專(zhuān)利名稱(chēng)：一種內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種內(nèi)存插槽的布局。
背景技術(shù)：
內(nèi)存是電腦、服務(wù)器等設(shè)備必不可少的部件，內(nèi)存一般是通過(guò)內(nèi)存插槽 安裝到主板上。現(xiàn)有的內(nèi)存插槽一般可以分為多個(gè)通道，每個(gè)通道又有多個(gè)插槽，現(xiàn)有技術(shù)中，這些插槽是按CH0—1、 CH1—1、 CH0一2、 CH1—2的順序 布置在主板上的。例如圖1所示是Intel的公板上內(nèi)存插槽的布局。其中， CHO—1為0通道的1號(hào)插槽，CH1—1為1通道的1號(hào)插槽，CHO—2為0通 道的2號(hào)插槽，CH1—2為1通道的2號(hào)插槽，每個(gè)內(nèi)存插槽的終端電容電阻 緊鄰插槽設(shè)置，各個(gè)內(nèi)存插槽之間被終端電容電阻隔開(kāi)。采用這種內(nèi)存插槽 布局的公板，DQ (數(shù)據(jù))信號(hào)的完整性常超過(guò)規(guī)定。而其終端電容電阻還 設(shè)置在公板的背面，在生產(chǎn)的時(shí)候內(nèi)存插槽需要經(jīng)過(guò)波峰焊，其下面的電阻 電容在貼片之后經(jīng)過(guò)波峰焊時(shí)經(jīng)常會(huì)有掉爐的情況發(fā)生，造成產(chǎn)品報(bào)廢，降 低了產(chǎn)品合格率，提高了生產(chǎn)成本。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)，該內(nèi)存插 槽布局結(jié)構(gòu)可以提高DQ信號(hào)質(zhì)量，并且在生產(chǎn)的時(shí)候可以提高成品率，降 j氐生產(chǎn)成本。為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)，包括多 個(gè)內(nèi)存插槽，屬于同一通道的內(nèi)存插槽分為一組，每組內(nèi)存插槽相鄰的設(shè)置 在主板上。進(jìn)一步地，所述內(nèi)存插槽分別配有終端電容電阻，每個(gè)內(nèi)存插槽的終端電容電阻設(shè)置在該內(nèi)存插槽所屬組的 一側(cè)。進(jìn)一 步地，所述相鄰的兩組內(nèi)存插槽之間用其中 一組內(nèi)存插槽的電阻電容隔開(kāi)。進(jìn)一步地，所述的終端電容電阻設(shè)置在所述主板的正面。進(jìn)一步地，所述內(nèi)存插槽為DDR2內(nèi)存的插槽。本實(shí)用新型通過(guò)將屬于同一通道的內(nèi)存插槽集中設(shè)置在一起，經(jīng)對(duì)比實(shí) 驗(yàn)證明，比現(xiàn)有技術(shù)的DQ信號(hào)質(zhì)量有較大的提高。另外，本實(shí)用新型將終 端電阻設(shè)置在主板正面，可以在生產(chǎn)的時(shí)候讓波峰焊更加方便，效率更高， 提高了成品率和產(chǎn)品質(zhì)量，從而降低了生產(chǎn)成本。


圖1是Intel —種公板的底層布局示意圖；圖2是本實(shí)用新型一種實(shí)施例的主板頂層布局示意圖；圖3是圖2所示實(shí)施例的主板底層布局示意圖；圖4是DIMM仿真對(duì)象的拓樸圖；圖5是對(duì)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)進(jìn)行DIMM仿真 實(shí)驗(yàn)的仿真效果圖；圖6是對(duì)一種Intel公板的內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)進(jìn)行DIMM仿真實(shí)驗(yàn)的仿 真效果圖；圖7是對(duì)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)進(jìn)行DIMM仿 真實(shí)驗(yàn)的仿真效果圖；圖8是DDR2內(nèi)存的信號(hào)參數(shù)示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的思路是，將內(nèi)存插槽按通道(CHANNEL)分開(kāi)集中放置。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，但不作為對(duì) 本實(shí)用新型的限定。如圖2所示，是本實(shí)用新型一種實(shí)施例的主板正面的布局示意圖。該實(shí) 施例中，共有四個(gè)內(nèi)存插槽，分屬兩個(gè)通道。其中，屬于l通道的兩個(gè)內(nèi)存 插槽CH1—1和CH1—2被分成一組，集中設(shè)置在一起，兩個(gè)內(nèi)存插槽相鄰設(shè) 置；內(nèi)存插槽CH1—1和CH1_2的終端電容電阻101都被^L置在內(nèi)存插槽 CH1一2的 一側(cè)。屬于0通道的兩個(gè)內(nèi)存插槽CH0—1和CH0_2凈皮分成一組， 集中設(shè)置在一起，兩個(gè)內(nèi)存插槽相鄰設(shè)置；內(nèi)存插槽CH0J和CH0—2的終 端電容電阻101都被設(shè)置在內(nèi)存插槽CH0—2的一側(cè)。屬于1通道的內(nèi)存插 槽和屬于O通道的內(nèi)存插槽之間通過(guò)1通道的內(nèi)存插槽的終端電容電阻101 隔開(kāi)。本實(shí)用新型中，終端電容電阻101被設(shè)置在主板正面，從圖3可以看出， 該實(shí)施例的主板底層未設(shè)置終端電容電阻。為了說(shuō)明本實(shí)用新型的有益效果，采用圖4所示的拓樸結(jié)構(gòu)對(duì)本實(shí)用新 型和現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行DIMM ( Dual Inline Memory Module,雙列直插內(nèi)存模塊) 仿真實(shí)驗(yàn)，圖中，DIMM1和DIMM2分別為通道不同的兩個(gè)內(nèi)存插槽。LI 為北橋MCH (memory controller hub ，內(nèi)存控制器中心)與內(nèi)存插槽DIMM1 之間的距離，L2為內(nèi)存插槽DIMM1和DIMM2之間的距離。首先，對(duì)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行仿真，該實(shí)施例中，L1為115mm, L2為llmm。仿真效果如圖5所示，圖中粗實(shí)線(xiàn)為MCH發(fā)送端DQ (翁:據(jù)) 波形，細(xì)實(shí)線(xiàn)為DIMM 1的波形，虛線(xiàn)為DIMM2的波形。然后，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中Intel的公板布局結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真，其Ll為115mm, L2為30mm。仿真效果如圖6所示，圖中粗實(shí)線(xiàn)為MCH發(fā)送端DQ (數(shù)據(jù)) 波形，細(xì)實(shí)線(xiàn)為DIMM1的波形，虛線(xiàn)為DIMM2的波形?？梢钥闯?，圖6中DIMM1的波形在A、 B兩處各有一個(gè)明顯的回勾， 雖然仍在相關(guān)規(guī)范允許的范圍內(nèi)，但說(shuō)明其性能參數(shù)并不夠好。相對(duì)的，圖 5中DIMM1的波形在A、 B兩處沒(méi)有明顯的回勾，說(shuō)明本實(shí)用新型與現(xiàn)有 技術(shù)相比，具有更好的性能參數(shù)。對(duì)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行仿真，該實(shí)施例中，LI為140mm， L2為llmm。仿真效果如圖7所示，圖中粗實(shí)線(xiàn)為MCH發(fā)送端DQ (數(shù)據(jù)) 波形，細(xì)實(shí)線(xiàn)為DIMM1的波形，虛線(xiàn)為DIMM2的波形。對(duì)圖7進(jìn)行分析可以得出，雖然與圖5所示實(shí)施例相比，本實(shí)施例北橋MCH與內(nèi)存插槽 DIMM1的距離增大了，但對(duì)整體信號(hào)的影響并不明顯。本實(shí)用新型尤其適用于DDR2 ( Double Data Rate 2 )內(nèi)存，DDR2內(nèi)存的信號(hào)參數(shù)如圖8所示。
權(quán)利要求1、一種內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)內(nèi)存插槽，其特征在于，屬于同一通道的內(nèi)存插槽分為一組，每組內(nèi)存插槽相鄰的設(shè)置在主板上。
2、 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述內(nèi)存插 槽分別配有終端電容電阻，每個(gè)內(nèi)存插槽的終端電容電阻設(shè)置在該內(nèi)存插槽 所屬組的一側(cè)。
3、 如權(quán)利要求2所述的內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述相鄰的 兩組內(nèi)存插槽之間用其中 一組內(nèi)存插槽的電阻電容隔開(kāi)。
4、 如權(quán)利要求2所述的內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的終端 電容電阻設(shè)置在所述主板的正面。
5、 如權(quán)利要求1 ~4之任意一項(xiàng)所述的內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)，其特征在 于，所述內(nèi)存插槽為DDR2內(nèi)存的插槽。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種內(nèi)存插槽布局結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)內(nèi)存插槽，屬于同一通道的內(nèi)存插槽分為一組，每組內(nèi)存插槽相鄰的設(shè)置在主板上。本實(shí)用新型通過(guò)將屬于同一通道的內(nèi)存插槽集中設(shè)置在一起，經(jīng)對(duì)比實(shí)驗(yàn)證明，比現(xiàn)有技術(shù)的DQ信號(hào)質(zhì)量有較大的提高。另外，本實(shí)用新型將終端電阻設(shè)置在主板正面，可以在生產(chǎn)的時(shí)候讓波峰焊更加方便，效率更高，提高了成品率和產(chǎn)品質(zhì)量，從而降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)G06F1/16GK201126551SQ20072019447
公開(kāi)日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2007年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月12日
發(fā)明者夏仁軍, 柳賽虎, 陳葉鵬 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司