專(zhuān)利名稱(chēng)：涂敷處理方法和涂敷處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)例如半導(dǎo)體晶片或者LCD基板(液晶顯示器用玻璃基板)等基板進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理或者曝光后的顯影液的涂敷處理等的涂敷處理方法和涂敷處理裝置，更詳細(xì)地，涉及用于基板輸送機(jī)構(gòu)所進(jìn)行的基板輸送的技術(shù)。
背景技術(shù)：
作為半導(dǎo)體設(shè)備或者LCD基板的制造工藝方法之一，有以下一系列的工序在基板上形成抗蝕劑膜，使用光掩膜使該抗蝕劑膜曝光后，通過(guò)進(jìn)行顯影處理，獲得所希望的圖形；這樣的處理，通常使用在進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷或者顯影的涂敷·顯影裝置上連接有曝光裝置的防蝕圖形形成裝置來(lái)進(jìn)行。作為這樣的裝置，已知的是例如特開(kāi)2002-050668號(hào)公報(bào)中表示的裝置。在該裝置中，例如如圖1所示，收納有多片晶片W的承載體10被輸入到承載塊1A的承載臺(tái)11，承載體10內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W(以下稱(chēng)為“晶片W”)借助交接臂12交接至處理塊1B。然后在處理塊1B中進(jìn)行用于利用涂敷單元13A等形成抗蝕劑膜的一系列處理，接下來(lái)經(jīng)由接口塊1C輸送至曝光裝置1D。
曝光處理后的晶片，再次返回至處理塊1B，在顯影單元13B中進(jìn)行顯影處理，從而返回至原來(lái)的承載體10內(nèi)。圖1中，14A～14C，為具備用于在涂敷單元13A或者顯影單元13B的處理前后對(duì)晶片進(jìn)行規(guī)定的加熱處理或者冷卻處理的加熱單元(HP、PEB、POST)、冷卻單元(CPL1～CPL4)、或者交接臺(tái)(TRS)等的擱板單元。
在該裝置中，晶片W借助設(shè)在處理塊1B上的主臂15，在涂敷單元13A、顯影單元13B以及擱板單元14A～14C的各部分等的、在處理塊1B中放置晶片W的模塊間輸送。這時(shí)，在對(duì)晶片W實(shí)施上述處理時(shí)，如上述特開(kāi)2002-050668號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的技術(shù)所示，關(guān)于處理預(yù)定的全部晶片W，根據(jù)預(yù)先分別確定了在哪一時(shí)刻輸送至哪一模塊的輸送計(jì)劃進(jìn)行輸送。此外，在圖1中，參考標(biāo)記16是在處理塊1B和曝光裝置1D之間進(jìn)行晶片W的輸送的接口臂。
圖2是表示該系統(tǒng)中的晶片W的輸送路徑的說(shuō)明圖。交接機(jī)構(gòu)12具有將載置在承載臺(tái)11上的承載體10內(nèi)的處理前的晶片W輸送至交接單元(TRS)，并將結(jié)束顯影放置在冷卻單元(CPL4)中的處理后的晶片W輸送至上述承載體10上的作用。主輸送機(jī)構(gòu)15具有以冷卻單元(CPL1)、涂敷單元(COT)、加熱單元(HP)、冷卻單元(CPL2)的順序輸送交接單元(TRS1)上的晶片W，進(jìn)而以冷卻單元(CPL3)、顯影單元(DEV)、加熱單元(POST)、冷卻單元(CPL4)的順序輸送從接口塊1C輸出并載置在加熱單元(PEB)內(nèi)的晶片W的作用。
主輸送機(jī)構(gòu)15，例如如圖3所示，具備例如沿著基臺(tái)17進(jìn)退自如地設(shè)置的3片臂15a、15b、15c，基臺(tái)17構(gòu)成為，利用未圖示的升降機(jī)構(gòu)和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，升降自如且繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如。另外構(gòu)成為進(jìn)行如下的動(dòng)作在利用例如一個(gè)臂15b接受放置在前一個(gè)單元上的晶片W后，利用另一個(gè)臂15c接受放置在下一個(gè)單元上的晶片W，然后將上述一個(gè)臂15b上的晶片W交接至下一個(gè)單元。
這時(shí)，在主輸送機(jī)構(gòu)15與冷卻單元(CPL1～CPL4)或者加熱單元(HP、PEB、POST)之間，由于臂15b、15c進(jìn)入單元內(nèi)部而在與該單元之間進(jìn)行晶片W的交接，所以在從加熱單元接受晶片W時(shí)，臂自身加熱，從而升溫。
另外，如果使用該蓄熱的臂，從涂敷單元(COT)的前一工序的冷卻單元(CPL1)接受晶片W，并輸送至涂敷單元(COT)，則從臂向在冷卻單元(CPL1)中冷卻的晶片W傳熱從而在輸送中晶片W的溫度上升，晶片溫度的表面內(nèi)均勻性惡化。在此由于涂敷處理時(shí)的晶片溫度對(duì)膜厚產(chǎn)生較大影響，所以如果在輸送中晶片溫度變化，則依存該溫度變化，膜厚的表面內(nèi)均勻性下降。
因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)準(zhǔn)備上述主輸送機(jī)構(gòu)15的一個(gè)臂15a作為從冷卻單元(CPL1)向涂敷單元(COT)輸送晶片W時(shí)專(zhuān)用的臂，并使用不產(chǎn)生溫度變化的其它臂將晶片W從冷卻單元(CPL1)向涂敷單元(COT)輸送，來(lái)抑制在冷卻單元(CPL1)中冷卻的晶片W的輸送中的溫度變化，實(shí)現(xiàn)膜厚的表面內(nèi)均勻性的提高。但是該臂15a由于在通常的輸送中不使用，所以使用頻率較低，由于這樣的使用頻率低的臂15a也需要驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，所以性能價(jià)格比低，從而成為阻礙裝置低廉化的原因。再者，如果這樣使用3條臂則也會(huì)導(dǎo)致主輸送機(jī)構(gòu)的大型化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可以使用只具備上臂和下臂2條臂的基板輸送機(jī)構(gòu)，抑制從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送中的基板的溫度變化的涂敷處理方法和涂敷處理裝置。
再者，另一目的在于提供一種用于執(zhí)行這樣的涂敷處理方法的計(jì)算機(jī)程序和可以進(jìn)行計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的第1觀點(diǎn)，提供一種涂敷處理方法，使用以下涂敷處理裝置進(jìn)行涂敷處理，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷涂敷液；加熱模塊，加熱涂敷有涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，該方法包括用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板；用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板；進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊；這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，為了使從調(diào)溫模塊向涂敷模塊輸送基板的臂和從加熱模塊接受基板的臂不同，而在上述輸送路徑中的涂敷模塊和加熱模塊之間配置虛載置臺(tái)，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行基板從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
在上述第1觀點(diǎn)的涂敷處理方法中，可以沿著輸送路徑配置在對(duì)基板涂敷涂敷液之前一邊加熱基板一邊對(duì)基板表面進(jìn)行疏水化處理的疏水化模塊，對(duì)應(yīng)于基板，在使用疏水化模塊的輸送路徑和不使用疏水化模塊的輸送路徑之間切換輸送路徑進(jìn)行處理。再者，位于輸送路徑上游端的載置臺(tái)模塊可以作為基板的交接用的交接臺(tái)模塊。在該情況下，上述交接臺(tái)模塊也可以作為基板的冷卻板而發(fā)揮功能。進(jìn)而，涂敷模塊可以是用于對(duì)基板涂敷抗蝕劑液或者反射防止膜用的藥液的模塊。更進(jìn)而，涂敷模塊可以是用于對(duì)基板涂敷顯影液的模塊，位于輸送路徑上游端的載置臺(tái)模塊可以是載置曝光且加熱了的基板的模塊。更進(jìn)而，涂敷模塊可以是用于對(duì)基板涂敷顯影液的模塊，位于輸送路徑上游端的載置臺(tái)模塊可以是載置曝光了的基板的模塊，在輸送路徑中的載置臺(tái)模塊和調(diào)溫模塊之間，可以配置用于加熱且冷卻基板的模塊。更進(jìn)而，還可以包括識(shí)別基板的輸送路徑；將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)；識(shí)別調(diào)溫模塊是第偶數(shù)號(hào)模塊，還是第奇數(shù)號(hào)模塊。
根據(jù)本發(fā)明的第2觀點(diǎn)，提供一種涂敷處理方法，使用以下涂敷處理裝置進(jìn)行涂敷處理，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；第1調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；第1涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第1涂敷液；第1加熱模塊，加熱涂敷有第1涂敷液的基板；第2調(diào)溫模塊，冷卻基板并調(diào)整為設(shè)定溫度；第2涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第2涂敷液；第2加熱模塊，加熱涂敷有第2涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，該方法包括用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板；用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板；進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊；這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，為了使從第1調(diào)溫模塊向第1涂敷模塊輸送基板的臂和從第1加熱模塊接受基板的臂不同，而在上述輸送路徑中的第1涂敷模塊和第1加熱模塊之間配置第1虛載置臺(tái)，為了使從第2調(diào)溫模塊向第2涂敷模塊輸送基板的臂和從第2加熱模塊接受基板的臂不同，而在上述輸送路徑中的第2涂敷模塊和第2加熱模塊之間配置第2虛載置臺(tái)，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行基板從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
在上述第2觀點(diǎn)的涂敷處理方法中，第1涂敷模塊可以是用于對(duì)基板涂敷反射防止膜用的藥液的模塊，第2涂敷模塊可以是用于對(duì)基板涂敷抗蝕劑液的模塊。再者，可以在輸送路徑中的第1調(diào)溫模塊的上游側(cè)配置在對(duì)基板涂敷涂敷液之前一邊加熱基板一邊對(duì)基板表面進(jìn)行疏水化處理的疏水化模塊，對(duì)應(yīng)于基板，在使用第1調(diào)溫模塊、第1涂敷模塊、第1虛載置臺(tái)和第1加熱模塊的輸送路徑、以及代替使用這些模塊而使用疏水化模塊的輸送路徑之間切換輸送路徑進(jìn)行處理。進(jìn)而，位于輸送路徑上游端的載置臺(tái)模塊可以作為基板的交接用的交接臺(tái)模塊，在該情況下，上述交接臺(tái)模塊也可以作為基板的冷卻板而發(fā)揮功能。更進(jìn)而，還可以包括識(shí)別基板的輸送路徑；將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)；識(shí)別調(diào)溫模塊是第偶數(shù)號(hào)模塊，還是第奇數(shù)號(hào)模塊。
根據(jù)本發(fā)明的第3觀點(diǎn)，提供一種涂敷處理裝置，具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；調(diào)溫模塊，將基板溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷涂敷液；加熱模塊，加熱涂敷有涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作；控制部，控制上述基板輸送機(jī)構(gòu)，使得利用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，上述涂敷處理部具有虛(dummy)載置臺(tái)，所述虛載置臺(tái)為了使從上述調(diào)溫模塊向涂敷模塊輸送基板的臂和從加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的涂敷模塊和加熱模塊之間，上述控制部控制基板輸送機(jī)構(gòu)，使得如果將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，則在調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板。
在上述第3觀點(diǎn)的涂敷處理裝置中，上述處理部可以具有疏水化模塊，所述疏水化模塊沿著上述輸送路徑配置，且在對(duì)基板涂敷涂敷液之前一邊加熱基板一邊對(duì)基板表面進(jìn)行疏水化處理，上述控制部可以控制上述基板輸送機(jī)構(gòu)，使得對(duì)應(yīng)于基板，在使用疏水化模塊的輸送路徑和不使用疏水化模塊的輸送路徑之間切換輸送路徑。再者，位于上述輸送路徑上游端的上述載置臺(tái)模塊可以作為基板的交接用的交接臺(tái)模塊，在該情況下，上述交接臺(tái)模塊也可以作為基板的冷卻板而發(fā)揮功能。進(jìn)而，上述涂敷模塊可以是用于對(duì)基板涂敷抗蝕劑液或者反射防止膜用的藥液的模塊。更進(jìn)而，上述涂敷模塊可以是用于對(duì)基板涂敷顯影液的模塊，位于上述輸送路徑上游端的上述載置臺(tái)模塊可以是載置曝光且加熱了的基板的模塊。更進(jìn)而，上述涂敷模塊可以是用于對(duì)基板涂敷顯影液的模塊，位于上述輸送路徑上游端的上述載置臺(tái)模塊可以是載置曝光了的基板的模塊，在上述輸送路徑中的上述載置臺(tái)模塊和上述調(diào)溫模塊之間，可以配置用于加熱且冷卻基板的模塊。
根據(jù)本發(fā)明的第4觀點(diǎn)，提供一種涂敷處理裝置，具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；第1調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；第1涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第1涂敷液；第1加熱模塊，加熱涂敷有第1涂敷液的基板；第2調(diào)溫模塊，冷卻基板并調(diào)整為設(shè)定溫度；第2涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第2涂敷液；第2加熱模塊，加熱涂敷有第2涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，控制部，控制上述基板輸送機(jī)構(gòu)，使得利用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，利用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，上述涂敷處理部具有第1虛載置臺(tái)，為了使從第1調(diào)溫模塊向第1涂敷模塊輸送基板的臂和從第1加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第1涂敷模塊和第1加熱模塊之間；和第2虛載置臺(tái)，為了使從第2調(diào)溫模塊向第2涂敷模塊輸送基板的臂和從第2加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第2涂敷模塊和第2加熱模塊之間，上述控制部控制基板輸送機(jī)構(gòu)，使得如果將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，則在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板。
在上述第4觀點(diǎn)的涂敷處理方法中，上述第1涂敷模塊可以是用于對(duì)基板涂敷反射防止膜用的藥液的模塊，上述第2涂敷模塊可以是用于對(duì)基板涂敷抗蝕劑液的模塊。再者，上述處理部可以具有疏水化模塊，所述疏水化模塊配置在上述輸送路徑中的上述第1調(diào)溫模塊的上游側(cè)，且在對(duì)基板涂敷涂敷液前一邊加熱基板一邊對(duì)基板表面進(jìn)行疏水化處理，上述控制部可以控制基板輸送機(jī)構(gòu)，使得對(duì)應(yīng)于基板，在使用第1調(diào)溫模塊、第1涂敷模塊、第1虛載置臺(tái)和第1加熱模塊的輸送路徑、和代替使用這些模塊而使用疏水化模塊的輸送路徑之間切換輸送路徑。進(jìn)而，位于上述輸送路徑上游端的上述載置臺(tái)模塊可以作為基板的交接用的交接臺(tái)模塊，在該情況下，上述交接臺(tái)模塊也可以作為基板的冷卻板而發(fā)揮功能。
根據(jù)本發(fā)明的第5觀點(diǎn)，提供一種計(jì)算機(jī)程序，在計(jì)算機(jī)中控制以下涂敷處理裝置，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷涂敷液；加熱模塊，加熱涂敷有涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；進(jìn)而，為了使從調(diào)溫模塊向涂敷模塊輸送基板的臂和從加熱模塊接受基板的臂不同，而在上述輸送路徑中的涂敷模塊和加熱模塊之間具有虛載置臺(tái)；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，如下控制上述涂敷處理裝置在執(zhí)行時(shí)，用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行基板從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
根據(jù)本發(fā)明的第6觀點(diǎn)，提供一種可以進(jìn)行計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)中控制以下涂敷處理裝置的控制程序，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷涂敷液；加熱模塊，加熱涂敷有涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；進(jìn)而，為了使從調(diào)溫模塊向涂敷模塊輸送基板的臂和從加熱模塊接受基板的臂不同，而在上述輸送路徑中的涂敷模塊和加熱模塊之間具有虛載置臺(tái)；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，上述程序如下控制上述涂敷處理裝置在執(zhí)行時(shí)，用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行基板從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
根據(jù)本發(fā)明的第7觀點(diǎn)，提供一種計(jì)算機(jī)程序，在計(jì)算機(jī)中控制以下涂敷處理裝置，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；第1調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；第1涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第1涂敷液；第1加熱模塊，加熱涂敷有第1涂敷液的基板；第2調(diào)溫模塊，冷卻基板并調(diào)整為設(shè)定溫度；第2涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第2涂敷液；第2加熱模塊，加熱涂敷有第2涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；進(jìn)而具有第1虛載置臺(tái)，為了使從第1調(diào)溫模塊向第1涂敷模塊輸送基板的臂和從第1加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第1涂敷模塊和第1加熱模塊之間；第2虛載置臺(tái)，為了使從第2調(diào)溫模塊向第2涂敷模塊輸送基板的臂和從第2加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第2涂敷模塊和第2加熱模塊之間；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，如下控制上述涂敷處理裝置在執(zhí)行時(shí)，用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行從基板調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
根據(jù)本發(fā)明的第8觀點(diǎn)，提供一種可以進(jìn)行計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)中控制以下涂敷處理裝置的計(jì)算機(jī)程序，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；第1調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；第1涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第1涂敷液；第1加熱模塊，加熱涂敷有第1涂敷液的基板；第2調(diào)溫模塊，冷卻基板并調(diào)整為設(shè)定溫度；第2涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第2涂敷液；第2加熱模塊，加熱涂敷有第2涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；進(jìn)而具有第1虛載置臺(tái)，為了使從第1調(diào)溫模塊向第1涂敷模塊輸送基板的臂和從第1加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第1涂敷模塊和第1加熱模塊之間；第2虛載置臺(tái)，為了使從第2調(diào)溫模塊向第2涂敷模塊輸送基板的臂和從第2加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第2涂敷模塊和第2加熱模塊之間；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，上述程序如下控制上述涂敷處理裝置在執(zhí)行時(shí)，用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行基板從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
根據(jù)本發(fā)明，由于始終用下臂進(jìn)行基板從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送，并始終用上臂進(jìn)行涂敷模塊后輸送的基板從加熱模塊的接受，所以不使用在從加熱模塊接受基板時(shí)加熱了的上臂從調(diào)溫模塊向涂敷模塊輸送基板。因此，由于用調(diào)溫模塊以高精度進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板借助溫度變化少的下臂從調(diào)溫模塊輸送至涂敷模塊，所以可以在抑制來(lái)自臂的熱影響的狀態(tài)下進(jìn)行基板的輸送，可以抑制那時(shí)的基板的表面內(nèi)溫度的變化。由此，在涂敷模塊中，在基板的面內(nèi)溫度均勻性高且基板溫度適合的狀態(tài)下進(jìn)行涂敷液的涂敷處理，可以進(jìn)行表面內(nèi)均勻性較高的良好的涂敷處理。
再者，由于用上臂進(jìn)行基板從加熱模塊的接受，上臂的熱容易傳播至上方側(cè)，所以與用下臂進(jìn)行基板從加熱模塊的接受的情況相比，可以減小對(duì)另一個(gè)臂的熱影響。
此外，在本發(fā)明中，所謂的調(diào)溫模塊，并不限于設(shè)有調(diào)溫機(jī)構(gòu)的模塊，也可以作為例如包含有用于調(diào)整為室溫的簡(jiǎn)單的板的模塊。再者，識(shí)別基板的輸送路徑的工序，通過(guò)例如選擇欲輸送基板的載置臺(tái)模塊或者涂敷模塊等的模塊或者虛載置臺(tái)、和指定了基板向這些模塊或者虛載置臺(tái)的輸送順序的輸送方法來(lái)進(jìn)行。


圖1是表示現(xiàn)有的涂敷·顯影裝置的俯視圖，圖2是表示現(xiàn)有的涂敷·顯影裝置中基板的流動(dòng)和輸送機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)的說(shuō)明圖，圖3是表示用于現(xiàn)有的涂敷·顯影裝置中的基板輸送機(jī)構(gòu)的一例的立體圖，圖4是表示在本發(fā)明的涂敷處理方法中使用的模塊的排列的示意圖，圖5是表示在本發(fā)明的涂敷處理方法中使用的基板輸送機(jī)構(gòu)的立體圖，圖6A、6B是說(shuō)明用于說(shuō)明本發(fā)明的涂敷處理方法的概要的模塊的排列和基板輸送機(jī)構(gòu)的使用臂的圖，圖7是表示應(yīng)用于本發(fā)明的第1實(shí)施方式的涂敷·顯影裝置的俯視圖，圖8是表示圖7的涂敷·顯影裝置的整體結(jié)構(gòu)的概略立體圖，圖9是圖7的涂敷·顯影裝置的概略垂直剖視圖，圖10是表示圖7的涂敷·顯影裝置的第4單位塊(COT層)的概略立體圖，圖11是表示圖7的涂敷·顯影裝置中晶片的流動(dòng)和各基板機(jī)構(gòu)的輸送區(qū)域及控制部的示意圖，圖12是表示涂敷膜形成用的單位塊中晶片的輸送計(jì)劃的一例的說(shuō)明圖，圖13是表示涂敷膜形成用的單位塊中晶片的輸送流程的流程圖，圖14是表示涂敷膜形成用的單位塊中晶片的輸送計(jì)劃的一例的說(shuō)明圖，圖15是表示在本發(fā)明的第1實(shí)施方式中使用的另一模塊排列的示意圖，圖16是表示在本發(fā)明的第2實(shí)施方式中使用的模塊排列的示意圖，圖17A、17B是示意地表示在本發(fā)明的第2實(shí)施方式中應(yīng)用的涂敷·顯影裝置的俯視圖，圖18A、18B是說(shuō)明在本發(fā)明的第2實(shí)施方式中應(yīng)用的涂敷·顯影裝置內(nèi)的模塊排列和基板輸送機(jī)構(gòu)的使用臂的圖。
具體實(shí)施例方式
首先關(guān)于本發(fā)明的涂敷處理方法的概要，以將本發(fā)明方法應(yīng)用于抗蝕劑液的涂敷處理的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。如圖4所示，在涂敷處理裝置內(nèi)，在作為基板的晶片W的輸送路徑中，從上游側(cè)按例如位于上游端的載置臺(tái)模塊(TRS)、加熱晶片W并對(duì)晶片W表面進(jìn)行疏水化處理的疏水化模塊(ADH)、將晶片W的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度的調(diào)溫模塊(CPL1)、對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板進(jìn)行涂敷液例如抗蝕劑液的涂敷處理的涂敷模塊(COT)、加熱涂敷有涂敷液的基板的加熱模塊(HP)、和冷卻基板的冷卻模塊(CPL2)的順序配置。
在該裝置中，利用如圖5所示的具備上臂21和下臂22兩片臂的基板輸送機(jī)構(gòu)2，沿著上述輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送晶片W。在對(duì)形成有反射防止膜的晶片W進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的情況下，以不使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑，即載置臺(tái)模塊(TRS)→調(diào)溫模塊(CPL1)→涂敷模塊(COT)→加熱模塊(HP)→冷卻模塊(CPL2)的順序輸送。再者，在對(duì)未形成反射防止膜的晶片W進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的情況下，以使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑，即載置臺(tái)模塊(TRS)→疏水化模塊(ADH)→調(diào)溫模塊(CPL1)→涂敷模塊(COT)→加熱模塊(HP)→冷卻模塊(CPL2)的順序輸送。
在此，基板輸送機(jī)構(gòu)2構(gòu)成為相互上下設(shè)置的上述上臂21和下臂22沿著基臺(tái)23獨(dú)立地進(jìn)退自如，在該基板輸送機(jī)構(gòu)2中如下地動(dòng)作利用上臂21和下臂22中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊(TRS)上的晶片W，利用上臂21和下臂22中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的晶片W，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的晶片W交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂21和下臂22交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒕琖一個(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊。
另外，如以不使用如圖6A所示的疏水化模塊(ADH)的輸送路徑進(jìn)行晶片W的輸送時(shí)那樣，如果將載置臺(tái)模塊(TRS)作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，則在調(diào)溫模塊(CPL1)成為第偶數(shù)號(hào)(第2號(hào))模塊時(shí)，用上述上臂21去取第1號(hào)的載置臺(tái)模塊(TRS)上的晶片W，用下臂22接受放置在下一個(gè)調(diào)溫模塊(CPL1)上的晶片W，將上臂21上的晶片W交接至調(diào)溫模塊(CPL1)。這樣，用下臂22接受調(diào)溫模塊(CPL1)上的晶片W，用上臂21接受放置在下一個(gè)涂敷模塊(COT)上的晶片W，來(lái)將下臂22上的晶片W交接至涂敷模塊(COT)。
在此，在將調(diào)溫模塊(CPL1)作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)時(shí)，關(guān)于第奇數(shù)號(hào)的模塊，由于該模塊上的晶片W，與去取調(diào)溫模塊(CPL1)上的晶片W的臂相同，所以如果將晶片W輸送至涂敷模塊(COT)的下一個(gè)的加熱模塊(HP)，則從調(diào)溫模塊(CPL)向涂敷模塊(COT)輸送的臂，和從加熱模塊(HP)接受晶片W的臂相同。
因此，在本發(fā)明中，如圖6A所示，在上述輸送路徑中的涂敷模塊(COT)和加熱模塊(HP)之間配置虛載置臺(tái)(DUM)，使從調(diào)溫模塊(CPL1)向涂敷模塊(COT)輸送的臂(下臂22)、和從加熱模塊(HP)接受晶片W的臂(上臂21)不同。
再者，如以使用如圖6B所示的疏水化模塊(ADH)的輸送路徑輸送晶片W時(shí)那樣，如果將上述載置臺(tái)模塊(TRS)作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，則在調(diào)溫模塊(CPL1)成為第奇數(shù)號(hào)(第3號(hào))模塊時(shí)，用上述下臂22去取第1號(hào)的載置臺(tái)模塊(TRS)上的晶片W，用上臂21接受放置在下一個(gè)疏水化模塊(ADH)上的晶片W，將上述下臂22上的晶片W交接至疏水化模塊(ADH)。這樣，用下臂22接受調(diào)溫模塊(CPL1)上的晶片W，用上臂21接受放置在下一個(gè)涂敷模塊(COT)上的晶片W，來(lái)將上述下臂22上的晶片W交接至涂敷模塊(COT)。
在這種情況下同樣，由于在涂敷模塊(COT)和加熱模塊(HP)之間不設(shè)置虛載置臺(tái)(DUM)的情況下，從調(diào)溫模塊(CPL)向涂敷模塊(COT)輸送的臂，和從加熱模塊(HP)接受晶片W的臂相同，所以在上述輸送路徑中的涂敷模塊(COT)和加熱模塊(HP)之間配置虛載置臺(tái)(DUM)，使從調(diào)溫模塊(CPL1)向涂敷模塊(COT)輸送的臂(下臂22)、和從加熱模塊(HP)接受晶片W的臂(上臂21)不同。
接下來(lái)，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
首先，說(shuō)明第1實(shí)施方式。圖7是表示應(yīng)用于本發(fā)明的第1實(shí)施方式的涂敷·顯影裝置的俯視圖，圖8是同一裝置的概略立體圖，圖9是同一裝置的概略垂直剖視圖。涂敷·顯影裝置具備承載塊S1，用于輸入輸出密閉收納有例如13片作為基板的晶片W的承載體30；處理塊S2，具備與承載塊S1鄰接設(shè)置的5個(gè)單位塊B1～B5；接口塊S3，在處理塊S2的與承載塊S1相反的一側(cè)與其鄰接設(shè)置。另外，在曝光裝置S4連接在接口塊S3上的狀態(tài)下構(gòu)成防蝕圖形形成裝置。用由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制裝置6控制該防蝕圖形形成裝置的動(dòng)作。
承載塊S1具有可以載置多個(gè)承載體30的載置臺(tái)31；從該載置臺(tái)31看設(shè)在前方壁面上的開(kāi)閉部32；用于經(jīng)由開(kāi)閉部32將晶片W從承載體30取出的承載塊輸送機(jī)構(gòu)C。該承載塊輸送機(jī)構(gòu)C構(gòu)成為，進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如、在承載體30的排列方向移動(dòng)自如，以便在后述的單位塊B2的交接臺(tái)TRS1、TRS2、TRS-F之間進(jìn)行晶片W的交接。
上述處理塊S2，連接在承載塊S1上，并被筐體33包圍周?chē)?。處理塊S2為多層構(gòu)造，下層側(cè)的2層為用于進(jìn)行顯影處理的第1和第2單位塊(DEV層)B1、B2，在其上方依次形成用于進(jìn)行形成在抗蝕劑膜的上層側(cè)的反射防止膜(以下稱(chēng)為第2反射防止膜)的形成處理的第3單位塊(TCT層)B3；用于進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的第4單位塊(COT層)B4；用于進(jìn)行形成在抗蝕劑膜的下層側(cè)的反射防止膜(以下稱(chēng)為第1反射防止膜)的形成處理的第5單位塊(BCT層)B5。在此，DEV層B1、B2相當(dāng)于顯影處理用的單位塊，TCT層B3、COT層B4和BCT層B5相當(dāng)于涂敷膜形成用的單位塊。
再者，處理塊S2在其承載塊S1側(cè)部分具有貫通單位塊B1～B5且層疊地構(gòu)成有多個(gè)交接臺(tái)的擱板單元U5，再者，在接口塊S3側(cè)部分具有貫通單位塊B1～B5且層疊地構(gòu)成有多個(gè)交接臺(tái)的擱板單元U6。
接下來(lái)，說(shuō)明第1～第5單位塊B1～B5的結(jié)構(gòu)。
這些各單位塊B1～B5具備用于對(duì)晶片W涂敷藥液的液體處理單元；用于進(jìn)行以液體處理單元進(jìn)行的處理的前處理和后處理的各種加熱？冷卻類(lèi)的多個(gè)處理單元。另外，第1～第5單位塊B1～B5具備分別用于在上述液體處理單元和加熱？冷卻類(lèi)的處理單元之間進(jìn)行晶片W的交接的專(zhuān)用主輸送臂A1～A5。
這些單位塊B1～B5，由于由大致同樣的布局構(gòu)成，所以以圖7所示的第4單位塊(COT層)B4為例進(jìn)行說(shuō)明。
在該COT層B4的大致中央，沿著從承載塊S1側(cè)至接口塊S3側(cè)的圖中Y方向形成晶片W的輸送區(qū)域R1。在從該輸送區(qū)域R1的承載塊S1側(cè)觀看的右側(cè)，作為上述液體處理單元而設(shè)置有具備用于進(jìn)行抗蝕劑的涂敷處理的多個(gè)(圖中為3個(gè))涂敷部40、和收納涂敷部40的筐體42的涂敷模塊41。涂敷部40具備保持晶片并使其旋轉(zhuǎn)的晶片保持部(未圖示)、和包圍該晶片保持部的杯體43，使用噴嘴等將抗蝕劑液供給至晶片的中心部，并使晶片保持部旋轉(zhuǎn)來(lái)擴(kuò)散抗蝕劑液從而進(jìn)行涂敷處理。
再者，在從輸送區(qū)域R1的承載塊S1側(cè)觀看的左側(cè)設(shè)置有加熱冷卻部分48。加熱冷卻部分48，具有從承載塊S1側(cè)按順序設(shè)置的將加熱？冷卻類(lèi)的單元多層化的4個(gè)擱板單元U1、U2、U3、U4。這些擱板單元U1、U2、U3、U4為，將用于進(jìn)行以涂敷模塊41進(jìn)行的處理的前處理或者后處理的各種單元層疊為多層，例如2層的結(jié)構(gòu)。
作為構(gòu)成上述加熱冷卻部分48的用于進(jìn)行前處理和后處理的多個(gè)各種模塊，例如如圖10所示，包含有調(diào)溫模塊(CPL41)，用于在抗蝕劑液涂敷前將晶片W調(diào)整至設(shè)定溫度；加熱模塊(HP4)，用于在抗蝕劑液涂敷后進(jìn)行晶片W的加熱處理，被稱(chēng)為例如預(yù)烘焙?jiǎn)卧?；冷卻模塊(CPL42)，為了在抗蝕劑液涂敷后，例如預(yù)先將晶片高精度地調(diào)整為曝光裝置S4內(nèi)的溫度，而用于進(jìn)行晶片的冷卻處理；疏水化模塊(ADH)，為了在抗蝕劑液涂敷后，提高抗蝕劑液和晶片W的緊貼性，而加熱晶片W并對(duì)晶片W表面進(jìn)行疏水化處理；用于只使晶片W的緣部選擇性地曝光的周緣曝光裝置(WEE)等。再者調(diào)溫模塊(CPL41)和加熱模塊(HP4)等各處理單元，分別收納在處理容器44內(nèi)，擱板單元U1～U4層疊2層處理容器44而構(gòu)成，在各處理容器44的面臨于輸送區(qū)域R1的表面上形成有晶片輸入輸出口45。
在上述輸送區(qū)域R1內(nèi)設(shè)置有上述主輸送機(jī)構(gòu)A4。該主輸送機(jī)構(gòu)A4構(gòu)成為在該第4單位塊(COT層)B4內(nèi)的全部模塊、擱板單元U5和擱板單元U6的各交接臺(tái)之間進(jìn)行晶片的交接，因此構(gòu)成為進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如、Y軸方向移動(dòng)自如。
主輸送機(jī)構(gòu)A4，例如如圖10所示，具備用于支承晶片W的背面?zhèn)戎芫墔^(qū)域且相互上下配置的上臂21和下臂22這2個(gè)臂，這些上臂21和下臂22構(gòu)成為沿著基臺(tái)23相互獨(dú)立地進(jìn)退自如。再者，該基臺(tái)23構(gòu)成為利用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)24繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，并且構(gòu)成利用移動(dòng)機(jī)構(gòu)25，沿著安裝在支承擱板單元U1～U4的臺(tái)部26的面臨于輸送區(qū)域R1的表面上的Y軸導(dǎo)軌27而在Y軸方向移動(dòng)自如，且沿著升降導(dǎo)軌28升降自如。這樣，上臂21和下臂22構(gòu)成為進(jìn)退自如，沿著Y軸方向移動(dòng)自如，升降自如，繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，并可以在擱板單元U1～U4的各模塊、或者后述的擱板單元U5、U6的第1和第2交接臺(tái)或者虛載置臺(tái)(DUM)、或者涂敷模塊(COT)之間進(jìn)行晶片W的交接。此外，其它單位塊的主輸送機(jī)構(gòu)A1、A2、A3、A5也完全同樣地構(gòu)成。
輸送區(qū)域R1的與承載塊S1鄰接的區(qū)域，成為第1晶片交接區(qū)域R2。如圖7和圖9所示，在該區(qū)域R2的承載塊輸送機(jī)構(gòu)C和主輸送機(jī)構(gòu)A4可以進(jìn)入的位置設(shè)置上述擱板單元U5。再者，在區(qū)域R2中，用于進(jìn)行晶片W的交接的第1交接機(jī)構(gòu)51可以通過(guò)擱板單元U5。第1交接機(jī)構(gòu)51可以沿著擱板單元U5，貫通第1～第5單位塊B1～B5而上下移動(dòng)。
輸送區(qū)域R1的與接口塊S3鄰接的區(qū)域，成為第2晶片交接區(qū)域R3。如圖7和圖9所示，在該區(qū)域R 3的主輸送機(jī)構(gòu)A4可以進(jìn)入的位置設(shè)置上述擱板單元U6。再者，在區(qū)域R3中，用于進(jìn)行晶片W的交接的第2交接機(jī)構(gòu)52可以通過(guò)擱板單元U6。第2交接機(jī)構(gòu)52可以沿著擱板單元U6，貫通第1～第5單位塊B1～B5而上下移動(dòng)。
上述擱板單元U5，如圖9所示，在分別對(duì)應(yīng)于各單位塊B1～B5的位置上具有各2個(gè)第1交接臺(tái)TRS1～TRS5，由此構(gòu)成多層層疊有第1交接臺(tái)的第1交接臺(tái)組。在這些第1交接臺(tái)TRS1～TRS5中，分別在與單位塊B1～B5的主輸送機(jī)構(gòu)A1～A5之間進(jìn)行晶片W的交接。再者上述第1交接機(jī)構(gòu)51構(gòu)成為進(jìn)退自如和升降自如，以便可以向第1交接臺(tái)TRS1～TRS5進(jìn)行晶片W的交接。此外，雖然在該例中，分別設(shè)置了各2個(gè)第1交接臺(tái)TRS1～TRS5，但是也可以分別為各1個(gè)或者各3個(gè)以上。
上述第1和第2單位塊B1和B2的第1交接臺(tái)TRS1和TRS2構(gòu)成為在與承載塊S1的承載塊輸送機(jī)構(gòu)C之間進(jìn)行晶片W的交接。再者，擱板單元U5在對(duì)應(yīng)于第2單位塊B2的部分，還具備2個(gè)交接臺(tái)TRS-F，該交接臺(tái)TRS-F，作為用于借助承載塊輸送機(jī)構(gòu)C將晶片W輸入處理塊S2中的專(zhuān)用交接臺(tái)使用。該交接臺(tái)TRS-F可以設(shè)置在第1單位塊B1上，也可以在不單獨(dú)地設(shè)置該交接臺(tái)TRS-F的前提下，在將晶片W從承載塊輸送機(jī)構(gòu)C輸入處理塊S2中時(shí)，使用交接臺(tái)TRS1和TRS2進(jìn)行。
上述擱板單元U6，如圖5和圖9所示，在分別對(duì)應(yīng)于各單位塊B1～B5的位置上具有各2個(gè)第2交接臺(tái)TRS6～TRS10，由此構(gòu)成多層層疊有第2交接臺(tái)的第2交接臺(tái)組。在這些第2交接臺(tái)TRS6～TRS10中，分別在與單位塊B1～B5的主輸送機(jī)構(gòu)A1～A5之間進(jìn)行晶片W的交接。再者上述第2交接機(jī)構(gòu)52構(gòu)成為進(jìn)退自如和升降自如，以便可以對(duì)第2交接臺(tái)TRS6～TRS10進(jìn)行晶片W的交接。此外，雖然在該例中，分別設(shè)置了各2個(gè)第2交接臺(tái)TRS6～TRS10，但是也可以分別為各1個(gè)或者各3個(gè)以上。
這樣，在本實(shí)施方式中構(gòu)成為，可以在5層層疊的各單位塊B1～B5之間，利用上述第1交接臂51和第2交接臂52，分別經(jīng)由第1交接臺(tái)TRS1～TRS5和TRS-F、第2交接臺(tái)TRS6～TRS10，自由地進(jìn)行晶片W的交接。
再者，在COT層B4中，例如第1交接臺(tái)TRS4、第2交接臺(tái)TRS9的任意一個(gè)，作為構(gòu)成為在該COT層B4內(nèi)的晶片W的輸送路徑中位于上游端的載置臺(tái)模塊的交接臺(tái)模塊使用。進(jìn)而，在擱板單元U5、擱板單元U6的任意一個(gè)上，在例如各單位塊B1～B5的主臂A1～A5分別可以進(jìn)入的位置，設(shè)置1個(gè)以上例如1個(gè)虛載置臺(tái)(DUM1～DUM5)。
接下來(lái)，如果說(shuō)明其它單位塊，則TCT層B3和BCT層B5，除去涂敷模塊中的藥液代替抗蝕劑液而為反射防止膜用藥液，并設(shè)置有作為反射防止膜形成用的涂敷模塊的反射防止膜模塊以外，實(shí)質(zhì)上與COT層B4的結(jié)構(gòu)相同。例如，在TCT層B3上，在擱板單元U5或者擱板單元U6上設(shè)有構(gòu)成為載置臺(tái)模塊的第1交接臺(tái)TRS3、TRS8，和虛載置臺(tái)(DUM3)，并且在擱板單元U1～U4上設(shè)有用于形成抗蝕劑膜的上部側(cè)的反射防止膜的反射防止膜模塊(BARC2)、用于在上述反射防止膜用的藥液涂敷前將晶片W調(diào)整為設(shè)定溫度的調(diào)溫模塊(CPL31)、用于在藥液涂敷后進(jìn)行晶片W的加熱處理的加熱模塊(HP3)、和用于在藥液涂敷后進(jìn)行晶片W的冷卻處理的冷卻模塊(CPL32)等。再者，并且設(shè)有構(gòu)成為在這些模塊和虛載置臺(tái)(DUM3)之間輸送晶片W的基板輸送機(jī)構(gòu)的主臂A3。
再者例如在BCT層B5上，在擱板單元U5或者擱板單元U6上設(shè)有構(gòu)成為載置臺(tái)模塊的第1交接臺(tái)TRS5、TRS10，和虛載置臺(tái)(DUM5)，并且在擱板單元U1～U4上設(shè)有用于形成抗蝕劑膜的下部側(cè)的反射防止膜的反射防止膜模塊(BARC1)、用于在上述反射防止膜用的藥液涂敷前將晶片W調(diào)整為設(shè)定溫度的調(diào)溫模塊(CPL51)、用于在上述藥液涂敷后進(jìn)行晶片W的加熱處理的加熱模塊(HP5)、和用于在上述藥液涂敷后進(jìn)行晶片W的冷卻處理的冷卻模塊(CPL52)等。并且設(shè)有構(gòu)成為在這些模塊和虛載置臺(tái)(DUM5)之間輸送晶片W的基板輸送機(jī)構(gòu)的主臂A5。
再者，DEV層B1、B2同樣地構(gòu)成，除了設(shè)有作為用于對(duì)晶片W進(jìn)行顯影液的涂敷處理的涂敷模塊的顯影模塊(DEV)，在擱板單元U1～U4上具備對(duì)曝光后的晶片W進(jìn)行加熱處理的被稱(chēng)為后曝光烘焙?jiǎn)卧鹊摹?duì)曝光后的基板進(jìn)行加熱處理的加熱模塊(PEB1、PEB2)；或者用于在該加熱模塊(PEB1、PEB2)中的處理后將晶片W調(diào)整至設(shè)定溫度的調(diào)溫模塊(CPL11、CPL21)；和為了蒸發(fā)水分而對(duì)顯影處理后的晶片W進(jìn)行加熱處理的被稱(chēng)為后烘焙?jiǎn)卧鹊募訜崮K(POST1、POST2)以外，與COT層B4同樣地構(gòu)成。此外顯影單元將晶片保持在以杯體包圍的晶片保持部，從藥液噴嘴盛接顯影液進(jìn)行顯影，其后用清洗液清洗晶片表面，并使晶片保持部旋轉(zhuǎn)而干燥晶片，其結(jié)構(gòu)與圖4所示的涂敷單元大致相同。
另外在這些DEV層B1、B2中，在擱板單元U5上設(shè)有第1交接臺(tái)(TRS1、TRS2、TRS-F)，和虛載置臺(tái)(DUM1)，在擱板單元U6上設(shè)有第2交接臺(tái)(TRS6、TRS7)，和虛載置臺(tái)(DUM1)。另外在這些DEV層B1、B2中，分別利用構(gòu)成基板輸送機(jī)構(gòu)2的主臂A1、A2，來(lái)分別對(duì)第1交接臺(tái)TRS1、TRS2、TRS-F、第2交接臺(tái)TRS6、TRS7；虛載置臺(tái)(DUM1、DUM2)；顯影模塊(DEV)；擱板單元U1～U4的各模塊進(jìn)行晶片W的交接。
在此，作為上述調(diào)溫模塊(CPL11、CPL21、CPL31、CPL41、CPL51)和冷卻模塊(CPL32、CPL42、CPL52)，使用將晶片W載置在調(diào)整為規(guī)定溫度的調(diào)溫板(冷卻板)上來(lái)進(jìn)行溫度調(diào)整這一結(jié)構(gòu)的裝置，作為加熱模塊(HP3、HP4、HP5)，使用將晶片W載置在加熱板上來(lái)加熱晶片這一結(jié)構(gòu)的裝置。
再者，作為加熱模塊(PEB1、PEB2、POST1、POST2)，使用如下結(jié)構(gòu)的裝置具備加熱板和兼用作輸送臂的冷卻板，可以用冷卻板進(jìn)行主臂A1～A5和加熱板之間的晶片W的交接、由1個(gè)單元進(jìn)行加熱冷卻；這些加熱模塊(PEB1、PEB2、POST1、POST2)相當(dāng)于用于加熱且冷卻基板的模塊。
另一方面，在處理塊S2中的擱板單元U6側(cè)，經(jīng)由接口塊S3連接有曝光裝置S4。接口塊S3具備用于對(duì)處理塊S2的擱板單元U6和曝光裝置S4進(jìn)行晶片W的交接的接口塊輸送機(jī)構(gòu)53。該接口臂53，在該例中，構(gòu)成為進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，以便對(duì)第1～第4單位塊B1～B4的第2交接臺(tái)TRS6～TRS9進(jìn)行晶片W的交接。再者，上述接口塊輸送機(jī)構(gòu)53也可以構(gòu)成為對(duì)所有單位塊B1～B5的第2交接臺(tái)TRS6～TRS9進(jìn)行晶片W的交接。
圖11是與處理塊S2中的用于形成抗蝕劑膜的單位塊B4(COT層)、用于進(jìn)行顯影的單位塊B1(DEV層)、接口塊S3、曝光裝置S4和晶片W的輸送系統(tǒng)與晶片W的輸送順序一致地表示的說(shuō)明圖，再者也表示控制裝置6的結(jié)構(gòu)。這里所示的COT層B4內(nèi)的晶片W的輸送路徑，是不使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑。此外，如該圖11所示，曝光裝置S4具備輸入臺(tái)54和輸出臺(tái)55。
控制裝置6控制涂敷·顯影裝置的輸送系統(tǒng)整體，不過(guò)在這里只表示與該實(shí)施方式的主要部分相關(guān)聯(lián)的部位。控制裝置6具有主輸送機(jī)構(gòu)控制程序61、輸送計(jì)劃存儲(chǔ)部62、和臂管理部63。
主輸送機(jī)構(gòu)控制程序61為，參照存儲(chǔ)在輸送計(jì)劃存儲(chǔ)部62中的輸送計(jì)劃來(lái)控制涂敷膜形成用的單位塊B1～B3的主輸送機(jī)構(gòu)A1～A3，和顯影處理用的單位塊B1、B2的主輸送機(jī)構(gòu)A1、A2，并且基于來(lái)自臂管理部63的信息，來(lái)控制上述主輸送機(jī)構(gòu)A1～A5的程序。
輸送計(jì)劃存儲(chǔ)部62，如果將放置晶片W的部位稱(chēng)為模塊，則存儲(chǔ)將各模塊和晶片W的對(duì)應(yīng)關(guān)系表示為時(shí)間序列而得到的計(jì)劃表。圖12表示利用不使用上述疏水化模塊(ADH)的輸送路徑來(lái)對(duì)晶片W進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理時(shí)的輸送計(jì)劃表的一部分(COT層B4的輸送計(jì)劃)，階段1、2......表示某一輸送循環(huán)中的模塊和晶片W(A01～A10)的對(duì)應(yīng)關(guān)系，在頂行中表示各模塊的排列。橫向排列的模塊為模塊和虛載置臺(tái)(DUM4)的任意一個(gè)，為配置在COT層B4內(nèi)的TRS4(載置臺(tái)模塊)、CPL41(調(diào)溫模塊)、COT(涂敷模塊)、DUM4(虛載置臺(tái))、HP(加熱模塊)、CPL42(冷卻模塊)、和TRS9(交接臺(tái))。該模塊的排列為晶片流動(dòng)的順序，對(duì)應(yīng)于圖8的模塊的排列。
例如階段1表示作為一批的開(kāi)頭的晶片的第1片晶片A01位于TRS4。再者，階段3表示晶片A03、A02、A01分別位于TRS4、CPL41、COT。主輸送機(jī)構(gòu)控制程序61按順序讀取該輸送計(jì)劃62的階段，進(jìn)行晶片的輸送以便成為對(duì)應(yīng)于讀取的階段的狀態(tài)。因而，如果按順序讀取階段來(lái)進(jìn)行晶片的輸送，則進(jìn)行依次輸送使得晶片一片片地移送至順序在后的一個(gè)模塊中。
再者，在臂管理部63中，具備如下的程序判斷由上臂21和下臂22的哪一個(gè)來(lái)進(jìn)行輸送路徑的上游端的第1號(hào)的載置臺(tái)模塊(TRS4)上的晶片W的接受，以便始終用下臂22進(jìn)行晶片W從調(diào)溫模塊(CPL41)向涂敷模塊(COT)的輸送。
接下來(lái)，參照如圖13所示的流程圖來(lái)說(shuō)明如上構(gòu)成的本實(shí)施方式的裝置的作用。在該裝置中，也可以進(jìn)行在抗蝕劑膜的上下分別形成反射防止膜；只在抗蝕劑膜的上下的一方形成反射防止膜；或者在不形成反射防止膜的前提下只使用COT層(單位塊B4)來(lái)形成抗蝕劑膜的任意一個(gè)處理，不過(guò)在此為了盡可能簡(jiǎn)單地說(shuō)明，敘述只使用COT層(單位塊B4)形成抗蝕劑膜，然后使用作為單位塊B1的DEV層進(jìn)行顯影處理的情況。
首先，操作者選擇對(duì)形成有反射防止膜的晶片W進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的輸送方法，即由不使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑來(lái)輸送晶片W的輸送方法(步驟S1)。該輸送方法記載有使用的模塊或者虛載置臺(tái)(DUM4)、和使用它們的順序(輸送晶片W的順序)，例如在COT層B4內(nèi)，為根據(jù)圖12所示的輸送計(jì)劃來(lái)輸送晶片W的方法。如果這樣選擇輸送方法，則在臂管理部63中，判斷在將載置臺(tái)模塊(TRS4)作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)時(shí)，調(diào)溫模塊(CPL41)是否成為第偶數(shù)號(hào)模塊(步驟S2)。在判斷是成為第偶數(shù)號(hào)模塊的情況下，前進(jìn)至步驟S3，向主輸送機(jī)構(gòu)A4輸出指令以便上臂21去接受載置臺(tái)模塊(TRS4)的晶片W。再者在成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，前進(jìn)至步驟S4，向主輸送機(jī)構(gòu)A4輸出指令以便下臂22去接受載置臺(tái)模塊(TRS4)的晶片W。在該情況下，由于調(diào)溫模塊(CPL41)是第2號(hào)模塊，所以輸出指令以便上臂21去取載置臺(tái)模塊(TRS4)的晶片W。
另一方面，在裝置中，從外部向承載塊31輸入承載體30，利用傳送臂C從該承載體30內(nèi)取出晶片W。晶片W從傳送臂C，首先被交接至第2單位塊B2的擱板單元U5的第1交接臺(tái)TRS-F，然后用第1交接臂51交接至第1交接部TRS4(載置臺(tái)模塊)。
接下來(lái)，在步驟S5中，用主輸送機(jī)構(gòu)A4中已決定的臂(上臂21)去接受載置臺(tái)模塊(TRS4)上的晶片W，以后依照輸送計(jì)劃，輸送晶片W，來(lái)進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理。即，如圖6A、圖11所示，用主輸送機(jī)構(gòu)A4，以調(diào)溫模塊(CPL41)→涂敷模塊(COT)→虛載置臺(tái)(DUM4)→加熱模塊(HP4)→冷卻模塊(CPL42)→擱板單元U6的交接臺(tái)TRS9的順序輸送晶片W，形成化學(xué)放大型的抗蝕劑膜。接下來(lái)，用接口臂53將交接臺(tái)TRS9的晶片W輸送至曝光裝置S4的輸入臺(tái)54，在曝光裝置S4中進(jìn)行曝光處理。
曝光處理后的晶片W，輸出至輸出臺(tái)55，用接口臂53，輸送至DEV層B1的交接臺(tái)TRS6。然后該臺(tái)TRS6上的晶片W，由DEV層B1的主輸送機(jī)構(gòu)A1接受，并以加熱模塊(PEB1)→調(diào)溫模塊(CPL11)→顯影模塊(DEV)→加熱模塊(POST1)→交接臺(tái)TRS1的順序輸送，進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。這樣進(jìn)行了顯影處理的晶片W，借助承載塊輸送機(jī)構(gòu)C，從交接臺(tái)TRS1返回至載置在承載塊S1上的原來(lái)的承載體30。關(guān)于處理塊S2中晶片的輸送，在DEV層也同樣地依照輸送計(jì)劃進(jìn)行依次輸送使得晶片一片片地移送至順序在后的一個(gè)模塊中。
再者，在批次的切換時(shí)等，在操作者選擇對(duì)未形成反射防止膜的晶片W進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的輸送方法，即由使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑來(lái)輸送晶片W的輸送方法的情況下，這時(shí)的輸送計(jì)劃如圖14所示，依照上述圖13所示的流程圖，在將載置臺(tái)模塊(TRS4)作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)時(shí)，由于調(diào)溫模塊(CPL41)成為第3號(hào)模塊，所以向主輸送機(jī)構(gòu)A4輸出指令以便用下臂22去接受載置臺(tái)模塊(TRS4)的晶片W。
然后，用下臂22去接受載置臺(tái)模塊(TRS4)上的晶片W，以后依照輸送計(jì)劃，輸送晶片W，來(lái)進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理。即，如圖6B所示，用主輸送機(jī)構(gòu)A4，以疏水化模塊(ADH)→調(diào)溫模塊(CPL41)→涂敷模塊(COT)→虛載置臺(tái)(DUM4)→加熱模塊(HP4)→冷卻模塊(CPL42)→擱板單元U6的交接臺(tái)TRS9的順序輸送，形成化學(xué)放大型的抗蝕劑膜。
這樣進(jìn)行的一系列的涂敷處理，依照存儲(chǔ)在控制部6中、且組裝有步驟以便實(shí)施這些處理的計(jì)算機(jī)程序來(lái)進(jìn)行。
根據(jù)以上的實(shí)施方式，由于用臂管理部63，判斷由上臂21和下臂22的哪一個(gè)來(lái)進(jìn)行輸送路徑的上游端的第1號(hào)的載置臺(tái)模塊(TRS4)上的晶片W的接受，并且在涂敷模塊(COT)和加熱模塊(HP)之間配置有虛載置臺(tái)(DUM4)，所以如圖6A、6B所示，在輸送方法不同、使用和不使用疏水化模塊(ADH)的情況下，晶片W的輸送路徑不同的情況下，也始終用下臂22進(jìn)行從調(diào)溫模塊(CPL)向涂敷模塊(COT)的晶片W的輸送，并始終用上臂21從加熱模塊(HP)接受晶片W。
因此，沒(méi)有如下的情況使用在從加熱模塊(HP4)接受晶片W時(shí)加熱了的上臂21從調(diào)溫模塊(CPL41)向涂敷模塊(COT)輸送晶片W。由此，由于用調(diào)溫模塊(CPL41)以高精度進(jìn)行了調(diào)整溫度的晶片W，借助不被加熱而溫度變化少的下臂22從調(diào)溫模塊(CPL41)輸送至涂敷模塊(COT)，所以可以在抑制來(lái)自臂的熱影響的狀態(tài)下進(jìn)行該輸送。
這樣，在該輸送時(shí)，在晶片W的臂所接觸的部位和所不接觸的部位，都可以抑制晶片溫度因來(lái)自臂的傳熱而不同、從而晶片溫度的表面內(nèi)均勻性惡化這一晶片W的基板的表面內(nèi)溫度的變化。由此，在涂敷模塊(COT)中，可以在晶片W的表面內(nèi)溫度的均勻性較高，且基板溫度適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)下進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理，從而可以進(jìn)行膜厚等表面內(nèi)均勻性較高的良好的涂敷處理。
再者，如果用上臂21進(jìn)行從上述加熱模塊(HP)的晶片W的接受，則由于熱容易傳播至上方側(cè)，所以與用下臂22進(jìn)行從加熱模塊(HP4)的晶片W的接受的情況相比，可以減小對(duì)另一個(gè)臂的熱影響。
在該例中，對(duì)應(yīng)于晶片W的、在使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑和不使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑之間的輸送路徑的切換，如已經(jīng)說(shuō)明的那樣，通過(guò)選擇以使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑輸送晶片W的輸送方法、和以不使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑輸送晶片W的輸送方法的任意一個(gè)來(lái)進(jìn)行。
至此在本實(shí)施方式中，涂敷模塊也可以是對(duì)晶片W涂敷作為涂敷液的顯影液的顯影模塊(DEV)，在該情況下，位于輸送路徑的上游端的載置臺(tái)模塊，可以作為載置曝光且加熱了的基板的模塊，例如第2交接臺(tái)TRS6(TRS7)、或者加熱模塊(PEB)等的在該DEV層B1(B2)內(nèi)的晶片W的輸送路徑中排列在調(diào)溫模塊(CPL11)的上游側(cè)的模塊。
如果使用圖15以DEV層B1的模塊為例說(shuō)明該情況，則在例如使加熱模塊(PEB1)為位于輸送路徑的上游端的載置臺(tái)模塊的情況下，以加熱模塊(PEB1)→調(diào)溫模塊(CPL11)→顯影模塊(DEV)→虛載置臺(tái)(DUM1)→加熱模塊(POST1)的順序輸送晶片W。此外，在該情況下，如果將加熱模塊(PEB1)作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，則由于調(diào)溫模塊(CPL11)成為第偶數(shù)號(hào)(第2號(hào))模塊，所以控制主輸送機(jī)構(gòu)A1(A2)以便用上述上臂21接受第1號(hào)的加熱模塊(PEB1)上的晶片W。再者，由于在上述輸送路徑中的顯影模塊(DEV)和加熱模塊(HP)之間配置虛載置臺(tái)(DUM1)，所以從調(diào)溫模塊(CPL11)向顯影模塊(DEV)輸送的臂(下臂22)、和從加熱模塊(POST1)接受晶片W的臂(上臂21)不同。
因而，在該情況下也同樣地，通過(guò)使用未被加熱的臂從調(diào)溫模塊(CPL11)向顯影模塊(DEV)輸送晶片W，來(lái)抑制該輸送時(shí)的晶片W的溫度變化，所以可以在維持較高溫度的表面內(nèi)均勻性的狀態(tài)下對(duì)晶片W進(jìn)行顯影處理，從而可以提高顯影處理的表面內(nèi)均勻性。此外，在該例中，作為加熱模塊(POST1)，使用了具備加熱板和冷卻板這一結(jié)構(gòu)的裝置，不過(guò)也可以代替加熱模塊(POST1)，而組合使用只具備加熱板的加熱模塊(HP)和只具備冷卻板的冷卻模塊(CPL)。
再者，這樣的本實(shí)施方式的方法，也可以應(yīng)用于TCT層B3和BCT層B5，例如在TCT層B3中，涂敷模塊是反射防止膜模塊(BARC2)，位于輸送路徑上游端的載置臺(tái)模塊是交接單元TRS3(或者TRS8)，以交接單元TRS3(或者TRS8)→調(diào)溫模塊(CPL31)→反射防止膜模塊(BARC2)→虛載置臺(tái)(DUM3)→加熱模塊(HP3)→冷卻模塊(CPL32)→交接單元TRS8(或者TRS3)的順序輸送。
在該情況下，如果使上述載置臺(tái)模塊(TRS3或者TRS8)為第1號(hào)模塊，則由于調(diào)溫模塊(CPL)成為第偶數(shù)號(hào)(第2號(hào))模塊，所以控制主輸送機(jī)構(gòu)A3以便用上述上臂21接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊(TRS3或者TRS8)上的晶片W。再者，由于在上述輸送路徑中的反射防止膜模塊(BARC2)和加熱模塊(HP)之間配置有虛載置臺(tái)(DUM3)，所以從調(diào)溫模塊(CPL31)向反射防止膜模塊(BARC2)輸送的臂(下臂22)、和從加熱模塊(HP3)接受晶片W的臂(上臂21)不同。再者，在BCT層B5中，除了成為反射防止膜模塊(BARC1)以外，也與TCT層B3同樣地輸送晶片W。
因此，在這些情況下也同樣地，由于能夠抑制從調(diào)溫模塊(CPL31、CPL51)向反射防止膜模塊(BARC1、BARC2)輸送晶片W時(shí)的晶片W的溫度變化，所以可以在維持較高溫度的表面內(nèi)均勻性的狀態(tài)下對(duì)晶片W進(jìn)行反射防止膜的形成處理，從而可以提高該處理的表面內(nèi)均勻性。
接下來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。
該實(shí)施方式，是使用以下裝置作為涂敷處理裝置的例，即例如如圖16所示，該裝置將載置臺(tái)模塊(TRS)、將晶片W的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度的第1調(diào)溫模塊(CPL)、構(gòu)成為對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的晶片W涂敷作為第1涂敷液的反射防止膜用的藥液的第1涂敷模塊的反射防止膜模塊(BARC)、第1虛載置臺(tái)(DUM1)、在對(duì)晶片W涂敷涂敷液之前一邊加熱晶片W一邊對(duì)晶片W的表面進(jìn)行水化處理的水化模塊(ADH)、加熱涂敷有第1涂敷液的晶片W的第1加熱模塊(HP1)、冷卻晶片W并調(diào)整至設(shè)定溫度的第2調(diào)溫模塊(CPL2)、構(gòu)成為對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的晶片W涂敷第2涂敷液的第2涂敷模塊的涂敷模塊(COT)、加熱涂敷有第2涂敷液的晶片W的第2加熱模塊(HP2)、和冷卻晶片W的冷卻模塊(CPL3)，配置在相同的處理塊內(nèi)，并利用共用的基板輸送機(jī)構(gòu)2，對(duì)各模塊進(jìn)行晶片W的輸送。
作為這樣的裝置，使用如圖17A、17B所示的裝置。在圖17A所示的裝置中，橫向并列地配置為輸入輸出收納有多片晶片W的承載體的承載塊71、進(jìn)行反射防止膜的形成或者抗蝕劑液的涂敷·顯影處理等的處理塊72、接口塊73和曝光裝置74，從承載塊71按順序相互鄰接。上述處理塊72，具有如圖16所示的各模塊等；用于進(jìn)行顯影處理的模塊(作為載置臺(tái)模塊的交接臺(tái)模塊或者加熱模塊(PEB)、顯影模塊(DEV)、調(diào)溫模塊(CPL)、加熱模塊(POST)、虛載置臺(tái)(DUM)等)；用于相對(duì)于它們進(jìn)行晶片W的交接的基板輸送機(jī)構(gòu)2。在該裝置中，在對(duì)從承載塊71輸送來(lái)的晶片W在處理塊72中進(jìn)行了反射防止膜的形成或者抗蝕劑液的涂敷處理后，經(jīng)由接口塊73在曝光裝置74中進(jìn)行曝光處理，然后再次在處理塊72中進(jìn)行顯影處理，返回至承載塊71。
再者，如圖17B所示的裝置橫向并列地配置為承載塊75、進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的涂敷塊76、進(jìn)行顯影處理的顯影塊77、接口塊78和曝光裝置79，從承載塊75按順序相互鄰接，在上述涂敷塊76上，設(shè)有例如如圖16所示的模塊、和相對(duì)于它們進(jìn)行晶片W的交接的基板輸送機(jī)構(gòu)2，來(lái)進(jìn)行反射防止膜的形成和抗蝕劑液的涂敷處理。再者，在上述顯影塊77上，配置有用于進(jìn)行顯影處理的模塊(作為載置臺(tái)模塊的交接臺(tái)模塊或者加熱模塊(PEB)、顯影模塊(DEV)、調(diào)溫模塊(CPL)、加熱模塊(POST)、虛載置臺(tái)(DUM)等)、和用于相對(duì)于它們進(jìn)行晶片W的交接的基板輸送機(jī)構(gòu)，來(lái)對(duì)曝光后的晶片W進(jìn)行顯影處理。
在該裝置中，在對(duì)從承載塊75輸送來(lái)的晶片W在涂敷塊76中進(jìn)行了反射防止膜的形成或者抗蝕劑液的涂敷處理后，經(jīng)由接口塊78在曝光裝置79中進(jìn)行曝光處理，然后在顯影塊77中進(jìn)行顯影處理，返回至承載塊75。
另外，在這樣的裝置中，例如圖18A所示，在對(duì)晶片W形成反射防止膜、不使用 水化模塊(ADH)的處理中，以位于上游端的載置臺(tái)模塊(TRS)→第1調(diào)溫模塊(CPL1)→反射防止膜模塊(BARC)→第1虛載置臺(tái)(DUM1)→第1加熱模塊(HP1)→第2調(diào)溫模塊(CPL2)→涂敷模塊(COT)→第2虛載置臺(tái)(DUM2)→第2加熱模塊(HP2)→冷卻模塊(CPL3)的輸送路徑輸送晶片W。
另外，如果使上游端的載置臺(tái)模塊(TRS)為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，則由于第1調(diào)溫模塊(CPL1)和第2調(diào)溫模塊(CPL2)分別成為第2號(hào)和第6號(hào)模塊，所以用上述上臂21去接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊(TRS)上的晶片W。圖中各模塊的下方記載的「上」、「下」的文字，表示去接受該模塊內(nèi)的晶片W的臂是上臂21，還是下臂22。
再者，由于在作為第1涂敷模塊的反射防止膜模塊(BARC)和第1加熱模塊(HP1)之間、和作為上述第2涂敷模塊的涂敷模塊(COT)和第2加熱模塊(HP2)之間，分別配置第1虛載置臺(tái)(DUM1)和第2虛載置臺(tái)(DUM2)，所以從第1和第2加熱模塊(HP1、HP2)接受晶片W的臂為上臂22，從而從第1調(diào)溫模塊(CPL1)向反射防止膜模塊(BARC)輸送的臂和從第2調(diào)溫模塊(CPL2)向涂敷模塊(COT)輸送的臂、與從第1和第2加熱模塊(HP1、HP2)接受晶片W的臂不同。
再者，例如圖18B所示，在對(duì)晶片W不形成反射防止膜、使用 水化模塊(ADH)的處理中，以位于上游端的載置臺(tái)模塊(TRS)→水化模塊(ADH)→第2調(diào)溫模塊(CPL2)→涂敷模塊(COT)→第2虛載置臺(tái)(DUM2)→第2加熱模塊(HP2)→冷卻模塊(CPL3)的輸送路徑輸送晶片W。
另外，在該情況下，如果使上游端的載置臺(tái)模塊為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，則由于第2調(diào)溫模塊(CPL2)成為第3號(hào)模塊，所以用上述下臂22去接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊(TRS)上的晶片W。
再者，由于在涂敷模塊(COT)和第2加熱模塊(HP2)之間配置第2虛載置臺(tái)(DUM2)，所以從第2加熱模塊(HP2)接受晶片W的臂為上臂22，從而從第2調(diào)溫模塊(CPL2)向涂敷模塊(COT)輸送的臂、與從第2加熱模塊(HP2)接受晶片W的臂不同。
在這些裝置中，需要提前制成模塊的輸送路徑，使得第1調(diào)溫模塊(CPL1)和第2調(diào)溫模塊(CPL2)，在使上游端的載置臺(tái)模塊(TRS)為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)時(shí)，兩模塊都預(yù)先成為第奇數(shù)號(hào)模塊，或者兩模塊都預(yù)先成為第偶數(shù)號(hào)模塊。
另外，控制基板輸送機(jī)構(gòu)2，以便通過(guò)準(zhǔn)備對(duì)晶片W形成反射防止膜、以不使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑輸送晶片W的輸送方法、和不對(duì)晶片W形成反射防止膜、以使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑輸送晶片W的輸送方法，并對(duì)應(yīng)于晶片W選擇輸送方法，來(lái)對(duì)應(yīng)于晶片W，在使用第1調(diào)溫模塊(CPL1)、第1涂敷模塊(BARC)、第1虛載置臺(tái)(DUM1)和第1加熱模塊(HP1)的輸送路徑、和代替使用這些模塊而使用疏水化模塊(ADH)的輸送路徑之間切換輸送路徑。再者，在這些裝置中，關(guān)于顯影處理，也應(yīng)用與使用圖15說(shuō)明的手法同樣的手法。
此外，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，可以在本發(fā)明的思想范圍內(nèi)進(jìn)行種種變形。例如，在上述實(shí)施方式中，表示了單單為了交接而使用了作為位于輸送路徑上游側(cè)的載置臺(tái)模塊而使用的交接臺(tái)模塊這一例，不過(guò)上述載置臺(tái)模塊也可以在此基礎(chǔ)上，具有晶片W的冷卻板的功能。再者，載置臺(tái)模塊也可以是具備晶片W的加熱板和冷卻板的加熱模塊(PEB，POST)。
再者，在上述實(shí)施方式中，在涂敷模塊(COT)的下游側(cè)按順序排列具備加熱板的加熱模塊(HP)和具備冷卻板的冷卻模塊(CPL)，但是也可以代替這些加熱模塊(HP)、冷卻模塊(CPL)，而設(shè)置具備晶片W的加熱板和冷卻板這一類(lèi)型的加熱模塊。
再者，在以上的實(shí)施方式中，作為調(diào)溫模塊，說(shuō)明了設(shè)有調(diào)溫機(jī)構(gòu)的調(diào)溫模塊，不過(guò)并不限于此，也可以是例如用于調(diào)整為室溫的簡(jiǎn)單的板。
權(quán)利要求
1.一種涂敷處理方法，使用以下涂敷處理裝置進(jìn)行涂敷處理，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷涂敷液；加熱模塊，加熱涂敷有涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，該方法包括用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板；用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板；進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊；這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，為了使從調(diào)溫模塊向涂敷模塊輸送基板的臂和從加熱模塊接受基板的臂不同，而在上述輸送路徑中的涂敷模塊和加熱模塊之間配置虛載置臺(tái)，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行基板從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
2.如權(quán)利要求1所述的涂敷處理方法，其特征在于，沿著輸送路徑配置在對(duì)基板涂敷涂敷液之前一邊加熱基板一邊對(duì)基板表面進(jìn)行疏水化處理的疏水化模塊，對(duì)應(yīng)于基板，在使用疏水化模塊的輸送路徑和不使用疏水化模塊的輸送路徑之間切換輸送路徑進(jìn)行處理。
3.如權(quán)利要求1所述的涂敷處理方法，其特征在于，位于輸送路徑上游端的載置臺(tái)模塊為基板的交接用的交接臺(tái)模塊。
4.如權(quán)利要求3所述的涂敷處理方法，其特征在于，上述交接臺(tái)模塊也作為基板的冷卻板而發(fā)揮功能。
5.如權(quán)利要求1所述的涂敷處理方法，其特征在于，涂敷模塊是用于對(duì)基板涂敷抗蝕劑液或者反射防止膜用的藥液的模塊。
6.如權(quán)利要求1所述的涂敷處理方法，其特征在于，涂敷模塊是用于對(duì)基板涂敷顯影液的模塊，位于輸送路徑上游端的載置臺(tái)模塊是載置曝光且加熱了的基板的模塊。
7.如權(quán)利要求1所述的涂敷處理方法，其特征在于，涂敷模塊是用于對(duì)基板涂敷顯影液的模塊，位于輸送路徑上游端的載置臺(tái)模塊是載置曝光了的基板的模塊，在輸送路徑中的載置臺(tái)模塊和調(diào)溫模塊之間，配置用于加熱且冷卻基板的模塊。
8.如權(quán)利要求1所述的涂敷處理方法，其特征在于，還包括識(shí)別基板的輸送路徑；將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)；識(shí)別調(diào)溫模塊是第偶數(shù)號(hào)模塊，還是第奇數(shù)號(hào)模塊。
9.一種涂敷處理方法，使用以下涂敷處理裝置進(jìn)行涂敷處理，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；第1調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；第1涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第1涂敷液；第1加熱模塊，加熱涂敷有第1涂敷液的基板；第2調(diào)溫模塊，冷卻基板并調(diào)整為設(shè)定溫度；第2涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第2涂敷液；第2加熱模塊，加熱涂敷有第2涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，該方法包括用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板；用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板；進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊；這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，為了使從第1調(diào)溫模塊向第1涂敷模塊輸送基板的臂和從第1加熱模塊接受基板的臂不同，而在上述輸送路徑中的第1涂敷模塊和第1加熱模塊之間配置第1虛載置臺(tái)，為了使從第2調(diào)溫模塊向第2涂敷模塊輸送基板的臂和從第2加熱模塊接受基板的臂不同，而在上述輸送路徑中的第2涂敷模塊和第2加熱模塊之間配置第2虛載置臺(tái)，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行基板從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
10.如權(quán)利要求9所述的涂敷處理方法，其特征在于，第1涂敷模塊是用于對(duì)基板涂敷反射防止膜用的藥液的模塊，第2涂敷模塊是用于對(duì)基板涂敷抗蝕劑液的模塊。
11.如權(quán)利要求9所述的涂敷處理方法，其特征在于，在輸送路徑中的第1調(diào)溫模塊的上游側(cè)配置在對(duì)基板涂敷涂敷液之前一邊加熱基板一邊對(duì)基板表面進(jìn)行疏水化處理的疏水化模塊，對(duì)應(yīng)于基板，在使用第1調(diào)溫模塊、第1涂敷模塊、第1虛載置臺(tái)和第1加熱模塊的輸送路徑、以及代替使用這些模塊而使用疏水化模塊的輸送路徑之間切換輸送路徑進(jìn)行處理。
12.如權(quán)利要求9所述的涂敷處理方法，其特征在于，位于輸送路徑上游端的載置臺(tái)模塊為基板的交接用的交接臺(tái)模塊。
13.如權(quán)利要求12所述的涂敷處理方法，其特征在于，上述交接臺(tái)模塊也作為基板的冷卻板而發(fā)揮功能。
14.如權(quán)利要求9所述的涂敷處理方法，其特征在于，還包括識(shí)別基板的輸送路徑；將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)；識(shí)別調(diào)溫模塊是第偶數(shù)號(hào)模塊，還是第奇數(shù)號(hào)模塊。
15.一種涂敷處理裝置，具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；調(diào)溫模塊，將基板溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷涂敷液；加熱模塊，加熱涂敷有涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作；控制部，控制上述基板輸送機(jī)構(gòu)，使得利用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，上述涂敷處理部具有虛載置臺(tái)，所述虛載置臺(tái)為了使從上述調(diào)溫模塊向涂敷模塊輸送基板的臂和從加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的涂敷模塊和加熱模塊之間，上述控制部控制基板輸送機(jī)構(gòu)，使得如果將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，則在調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板。
16.如權(quán)利要求15所述的涂敷處理裝置，其特征在于，上述處理部具有疏水化模塊，所述疏水化模塊沿著上述輸送路徑配置，且在對(duì)基板涂敷涂敷液之前一邊加熱基板一邊對(duì)基板表面進(jìn)行疏水化處理，上述控制部控制上述基板輸送機(jī)構(gòu)，使得對(duì)應(yīng)于基板，在使用疏水化模塊的輸送路徑和不使用疏水化模塊的輸送路徑之間切換輸送路徑。
17.如權(quán)利要求15所述的涂敷處理裝置，其特征在于，位于上述輸送路徑上游端的上述載置臺(tái)模塊為基板的交接用的交接臺(tái)模塊。
18.如權(quán)利要求17所述的涂敷處理裝置，其特征在于，上述交接臺(tái)模塊也作為基板的冷卻板而發(fā)揮功能。
19.如權(quán)利要求15所述的涂敷處理裝置，其特征在于，上述涂敷模塊是用于對(duì)基板涂敷抗蝕劑液或者反射防止膜用的藥液的模塊。
20.如權(quán)利要求15所述的涂敷處理裝置，其特征在于，上述涂敷模塊是用于對(duì)基板涂敷顯影液的模塊，位于上述輸送路徑上游端的上述載置臺(tái)模塊是載置曝光且加熱了的基板的模塊。
21.如權(quán)利要求15所述的涂敷處理裝置，其特征在于，上述涂敷模塊是用于對(duì)基板涂敷顯影液的模塊，位于上述輸送路徑上游端的上述載置臺(tái)模塊是載置曝光了的基板的模塊，在上述輸送路徑中的上述載置臺(tái)模塊和上述調(diào)溫模塊之間，配置用于加熱且冷卻基板的模塊。
22.一種涂敷處理裝置，具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；第1調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；第1涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第1涂敷液；第1加熱模塊，加熱涂敷有第1涂敷液的基板；第2調(diào)溫模塊，冷卻基板并調(diào)整為設(shè)定溫度；第2涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第2涂敷液；第2加熱模塊，加熱涂敷有第2涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，控制部，控制上述基板輸送機(jī)構(gòu)，使得利用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，利用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，上述涂敷處理部具有第1虛載置臺(tái)，為了使從第1調(diào)溫模塊向第1涂敷模塊輸送基板的臂和從第1加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第1涂敷模塊和第1加熱模塊之間；和第2虛載置臺(tái)，為了使從第2調(diào)溫模塊向第2涂敷模塊輸送基板的臂和從第2加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第2涂敷模塊和第2加熱模塊之間，上述控制部控制基板輸送機(jī)構(gòu)，使得如果將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，則在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板。
23.如權(quán)利要求22所述的涂敷處理裝置，其特征在于，上述第1涂敷模塊是用于對(duì)基板涂敷反射防止膜用的藥液的模塊，上述第2涂敷模塊是用于對(duì)基板涂敷抗蝕劑液的模塊。
24.如權(quán)利要求22所述的涂敷處理裝置，其特征在于，上述處理部具有疏水化模塊，所述疏水化模塊配置在上述輸送路徑中的上述第1調(diào)溫模塊的上游側(cè)，且在對(duì)基板涂敷涂敷液前一邊加熱基板一邊對(duì)基板表面進(jìn)行疏水化處理，上述控制部控制基板輸送機(jī)構(gòu)，使得對(duì)應(yīng)于基板，在使用第1調(diào)溫模塊、第1涂敷模塊、第1虛載置臺(tái)和第1加熱模塊的輸送路徑、和代替使用這些模塊而使用疏水化模塊的輸送路徑之間切換輸送路徑。
25.如權(quán)利要求22所述的涂敷處理裝置，其特征在于，位于上述輸送路徑上游端的上述載置臺(tái)模塊為基板的交接用的交接臺(tái)模塊。
26.如權(quán)利要求25所述的涂敷處理裝置，其特征在于，上述交接臺(tái)模塊也作為基板的冷卻板而發(fā)揮功能。
27.一種計(jì)算機(jī)程序，在計(jì)算機(jī)中控制以下涂敷處理裝置，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷涂敷液；加熱模塊，加熱涂敷有涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；進(jìn)而，為了使從調(diào)溫模塊向涂敷模塊輸送基板的臂和從加熱模塊接受基板的臂不同，而在上述輸送路徑中的涂敷模塊和加熱模塊之間具有虛載置臺(tái)；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，如下控制上述涂敷處理裝置在執(zhí)行時(shí)，用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行基板從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
28.一種可以進(jìn)行計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)中控制以下涂敷處理裝置的控制程序，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷涂敷液；加熱模塊，加熱涂敷有涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；進(jìn)而，為了使從調(diào)溫模塊向涂敷模塊輸送基板的臂和從加熱模塊接受基板的臂不同，而在上述輸送路徑中的涂敷模塊和加熱模塊之間具有虛載置臺(tái)；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，上述程序如下控制上述涂敷處理裝置在執(zhí)行時(shí)，用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行基板從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
29.一種計(jì)算機(jī)程序，在計(jì)算機(jī)中控制以下涂敷處理裝置，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；第1調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；第1涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第1涂敷液；第1加熱模塊，加熱涂敷有第1涂敷液的基板；第2調(diào)溫模塊，冷卻基板并調(diào)整為設(shè)定溫度；第2涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第2涂敷液；第2加熱模塊，加熱涂敷有第2涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；進(jìn)而具有第1虛載置臺(tái)，為了使從第1調(diào)溫模塊向第1涂敷模塊輸送基板的臂和從第1加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第1涂敷模塊和第1加熱模塊之間；第2虛載置臺(tái)，為了使從第2調(diào)溫模塊向第2涂敷模塊輸送基板的臂和從第2加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第2涂敷模塊和第2加熱模塊之間；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，如下控制上述涂敷處理裝置在執(zhí)行時(shí)，用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行從基板調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
30.一種可以進(jìn)行計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)中控制以下涂敷處理裝置的計(jì)算機(jī)程序，該涂敷處理裝置具備涂敷處理部，具有載置臺(tái)模塊；第1調(diào)溫模塊，將基板的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度；第1涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第1涂敷液；第1加熱模塊，加熱涂敷有第1涂敷液的基板；第2調(diào)溫模塊，冷卻基板并調(diào)整為設(shè)定溫度；第2涂敷模塊，對(duì)進(jìn)行了溫度調(diào)整的基板涂敷第2涂敷液；第2加熱模塊，加熱涂敷有第2涂敷液的基板，這些模塊沿著基板的輸送路徑從輸送上游端按順序配置；進(jìn)而具有第1虛載置臺(tái)，為了使從第1調(diào)溫模塊向第1涂敷模塊輸送基板的臂和從第1加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第1涂敷模塊和第1加熱模塊之間；第2虛載置臺(tái)，為了使從第2調(diào)溫模塊向第2涂敷模塊輸送基板的臂和從第2加熱模塊接受基板的臂不同，而配置在上述輸送路徑中的第2涂敷模塊和第2加熱模塊之間；基板輸送機(jī)構(gòu)，具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂，并且以沿著基板的輸送路徑從上游側(cè)向下游側(cè)輸送基板的方式動(dòng)作，上述程序如下控制上述涂敷處理裝置在執(zhí)行時(shí)，用上臂和下臂中的一個(gè)臂接受上述載置臺(tái)模塊上的基板，用上臂和下臂中的另一個(gè)臂接受放置在下一個(gè)模塊上的基板，進(jìn)而將上述一個(gè)臂上的基板交接至該下一個(gè)模塊，這樣使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在第1調(diào)溫模塊和第2調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，并始終用下臂進(jìn)行基板從調(diào)溫模塊向涂敷模塊的輸送。
全文摘要
本發(fā)明提供一種涂敷·顯影裝置，沿著基板的輸送路徑，在處理部?jī)?nèi)從輸送上游端按順序配置有載置臺(tái)模塊；調(diào)溫模塊；涂敷模塊；加熱模塊；在利用具有上下設(shè)置且相互獨(dú)立地進(jìn)退自如的上臂和下臂的基板輸送機(jī)構(gòu)，使上臂和下臂交替地動(dòng)作，從上游側(cè)的模塊按順序?qū)⒒逡粋€(gè)個(gè)地輸送至下游側(cè)的模塊時(shí)，為了使從調(diào)溫模塊向涂敷模塊輸送基板的臂和從加熱模塊接受基板的臂不同，而在涂敷模塊和加熱模塊之間配置虛載置臺(tái)，將上游端的載置臺(tái)模塊作為第1號(hào)模塊并對(duì)下游側(cè)的模塊按順序分配序號(hào)，在調(diào)溫模塊成為第偶數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用上述上臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板，在調(diào)溫模塊成為第奇數(shù)號(hào)模塊時(shí)，用下臂接受第1號(hào)的載置臺(tái)模塊上的基板。
文檔編號(hào)G06F17/00GK1858648SQ20061007784
公開(kāi)日2006年11月8日 申請(qǐng)日期2006年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月6日
發(fā)明者原圭孝, 林田安 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社