專(zhuān)利名稱(chēng)：時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
5 本發(fā)明涉及產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)的電路。本發(fā)明還涉及安裝有所述產(chǎn)生
時(shí)鐘信號(hào)的電路的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，超小型IC芯片和無(wú)線通信用天線彼此組合的半導(dǎo)體裝置
(也稱(chēng)為RFID標(biāo)簽、無(wú)線標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、RF標(biāo)簽)引人注目。上述 io半導(dǎo)體裝置可以通過(guò)與使用無(wú)線通信裝置(能夠以無(wú)線方式進(jìn)行通信 的裝置如讀寫(xiě)器、便攜式電話機(jī)或個(gè)人計(jì)算機(jī)等)的發(fā)送/接收電路等 進(jìn)行通信信號(hào)的收發(fā)來(lái)非接觸地進(jìn)行數(shù)據(jù)收發(fā)如數(shù)據(jù)寫(xiě)入或數(shù)據(jù)讀出等。
例如，可以舉出流通業(yè)界的商品管理作為以無(wú)線信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)收
15 發(fā)的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用領(lǐng)域?，F(xiàn)在，雖然主要通過(guò)利用條形碼等管理 商品，但是由于條形碼是以光學(xué)方式而被讀取的，所以若存在著遮蔽 物則有可能不能讀取數(shù)據(jù)。另一方面，在使用無(wú)線通信裝置來(lái)非接觸 地進(jìn)行數(shù)據(jù)收發(fā)的方式中，以無(wú)線讀取半導(dǎo)體裝置的數(shù)據(jù)，因此在無(wú) 線通信信號(hào)經(jīng)過(guò)遮蔽物的情況下，即使存在著遮蔽物也能夠讀取數(shù)據(jù)。
20因此，商品管理被期待著高效化及低成本化。再者，還被期待著廣泛 地應(yīng)用于車(chē)票、飛機(jī)票、自動(dòng)付款等。通過(guò)以無(wú)線通信進(jìn)行數(shù)據(jù)收發(fā) 的小型半導(dǎo)體裝置來(lái)識(shí)別并管理人或物體的這種機(jī)制被稱(chēng)為RFID (Radio Frequency Identification;射頻識(shí)別)，作為IT (信息技術(shù)) 社會(huì)的基本技術(shù)受到多注目(例如專(zhuān)利文件l)。
25 專(zhuān)利文件l日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)平11-225091號(hào)公報(bào)
當(dāng)無(wú)線通信裝置和半導(dǎo)體裝置進(jìn)行信號(hào)收發(fā)時(shí)，無(wú)線通信裝置和 半導(dǎo)體裝置可以分別使用不相同的時(shí)鐘信號(hào)。但是，存在著如下問(wèn)題: 在使用不相同的時(shí)鐘信號(hào)的情況下，從各裝置輸出的數(shù)據(jù)與各裝置的 時(shí)鐘同步，因此在從無(wú)線通信裝置輸出的接收信號(hào)的下降與半導(dǎo)體裝
30 置內(nèi)的時(shí)鐘的上升同步的情況下，在直到下一接收信號(hào)下降為止的期 間中，半導(dǎo)體裝置的時(shí)鐘的占空比變化，信號(hào)的設(shè)定時(shí)間、保持時(shí)間 不一定。
作為產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)的電路，可舉出PLL電路。PLL電路可以通過(guò)使 用VCO (Voltage Controlled Oscillator;壓控振蕩器)電路等的電 35壓控制振蕩電路控制振蕩頻率。但是，在將時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路適用于利用外部電源的無(wú)源型半導(dǎo)體裝置等的情況下，例如被要求省略了 vco 電路的低耗電量電路。在使用低耗電量的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的情況下， 由于耗電量減少，所以難以產(chǎn)生具有固定頻率的時(shí)鐘信號(hào)。
在本說(shuō)明書(shū)中，將信號(hào)從低電位向高電位變化稱(chēng)為上升，并將信 5號(hào)從高電位向低電位變化稱(chēng)為下降。
在本說(shuō)明書(shū)中，將上升時(shí)或下降時(shí)的電位的變化點(diǎn)稱(chēng)為沿(edge)。
下面，說(shuō)明已知的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生方法。在從無(wú)線通信裝置等的外 部電路發(fā)送到半導(dǎo)體裝置的具有一定間隔的周期的同步信號(hào)的期間 中，使用計(jì)數(shù)電路等計(jì)數(shù)從環(huán)形振蕩器等的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路輸
10 出的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的沿?cái)?shù)，而且，基于通過(guò)使用分頻電路等將計(jì)數(shù)了
的值除以為了產(chǎn)生具有預(yù)定脈沖數(shù)的時(shí)鐘信號(hào)而需要的數(shù)目來(lái)得到的 值，產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)。此時(shí)，將計(jì)數(shù)了的值除以所述數(shù)目來(lái)得到的余數(shù) 是不產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)的期間，各時(shí)鐘信號(hào)的前半周期和后半周期根據(jù)計(jì)
數(shù)值而具有其長(zhǎng)短不相同的Low期間。
15 這里， 一個(gè)周期指的是如下期間在同步信號(hào)中，將初期狀態(tài)設(shè)
定為High狀態(tài)，從第N (N是自然數(shù))下降到第N+1下降的期間。
在本說(shuō)明書(shū)中，High狀態(tài)表示信號(hào)的上升狀態(tài)，而Low狀態(tài)表示
信號(hào)的下降狀態(tài)。
再者，參照?qǐng)D11的時(shí)序圖說(shuō)明現(xiàn)有的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作。 20 首先，通過(guò)使用來(lái)自基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)2101
及同步信號(hào)2102，使用計(jì)數(shù)電路計(jì)數(shù)同步信號(hào)2102的一個(gè)周期中的基
準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)2101的沿?cái)?shù)。
計(jì)數(shù)值2103是通過(guò)計(jì)數(shù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)2101的沿?cái)?shù)并根據(jù)同步信
號(hào)2102將計(jì)數(shù)值復(fù)位而得到的值。 25 第一時(shí)鐘信號(hào)2104及第二時(shí)鐘信號(hào)2105是根據(jù)計(jì)數(shù)值而產(chǎn)生的
兩相時(shí)鐘信號(hào)。此時(shí)，第一時(shí)鐘信號(hào)2104和第二時(shí)鐘信號(hào)2105的占
空比為1:3。期間2004是第一時(shí)鐘信號(hào)2104處于High狀態(tài)的期間(以
下稱(chēng)為High期間)，而期間2005是第一時(shí)鐘信號(hào)2104處于Low狀態(tài)
的期間(以下稱(chēng)為L(zhǎng)ow期間)。另外，關(guān)于占空比為1:3， l相當(dāng)于期 30間2004，而3相當(dāng)于期間2005。如上所述，第一時(shí)鐘信號(hào)2104和第
二時(shí)鐘信號(hào)2105的占空比為1:3，但是在分頻時(shí)產(chǎn)生余數(shù)的Low期間，
因此在每個(gè)周期中，各Low期間的長(zhǎng)短不相同。
另外，控制信號(hào)2106是基于第一時(shí)鐘信號(hào)2104及第二時(shí)鐘信號(hào)
2105而產(chǎn)生的信號(hào)，將初期狀態(tài)設(shè)定為L(zhǎng)ow狀態(tài)，根據(jù)第一時(shí)鐘信號(hào) 352104的上升而處于High狀態(tài)，并根據(jù)第二時(shí)鐘信號(hào)2105的上升而處
于Low狀態(tài)。此時(shí)，基于第一時(shí)鐘信號(hào)2104及第二時(shí)鐘信號(hào)2105而產(chǎn)生的控制信號(hào)2106的第N (N是自然數(shù))周期為2009，而第N+l周 期為2010。
如圖11所示，基于第一時(shí)鐘信號(hào)2104及第二時(shí)鐘信號(hào)2105而產(chǎn) 生的控制信號(hào)2106在信號(hào)周期2009和信號(hào)周期2010中具有不相同的 5頻率。此時(shí)，信號(hào)周期2010中的Low期間2007是信號(hào)周期2009中的 Low期間2006的1. 75倍。
如上所述，所產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)是在每個(gè)周期中各Low期間的差異 大的信號(hào)，因此當(dāng)使用根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)而產(chǎn)生的控制信號(hào)使電路工作時(shí)， 難以進(jìn)行準(zhǔn)確的工作。 io

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路， 其中即使在各周期中基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的頻率變化也能夠產(chǎn)生在期間中變 化少的時(shí)鐘信號(hào)。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明是根據(jù)接收信號(hào)的頻率選擇最合適的 15占空比來(lái)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路。
具體地說(shuō)，本發(fā)明之一是一種時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，包括沿檢測(cè)
電路，該電路檢測(cè)輸入了的信號(hào)的沿；基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，該電 路產(chǎn)生基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)；計(jì)數(shù)電路，該電路根據(jù)從沿檢測(cè)電路輸入了的 信號(hào)計(jì)數(shù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的沿?cái)?shù)；占空比選擇電路，該電路根據(jù)在計(jì)數(shù)
20 電路中的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的計(jì)數(shù)值選擇預(yù)定的占空比；以及分頻電路， 該電路對(duì)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行分頻，來(lái)產(chǎn)生具有被占空比選擇電路選擇 的占空比的時(shí)鐘信號(hào)。
本發(fā)明之一是一種時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，包括沿檢測(cè)電路，該電 路檢測(cè)輸入了的信號(hào)的沿；基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，該電路產(chǎn)生基準(zhǔn)
25 時(shí)鐘信號(hào)；計(jì)數(shù)電路，該電路根據(jù)從沿檢測(cè)電路輸入了的信號(hào)計(jì)數(shù)基 準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的沿?cái)?shù)；占空比選擇電路，該電路根據(jù)在計(jì)數(shù)電路中的基 準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的計(jì)數(shù)值選擇第一及第二占空比；以及分頻電路，該電路 對(duì)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行分頻，來(lái)產(chǎn)生具有被占空比選擇電路選擇的第一 占空比的第一時(shí)鐘信號(hào)、以及具有被占空比選擇電路選擇的第二占空
30 比的第二時(shí)鐘信號(hào)。
在本發(fā)明中，還可以采用如下結(jié)構(gòu)占空比選擇電路包括存儲(chǔ)部、 以及占空比選擇部，其中該存儲(chǔ)部存儲(chǔ)多個(gè)占空比的數(shù)據(jù)，而該占空 比選擇部判定從計(jì)數(shù)電路輸入了的計(jì)數(shù)值，并根據(jù)計(jì)數(shù)值從存儲(chǔ)部選 出一個(gè)占空比的數(shù)據(jù)，來(lái)將它輸出到分頻電路。
35 在本發(fā)明中，還可以采用如下結(jié)構(gòu)沿檢測(cè)電路是組合計(jì)數(shù)電路、
鎖存電路、NOT電路、AND電路、OR電路、NAND電路、NOR電路、EX0R電路及EX-N0R電路中的任何電路的。
本發(fā)明之一是具有上述時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的半導(dǎo)體裝置，包括
RF電路，該電路能夠進(jìn)行信號(hào)收發(fā)，并通過(guò)使用所接收的信號(hào)產(chǎn)生電 源電壓；以及邏輯電路，該電路通過(guò)使用時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路所產(chǎn)生的
5 時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行計(jì)算處理。
根據(jù)本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，即使基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的頻率變化 也可以產(chǎn)生在一個(gè)周期中變化少的時(shí)鐘信號(hào)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的框圖； 10 圖2是根據(jù)實(shí)施方式1的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作的流程圖3是根據(jù)實(shí)施方式1 序圖4是根據(jù)實(shí)施方式1 序15 圖5是根據(jù)實(shí)施方式1
序圖6是根據(jù)實(shí)施方式1 序圖7是根據(jù)實(shí)施方式2 20 序圖8是根據(jù)實(shí)施方式2 序圖9是根據(jù)實(shí)施方式2 序25 圖10是根據(jù)實(shí)施方式2的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作的各信號(hào)的時(shí)
序圖11是現(xiàn)有的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作的時(shí)序圖； 圖12是根據(jù)實(shí)施方式3的具有本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的半導(dǎo) 體裝置的框30 圖13A至13D是表示根據(jù)實(shí)施方式4的具有本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)
生電路的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖14A至14C是表示根據(jù)實(shí)施方式4的具有本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn) 生電路的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖15A和15B是表示根據(jù)實(shí)施方式4的具有本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn) 35 生電路的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖16A至16C是表示根據(jù)實(shí)施方式5的具有本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)
的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作的各信號(hào)的時(shí) 的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作的各信號(hào)的時(shí) 的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作的各信號(hào)的時(shí) 的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作的各信號(hào)的時(shí) 的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作的各信號(hào)的時(shí) 的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作的各信號(hào)的時(shí) 的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作的各信號(hào)的時(shí)生電路的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖17A至17C是表示根據(jù)實(shí)施方式5的具有本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn) 生電路的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖18A和18B是表示根據(jù)實(shí)施方式5的具有本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn) 5 生電路的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖19A至19F是表示根據(jù)實(shí)施方式6的具有本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn) 生電路的半導(dǎo)體裝置的使用例子的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。注意，本發(fā)明不局限于 10 下述說(shuō)明，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí) 就是，其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況 下被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在 下述實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。
實(shí)施方式1
15 在本實(shí)施方式中，說(shuō)明本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的結(jié)構(gòu)及工作。
首先，參照?qǐng)Dl說(shuō)明本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的結(jié)構(gòu)。 如圖1所示，半導(dǎo)體裝置100包括A/D轉(zhuǎn)換電路101、時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn) 生電路102、以及邏輯電路103。
A/D轉(zhuǎn)換電路101具有將從外部如無(wú)線通信裝置等接收的模擬數(shù) 20 據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的功能。
時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路102包括沿檢測(cè)電路104、基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電 路105、計(jì)數(shù)電路106、占空比選擇電路107、以及分頻電路108。
沿檢測(cè)電路104電連接到A/D轉(zhuǎn)換電路101及計(jì)數(shù)電路106，計(jì)數(shù) 電路106電連接到沿檢測(cè)電路104、基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路105及占空 25 比選擇電路107，并且占空比選擇電路107電連接到A/D轉(zhuǎn)換電路101 、 基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路105、計(jì)數(shù)電路106及分頻電路108。另外，基 準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路105電連接到計(jì)數(shù)電路106、占空比選擇電路107 及分頻電路108。
沿檢測(cè)電路104是檢測(cè)接收信號(hào)的沿的電路。作為沿檢測(cè)電路 30104，可以組合計(jì)數(shù)電路、鎖存電路、NOT電路、AND電路、OR電路、 NAND電路、NOR電路、EXOR電路及EX-NOR電路等的判定電路中的任何 電路。
基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路105具有產(chǎn)生基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)112的功能， 該基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)112具有預(yù)定頻率并用來(lái)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)115。例如，可 35以使用環(huán)形振蕩器等作為基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路105。
計(jì)數(shù)電路106計(jì)數(shù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)112中的沿?cái)?shù)，根據(jù)從沿檢測(cè)電路104輸入的同步信號(hào)111將計(jì)數(shù)了的值復(fù)位，并將所產(chǎn)生的計(jì)數(shù)值
的數(shù)據(jù)信號(hào)輸出到占空比選擇電路107。
占空比選擇電路107具有根據(jù)計(jì)數(shù)電路106的計(jì)數(shù)值選擇預(yù)定的 占空比的功能。具體地說(shuō)，占空比選擇電路107包括存儲(chǔ)有多個(gè)占空 5比數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)部、以及根據(jù)計(jì)數(shù)電路106的計(jì)數(shù)值而從多個(gè)占空比數(shù) 據(jù)中選擇占空比的占空比選擇部。
分頻電路108具有根據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路105所產(chǎn)生的基準(zhǔn) 時(shí)鐘信號(hào)112、以及被占空比選擇電路107選擇的占空比數(shù)據(jù)而產(chǎn)生時(shí) 鐘信號(hào)的功能。
io 邏輯電路103根據(jù)輸入了的時(shí)鐘信號(hào)而產(chǎn)生控制信號(hào)。邏輯電路
103根據(jù)控制信號(hào)進(jìn)行工作。
下面，參照?qǐng)D1及圖2說(shuō)明本實(shí)施方式的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作。
首先，作為轉(zhuǎn)換處理201，通過(guò)使用A/D轉(zhuǎn)換電路101將從無(wú)線通 15信裝置等輸入的模擬信號(hào)109轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)110，并將數(shù)字信號(hào)110 輸出到沿檢測(cè)電路104。
接著，作為沿檢測(cè)處理202，通過(guò)使用沿檢測(cè)電路104檢測(cè)輸入了 的數(shù)字信號(hào)110的沿，產(chǎn)生同步信號(hào)111，并將它輸出到計(jì)數(shù)電路106。 此時(shí)，在不能檢測(cè)沿的情況下，作為再轉(zhuǎn)換處理203，對(duì)計(jì)數(shù)電路106 20的值進(jìn)行計(jì)數(shù)，再次使用A/D轉(zhuǎn)換電路101將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信
號(hào)
然后，作為計(jì)數(shù)處理204，通過(guò)使用計(jì)數(shù)電路106計(jì)數(shù)從基準(zhǔn)時(shí)鐘 信號(hào)產(chǎn)生電路105輸入的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)112的沿?cái)?shù)。再者，根據(jù)從沿 檢測(cè)電路104輸入的同步信號(hào)111將計(jì)數(shù)電路106的計(jì)數(shù)值復(fù)位，并 25將從計(jì)數(shù)開(kāi)始到復(fù)位的計(jì)數(shù)值的數(shù)據(jù)信號(hào)輸出到占空比選擇電路107。
接下來(lái)，作為計(jì)數(shù)值判定處理205，通過(guò)使用占空比選擇電路107 判定從計(jì)數(shù)電路106輸入的計(jì)數(shù)值，根據(jù)判定了的計(jì)數(shù)值從多個(gè)占空 比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)中選擇預(yù)定的占空比數(shù)據(jù)，并將它作為所述占空 比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)信號(hào)輸出到分頻電路108。注意，在本實(shí)施方式中， 30 說(shuō)明計(jì)數(shù)值為7至10的任一情況。在計(jì)數(shù)值是判定用設(shè)定值以外的情 況下，不能在占空比選擇電路107中設(shè)定占空比，因此作為再轉(zhuǎn)換處 理206，再次在A/D轉(zhuǎn)換電路101中將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。
接著，作為時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生處理207，通過(guò)使用分頻電路108根據(jù)輸 入了的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)112進(jìn)行分頻，產(chǎn)生具有 35預(yù)定的占空比及沿?cái)?shù)的時(shí)鐘信號(hào)115，來(lái)將它輸出到邏輯電路103。
最后，作為控制信號(hào)產(chǎn)生處理208，通過(guò)使用邏輯電路103產(chǎn)生根據(jù)輸入了的時(shí)鐘信號(hào)115的第N (N是自然數(shù))上升而處于High狀態(tài)， 并根據(jù)第N+l上升而處于Low狀態(tài)的控制信號(hào)。通過(guò)使用所述控制信 號(hào)，使邏輯電路103內(nèi)的各電路工作。
注意，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了計(jì)數(shù)值為7至10的任一情況。但 5是在其他數(shù)值的情況下，通過(guò)改變預(yù)先存儲(chǔ)在占空比選擇電路107中 的數(shù)據(jù)，可以應(yīng)用本實(shí)施方式的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路。
下面，參照?qǐng)D3至圖6說(shuō)明在本實(shí)施方式的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路中 根據(jù)各計(jì)數(shù)值而產(chǎn)生的信號(hào)的時(shí)序。在圖3至圖6中，示出基準(zhǔn)時(shí)鐘 信號(hào)112、同步信號(hào)111、計(jì)數(shù)值113、時(shí)鐘信號(hào)115、以及控制信號(hào) io118的時(shí)序。
圖3示出在計(jì)數(shù)電路106中計(jì)數(shù)值為7的情況。
在計(jì)數(shù)值為7的情況下，按照一種數(shù)據(jù)，即根據(jù)計(jì)數(shù)值在占空比 選擇電路107中選擇的占空比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)115。 此時(shí)，時(shí)鐘信號(hào)115的占空比(High期間404和Low期間405的比) 15 是1:3。
控制信號(hào)118是在邏輯電路103中產(chǎn)生的，并根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)115 的第N (N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于High狀態(tài)，并根據(jù)第N+l上 升的時(shí)序而處于Low狀態(tài)。此時(shí)，控制信號(hào)118的第N (N是自然數(shù)) 信號(hào)周期409的Low期間406和第N+l信號(hào)周期410的Low期間407 20 具有相同的長(zhǎng)短。
圖4示出在計(jì)數(shù)電路106中計(jì)數(shù)值為8的情況。 在計(jì)數(shù)值為8的情況下，按照一種數(shù)據(jù)，即根據(jù)計(jì)數(shù)值在占空比 選擇電路107中選擇的占空比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)115。 此時(shí)，時(shí)鐘信號(hào)115的占空比(High期間504和Low期間505的比) 25 是1:3。
控制信號(hào)118是在邏輯電路103中產(chǎn)生的，并根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)115 的第N (N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于High狀態(tài)，并根據(jù)第N+l上 升的時(shí)序而處于Low狀態(tài)。此時(shí)，控制信號(hào)118的第N (N是自然數(shù)) 信號(hào)周期509的Low期間506和第N+l信號(hào)周期510的Low期間507 30 具有相同的長(zhǎng)短。
圖5示出在計(jì)數(shù)電路106中計(jì)數(shù)值為9的情況。 在計(jì)數(shù)值為9的情況下，按照一種數(shù)據(jù)，即根據(jù)計(jì)數(shù)值在占空比 選擇電路107中選擇的占空比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)115。 此時(shí)，時(shí)鐘信號(hào)115的占空比(High期間604和Low期間605的比) 35 是1:4。
控制信號(hào)118是在邏輯電路103中產(chǎn)生的，并根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)115
ii的第N (N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于High狀態(tài)，并根據(jù)第N+1上 升的時(shí)序而處于Low狀態(tài)。此時(shí)，控制信號(hào)118的第N (N是自然數(shù)) 信號(hào)周期609的Low期間606和第N+l信號(hào)周期610的Low期間607
具有相同的長(zhǎng)短。 5 圖6示出在計(jì)數(shù)電路106中計(jì)數(shù)值為10的情況。
在計(jì)數(shù)值為10的情況下，按照一種數(shù)據(jù)，即根據(jù)計(jì)數(shù)值在占空比 選擇電路107中選擇的占空比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)115。 此時(shí)，時(shí)鐘信號(hào)115的占空比(High期間704和Low期間705的比) 是1:4。
10 控制信號(hào)118是在邏輯電路103中產(chǎn)生的，并根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)115
的第N (N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于High狀態(tài)，并根據(jù)第N+l上 升的時(shí)序而處于Low狀態(tài)。此時(shí)，控制信號(hào)118的第N (N是自然數(shù)) 信號(hào)周期709的Low期間706和第N+l信號(hào)周期710的Low期間707
具有相同的長(zhǎng)短。
15 如上所述，通過(guò)使用本實(shí)施方式的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，即使不具
有固定的計(jì)數(shù)值也可以在占空比選擇電路中根據(jù)各計(jì)數(shù)值選擇最合適 占空比，來(lái)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)。因此，即使在基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的頻率變化的 情況下，也可以產(chǎn)生一周期間的各Low期間的長(zhǎng)短差異小的最合適時(shí) 鐘信號(hào)。另外，通過(guò)使用上述時(shí)鐘信號(hào)，能夠以更準(zhǔn)確的時(shí)序進(jìn)行各
20電路的工作，因此可以抑制不正常工作。
再者，可以將用來(lái)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的頻率設(shè)定為低 頻率，并可以使用低耗電量的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，因此可以降低 耗電量。
實(shí)施方式2
25 在本實(shí)施方式中，說(shuō)明通過(guò)使用在產(chǎn)生多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)時(shí)的時(shí)鐘信
號(hào)產(chǎn)生電路來(lái)產(chǎn)生兩相時(shí)鐘信號(hào)的情況。電路結(jié)構(gòu)的框圖與實(shí)施方式1 的圖1相同，因而援引實(shí)施方式l所述的內(nèi)容。
下面，參照?qǐng)D1及圖2說(shuō)明本實(shí)施方式的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的工作。
30 首先，作為轉(zhuǎn)換處理201，通過(guò)使用A/D轉(zhuǎn)換電路101將從無(wú)線通
信裝置等輸入的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，并將數(shù)字信號(hào)輸出到沿檢 測(cè)電路104。
接著，作為沿檢測(cè)處理202，通過(guò)使用沿檢測(cè)電路104檢測(cè)輸入了 的數(shù)字信號(hào)的沿，產(chǎn)生同步信號(hào)lll，并將它輸出到計(jì)數(shù)電路106。此 35時(shí)，在不能檢測(cè)沿的情況下，作為再轉(zhuǎn)換處理203，對(duì)計(jì)數(shù)電路106 的值進(jìn)行計(jì)數(shù)，再次使用A/D電路101將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。然后，作為計(jì)數(shù)處理204，通過(guò)使用計(jì)數(shù)電路106計(jì)數(shù)從基準(zhǔn)時(shí)鐘 信號(hào)產(chǎn)生電路105輸入的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)112的沿?cái)?shù)。再者，根據(jù)從沿 檢測(cè)電路104輸入的同步信號(hào)111將計(jì)數(shù)電路106的計(jì)數(shù)值復(fù)位，并 將從計(jì)數(shù)開(kāi)始到復(fù)位的計(jì)數(shù)值的數(shù)據(jù)信號(hào)輸出到占空比選擇電路107。 5 接下來(lái)，作為計(jì)數(shù)值判定處理205，通過(guò)使用占空比選擇電路107
判定從計(jì)數(shù)電路106輸入的計(jì)數(shù)值，根據(jù)判定了的計(jì)數(shù)值從多個(gè)占空 比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)中選擇預(yù)定的占空比數(shù)據(jù)，并將它作為所述占空 比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)信號(hào)114輸出到分頻電路108。注意，在本實(shí)施方 式中，說(shuō)明計(jì)數(shù)值為7至10的任一情況。在計(jì)數(shù)值是判定用設(shè)定值以
io外的情況下，不能在占空比選擇電路107中設(shè)定占空比，因此作為再 轉(zhuǎn)換處理206，再次在A/D轉(zhuǎn)換電路101中將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。 接著，作為時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生處理207，通過(guò)使用分頻電路108根據(jù)輸 入了的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)信號(hào)114對(duì)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)112進(jìn)行分頻，產(chǎn)生 具有預(yù)定的占空比及沿?cái)?shù)的時(shí)鐘信號(hào)115。在本實(shí)施方式中，所產(chǎn)生的
15 時(shí)鐘信號(hào)115是第一時(shí)鐘信號(hào)和其沿位置與第一時(shí)鐘信號(hào)不相同的第 二時(shí)鐘信號(hào)的兩相時(shí)鐘信號(hào)，并將所產(chǎn)生的第一時(shí)鐘信號(hào)和第二時(shí)鐘 信號(hào)輸出到邏輯電路103。
最后，作為控制信號(hào)產(chǎn)生處理208，通過(guò)使用邏輯電路103產(chǎn)生根 據(jù)輸入了的第一時(shí)鐘信號(hào)的第N (N是自然數(shù))上升而處于High狀態(tài)，
20 并根據(jù)第二時(shí)鐘信號(hào)的第N (N是自然數(shù))上升而處于Low狀態(tài)的控制 信號(hào)。通過(guò)使用所述控制信號(hào)，使邏輯電路103內(nèi)的各電路工作。
注意，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了計(jì)數(shù)值為7至10的任一情況。但 是在其他計(jì)數(shù)值的情況下，通過(guò)改變預(yù)先存儲(chǔ)在占空比選擇電路107 中的數(shù)據(jù)，可以應(yīng)用本實(shí)施方式的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路來(lái)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)。
25 下面，參照?qǐng)D7至圖10說(shuō)明在本實(shí)施方式的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路中
根據(jù)各計(jì)數(shù)值而產(chǎn)生的信號(hào)的時(shí)序。在圖7至圖10中，示出基準(zhǔn)時(shí)鐘 信號(hào)112、同步信號(hào)111、計(jì)數(shù)值113、第一時(shí)鐘信號(hào)116、第二時(shí)鐘 信號(hào)117、以及控制信號(hào)118的時(shí)序。
圖7示出在計(jì)數(shù)電路中計(jì)數(shù)值為7的情況。
30 在計(jì)數(shù)值為7的情況下，按照一種數(shù)據(jù)，即根據(jù)計(jì)數(shù)值在占空比
選擇電路107中選擇的第一及第二占空比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生第 一時(shí)鐘信號(hào)116和第二時(shí)鐘信號(hào)117。此時(shí)，第一時(shí)鐘信號(hào)116的第一 占空比(High期間804和Low期間805的比)是1:3，而第二時(shí)鐘信 號(hào)117的第二占空比也是1:3。
35 控制信號(hào)118是在邏輯電路103中產(chǎn)生的，并根據(jù)第一時(shí)鐘信號(hào)
116的第N(N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于High狀態(tài)，并根據(jù)第二時(shí)鐘信號(hào)117的第N (N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于Low狀態(tài)。此時(shí)， 控制信號(hào)118的第N(N是自然數(shù))信號(hào)周期809和第N+l信號(hào)周期810 相同。
圖8示出在計(jì)數(shù)電路106中計(jì)數(shù)值為8的情況。 5 在計(jì)數(shù)值為8的情況下，按照一種數(shù)據(jù)，即根據(jù)計(jì)數(shù)值在占空比
選擇電路107中選擇的第一及第二占空比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生第 一時(shí)鐘信號(hào)116和第二時(shí)鐘信號(hào)117。此時(shí)，第一時(shí)鐘信號(hào)116的第一 占空比(High期間904和Low期間905的比)是1:3，而第二時(shí)鐘信 號(hào)117的第二占空比也是1:3。 io 控制信號(hào)118是在邏輯電路103中產(chǎn)生的，并根據(jù)第一時(shí)鐘信號(hào)
116的第N (N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于High狀態(tài)，并根據(jù)第二時(shí) 鐘信號(hào)117的第N (N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于Low狀態(tài)。此時(shí)， 控制信號(hào)118的第N(N是自然數(shù))信號(hào)周期909和第N+l信號(hào)周期910 不相同，信號(hào)周期910中的Low期間907是信號(hào)周期909中的Low期 15 間906的1.25倍。
圖9示出在計(jì)數(shù)電路106中計(jì)數(shù)值為9的情況。 按照一種數(shù)據(jù)，即根據(jù)計(jì)數(shù)值在占空比選擇電路107中選擇的第 一及第二占空比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生第一時(shí)鐘信號(hào)116和第二時(shí) 鐘信號(hào)117。此時(shí)，第一時(shí)鐘信號(hào)116的第一占空比(High期間1004 20和Low期間1005的比)是1:4，而第二時(shí)鐘信號(hào)117的第二占空比也 是1:4。
控制信號(hào)118是在邏輯電路103中產(chǎn)生的，并根據(jù)第一時(shí)鐘信號(hào) 116的第N(N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于High狀態(tài)，并根據(jù)第二時(shí) 鐘信號(hào)117的第N (N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于Low狀態(tài)。此時(shí)， 25控制信號(hào)118的第N (N是自然數(shù))信號(hào)周期1009中的Low期間1006 和第N+l信號(hào)周期1010中的Low期間1007相同。
圖10示出在計(jì)數(shù)電路106中計(jì)數(shù)值為10的情況。
在計(jì)數(shù)值為10的情況下，按照一種數(shù)據(jù)，即根據(jù)計(jì)數(shù)值在占空比 選擇電路107中選擇的第一及第二占空比的信號(hào)波形的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生第 30—時(shí)鐘信號(hào)116和第二時(shí)鐘信號(hào)117。此時(shí)，第一時(shí)鐘信號(hào)116的第一 占空比(High期間1104和Low期間1105的比)是1:4，而第二時(shí)鐘 信號(hào)117的第二占空比是1:4。
控制信號(hào)118是在邏輯電路103中產(chǎn)生的，并根據(jù)第一時(shí)鐘信號(hào) 116的第N (N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于High狀態(tài)，并根據(jù)第二時(shí) 35鐘信號(hào)117的第N (N是自然數(shù))上升的時(shí)序而處于Low狀態(tài)。此時(shí)， 控制信號(hào)118的第N (N是自然數(shù))信號(hào)周期1109和第N+l信號(hào)周期1110不相同，信號(hào)周期1110中的Low期間1107是信號(hào)周期1109中的 Low期間1106的1.25倍。
如上所述，通過(guò)使用本實(shí)施方式的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，即使不具 有固定的計(jì)數(shù)值也可以在占空比選擇電路中根據(jù)各計(jì)數(shù)值選擇最合適
5 的占空比，來(lái)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)。因此，即使在基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的頻率變化
的情況下，也可以產(chǎn)生一周期間的各Low期間的長(zhǎng)短差異小的最合適 時(shí)鐘信號(hào)。
另外，在產(chǎn)生兩相以上的多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)的情況下，可以控制High 期間及Low期間雙方。為此，通過(guò)使用上述時(shí)鐘信號(hào)，能夠以更準(zhǔn)確 10的時(shí)序進(jìn)行各電路的工作，而可以抑制不正常工作。
再者，可以將用來(lái)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的頻率設(shè)定為低 頻率，并可以使用低耗電量的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，因此可以降低 耗電量。
實(shí)施方式3
15 在本實(shí)施方式中，說(shuō)明具有上述實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?所示的
時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的半導(dǎo)體裝置。
圖12表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置3000由
RF電路3001、時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路3002、邏輯電路3003、以及天線部
3018中的天線3017構(gòu)成。注意，雖然在圖12中未圖示，但是半導(dǎo)體 20裝置3000通過(guò)天線3017與無(wú)線通信裝置等的外部電路進(jìn)行無(wú)線信號(hào)
的收發(fā)。
下面，說(shuō)明各電路的結(jié)構(gòu)。RF電路3001包括電源電路3004、解 調(diào)電路3005、以及調(diào)制電路3006。時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路3002包括分頻 電路3007、占空比選擇電路3008、計(jì)數(shù)電路3009、以及基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào) 25 產(chǎn)生電路3019。邏輯電路3003包括控制器3013、 CPU (也稱(chēng)為中央處 理單元)3010、 ROM (只讀存儲(chǔ)器)3011、 RAM (隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)3012。
控制器3013具有CPU接口 3014、 RF接口 3015、以及存儲(chǔ)控制器 3016。
在RF電路3001中，電源電路3004由整流電路和保持電容器構(gòu)成， 30并具有產(chǎn)生電源電壓來(lái)將它提供給其他電路的功能。解調(diào)電路3005由 整流電路和LPF (低通濾波器)構(gòu)成，并具有從通信信號(hào)抽出指令和數(shù) 據(jù)的功能。調(diào)制電路3006具有調(diào)制發(fā)送數(shù)據(jù)的功能，而且調(diào)制了的數(shù) 據(jù)以發(fā)送信號(hào)的方式從天線3017被發(fā)送。
接著，說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的工作。首先，使用半導(dǎo)體 35裝置3000接收從外部通信裝置發(fā)送的接收信號(hào)。接收信號(hào)在解調(diào)電路 3005中被解調(diào)之后，輸入到在控制器3013的RF接口 3015中。輸入到RF接口 3015中的接收信號(hào)通過(guò)CPU接口 3014被CPU3010進(jìn)行計(jì)算處 理。此外，使用輸入到RF接口 3015中的接收信號(hào)來(lái)通過(guò)存儲(chǔ)控制器 3016對(duì)R0M3011 、 RAM3012進(jìn)行訪問(wèn)。
而且，在進(jìn)行CPU3010的計(jì)算處理、R0M3011、 RAM3012中的數(shù)據(jù) 5 輸入及輸出之后，生成發(fā)送數(shù)據(jù)，由調(diào)制電路3006調(diào)制，且將發(fā)送信 號(hào)從天線3017發(fā)送到通信裝置中。
如上所述，通過(guò)使用具有本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的半導(dǎo)體裝 置，即使在基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的頻率變化的情況下，也可以與其變化相應(yīng) 地產(chǎn)生最合適的時(shí)鐘信號(hào)。由此，能夠以更準(zhǔn)確的時(shí)序進(jìn)行半導(dǎo)體裝 io置中的根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)的各電路工作，而可以抑制不正常工作。
再者，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置可以將用來(lái)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)的基準(zhǔn)時(shí)鐘 信號(hào)的頻率設(shè)定為低頻率，并可以使用低耗電量的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生 電路，因此可以降低耗電量。
實(shí)施方式4
15 在本實(shí)施方式中，說(shuō)明上述實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置的制造方
法的一個(gè)例子。在本實(shí)施方式中，說(shuō)明在同一襯底上設(shè)置包括天線電 路的半導(dǎo)體裝置的例子。
首先，如圖13A所示，在襯底1901的一個(gè)表面上夾著絕緣膜1902 形成剝離層1903，接著，層疊形成用作基底膜的絕緣膜1904和半導(dǎo)體
20 膜1905(例如，包含非晶硅的膜)。此外，絕緣膜1902、剝離層1903、 絕緣膜1904、以及半導(dǎo)體膜1905可以連續(xù)形成。
襯底1901是選自玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底、金屬襯底(例 如，不銹鋼襯底等)或Si襯底等的半導(dǎo)體襯底等中的襯底。另外，可 以選擇聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚
25 醚砜(PES)或丙烯等的塑料襯底。此外，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的 制造方法中，剝離層1903夾著絕緣膜1902設(shè)置在襯底1901的整個(gè)面 上，但是，根據(jù)需要，也可以在襯底1901的整個(gè)面上設(shè)置剝離層之后 通過(guò)光刻法選擇性地提供。
作為絕緣膜1902、絕緣膜1904，可以通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等，使
30 用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiOxNy) (x>y>0)、氮氧化硅 (SiNxOy) 0oy〉0)等的材料來(lái)形成。例如，當(dāng)將絕緣膜1902及絕緣膜 1904分別作為兩層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選作為第一層絕緣膜形成氮氧化硅膜并 且作為第二層絕緣膜形成氧氮化硅膜。此外，也可以作為第一層絕緣 膜形成氮化硅膜并且作為第二層絕緣膜形成氧化硅膜。絕緣膜1902用
35 作防止雜質(zhì)元素從襯底1901混入到剝離層1903或形成在其上的元件 的阻擋層，而絕緣膜1904用作防止雜質(zhì)元素從襯底1901、剝離層1903混入到形成在其上的元件的阻擋層。這樣，通過(guò)形成作為阻擋層發(fā)揮
功能的絕緣膜1902、 1904可以防止來(lái)自襯底1901的Na等堿金屬和堿 土金屬、來(lái)自剝離層1903的雜質(zhì)元素給形成在其上的元件造成不良影 響。此外，在使用石英襯底作為襯底1901的情況下，也可以省略絕緣 5膜1902及1904。
作為剝離層1903，可以使用金屬膜或金屬膜和金屬氧化膜的疊層 結(jié)構(gòu)等。作為金屬膜，可以使用由選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、 鋯、鋅、釕、銠、鈀、鋨、以及銥中的元素或以上述元素為主要成分 的合金材料或化合物材料等構(gòu)成的膜的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)而形成。 io另外，可以通過(guò)濺射法或各種CVD法如等離子體CVD法等而形成上述
材料。作為金屬膜和金屬氧化膜的疊層結(jié)構(gòu)，在形成上述金屬膜之后， 可以進(jìn)行在氧氣氛中或在N20氣氛中的等離子體處理、在氧氣氛中或在 氧化氮?dú)夥罩械募訜崽幚?，以在金屬膜的表面上設(shè)置該金屬膜的氧化 物或氧氮化物。例如，在通過(guò)濺射法或CVD法等形成鎢膜作為金屬膜
15 的情況下，通過(guò)對(duì)鎢膜進(jìn)行等離子體處理，可以在鎢膜的表面上形成 由鎢氧化物構(gòu)成的金屬氧化膜。除此以外，例如，在形成金屬膜(如 鎢)之后，可以在該金屬膜上通過(guò)濺射法形成氧化硅等的絕緣膜，并 進(jìn)行等離子體處理或加熱處理，來(lái)在金屬膜和絕緣膜之間形成金屬氧 化物(例如，在鎢上形成鎢氧化物)。除了金屬氧化膜以外，還可使用
20 金屬氮化物或金屬氧氮化物。在此情況下，可以在氮?dú)夥种谢蛟诘?氧的氣氛中對(duì)金屬膜進(jìn)行等離子體處理、加熱處理。
通過(guò)濺射法、LPCVD法、等離子體CVD法等，以25nm以上200nm 以下(優(yōu)選為30nm以上150nm以下)的厚度形成半導(dǎo)體膜1905。
接下來(lái)，如圖13B所示，對(duì)半導(dǎo)體膜1905照射激光束來(lái)進(jìn)行晶化。
25 此外，也可以通過(guò)將激光束的照射以及利用RTA或退火爐的熱晶化法、 使用有助于晶化的金屬元素的熱晶化法進(jìn)行組合的方法等進(jìn)行半導(dǎo)體 膜1905的晶化。之后，將獲得的結(jié)晶半導(dǎo)體膜蝕刻為所希望的形狀來(lái) 形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜1905a至1905f，并覆蓋該半導(dǎo)體膜1905a至1905f 地形成柵極絕緣膜1906。
30 作為柵極絕緣膜1906，通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用氧化硅、氮化
硅、氧氮化硅、氮氧化硅等的材料來(lái)形成。例如，當(dāng)將柵極絕緣膜1906 作為兩層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選作為第一層絕緣膜形成氧氮化硅膜并且作為第 二層絕緣膜形成氮氧化硅膜。另外，也可以作為第一層絕緣膜形成氧 化硅膜并且作為第二層絕緣膜形成氮化硅膜。
35 以下，簡(jiǎn)單地說(shuō)明結(jié)晶半導(dǎo)體膜1905a至1905f的制造工序的一
個(gè)例子。首先，通過(guò)等離子體CVD法形成50nm以上60nm以下厚的非晶半導(dǎo)體膜。接著，將包含作為促進(jìn)晶化的金屬元素的鎳的溶液保持
在非晶半導(dǎo)體膜上，然后對(duì)非晶半導(dǎo)體膜進(jìn)行脫氫處理(在50(TC下， 一個(gè)小時(shí))和熱晶化處理(在55(TC下，四個(gè)小時(shí))，來(lái)形成結(jié)晶半導(dǎo)體 膜。然后，照射激光束，并通過(guò)使用光刻法形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜1905a 5至1905f。此外，也可以只通過(guò)照射激光束而不進(jìn)行使用促進(jìn)晶化的金 屬元素的熱晶化，來(lái)使非晶半導(dǎo)體膜晶化。
作為用來(lái)晶化的激光振蕩器，可以使用連續(xù)振蕩激光束(CW激光束)
或脈沖振蕩激光束(脈沖激光束)。這里，作為激光束可以采用從如下 激光器的一種或多種激光器中振蕩的激光束，即Ar激光器、Kr激光器、
io 受激準(zhǔn)分子激光器等的氣體激光器、將在單晶的YAG、 YV04、鎂橄欖石 (Mg2Si0j、 YA10:,、 GdV04、或者多晶(陶瓷)的YAG、 Y203、 YV04、 YA103、 GdVC^中添加Nd、 Yb、 Cr、 Ti、 Ho、 Er、 Tm、 Ta之中的一種或多種作 為摻雜物而獲得的材料用作介質(zhì)的激光器、玻璃激光器、紅寶石激光 器、變石激光器、Ti:藍(lán)寶石激光器、銅蒸氣激光器、以及金蒸氣激光
15 器。通過(guò)照射這種激光束的基波以及這些基波的二次諧波到四次諧波 的激光束，可以獲得大粒徑的晶體。例如，可以使用Nd:YV(V激光器(基 波為1064nm)的二次諧波(532nm)或三次諧波(355nm)。此時(shí)，需要大約 0. 01 MW/cm2以上100麗/cm2以下(優(yōu)選為0. lMW/cm2以上10MW/cm2以下) 的激光功率密度。而且，以大約10cm/sec以上2000cm/sec以下的掃
20描速度照射。此外，將在單晶的YAG、 YV04、鎂橄欖石(Mg2Si04) 、 YA103、 GdVOo或者多晶(陶瓷)的YAG、 Y203、 YV04、 YA103、 GdV04中添加Nd、 Yb、 Cr、 Ti、 Ho、 Er、 Tm、 Ta之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的 材料用作介質(zhì)的激光器、Ar離子激光器、或者Ti:藍(lán)寶石激光器可以 進(jìn)行連續(xù)振蕩，可以通過(guò)鎖模等以lOMHz以上的振蕩頻率進(jìn)行脈沖振
25蕩。當(dāng)使用lOMHz以上的振蕩頻率來(lái)使激光束振蕩時(shí)，在半導(dǎo)體膜從 被激光熔化到凝固的期間中，對(duì)半導(dǎo)體膜照射下一個(gè)脈沖。因此，由 于不同于使用振蕩頻率低的脈沖激光的情況，可以在半導(dǎo)體膜中連續(xù) 地移動(dòng)固相和液相的界面，所以可以獲得沿掃描方向連續(xù)生長(zhǎng)的晶粒。 此外，也可以通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體膜1905a至1905f進(jìn)行高密度等離子
30 體處理來(lái)使表面氧化或氮化，以形成柵極絕緣膜1906。例如，通過(guò)引 入了稀有氣體如He、 Ar、 Kr、 Xe等和氧、氧化氮、氨、氮、氫等的混 合氣體的等離子體處理，形成柵極絕緣膜1906。在此情況下，通過(guò)引 入微波進(jìn)行等離子體的激發(fā)時(shí)，可以產(chǎn)生低電子溫度且高密度的等離 子體?？梢酝ㄟ^(guò)使用由該高密度等離子體產(chǎn)生的氧自由基(也有含有OH
35自由基的情況)或氮自由基(也有含有NH自由基的情況)，使半導(dǎo)體膜 的表面氧化或氮化。通過(guò)使用了上述高密度等離子體的處理，厚度為lnm以上20nm以 下，典型地為5nm以上10nm以下的絕緣膜形成于半導(dǎo)體膜上。由于在 此情況下的反應(yīng)為固相反應(yīng)，因此可以使該絕緣膜和半導(dǎo)體膜的界面 態(tài)密度極低。由于上述高密度等離子體處理直接使半導(dǎo)體膜(晶體硅或 5多晶硅)氧化(或氮化)，所以可以使所形成的絕緣膜的厚度不均勻性極 為低。再者，由于在晶體硅的晶界中也不會(huì)進(jìn)行強(qiáng)烈的氧化，所以成 為非常優(yōu)選的狀態(tài)。換句話說(shuō)，通過(guò)在此所示的高密度等離子體處理 使半導(dǎo)體膜的表面固相氧化，來(lái)可以形成具有良好的均勻性且界面態(tài) 密度低的絕緣膜而不會(huì)在晶界中引起異常的氧化反應(yīng)。
io 作為柵極絕緣膜1906，既可僅僅使用通過(guò)高密度等離子體處理形
成的絕緣膜，又可在該絕緣膜上通過(guò)利用了等離子體或熱反應(yīng)的CVD 法將氧化硅、氧氮化硅或氮化硅的任一或多個(gè)絕緣膜堆積并層疊。在 任何情況下，將通過(guò)高密度等離子體形成的絕緣膜包含于柵極絕緣膜 的一部分或全部而形成的晶體管可以降低特性不均勻性。
15 此外， 一邊對(duì)半導(dǎo)體膜照射連續(xù)振蕩激光束或以10 MHz以上的頻
率振蕩的激光束， 一邊向一個(gè)方向掃描來(lái)晶化而獲得的半導(dǎo)體膜1905a 至1905f具有其晶體沿該激光束的掃描方向成長(zhǎng)的特征。當(dāng)使掃描方 向與溝道長(zhǎng)度方向(形成溝道形成區(qū)域時(shí)載流子流動(dòng)的方向)一致地配 置晶體管，并且組合上述柵極絕緣膜1906時(shí)，可以獲得特性不均勻性
20低且電場(chǎng)效應(yīng)遷移率高的晶體管。
接著，在柵極絕緣膜1906上層疊形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。 在此，第一導(dǎo)電膜通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等以20nm以上100nm以下的厚 度而形成。第二導(dǎo)電膜以lOOrnn以上400nm以下的厚度而形成。作為 第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜，可以采用選自鉭、鎢、鈦、鉬、鋁、銅、
25 鉻和鈮等中的元素或以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料 而形成?；蛘撸梢圆捎脫诫s了磷等雜質(zhì)元素的多晶硅為代表的半導(dǎo) 體材料而形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。作為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電 膜的組合的實(shí)例，可以舉出氮化鉭膜和鎢膜、氮化鎢膜和鎢膜、或者 氮化鉬膜和鉬膜等。由于鎢和氮化鉭具有高耐熱性，因此在形成第一
30導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜之后，可以進(jìn)行用于熱激活的加熱處理。此外，
在不是兩層結(jié)構(gòu)而是三層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選采用鉬膜、鋁膜和鉬膜 的疊層結(jié)構(gòu)。
s接i，利用光刻法形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，并且進(jìn)行蝕刻處理
以形成柵電極和柵極線，從而在半導(dǎo)體膜1905a至1905f的上方形成 35柵電極1907。在此，示出了通過(guò)采用第一導(dǎo)電膜1907a和第二導(dǎo)電膜 1907b的疊層結(jié)構(gòu)形成柵電極1907的例子。接著，如圖13C所示，以柵電極1907為掩模，通過(guò)離子摻雜法或 離子注入法對(duì)半導(dǎo)體膜1905a至1905f以低濃度添加賦予n型的雜質(zhì) 元素，然后通過(guò)光刻法選擇性地形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，以高濃度 添加賦予P型的雜質(zhì)元素。作為呈現(xiàn)n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷、 5 砷等。作為呈現(xiàn)p型的雜質(zhì)元素，可以使用硼、鋁、鎵等。在此，使 用磷作為賦予n型的雜質(zhì)元素，以lxlO'Vcm3以上lxl07cm3以下的濃 度選擇性地引入到半導(dǎo)體膜1905a至1905f ，以形成呈現(xiàn)n型的雜質(zhì)區(qū) 域1908。此外，使用硼作為賦予p型的雜質(zhì)元素，以lxl0'7cm3以上 lxl027cm3以下的濃度選擇性地引入到半導(dǎo)體膜1905c、 1905e，以形成
io 呈現(xiàn)p型的雜質(zhì)區(qū)域1909。
接著，覆蓋柵極絕緣膜1906和柵電極1907地形成絕緣膜。通過(guò) 等離子體CVD法或?yàn)R射法等以單層或疊層方式形成含有無(wú)機(jī)材料如硅、 硅的氧化物或硅的氮化物的膜、以及含有有機(jī)材料如有機(jī)樹(shù)脂等的膜 的一種或多種，從而形成絕緣膜。接著，通過(guò)以垂直方向?yàn)橹黧w的各
15 向異性蝕刻選擇性地蝕刻絕緣膜，從而形成與柵電極1907的側(cè)面接觸 的絕緣膜1910(也稱(chēng)為側(cè)壁)。絕緣膜1910用作當(dāng)形成LDD(輕摻雜漏) 區(qū)域時(shí)的摻雜用掩模。
接著，將通過(guò)光刻法形成的由抗蝕劑構(gòu)成的掩模、柵電極1907及 絕緣膜1910用作掩模，對(duì)半導(dǎo)體膜1905a、 1905b、 1905d、 1905f以
20高濃度添加賦予n型的雜質(zhì)元素，以形成呈現(xiàn)n型的雜質(zhì)區(qū)域1911。 在此，使用磷作為賦予n型的雜質(zhì)元素，以lxl07cm3以上lxl07cm3 以下的濃度選擇性地引入到半導(dǎo)體膜1905a、 1905b、 1905d、 1905f， 以形成呈現(xiàn)比雜質(zhì)區(qū)域1908更高濃度的n型的雜質(zhì)區(qū)域1911。
通過(guò)上述工序，如圖13D所示，形成n溝道型薄膜晶體管1900a、
251900b、 1900d、 1900f和p溝道型薄膜晶體管1900c、 1900e。
在薄膜晶體管1900a中，溝道形成區(qū)域形成在與柵電極1907重疊 的半導(dǎo)體膜1905a的區(qū)域中，形成源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域1911形成在 不與柵電極1907及絕緣膜1910重疊的區(qū)域中，而低濃度雜質(zhì)區(qū)域(LDD 區(qū)域)形成在與絕緣膜1910重疊的區(qū)域，即溝道形成區(qū)域和雜質(zhì)區(qū)域
30 1911之間。此外，薄膜晶體管1900b、 1900d、 1900f也同樣形成有溝 道形成區(qū)域、低濃度雜質(zhì)區(qū)域、以及雜質(zhì)區(qū)域1911。
在薄膜晶體管1900c中，溝道形成區(qū)域形成在與柵電極1907重疊 的半導(dǎo)體膜1905c的區(qū)域中，形成源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域1909形成在 不與柵電極1907重疊的區(qū)域中。此外，薄膜晶體管1900e也同樣形成
35 有溝道形成區(qū)域以及雜質(zhì)區(qū)域1909。此外，這里，雖然在薄膜晶體管 1900c及1900e中未設(shè)置LDD區(qū)域，但是既可采用在薄膜晶體管1900c及1900e中設(shè)置LDD區(qū)域的結(jié)構(gòu)，又可采用在薄膜晶體管1900a、 1900b 中不設(shè)置LDD區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
接下來(lái)，如圖14A所示，以單層或疊層的方式形成絕緣膜以覆蓋 半導(dǎo)體膜1905a至1905f 、柵電極1907等，并且在該絕緣膜上形成導(dǎo) 5 電膜1913，該導(dǎo)電膜1913的一部分與形成薄膜晶體管1900a至1900f 的源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域1909、 1911接觸。絕緣膜通過(guò)CVD法、濺射 法、SOG法、液滴噴出法、或絲網(wǎng)印刷法等使用硅的氧化物及硅的氮化 物等的無(wú)機(jī)材料、聚酰亞胺、聚酰胺、苯并環(huán)丁烯、丙烯、環(huán)氧等的 有機(jī)材料、硅氧烷材料的任何一種或多種，以單層或疊層的方式形成。
io 在此，以?xún)蓪拥姆绞皆O(shè)置所述絕緣膜，分別形成氮氧化硅膜和氧氮化 硅膜作為第一層絕緣膜1912a和第二層絕緣膜1912b。此外，導(dǎo)電膜 1913用作半導(dǎo)體膜1905a至1905f的源電極或漏電極。
此外，優(yōu)選在形成絕緣膜1912a、 1912b之前，或者在形成絕緣膜 1912a、 1912b中的一個(gè)或多個(gè)薄膜之后，進(jìn)行用于恢復(fù)半導(dǎo)體膜的結(jié)
15 晶性、使添加到半導(dǎo)體膜中的雜質(zhì)元素活性化、或者使半導(dǎo)體膜氫化 的加熱處理。作為加熱處理，優(yōu)選適用熱退火法、激光退火法、或者 RTA法等。
通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等，使用選自鋁、鎢、鈦、鉭、鉬、鎳、鉬、 銅、金、銀、錳、釹、碳、硅中的元素、或者以這些元素為主要成分
20的合金材料或化合物材料以單層或疊層的方式形成導(dǎo)電膜1913。以鋁 為主要成分的合金材料例如相當(dāng)于以鋁為主要成分且含有鎳的材料、 或者以鋁為主要成分且含有碳和硅中的一者或兩者與鎳的合金材料。 作為導(dǎo)電膜1913，例如優(yōu)選使用由阻擋膜、鋁硅(A1-Si)膜和阻擋膜組 成的疊層結(jié)構(gòu)、或者由阻擋膜、鋁硅膜、氮化鈦膜和阻擋膜組成的疊
25 層結(jié)構(gòu)。此外，阻擋膜相當(dāng)于由鈦、鈦的氮化物、鉬或鉬的氮化物組 成的薄膜。因?yàn)殇X或者鋁硅具有電阻低并且價(jià)格低廉的特征，所以作 為用于形成導(dǎo)電膜1913的材料最合適。此外，當(dāng)設(shè)置上層和下層的阻 擋層時(shí)，可以防止鋁或鋁硅的小丘的產(chǎn)生。此外，當(dāng)形成由高還原性 的元素即鈦構(gòu)成的阻擋膜時(shí)，即使在結(jié)晶半導(dǎo)體膜上形成有較薄的自
30 然氧化膜，也可以使該自然氧化膜還原，而獲得與結(jié)晶半導(dǎo)體膜的良 好接觸。
接下來(lái)，覆蓋導(dǎo)電膜1913地形成絕緣膜1914，并且在該絕緣膜 1914上形成導(dǎo)電膜1915a、 1915b，該導(dǎo)電膜1915a、 1915b與用作半 導(dǎo)體膜1905a、 1905f的源電極或漏電極的導(dǎo)電膜1913的一部分接觸。 35此外，還形成導(dǎo)電膜1916a、 1916b，該導(dǎo)電膜1916a、 1916b的一部分 與形成半導(dǎo)體膜1905b、 1905e的源電極或漏電極的導(dǎo)電膜1913接觸。此外，導(dǎo)電膜1915a、 1915b和導(dǎo)電膜1916a、 1916b也可以由同一材 料形成。導(dǎo)電膜1915a、 1915b和導(dǎo)電膜1916a、 1916b可以使用上述 可用于導(dǎo)電膜1913的任何材料形成。
接下來(lái)，如圖14B所示，將用作天線的導(dǎo)電膜1917a及1917b形 5成為與導(dǎo)電膜1916a、 1916b電連接。
絕緣膜1914通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用如下材料的單層結(jié)構(gòu)或疊 層結(jié)構(gòu)而形成包含氧或氮的絕緣膜如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、 氮氧化硅等、DLC(類(lèi)金剛石碳)等的包含碳的膜、環(huán)氧、聚酰亞胺、聚 酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯等的有機(jī)材料、或者硅氧烷材
io料如硅氧烷樹(shù)脂等。此外，硅氧烷材料相當(dāng)于包含Si-0-Si鍵的材料。 硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅和氧的鍵構(gòu)成。作為取代基，使用至少包含氫 的有機(jī)基(例如垸基、芳烴)。作為取代基，也可以使用氟基?；蛘撸?作為取代基，也可以使用至少包含氫的有機(jī)基以及氟基。
導(dǎo)電膜1917a及1917b通過(guò)CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印刷
15 或凹版印刷等、液滴噴出法、分配器(dispensing)法、鍍敷法等使 用導(dǎo)電材料形成。導(dǎo)電材料是選自鋁、鈦、銀、銅、金、鉬、鎳、鈀、 鉭、鉬中的元素、或者以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材 料，并且以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜1917a及1917b。
例如，在通過(guò)絲網(wǎng)印刷法形成用作天線的導(dǎo)電膜1917a及1917b
20 的情況下，可以通過(guò)選擇性地印刷將粒徑為幾nm至幾十,的導(dǎo)電粒子 溶解或分散于有機(jī)樹(shù)脂中而成的導(dǎo)電膏來(lái)設(shè)置導(dǎo)電膜1917a及1917b。 作為導(dǎo)電粒子，可以使用銀、金、銅、鎳、鉑、鈀、鉭、鉬、以及鈦 等的任何一個(gè)以上的金屬粒子或鹵化銀的微粒、或者分散性納米粒子。 作為包含于導(dǎo)電膏的有機(jī)樹(shù)脂，可以使用選自用作金屬粒子的粘合劑、
25 溶劑、分散劑及覆蓋劑的有機(jī)樹(shù)脂中的一個(gè)或多個(gè)。可以典型地舉出 環(huán)氧樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂等的有機(jī)樹(shù)脂。此外，在形成導(dǎo)電膜時(shí)，優(yōu)選在 擠出導(dǎo)電膏之后進(jìn)行焙燒。例如，在作為導(dǎo)電膏的材料使用以銀為主 要成分的微粒(例如粒徑為lnm以上100nm以下)的情況下，可以通過(guò) 在150°C以上300°C以下的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行焙燒來(lái)硬化，而獲得導(dǎo)電膜。
30此外，也可以使用以焊料或無(wú)鉛焊料為主要成分的微粒，在此情況下， 優(yōu)選使用粒徑2(^m以下的微粒。焊料或無(wú)鉛焊料具有低成本的優(yōu)點(diǎn)。 接下來(lái)，如圖14C所示，在覆蓋導(dǎo)電膜1917a及1917b地形成絕 緣膜1918之后，從襯底1901剝離包括薄膜晶體管1900a至1900f、導(dǎo) 電膜1917a及1917b等的層(以下寫(xiě)為"元件形成層1919")。在此，
35 可以通過(guò)照射激光束(例如UV光)在除了薄膜晶體管1900a至1900f以 外的區(qū)域中形成開(kāi)口部之后，利用物理力從襯底1901剝離元件形成層1919。此外，也可以在從襯底1901剝離元件形成層1919之前，將蝕 刻劑引入到形成的開(kāi)口部中來(lái)選擇性地去除剝離層1903。作為蝕刻劑， 使用含氟化鹵素或鹵素化合物的氣體或液體。例如，作為含氟化鹵素 的氣體使用三氟化氯(C1F3)。于是，元件形成層1919處于從襯底1901 5 剝離了的狀態(tài)。此外，剝離層1903可以部分地殘留而不完全去除。通 過(guò)上述方式，可以抑制蝕刻劑的消耗量，并且縮短為去除剝離層所花 費(fèi)的處理時(shí)間。此外，在去除剝離層1903之后，也可以在襯底1901 上保持元件形成層1919。此外，通過(guò)再利用剝離了元件形成層1919 的襯底1901，可以縮減成本。 io 絕緣膜1918通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用如下材料的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)而形成包含氧或氮的絕緣膜如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、 氮氧化硅等、DLC(類(lèi)金剛石碳)等的包含碳的膜、環(huán)氧、聚酰亞胺、聚 酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯等的有機(jī)材料、或硅氧烷材料 如硅氧烷樹(shù)脂等。15 在本實(shí)施方式中，如圖15A所示，在通過(guò)激光束的照射在元件形成層1919中形成開(kāi)口部之后，將第一片材1920貼合到該元件形成層 1919的一個(gè)表面(露出絕緣膜1918的面)，然后從襯底1901剝離元件 形成層1919。接下來(lái)，如圖15B所示，將第二片材1921貼合到元件形成層191920 的另一個(gè)表面(因剝離而露出的面)，然后進(jìn)行加熱處理和加壓處理中 的一者或兩者，來(lái)貼合第二片材1921。作為第一片材1920、第二片材 1921，可以使用熱熔膜等。作為第一片材1920、第二片材1921，也可以使用進(jìn)行了防止靜電 等的帶電防止處理的膜(以下寫(xiě)為帶電防止膜)。作為帶電防止膜，可25以舉出在樹(shù)脂中分散有帶電防止材料的膜、以及貼有帶電防止材料的 膜等。作為提供有帶電防止材料的膜，既可采用單面上提供有帶電防 止材料的膜，又可采用雙面上提供有帶電防止材料的膜。關(guān)于單面上 提供有帶電防止材料的膜，既可將提供有帶電防止材料的一面置于膜 的內(nèi)側(cè)地貼到層上，又可將提供有帶電防止材料的一面置于膜的外側(cè)30 地貼到層上。此外，帶電防止材料提供在膜的整個(gè)面或一部分上即可。 在此，作為帶電防止材料，可以使用金屬、銦和錫的氧化物(ITO)、界 面活性劑如兩性界面活性劑、陽(yáng)離子界面活性劑、非離子界面活性劑 等。此外，作為帶電防止材料，除了上述以外，還可以使用包含具有 羧基和季銨堿作為側(cè)鏈的交聯(lián)共聚物高分子的樹(shù)脂材料等。可以通過(guò)35 將這些材料貼在膜上，揉入在膜中，或者涂敷在膜上而形成帶電防止 膜。通過(guò)使用帶電防止膜進(jìn)行密封，可以抑制當(dāng)作為商品使用時(shí)來(lái)自外部的靜電等給半導(dǎo)體元件造成的負(fù)面影響。
在本實(shí)施方式中示出從襯底1901剝離元件形成層1919而利用的 例子，然而也可以不設(shè)置剝離層1903，而在襯底1901上制造上述元件 形成層1919，來(lái)作為半導(dǎo)體裝置而利用。當(dāng)作為襯底1901使用SOI 5 (Silicon on Insulator;絕緣體上硅)襯底時(shí)，作為半導(dǎo)體膜可以 使用單晶半導(dǎo)體膜，因而可以省略半導(dǎo)體膜的晶化步驟。
如上所述，通過(guò)使用本實(shí)施方式的制造方法，可以提供一種半導(dǎo) 體裝置，該半導(dǎo)體裝置小，具有對(duì)物理形狀的柔軟性，并包括能夠產(chǎn) 生穩(wěn)定時(shí)鐘信號(hào)的本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路。 io 本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。
實(shí)施方式5
在本實(shí)施方式中，說(shuō)明通過(guò)使用形成于單晶襯底的晶體管制造具 有本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的半導(dǎo)體裝置的例子。
首先，如圖16A所示，在半導(dǎo)體襯底2300上形成用來(lái)使半導(dǎo)體元 15 件電分離的元件分離絕緣膜2301。通過(guò)形成元件分離絕緣膜2301，可 以使用來(lái)形成晶體管的區(qū)域(元件形成區(qū)2302和元件形成區(qū)2303)電 分離。
作為半導(dǎo)體襯底2300，例如可以使用具有n型或p型導(dǎo)電類(lèi)型的 單晶硅襯底、化合物半導(dǎo)體襯底(GaAs襯底、InP襯底、GaN襯底、SiC 20 襯底、藍(lán)寶石襯底、ZnSe襯底等)、以及使用貼合法或SIMOX(S印aration by Implanted Oxygen;注入氧隔離)法來(lái)制造的SOI襯底。再者，在 使用SOI襯底的情況下，也可以采用將SOI襯底貼合在玻璃襯底上的 結(jié)構(gòu)。
作為元件分離絕緣膜2301的形成方法，可以使用選擇氧化法 25 (LOCOS; Local Oxidation of Silicon)或溝槽隔離法等。
另外，本實(shí)施方式示出了使用具有n型導(dǎo)電類(lèi)型的單晶硅襯底作 為半導(dǎo)體襯底2300，并且在元件形成區(qū)2303中形成p阱2304的例子。 形成在半導(dǎo)體襯底2300的元件形成區(qū)2303中的p阱2304可以通過(guò)將 賦予P型導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)元素選擇性地引入到元件形成區(qū)2303中來(lái)形 30 成。作為賦予p型的雜質(zhì)元素，可以使用硼、鋁、鎵等。另外，在使 用具有P型導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底作為半導(dǎo)體襯底2300的情況下，將 賦予n型的雜質(zhì)元素選擇性地引入到元件形成區(qū)2302中來(lái)形成n阱即 可。
注意，在本實(shí)施方式中，因?yàn)槭褂镁哂衝型導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯 35底作為半導(dǎo)體襯底2300，所以對(duì)元件形成區(qū)2302沒(méi)有引入雜質(zhì)元素。 但是，也可以通過(guò)引入賦予n型的雜質(zhì)元素而在元件形成區(qū)2302中形成n阱。作為賦予n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷和砷等。接著，如圖16B所示，以覆蓋元件形成區(qū)2302、 2303的方式分別 形成絕緣膜2305、 2306。在本實(shí)施方式中，將通過(guò)使半導(dǎo)體襯底2300 熱氧化而形成在元件形成區(qū)2302、 2303的氧化硅膜用作絕緣膜2305、 5 2306。另外，也可以在通過(guò)熱氧化來(lái)形成氧化硅膜之后進(jìn)行氮化處理， 使氧化硅膜的表面氮化來(lái)形成氧氮化硅膜，以將層疊有氧化硅膜和氧 氮化硅膜的層用作絕緣膜2305、 2306。另外，也可以采用等離子體處理來(lái)形成絕緣膜2305、 2306。例如， 通過(guò)利用高密度等離子體處理使半導(dǎo)體襯底2300的表面氧化或氮化， io可以在元件形成區(qū)2302、 2303上形成用作絕緣膜2305、 2306的氧化 硅膜或氮化硅膜。接著，如圖16C所示，以覆蓋絕緣膜2305、 2306的方式形成導(dǎo)電 膜。在本實(shí)施方式中，示出了使用按順序?qū)盈B了的導(dǎo)電膜2307和導(dǎo)電 膜2308作為導(dǎo)電膜的例子。作為導(dǎo)電膜，可以使用單層導(dǎo)電膜，也可 15以使用層疊有三層以上的導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)。作為導(dǎo)電膜2307、 2308，可以使用鉭、鎢、鈦、鉬、鋁、銅、鉻 或鈮等。另外，作為導(dǎo)電膜2307、 2308，除了使用由上述金屬形成的 膜以外，還可以使用由以上述金屬為主要成分的合金形成的膜或使用 包含上述金屬的化合物來(lái)形成的膜。或者，也可以使用對(duì)半導(dǎo)體膜摻 20 雜賦予導(dǎo)電性的磷等雜質(zhì)元素而形成的多晶硅等半導(dǎo)體來(lái)形成。在本 實(shí)施方式中，使用氮化鉭形成導(dǎo)電膜2307，并且使用鎢形成導(dǎo)電膜 2308。接著，如圖17A所示，通過(guò)將層疊設(shè)置的導(dǎo)電膜2307、 2308加工 成預(yù)定形狀(圖案形成等)，在絕緣膜2305、 2306上形成柵電極2309、 25 2310。接著，如圖17B所示，以覆蓋元件形成區(qū)2302的方式使用抗蝕劑 選擇性地形成掩模2311。然后，對(duì)元件形成區(qū)2303引入雜質(zhì)元素。除 了掩模2311以外，柵電極2310也用作掩模，所以通過(guò)引入上述雜質(zhì) 元素，在p阱2304中形成用作源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)2312和溝道形成 30 區(qū)2313。作為雜質(zhì)元素，使用賦予n型的雜質(zhì)元素或賦予p型的雜質(zhì) 元素。作為賦予n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷或砷等。作為賦予p型 的雜!元素，可以使用硼、鋁、鎵等。在本實(shí)施方式中，使用磷作為 雜質(zhì)元素。接著，在去除掩模2311之后，如圖17C所示，以覆蓋元件形成區(qū) 352303的方式使用抗蝕劑選擇性地形成掩模2314。然后，對(duì)元件形成區(qū) 2302引入雜質(zhì)元素。除了掩模2314以外，柵電極2309也用作掩模，所以通過(guò)引入上述雜質(zhì)元素，在元件形成區(qū)2302內(nèi)的半導(dǎo)體襯底2300 中形成用作源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)2315和溝道形成區(qū)2316。作為雜質(zhì)元 素，使用賦予n型的雜質(zhì)元素或賦予p型的雜質(zhì)元素。作為賦予n型 的雜質(zhì)元素，可以使用磷或砷等。作為賦予P型的雜質(zhì)元素，可以使 5 用硼、鋁、鎵等。在本實(shí)施方式中，引入具有與在圖17B中對(duì)元件形 成區(qū)2303引入的雜質(zhì)元素不同的導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)元素(例如硼)。接著，如圖18A所示，以覆蓋絕緣膜2305、 2306、柵電極2309、 2310的方式形成絕緣膜2317。然后，在絕緣膜2317中形成接觸孔， 使雜質(zhì)區(qū)2312、 2315的一部分露出。接著，形成通過(guò)接觸孔與雜質(zhì)區(qū) io2312、 2315連接的導(dǎo)電膜2318。導(dǎo)電膜2318可以通過(guò)CVD法或?yàn)R射 法等形成。絕緣膜2317可以使用無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料或有機(jī)材料及無(wú)機(jī)材料 的混合材料來(lái)形成。例如，可以使用氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、 以DLC (類(lèi)金剛石碳)為代表的含碳的膜、丙烯、環(huán)氧、聚酰亞胺、聚 15酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯等。另外，絕緣膜2317可以根據(jù)其材 料通過(guò)CVD法、濺射法、液滴噴出法或印刷法等形成。注意，用于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的晶體管不局限于在本實(shí)施方式 中示出于附圖上的結(jié)構(gòu)。例如，也可以是反交錯(cuò)(inversely staggered)結(jié)構(gòu)。20 接著，如圖18B所示，形成層間膜2324。然后蝕刻層間膜2324來(lái)形成接觸孔，以使導(dǎo)電膜2318的一部分露出。層間膜2324不局限 于樹(shù)脂，也可以為CVD氧化膜等的其他膜，但是，從平坦性的觀點(diǎn)來(lái) 看，優(yōu)選為樹(shù)脂。此外，也可以使用感光樹(shù)脂，來(lái)以不進(jìn)行蝕刻的方 式形成接觸孔。接著，在層間膜2324上形成通過(guò)接觸孔與導(dǎo)電膜231825 接觸的布線2325。接著，以與布線2325接觸的方式形成用作天線的導(dǎo)電膜2326。導(dǎo) 電膜2326可以使用銀、金、銅、鈀、鉻、鉬、鉬、鈦、鉭、鎢、鋁、 鐵、鈷、鋅、錫、鎳等金屬來(lái)形成。作為導(dǎo)電膜2326，除了使用由上 述金屬形成的膜之外，還可以使用由以上述金屬為主要成分的合金形30成的膜或使用包含上述金屬的化合物來(lái)形成的膜。導(dǎo)電膜2326可以以 單層使用上述膜，也可以層疊使用上述多個(gè)膜。導(dǎo)電膜2326可以通過(guò)使用CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印刷或 凹版印刷等、液滴噴出法、分配器法、鍍敷法、光刻法、氣相沉積法 等來(lái)形成。35 注意，在本實(shí)施方式中雖然說(shuō)明了在與半導(dǎo)體元件相同的襯底上形成天線的實(shí)例，但本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以在形成半導(dǎo)體元件之后，使另外形成的天線與具有該半導(dǎo)體元件的集成電路電連接。在此情況下，可以通過(guò)使用各向異性導(dǎo)電膜(ACF; Anisotr叩ic Conductive Film)或各向異性導(dǎo)電膏(ACP; Anisotropic Conductive Paste)等使天線和集成電路壓合，來(lái)使它們電連接。另外，也可以使 5用銀膏、銅膏或碳膏等導(dǎo)電粘結(jié)劑或焊接等來(lái)實(shí)現(xiàn)連接。如上所述，通過(guò)使用本實(shí)施方式的制造方法，可以抑制晶體管的 特性不均勻性，因此可以減少用于半導(dǎo)體裝置的晶體管數(shù)量，而且可 以提供一種包括能夠產(chǎn)生穩(wěn)定時(shí)鐘信號(hào)的本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路 的半導(dǎo)體裝置。 10 本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式6在本實(shí)施方式中，說(shuō)明具有上述實(shí)施方式的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的 半導(dǎo)體裝置的使用例子。圖19A至19F示出具有上述實(shí)施方式的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的半導(dǎo)15 體裝置的使用例子。半導(dǎo)體裝置可以廣泛應(yīng)用，例如可以提供到物品 如鈔票、硬幣、證券、無(wú)記名債券、證書(shū)(駕駛證、居民卡等，參照?qǐng)D 19A)、記錄媒體(DVD軟件、錄像帶等，參照?qǐng)D19B)、包裝用容器(包 裝紙、瓶子等，參照?qǐng)D19C)、車(chē)輛(自行車(chē)等，參照?qǐng)D19D)、個(gè)人物 品(包、眼鏡等)、食物、植物、動(dòng)物、人體、衣服、生活器具、電子20 器具(液晶顯示器、EL顯示器、電視裝置、或便攜式電話機(jī))等，或 者可以提供到包裹運(yùn)輸標(biāo)簽(參照?qǐng)Dl犯和19F)等。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置4000以安裝在印刷襯底上、附著到表面上、 或者嵌入的方式固定到物品上。例如，半導(dǎo)體裝置嵌入在書(shū)本的紙張 里，或者嵌入在包裝的有機(jī)樹(shù)脂里以在每個(gè)物品中固定。就根據(jù)本發(fā)25明的半導(dǎo)體裝置4000而言，因?yàn)閷?shí)現(xiàn)了尺寸小、厚度薄以及重量輕， 所以即使在固定到物品中以后也不會(huì)影響到所述物品本身的設(shè)計(jì)性。 另外，通過(guò)在鈔票、硬幣、證券、無(wú)記名債券和證書(shū)等中提供本發(fā)明 的半導(dǎo)體裝置4000，可以提供認(rèn)證功能，而且通過(guò)利用所述認(rèn)證功能 可以防止對(duì)其的偽造。另外，可以通過(guò)在包裝用容器、記錄媒體、個(gè)30 人物品、食物、衣服、生活器具和電子器具等中提供本發(fā)明的半導(dǎo)體 裝置4000，提高檢測(cè)系統(tǒng)等的系統(tǒng)運(yùn)行效率。另外，通過(guò)在車(chē)輛中提 供本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置4000，可以提高防止偷竊等的安全性。如上所述，通過(guò)將具有本發(fā)明的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路的半導(dǎo)體裝置 適用于本實(shí)施方式中舉出的各種用途，可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的工作，由此可35 以提高物品的認(rèn)證性或安全性等。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。本說(shuō)明書(shū)根據(jù)2007年4月27日在日本專(zhuān)利局受理的日本專(zhuān)利申 請(qǐng)編號(hào)2007-117849而制作，所述申請(qǐng)內(nèi)容包括在本說(shuō)明書(shū)中。
權(quán)利要求
1. 一種時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，包括沿檢測(cè)電路，該電路檢測(cè)輸入了的信號(hào)的沿；基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，該電路產(chǎn)生基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)；計(jì)數(shù)電路，該電路根據(jù)從所述沿檢測(cè)電路輸入了的信號(hào)計(jì)數(shù)所述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的沿?cái)?shù)；占空比選擇電路，該電路根據(jù)在所述計(jì)數(shù)電路中的所述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的計(jì)數(shù)值選擇預(yù)定的占空比；以及分頻電路，該電路對(duì)所述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行分頻，并產(chǎn)生具有被所述占空比選擇電路選擇的所述占空比的時(shí)鐘信號(hào)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，其中所述占空比選 擇電路包括存儲(chǔ)部及占空比選擇部，該存儲(chǔ)部存儲(chǔ)多個(gè)占空比的數(shù)據(jù)， 而該占空比選擇部判定從所述計(jì)數(shù)電路輸入了的所述計(jì)數(shù)值，根據(jù)所 述計(jì)數(shù)值從所述存儲(chǔ)部選出一個(gè)占空比的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)輸出到 所述分頻電路。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，其中所述沿檢測(cè)電 路是組合計(jì)數(shù)電路、鎖存電路、NOT電路、AND電路、0R電路、NAND 電路、N0R電路、EX0R電路及EX-N0R電路中的任何電路的。
4. 一種時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，包括 沿檢測(cè)電路，該電路檢測(cè)輸入了的信號(hào)的沿； 基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，該電路產(chǎn)生基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)； 計(jì)數(shù)電路，該電路根據(jù)從所述沿檢測(cè)電路輸入了的信號(hào)計(jì)數(shù)所 述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的沿?cái)?shù)；占空比選擇電路，該電路根據(jù)在所述計(jì)數(shù)電路中的所述基準(zhǔn)時(shí) 鐘信號(hào)的計(jì)數(shù)值選擇第一及第二占空比；以及分頻電路，該電路對(duì)所述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行分頻，并產(chǎn)生具有 所述第一占空比的第一時(shí)鐘信號(hào)、以及具有所述第二占空比的第二時(shí) 鐘信號(hào)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，其中所述第一占空 比和所述第二占空比相同。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，其中所述占空比選 擇電路包括存儲(chǔ)部及占空比選擇部，該存儲(chǔ)部存儲(chǔ)多個(gè)占空比的數(shù)據(jù)，而該占空比選擇部判定從所述計(jì)數(shù)電路輸入了的所述計(jì)數(shù)值，根據(jù)所述計(jì)數(shù)值從所述存儲(chǔ)部選出 一個(gè)占空比的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)輸出到 所述分頻電路。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，其中所述沿檢測(cè)電路是組合計(jì)數(shù)電路、鎖存電路、NOT電路、AND電路、0R電路、NAND 5電路、N0R電路、EX0R電路及EX-N0R電路中的任何電路的。
8. —種半導(dǎo)體裝置，包括時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，包括沿檢測(cè)電路，該電路檢測(cè)輸入了的信號(hào)的沿； 基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，該電路產(chǎn)生基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)； 10 計(jì)數(shù)電路，該電路根據(jù)從所述沿檢測(cè)電路輸入了的信號(hào)計(jì)數(shù)所述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的沿?cái)?shù)；占空比選擇電路，該電路根據(jù)在所述計(jì)數(shù)電路中的所述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的計(jì)數(shù)值選擇預(yù)定的占空比；以及分頻電路，該電路對(duì)所述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行分頻，并產(chǎn)生具有 15 被所述占空比選擇電路選擇的所述占空比的時(shí)鐘信號(hào)；RF電路，該電路進(jìn)行信號(hào)收發(fā)，并通過(guò)使用所接收的信號(hào)產(chǎn)生 電源電壓；以及邏輯電路，該電路通過(guò)使用所述時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路所產(chǎn)生的所 述時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行計(jì)算處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述占空比選擇電路包括存儲(chǔ)部及占空比選擇部，該存儲(chǔ)部存儲(chǔ)多個(gè)占空比的數(shù)據(jù)，而該 占空比選擇部判定從所述計(jì)數(shù)電路輸入了的所述計(jì)數(shù)值，根據(jù)所述計(jì) 數(shù)值從所述存儲(chǔ)部選出一個(gè)占空比的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)輸出到所述 分頻電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述沿檢測(cè)電路是組合計(jì)數(shù)電路、鎖存電路、NOT電路、AND電路、0R電路、NAND電路、 N0R電路、EX0R電路及EX-N0R電路中的任何電路的。
11.一種半導(dǎo)體裝置，包括時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，包括 30 沿檢測(cè)電路，該電路檢測(cè)輸入了的信號(hào)的沿；基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，該電路產(chǎn)生基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)；計(jì)數(shù)電路，該電路根據(jù)從所述沿檢測(cè)電路輸入了的信號(hào)計(jì)數(shù)所 述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的沿?cái)?shù)；占空比選擇電路，該電路根據(jù)在所述計(jì)數(shù)電路中的所述基準(zhǔn)時(shí) 35 鐘信號(hào)的計(jì)數(shù)值選擇第一及第二占空比；以及分頻電路，該電路對(duì)所述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行分頻，并產(chǎn)生具有所述第一占空比的第一時(shí)鐘信號(hào)、以及具有所述第二占空比的第二時(shí) 鐘信號(hào).° RF電路，該電路進(jìn)行信號(hào)收發(fā)，并通過(guò)使用所接收的信號(hào)產(chǎn)生 電源電壓；以及5 邏輯電路，該電路通過(guò)使用所述時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路所產(chǎn)生的所述時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行計(jì)算處理。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述占空比選擇電 路包括存儲(chǔ)部及占空比選擇部，該存儲(chǔ)部存儲(chǔ)多個(gè)占空比的數(shù)據(jù)，而 該占空比選擇部判定從所述計(jì)數(shù)電路輸入了的所述計(jì)數(shù)值，根據(jù)所述io計(jì)數(shù)值從所述存儲(chǔ)部選出一個(gè)占空比的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)輸出到所 述分頻電路。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述沿檢測(cè)電路是 組合計(jì)數(shù)電路、鎖存電路、N0T電路、AND電路、0R電路、NAND電路、 NOR電路、EXOR電路及EX-NOR電路中的任何電路的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路及半導(dǎo)體裝置，目的如下在能夠進(jìn)行無(wú)線通信的半導(dǎo)體裝置中，即使用來(lái)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)根據(jù)每個(gè)周期而具有不同的頻率，也可以產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。本發(fā)明的技術(shù)要點(diǎn)如下包括沿檢測(cè)電路，該電路通過(guò)檢測(cè)輸入了的信號(hào)的沿產(chǎn)生同步信號(hào)、基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路，該電路產(chǎn)生基準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào)、計(jì)數(shù)電路，該電路根據(jù)同步信號(hào)計(jì)數(shù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的上升的沿?cái)?shù)、占空比選擇電路，該電路根據(jù)計(jì)數(shù)了的值選擇時(shí)鐘信號(hào)的占空比、以及分頻電路，該電路產(chǎn)生具有所述被選擇了的占空比的時(shí)鐘信號(hào)。
文檔編號(hào)G06F1/08GK101295972SQ20081008849
公開(kāi)日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2008年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月27日
發(fā)明者遠(yuǎn)藤正已 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所