專利名稱：電容帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種防盜標(biāo)簽，尤其是公開(kāi)了一種電容帶，該電容帶能 夠應(yīng)用于EAS或RFID線圈或天線以1"更完成所述EAS或RFID標(biāo)簽。
背景技術(shù)：
電子物品監(jiān)視(EAS)防盜標(biāo)簽，典型地包含一共振電路，當(dāng)共振 電路處于EAS標(biāo)簽處于的預(yù)定的電磁場(chǎng)(例如8.2MHz)中的時(shí)候，該 共振電路利用至少一個(gè)線圈和至少一個(gè)電容引起共振。只是為了舉例說(shuō) 明，所述線圈和電容被蝕刻在基片上，多匝導(dǎo)電性電路電跡(在此形成 線圈)終止在一個(gè)導(dǎo)電性電路電跡墊上，該導(dǎo)電性電路電跡墊形成一個(gè) 電容盤(pán)。在基片的相反側(cè)蝕刻出另一個(gè)導(dǎo)電性電路電跡墊以形成第二電 容盤(pán)，當(dāng)電連接被建立時(shí)，穿過(guò)基片從第二電容盤(pán)到基片第一側(cè)的線圏 的另一端，非導(dǎo)電的基片作為兩導(dǎo)電性電路電跡墊之間的電介質(zhì)以形成 該電容。因此，形成一個(gè)振蕩電路。各種不同的振蕩標(biāo)簽產(chǎn)品在商業(yè)上 是可獲得的并且在已公開(kāi)的專利中被描述，例如，美國(guó)專利5172461、 5108822, 4835524, 4658264以及4567473,所有這些專利都描述和7>開(kāi) 了電子監(jiān)視標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)。然而，為了適合才喿作，這些產(chǎn)品利用并且確實(shí) 需要基片的兩個(gè)表面上的導(dǎo)電材料的兩側(cè)都形成圖案?，F(xiàn)在使用的EAS 標(biāo)簽結(jié)構(gòu)具有很多缺點(diǎn)。例如，由于可用標(biāo)簽的兩側(cè)必須使用特殊圖案 和蝕刻技術(shù)以便產(chǎn)生適當(dāng)?shù)碾娐?，所以每單元的加工時(shí)間和成本都會(huì)增 加。更重要的是，用于該產(chǎn)品的制造機(jī)械的復(fù)雜性也增加。通常，復(fù)雜的光蝕刻工藝用于形成所述電^^結(jié)構(gòu)?？梢岳斫?，雙面光蝕刻通常^f艮費(fèi) 時(shí)并且要求雙面圖案的精確排列。為了形成雙面額外的材料也是必須的， 因此增加了每單元的材料成本。
特別是關(guān)于無(wú)線頻率識(shí)別(RFID)標(biāo)簽，RFID標(biāo)簽包括一個(gè)集成電 路(IC),該集成電路連接到前述振蕩電路或是連接到一個(gè)天線(例如偶 極天線)上，該天線發(fā)出一信息信號(hào)以響應(yīng)一個(gè)預(yù)定的電^ 茲場(chǎng)(例如 13.56MHz)。近來(lái)，通過(guò)把導(dǎo)電凸緣電耦合到各自的集成電路觸電以形成 一個(gè)"芯片帶"，對(duì)所述集成電路的附加已經(jīng)被實(shí)現(xiàn)。該芯片帶此后被電 連接到所述振蕩電路或天線。參見(jiàn)美國(guó)專利6940408 (費(fèi)格斯等人)、 6665193 (陳等人)、6181287 (拜格爾)以及6100804 (布蘭迪等人)。
然而，已經(jīng)確定EAS電路或RFID電路的電容元件的形成實(shí)質(zhì)上控 制著EAS振蕩電路或RFID電路的調(diào)節(jié)，以適當(dāng)?shù)捻憫?yīng)期望的電^f茲場(chǎng)。 因此，存在對(duì)于能夠有效形成并適當(dāng)調(diào)節(jié)的EAS或RFID標(biāo)簽的需要， 也需要一種有效且精確形成EAS或RFID標(biāo)簽的方法，還需要EAS或 RFID標(biāo)簽的控制調(diào)整方法。
這里引述的所有參考文件的全部?jī)?nèi)容都通過(guò)51用被合并于此。

發(fā)明內(nèi)容
一個(gè)帶狀部件，該部件用作EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物的天線或線 圏部件的至少兩個(gè)分離部分的電橋。所述帶狀部件是薄的，整個(gè)平面部 件包括第一導(dǎo)電平面元件，第二導(dǎo)電平面元件以及插入在第一、第二導(dǎo) 電平面元件的至少 一部分之間的平面電介質(zhì)層，因此所述帶狀部件具有 預(yù)期的電容量。所述第一導(dǎo)電元件包括第一部分，該第一部分被布置以 確保具有與所述天線或線圈的至少兩個(gè)獨(dú)立部分之一的電連續(xù)性。所述 第二導(dǎo)電元件包括第一部分，該第一部分被布置以確保具有與所述天線 或線圈的至少兩個(gè)獨(dú)立部分中的另 一部分的電連續(xù)性。
一個(gè)EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物包括一個(gè)天線或線圏部件以及一個(gè) 帶狀部件，該帶狀部件橋接所述天線或線圈部件的至少兩個(gè)獨(dú)立部分。 所述帶狀部件是薄的，整個(gè)平面部件包括第一導(dǎo)電平面元件，第二導(dǎo)電平面元件以及插入在第一、第二導(dǎo)電平面元件的至少一部分之間的平面 電介質(zhì)層，因此所述帶狀部件具有預(yù)期的電容量。所述第一導(dǎo)電元件包 括第 一部分，該第 一部分確保與所述天線或線圈的至少兩個(gè)獨(dú)立部分之 一的電連續(xù)性。所述第二導(dǎo)電元件包括第一部分，該第一部分確保與所 述天線或線圏的至少兩個(gè)獨(dú)立部分中的另 一部分的電連續(xù)性。
一個(gè)薄的、大致為平面、易彎曲的帶狀部件，該帶狀部件用于把一
個(gè)EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物的天線或線圏部件的至少兩獨(dú)立部分電性 橋接。所述帶狀部件具有期望的電容量并且包括第一導(dǎo)電平面元件、第 二導(dǎo)電平面元件以及插入在第一、第二導(dǎo)電平面元件的至少一部分之間 的平面電介質(zhì)層。所述第一導(dǎo)電元件包括第一部分，該第一部分被布置 以確保具有與所述天線或線圏的至少兩個(gè)獨(dú)立部分之一的電連續(xù)性。所 述第二導(dǎo)電元件包括第 一部分，該第 一部分被布置以確保具有與所述天 線或線圏的至少兩個(gè)獨(dú)立部分中的另 一部分的電連續(xù)性，以形成EAS或 RFID標(biāo)簽或鑲嵌物。
一種制造EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物的方法，所述方法包括(a) 提供一個(gè)薄的大致平面的天線或線圏部件；(b)提供一個(gè)薄的，大致平 面的帶狀部件，該帶狀部件包括第一導(dǎo)電平面元件，第二導(dǎo)電平面元件 以及插入在第一、第二導(dǎo)電平面元件的至少一部分之間的平面電介質(zhì)層， 因此所述帶狀部件具有預(yù)期的電容量；并且(c)導(dǎo)致所述帶狀部件橋接 所述天線或線圈部件的至少兩個(gè)獨(dú)立部分，因而所述第 一導(dǎo)電元件的第 一部分被確保具有與所述天線或線圏的至少兩個(gè)獨(dú)立部分之一 的電連續(xù) 性，并且所述第二導(dǎo)電元件的第 一部分被確保具有與所述天線或線圈的 至少兩個(gè)獨(dú)立部分中的另 一部分的電連續(xù)性。


下面將結(jié)合附圖描述本發(fā)明，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，其
中
圖1是本發(fā)明電容帶的俯視圖2是圖1中電容帶沿線2-2的剖視圖；圖2A是通過(guò)混合式工藝形成的圖1中電容帶沿線2-2的剖視圖2B是通過(guò)蝕刻工藝形成的圖1中電容帶沿線2-2的剖視圖并且包括 一個(gè)沿著低導(dǎo)電層的絕緣層；
圖3是電容帶的第二實(shí)施例的俯視圖，該電容帶包括一個(gè)電耦合到 該電容帶的集成電路；
圖4是圖3中的電容帶沿圖3中的線4-4的剖視圖5是圖1的電容帶應(yīng)用于多匝線圏的俯視圖5A是圖5中形成的電路的等效電路示意圖6是圖5中的標(biāo)簽沿圖5中的線6-6的剖視圖7是圖3中的電容帶應(yīng)用于多匝線圏的俯視圖7A是圖7形成的電路的等效電路的示意圖8是圖7中的標(biāo)簽沿圖7中的線8-8的剖視圖9是圖3所示電容帶的俯視圖，并且一芯片帶平行應(yīng)用于多匝線
圏；
圖9A是圖9形成的所述電路的等效電路示意圖10是圖9中的標(biāo)簽沿圖9的10-10線的剖—見(jiàn)圖11是圖9中的標(biāo)簽沿圖9的11-11線的剖視圖12是一個(gè)集成的平行芯片電容帶應(yīng)用于多匝線圏的俯視圖12A是圖12的僅僅集成平行芯片電容帶的俯視圖13是圖12中的標(biāo)簽沿圖12的13-13線的剖視圖14是圖12中的標(biāo)簽沿圖12的14-14線的剖視圖15示出了制造電容帶的金屬(例如，鋁)疊片的建立過(guò)程；
圖16示出在圖15中制造的金屬疊片上印刷光阻材料成像的過(guò)程；
圖17示出用于制造所述電容帶的蝕刻過(guò)程，電容帶不包括圖16中
的有光阻的金屬疊片；
圖18示出應(yīng)用于所述電容帶網(wǎng)或是對(duì)于所述電容帶網(wǎng)可移動(dòng)的襯墊
以及其上可拆卸的廢棄物，最終形成為應(yīng)用線圈或天線而準(zhǔn)備的一巻電
容帶；
圖19示出形成電容帶的混合式工藝的一部分并且更特別的是示出了 由雙面熱封閉層金屬(例如，鋁)疊片形成的金屬(例如，鋁)疊片的建立過(guò)程；
圖20示出使用混合式工藝的第二雙面熱封閉層金屬(例如，鋁)疊 片的制造；以及
圖21示出圖19、 20中所示的兩金屬(例如，鋁)疊片的合并，與可 拆卸的襯墊、可移除的廢棄物一起使用，最終形成為應(yīng)用線圈或天線而 準(zhǔn)備的一巻電容帶。
具體實(shí)施例方式
圖l示出本發(fā)明的電容帶20的放大俯視圖。在圖2中可以清楚的看 出，所述電容帶是一薄膜電容，并且是柔軟的，該電容帶包括帶有輔 助電介質(zhì)層22A的第一導(dǎo)電平面元件22,和帶有輔助電介質(zhì)層24A的第 二導(dǎo)電平面元件24，并且第一導(dǎo)電平面元件22和第二導(dǎo)電平面元件24 的重疊部分26形成電容。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，重疊部分26的數(shù) 量決定了電容的容量。
盡管有很多種方式形成所述電容帶20,優(yōu)選的方法是提供一對(duì)輥?zhàn)樱?每個(gè)輥?zhàn)佣己幸唤饘俦∑?例如，鋁)，該金屬薄片對(duì)于電介質(zhì)材料是 熱熔的(例如， 一種熱封電介質(zhì)材料，比如很容易與鋁粘合的聚酯或聚 乙烯；然而，也可以使用其他電介質(zhì)材料例如苯乙烯?；锞酆象w或者 乙烯基醋酸鹽；和/或所述電介質(zhì)層可以形成應(yīng)用到所述金屬薄片上的涂 層)。這些輥?zhàn)颖粚?dǎo)向以便在電容帶20的形成期間，所述關(guān)聯(lián)的電介質(zhì) 層22A/24A互相面對(duì)。所述關(guān)聯(lián)的電介質(zhì)層22A/24A然后被加熱熔融在 一起。使用一個(gè)板牙(未示出)并且通過(guò)精確控制第一導(dǎo)電平面元件22 及其所附的電介質(zhì)層22A的切割(或者反之亦然，即，切割第二導(dǎo)電平 面元件24及其所附的電介質(zhì)層24A),能夠產(chǎn)生大量的電容帶20。也通 過(guò)各種元件22 /附加的電介質(zhì)層22A以及元件24/附加的電介質(zhì)層24A 的相關(guān)長(zhǎng)度(即，改變重疊部26),能夠產(chǎn)生不同電容容量的電容帶20。 另一種方案，可以通過(guò)已經(jīng)施加的電介質(zhì)層而緊固金屬薄片(正如熟知 的"混合式"(參見(jiàn)圖19-21及下面的相關(guān)描述)?；蛘?，通過(guò)在輥?zhàn)由?使用凹版印刷刀或類(lèi)似的印刷工藝(即，作為蝕刻工藝的一部分，見(jiàn)圖15-18及下面的相關(guān)描述)即時(shí)印刷電介質(zhì)，可以把電介質(zhì)層施加到金屬
薄片上。
通過(guò)把第一導(dǎo)電平面元件22的非重疊端22B和第二導(dǎo)電平面元件24 的非重疊端24B電連接到各自的線圈或天線的部分上，電容帶20隨后電 耦合到一個(gè)EAS或RFID線圏或天線上。盡管有很多完成這樣的電連接25 的方法(如圖中黑圓點(diǎn)所示)，首選的方式是使用高壓"低溫焊接"，借 此平面元件22/24電耦合到各自的線圈部分；另一種方法是通過(guò)把平面 元件"熱焊接"到各自的線圏部分；這涉及到加熱所述導(dǎo)電部然后彎曲 導(dǎo)電部以便平面元件22(或24)與各自的線圈部有一金屬到金屬的接觸， 從而形成電連接。所述線圈或天線包括幾個(gè)轉(zhuǎn)彎，例如圖5中線圈10所 示，為了防止第二導(dǎo)電平面元件24短路， 一個(gè)絕緣層28 (圖2A,即， 一個(gè)電介質(zhì)材料)或紙絕緣層28A (圖2B)被施加于元件24,或者相反 的插入第二導(dǎo)電平面層28和線圏/天線之間。從圖6中可以清晰的看出， 所述絕緣層28把元件24與轉(zhuǎn)彎軌跡13和14相隔離，同時(shí)通過(guò)把電容 帶20的端部22B和24B的連接器25A和25B分別連接到線圏軌跡11和 12,電容帶20的電連接被形成?？梢钥闯鎏峁┑木€圈少于一圏的地方不 需要絕緣層28,因?yàn)殡娙輲?0不會(huì)和任何其他線圏軌跡交叉。因此，一 個(gè)EAS標(biāo)簽或創(chuàng)建的鑲嵌物16具有一個(gè)由線圈10和電容帶20形成的等 效電路，如圖5A所示。
可以看出所述線圏10由導(dǎo)電層的一部分形成，導(dǎo)電層在未示出的基 片之上或之內(nèi)。
正如先前所述，圖2A和2B提供了另一種絕緣層方案。如圖19-21 所討論的，所述首選方法利用結(jié)合一對(duì)雙面熱封閉金屬(例如，鋁)以 形成電容帶20。如圖2A所示，特別是第一導(dǎo)電平面元件22形成的第一 疊片的每一面上覆蓋有絕緣層23和22A ,第二導(dǎo)電平面元件24形成的 第二疊片的每一面上覆蓋有絕緣層24A和28,所述第一疊片和第二疊片 相結(jié)合；這兩個(gè)雙面熱封閉金屬層在絕緣層22A和24A之間的接觸面結(jié) 合以便形成電容帶20。 一種較優(yōu)的方法是不使用雙面熱封閉金屬(例如， 圖15-18中所示的工藝)，在這種情況下一個(gè)分離的絕緣層28A可以應(yīng)用于第二導(dǎo)電平面元件24的暴露面用于防止短路，當(dāng)電容帶20應(yīng)用于所 述線圈/天線時(shí)第二導(dǎo)電平面元件24的暴露面可能與線圈/天線交叉導(dǎo) 電。
圖3示出包括一集成電路的電容帶120的俯視圖，所述集成電路與 所述電容串聯(lián)。特別地，所述電容帶120包括與前述電容帶20相似的配 置。但是，元件22的非重疊端22B與集成電路15的電氣觸點(diǎn)(未示出) 電連接。集成電路15的其他電氣觸點(diǎn)(也未示出)電連接到邊緣122B 上，該邊緣122B與非重疊端22B的結(jié)構(gòu)相似。在圖4中可以清楚的看出， 有一個(gè)間隙G把所述元件22的非重疊端22B和所述邊緣122B相互分開(kāi)。 這樣預(yù)防了集成電路15觸點(diǎn)的短路。
如圖7所示，電容帶120能夠應(yīng)用于一線圏10以形成一個(gè)RFID標(biāo) 簽或者鑲嵌物17。特別地，把第二導(dǎo)電平面元件24的非重疊端24B和邊 緣122B電連接到線圏或天線的各自部分。如圖7-8所示，所述非重疊邊 24B在25A處與轉(zhuǎn)彎軌跡11電連接并且所述邊緣122B在25B處與轉(zhuǎn)彎軌 跡12電連接。所述元件24之下的絕緣層28阻止了線圈1G的轉(zhuǎn)彎軌跡 13-14的任何短路。圖7A是RFID標(biāo)簽17的等效電路，示出了集成電路 15、電容和線圏10的串聯(lián)關(guān)系。
可以理解圖4和圖7中通過(guò)電容帶120形成的電容在結(jié)構(gòu)上與電容 帶20是相似的。但是，也應(yīng)該理解，實(shí)際形成的電容與電容帶20形成 的電容具有不同的電容值，因?yàn)镽FID工作在，但J又為了舉例，13. 56MHz 頻率上，相較而言，EAS工作在大約8. 2MHz的頻率上。
從這兩個(gè)例子中可知，依靠應(yīng)用于線圈10的電容帶的類(lèi)型是電容帶 20或是電容帶120,分別形成EAS標(biāo)簽或是RFID標(biāo)簽。
應(yīng)該理解所述電容帶20和120可以制造有不同數(shù)量的重疊部26(用 于不同的電容值)以及不同長(zhǎng)度的非重疊邊22B、 24B和邊緣122B使得 電容帶20、 120可以應(yīng)用于線圏10的不同的線圏軌跡以1更改變標(biāo)簽16 和17的諧振頻率。因此，關(guān)于線圈10所示的電容帶20和120的相對(duì)位 置只是舉例的目的。
圖9-11示出電容帶20和常規(guī)的芯片帶19用于普通的線圈IOA上以便形成一個(gè)使用并聯(lián)諧振電路的RFID標(biāo)簽18,如圖9A所示。所述電容 帶20與線圏使用前述圖5-6所討論的相似的方式電耦合,在此不再贅述。 所述芯片帶19包括一個(gè)集成電路15,該集成電路15與導(dǎo)電邊緣19A和 19B電連接。間隙19G也把兩邊緣相分隔以防止集成電路15的電觸點(diǎn)(未 示出)短路。導(dǎo)電邊緣19A和19B分別在連接器25C和25D的位置連接 線圈IOA。圖10可以清晰地示出，為了防止集成電路15短路，當(dāng)集成電 路15電連接到線圏10A時(shí)， 一個(gè)絕緣層19C (例如，紙)插在導(dǎo)電邊緣 19A/19B和線圈10A中間。應(yīng)該可以理解所述芯片帶19不包括如電容帶 20 (或電容帶120)那樣的薄膜電容。圖12-14示出一個(gè)使用并聯(lián)諧振電路的RFID標(biāo)簽18'(與圖9A所 示的相似)但是帶有一個(gè)并聯(lián)芯片電容帶220;因此，使用集成的并聯(lián)芯 片電容帶220而代替分離的電容帶20和常規(guī)的芯片帶19。特別地，圖 12A清晰地示出，所述集成的并聯(lián)芯片電容帶220由基本的三部分組成 矩形的導(dǎo)電邊緣222，具有狹窄區(qū)域226的"L形"導(dǎo)電邊緣224,該"L 形"導(dǎo)電邊緣224與矩形導(dǎo)電邊緣222的一部分重疊，以及集成電^各15。 所述集成電路15各自電連接所述邊緣222和邊緣224的電觸點(diǎn)(未示出)。 間隙G把邊緣222、 224與電性短接的觸點(diǎn)分離。插入到邊緣222和狹窄 區(qū)域226之間的電介質(zhì)層226A形成所述電容。電介質(zhì)層222A把矩形導(dǎo) 電邊緣222與轉(zhuǎn)彎軌跡11-14電性絕緣。如圖12和13所示的連接點(diǎn)25A 處所述邊緣222電連接到線圏軌跡11。如圖12和13所示的連接點(diǎn)25B 處，所述L形導(dǎo)電邊緣224電連接到線圈軌跡12。如前所述的關(guān)于電容 帶20和120的各種電容值，所述電容帶220能夠產(chǎn)生各種數(shù)量的狹窄區(qū) 域226與邊緣222的重疊，以便為電容帶220提供不同的電容值。應(yīng)該理解，電容帶20、 120、 220的使用不限于線圏。這些電容帶也 能用于高頻應(yīng)用的天線方面，比如使用偶級(jí)天線。因此，僅用于舉例的 目的，電容帶20或120或220可以設(shè)置在偶極天線的偶極振子之間以形 成一個(gè)在UHF或微波頻率段工作的標(biāo)簽。也可以理解，盡管所有示出的電容帶20、 120和220都電連接到線 圏10/10A的頂部，但這只是為了舉例的目的。這些電容帶也可以電連接到線圏10/10A或天線的底部。假如這樣，則必須穿透承載線圏或天線的 基片(未示出)以允許電連接。整個(gè)說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)"鑲嵌物"含義為完整的標(biāo)簽(例如， EAS標(biāo)簽16, RFID標(biāo)簽17、 18或18')可以自身形成簽條的一部分或 者被耦合到簽條上以在其上被使用，或者與物品相關(guān)聯(lián)。所述電容帶20、 120和220也可以包括鈍化裝置以便當(dāng)需要時(shí)允許 通過(guò)外部電場(chǎng)使得由此形成的防盜標(biāo)簽失效，比如包括所述電容帶的預(yù) 定的擊穿電壓，或是包括電容帶特定區(qū)域的擊穿，諸如美國(guó)專利5861809 (艾克斯坦等人)、6232878 (魯賓)、6025780 (鮑爾斯等人)所公開(kāi)的內(nèi) 容，并且所有這些公開(kāi)的內(nèi)容都通過(guò)引用合并于此。如前所述，圖15-18描述了使用印刷/蝕刻工藝制造一巻電容帶。為了清楚起見(jiàn)，圖15-18中示出了不同階段中層或疊片的一部分的 橫截面。應(yīng)該可以理解這些厚度被極大地夸大了并沒(méi)有示出各層的真實(shí) 厚度。特別地， 一個(gè)疊片408由兩層金屬(例如，鋁)400和402 (來(lái)自于 不同的輥?zhàn)?00A/402A)形成，所述兩層金屬結(jié)合加入出自聚乙烯擠壓區(qū) 404A的聚乙烯(PET)壓出物404 ("熱，，PET )。經(jīng)過(guò)混合區(qū)406之后， 所述金屬疊片408纏繞在拉緊的輥?zhàn)?10上。接下來(lái)，如圖16所示，拉 緊的輥?zhàn)?10向印刷工藝輸送金屬疊片，借此在印刷站412處光阻材料 被可選擇的涂覆在兩面，并且所述"印刷的疊片"414被輸送給拉緊的輥 子414A。如圖17所示，印刷的疊片414然后輸送給蝕刻工藝416,借此 在疊片414兩面的金屬(例如，鋁)層的一部分被蝕刻掉，因此在疊片 的兩面留下金屬帶的孤立部分，從而形成電容帶網(wǎng)418。該電容帶網(wǎng)418 然后輸送給拉緊的輥?zhàn)?20。在工藝的下一階段(圖18)是為所有的電 容帶粘附可剝離的襯墊然后從物理上把每個(gè)電容帶20與相鄰的電容帶分 開(kāi)。特別地，粘有可剝離襯墊422的輥?zhàn)?22A在工作站424處與電容帶 網(wǎng)418相結(jié)合。然后，在沖切站426在電容帶20之間的擠出層404部分 相對(duì)于一個(gè)多余的拉緊輥428被分離且移動(dòng)。最終導(dǎo)致了在網(wǎng)430上的 多個(gè)電容帶20 (或120或220 )纏繞在輥?zhàn)?30A上用于施加在線圏或天線上。如前所述，用于制造電容帶的另一種工藝使用"混合式"工藝。這 種工藝的優(yōu)點(diǎn)之一是該工藝中使用的金屬層是熱封閉的。結(jié)果是，所述 電容帶的電容"盤(pán)"與開(kāi)頭部分絕緣以至于當(dāng)絕緣層橫跨線圈或天線的幾個(gè)轉(zhuǎn)彎時(shí)，也不需要引入如圖2B所示的單獨(dú)的絕緣層28A。圖19-21 示出了使用"混合式"工藝制造一巻電容帶。從圖19至圖21,為了清楚，示出了不同階段的層或疊片部分的橫截 面。應(yīng)該理解這些厚度被極大地夸張了并沒(méi)有描述各層的實(shí)際厚度。特別地，如圖19所示，來(lái)自于襯墊支撐輥500A的襯墊500被輸送 給擠壓機(jī)502A,在才齊壓機(jī)502A處，粘合劑502涂覆到襯墊500上以形成 帶有可剝離粘合劑的襯墊504。從雙面熱封閉金屬506 (例如，鋁)的支 撐輥506A處，所述熱封閉金屬506被結(jié)合，在結(jié)合站507處，隨著帶有 可剝離粘合劑的襯墊504形成一個(gè)疊片508以便形成所述電容帶的"套 盤(pán)"；拉緊輥508A保持著疊片508。使用類(lèi)似工藝形成第二類(lèi)似疊片608。 第二類(lèi)似疊片608形成所述電容帶的"其他套盤(pán)"。附圖標(biāo)記600-608A 與附圖標(biāo)記500-508A相應(yīng)，這里不再贅述。如圖21所示，所述拉緊輥 508A和608A使用在形成電容帶的結(jié)合工藝中。特別地，所述疊片508 和608在各自的沖切站510和610沖切，通過(guò)雙面熱封閉金屬部(506 和6 0 6 )并且在各自的多余的拉緊輥511 / 611上多余的移動(dòng)以便形成雙面 熱封閉金屬(例如，鋁)的孤立帶512/612。如圖21所示，這些孤立帶 512和612互相面對(duì)(例如，孤立帶512面朝下而孤立帶612面朝上)。 在這些方位，登記單獨(dú)的孤立帶512和612然后在沖壓站514沖壓印制 以形成電容帶。為了允許移動(dòng)個(gè)別的電容帶并且應(yīng)用到線圈或天線，帶 有可剝離粘合劑的襯墊之一需要移動(dòng)到拉緊輥700上。最終導(dǎo)致在網(wǎng)702 上的多個(gè)電容帶20 (或120或220 )纏繞在輥?zhàn)?02A上準(zhǔn)備應(yīng)用于線圏 或天線。圖21也在與圖2A—致的橫截面上示出電容帶20。本發(fā)明已經(jīng)結(jié)合其具體實(shí)施例而被詳細(xì)描述，顯然地，本領(lǐng)域技術(shù) 人員可以理解，所有不背離本發(fā)明精神和范圍的改變和修改都在本發(fā)明 保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種帶狀部件，所述部件用作EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物的天線或線圈部件的至少兩個(gè)分離部分的電橋，所述帶狀部件是薄的，平面的部件，所述部件包括第一導(dǎo)電平面元件，第二導(dǎo)電平面元件以及插入在第一、第二導(dǎo)電平面元件的至少一部分之間的平面電介質(zhì)層，因此所述帶狀部件具有預(yù)期的電容，所述第一導(dǎo)電元件包括第一部分，所述第一部分被布置以確保具有與所述天線或線圈的至少兩個(gè)獨(dú)立部分之一的電連續(xù)性，所述第二導(dǎo)電元件包括第一部分，所述第一部分被布置以確保具有與所述天線或線圈的至少兩個(gè)獨(dú)立部分中的另一部分的電連續(xù)性。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀部件，其特征在于，所述天線或線圏 包括一對(duì)端部，并且所述第 一導(dǎo)電元件的第一部分連接著天線或線圏的 任意預(yù)期的位置或者連接在所述天線或線圈的兩端部之間，同時(shí)所述第 二導(dǎo)電元件的第一部分連接在天線或線圈的任意預(yù)期的位置或者連接在 所述天線或線圏的兩端部之間，以此確定所述EAS或RFID標(biāo)簽或《裏嵌物 的操作頻率。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀部件，其特征在于，所述帶狀部件堆 疊在所述天線或線圏的頂部或底部。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀部件，其特征在于，所述EAS標(biāo)簽 或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物是一大體上易彎曲的部件并且所述帶狀部件是一 大體上易彎曲的部件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀部件，其特征在于，所述帶狀部件的 第 一和第二導(dǎo)電元件中的每個(gè)均包括鋁。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀部件，其特征在于，所述電介質(zhì)包括 在所述第 一和第二導(dǎo)電元件的至少 一部分之上的覆蓋層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶狀部件，其特征在于，所述電介質(zhì)包括 在所述第一和第二導(dǎo)電元件的至少一部分之上的覆蓋層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀部件，其特征在于，所述電介質(zhì)包括 薄膜。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀部件，其特征在于，還包括一設(shè)置在其上并與之電連接的集成電路芯片，因此當(dāng)所述帶狀部件連接到所述天線或線圏時(shí)，得到RFID標(biāo)簽或鑲嵌物。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的帶狀部件，其特征在于，所述集成電路 電連接到所述第 一或第二導(dǎo)電元件之一以便使所述集成電路與所述預(yù)期 的電容串聯(lián)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的帶狀部件，其特征在于，所述集成電路 包括第一電觸點(diǎn)和第二電觸點(diǎn)，所述第一電觸點(diǎn)電連接到所述第一導(dǎo)電 元件，并且所述第二電觸點(diǎn)電連接到所述第二導(dǎo)電元件以便使所述集成 電路與所述預(yù)期的電容并聯(lián)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的帶狀部件，其特征在于，所述導(dǎo)電元件 之一是"L形"并且所述導(dǎo)電元件之一的第一部分與所述另一個(gè)導(dǎo)電元件 的第二部分重疊。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀部件，其特征在于，所述第一和第 二導(dǎo)電平面元件中的每個(gè)均包括有具有外表面和內(nèi)表面的金屬薄層，所 述導(dǎo)電金屬包括在所述內(nèi)表面的至少 一部分上的電介質(zhì)材料的覆蓋層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的帶狀部件，其特征在于，所述金屬薄層 包括金屬薄片。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的帶狀部件，其特征在于，所述第一和第 二導(dǎo)電平面元件是互相并列的，以便所述兩導(dǎo)電平面元件的至少一部分 重疊并且在彼此相對(duì)重疊的位置帶有其各自的電介質(zhì)材料覆蓋層，以此 為所述帶狀部件確定預(yù)期的電容量。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的帶狀部件，其特征在于，所述天線或線 圈包括一對(duì)端部，所述第一導(dǎo)電元件的第一部分連接在所述天線或線圏 的任意預(yù)期位置或者連接在所述天線或線圈的兩端之間，同時(shí)所述第二 導(dǎo)電元件的第 一部分連接在天線或線圏的任意預(yù)期的位置或者連接在所 述天線或線圏的兩端部之間，以此確定所述EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物 的操作頻率。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀部件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電平面元件的第 一部分通過(guò)焊接方式電連接到所述天線或線圈部件的選定 部分，并且所述第二導(dǎo)電平面元件的第 一部分通過(guò)焊接方式電連接到所 述天線或線圏部件的另一選定部分。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的帶狀部件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電 平面元件的第 一部分通過(guò)皺縮方式電連接到所述天線或線圏部件的選定 部分，并且所述第二導(dǎo)電平面元件的第 一部分通過(guò)皺縮方式電連接到所 述天線或線圈部件的另一選定部分。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的帶狀部件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電 平面元件的第 一部分通過(guò)焊接方式電連接到所述天線或線圏部件的選定 部分，并且所述第二導(dǎo)電平面元件的第 一部分通過(guò)焊接方式電連接到所 述天線或線圈部件的另一選定部分。
20. —種EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物，所述EAS或RFID標(biāo)簽或鑲 嵌物包括天線或線圈部件以及一個(gè)帶狀部件，所述帶狀部件橋接所述天 線或線圈部件的至少兩個(gè)獨(dú)立部分，所述帶狀部件是薄的，大體平面的 部件，所述部件包括第一導(dǎo)電平面元件，第二導(dǎo)電平面元件以及插入在 第一、第二導(dǎo)電平面元件的至少一部分之間的平面電介質(zhì)層，因此所述 帶狀部件具有預(yù)期的電容，所述第一導(dǎo)電元件包括第一部分，所述第一 部分被確保具有與所述天線或線圈的至少兩個(gè)獨(dú)立部分之一 的電連續(xù) 性，所述第二導(dǎo)電元件包括第一部分，所述第一部分被確保具有與所述 天線或線圈的至少兩個(gè)獨(dú)立部分中的另 一部分的電連續(xù)性。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物，其特征在 于，所述天線或線圈包括一對(duì)端部，所述第一導(dǎo)電元件的第一部分連接 在所述天線或線圏的任意預(yù)期位置或者連接在天線或線圏的兩端之間， 并且所述第二導(dǎo)電元件的第一部分連接在所述天線或線圏的任意預(yù)期位 置或者連接在天線或線圏的兩端之間，以此確定所述EAS或RFID標(biāo)簽 或鑲嵌物的操作頻率。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物，其特征在 于，通過(guò)焊接的方式把所述帶狀部件固定到所述天線或線圏上。
23. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物，其特征在于，所述帶狀部件堆疊在所述天線或線圈之上或之下。
24. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物，其特征在 于，所述EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物是大體上易彎曲的部件并且所述帶 狀部件也是大體上易彎曲的部件。
25. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物，其特征在 于，所述帶狀部件的第 一和第二導(dǎo)電元件中的每個(gè)均包括鋁。
26. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物，其特征在 于，所述電介質(zhì)層包括覆蓋層，所述覆蓋層在所述第一和第二導(dǎo)電元件 之一的至少一部分上。
27. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物，其特征在 于，所述電介質(zhì)層包括覆蓋層，所述覆蓋層在所述第一和第二導(dǎo)電元件 之一的至少一部分上。
28. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物，其特征在 于，所述電介質(zhì)層包括薄膜。
29. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物，其特征在 于，所述標(biāo)簽或鑲嵌物是RFID標(biāo)簽并且所述帶狀物包括安裝在其上的集 成電路。
30. —種薄的、大致為平面、易彎曲的帶狀部件，該帶狀部件用于 把EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物的天線或線圈部件的至少兩獨(dú)立部分電性 橋接，所述帶狀部件具有期望的電容量并且包括第一導(dǎo)電平面元件、第 二導(dǎo)電平面元件以及插入在第一、第二導(dǎo)電平面元件的至少一部分之間 的平面電介質(zhì)層，所述第一導(dǎo)電元件包括第一部分，該第一部分與所述 天線或線圈的至少兩個(gè)獨(dú)立部分之一電相連，所述第二導(dǎo)電元件包括第 一部分，該第一部分與所述天線或線圈的至少兩個(gè)獨(dú)立部分中的另一部 分電相連，以形成EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的帶狀部件，其特征在于，所述天線或線 圈包括一對(duì)端部，所述第一導(dǎo)電元件的第一部分連接在所述天線或線圏 的任意期望位置或者連接在天線或線圈的兩端之間，并且所述第二導(dǎo)電 元件的第一部分連接在所述天線或線圈的任意期望位置或者連接在天線或線圈的兩端之間，以此確定所述EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物的操:作頻 率。
32. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的帶狀部件，其特征在于，所述帶狀部件 堆疊在所述天線或線圈之上或之下。
33. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的帶狀部件，其特征在于，所述帶狀部件 的第 一和第二導(dǎo)電元件中的每個(gè)均包括鋁。
34. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的帶狀部件，其特征在于，所述電介質(zhì)層 包括覆蓋層，所述覆蓋層在所述第一和第二導(dǎo)電元件之一的至少一部分 上。
35. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的帶狀部件，其特征在于，所述電介質(zhì)層 包括覆蓋層，所述覆蓋層在所述第一和第二導(dǎo)電元件之一的至少一部分 上。
36. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的帶狀部件，其特征在于，所述電介質(zhì)層 包括薄膜。
37. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的帶狀部件，其特征在于，所述帶狀部件 還包括設(shè)置在其上并且與之電連接的集成電路芯片，因此當(dāng)所述帶狀部 件連接到所述天線或線圈時(shí)，得到RFID標(biāo)簽或鑲嵌物。
38. —種制造EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物的方法，所述方法包括(a) 才是供薄的大致平面的天線或線圈部件；(b) 提供薄的，大致平面的帶狀部件，所述帶狀部件包括第一導(dǎo)電 平面元件，第二導(dǎo)電平面元件以及插入在第一、第二導(dǎo)電平面元件的至 少一部分之間的平面電介質(zhì)層，因此所述帶狀部件具有預(yù)期的電容；并 且(c )由于所述帶狀部件橋接所述天線或線圈部件的至少兩個(gè)獨(dú)立部， 因此所述第 一導(dǎo)電元件的第 一部分與所述天線或線圈的至少兩個(gè)獨(dú)立部 分之一電連接，并且所述第二導(dǎo)電元件的第 一部分與所述天線或線圏的 至少兩個(gè)獨(dú)立部分中的另一部分電連接。
39. 根據(jù)權(quán)利要求38所述方法，其特征在于，所述天線或線圈包括 一對(duì)端部，所述第一導(dǎo)電元件的第一部分連接在所述天線或線圏的任意期望位置或者連接在天線或線圏的兩端之間，并且所述第二導(dǎo)電元件的 第一部分連接在所述天線或線圈的任意期望位置或者連接在天線或線圈的兩端之間，以此確定所述EAS或RFID標(biāo)簽或鑲嵌物的才喿作頻率。
40. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電元件 的所述第一部分焊接到所述天線或線圈的至少兩獨(dú)立部分之一上，并且 所述第二導(dǎo)電元件的所述第 一部分焊接到所述天線或線圏的至少兩獨(dú)立 部分的另一個(gè)。
41. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述帶狀部件堆疊 在所述天線或線圈之上或之下。
42. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述帶狀部件的第 一和第二導(dǎo)電元件中的每個(gè)均包括鋁。
43. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述電介質(zhì)層包括 覆蓋層，該覆蓋層在所述第一和第二導(dǎo)電元件之一的至少一部分上。
44. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其特征在于，所述電介質(zhì)層包括 覆蓋層，該覆蓋層在所述第一和第二導(dǎo)電元件之一的至少一部分上。
45. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述電介質(zhì)層包括 薄膜。
46. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述帶狀部件還包 括設(shè)置在其上并且與之電性相連的集成電路芯片，因此當(dāng)所述帶狀部件 連接到所述天線或線圏時(shí)，得到RFID標(biāo)簽或鑲嵌物。
47. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述提供薄的、大 致平面的帶狀部件的步驟包括(a) 在聚乙烯壓出物的兩側(cè)固定金屬層以形成疊片；(b) 在金屬層的兩面選擇應(yīng)用光阻材料；(c) 把所述疊片應(yīng)用于蝕刻工藝以便形成多個(gè)電容帶；并且(d) 把襯墊和可剝離的粘合劑應(yīng)用于所述疊片之一。
48. 根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其特征在于，所述金屬層是鋁。
49. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述提供薄的、大 致平面的帶狀部件的步驟包括(a) 使用可剝離的粘合劑把一個(gè)雙面熱封閉金屬層應(yīng)用于第一襯墊， 并且把第二雙面熱封閉金屬層應(yīng)用于第二層，以形成第 一和第二金屬疊片；(b) 第一和第二襯墊上的所述雙面熱封閉金屬層的沖切部在所述第一和第二襯墊上形成多個(gè)獨(dú)立的電容盤(pán)；(c) 互相面對(duì)著設(shè)置所述多個(gè)獨(dú)立的電容盤(pán)；(d) 把所述第一襯墊上的多個(gè)電容盤(pán)中的每個(gè)與所述第二襯墊上的 多個(gè)電容盤(pán)中相應(yīng)的一個(gè)對(duì)應(yīng)，并且使其結(jié)合形成多個(gè)電容帶；以及(e) 去除所述第一或第二襯墊中的任意一個(gè)。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其特征在于，所述金屬層是鋁。
全文摘要
一種應(yīng)用于防盜標(biāo)簽線圈或天線的電容帶，所述電容帶形成并且適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)EAS或RFID防盜標(biāo)簽。所述電容帶是由兩金屬薄片形成的薄膜電容，在兩金屬薄膜之間是電介質(zhì)材料，所述薄膜電容的端點(diǎn)連接電性連接到防盜標(biāo)簽線圈或天線的不同點(diǎn)。所述電容帶可以包括RFID集成電路，串聯(lián)或并聯(lián)的電容，然后電容帶被應(yīng)用于防盜標(biāo)簽線圈的特定位置以便調(diào)節(jié)所述標(biāo)簽達(dá)到預(yù)先確定的頻率。
文檔編號(hào)G06K19/077GK101322144SQ200680045317
公開(kāi)日2008年12月10日 申請(qǐng)日期2006年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月25日
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