專(zhuān)利名稱(chēng)：一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種數(shù)字仿真建模方法，特別是關(guān)于一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法。

背景技術(shù)：
可控并聯(lián)電抗器技術(shù)是協(xié)調(diào)超長(zhǎng)距離超高壓線(xiàn)路和特高壓線(xiàn)路中無(wú)功調(diào)節(jié)和過(guò)電壓抑制間矛盾的技術(shù)，是建設(shè)特高壓交流電網(wǎng)所必需的關(guān)鍵技術(shù)之一，因此具有廣闊的應(yīng)用前景?？煽夭⒙?lián)電抗器具有可靠性高、造價(jià)低、占地小、運(yùn)行維護(hù)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，其應(yīng)用不僅可以簡(jiǎn)化無(wú)功電壓控制措施，而且可以提高線(xiàn)路輸送功率、提高系統(tǒng)穩(wěn)定性、限制工頻過(guò)電壓、抑制潛供電流，對(duì)于超高壓、特高壓電網(wǎng)的發(fā)展和建設(shè)具有非常重要的意義和作用。
磁控式并聯(lián)電抗器通過(guò)改變直流勵(lì)磁電流的大小來(lái)改變鐵心的磁飽和程度，從而可連續(xù)平穩(wěn)快速調(diào)整其電抗值，因而具有非常優(yōu)越的控制性能。磁控式并聯(lián)電抗器仿真建模方法是磁控式并聯(lián)電抗器工作原理分析的核心技術(shù)，也是磁控式并聯(lián)電抗器本體及其控制裝置研制的關(guān)鍵技術(shù)，還是對(duì)磁控式并聯(lián)電抗器進(jìn)行穩(wěn)態(tài)、暫態(tài)和動(dòng)態(tài)仿真分析的基礎(chǔ)，其為磁控式并聯(lián)電抗器本體及其控制系統(tǒng)電氣參數(shù)的選擇和系統(tǒng)級(jí)分析提供數(shù)字仿真技術(shù)手段。
所述建模方法是對(duì)磁控式并聯(lián)電抗器進(jìn)行穩(wěn)態(tài)、暫態(tài)和動(dòng)態(tài)仿真分析的基礎(chǔ)，可為并聯(lián)電抗器本體及其控制系統(tǒng)電氣參數(shù)的選擇和系統(tǒng)級(jí)分析提供數(shù)字仿真技術(shù)手段。但是由于磁控式并聯(lián)電抗器的磁路結(jié)構(gòu)及其特性不同于常規(guī)的變壓器，因此現(xiàn)有的仿真軟件沒(méi)有磁控式并聯(lián)電抗器的仿真模型，無(wú)法進(jìn)行數(shù)字仿真和分析。為了研究和分析磁控式并聯(lián)電抗器的工作原理和特性，有必要建立適合磁控式并聯(lián)電抗器的仿真模型，而已有技術(shù)中尚未見(jiàn)到相同或類(lèi)似的建模方法。


發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種利用仿真軟件中已有的飽和變壓器和飽和電抗器仿真模型來(lái)構(gòu)建磁控式并聯(lián)電抗器仿真模型的數(shù)字仿真建模方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取以下技術(shù)方案一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法，包括以下步驟 (1)首先根據(jù)磁路定律和電路定律，采用等效磁路分解方法，將磁控式并聯(lián)電抗器模型等效成多個(gè)飽和變壓器和飽和電抗器模型，并假設(shè) N11、N12分別為左側(cè)鐵心柱的一次繞組和勵(lì)磁繞組的匝數(shù)， N21、N22分別為右側(cè)鐵心柱的一次繞組和勵(lì)磁繞組的匝數(shù)， i11、i12、u11、u12分別為左側(cè)鐵心柱的原副邊電流和電壓， i21、i22、u21、u22分別為右側(cè)鐵心柱的原副邊電流和電壓， Φ1、Φ2、Φ3、Φ4、Φ5為各磁路中的主磁通， H1、H2、H3、H4、H5、為各主磁通對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度， L1、L2、L3、L4、L5為各主磁通對(duì)應(yīng)的等效磁路長(zhǎng)度， Φ11、Φ12、Φ21、Φ22分別為左側(cè)鐵心柱和右側(cè)鐵心柱的一次繞組和勵(lì)磁繞組的漏磁通， L11、L12、L21、L22為各漏磁通所對(duì)應(yīng)的支路漏電感， r11、r12、r21、r22為各支路的電阻，則控制回路負(fù)載阻抗分別為Z12、Z22； (2)由以上假設(shè)，可得出以下方程 主磁通方程 Φ3＝Φ1-Φ5 (1) Φ4＝Φ2+Φ5 (2) 其中 Φ1＝f1(H1)(3) Φ2＝f2(H2)(4) Φ3＝f3(H3)(5) Φ4＝f4(H4)(6) Φ5＝f5(H5)(7) 漏磁通方程 磁路方程 H3L3＝H5L5+H4L4 (12) H1L1+H3L3＝N11i11+N12i12(13) H2L2+H4L4＝N21i21-N22i22(14) 電壓方程 u12＝Z12i12 (17) u22＝Z22i22 (20) (3)利用現(xiàn)有的雙繞組飽和變壓器模型和飽和電抗器模型，組合構(gòu)造適用于磁控式并聯(lián)電抗器的模型，將所述磁控式并聯(lián)電抗器磁路進(jìn)行等效分解，令 i11＝i11′+i11″(21) i21＝i21′+i21″(22) 其中，i11′、i21′滿(mǎn)足以下約束條件 H1L1＝N11i11′+N12i12(23) H2L2＝N21i21′-N22i22(24) (4)根據(jù)式(21)～(24)及磁路方程(12)～(14)可得 H3L3＝N11i11″ (25) H4L4＝N21i21″ (26) H5L5＝N11i11″-N21i21″(27) (5)根據(jù)以上公式，可將磁路分解為多個(gè)變壓器和電抗器的形式，變壓器A代表左側(cè)鐵心柱的磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足左側(cè)鐵心柱相關(guān)方程，變壓器B代表右側(cè)鐵心柱的磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足右側(cè)鐵心柱相關(guān)方程，電抗器C(也可用副邊開(kāi)路的變壓器代替)代表左旁柱磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足左旁柱相關(guān)方程，電抗器D(也可用副邊開(kāi)路的變壓器代替)代表右旁柱磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足右旁柱相關(guān)方程，變壓器E代表上下軛磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足上下軛相關(guān)方程。
所述步驟(2)中的所述由雙繞組飽和變壓器模型和飽和電抗器模型組合而成的模型，同時(shí)，分解后的磁路還滿(mǎn)足感應(yīng)電勢(shì)守恒 e11＝e3+e51(28) e21＝e4-e52(29) 其中， e11、e3、e51分別為變壓器A、電抗器C、變壓器E在匝數(shù)為N11的繞組上的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) e21、e4為變壓器B、電抗器D在匝數(shù)為N21的繞組的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) e52為匝數(shù)為N21的線(xiàn)圈的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) 即 經(jīng)過(guò)積分可得 Φ1+Φ1(0)＝Φ3+Φ3(0)+Φ5+Φ5(0)(32) Φ2+Φ2(0)＝Φ4+Φ4(0)-Φ5-Φ5(0)(33) 其中Φ1(0)、Φ2(0)、Φ3(0)、Φ4(0)、Φ5(0)分別為Φ1、Φ2、Φ3、Φ4、Φ5對(duì)應(yīng)的初始磁通，如果初始磁通滿(mǎn)足Φ1(0)＝Φ3(0)+Φ5(0)，則所述方程(1)成立；如果初始磁通滿(mǎn)足Φ2(0)＝Φ4(0)-Φ5(0)，則所述方程(2)成立；使用所述分解模型只需合理設(shè)置初始磁通值就能夠保證磁控式并聯(lián)電抗器模型分解前后完全等效。
所述步驟(5)中的，電抗器C和電抗器D均可用副邊開(kāi)路的變壓器代替。
所述模型中涉及的參數(shù)可由變壓器和電抗器鐵心結(jié)構(gòu)以及接線(xiàn)方式推算出來(lái)。
所述仿真建模方法生成的磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真模型采用現(xiàn)有的飽和變壓器和飽和電抗器等效模型，可集成于現(xiàn)有的電氣工程仿真軟件。
本發(fā)明由于采取以上技術(shù)方案，其具有以下優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明利用現(xiàn)有仿真軟件中的飽和變壓器和飽和電抗器模型，構(gòu)建磁控式并聯(lián)電抗器仿真模型、原理清晰、方法簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)，且模型精確可靠，可集成于現(xiàn)有的仿真軟件中，擴(kuò)展相應(yīng)的仿真功能。2、利用本發(fā)明的數(shù)字仿真建模方法，為檢驗(yàn)系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)控制方法和暫態(tài)控制方法提供了有效手段。



圖1是磁控式并聯(lián)電抗器單相鐵心結(jié)構(gòu)截面示意圖 圖2是磁控式并聯(lián)電抗器一次電氣接線(xiàn)示意圖 圖3是磁控式并聯(lián)電抗器單相鐵心磁路結(jié)構(gòu)示意圖 圖4是本發(fā)明磁控式并聯(lián)電抗器單相數(shù)字仿真模型示意圖
具體實(shí)施例方式 以下通過(guò)實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的描述。
本發(fā)明包括磁控式并聯(lián)電抗器鐵心結(jié)構(gòu)及工作原理的描述和仿真建模方法。
1、磁控式并聯(lián)電抗器鐵心結(jié)構(gòu) 如圖1所示，磁控式并聯(lián)電抗器采用單相裂心式結(jié)構(gòu)。其結(jié)構(gòu)為單相四柱，其中繞組1和繞組2為可控電抗器的一次繞組，將其同名端并聯(lián)后接入電網(wǎng)；繞組3和繞組4為可控電抗器的二次繞組，即勵(lì)磁繞組或稱(chēng)控制繞組；勵(lì)磁繞組置于內(nèi)側(cè)，一次繞組置于外側(cè)。一次繞組在交流電壓的作用下，兩鐵心I、II中將產(chǎn)生同方向的交流磁感應(yīng)強(qiáng)度B1、B2，其中B1主要通過(guò)I、III柱構(gòu)成閉合回路，B2主要通過(guò)II、IV柱構(gòu)成閉合回路。在直流控制電壓作用下，兩鐵心I、II中將產(chǎn)生方向相反的直流磁感應(yīng)強(qiáng)度B0，并主要通過(guò)I、II鐵心閉合。因此直流磁通對(duì)I、II鐵心分別交替起助磁和去磁作用，鐵心III、IV主要受交流電壓作用，始終工作于磁化曲線(xiàn)不飽和段。
如圖2所示，LA1、LB1、LC1、LA2、LB2、LC2分別為每個(gè)單相電抗器的一次繞組，La1、Lb1、Lc1、La2、Lb2、Lc2分別為每個(gè)單相電抗器的勵(lì)磁繞組。Ba1、Bb1、Bc1和Ba2、Bb2、Bc2分別為并聯(lián)在勵(lì)磁繞組上的三相旁路斷路器。ZD為三相可控硅整流器，Ln為中性點(diǎn)小電抗。一次繞組采用星形聯(lián)結(jié)方式接入電網(wǎng)，中性點(diǎn)經(jīng)小電抗器接地以抑制潛供電流。勵(lì)磁繞組為三角形聯(lián)結(jié)，兩個(gè)開(kāi)口三角反并聯(lián)后與直流勵(lì)磁支路相連。
磁控式并聯(lián)電抗器接入系統(tǒng)以后，控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)系統(tǒng)的電壓、電流、無(wú)功等電網(wǎng)參數(shù)，經(jīng)過(guò)處理后按照設(shè)定的控制調(diào)節(jié)方法調(diào)整三相整流器的輸出直流電流，改變電抗器鐵心磁路的飽和程度，從而快速實(shí)時(shí)跟蹤系統(tǒng)變化并平滑地控制電抗器的阻抗參數(shù)，以達(dá)到實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)電壓和無(wú)功的目的。
2、磁控式并聯(lián)電抗器的數(shù)字仿真建模方法 如圖3所示，N11、N12分別為左側(cè)鐵心柱的一次繞組和勵(lì)磁繞組的匝數(shù)，N21、N22分別為右側(cè)鐵心柱的一次繞組和勵(lì)磁繞組的匝數(shù)。
i11、i12、u11、u12分別為左側(cè)鐵心柱的原副邊電流和電壓。
i21、i22、u21、u22分別為右側(cè)鐵心柱的原副邊電流和電壓。
Φ1、Φ2、Φ3、Φ4、Φ5為磁路中的主磁通。
H1、H2、H3、H4、H5為主磁通對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
L1、L2、L3、L4、L5為主磁通對(duì)應(yīng)的等效磁路長(zhǎng)度。
Φ11、Φ12、Φ21、Φ22分別為左側(cè)鐵心柱和右側(cè)鐵心柱的一次繞組和勵(lì)磁繞組的漏磁通。設(shè)各漏磁通(磁路不飽和)所對(duì)應(yīng)的支路漏電感為L(zhǎng)11、L12、L21、L22，各支路的電阻分別為r11、r12、r21、r22，控制回路負(fù)載阻抗分別為Z12、Z22。根據(jù)圖3，可得出以下方程 主磁通方程 Φ3＝Φ1-Φ5(1) Φ4＝Φ2+Φ5(2) 其中 Φ1＝f1(H1)(3) Φ2＝f2(H2)(4) Φ3＝f3(H3)(5) Φ4＝f4(H4)(6) Φ5＝f5(H5)(7) 漏磁通方程 磁路方程 H3L3＝H5L5+H4L4 (12) H1L1+H3L3＝N11i11+N12i12 (13) H2L2+H4L4＝N21i21-N22i22 (14) 電壓方程 u12＝Z12i12(17) u22＝Z22i22(20) 由于在磁控式并聯(lián)電抗器自身參數(shù)及外部參數(shù)眾多，因此數(shù)學(xué)模型不易直接實(shí)現(xiàn)。為了便于仿真分析，可利用現(xiàn)有的雙繞組飽和變壓器模型和飽和電抗器模型，組合構(gòu)造適用于磁控式并聯(lián)電抗器的模型。
如圖4所示，磁控式并聯(lián)電抗器磁路等效分解方法如下 令 i11＝i11′+i11″(21) i21＝i21′+i21″(22) 其中，i11′、i21′滿(mǎn)足以下約束條件 H1L1＝N11i11′+N12i12(23) H2L2＝N21i21′-N22i22(24) 根據(jù)式(21)～(24)及磁路方程(12)～(14)可得 H3L3＝N11i11″ (25) H4L4＝N21i21″ (26) H5L5＝N11i11″-N21i21″ (27) 根據(jù)以上公式，我們將磁路分解為如圖4所示的形式。變壓器A代表左側(cè)鐵心柱的磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足左側(cè)鐵心柱相關(guān)方程式，變壓器B代表右側(cè)鐵心柱的磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足右側(cè)鐵心柱相關(guān)方程式，電抗器C(也可用副邊開(kāi)路的變壓器代替)代表左旁柱磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足左旁柱相關(guān)方程式，電抗器D(也可用副邊開(kāi)路的變壓器代替)代表右旁柱磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足右旁柱相關(guān)方程式，變壓器E代表上下軛磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足上下軛相關(guān)方程式。
構(gòu)造的模型完全由雙繞組飽和變壓器模型和飽和電抗器模型組合而成，且滿(mǎn)足約束方程(3)～(20)。同時(shí)，分解后的磁路還滿(mǎn)足感應(yīng)電勢(shì)守恒 e11、e21、e3、e4、e51分別為變壓器A、變壓器B、電抗器C、電抗器D、變壓器E在在匝數(shù)為N11的繞組上的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) e12為匝數(shù)為N12的繞組的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) e21、e4為變壓器B、電抗器D在匝數(shù)為N21的繞組的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) e52為匝數(shù)為N21的線(xiàn)圈感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) e11＝e3+e51(28) e21＝e4-e52(29) 即 經(jīng)過(guò)積分可得 Φ1+Φ1(0)＝Φ3+Φ3(0)+Φ5+Φ5(0)(32) Φ2+Φ2(0)＝Φ4+Φ4(0)-Φ5-Φ5(0)(33) 其中Φ1(0)、Φ2(0)、Φ3(0)、Φ4(0)、Φ5(0)分別為Φ1、Φ2、Φ3、Φ4、Φ5對(duì)應(yīng)的初始磁通。如果初始磁通滿(mǎn)足Φ1(0)＝Φ3(0)+Φ5(0)，則方程(1)成立；如果初始磁通滿(mǎn)足Φ2(0)＝Φ4(0)-Φ5(0)，則方程(2)成立。所以，只需合理設(shè)置初始磁通值就能夠保證磁控式并聯(lián)電抗器模型分解前后完全等效。模型中涉及的參數(shù)可由變壓器、電抗器鐵心結(jié)構(gòu)以及接線(xiàn)方式推算出來(lái)。
本發(fā)明提出的等效磁路分解方法符合磁路定律和電路定律，所構(gòu)造出的磁控式并聯(lián)電抗器仿真模型的數(shù)學(xué)關(guān)系式可以正確描述磁控式并聯(lián)電抗器的工作原理。該仿真模型采用雙繞組飽和變壓器、飽和電抗器等效模型，易于在現(xiàn)有仿真軟件中擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的成功開(kāi)發(fā)，不但解決了現(xiàn)有數(shù)字仿真軟件無(wú)法針對(duì)磁控式并聯(lián)電抗器進(jìn)行仿真分析的技術(shù)難題，而且對(duì)促進(jìn)特高壓、超高壓可控電抗器本體及控制系統(tǒng)的研制具有重大意義。
權(quán)利要求
1.一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法，包括以下步驟
(1)首先根據(jù)磁路定律和電路定律，采用等效磁路分解方法，將磁控式并聯(lián)電抗器模型等效成多個(gè)飽和變壓器和飽和電抗器模型，并假設(shè)
N11、N12分別為左側(cè)鐵心柱的一次繞組和勵(lì)磁繞組的匝數(shù)，
N21、N22分別為右側(cè)鐵心柱的一次繞組和勵(lì)磁繞組的匝數(shù)，
i11、i12、u11、u12分別為左側(cè)鐵心柱的原副邊電流和電壓，
i21、i22、u21、u22分別為右側(cè)鐵心柱的原副邊電流和電壓，
Φ1、Φ2、Φ3、Φ4、Φ5為各磁路中的主磁通，
H1、H2、H3、H4、H5、為各主磁通對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，
L1、L2、L3、L4、L5為各主磁通對(duì)應(yīng)的等效磁路長(zhǎng)度，
Φ11、Φ12、Φ21、Φ22分別為左側(cè)鐵心柱和右側(cè)鐵心柱的一次繞組和勵(lì)磁繞組的漏磁通，
L11、L12、L21、L22為各漏磁通所對(duì)應(yīng)的支路漏電感，
r11、r12、r21、r22為各支路的電阻，則控制回路負(fù)載阻抗分別為Z12、Z22；
(2)由以上假設(shè)，可得出以下方程
主磁通方程
Φ3＝Φ1-Φ5(1)
Φ4＝Φ2+Φ5(2)
其中
Φ1＝f1(H1)(3)
Φ2＝f2(H2)(4)
Φ3＝f3(H3)(5)
Φ4＝f4(H4)(6)
Φ5＝f5(H5)(7)
漏磁通方程
磁路方程
H3L3＝H5L5+H4L4 (12)
H1L1+H3L3＝N11i11+N12i12(13)
H2L2+H4L4＝N21i21-N22i22(14)
電壓方程
u12＝Z12i12(17)
u22＝Z22i22(20)
(3)利用現(xiàn)有的雙繞組飽和變壓器模型和飽和電抗器模型，組合構(gòu)造適用于磁控式并聯(lián)電抗器的模型，將所述磁控式并聯(lián)電抗器磁路進(jìn)行等效分解，令
i11＝i11′+i11″(21)
i21＝i21′+i21″ (22)
其中，i11′、i21′滿(mǎn)足以下約束條件
H1L1＝N11i11′+N12i12(23)
H2L2＝N21i21′-N22i22(24)
(4)根據(jù)式(21)～(24)及磁路方程(12)～(14)可得
H3L3＝N11i11″ (25)
H4L4＝N21i21″ (26)
H5L5＝N11i11″-N21i21″(27)
(5)根據(jù)以上公式，可將磁路分解為多個(gè)變壓器和電抗器的形式，變壓器A代表左側(cè)鐵心柱的磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足左側(cè)鐵心柱相關(guān)方程，變壓器B代表右側(cè)鐵心柱的磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足右側(cè)鐵心柱相關(guān)方程，電抗器C代表左旁柱磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足左旁柱相關(guān)方程，電抗器D代表右旁柱磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足右旁柱相關(guān)方程，變壓器E代表上下軛磁路結(jié)構(gòu)并滿(mǎn)足上下軛相關(guān)方程。
2.如權(quán)利要求1所述的一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法，其特征在于所述步驟(2)中的所述由雙繞組飽和變壓器模型和飽和電抗器模型組合而成的模型，同時(shí)，分解后的磁路還滿(mǎn)足感應(yīng)電勢(shì)守恒
e11＝e3+e51(28)
e21＝e4-e52(29)
其中，e11、e3、e51分別為變壓器A、電抗器C、變壓器E在匝數(shù)為N11的繞組上的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)
e21、e4為變壓器B、電抗器D在匝數(shù)為N21的繞組的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)
e52為匝數(shù)為N21的線(xiàn)圈的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)
即
經(jīng)過(guò)積分可得
Φ1+Φ1(0)＝Φ3+Φ3(0)+Φ5+Φ5(0)(32)
Φ2+Φ2(0)＝Φ4+Φ4(0)-Φ5-Φ5(0)(33)
其中Φ1(0)、Φ2(0)、Φ3(0)、Φ4(0)、Φ5(0)分別為Φ1、Φ2、Φ3、Φ4、Φ5對(duì)應(yīng)的初始磁通，如果初始磁通滿(mǎn)足Φ1(0)＝Φ3(0)+Φ5(0)，則所述方程(1)成立；如果初始磁通滿(mǎn)足Φ2(0)＝Φ4(0)-Φ5(0)，則所述方程(2)成立；使用所述分解模型只需合理設(shè)置初始磁通值就能夠保證磁控式并聯(lián)電抗器模型分解前后完全等效。
3.如權(quán)利要求1所述的一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法，其特征在于所述步驟(5)中的，電抗器C和電抗器D均可用副邊開(kāi)路的變壓器代替。
4.如權(quán)利要求2所述的一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法，其特征在于所述步驟(5)中的，電抗器C和電抗器D均可用副邊開(kāi)路的變壓器代替。
5.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法，其特征在于所述模型中涉及的參數(shù)可由變壓器和電抗器鐵心結(jié)構(gòu)以及接線(xiàn)方式推算出來(lái)。
6.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法，其特征在于所述仿真建模方法生成的磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真模型采用現(xiàn)有的飽和變壓器和飽和電抗器等效模型，可集成于現(xiàn)有的電氣工程仿真軟件。
7.如權(quán)利要求5所述的一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法，其特征在于所述仿真建模方法生成的磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真模型采用現(xiàn)有的飽和變壓器和飽和電抗器等效模型，可集成于現(xiàn)有的電氣工程仿真軟件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法，其特征在于它包括等效磁路的分解方法，根據(jù)磁路定律和電路定律，將磁控式并聯(lián)電抗器模型等效成多個(gè)飽和變壓器和飽和電抗器模型；本發(fā)明利用現(xiàn)有仿真軟件中的飽和變壓器和飽和電抗器模型，構(gòu)建磁控式并聯(lián)電抗器仿真模型、原理清晰、方法簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)，且模型精確可靠，可集成于現(xiàn)有的仿真軟件中，擴(kuò)展相應(yīng)的仿真功能；利用本發(fā)明的數(shù)字仿真建模方法，為檢驗(yàn)系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)控制方法和暫態(tài)控制方法提供了有效手段。
文檔編號(hào)G06F17/50GK101226566SQ20081005697
公開(kāi)日2008年7月23日 申請(qǐng)日期2008年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月28日
發(fā)明者鄧占鋒, 于坤山, 軒 王, 晰 雷, 謝敏華, 飛 周 申請(qǐng)人:中國(guó)電力科學(xué)研究院