來(lái)使用模型，以計(jì)算 模型預(yù)測(cè)變化相對(duì)于設(shè)計(jì)變化的分布。范例可以是兩個(gè)不同的如圖所示的線寬和間隔
圖7B中所示的實(shí)施例使用這種方式來(lái)確定電氣性能方面的魯棒性。該流程類(lèi)似 于圖7A中所示的流程，不過(guò)，使用物理分布直接修改提取工具技術(shù)文件中的幾何性質(zhì)，或 獨(dú)立提供物理分布，并在提取工具內(nèi)修改相關(guān)幾何性質(zhì)?？梢允褂锰崛」ぞ咛峁┯糜谖锢?幾何變化的分布的電阻和電容值。 一個(gè)范例是采用角部情況，其中，對(duì)于類(lèi)似預(yù)測(cè)的線寬變 化的物理參數(shù)，使用來(lái)自分布的最大、最小和平均值來(lái)產(chǎn)生三個(gè)不同的電阻和電容提取。另 一個(gè)范例可以使用平均值和三西格瑪約束(three sigma bounds)。另一個(gè)范例可以使用提 取工具來(lái)基于輸入的分布以及用于估計(jì)所得電容和電阻分布的所得公式產(chǎn)生靈敏度公式 或表格。RC提取工具和分布可以提供電阻和電容值對(duì)制造變化性的靈敏度。 一個(gè)實(shí)施例可 以將該信息輸入定時(shí)工具以估計(jì)厚度或?qū)挾茸兓瘜?duì)延遲的影響。另一個(gè)實(shí)施例可以將該信 息輸入到統(tǒng)計(jì)定時(shí)工具中。另一個(gè)實(shí)施例可以將預(yù)測(cè)的閾值電壓分布輸入到電氣模型中， 以模擬晶體管的性能或估計(jì)產(chǎn)率。 圖8A和圖8B示出了根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的考慮術(shù)語(yǔ)"靈敏度"的一種方式。在 圖8A中示出了一種表達(dá)系統(tǒng)的簡(jiǎn)單方式，其中有輸入值或矢量x，系統(tǒng)利用描述f 0將輸入 x轉(zhuǎn)換成輸出值或矢量y。范例可以是用于一個(gè)或多個(gè)層級(jí)的圖示互連特征的幾何描述，作 為輸入矢量進(jìn)入CMP模型中，CMP模型預(yù)測(cè)這些特征的所得到的制造后拓?fù)洹Ａ硪环独?以是用于一個(gè)或多個(gè)層級(jí)的圖示互連特征的幾何描述，作為輸入矢量進(jìn)入光刻或蝕刻模型 中，該模型預(yù)測(cè)制造后的特征寬度。對(duì)于簡(jiǎn)單的線性系統(tǒng)而言，這可以是將x轉(zhuǎn)換成y的標(biāo) 量乘法器。 在很多情況下，x的值可能不是完全確定性的，可以隨著已知的分布而變化。為了 更好地理解y的潛在值，給定x的分布，可以將x值的抽樣輸入到系統(tǒng)中以觀察對(duì)輸出y的
影響。對(duì)于線性系統(tǒng)而言，這可能是x的簡(jiǎn)單變化，Ax，由標(biāo)量a變換成y的變化，Ay。如 果a的值是未知的，可以通過(guò)計(jì)算y相對(duì)于x的偏導(dǎo)數(shù)來(lái)計(jì)算y相對(duì)于x的靈敏度。可以 將該范例擴(kuò)展到多變量系統(tǒng)，將靈敏度矩陣計(jì)算為給定系統(tǒng)以及輸入矢量3f和輸出矢量， 的雅可比行列式。對(duì)于非線性函數(shù)或系統(tǒng)f()而言，該方法會(huì)產(chǎn)生x和y之間的關(guān)系的局部線性化，并可能對(duì)于局部分析或優(yōu)化是有用的。對(duì)于更為全局的區(qū)域而言，可能需要整個(gè) 區(qū)域中若干線性化點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)足夠的線性化。 圖9中示出了另一個(gè)實(shí)施例。在這種方式中，將塊或單元置入一種或多種語(yǔ)境中， 以模擬可能源于不同環(huán)境的可制造性變化分布，例如，如2007年6月26日提交的美國(guó)專(zhuān) 利申請(qǐng)No. 11/768851所述，在此通過(guò)引用將其全文并入。例如，可以將IP塊置入不同語(yǔ) 境中，以模擬可能在生產(chǎn)中影響IP塊的各種厚度變化。在一些情況下，可以在多個(gè)代工廠 (foundry)來(lái)源制造給定的芯片設(shè)計(jì)，可以針對(duì)每個(gè)工廠獨(dú)立地表征制造變化。在這種方式 中，對(duì)于Q種環(huán)境和N種工廠模型，會(huì)有多個(gè)(NXQ)分布?？梢詫?shù)據(jù)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)中，其 中，可以提取相關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)以檢驗(yàn)物理或電氣參數(shù)相對(duì)于Q種環(huán)境的變化和N個(gè)工廠之間 變化的制造靈敏度。圖9中所示的范例示出了 N個(gè)工廠之間環(huán)境1的厚度變化分布、對(duì)于 工廠子集而言環(huán)境Q的厚度分布以及所有環(huán)境和所有工廠內(nèi)的厚度變化的分布。在一種環(huán) 境中，通過(guò)對(duì)個(gè)體概率密度或概率質(zhì)量函數(shù)進(jìn)行巻積來(lái)進(jìn)行工廠之間的表示獨(dú)立隨機(jī)變量 的分布的組合或求和。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，利用能夠適應(yīng)諸如厚度和寬度的物理變化的分 布的寄生(RC)提取和定時(shí)(例如統(tǒng)計(jì)定時(shí)工具)軟件進(jìn)行從物理變化到電氣變化的額外 轉(zhuǎn)換。 在圖IOA中，提供了一種使用情形范例。由設(shè)計(jì)人員人工選擇或由設(shè)計(jì)工具自動(dòng) 選擇關(guān)鍵線網(wǎng)。針對(duì)幾何性質(zhì)確定性地描述了圖示或布局指定的特征，例如，其具有固定的 厚度、寬度或長(zhǎng)度?？梢酝ㄟ^(guò)制造規(guī)則集、模型預(yù)測(cè)或從可制造性數(shù)據(jù)的現(xiàn)有數(shù)據(jù)庫(kù)提供 幾何變化?？梢詾樘囟ǜ信d趣線網(wǎng)之內(nèi)的特征指定變化，或還可以包括周?chē)h(huán)境的變化。 例如，使用模型來(lái)為該具體的關(guān)鍵線網(wǎng)和設(shè)計(jì)的寬度變化確定3西格瑪值，將該值分配給 Ag。在一些情況下，圖示和Ag值將形成一組幾何參數(shù)。在其它情況下，這可以是一種分 布，對(duì)其進(jìn)行采樣，例如蒙特卡洛法，以形成一組幾何參數(shù)。也可以采用寄生提取和電路模 擬工具，以將物理變化轉(zhuǎn)換成電氣變化。檢驗(yàn)線網(wǎng)對(duì)變化的靈敏度。在一個(gè)實(shí)施例中，確定 當(dāng)前指定的關(guān)鍵線網(wǎng)對(duì)于變化是魯棒的且被接受，或者將其確定為有問(wèn)題的并加以自動(dòng)修 改，以符合魯棒性標(biāo)準(zhǔn)，或?qū)⑵浯_定為有問(wèn)題的并標(biāo)記為后續(xù)分析或修復(fù)的熱點(diǎn)。 一個(gè)實(shí) 施例可以使用布局中特征的小擾動(dòng)，以僅僅識(shí)別呈現(xiàn)出超出可接受閾值的靈敏度的那些特 征，并且在給定相對(duì)于布局特征幾何性質(zhì)或制造環(huán)境或工廠的過(guò)去數(shù)據(jù)的情況下，使用該 信息引入特征擾動(dòng)。另一個(gè)實(shí)施例使用靈敏度信息來(lái)生成或修改設(shè)計(jì)規(guī)則。在圖10B中， 可以使用額外模型計(jì)算已制造特征的所得二維或三維變化。這種情況的范例可以是用作 Ag的已知厚度變化以及用于確定制造寬度的后續(xù)變化的物理光刻和蝕刻模型。在本實(shí)施 例中，可以將諸如延遲等的電氣參數(shù)相對(duì)于寬度的靈敏度顯示為柱狀圖。如圖所示，可以將 圖示幾何性質(zhì)視為標(biāo)稱(chēng)值，這導(dǎo)致100%的標(biāo)稱(chēng)期望延遲。在圖示的柱狀圖中，Ag的值造 成期望延遲20%的增大和10%的減少，將物理變化轉(zhuǎn)換成電氣變化。 通常，利用確定性值描述布局參數(shù)；然而，實(shí)際上，制造的特征是有特定分布的變 量。變化性可以存在于物理參數(shù)中，例如門(mén)的長(zhǎng)度、線寬、線厚、電介質(zhì)厚度、觸點(diǎn)和通孔寬 度和厚度、離子注入和擴(kuò)散分布、淺溝槽隔離向柵極引入的變化。由于制造的柵極特征或離 子注入變化性或因?yàn)槲锢韺?dǎo)體形狀變化對(duì)個(gè)體線網(wǎng)的電阻和電容影響造成的延遲的原因， 物理參數(shù)的變化可能會(huì)影響到諸如閾值電壓漂移等電氣參數(shù)。在該情況下，布局所代表的 集成電路的實(shí)際特征在本質(zhì)上是隨機(jī)的。在另一個(gè)實(shí)施例中，布局?jǐn)?shù)據(jù)庫(kù)不僅存儲(chǔ)對(duì)期望
13幾何性質(zhì)的描述，而且存儲(chǔ)對(duì)幾何性質(zhì)的隨機(jī)特征的描述。在另一個(gè)實(shí)施例中，單獨(dú)地或結(jié) 合圖示幾何性質(zhì)對(duì)與隨機(jī)描述相關(guān)聯(lián)的統(tǒng)計(jì)度量執(zhí)行規(guī)則檢驗(yàn)集。在另一個(gè)實(shí)施例中，結(jié) 合預(yù)定的安全帶使用隨機(jī)描述，所述安全帶通常是編入規(guī)則之內(nèi)的人為定義的限制。在另 一個(gè)實(shí)施例中，概率描述用于預(yù)測(cè)給定布局的幾何特征的概率，可以將其用于取代確定性 幾何值。在另一個(gè)實(shí)施例中，潛在因素的數(shù)量導(dǎo)致縮放問(wèn)題，寬范圍的圖案和特征具有大量 的可能分布，在這種情況下，可以生成數(shù)量足以允許使用概率描述的可允許圖案或特征的 固定集合。在另一個(gè)實(shí)施例中，使用概率描述來(lái)確定幾何特征的相對(duì)變化，并允許平均值浮 動(dòng)或與特定工廠的測(cè)量值或漂移指標(biāo)匹配。例如，可以將變化表達(dá)為可能隨時(shí)間漂移的標(biāo) 稱(chēng)寬度或厚度值的函數(shù)。在另一個(gè)實(shí)施例中，將相對(duì)概率描述或分布用于與匹配幾何特征 或構(gòu)成單元的一組特征相關(guān)的相對(duì)變化很重要的應(yīng)用。 圖IOA和圖10B中所示流程的另一個(gè)實(shí)施例解決了為任何物理參數(shù)產(chǎn)生有意義的 分布并估計(jì)參數(shù)的敏感性的需求。可以修改設(shè)計(jì)以降低靈敏度或改善設(shè)計(jì)的魯棒性。可以 通過(guò)循環(huán)通過(guò)圖10，并修改特征以減小感興趣度量J相對(duì)于被修改的設(shè)計(jì)參數(shù)x的偏導(dǎo)數(shù)
^來(lái)自動(dòng)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。這種迭代中的代價(jià)函數(shù)是找到符合現(xiàn)有設(shè)計(jì)規(guī)則標(biāo)準(zhǔn)并具有反映 對(duì)變化性的魯棒性的小值l^的參數(shù)x。 圖11中所示的另一個(gè)實(shí)施例可以針對(duì)整個(gè)芯片上的給定空間位置(x， y)組合確 定性預(yù)測(cè)，然后使用在空間上不變或大致在空間上不變的制造變化分布。在每個(gè)空間位置， 例如利用電化學(xué)沉積(ECD)或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)模型關(guān)于確定性芯片內(nèi)預(yù)測(cè)使分布以平 均值為中心?？梢詫⒅圃熳兓姆植甲鳛榫g、批次間或隨時(shí)間的過(guò)去而獲取過(guò)程變化 的隨機(jī)變化來(lái)測(cè)量。示出了一種選擇，其中，使用針對(duì)多個(gè)管芯位置校準(zhǔn)的模型來(lái)獲取晶片 級(jí)變化，因而，針對(duì)每個(gè)管芯位置模型，使分布以平均值為中心，得到空間預(yù)測(cè)。其它選擇是 僅校準(zhǔn)一個(gè)模型并應(yīng)用晶片級(jí)變化的分布。在這種方式中，分布是以平均值為中心還是向 分布的最小或最大部分傾斜取決于在哪個(gè)管芯上校準(zhǔn)模型。 圖12示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的過(guò)程流程，該過(guò)程用于在設(shè)計(jì)工具之內(nèi)進(jìn) 行統(tǒng)計(jì)分析。在該圖中，產(chǎn)生設(shè)計(jì)的特定區(qū)段的分布并適用于可制造性規(guī)則，以確定不符合 規(guī)則的特征。 一旦確定，就可以利用提示或優(yōu)化部件在設(shè)計(jì)工具之內(nèi)自動(dòng)修改特征。 一種 備選方式警告設(shè)計(jì)人員潛在的問(wèn)題或不能進(jìn)行自動(dòng)修復(fù)。該過(guò)程可以進(jìn)行晶片的測(cè)量，例 如厚度測(cè)量。如上所述，厚度變化是沿徑向的。在一個(gè)實(shí)施例中，在工廠那里對(duì)測(cè)試晶片進(jìn) 行這些測(cè)量。在另一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)分析所生產(chǎn)的晶片向設(shè)計(jì)人員提供這些測(cè)量值。其 它獲得這些測(cè)量值的方式也是可能的?？梢詫?duì)測(cè)量到的信息進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，以確定晶片間 的、批次間的關(guān)系。在一個(gè)實(shí)施例中，針對(duì)管芯的每個(gè)點(diǎn)確定晶片的最大和最小厚度并將其 與其它管芯上的其它類(lèi)似點(diǎn)關(guān)聯(lián)起來(lái)，以充分理解厚度關(guān)系。在其它實(shí)施例中，可以使用其 使用分析過(guò)的信息來(lái)開(kāi)發(fā)模型，以輔助設(shè)計(jì)人員降低設(shè)計(jì)對(duì)生產(chǎn)過(guò)程的靈敏度。 在一個(gè)實(shí)施例中，降低了對(duì)變化的靈敏度。在另一個(gè)實(shí)施例中，將變化視為幾何性質(zhì)的函 數(shù)。其它實(shí)施例通過(guò)觀察模型預(yù)測(cè)而考慮到其它需權(quán)衡的因素，從而使設(shè)計(jì)對(duì)過(guò)程變化較 不敏感。在另一個(gè)實(shí)施例中，修改制造過(guò)程以減小變化或改善被分析設(shè)計(jì)的魯棒性。在另一
14個(gè)實(shí)施例中，制造工程師可以使用數(shù)據(jù)庫(kù)來(lái)分析給定過(guò)程決策對(duì)一種或多種設(shè)計(jì)的影響。
提供信息和模型進(jìn)行數(shù)據(jù)挖掘，以生成庫(kù)，從而改善將來(lái)的設(shè)計(jì)和處理。在一個(gè)實(shí) 施例中，厚度和線寬的信息允許對(duì)不同薄片進(jìn)行分析。在另一個(gè)實(shí)施例中，信息包括最后20 種設(shè)計(jì)。例如，線寬X具有Y分布。可以將分布切分成厚度(X， Y)的函數(shù)。在另一實(shí)施例 中，可以使用多維分析，例如厚度(X，Y和Z)、(X，Y，無(wú)Z)的分布。此外，可以提供成套設(shè)計(jì) 工具，其包括模型信息或統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)或?qū)μ囟?lèi)型設(shè)計(jì)特有的模型，例如微處理器、低功率或 自動(dòng)化裝置。 可以任選地向設(shè)計(jì)庫(kù)添加加密和其它安全措施，以確保制造過(guò)程和庫(kù)信息的安全 和保密。在一個(gè)實(shí)施例中，在成套工具之內(nèi)提供加密的庫(kù)。在另一個(gè)實(shí)施例中，校準(zhǔn)是基于 測(cè)試晶片的。在另一個(gè)實(shí)施例中，設(shè)計(jì)人員看到的全部是厚度信息。 可以由圖13所示的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000執(zhí)行實(shí)踐實(shí)施例所需的指令序列。在實(shí)施例 中，由單個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000執(zhí)行指令序列。根據(jù)其它實(shí)施例，通過(guò)通信鏈路1015耦合的兩 個(gè)或更多計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000可以彼此協(xié)調(diào)地執(zhí)行指令序列。盡管下文將僅給出一個(gè)計(jì)算機(jī) 系統(tǒng)1000的描述，不過(guò)，應(yīng)當(dāng)理解，可以使用任意數(shù)量的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)IOOO來(lái)實(shí)踐實(shí)施例。
現(xiàn)在將參考圖13描述根據(jù)實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000，圖13是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000的 功能部件的方框圖。如本文所使用的，將術(shù)語(yǔ)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)iooo廣泛用于描述能夠存儲(chǔ)并獨(dú) 立運(yùn)行一種或多種程序的任何計(jì)算裝置。 每個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)IOOO可以包括耦合到總線1006的通信接口 1014。通信接口 1014 提供計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000之間的雙向通信。相應(yīng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000的通信接口 1014發(fā)送和接 收電、電磁或光信號(hào)，其包括表示各種信號(hào)信息，例如指令、消息和數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)流。通信鏈路 1015將一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000與另一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000鏈接。例如，通信鏈路1015可以是 LAN，在這種情況下通信接口 1014可以是LAN卡，或者通信鏈路1015可以是PSTN，在這種情 況下通信接口 1014可以是綜合業(yè)務(wù)數(shù)字網(wǎng)(ISDN)卡或調(diào)制解調(diào)器，或者通信鏈路1015可 以是因特網(wǎng)，在這種情況下通信接口 1014可以是撥號(hào)、電纜或無(wú)線調(diào)制解調(diào)器。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000可以通過(guò)其相應(yīng)的通信鏈路1015和通信接口 1014發(fā)送和接收 消息、數(shù)據(jù)和指令，包括程序，即應(yīng)用、代碼?？梢杂上鄳?yīng)處理器1007在接收時(shí)執(zhí)行接收到 的程序代碼，和/或?qū)⒊绦虼a存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置1010或其它關(guān)聯(lián)的非易失性介質(zhì)中，供將 來(lái)執(zhí)行。 在實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)IOOO協(xié)同數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1031 —起工作，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)例
如是包含數(shù)據(jù)庫(kù)1032的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1031，數(shù)據(jù)庫(kù)1032可以由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000容易地訪
問(wèn)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000通過(guò)數(shù)據(jù)接口 1033與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)1031通信。耦合到總線1006的
數(shù)據(jù)接口 1033發(fā)送和接收電、電磁或光信號(hào)，其包括表示各種信號(hào)信息，例如指令、消息和
數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)流。在實(shí)施例中，可以由通信接口 1014執(zhí)行數(shù)據(jù)接口 1033的功能。 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000包括用于傳輸指令、消息和數(shù)據(jù)(總的來(lái)說(shuō)，信息)的總線1006
或其它通信機(jī)構(gòu)以及與總線1006耦合的用于處理信息的一個(gè)或多個(gè)處理器1007。計(jì)算機(jī)
系統(tǒng)1000還包括耦合到總線1006的主存儲(chǔ)器1008，例如是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)或其它
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)裝置，用于存儲(chǔ)動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)和要由處理器1007執(zhí)行的指令。主存儲(chǔ)器1008還可以
用于存儲(chǔ)臨時(shí)數(shù)據(jù)，即，處理器1007執(zhí)行指令期間的變量或其它中間信息。 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000還可以包括耦合到總線1006的只讀存儲(chǔ)器(ROM) 1009或其它靜
15態(tài)存儲(chǔ)裝置，用于存儲(chǔ)用于處理器1007的靜態(tài)數(shù)據(jù)和指令。還可以提供諸如磁盤(pán)或光盤(pán)等 的存儲(chǔ)裝置1010并將其耦合到總線1006，用于存儲(chǔ)用于處理器1007的數(shù)據(jù)和指令。
可以經(jīng)由總線1006將計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000耦合到顯示裝置1011，例如但不限于陰極 射線管(CRT)，用于向用戶顯示信息。將輸入裝置1012，例如字母數(shù)字或其它按鍵耦合到總 線1006，用于向處理器1007傳輸信息和命令選擇。 根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，個(gè)體計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1000利用它們相應(yīng)的處理器1007執(zhí)行主存儲(chǔ) 器1008中包含的一個(gè)或多個(gè)一條或多條指令的序列來(lái)執(zhí)行具體操作?？梢詮牧硪挥?jì)算機(jī) 可用介質(zhì)，例如ROM 1009或存儲(chǔ)裝置1010向主存儲(chǔ)器1008中讀入這種指令。執(zhí)行主存儲(chǔ) 器1008中包含的指令序列使處理器1007執(zhí)行這里所述的過(guò)程。在備選實(shí)施例中，可以取 代或結(jié)合軟件指令而使用硬連線的電路。于是，實(shí)施例不限于硬件電路和/或軟件的任何 具體組合。 如本文所使用的術(shù)語(yǔ)"計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)"是指提供信息或可為處理器1007使用的 任何介質(zhì)。這種介質(zhì)可以采取很多形式，包括但不限于非易失性介質(zhì)和易失性介質(zhì)。非易 失性介質(zhì)即在沒(méi)電的情況下也能夠保持信息的介質(zhì)，包括ROM 1009、 CD ROM、磁帶和磁盤(pán)。 易失性介質(zhì)即在沒(méi)電的情況下不能保持信息的介質(zhì)，包括主存儲(chǔ)器1008。
在上述說(shuō)明書(shū)中，已經(jīng)參考其具體要素描述了實(shí)施例。不過(guò)，顯然可以對(duì)其做出各 種修改和變化，而不脫離實(shí)施例的較寬精神和范圍。例如，讀者要理解，這里所述的過(guò)程流 程圖中所示的過(guò)程動(dòng)作的具體順序和組合僅僅是例示性的，可以使用不同的或額外的過(guò)程 動(dòng)作或過(guò)程動(dòng)作的不同組合或順序來(lái)實(shí)踐實(shí)施例。因此，說(shuō)明書(shū)和附圖應(yīng)被視為例示性的 而不是限制性的。
權(quán)利要求
一種用于魯棒設(shè)計(jì)的方法，包括識(shí)別一個(gè)或多個(gè)表征集成電路特征尺度的一個(gè)或多個(gè)變化的模型，其中所述一個(gè)或多個(gè)變化是由至少一個(gè)制造過(guò)程與至少一個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征之間的相互作用造成的；組合來(lái)自所述一個(gè)或多個(gè)模型的被表征的一個(gè)或多個(gè)變化，以產(chǎn)生所述設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)幾何參數(shù)中的變化數(shù)據(jù)的條件分布、范圍或統(tǒng)計(jì)度量。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述制造過(guò)程利用來(lái)自多個(gè)制造設(shè)施的一個(gè)或多 個(gè)處理工具或流程。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述制造過(guò)程利用所述一個(gè)或多個(gè)模型，其中所 述一個(gè)或多個(gè)模型包括如下中的一個(gè)或多個(gè)化學(xué)機(jī)械拋光、蝕刻、光刻、沉積、注入或電鍍 過(guò)程。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)變化包括如下中的至少一個(gè)由 設(shè)計(jì)圖案與制造過(guò)程的相互作用導(dǎo)致的單個(gè)芯片內(nèi)的變化、晶片級(jí)或管芯間的變化、對(duì)于 單個(gè)工具或流程而言的晶片之間的變化、對(duì)于工具或流程而言特定的變化測(cè)量值或?qū)τ谥?造設(shè)施而言特定的變化測(cè)量值。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括利用一個(gè)或多個(gè)分布來(lái)估計(jì)所述設(shè)計(jì)對(duì)所表征 的一個(gè)或多個(gè)變化或所表征的一個(gè)或多個(gè)變化的統(tǒng)計(jì)特征的靈敏度，其中所表征的一個(gè)或 多個(gè)變化包括范圍、最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)偏差或平均值。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括 表征所述設(shè)計(jì)的多種變體； 比較所述設(shè)計(jì)的所述多種變體的靈敏度；以及 確定魯棒性水平或待用作計(jì)分過(guò)程的一部分的結(jié)果。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括選擇所述多種變體中的一種設(shè)計(jì)變體而不是所述多種變體中的另一種設(shè)計(jì)變體；以及 基于所述選擇建議對(duì)所述設(shè)計(jì)的修改。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中一個(gè)或多個(gè)變化包括所述設(shè)計(jì)的所述幾何參數(shù)的 電氣影響，包括電阻、電容或電感。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括如下中的一項(xiàng)或多項(xiàng) 評(píng)估與包含所述區(qū)段的設(shè)計(jì)相關(guān)聯(lián)的產(chǎn)率； 為基于圖案的熱點(diǎn)匹配產(chǎn)生布局圖案；針對(duì)所述區(qū)段的任何部分計(jì)算統(tǒng)計(jì)定時(shí)值、電阻、電容或電感； 為電阻、電容或電感提取生成、修改或檢驗(yàn)角部情況； 評(píng)價(jià)或選擇第三方IP ; 評(píng)價(jià)所述區(qū)段對(duì)環(huán)境的靈敏度； 修改所述布局圖案或所述區(qū)段中包含的填充； 修改所述區(qū)段在布局內(nèi)的位置；減小所述區(qū)段或所述布局圖案在所述區(qū)段內(nèi)的任何部分對(duì)環(huán)境的靈敏度； 評(píng)價(jià)所述環(huán)境對(duì)包括分析定時(shí)、功率和信號(hào)完整性的所述區(qū)段的電氣影響；或 在電子設(shè)計(jì)過(guò)程的任何階段期間生成布線，其中所述布線是一開(kāi)始生成的或作為所述設(shè)計(jì)的布線后優(yōu)化的一部分或?yàn)榱嗽u(píng)估設(shè)計(jì)的所述區(qū)段而生成的。
10. —種方法，包括識(shí)別表征集成電路特征尺度的變化的一個(gè)或多個(gè)模型，所述變化是由一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程與一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征之間的相互作用造成的；提供具有所述區(qū)段和多個(gè)模型的語(yǔ)境或環(huán)境，以模擬所述區(qū)段和所述語(yǔ)境或環(huán)境之間的相互作用；以及組合來(lái)自所述一個(gè)或多個(gè)模型的被表征的變化以產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)幾何參數(shù)中的數(shù)據(jù)變化的條件分布或統(tǒng)計(jì)度量，其中所述變化數(shù)據(jù)包括最大值、最小值、平均值、范圍和標(biāo)準(zhǔn)偏差值中的至少一個(gè)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)的所述區(qū)段包括單元、宏或塊。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括基于數(shù)據(jù)挖掘和/或統(tǒng)計(jì)方法計(jì)算統(tǒng)計(jì)信息。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括模擬多個(gè)變化源的影響；以及確定所述設(shè)計(jì)、所述設(shè)計(jì)的區(qū)段或塊和/或一組設(shè)計(jì)變體或修改對(duì)所述變化的魯棒性。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括選擇一種設(shè)計(jì)、塊設(shè)計(jì)變體或修改而不是另一種設(shè)計(jì)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，還包括比較或選擇一種或多種制造設(shè)施或源。
16. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，還包括符合要在被建模的流程上制造的裝置或布局的物理和/或電氣要求。
17. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，還包括表征構(gòu)成關(guān)鍵線網(wǎng)并形成所述線網(wǎng)的變化描述的幾何形狀或元件，其中所述變化描述包括統(tǒng)計(jì)分布、最大和最小幾何或形狀參數(shù)中的至少一個(gè)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述變化描述包括計(jì)算出的所述線網(wǎng)的一個(gè)或多個(gè)部件的電阻、電容或電感。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括確定對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則的違反；以及識(shí)別熱點(diǎn)。
20. —種方法，包括表征由一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程之間的相互作用導(dǎo)致的集成電路特征尺度的變化；利用一個(gè)或多個(gè)語(yǔ)境環(huán)境表征一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征；檢驗(yàn)所述一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)級(jí)；以及在定義、增加、移動(dòng)和/或修改形狀時(shí)評(píng)價(jià)所述一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程包括化學(xué)機(jī)械拋光、蝕刻、光刻、沉積、注入和/或電鍍過(guò)程中的一個(gè)或多個(gè)模型。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述變化包括如下中的至少一個(gè)由設(shè)計(jì)圖案與制造過(guò)程的相互作用導(dǎo)致的單個(gè)芯片內(nèi)的變化、晶片級(jí)或管芯間的變化、對(duì)于單個(gè)工具或流程而言的晶片之間的變化、對(duì)于工具或流程而言特定的變化測(cè)量值或?qū)τ谥圃煸O(shè)施而言特定的變化測(cè)量值。
23. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括產(chǎn)生模型以便預(yù)測(cè)電子設(shè)計(jì)中的幾何形狀，其中所述模型包括由所述制造過(guò)程與如下中的一項(xiàng)或多項(xiàng)的圖案相互作用導(dǎo)致的變化管芯間的變化、工具間的變化、晶片間的變化、工廠間的變化；以及
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，還包括評(píng)估所述變化對(duì)所述電子設(shè)計(jì)的物理和/或電氣性質(zhì)的影響。
25. —種用于魯棒設(shè)計(jì)的設(shè)備，包括用于識(shí)別表征集成電路特征尺度的一個(gè)或多個(gè)變化的一個(gè)或多個(gè)模型的裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)變化是由至少一個(gè)制造過(guò)程與至少一個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征之間的相互作用造成的；用于組合來(lái)自所述一個(gè)或多個(gè)模型的被表征的一個(gè)或多個(gè)變化以產(chǎn)生所述設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)幾何參數(shù)中的變化數(shù)據(jù)的條件分布、范圍或統(tǒng)計(jì)度量的裝置。
26. —種具有一組被存儲(chǔ)的指令的計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)，處理器對(duì)所述指令的執(zhí)行導(dǎo)致過(guò)程的執(zhí)行，所述過(guò)程包括識(shí)別表征集成電路特征尺度的一個(gè)或多個(gè)變化的一個(gè)或多個(gè)模型，其中所述一個(gè)或多個(gè)變化是由至少一個(gè)制造過(guò)程與至少一個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征之間的相互作用造成的；組合來(lái)自所述一個(gè)或多個(gè)模型的被表征的一個(gè)或多個(gè)變化，以產(chǎn)生所述設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)幾何參數(shù)中的變化數(shù)據(jù)的條件分布、范圍或統(tǒng)計(jì)度量。
27. —種設(shè)備，包括用于識(shí)別表征集成電路特征尺度的變化的一個(gè)或多個(gè)模型的裝置，所述一個(gè)或多個(gè)變化是由一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程與一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征之間的相互作用造成的；用于提供具有所述區(qū)段和多個(gè)模型的語(yǔ)境或環(huán)境以模擬所述區(qū)段與所述語(yǔ)境或環(huán)境之間的相互作用的裝置；以及用于組合來(lái)自所述一個(gè)或多個(gè)模型的被表征變化以產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)幾何參數(shù)中數(shù)據(jù)變化的條件分布或統(tǒng)計(jì)度量的裝置，其中所述變化數(shù)據(jù)包括最大值、最小值、平均值、范圍和標(biāo)準(zhǔn)偏差值中的至少一個(gè)。
28. —種具有一組被存儲(chǔ)指令的計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)，處理器對(duì)所述指令的執(zhí)行導(dǎo)致過(guò)程的執(zhí)行，所述過(guò)程包括識(shí)別表征集成電路特征尺度的變化的一個(gè)或多個(gè)模型，所述一個(gè)或多個(gè)變化是由一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程與一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征之間的相互作用造成的；提供具有所述區(qū)段和多個(gè)模型的語(yǔ)境或環(huán)境，以模擬所述區(qū)段和所述語(yǔ)境或環(huán)境之間的相互作用；以及組合來(lái)自所述一個(gè)或多個(gè)模型的被表征的變化以產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)幾何參數(shù)中的數(shù)據(jù)變化的條件分布或統(tǒng)計(jì)度量，其中所述變化數(shù)據(jù)包括最大值、最小值、平均值、范圍和標(biāo)準(zhǔn)偏差值中的至少一個(gè)。
29. —種設(shè)備，包括用于表征由一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程之間的相互作用造成的集成電路特征尺度中的變化 的裝置；利用一個(gè)或多個(gè)語(yǔ)境環(huán)境表征一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征 的裝置；用于檢驗(yàn)一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)級(jí)的裝置；以及用于在定義、增加、移動(dòng)和/或修改形狀時(shí)評(píng)價(jià)所述一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)的裝置。
30. —種具有一組被存儲(chǔ)指令的計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)，處理器對(duì)所述指令的執(zhí)行導(dǎo)致過(guò)程 的執(zhí)行，所述過(guò)程包括表征由一個(gè)或多個(gè)制造過(guò)程之間的相互作用導(dǎo)致的集成電路特征尺度的變化； 利用一個(gè)或多個(gè)語(yǔ)境環(huán)境表征一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的區(qū)段上的設(shè)計(jì)圖案或特征；檢驗(yàn)所述一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)級(jí)；以及 在定義、增加、移動(dòng)和/或修改形狀時(shí)評(píng)價(jià)所述一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)。
全文摘要
本發(fā)明能夠利用可制造性模型實(shí)現(xiàn)魯棒設(shè)計(jì)?？梢栽诩呻娐吩O(shè)計(jì)中提供一種方法、系統(tǒng)和/或計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)，以跟蹤對(duì)晶片之間和/或工廠之間的過(guò)程變化的靈敏度，以便輔助設(shè)計(jì)人員預(yù)見(jiàn)到變化，從而改善產(chǎn)品的最終產(chǎn)率。
文檔編號(hào)G06F19/00GK101785011SQ200880104046
公開(kāi)日2010年7月21日 申請(qǐng)日期2008年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月27日
發(fā)明者D·懷特, L·K·謝弗 申請(qǐng)人:凱迪斯設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司