專利名稱：電路設(shè)計(jì)輔助方法及系統(tǒng)以及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種設(shè)計(jì)支持(design support)技術(shù)，特別是涉及一種電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)通常會(huì)借重設(shè)計(jì)工具來(lái)輔助設(shè)計(jì)。最常用的設(shè)計(jì)工具包括集成電路暨仿真程序(simulated-program-with-integrated-circuit-emphasis；SPICE)以及高階組件仿真器(fast device level simulators)，諸如Star-Sim、ATS、MACHTA以及TIMEMILL。通常，設(shè)計(jì)工具使用導(dǎo)線連導(dǎo)線(line-by-line)方式，描述個(gè)別的組件以及其連接方式。舉例來(lái)說(shuō)，組件包括電阻、電容、電感、雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor；MOSFET)。于一設(shè)計(jì)工具中，每一條導(dǎo)線通常還含有組件描述，或被稱為一組件規(guī)格實(shí)體(device specification instance)。
設(shè)計(jì)工具所產(chǎn)生的網(wǎng)表(netlist)通常包含三個(gè)部分電路描述(circuit description)、模型(model selection)以及分析(analysis)。于一集成電路，電路描述部分包含每一組件和局部電路(sub-circuits)的描述，以及組件間和局部電路間的連接描述。模型部分則包含組件和局部電路的行為描述。通常，模型部分包括一設(shè)計(jì)庫(kù)，設(shè)計(jì)庫(kù)的內(nèi)容包含模型參數(shù)(model parameter)、模型參數(shù)值(parameter value)以及模型公式(model equation)。
不匹配現(xiàn)象(mismatch phenomenon)可定義為在相同偏壓狀態(tài)(biasconditions)下，相似或相同設(shè)計(jì)電路(similarly/identically designedcirsuits)的組件效能差異，此現(xiàn)象在集成電路的設(shè)計(jì)中更為明顯，極可能相同的組件使用不同的布局狀態(tài)而造成相同組件具有差異性。一般而言，不管是在組件或電路間，因不匹配所造成的效能差異并非一常數(shù)，而呈現(xiàn)一統(tǒng)計(jì)分布情況。影響不匹配的因素包括組件位置、組件間距、布局型態(tài)(layout style)、制造過(guò)程以及工作溫度。
對(duì)于大部分的模擬電路設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，運(yùn)算放大器(operationalamplifiers)通常為重要的組件，用以作為放大器(amplifiers)或?yàn)V波器(filters)。運(yùn)算放大器可以有兩種組態(tài)，反向(inverting)與非反向(non-inverting)。而差動(dòng)放大器(differential amplifier)通常設(shè)置于運(yùn)算放大器中的輸入級(jí)(input stage)。值得注意的是，一個(gè)差動(dòng)放大器只能在共模輸入(common-mode input)的一個(gè)有限范圍內(nèi)動(dòng)作。所以，為了使運(yùn)算放大器易于辨識(shí)訊號(hào)，則必須使輸入極的動(dòng)作拉大到軌對(duì)軌共模輸入范圍(rail to rail common-mode input range)。例如，在輸入級(jí)使用一個(gè)互補(bǔ)式差動(dòng)放大器(complementary differential amplifier)，而此互補(bǔ)式差動(dòng)放大器會(huì)同時(shí)使用一個(gè)n型與一個(gè)p型的差動(dòng)對(duì)(differentialpair)。然而，差動(dòng)對(duì)對(duì)于組件不匹配現(xiàn)象極為敏感，因此，設(shè)計(jì)人員必須針對(duì)差動(dòng)對(duì)做特定的處理，用以避免差動(dòng)對(duì)在不匹配現(xiàn)象下造成整個(gè)電路失效。傳統(tǒng)上，當(dāng)一個(gè)網(wǎng)表涵蓋多個(gè)區(qū)域以及成千個(gè)晶體管時(shí)，設(shè)計(jì)人員并不容易從netlist或其電路圖中辨識(shí)出差動(dòng)對(duì)。因此，需要一種電路設(shè)計(jì)系統(tǒng)及方法，用以從網(wǎng)表中自動(dòng)辨認(rèn)出差動(dòng)對(duì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)及方法，用以從網(wǎng)表中自動(dòng)辨認(rèn)出差動(dòng)對(duì)。
本發(fā)明披露的一種電路設(shè)計(jì)輔助方法，由一處理單元加載并執(zhí)行。首先，接收一個(gè)網(wǎng)表文件，取得上述網(wǎng)表文件中的第一四端組件，取得網(wǎng)表文件中具有第一四端組件的相同規(guī)格的第二四端組件。依據(jù)網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行第一判斷，判斷第一四端組件的控制端點(diǎn)與第二四端組件的控制端點(diǎn)是否不連接。依據(jù)網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行第二判斷，判斷第一四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)與第二四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)是否連接。最后，若通過(guò)第一判斷與第二判斷，則將第一四端組件與第二四端組件為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)，輸出到輸出裝置。其中于上述第二判斷步驟中，還可判斷連接于第一四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)的組件與連接于第二四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)的組件是否對(duì)稱性地連接在一起。于取得第一四端組件與第二四端組件步驟中，可使用語(yǔ)法剖析器或依據(jù)四端組件的語(yǔ)法格式，來(lái)取得第一四端組件與第二四端組件。
本發(fā)明還披露了一種計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)，用以存儲(chǔ)一計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序用以加載至一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中并且使得該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行如上所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法。
本發(fā)明還披露了一種電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其包括一個(gè)存儲(chǔ)裝置、一個(gè)輸出裝置以及一個(gè)處理單元。存儲(chǔ)裝置存儲(chǔ)一網(wǎng)表文件。處理單元首先接收網(wǎng)表文件，取得上述網(wǎng)表文件中的第一四端組件，取得網(wǎng)表文件中具第一四端組件的相同規(guī)格的第二四端組件。依據(jù)網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行一個(gè)第一判斷，判斷第一四端組件的控制端點(diǎn)與第二四端組件的控制端點(diǎn)是否不連接。依據(jù)網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行第二判斷，判斷第一四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)與第二四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)是否連接。最后，若通過(guò)第一判斷與第二判斷，則將第一四端組件與第二四端組件為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)，輸出到輸出裝置。處理單元還可判斷連接于第一四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)的組件與連接于第二四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)的組件是否對(duì)稱性地連接在一起。處理單元可使用語(yǔ)法剖析器或依據(jù)四端組件的語(yǔ)法格式，來(lái)取得第一四端組件與第二四端組件。此外，輸出裝置連接到一顯示屏幕或一部打印機(jī)。
于較佳的情況下，四端組件為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或雙極性結(jié)型晶體管，控制端點(diǎn)為柵極或基極，而導(dǎo)通端點(diǎn)為漏極、源極、發(fā)射極或集電極。


圖1示出了應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)的硬件結(jié)構(gòu)圖；圖2A、2B示出了依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助方法的方法流程圖；圖3示出了依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的網(wǎng)表文件畫(huà)面；圖4示出了相應(yīng)于圖3的網(wǎng)表文件的電路設(shè)計(jì)圖；圖5A、5B示出了依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助方法的方法流程圖；圖6示出了依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的網(wǎng)表文件畫(huà)面；圖7示出了相應(yīng)于圖6的網(wǎng)表文件的電路設(shè)計(jì)圖；
圖8示出了依據(jù)本發(fā)明第一與第二實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助方法的存儲(chǔ)介質(zhì)示意圖。
附圖符號(hào)說(shuō)明11～處理單元；12～存儲(chǔ)器；13～存儲(chǔ)裝置；14～輸出裝置；15～輸入裝置；16～總線；S211、S221、…、S261、S271～流程步驟；311、313、…、341、343～網(wǎng)表描述；S611、S621、…、S661、S671～流程步驟；711、713、…、741、743～網(wǎng)表描述；90～存儲(chǔ)介質(zhì)；920～電路設(shè)計(jì)輔助計(jì)算機(jī)程序；921～接收網(wǎng)表文件邏輯；922～取得第一與第二組件邏輯；923～判斷第一與第二組件的控制端點(diǎn)是否不連接邏輯；924～判斷第一與第二組件的電流導(dǎo)通端點(diǎn)是否對(duì)稱連接邏輯；925～存儲(chǔ)第一與第二組件具有差動(dòng)對(duì)關(guān)聯(lián)邏輯；926～輸出差動(dòng)對(duì)結(jié)果邏輯。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)的硬件結(jié)構(gòu)圖。依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)10包括一處理單元11、一存儲(chǔ)器12、一存儲(chǔ)裝置13、一輸出裝置14、一輸入裝置15，并使用總線16將其連結(jié)再一起。除此之外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員也可將本發(fā)明實(shí)施于其它計(jì)算機(jī)系統(tǒng)組態(tài)(configuration)上，例如，手持式設(shè)備(hand-held devices)、多處理器系統(tǒng)、以微處理器為基礎(chǔ)或可程序化的消費(fèi)性電子產(chǎn)品(microprocessor-based or programmable consumer electronics)、網(wǎng)絡(luò)計(jì)算機(jī)、小型計(jì)算機(jī)、大型主機(jī)以及類似的設(shè)備。處理單元11可包含一單一中央處理單元(central-processing unit；CPU)或者是關(guān)連于并行運(yùn)算環(huán)境(parallel processing environment)的多個(gè)并行處理單元。存儲(chǔ)器12包含只讀存儲(chǔ)器(read only memory；ROM)、閃存(flash ROM)以及/或動(dòng)態(tài)存取存儲(chǔ)器(random access memory；RAM)，用以存儲(chǔ)可供處理單元11執(zhí)行的程序模塊。一般而言，程序模塊包含常序(routines)、程序(program)、對(duì)象(object)、組件(component)等，用以執(zhí)行電路設(shè)計(jì)輔助功能。本發(fā)明亦可以實(shí)施于分布式運(yùn)算環(huán)境，其運(yùn)算工作被一連結(jié)于通訊網(wǎng)路的遠(yuǎn)程處理設(shè)備所執(zhí)行。在分布式環(huán)境中，電路設(shè)計(jì)輔助功能的執(zhí)行也可由本地以及多部遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)系統(tǒng)共同完成。存儲(chǔ)裝置13包含硬盤裝置、軟盤裝置、光盤裝置或隨身盤裝置。存儲(chǔ)裝置13用以存儲(chǔ)一個(gè)網(wǎng)表文件(netlistfile)。
差動(dòng)放大器通常使用成對(duì)的四端組件(4-terminal device)來(lái)完成。四端組件可為n型或p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal oxidesemiconductor field effect transistor；MOSFET)、npn型或pnp型雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor)、或其它可用以做差動(dòng)放大的組件。四端組件通常包含一個(gè)控制端點(diǎn)(control terminal)，例如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極(gate)或雙極性結(jié)型晶體管的基極(base)，用以控制組件的電流導(dǎo)通與否；并且包含兩個(gè)導(dǎo)通端點(diǎn)(conduction terminals)，例如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極(drain)、源極(source)、或雙極性結(jié)型晶體管的發(fā)射極(emitter)、集電極，用以傳導(dǎo)電流。
第一實(shí)施例第一實(shí)施例披露一個(gè)檢測(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管差動(dòng)對(duì)方法，本方法由處理單元11所執(zhí)行。圖2A、2B示出了依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助方法的方法流程圖。此方法開(kāi)始于步驟S211，接收一個(gè)網(wǎng)表文件。如步驟S221，從網(wǎng)表文件取得一個(gè)未處理過(guò)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管做為第一組件。于一個(gè)范例中，可使用一網(wǎng)表剖析器(netlist parser)來(lái)取得含有一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的識(shí)碼、連接設(shè)定(如源極、漏極與柵極的連接設(shè)定)及組件規(guī)格(如寬度、長(zhǎng)度、氧化厚度等)。于另一個(gè)范例中，可使用字符串比對(duì)方法先檢索到具有代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的關(guān)鍵詞(如”nfets”、”pfets”等)的描述(script)，之后依據(jù)描述金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的語(yǔ)法格式(syntax format)，從此描述中剖析出此組件的識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于步驟S222，判斷是否存在具第一組件的規(guī)格的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是則進(jìn)行步驟S223的處理，否則進(jìn)行步驟S221的處理。于一個(gè)范例中，可使用一個(gè)網(wǎng)表剖析器來(lái)取得所有金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(不包含第一組件)的識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格，接著比對(duì)所有新取得的組件規(guī)格，若存在一個(gè)組件規(guī)格與第一組件的組件規(guī)格相同，則代表存在一個(gè)具第一組件的組件規(guī)格的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。于另一個(gè)范例中，可使用字符串比對(duì)方法先檢索到具有代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的關(guān)鍵詞的所有描述(不包含第一組件的描述)，依據(jù)描述金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的語(yǔ)法格式，從這些描述中剖析出所有組件的識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格，接著比對(duì)所有新取得的組件規(guī)格，若有一個(gè)組件規(guī)格與第一組件的規(guī)格相同，則代表存在一個(gè)具有第一組件的組件規(guī)格的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。于步驟S223，取得具有第一組件的相同規(guī)格的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的識(shí)別碼做為第二組件識(shí)別碼，并取得第二組件的連接設(shè)定及組件規(guī)格。
于步驟S231，判斷第一組件與第二組件的源極(sources)是否連接(tide-up)，是則進(jìn)行步驟S232的處理，否則進(jìn)行步驟S261的處理。詳而言之，此步驟可判斷第一組件與第二組件的源極參數(shù)是否設(shè)定至相同接點(diǎn)，或者判斷第一組件與第二組件的源極所連接的組件(如電阻)是否連接至一個(gè)相同接點(diǎn)。于步驟S232，判斷第一組件與第二組件的柵極(gates)是否不連接，是則進(jìn)行步驟S241的處理，否則進(jìn)行步驟S261的處理。詳而言之，此步驟可判斷第一組件與第二組件的源極參數(shù)是否沒(méi)有設(shè)定至相同接點(diǎn)。
于步驟S241，從網(wǎng)表文件取得連接于第一組件漏極的所有直接與間接連接組件的組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于一個(gè)范例中，可使用一個(gè)網(wǎng)表剖析器來(lái)取得含有第一組件的漏極連接設(shè)定的組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于另一個(gè)范例中，可使用字符串比對(duì)方法先檢索到具有第一組件的漏極連接設(shè)定的所有描述，之后依據(jù)描述組件(如電阻、電容、電感等)的語(yǔ)法格式，從這些描述中剖析出各組件的識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于步驟S242，從網(wǎng)表文件取得連接于第二組件漏極的所有直接與間接連接組件的組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于一個(gè)范例中，可使用一個(gè)網(wǎng)表剖析器來(lái)取得含有第二組件的漏極連接設(shè)定的組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于另一個(gè)范例中，可使用字符串比對(duì)方法先檢索到具有第二組件的漏極連接設(shè)定的所有描述，之后依據(jù)描述組件(如電阻、電容、電感等)的語(yǔ)法格式，從這些描述中剖析出各組件的識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于步驟S243，比對(duì)關(guān)聯(lián)于第一組件與第二組件漏極的所有直接與間接連接組件的組件連接設(shè)定與組件規(guī)格，判斷這些連接組件是否對(duì)稱(symmetric)連接于第一組件與第二組件的漏極，是則進(jìn)行步驟S251的處理，否則進(jìn)行步驟S261的處理。
如步驟S251，存儲(chǔ)第一組件與第二組件為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)，于此須注意的是，可存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器12或存儲(chǔ)裝置13中。如步驟S261，判斷是否檢測(cè)完所有的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是則進(jìn)行步驟S271的處理，否則進(jìn)行步驟S221的處理。如步驟S271，將所有檢測(cè)到的差動(dòng)對(duì)，通過(guò)輸出裝置15顯示于屏幕畫(huà)面或打印成報(bào)表。
以下舉一個(gè)實(shí)例來(lái)說(shuō)明第一實(shí)施例所披露的檢測(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管差動(dòng)對(duì)方法。如步驟S211，取得一個(gè)網(wǎng)表文件。圖3示出了依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的網(wǎng)表文件畫(huà)面，此范例畫(huà)面顯示一個(gè)網(wǎng)表文件，其中包含描述(scripts)311至343。圖4示出了相應(yīng)于圖3的網(wǎng)表文件的電路設(shè)計(jì)圖(schematic diagram)。于步驟S221，從網(wǎng)表文件接收一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管做為第一組件，其中，參考描述311，第一組件識(shí)別碼為“M1”，漏極、柵極與源極的連接設(shè)定分別為“net8”、”Input2”與“net3”，組件規(guī)格為“wf＝10u lf＝180n nf＝1 m＝1”。于步驟S222與S223，取得具第一組件的相同規(guī)格的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管做為第二組件，其中，參考描述313，第二組件識(shí)別碼為“M0”，漏極、柵極與源極的連接設(shè)定分別為“net11”、“Input1”與“net5”，組件規(guī)格為“wf＝10u 1f＝180nnf＝1 m＝1”。于步驟S231，參考描述311、313、341與343，檢測(cè)到第一組件的源極連接到電阻“R1”，第二組件的源極連接到電阻“R0”，且電阻“R1”與“R0”接連接到共同節(jié)點(diǎn)“Common”，判斷第一組件與第二組件的源極連接在一起。于步驟S232，參考描述311與313，檢測(cè)到第一組件的柵極連接到節(jié)點(diǎn)“Input2”，第二組件的柵極連接到節(jié)點(diǎn)“Input1”，判斷第一組件與第二組件的柵極并沒(méi)有連接在一起。于步驟S241，參考描述311、321、325與331，取得所有連接于第一組件漏極的組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。取得的組件包括直接連接于第一組件漏極的電容“C1”與電阻“R4”，以及經(jīng)由電容“C1”間接連接于第一組件漏極的電阻“R6”。電容“C1”的組件規(guī)格為“c＝1p”，電阻“R4”的組件規(guī)格為“r＝2k”，而電阻“R6”的組件規(guī)格為“r＝3k”。于步驟S242，參考描述313、323、327與333，取得所有連接于第二組件漏極的組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。取得的組件包括直接連接于第二組件漏極的電容“C0”與電阻“R2”，以及經(jīng)由電容“C0”間接連接于第二組件漏極的電阻“R5”。電容“C0”的組件規(guī)格為“c＝1p”，電阻“R2”的組件規(guī)格為“r＝2k”，而電阻“R5”的組件規(guī)格為“r＝3k”。于步驟S243，檢測(cè)到電容“C1”、電阻“R4”、電阻“R6”、電容“C0”、電阻“R2”、電阻“R5”對(duì)稱連接于第一組件與第二組件的漏極。于步驟S251，存儲(chǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管“M1”與“M0”為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)。于步驟S261與S271，輸出金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管“M1”與“M0”為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)結(jié)果。
第二實(shí)施例第二實(shí)施例披露一種檢測(cè)雙極性結(jié)型晶體管差動(dòng)對(duì)方法，本方法由處理單元11所執(zhí)行。圖5A、5B示出了依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助方法的方法流程圖。此方法開(kāi)始于步驟S611，接收一個(gè)網(wǎng)表文件。如步驟S621，從網(wǎng)表文件取得一個(gè)未處理過(guò)的雙極性結(jié)型晶體管做為第一組件。于一個(gè)范例中，可使用網(wǎng)表剖析器(netlist parser)來(lái)取得含有一個(gè)雙極性結(jié)型晶體管的識(shí)別碼、連接設(shè)定(如發(fā)射極、集電極與基極的連接設(shè)定)及組件規(guī)格(如射頻寬度、射頻長(zhǎng)度等)。于另一個(gè)范例中，可使用字符串比對(duì)方法先檢索到含有代表雙極性結(jié)型晶體管的關(guān)鍵詞(如“npn”、”pnp”等)的描述(script)，之后依據(jù)描述雙極性結(jié)型晶體管的語(yǔ)法格式(syntaxformat)，從此描述中剖析出此組件的識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于步驟S622，判斷是否存在具有第一組件的規(guī)格的雙極性結(jié)型晶體管，是則進(jìn)行步驟S623的處理，否則進(jìn)行步驟S621的處理。于一個(gè)范例中，可使用一個(gè)網(wǎng)表剖析器來(lái)取得所有雙極性結(jié)型晶體管(不包含第一組件)的識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格，接著比對(duì)所有新取得的組件規(guī)格，若存在一個(gè)組件規(guī)格與第一組件的組件規(guī)格相同，則代表存在一個(gè)具有第一組件的組件規(guī)格的雙極性結(jié)型晶體管。于另一個(gè)范例中，可使用字符串比對(duì)方法先檢索到具有代表雙極性結(jié)型晶體管的關(guān)鍵詞(如“npn”、“pnp”等)的所有描述(不包含第一組件的描述)，依據(jù)描述雙極性結(jié)型晶體管的語(yǔ)法格式，從這些描述中剖析出所有組件的識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格，接著比對(duì)所有新取得的組件規(guī)格，若有一個(gè)組件規(guī)格與第一組件的規(guī)格相同，則代表存在一個(gè)具第一組件的組件規(guī)格的雙極性結(jié)型晶體管。于步驟S623，取得具第一組件的相同規(guī)格的一個(gè)雙極性結(jié)型晶體管的識(shí)別碼做為一個(gè)第二組件識(shí)別碼，并取得第二組件的連接設(shè)定及組件規(guī)格。
于步驟S631，判斷第一組件與第二組件的發(fā)射極(emitters)是否連接(tide-up)，是則進(jìn)行步驟S632的處理，否則進(jìn)行步驟S661的處理。詳而言之，此步驟可判斷第一組件與第二組件的發(fā)射極參數(shù)是否設(shè)定至相同接點(diǎn)，或者判斷第一組件與第二組件的發(fā)射極所連接的組件(如電阻)是否連接至一個(gè)相同接點(diǎn)。于步驟S632，判斷第一組件與第二組件的基極(bases)是否不連接，是則進(jìn)行步驟S641的處理，否則進(jìn)行步驟S661的處理。詳而言之，此步驟可判斷第一組件與第二組件的基極參數(shù)是否沒(méi)有設(shè)定至相同接點(diǎn)。
于步驟S641，從網(wǎng)表文件取得連接于第一組件集電極的所有直接與間接連接組件的組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于一個(gè)范例中，可使用一網(wǎng)表剖析器來(lái)取得含有第一組件的集電極連接設(shè)定的組件，從而取得組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于另一個(gè)范例中，可使用字符串比對(duì)方法先檢索到具有第一組件的集電極連接設(shè)定的所有描述，之后依據(jù)描述組件(如電阻、電容、電感等)的語(yǔ)法格式，從這些描述中剖析出各組件的識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于步驟S642，從網(wǎng)表文件取得連接于第二組件集電極的所有直接與間接連接組件的組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于一個(gè)范例中，可使用一網(wǎng)表剖析器來(lái)取得含有第二組件的集電極連接設(shè)定的組件，從而取得組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于另一個(gè)范例中，可使用字符串比對(duì)方法先檢索到具有第二組件的集電極連接設(shè)定的所有描述，之后依據(jù)描述組件(如電阻、電容、電感等)的語(yǔ)法格式，從這些描述中剖析出各組件的識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。于步驟S643，比對(duì)關(guān)聯(lián)于第一組件與第二組件集電極的所有直接與間接連接組件的組件連接設(shè)定與組件規(guī)格，判斷這些連接組件是否對(duì)稱(symmetric)連接于第一組件與第二組件的集電極，是則進(jìn)行步驟S651的處理，否則進(jìn)行步驟S661的處理。
如步驟S651，存儲(chǔ)第一組件與第二組件為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)，于此須注意的是，可存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器12或存儲(chǔ)裝置13中。如步驟S661，判斷是否檢測(cè)完所有的雙極性結(jié)型晶體管，是則進(jìn)行步驟S671的處理，否則進(jìn)行步驟S621的處理。如步驟S671，將所有檢測(cè)到的差動(dòng)對(duì)，通過(guò)輸出裝置15顯示于屏幕畫(huà)面或打印成報(bào)表。
以下舉一個(gè)實(shí)例來(lái)說(shuō)明第二實(shí)施例所披露的檢測(cè)雙極性結(jié)型晶體管差動(dòng)對(duì)方法。如步驟S611，接收一個(gè)網(wǎng)表文件。圖6示出了依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的網(wǎng)表文件畫(huà)面，此范例畫(huà)面顯示一個(gè)網(wǎng)表文件，其中包含描述(scripts)611至643。圖7示出了相應(yīng)于圖6的網(wǎng)表文件的電路設(shè)計(jì)圖(schematic diagram)。于步驟S621，從網(wǎng)表文件取得一個(gè)雙極性結(jié)型晶體管做為第一組件，其中，參考描述711，第一組件識(shí)別碼為“Q1”，集電極、基極與發(fā)射極的連接設(shè)定分別為“net8”、“Input2”與“net3”，組件規(guī)格為“emitter_L＝0.9u emitter_W＝0.3u”。于步驟S622與S623，取得具第一組件的相同規(guī)格的一個(gè)雙極性結(jié)型晶體管做為第二組件，其中，參考描述713，第二組件識(shí)別碼為“Q0”，集電極、基極與發(fā)射極的連接設(shè)定分別為“net11”、“Input1”與“net5”，組件規(guī)格為“emitter_L＝0.9uemitter_W＝0.3u”。于步驟S631，參考描述711、713、741與743，檢測(cè)到第一組件的發(fā)射極連接到電阻“R1”，第二組件的發(fā)射極連接到電阻“R0”，且電阻“R1”與“R0”接連接到一個(gè)共同節(jié)點(diǎn)“Common”，判斷第一組件與第二組件的發(fā)射極連接在一起。于步驟S632，參考描述711與713，檢測(cè)到第一組件的基極連接到一個(gè)節(jié)點(diǎn)“Input2”，第二組件的基極連接到一個(gè)節(jié)點(diǎn)“Input1”，判斷第一組件與第二組件的基極并沒(méi)有連接在一起。于步驟S641，參考描述711、721、725與731，取得所有連接于第一組件集電極的組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。取得的組件包括直接連接于第一組件集電極的電容“C1”與電阻“R4”，以及經(jīng)由電容“C1”間接連接于第一組件集電極的電阻“R6”。電容“C1”的組件規(guī)格為“c＝1p”，電阻“R4”的組件規(guī)格為“r＝2k”，而電阻“R6”的組件規(guī)格為“r＝3k”。于步驟S642，參考描述713、723、727與733，取得所有連接于第二組件集電極的組件識(shí)別碼、連接設(shè)定及組件規(guī)格。取得的組件包括直接連接于第二組件集電極的電容“C0”與電阻“R2”，以及經(jīng)由電容“C0”間接連接于第二組件集電極的電阻“R5”。電容“C0”的組件規(guī)格為“c＝1p”，電阻“R2”的組件規(guī)格為“r＝2k”，而電阻“R5”的組件規(guī)格為“r＝3k”。于步驟S643，檢測(cè)到電容“C1”、電阻“R4”、電阻“R6”、電容“C0”、電阻“R2”、電阻“R5”對(duì)稱連接于第一組件與第二組件的集電極。于步驟S651，存儲(chǔ)雙極性結(jié)型晶體管“Q1”與“Q0”為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)。于步驟S661與S671，輸出雙極性結(jié)型晶體管“Q1”與“Q0”為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)結(jié)果。
再者，本發(fā)明提出一種存儲(chǔ)介質(zhì)，用以存儲(chǔ)一計(jì)算機(jī)程序，上述計(jì)算機(jī)程序用以實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)輔助方法，此方法會(huì)執(zhí)行如上所述的步驟。圖8示出了依據(jù)本發(fā)明第一與第二實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助方法的存儲(chǔ)介質(zhì)示意圖。此存儲(chǔ)介質(zhì)90，用以存儲(chǔ)一計(jì)算機(jī)程序920，其計(jì)算機(jī)程序包含六個(gè)邏輯，分別為接收網(wǎng)表文件邏輯921、取得第一與第二組件邏輯922、判斷第一與第二組件的控制端點(diǎn)是否不連接邏輯923、判斷第一與第二組件的電流導(dǎo)通端點(diǎn)是否對(duì)稱連接邏輯924、存儲(chǔ)第一與第二組件具差動(dòng)對(duì)關(guān)聯(lián)邏輯925以及輸出差動(dòng)對(duì)結(jié)果邏輯926。
雖然本發(fā)明的實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下可做若干的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以本發(fā)明的權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電路設(shè)計(jì)輔助方法，被一處理單元加載并執(zhí)行，該方法包括下列步驟接收一個(gè)網(wǎng)表文件；取得上述網(wǎng)表文件中的一個(gè)第一四端組件；取得上述網(wǎng)表文件中具有上述第一四端組件的相同規(guī)格的一個(gè)第二四端組件；依據(jù)上述網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行第一判斷，判斷上述第一四端組件的控制端點(diǎn)與上述第二四端組件的控制端點(diǎn)是否不連接；依據(jù)上述網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行第二判斷，判斷上述第一四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)與上述第二四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)是否連接；以及若通過(guò)上述第一判斷與上述第二判斷，則設(shè)上述第一四端組件與上述第二四端組件為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)，輸出到輸出裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，于上述第二判斷步驟中，更判斷連接于上述第一四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)的組件與連接于上述第二四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)的組件是否對(duì)稱性地連接在一起。
3.如權(quán)利要求1所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，其中上述四端組件為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或雙極性結(jié)型晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，其中上述控制端點(diǎn)為MOS組件的柵極或BJT組件的基極。
5.如權(quán)利要求1所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，其中上述導(dǎo)通端點(diǎn)為MOS組件的漏極與源極，或BJT組件的發(fā)射極與集電極。
6.如權(quán)利要求1所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，于取得第一四端組件與第二四端組件步驟中，使用語(yǔ)法剖析器或依據(jù)四端組件的語(yǔ)法格式，來(lái)取得上述第一四端組件與上述第二四端組件。
7.如權(quán)利要求1所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，其中上述四端組件為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或雙極性結(jié)型晶體管，上述控制端點(diǎn)為MOS組件的柵極或BJT組件的基極，上述導(dǎo)通端點(diǎn)為MOS組件的漏極與源極，或BJT組件的發(fā)射極與集電極。
8.一種計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)，用以存儲(chǔ)一計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序用以加載至一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中并且使得該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行一個(gè)電路設(shè)計(jì)輔助方法，該方法包括下列步驟接收一個(gè)網(wǎng)表文件；取得上述網(wǎng)表文件中的一個(gè)第一四端組件；取得上述網(wǎng)表文件中具有上述第一四端組件的相同規(guī)格的一個(gè)第二四端組件；依據(jù)上述網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行第一判斷，判斷上述第一四端組件的控制端點(diǎn)與上述第二四端組件的控制端點(diǎn)是否不連接；依據(jù)上述網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行第二判斷，判斷上述第一四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)與上述第二四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)是否連接；以及若通過(guò)上述第一判斷與上述第二判斷，則設(shè)上述第一四端組件與上述第二四端組件為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)，輸出到輸出裝置。
9.一種電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其包括一個(gè)存儲(chǔ)裝置，用以存儲(chǔ)一個(gè)網(wǎng)表文件；一個(gè)輸出裝置；以及一個(gè)處理單元，用以接收上述網(wǎng)表文件，取得上述網(wǎng)表文件中的一個(gè)第一四端組件，取得上述網(wǎng)表文件中具上述第一四端組件的相同規(guī)格的一個(gè)第二四端組件，依據(jù)上述網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行第一判斷，判斷上述第一四端組件的控制端點(diǎn)與上述第二四端組件的控制端點(diǎn)是否不連接，依據(jù)上述網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行第二判斷，判斷上述第一四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)與上述第二四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)是否連接，若通過(guò)上述第一判斷與上述第二判斷，則將上述第一四端組件與上述第二四端組件為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)，輸出到上述輸出裝置。
10.如權(quán)利要求9所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其中上述第二判斷中，還判斷連接于上述第一四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)的組件與連接于上述第二四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)的組件是否對(duì)稱性地連接在一起。
11.如權(quán)利要求9所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其中上述四端組件為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或雙極性結(jié)型晶體管。
12.如權(quán)利要求9所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其中上述控制端點(diǎn)為MOS組件的柵極或BJT組件的基極。
13.如權(quán)利要求9所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其中上述導(dǎo)通端點(diǎn)為MOS組件的漏極與源極，或BJT組件的發(fā)射極與集電極。
14.如權(quán)利要求9所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，于上述處理單元中，使用語(yǔ)法剖析器或依據(jù)四端組件的語(yǔ)法格式，來(lái)取得上述第一四端組件與上述第二四端組件。
15.如權(quán)利要求9所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其中上述四端組件為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或雙極性結(jié)型晶體管，上述控制端點(diǎn)為MOS組件的柵極或BJT組件的基極，上述導(dǎo)通端點(diǎn)為MOS組件的漏極與源極，或BJT組件的發(fā)射極與集電極。
16.如權(quán)利要求9所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其中上述輸出裝置連接到一顯示屏幕或一部打印機(jī)。
全文摘要
一種電路設(shè)計(jì)輔助方法，由一處理單元加載并執(zhí)行。首先，接收一個(gè)網(wǎng)表文件，取得上述網(wǎng)表文件中的第一四端組件，取得網(wǎng)表文件中具有第一四端組件的相同規(guī)格的第二四端組件。依據(jù)網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行第一判斷，判斷第一四端組件的控制端點(diǎn)與第二四端組件的控制端點(diǎn)是否不連接。依據(jù)網(wǎng)表文件中的描述執(zhí)行第二判斷，判斷第一四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)與第二四端組件的導(dǎo)通端點(diǎn)是否連接。最后，若通過(guò)第一判斷與第二判斷，則將第一四端組件與第二四端組件為差動(dòng)對(duì)的關(guān)聯(lián)，輸出到輸出裝置。
文檔編號(hào)G06F17/50GK1801156SQ200510003960
公開(kāi)日2006年7月12日 申請(qǐng)日期2005年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月5日
發(fā)明者陳升佑 申請(qǐng)人:絡(luò)達(dá)科技股份有限公司