專利名稱：用于表征器件自加熱的結(jié)構(gòu)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于表征器件自加熱的結(jié)構(gòu)和方法，更具體而言，涉 及一種用于確定具有不同特性和在不同工作條件下的器件的溫度的結(jié)構(gòu)和 方法。
背景技術(shù)：
先進(jìn)的微電子器件為提高的性能采用絕緣體上硅(SOI)技術(shù)，其中 器件的有源區(qū)在薄硅層中，通過掩埋氧化物(BOX)層與體硅襯底隔離。 為有源區(qū)中改善的場分布BOX提供與襯底的電隔離，但是BOX也形成了 在惡劣的工作或應(yīng)力條件下熱從器件向襯底耗散的主要阻擋層。結(jié)果，關(guān) 注的器件處于比環(huán)境或者襯底溫度顯著更高的溫度。
更具體而言，器件例如FET制造在襯底上并且，如所公知的，包括溝 道、柵極和氧化物材料。在溝道至柵極結(jié)內(nèi)，歸因于源極電壓Vs、漏極電 壓Vd、以及柵極電壓Vg而典型產(chǎn)生的自加熱是明顯的。例如，當(dāng)將電壓 施加到器件的源極、柵極和漏極時，典型地分布和程度不均勻的內(nèi)部加熱 開始發(fā)生。在電路的工作狀態(tài)期間，還公知遍及電路的拓樸自加熱是不均 勻的。
在表征和建模器件及其可靠性時，知道在特定條件下精確的器件溫度 是關(guān)鍵的。在一種方法中，通過與關(guān)注的器件處于不同距離的多個監(jiān)測器 件的溫度間接計(jì)算器件溫度。然而，公知器件溫度依賴于所關(guān)注的器件周 圍的環(huán)境(例如RX區(qū)域、STI位置、附近金屬接觸/線的數(shù)目，等)。因 此，利用該方法獲得的溫度僅對于以給定結(jié)構(gòu)和環(huán)境測量的特定器件有效。 當(dāng)然，該估計(jì)的溫度與不同的關(guān)注的器件的溫度是很不同的。
同樣，利用各種模型估計(jì)產(chǎn)生的熱，例如用于MOS晶體管的Berkeley 短溝道IGFET模型(BSIM) 。 BSIM模型近似處于特定設(shè)計(jì)階段的電路 的內(nèi)部工作。使用數(shù)學(xué)統(tǒng)計(jì)模型的這些模型利用電路元件的參數(shù)以幫助設(shè) 計(jì)最終的集成電路。雖然BSIM是近似集成電路內(nèi)部溫度的一種好方法， 但是使用近似和統(tǒng)計(jì)模型僅產(chǎn)生估計(jì)的結(jié)果，該估計(jì)的結(jié)果不能準(zhǔn)確地說 明遍及最終的集成電路產(chǎn)品的截面的溫度變化。
因此，在本技術(shù)領(lǐng)域中存在克服上述不足和限制的需要。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的第一方面中， 一種方法包括確定給定器件的多晶柵極溫度 和確定監(jiān)測器件的溝道溫度。所述方法還包括外推所述監(jiān)測器件的溝道溫 度以獲得所述給定器件的溝道溫度。基于所述多晶柵極溫度和所述溝道溫 度確定所述給定器件的溫度差(AT值)。
在本發(fā)明的另一方面中，所述方法包括測量加熱器件的多晶柵極溫度 和通過使用亞閾值斜率確定監(jiān)測器件的溝道溫度。所述方法還包括外推所 述監(jiān)測器件的溝道溫度至離所述加熱器件零距離，以便獲得所述加熱器件 的溝道溫度。確定所述加熱器件的所述溝道溫度與所述多晶柵極溫度之間 的溫度差(AT值)。
在本發(fā)明的另 一方面中， 一種器件包括具有在其每一個端處具有至少 一個接觸的多晶柵極的加熱器件和與所述加熱器件間隔已知距離的多個監(jiān) 測器件。


圖la和lb示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的器件；
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的圖la的器件的分解圖3a是示出了相對于柵極電流繪制的柵極電壓的圖3b是示出了柵極電阻(單位為歐姆)與多晶柵極溫度的關(guān)系圖4a是示出了相對于柵極電流繪制的柵極電壓的圖4b是示出了器件功率與多晶柵極溫度的關(guān)系圖5示出了根據(jù)本發(fā)明外推溝道溫度至離加熱器件零距離的圖6a和6b圖解地示出了獲得監(jiān)測器件的亞閾值的處理步驟；
圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的處理的流程圖；以及
圖8示出了執(zhí)行圖7的處理的示例性環(huán)境。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及用于表征器件自加熱的結(jié)構(gòu)和方法。該結(jié)構(gòu)和方法表征了 多晶柵極與溝道之間跨過柵極氧化物的AT。 AT值是柵極氧化物的熱特 性并且，對于第一級，不依賴器件的結(jié)構(gòu)和環(huán)境。更具體而言，AT值是 在給定條件下的給定器件的柵極溫度與溝道溫度之間的溫度差。
通過執(zhí)行本發(fā)明，無論器件的結(jié)構(gòu)和環(huán)境， 一旦測量出多晶柵極電阻， 可以精確地確定器件溝道溫度。在實(shí)施例中，用于確定AT值的方法包括 測量加熱器件的多晶柵極溫度和"投影"加熱器件的溝道溫度。這里所描 述的方法可以用于可靠性和^:計(jì)測試目的。
圖la示出了根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括在Rx上的自加熱器件100 和多個監(jiān)測器件102。自加熱器件100的多晶柵極包括在其兩端處的接觸 100a、 100b。配置接觸100a、 100b以允許直接在器件工作期間測量依次 用于確定多晶柵極溫度的多晶柵極電阻?？梢酝ㄟ^使用4點(diǎn)探針結(jié)構(gòu) (Kelvin接觸)改善多晶柵極電阻的測量精度，如圖lb中所示該4點(diǎn)探 針結(jié)構(gòu)在多晶柵極的每一端處需要一個附加的布線襯墊。
在實(shí)施例中，通過其亞闊值斜率確定在不同距離處的監(jiān)測器件102的 溝道溫度。通過外推，可以計(jì)算加熱器件100的溝道溫度。這樣，對于給 定的柵極氧化物厚度，可以獲得多晶柵極溫度和溝道溫度之間的厶T。通 過知道AT值， 一旦用本發(fā)明的方法直接測量出多晶柵極溫度，就可以確 定在各種結(jié)構(gòu)和工作條件下的器件溝道溫度。
圖2示出了圖la的加熱器件100的詳細(xì)碎見圖。具體而言，加熱器件包 括在源極區(qū)與漏極區(qū)之間的有源溝道。多晶柵極包括兩個接觸100a、100b。
在圖lb的實(shí)施例中，多晶柵極包括四個接觸。在該兩個實(shí)施例中的任一
個中，該結(jié)構(gòu)為具有附加的一個或多個柵極接觸的標(biāo)準(zhǔn)FET。柵極接觸允 許在器件工作期間測量多晶柵極電阻，如下面更加詳細(xì)的描述。
圖3a是處于來自分別的加熱器功率的不同柵極溫下的測試器件的電 壓與流過柵極的電流的關(guān)系的校準(zhǔn)圖。在該圖中，器件沒有被供電。在該 實(shí)例中，在下述條件下測量加熱器件100的電壓
V加熱器-0V (室溫)；
V加熱器=0.2V;
V加熱器-0.6V;以及
V加熱器=3V。
應(yīng)該理解，對于每個V力。熱s加熱器件100的溫度是已知的。例如，在一個 非限制的示例性實(shí)例中，V加熱器-0.2V時器件的溫度約為30。C ，和V力。熱器-3V 時器件的溫度約為120。C。應(yīng)該理解這里示出的電壓是施加到鄰近關(guān)注的 器件的加熱器上的電壓，并且為了示例性目的提供該電壓，該電壓不應(yīng)解 釋為本發(fā)明的限制特征。因此，應(yīng)該理解使用本發(fā)明的原理可以執(zhí)行其它 的電壓值和用于校準(zhǔn)的其它加熱方法例如使用溫度控制的卡盤。
在該校準(zhǔn)圖中，將一個柵極接觸保持在Vg值(例如-2V)，同時在 Vg周圍的+Z-5(hnV之間(-1.95V~-2.05V)掃描另一柵極接觸；盡管本發(fā) 明還構(gòu)思了其它的掃描值。同樣，在測試期間保持源極和漏極電壓接地， 以便在器件中存在最小的電流和因此的最小的自加熱。掃描的斜率表示加 熱器件100的電阻(電阻等于電壓除以電流)。
圖3b是多晶柵極溫度與由圖3a的校準(zhǔn)確定的柵極電阻的關(guān)系圖。更 具體而言，在先前圖3a的校準(zhǔn)圖中獲得圖3b的柵極電阻例如圖3a的曲 線斜率。給定多晶柵極電阻，可以使用圖3b中的相互關(guān)系(因?yàn)橐阎?個V力。熱器的溫度)確定相應(yīng)的溫度。也就是，由于電阻是溫度的函數(shù)，因 此對于已知電阻可以使用圖3a (和圖3b)的校準(zhǔn)曲線獲得溫度。因此， 基于圖3b中的多晶柵極的R-T (電阻-溫度)相互關(guān)系，在給定器件工作 條件時可以確定多晶柵極的溫度。在圖3b的一個實(shí)例中，柵極電阻R掩極=540歐姆時的溫度約為70'C。
圖4a是被供電的給定器件的電壓與柵極電流的關(guān)系圖。為獲得該圖， 在各自的工作條件下(例如在該實(shí)例中的V槲極-V漏極--lV、 -1.5V等)電流 I漏極從源極流到漏極，伴隨著橫跨柵極施加的小的電壓降(例如在本實(shí)例 中的士50mV)。用于在確定的工作條件下確定自加熱的在該給定情景中施 加的電壓為
V柵極-V漏極=-IV;
V柵極-V漏極=-1.5V; V樹極-V漏極^2V;以及 V槺極V漏極=畫2,5V。
應(yīng)該理解提供這里示出的電壓是用于示例性目的并且不應(yīng)該將其解釋為本 發(fā)明的限制特征。因此應(yīng)該理解在本發(fā)明的原理內(nèi)可以執(zhí)行其它的電壓值。 圖4a的圖的斜率表示在給定工作偏置條件下的給定器件的電阻。
圖4b示出了用于圖4a的給定器件的器件功率(mW)與多晶柵極溫 度的關(guān)系圖。如公知，器件功率等于電壓乘以電流，或者V漏極xI漏極。如上 所述，使用圖3b和圖4a的圖，可以在各種功率水平下獲得器件的溫度。
圖5示出了繪制了多個監(jiān)測器件102的溝道溫度的圖。更具體而言， 圖5的圖通過繪制在離加熱器件100不同距離處的多個監(jiān)測器件102的溫 度表示溝道溫度的投影。
如圖5中所示，當(dāng)監(jiān)測器件102進(jìn)一步遠(yuǎn)離加熱器件100移動時，溝 道溫度衰減(減小)。對于確定距離的監(jiān)測器件102, —旦確定溫度，可 以將曲線擬合到外推其至離加熱器件IOO零距離的溫度。零距離將代表加 熱器件IOO的溝道溫度。
這樣，通過進(jìn)行監(jiān)測器件102的I漏極/V敏掃描(使用亞閾值斜率)以 測量在離加熱器件100不同距離處的每一個監(jiān)測器件102的溝道溫度，可 以確定Rx區(qū)域中的溫度分布。并且，如圖5中所示意性地示出的，通過 外推曲線至離加熱器件IOO零距離，可以確定加熱器件100的溝道溫度。 (本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到當(dāng)器件在工作期間被偏置在恒定電壓時不
能在被供電的器件上執(zhí)行I漏極/V掩極掃描。同樣地，不能在加熱器件上執(zhí)行
I漏極/v柵極43^S 。)
在實(shí)施例中，AT是多晶柵極和溝道之間橫跨加熱器件100的柵極氧 化物的溫度差。如上所述，AT是柵極氧化物的熱特性并且，對于第一級， 不依賴(基本上獨(dú)立)于所涉及的器件的結(jié)構(gòu)和環(huán)境。因此，無論器件的 結(jié)構(gòu)和環(huán)境， 一旦測量出多晶柵極電阻，可以通過AT值精確地確定器件 的溝道溫度。
一旦確定出AT值，可以使用該AT值通過僅僅測量不同結(jié)構(gòu)和環(huán)境 下的多晶柵極電阻在不同工作或應(yīng)力條件下獲得器件的溝道溫度。通過示 例性實(shí)例的方法，知道AT值，將在工作/應(yīng)力條件下的給定器件的柵極溫 度加AT值以得到給定器件的溝道溫度。
圖6a和6b圖解地示出了獲得監(jiān)測器件的亞閾值的處理步驟。更具體 而言，圖6a示出了 I漏極/V樹極掃描的典型斜率。在該示例性的非限制的實(shí) 例中，以30度的間隔繪制溫度。擬合繪制的點(diǎn)至提供斜率和相關(guān)的值的直 線。然后，使用圖6a的值以獲得圖6b的圖，所述圖6b是亞閾值與溫度 的關(guān)系圖。這些值為一個示例性實(shí)例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以獲得所有這 些值。
圖7示出了執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的處理步驟的流程圖，可以在圖8的基J出 結(jié)構(gòu)中執(zhí)行圖7的步驟。圖7等價(jià)地代表本發(fā)明的高級方塊圖。可以在客 戶服務(wù)關(guān)系中的服務(wù)器上執(zhí)行和實(shí)施圖7的步驟，也可在具有傳送到用戶 工作站的工作信息的用戶工作站上運(yùn)行圖7的步驟，以進(jìn)行上述計(jì)算。另 外，本發(fā)明可以采取完全的硬件實(shí)施例、完全的軟件實(shí)施例或者包括硬件 和軟件單元的實(shí)施例的形式。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解和能夠執(zhí)行的， 可以在圖8的環(huán)境中執(zhí)行軟件和/或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。
仍參考圖7,在步驟700，該處理確定加熱器件的柵極電阻。如上所述， 公知對于確定的電壓，柵極電阻是柵極溫度的函數(shù)。在步驟705,該處理 通過繪制功率與電流的關(guān)系圖確定加熱器件的柵極溫度。在步驟710，確 定監(jiān)測器件的亞閾值斜率。在步驟715,測量在不同距離處的監(jiān)測器件的
溫度。在步驟720，通過外推監(jiān)測器件的溫度至離加熱器件零距離確定加 熱器件的溝道溫度。在步驟725，通過從柵極溫度減去溝道溫度獲得AT 值。如上所述，然后可以使用厶T值確定在不同工作條件/應(yīng)力下的不同器 件的溝道溫度。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的用于管理該處理的示例性環(huán)境10。到達(dá)這樣 的程度，環(huán)境10包括可以執(zhí)行這里所描述的處理的計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)12。 具體而言，計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)12包括這樣的計(jì)算設(shè)備14，所述計(jì)算設(shè)備14 包括管理系統(tǒng)30，該管理系統(tǒng)30使計(jì)算設(shè)備14可以運(yùn)轉(zhuǎn)以執(zhí)行這里描述 的處理。計(jì)算設(shè)備14包括處理器20、存儲器22A、輸入/輸出(1/0)接口 24、和總線26。此外，計(jì)算設(shè)備14與外部I/O設(shè)備/資源28和存儲系統(tǒng) 22B通信。
在本技術(shù)領(lǐng)域中公知， 一般而言，處理器20執(zhí)行在存儲器22A和/或 存儲系統(tǒng)22B中存儲的計(jì)算程序代碼。當(dāng)執(zhí)行計(jì)算程序代碼時，處理器20 可以讀和/或?qū)憯?shù)據(jù)從/到存儲器22A、存儲系統(tǒng)22B、和/或I/0接口24。 總線26提供計(jì)算設(shè)備14中的每一個組件之間的通信鏈接。I/O設(shè)備28可 以包括使個體與計(jì)算設(shè)備14相互作用的任何設(shè)備或者使用任何類型的通 信鏈路使計(jì)算設(shè)備14與一個或多個其它計(jì)算設(shè)備通信的任何設(shè)備。
計(jì)算設(shè)備14可以包括能夠運(yùn)行在其上安裝的計(jì)算機(jī)程序代碼的任何 常規(guī)目的的計(jì)算制品(例如個人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、手持設(shè)備等)。但是， 應(yīng)該理解計(jì)算設(shè)備14僅僅代表可以執(zhí)行這里所描述的處理的各種可能的 等價(jià)的計(jì)算設(shè)備。到達(dá)這樣的程度，在實(shí)施例中，可以通過計(jì)算制品執(zhí)行 計(jì)算設(shè)備14提供的功能，所述計(jì)算制品包括常規(guī)和/或特殊目的的硬件和/ 或計(jì)算機(jī)程序代碼的任何結(jié)合。在每一個實(shí)施例中，可以分別地使用標(biāo)準(zhǔn)
的編程和工程技術(shù)創(chuàng)建程序代碼和硬件。
相似地,計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)12僅僅是用于執(zhí)行本發(fā)明的各種類型的計(jì)算 機(jī)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)的示例。例如，在實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)12包括兩個或更 多計(jì)算設(shè)備(例如服務(wù)器集群)，所述計(jì)算設(shè)備通過任何類型的通信鏈接 例如網(wǎng)絡(luò)、共享存儲器等通信，以執(zhí)行這里所描述的處理。此外，當(dāng)執(zhí)行 行這里所描述的處理時，在計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)12中的一個或多個計(jì)算設(shè)備可 以寸吏用任何類型的通信鏈接與計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)12外部的一個或多個其它 的計(jì)算設(shè)備通信。通信鏈接可以包括有線和/或無線鏈接的任何組合； 一種 或多種類型的網(wǎng)絡(luò)(例如因特網(wǎng)、廣域網(wǎng)、局域網(wǎng)、虛擬專用網(wǎng)等)的任 何組合；和/或利用傳送技術(shù)和協(xié)議的任何組合。
在實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種商業(yè)方法，所述商業(yè)方法在認(rèn)購、廣告、 和/或收費(fèi)基礎(chǔ)上進(jìn)行本發(fā)明的方法步驟。也就是，服務(wù)提供者例如解決方 案整合可以提供執(zhí)行這里所描述的處理。在該情況下，服務(wù)提供者可以為 一個或多個客戶創(chuàng)造、維持、支持等執(zhí)行本發(fā)明的處理步驟的計(jì)算機(jī)基礎(chǔ) 結(jié)構(gòu)。作為回報(bào)，服務(wù)提供者可以基于認(rèn)購和/或收費(fèi)協(xié)定接收來自客戶的 付款和/或服務(wù)提供者可以接收來自向一個或多個第三方銷售廣告內(nèi)容的 付款。
在集成電路芯片的制造中使用上述方法。制造者可以以原料晶片的形 式(也就是，作為具有多個未封裝芯片的單一晶片)如棵芯片或者以封裝 的形式分發(fā)產(chǎn)生的集成電路芯片。在后一種情況中，在單芯片封裝(例如 具有附加到主板或者其它較高級載體的引線的塑料載體)中或者在多芯片 封裝(例如具有單或雙表面互連或者掩埋互連的陶瓷載體)中安裝芯片。 在任何情況中，然后將所述芯片與其它芯片、分立電路元件、和/或其它信 號處理設(shè)備集成，作為(a)中間產(chǎn)品例如主板或者(b)最終產(chǎn)品的部分。 所述最終產(chǎn)品可以為包括集成電路芯片的任何產(chǎn)品，從玩具和其它低端應(yīng) 用到具有顯示器、鍵盤或者其它輸入設(shè)備以及中央處理器的高級計(jì)算機(jī)產(chǎn)
雖然已經(jīng)按照示例性的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員該 認(rèn)識到可以修改地并且在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)實(shí)踐本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括以下步驟確定給定器件的多晶柵極溫度；確定監(jiān)測器件的溝道溫度；外推所述監(jiān)測器件的溝道溫度以獲得所述給定器件的溝道溫度；以及基于所述多晶柵極溫度和所述溝道溫度確定所述給定器件的溫度差(ΔT值)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中使用亞閾值斜率確定所述溝道溫度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中通過I漏極/V樹極掃描確定所述亞閾值斜率。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述外推包括使距離測量至離所述給 定器件零距離。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中對于所述給定器件獲得在給定柵極氧 化物厚度處的所述AT值。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述厶T值是所述柵極氧化物的熱特 性，其基本上不依賴于幾何結(jié)構(gòu)和環(huán)境。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述給定器件為在確定所述多晶柵極 溫度期間未被供電的加熱器件。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中通過測量橫跨所述多晶柵極的電阻確 定所述多晶柵極溫度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，還包括通過將所述AT值加到第二器件的 多晶柵極溫度確定所述第二器件的溝道溫度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，還包括在所述給定器件的所述多晶柵極 的每一個端處提供至少 一個接觸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中這樣確定所述多晶柵極溫度，通過 在已知溫度下對于一 系列電壓繪制所述加熱器件的電壓與柵極電流的關(guān)系 以獲得電阻和相對于溫度繪制所述電阻以確定所述多晶柵極溫度。
12. —種方法，包括以下步驟 測量未被供電的加熱器件的多晶柵極溫度； 通過使用亞閾值斜率確定監(jiān)測器件的溝道溫度；外推所述監(jiān)測器件的溝道溫度至離所述加熱器件零距離以獲得所述加 熱器件的溝道溫度；以及對于所述加熱器件確定所述溝道溫度與所述多晶柵極溫度之間的溫度差(zvr值)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中通過I漏極/V棚極掃描確定所述亞閾 值斜率。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中對于所述加熱器件獲得在給定柵極 氧化物厚度處的所述AT值。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中通過測量橫跨所述多晶柵極的電阻 確定所述多晶柵極溫度。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，還包括通過將所述厶T值加到第二器件 的多晶柵極溫度確定所述第二器件的溝道溫度。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中這樣確定所述多晶柵極溫度，通過 在已知溫度下對于一系列電壓繪制所述加熱器件的電壓與柵極電流的關(guān)系
18. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述加熱器件包括在所述柵極的每 一個端處的至少一個接觸。
19. 一種器件，包括加熱器件，具有在其每一個端處具有至少一個接觸的多晶柵極；和 多個監(jiān)測器件，與所述加熱器件間隔已知距離。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19的器件，其中所述至少一個接觸為在每一個端處 的兩個接觸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于表征器件自加熱的結(jié)構(gòu)和方法。本方法包括確定給定器件的多晶柵極溫度和確定監(jiān)測器件的溝道溫度。本方法還包括外推所述監(jiān)測器件的溝道溫度以獲得所述給定器件的溝道溫度?；谒龆鄸艠O溫度和所述溝道溫度確定所述給定器件的溫度差(ΔT值)。器件包括具有在其每一個端處具有至少一個接觸的多晶柵極的加熱器件和與加熱器件間隔已知距離的多個監(jiān)測器件。
文檔編號G06F17/50GK101183398SQ200710140228
公開日2008年5月21日 申請日期2007年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月13日
發(fā)明者羅莎 G·拉, K·W·克爾芬巴赫, P·A·海德, 王平川 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司