專利名稱：：識(shí)別對(duì)象的方法和載有識(shí)別信息的標(biāo)志的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種識(shí)別具有識(shí)別信息的對(duì)象的方法，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份。本發(fā)明還涉及一種載有識(shí)別信息的標(biāo)志，其中該識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份。本發(fā)明還涉及一種載有該標(biāo)志的對(duì)象。另外，本發(fā)明涉及一種制造對(duì)象識(shí)別系統(tǒng)的方法以及用于對(duì)象識(shí)別的系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：多年來，識(shí)別技術(shù)已經(jīng)成為廣泛關(guān)注和發(fā)展的領(lǐng)域。普通的識(shí)別方法依靠使用可讀標(biāo)志。這種標(biāo)志的范圍為從可見級(jí)的條形碼和可機(jī)讀的標(biāo)志到顯微級(jí)的放射性同位素和微米尺寸的塑料標(biāo)志。對(duì)識(shí)別技術(shù)持續(xù)關(guān)注的一個(gè)主要原因是以不安全的方式進(jìn)行的交易引起的欺詐的發(fā)生。需要更安全的交易系統(tǒng)是顯而易見的。例如，需要可靠地驗(yàn)證例如護(hù)照和駕照等個(gè)人資料、以及在交易時(shí)的例如ATM卡、信用卡、貨幣、支票等商業(yè)票據(jù)及其它商業(yè)交易票據(jù)。在另一個(gè)實(shí)例中，其對(duì)軟件和娛樂產(chǎn)業(yè)是極為有利的，它能夠唯一地標(biāo)記例如壓縮盤(CD)和數(shù)字多用盤(DVD)等產(chǎn)品，以防止盜版的使用。在另一個(gè)實(shí)例中，在例如寶石、藝術(shù)品和古董的高商業(yè)價(jià)值的物品的交易中，在開出信用證(issuecredit)之前，能夠確認(rèn)物品的身份對(duì)接收該物品的一方是至關(guān)重要的。在較一般的情況下，對(duì)于任何需要隨后校驗(yàn)身份的物理對(duì)象，也需要廉價(jià)并可靠的驗(yàn)證系統(tǒng)。已知幾種識(shí)別方法，并在下面描述。公知的識(shí)別方法是依靠在磁性條(也稱為磁性條形碼)中編碼的信息。磁性條通常由放在樹脂中的小磁性顆粒構(gòu)成。可以將顆粒直接施加到卡中，或者使其進(jìn)入塑料背襯上的條中，所述條被施加到卡上。通過在一個(gè)方向上磁化這些顆粒(例如鐵顆粒)的區(qū)域來對(duì)條編碼，即局部改變條中磁性顆粒的極性，以限定信息的位。通過沿條的長度改變編碼的方向，將信息寫入并存儲(chǔ)在條中。這樣，首先通過寫入頭將例如用戶帳戶號(hào)碼的識(shí)別信息編程入磁條中，接著通過用讀取頭讀出磁條來校驗(yàn)，然后讓用戶簽署文件或單據(jù)以校驗(yàn)用戶的身份。該系統(tǒng)本身是不安全的，因?yàn)楹炞趾痛艞l中編碼的數(shù)據(jù)很容易偽造。而且，當(dāng)將磁條靠近磁場(chǎng)時(shí)，磁性介質(zhì)容易損壞。已經(jīng)提出了幾種方法用于在磁條中產(chǎn)生安全的編碼，用于這些方法的商標(biāo)名包括例如WatermarkMagnetics、XSec、Holomagnetics、XiShield、ValuGuard和MagnaPrint。WatermarkMagnetics編碼方法依靠顆粒取向的改變和對(duì)不同取向的相鄰塊之間的轉(zhuǎn)變的檢測(cè)。美國專利5235166公開了一種依靠特定磁信號(hào)的相對(duì)位置的方法。具體而言，將信號(hào)波形中局部峰值點(diǎn)的準(zhǔn)確位置中的偏離稱為“抖動(dòng)”，并用作磁性安全指紋。在美國6328209中描述的美國鈔票全磁系統(tǒng)在磁條上使用了一組可機(jī)讀的全息圖像，用于校驗(yàn)?zāi)康?。ValuGuard系統(tǒng)(美國專利4985614)利用了可記錄磁性區(qū)的固有隨機(jī)變化的和可檢測(cè)的特征。根據(jù)Indeck等提交的美國專利5546462和5920628，磁性介質(zhì)的微觀結(jié)構(gòu)是微觀特征的永久隨機(jī)排列，所以，任何磁性介質(zhì)的剩余噪聲特征是唯一和確定的。為了用作安全特征，通過施加一個(gè)大的磁場(chǎng)，使磁性介質(zhì)的區(qū)在一個(gè)方向上飽和，將引起的剩余磁化或獲得的噪聲存儲(chǔ)為隨后在交易中校驗(yàn)的識(shí)別信息。在美國專利5546462和5920628中公開的識(shí)別方法依靠來自磁性介質(zhì)的總體磁信號(hào)內(nèi)的小波動(dòng)，所述磁性介質(zhì)相關(guān)于對(duì)于磁性介質(zhì)唯一的晶界和取向信息。如果磁極化、晶界或取向改變，這些波動(dòng)將改變。磁性介質(zhì)的磁信號(hào)將相應(yīng)改變，由此導(dǎo)致識(shí)別信息丟失。另外，該方法具有難于準(zhǔn)確關(guān)聯(lián)的缺點(diǎn)。而且，依靠條的磁性歷史來產(chǎn)生用于對(duì)象識(shí)別的剩余噪聲。從而，如果磁性介質(zhì)在另一磁場(chǎng)的影響下被再磁化，則將改變唯一的信號(hào)。WO01/025002A1公開了膠體棒(colloidalrod)(納米)顆粒及它們作為納米條形碼的使用。這些納米顆粒通常為圓柱形，可以包括不同的金屬，例如金、銀、鉑和鎳。使用兩步工藝來制造這些納米顆粒。第一步，將金屬電化學(xué)還原成具有圓柱孔的模板。第二步，將模板溶解以獲得獨(dú)立、分開的棒狀納顆粒?；谶@樣的過程，產(chǎn)生了具有由不同金屬組成的部分的條形碼狀納米顆粒。在相鄰金屬部分之間使用不同的反射率，以區(qū)分不同的納米顆?；驐l形碼。這通過光學(xué)顯微鏡完成。
發(fā)明內(nèi)容在身份驗(yàn)證系統(tǒng)中仍然需要廉價(jià)和可靠的可選方案。因此本發(fā)明的一個(gè)目的是開發(fā)一種標(biāo)記并識(shí)別個(gè)體對(duì)象的新方法和設(shè)備。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種廉價(jià)的標(biāo)記系統(tǒng)，它不可能或很難被偽造，并且偽造成本高昂。例如，通過具有各獨(dú)立權(quán)利要求的特征的方法、標(biāo)志和系統(tǒng)而實(shí)現(xiàn)了這些目的。這些方法中的一個(gè)是識(shí)別具有識(shí)別信息的對(duì)象的方法，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份。該方法包括確定標(biāo)志的至少部分的磁場(chǎng)(由其產(chǎn)生)的至少一個(gè)特征，由此獲得第一特定磁信號(hào)，其中標(biāo)志包括具有孔的基本上為非磁性的宿主材料，其中至少一些孔包含磁性材料，以及存儲(chǔ)與所述第一特定磁信號(hào)相關(guān)的所述信號(hào)信息，所述存儲(chǔ)的信號(hào)信息形成對(duì)象的識(shí)別信息。本發(fā)明的另一個(gè)方法是識(shí)別具有識(shí)別信息的對(duì)象的方法，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份，所述方法包括確定標(biāo)志的至少部分的電場(chǎng)或電磁場(chǎng)(由其產(chǎn)生)的至少一個(gè)特征，由此獲得第一特定電或電磁信號(hào)，其中標(biāo)志包括具有孔的基本上絕緣的宿主材料，其中至少一些孔包含基本上導(dǎo)電的材料，并且其中孔中的至少一些基本上導(dǎo)電的材料連接或耦合到電壓源，以及存儲(chǔ)與所述第一特定電或電磁信號(hào)相關(guān)的所述信號(hào)信息，所述存儲(chǔ)的信號(hào)信息形成對(duì)象的識(shí)別信息。本發(fā)明的另一個(gè)方法是制造用于對(duì)象識(shí)別的系統(tǒng)的方法。該方法包括確定標(biāo)志的至少部分的磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征，由此獲得第一特定磁信號(hào)，其中標(biāo)志包括具有孔的基本上為非磁性的宿主材料，并且其中至少一些孔包含磁性材料，存儲(chǔ)與所述第一特定磁信號(hào)相關(guān)的信號(hào)信息，所述存儲(chǔ)的信號(hào)信息形成將要識(shí)別的對(duì)象的識(shí)別信息。本發(fā)明的另一個(gè)方法是制造用于對(duì)象識(shí)別的系統(tǒng)的方法，包括確定標(biāo)志的至少部分的電場(chǎng)或電磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征，由此獲得第一特定電或電磁信號(hào)，其中標(biāo)志包括具有孔的基本上電絕緣的宿主材料，其中至少一些孔包含基本上導(dǎo)電的材料，并且其中至少一些基本上導(dǎo)電的材料連接到電壓源，以及存儲(chǔ)與所述第一特定電或電磁信號(hào)相關(guān)的信號(hào)信息，所述存儲(chǔ)的信號(hào)信息形成將要識(shí)別的對(duì)象的識(shí)別信息。本發(fā)明還提供一種載有識(shí)別信息的標(biāo)志，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份，所述標(biāo)志包括具有孔的基本上為非磁性的宿主材料，其中至少一些孔包含磁性材料，以及至少一個(gè)涂層，其至少部分覆蓋非磁性宿主材料的表面。本發(fā)明還提供一種載有識(shí)別信息的標(biāo)志，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份，所述標(biāo)志包括具有孔的基本上電絕緣的宿主材料，其中至少一些孔包含基本上導(dǎo)電的材料，以及至少一個(gè)涂層，其至少部分覆蓋宿主材料的表面。另外，本發(fā)明還提供一種具有載有識(shí)別信息的標(biāo)志的對(duì)象，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份，其中標(biāo)志包括具有孔的基本上非磁性的宿主材料，其中至少一些孔包含磁性材料，以及至少一個(gè)涂層，其至少部分覆蓋非磁性宿主材料的表面。本發(fā)明還提供一種具有載有識(shí)別信息的標(biāo)志的對(duì)象，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份，其中標(biāo)志包括具有孔的基本上電絕緣的宿主材料，其中至少一些孔包含基本上導(dǎo)電的材料，以及至少一個(gè)涂層，其至少部分覆蓋宿主材料的表面。本發(fā)明還提供一種用于對(duì)象識(shí)別的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括載有識(shí)別信息的標(biāo)志，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份，其中標(biāo)志包括具有孔的基本上非磁性的宿主材料，其中至少一些孔包含磁性材料。該系統(tǒng)還包括讀取系統(tǒng)，用于測(cè)量標(biāo)志的至少一個(gè)磁特征。該讀取系統(tǒng)還包括寫入系統(tǒng)，用于在讀取之前磁化標(biāo)志。該系統(tǒng)還包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，用于存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于從至少一部分標(biāo)志獲得的磁信號(hào)的數(shù)據(jù)。該系統(tǒng)還用于與基于基本上為電絕緣宿主材料的標(biāo)志結(jié)合，其中標(biāo)志包括具有孔的基本上電絕緣的宿主材料，其中至少一些孔包含基本上導(dǎo)電的材料，其中至少一些所述基本上導(dǎo)電的材料連接到電壓源。所述讀取系統(tǒng)、寫入系統(tǒng)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)也可以是該系統(tǒng)的部分。本發(fā)明是基于這樣分發(fā)現(xiàn)在多孔復(fù)合材料中存在(固有)或人為產(chǎn)生的無序性可以用于識(shí)別校驗(yàn)?zāi)康摹Ｍㄟ^將磁性材料引入多孔材料的孔中可以實(shí)現(xiàn)該目的。由這種材料制成的單獨(dú)的標(biāo)志的每一個(gè)都具有唯一的磁特征。例如，在美國專利5139884、5035960、Nielsch等的JournalofMagnetismandMagneticMaterials249(2002)234-240、或Sellmyer等的JournalofPhysicsCondensedMatter13，(2001)，R433-R430)中公開并描述了適當(dāng)?shù)膹?fù)合材料。而且，如果在孔中使用能夠產(chǎn)生電場(chǎng)或電磁場(chǎng)的材料，可以調(diào)節(jié)連接到孔中的材料的電壓源以增強(qiáng)或產(chǎn)生來自標(biāo)志的唯一特征信號(hào)。使用這種多孔材料或任何其它合適的多孔材料，例如在此公開的沸石和III-V族材料，具有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。首先，可以快速和廉價(jià)地開發(fā)這些標(biāo)志，它們的每一個(gè)具有唯一的指紋。第二，這些標(biāo)志可以很小(100μm×100μm或更小)，并可以對(duì)肉眼來說基本上透明。第三，這些標(biāo)志幾乎不可能偽造。第四，因?yàn)橹挥貌糠衷贾讣y就足夠用于校驗(yàn)，所以這些標(biāo)志的指紋容許很大程度的損壞。第五，該技術(shù)可改變大小，具有幾十納米到微米范圍的孔間距。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可以容易采用電流磁介質(zhì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)，例如數(shù)據(jù)存儲(chǔ)帶和硬盤技術(shù)，來讀取指紋。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，本發(fā)明描述的多孔復(fù)合材料在用于驗(yàn)證目的的用途為，在特定情況下，通過使深、高縱橫比的孔垂直于標(biāo)志表面，它可以提供強(qiáng)的偏離平面磁化。這具有雙重優(yōu)點(diǎn)，第一，提高了讀取標(biāo)志的磁性信號(hào)的容易度，第二，使標(biāo)志更難偽造。而本發(fā)明另一個(gè)重要的優(yōu)點(diǎn)是，它不必依賴存儲(chǔ)的磁信息。而是，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，識(shí)別取決于磁信號(hào)的波動(dòng)，所述磁信號(hào)取決于標(biāo)志內(nèi)單個(gè)磁元件之間的物理無序性。由于磁場(chǎng)不影響無序性，避免了由不需要的磁場(chǎng)引起的標(biāo)志磁信號(hào)的破壞。這樣，以這種方式存儲(chǔ)的識(shí)別信息比基于上述常規(guī)的磁性條形碼技術(shù)的磁存儲(chǔ)信息更穩(wěn)定。通常，在本發(fā)明中可以使用至少基本上為非磁性(磁惰性)或基本上為電絕緣的任何多孔宿主材料。該宿主材料通常具有良好的機(jī)械、熱和化學(xué)穩(wěn)定性，以便使得孔中的材料到宿主材料其它區(qū)的遷移得到阻止或可忽略。另外，宿主材料的穩(wěn)定性最小化了對(duì)孔中材料的氧化和不需要的化學(xué)改變。該性能使得從標(biāo)志獲得的磁、電或電磁信號(hào)保持唯一的可識(shí)別性。例如，適當(dāng)?shù)乃拗鞑牧峡梢园ǘ嗫酌鞯\石，其通過陽極化鋁膜制備，如美國專利5139884、5035960或Nielsch等的supra中所述。所以，標(biāo)志的宿主材料可以是氧化鋁。其它合適的宿主材料包括多孔聚合物膜(通常為兩或三塊共聚物，其中的一個(gè)組分已經(jīng)被選擇性地除去)或多孔半導(dǎo)電材料，例如多孔硅或多孔III-V材料(例如參見Fll等的AdvancedMaterials，15，183-198(2003))。適合于用作本發(fā)明中多孔宿主材料的III-V材料的實(shí)例包括GaAs、InP和AlAs。另一種合適的宿主材料是沸石。合適的沸石的實(shí)例包括任何一種沸石礦族的成分，例如斜發(fā)沸石、菱沸石、鈣十字沸石、絲光沸石。其它合適得多孔材料包括無機(jī)氧化物，例如氧化硅、氧化鋅和氧化錫。如果識(shí)別對(duì)象的方法是基于對(duì)至少一個(gè)電或電磁特征的確定，那么合適的宿主材料的實(shí)例是電絕緣材料，例如氧化鋁、多孔硅石、其它氧化物、聚合物膜和沸石。在本發(fā)明中宿主材料包括空心管是可能的，例如碳納米管。優(yōu)選在第二宿主材料內(nèi)澆入管。從上面可以看出，獲得多孔宿主材料的方法取決于所選擇的材料。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，沸石的制備是公知的(例如參見Cheetham等的AngewandteChemie-InternationalEdition38，3269-3292(1999)和其中的參考文獻(xiàn))。如上所述，按照Foll等的描述可以獲得半導(dǎo)電宿主材料。可以獲得多種孔形成工藝以在例如氧化鋁的宿主材料中產(chǎn)生孔，例如使用不同的酸的陽極化。如果使用陽極化工藝來產(chǎn)生宿主材料的孔，根據(jù)用于產(chǎn)生宿主材料的陽極化工藝，可以調(diào)節(jié)孔直徑。本領(lǐng)域技術(shù)人員已經(jīng)了解用于獲得不同孔尺寸的各個(gè)陽極化條件。首先，陽極化工藝可以在酸性條件下發(fā)生?？梢允褂玫乃岬膶?shí)例包括硫酸、草酸、鉻酸和磷酸，酸的濃度通常在0.1M到0.5M的范圍內(nèi)。第二，所施加的電壓取決于所需的孔尺寸，其范圍可以從用于小孔的15V一直到用于大孔的200V。為了獲得直徑在10-50nm的孔，可以使用0.2M的硫酸并施加15-25V的電壓。為了獲得30-100nm的孔，可以使用0.3M的草酸并施加30-80V的電壓。為了獲得100-500nm的大孔，可以使用0.3M的磷酸并施加120-200V的電壓。通過改變陽極化的條件(例如施加電壓；cf.Varghese等，J.Mat.Res.Vol.17No.5，2002年5月)和厚度、所用膜的純度和組成，可以獲得具有令人驚訝的無序化孔的金屬氧化物宿主材料。能夠使用從大約10nm到微米范圍的很寬范圍的孔尺寸，以及幾十納米到微米范圍(例如從20nm到500nm)的孔間距離，這給本發(fā)明的日常使用提供了靈活性。已經(jīng)知道制造和微型結(jié)構(gòu)化孔的方法，例如參見Li等的JournalofAppliedPhysics，84，(1998)，6023-6026。例如，對(duì)于不同的應(yīng)用可以使用不同的孔尺寸。其中長期的安全性至關(guān)重要、并無需經(jīng)常讀指紋(例如珠寶和法律文件)的情況下，可以使用具有較小孔和小孔間距離(例如約50nm)的標(biāo)志以提高識(shí)別信息的安全性。當(dāng)在日常中進(jìn)行對(duì)標(biāo)志的讀取的情況下，例如信用卡或ATM卡，可以使用具有較大孔間距(例如大約500nm)的較大的孔。而且，在單個(gè)對(duì)象上還可以組合使用小孔和大孔。例如，在用于校驗(yàn)通常的交易的信用卡中使用多組孔。然而，當(dāng)需要校驗(yàn)卡的真實(shí)性或進(jìn)行大額購買時(shí)，可以使用在具有較小孔的標(biāo)志中存儲(chǔ)的識(shí)別信息。在優(yōu)選實(shí)施例中，使用這樣的標(biāo)志，其中宿主材料的孔的直徑在約10nm到約500nm之間?？梢允褂萌魏尉哂写判孕阅艿牟牧蟻硖畛渌拗鞑牧系目?，包括但不限于磁性材料，如鐵磁性材料、反鐵磁性材料，并優(yōu)選鐵磁性材料。用于填充宿主材料中的孔的磁性材料包括但不限于鐵磁性材料，例如Fe、Ni、Co、Gd、Dy、其相應(yīng)的合金、氧化物及其混合物，以及其它化合物，例如MnBi、CrTe、EuO、CrO2和MnAs。也可以考慮受磁性影響的其它材料。這些材料的實(shí)例包括例如尖晶石和石榴石的鐵磁性材料和例如磁鐵礦的鐵酸鹽。還可以考慮在磁性介質(zhì)中通常使用的其它材料，例如Ce、Cr、Pt、Nd、B、Sm的合金，以及例如SmCo5、AlNiCo的合金，坡莫合金和導(dǎo)磁合金。盡管下文主要參考使用磁性材料的標(biāo)志來說明本發(fā)明，但在此描述的標(biāo)志、方法和系統(tǒng)中也可以使用產(chǎn)生電場(chǎng)或電磁場(chǎng)的導(dǎo)電材料。例如，在基本上電絕緣的宿主材料的孔中可以使用例如金屬(例如Cu、Sn、Fe、Ni)的導(dǎo)電材料或半導(dǎo)電材料。當(dāng)耦合到波動(dòng)AC電壓時(shí)，電荷在孔中的導(dǎo)電材料中振蕩，由此產(chǎn)生電場(chǎng)。通常通過導(dǎo)電層或位于多孔宿主材料下面的區(qū)來提供電連接，使得形成與至少一些位于孔中的導(dǎo)電材料的電接觸。可以用任何合適的方式將磁性材料以及導(dǎo)電材料沉積到宿主材料的孔中。通常公知的方法為氣相沉積技術(shù)、熔融澆注、溶液澆注、以及例如電沉積、脈沖電沉積、或無電鍍敷的電化學(xué)沉積技術(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，識(shí)別對(duì)象的方法包括在標(biāo)志上存儲(chǔ)記錄信息。通過將一組孔中存在的磁性材料磁化成極化的疇，或者通過構(gòu)圖包含磁性(或?qū)щ?材料的標(biāo)志的多組孔來確定，或者通過兩種方法的結(jié)合來完成信息的存儲(chǔ)(記錄)。在首先確定磁、電磁或電場(chǎng)的至少一個(gè)特征之前或者可選地在該首先確定之后，優(yōu)選進(jìn)行該記錄步驟。在例如本發(fā)明中描述的那些應(yīng)用中，其中對(duì)象或人需要進(jìn)行校驗(yàn)或驗(yàn)證過程，需要將某個(gè)(個(gè)體化的)信息包括在驗(yàn)證期間讀取的卡或標(biāo)志上。這里所稱的該(個(gè)體化的)信息可以與任何所需的主題有關(guān)，并可以與對(duì)象的身份或?qū)ο蟮膿碛姓哂嘘P(guān)，例如個(gè)人資料(例如人名、住址、國籍、生日等)、識(shí)別號(hào)、銀行帳戶號(hào)、標(biāo)記信息的位置、與標(biāo)記信息有關(guān)的資料、或者其它任何信息。在本發(fā)明的上下文中，包括標(biāo)記信息在內(nèi)，在標(biāo)志上存儲(chǔ)的該信息或任何其它信息被稱為可記錄或記錄信息。因此，本發(fā)明的標(biāo)志不僅可以存儲(chǔ)標(biāo)記(識(shí)別)信息，而且可以存儲(chǔ)可記錄信息，因此與常規(guī)磁存儲(chǔ)介質(zhì)類似，也可以用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)?？梢砸詭追N方法實(shí)現(xiàn)對(duì)該信息的存儲(chǔ)/記錄。例如，可以用這樣的方法磁化一條填充有磁性材料的多孔宿主材料，即通過常規(guī)的磁寫入頭，將多個(gè)孔中的多組磁體(也稱作磁疇)磁化或極化為特定的方向，以便記錄可記錄信息。隨后，當(dāng)需要獲得所記錄的信息時(shí)，可以使用任何合適的讀取頭(例如在讀卡器或硬盤工業(yè)中所使用的那些)來讀取條。這樣獲得的記錄信息通常是數(shù)字信號(hào)，然后可以將其處理成人可讀的信息。為了從相同的條中獲得標(biāo)記信號(hào)，可以將條的小區(qū)指定成標(biāo)記(識(shí)別)區(qū)。通過讀取頭讀取存儲(chǔ)標(biāo)記信息的該區(qū)，以便確定例如表示在條的該區(qū)內(nèi)的磁場(chǎng)的唯一特征的模擬信號(hào)。這樣，如上所述，使用本發(fā)明的標(biāo)志不僅可以存儲(chǔ)識(shí)別信息，而且以與常規(guī)信用卡磁條或磁條形碼類似的方式用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)來存儲(chǔ)多位信息。這種方法的優(yōu)點(diǎn)包括，以任何現(xiàn)有的常規(guī)方法可以讀取磁疇的大量區(qū)。而且，該方法還可以提供一些重寫恢復(fù)(resilience)，其由于包括每位的多個(gè)孔的各向異性。除了通過磁化以外，將標(biāo)記和可記錄信息存儲(chǔ)到標(biāo)志上的可選方法是，根據(jù)預(yù)定的圖形(布圖)(參照?qǐng)D6B)用磁性或?qū)щ?半導(dǎo)電材料填充宿主材料條中的不同組的孔。根據(jù)所需的條形碼圖形或又對(duì)應(yīng)于如上所述的可記錄信息的位存儲(chǔ)圖形而確定填充區(qū)的圖形。該圖形僅為固定的標(biāo)志提供，并在宿主中為磁性材料的情況下，具有不需要極化方向的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)需要獲得記錄信息時(shí)，例如可以使用常規(guī)的磁性刷卡式讀卡器，因?yàn)橛涗浀男畔⑼ǔＬ幱诤线m的大長度規(guī)模上。也可以使用例如精細(xì)分辨率讀取器來讀取條，以獲得條上的標(biāo)記信息。這種方法的優(yōu)點(diǎn)在于，它不需要用極化的疇將標(biāo)志中的磁性材料磁化，因此它不易受到不希望的磁場(chǎng)的損害。所以，如果需要磁化或再磁化條以增強(qiáng)對(duì)標(biāo)記或可記錄信息的讀取，那么在該條上的信息(標(biāo)記和可記錄)將不會(huì)受到外部磁場(chǎng)的破壞。在上面的兩個(gè)實(shí)施例中，記錄信息和標(biāo)記信息都被包括在相同的條中。然而，標(biāo)志區(qū)不必須位于存儲(chǔ)記錄信息的相同的條中。還可以使載有標(biāo)記信息的分開的標(biāo)志獨(dú)立于磁條地位于對(duì)象上的任何其它位置(例如與條相鄰，或在對(duì)象的反面)。為了進(jìn)一步提高安全水平，例如還可以使用上述標(biāo)志可以還包括至少一個(gè)涂層。該涂層通常進(jìn)行(例如在氧化中機(jī)械地和/或化學(xué)地)保護(hù)標(biāo)志和/或隱藏標(biāo)志和/或有助于讀取標(biāo)志的功能。涂層可以包括單層或兩層，或如果需要，包括多層。所述涂層通常包括至少一層硬材料，例如剛性聚合物、溶膠凝膠衍生氧化物、金剛石狀碳、四面體無定形碳或旋涂噴漆。這里將“硬”材料限定為優(yōu)選具有每平方米50兆牛頓，即50MN/m2或更大的體屈服應(yīng)力的材料。用作硬材料的合適的聚合物的例子為聚甲基丙烯酸甲酯，其具有堅(jiān)硬和透明的優(yōu)點(diǎn)。通過使用單體甲基丙烯酸甲酯的溶液浸漬或旋涂標(biāo)志可以制造聚甲基丙烯酸甲酯的單個(gè)涂層(由此也填充未填充磁性材料的孔中的部分。在涂敷期間或涂敷后聚合單體溶液。還可以用一層或多層軟材料涂敷硬材料層。對(duì)于軟，指的是體屈服應(yīng)力小于選定的下面的硬涂層的體屈服應(yīng)力的層。優(yōu)選軟涂敷材料具有小于50MN/m2的體屈服應(yīng)力?？紤]的軟涂敷材料包括聚丙烯、聚苯乙烯、聚酰亞胺、聚四氟乙烯(PTEE，也稱為Teflon)、聚乙酸乙烯酯、聚偏1，1-二氟乙烯(PVDF)、聚丙烯酸和其它化學(xué)和熱穩(wěn)定聚合物。例如通過浸涂、旋涂、絲漏印刷、平板(table)涂敷或刷涂，從溶液沉積這些材料，然后干燥。它們也可以通過熔融澆注沉積。對(duì)于不經(jīng)受高水平磨損的應(yīng)用，可以使用薄涂敷。這將不妨礙信號(hào)讀取。如果優(yōu)選厚涂敷以增加標(biāo)志的壽命，該涂層可以由在讀取之前容易除去的材料制成，如果這對(duì)于讀取標(biāo)志是必需的話。有時(shí)也需要對(duì)涂層進(jìn)行表面處理，以改善將與讀取頭接觸的上層的摩擦。實(shí)例包括，對(duì)表面進(jìn)行等離子體處理，以提供低摩擦表面組，如氟化物、氧化物、氮化物等。當(dāng)在標(biāo)志上施加涂層之前(例如在標(biāo)志的至少一些孔已用磁性材料填充后)，可以對(duì)標(biāo)志的表面拋光或平面化。這會(huì)進(jìn)一步改善對(duì)標(biāo)志的讀取。為此可以使用常規(guī)的拋光或平面化方法，包括研磨和化學(xué)機(jī)械拋光。通常，本發(fā)明所使用的標(biāo)志可以被制造在自身上，即沒有分開的基片，通過使用公知的沉積方法，例如氣相沉積法或電沉積，將宿主或宿主前體材料直接沉積在將要標(biāo)記的對(duì)象上。沉積法特別適于標(biāo)記小的對(duì)象，例如昂貴的寶石。實(shí)例包括但不限于物理濺射、熱蒸發(fā)、等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、電子束蒸發(fā)、以及脈沖激光沉積。然而，如果需要，標(biāo)志還可以包括支撐基片。基片的存在有助于將標(biāo)志穩(wěn)固地保持在位，而可以將粘合材料施加到基片的底部，由此標(biāo)志容易貼附到任何表面而不影響宿主材料和磁性材料的整體性。任何材料都可以用作基片，這取決于其上或其中將附著或引入標(biāo)志的對(duì)象以及對(duì)象所暴露的環(huán)境?；牧峡梢允莿傂?、重量輕、穩(wěn)定和磁惰性的。基片通常所使用的材料是鋁合金。構(gòu)成基片的基片材料的其它實(shí)例包括大范圍的材料，例如陶瓷、硅、硅石、玻璃、鋁-鎂化合物、生物材料(例如木材、皮、革、骨)和塑料。為了進(jìn)一步提高標(biāo)志的性能和特性，可以對(duì)標(biāo)志進(jìn)行退火步驟以促進(jìn)在磁性材料內(nèi)的晶?；虼女牭纳L。這提高了來自填充孔的磁場(chǎng)強(qiáng)度(優(yōu)選每個(gè)孔具有單疇)，因此進(jìn)一步提高了標(biāo)志的可讀性。退火溫度應(yīng)當(dāng)保持在多孔宿主和基片的軟化或熔化點(diǎn)以下，但應(yīng)充分促進(jìn)孔內(nèi)材料的晶粒生長。如果溫度升高到居里溫度以上，在具有強(qiáng)磁場(chǎng)的情況下將材料冷卻回到居里點(diǎn)是更有利的。這也促進(jìn)了具有偏離平面的磁性的單疇的形成。最后，在將標(biāo)志貼附到對(duì)象之前或之后進(jìn)行退火步驟。如果對(duì)象在升高的溫度下會(huì)另外損壞，或者該處理允許在使用前對(duì)多個(gè)標(biāo)志成批退火的經(jīng)濟(jì)性，則通常在貼附前退火。然而，在對(duì)象能夠經(jīng)受升高的溫度的情況下，則在標(biāo)志位于對(duì)象上的情況下有效地進(jìn)行退火步驟。這樣的優(yōu)點(diǎn)包括促進(jìn)將標(biāo)志粘著到對(duì)象上或者將標(biāo)志沉積并原地形成在對(duì)象上。根據(jù)本發(fā)明的識(shí)別對(duì)象的一個(gè)方法要求確定標(biāo)志的磁、電或電磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征。為此可以利用幾個(gè)特征。這些特征包括標(biāo)量和矢量，包括由單個(gè)孔中的磁體引起的磁或電磁場(chǎng)強(qiáng)度、由孔中導(dǎo)電材料產(chǎn)生的電場(chǎng)的靜態(tài)電容量、標(biāo)志上特定點(diǎn)的平均場(chǎng)強(qiáng)度、或者可選的標(biāo)志上部分上面的場(chǎng)強(qiáng)度圖形(或波動(dòng)信號(hào))。這些特征被如下因素影響，例如標(biāo)志內(nèi)的孔填充、磁性材料的排列、取向和類型。因此，所測(cè)量的特征表示每個(gè)單獨(dú)標(biāo)志中的唯一信號(hào)。為了確定例如標(biāo)志的磁場(chǎng)強(qiáng)度圖形的特征，可以使用任何常規(guī)的讀取頭?？梢允褂玫淖x取頭的實(shí)例為用于如下中的讀取頭例如盒帶錄音機(jī)、盒式磁帶錄像機(jī)(VCR)、磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)帶、硬盤驅(qū)動(dòng)器、ZipTM盤、JazTM盤以及磁條讀取器?？蛇x的是，可以使用磁力顯微鏡，通常稱為MTF。另外，可以利用對(duì)例如科爾磁效應(yīng)的磁光效應(yīng)的檢測(cè)。為了確定例如電場(chǎng)或電磁場(chǎng)強(qiáng)度的特征，為此可以使用可以被校驗(yàn)到合適頻率的任何常規(guī)的高敏感度電場(chǎng)計(jì)或EMF高斯計(jì)。一旦已經(jīng)確定了來自標(biāo)志的磁信號(hào)，可以對(duì)其進(jìn)行數(shù)學(xué)計(jì)算過程，以在存儲(chǔ)之前處理(例如過濾、平滑、進(jìn)行傅立葉變換或其它數(shù)學(xué)信號(hào)處理技術(shù))、和/或壓縮、和/或編碼信號(hào)。可以將第一特定磁信號(hào)存儲(chǔ)在多種存儲(chǔ)設(shè)備中，例如硬盤、智能卡、RAM模塊、或任何其它存儲(chǔ)介質(zhì)，所述信號(hào)或者為通過讀取標(biāo)志獲得的原信號(hào)的形式、或者為其被處理/壓縮/編碼后的形式。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，確定標(biāo)志的至少一部分的磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征的步驟包括對(duì)所述部分標(biāo)志的表面上的特定位置的磁場(chǎng)的所述特征的測(cè)量，由此繪制磁波動(dòng)信號(hào)。用這種方式獲得的磁信號(hào)不僅是取決于標(biāo)志中的多個(gè)因素的復(fù)雜波動(dòng)信號(hào)，而且在相同時(shí)間對(duì)于讀取位置是特定的。使用這種磁信號(hào)是有利的，因?yàn)樗ǔＨQ于多個(gè)因素，例如標(biāo)志中磁性材料的取向、強(qiáng)度和種類。這種信號(hào)的復(fù)雜性使得難于對(duì)標(biāo)志進(jìn)行逆向控制或偽造。在本發(fā)明的方法中，可以通過掃描整個(gè)標(biāo)志或僅僅部分標(biāo)志來獲得第一磁信號(hào)。例如，在要求低水平驗(yàn)證的應(yīng)用中，僅讀取一部分標(biāo)志就足夠了。然后該‘部分’信號(hào)成為初始的存儲(chǔ)識(shí)別信息。以這種方式，還可以降低讀取和記錄新標(biāo)志的識(shí)別信息的處理時(shí)間。僅要求‘部分’信號(hào)也使它更難偽造，因?yàn)椴灰髢H從標(biāo)志上的信息可以識(shí)別使用的部分，而是優(yōu)選在整個(gè)系統(tǒng)內(nèi)形成獨(dú)立指令的部分。這意味著，通常，偽造者會(huì)被迫再制造整個(gè)標(biāo)志，盡管僅使用一些信息來驗(yàn)證對(duì)象。復(fù)制未使用的部分會(huì)顯著增加成本和偽造標(biāo)志所需的付出，而對(duì)于原制造者或合法用戶不會(huì)顯著增加成本和付出。如果需要(進(jìn)一步)降低處理時(shí)間，可以在標(biāo)志上制造參考標(biāo)記，所述標(biāo)記可以通過讀取頭(通過磁、電磁或電信號(hào))或其它傳感器/設(shè)備(例如光學(xué)、結(jié)構(gòu)、無線電作用)檢測(cè)。通過用引導(dǎo)線構(gòu)圖多孔材料可以實(shí)現(xiàn)對(duì)參考標(biāo)記、或表示讀取頭起始位置的標(biāo)志上的位置的識(shí)別，所述引導(dǎo)線例如為一組機(jī)器可識(shí)別條，其通過讀取頭可以被在磁和/或光學(xué)上檢測(cè)。在一些例子中，為了有助于對(duì)標(biāo)志重新定位，希望用磁性材料對(duì)多孔宿主材料構(gòu)圖以形成條或其它特征。在本發(fā)明的上下文中并且如上所述，對(duì)多孔宿主材料的構(gòu)圖可以指，根據(jù)對(duì)應(yīng)于固定標(biāo)志的預(yù)定布局填充多孔宿主材料中的孔。還可以使用相同的構(gòu)圖工藝來產(chǎn)生有助于重新定位標(biāo)記的參考標(biāo)記?？梢允褂枚鄠€(gè)的參考標(biāo)記方案。例如，在將標(biāo)志附著到鉆石或在磁條上的區(qū)被指定成標(biāo)志區(qū)的情況下，重新定位標(biāo)志的一個(gè)可能的方法是產(chǎn)生(例如通過構(gòu)圖)相鄰于標(biāo)志的非磁性區(qū)，它將把讀取頭引向標(biāo)志。該區(qū)域可以具有任何會(huì)聚(集中)到標(biāo)志的合適的形狀。例如其可以是螺旋形或中心環(huán)形。其還可以為三角形(參照?qǐng)D7)。其還可以使用光學(xué)方法定位標(biāo)志。一種方案是使用基準(zhǔn)標(biāo)記，其通常用于半導(dǎo)體領(lǐng)域中?？梢砸赃@種方式定位基準(zhǔn)標(biāo)記，即交叉線表示標(biāo)志的位置。通過將讀取頭與光學(xué)傳感器耦合，也可以檢測(cè)參考標(biāo)記，并隨后將讀取頭導(dǎo)向標(biāo)志?？梢砸匀魏芜m當(dāng)?shù)姆绞綀?zhí)行產(chǎn)生參考位置的方法。例如，通過在空的孔上氣相沉積薄金屬覆蓋層來封閉孔而實(shí)現(xiàn)(參見Li等的AdvancedMaterials，11，(1999)，483-487)?？梢允褂贸Ｒ?guī)的光刻和蝕刻方法來選擇性地打開覆蓋層。覆蓋層用作掩模，從而允許只將磁性材料選擇性地沉積在希望區(qū)域中。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)與第一磁信號(hào)有關(guān)的信號(hào)信息包括存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于在一部分標(biāo)志的表面上的磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征的數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)可以直接或間接與對(duì)應(yīng)于從標(biāo)志測(cè)量的磁場(chǎng)的特征的數(shù)據(jù)相關(guān)。而且，識(shí)別對(duì)象的方法還包括接著確定標(biāo)志的磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征，由此獲得第二特定磁信號(hào)，并且將所述的第二特定磁信號(hào)(或與其有關(guān)的信號(hào)信息)與先前存儲(chǔ)的識(shí)別信息比較。本方法的優(yōu)點(diǎn)在于，第二磁信號(hào)不必匹配全部存儲(chǔ)的識(shí)別信息。只要在確定第二信號(hào)中讀取的部分和被掃描以用于獲得第一磁信號(hào)并由此存儲(chǔ)識(shí)別信息的部分之間存在重疊和部分匹配的部分就足夠了。對(duì)于實(shí)際應(yīng)用該事實(shí)涉及多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。例如，在標(biāo)志由于灰塵或臟物變得局部模糊或被損壞時(shí)，例如撕破，可以用存儲(chǔ)的識(shí)別信息校驗(yàn)來自剩余部分的磁信號(hào)。在校驗(yàn)對(duì)象身份期間，可以確定第二磁信號(hào)，其用于與先前存儲(chǔ)的識(shí)別信息相比較。該隨后的對(duì)第二磁信號(hào)的確定可以通過對(duì)標(biāo)志的第二、第三、第四或其它次的讀取。如果第二特定磁信號(hào)與存儲(chǔ)的第一信號(hào)的匹配在可接受的范圍內(nèi)，那么對(duì)象被驗(yàn)證，由此確定對(duì)象的身份。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在測(cè)量第一個(gè)特定磁信號(hào)之后，將標(biāo)志附著到要識(shí)別的對(duì)象。在另一個(gè)實(shí)施例中，在測(cè)量第一特定磁信號(hào)之前，將標(biāo)志附著到要識(shí)別的對(duì)象。從上述可以看出，第一和第二信號(hào)確定步驟發(fā)生在不同的時(shí)間和地點(diǎn)在實(shí)施中是可能和普遍的。例如，可以首先將制造的標(biāo)志送到數(shù)據(jù)庫提供者，數(shù)據(jù)庫提供者在將標(biāo)志送到例如信用卡公司或鉆石開采公司之前從標(biāo)志獲得并存儲(chǔ)識(shí)別信息。然后在將對(duì)象分配到其客戶之前，標(biāo)志使用者將標(biāo)志貼附到將要標(biāo)記的對(duì)象上，例如信用卡或鉆石。然后客戶可以進(jìn)行對(duì)第二磁信號(hào)的確定，以便校驗(yàn)對(duì)象的身份?？蛇x的是，標(biāo)志使用者可以在自己讀取標(biāo)志或?qū)⑵渌偷綌?shù)據(jù)庫提供者之前將標(biāo)志貼附到對(duì)象上。在兩種情況下，然后從標(biāo)志獲得識(shí)別信息并存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫中以用于以后的識(shí)別。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，在每次確定磁信號(hào)之前將標(biāo)志磁化。在該實(shí)施例中，在每次讀取之前，可以將標(biāo)志的孔內(nèi)的磁性材料在磁場(chǎng)下重新磁化。這增加了標(biāo)志的磁場(chǎng)信號(hào)以便容易讀取。為此，可以使用均勻或不均勻的磁場(chǎng)來重新磁化標(biāo)志，例如由簡單的條狀磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)，或由螺線管產(chǎn)生的磁場(chǎng)，或磁體的組合。在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，標(biāo)志的磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征高度依賴于或被特征化為標(biāo)志的無序性。具體而言，無序性與標(biāo)志的至少一個(gè)特性有關(guān)，例如尺寸、形狀和孔的取向、孔間距、孔填充的百分比以及標(biāo)志中磁性材料的晶體取向。例如，無序性可以只是宿主材料的特征。作為其的實(shí)例，可以使用這樣的宿主材料，其具有不同的孔尺寸和孔間距，可以用磁性材料(相同地)填充該材料的孔。還可以使用具有有序的孔的宿主，其中通過改變孔內(nèi)材料的填充度來產(chǎn)生無序性。當(dāng)然例如還可以使用具有無序結(jié)構(gòu)的標(biāo)志，并且也改變填充孔的百分比或(在磁性材料的情況下)標(biāo)志內(nèi)材料的晶體取向?？梢员恢苽湟栽跇?biāo)志中產(chǎn)生無序性的上述特性也可以看作自由度。由各種因素引起無序性的結(jié)果是，這里公開的身份標(biāo)志需要非常復(fù)雜和昂貴的設(shè)備來偽造。由其是對(duì)標(biāo)志的偽造必須要求精確的設(shè)備，其具有50nm到100nm的分辨率，例如在潔凈室中的聚焦離子束。而對(duì)具有較大孔尺寸(500nm)的標(biāo)志的偽造就更容易，但是尤其在孔具有很高的縱橫比以提高偏離平面的磁化的情況下，這樣做的任務(wù)極其復(fù)雜。為了從標(biāo)志再現(xiàn)信號(hào)，就必須復(fù)制準(zhǔn)確的結(jié)構(gòu)特征，例如宿主材料的結(jié)構(gòu)、孔填充度或原始標(biāo)志中磁性材料的晶體取向(即無序性)。任何現(xiàn)有的設(shè)備都不能提供為獲得相同無序性而制備材料所需的準(zhǔn)確度。在某些情況下，需要提高標(biāo)志中的無序性以獲得唯一的磁信號(hào)。例如，用磁性材料填充的一些形式的碳納米管(多孔宿主)并不固有地具有足夠的無序性。在這些情況下，可以重新分布或重新澆注復(fù)合材料以便獲得希望的形式。在包含磁性材料的碳或其它納米管(例如氮化硼納米管或二硫化鉬管)的情況下，例如可以將管旋澆到聚合物膜或溶膠凝膠衍生物膜中，以產(chǎn)生無取向的納米管。例如使用電弧放電方法制造納米管并用磁性材料至少部分填充(Rao等的DaltonTransactions1，1-24(2003))。然后將這些管分散在液態(tài)單體或聚合物溶液中、或利用超聲波攪拌的溶膠凝膠前體。然后將液體旋涂到基片上，例如硅晶片或載波片。在干燥并固化材料后，獲得希望的無序復(fù)合材料?？梢詫?duì)其進(jìn)一步拋光或平面化以形成平滑表面。還可以改變標(biāo)志的孔內(nèi)的磁性材料的水平。通常在已經(jīng)用磁性材料填充宿主材料的孔(例如通過電沉積)之后進(jìn)行該方法。通過使標(biāo)志經(jīng)過蝕刻步驟以除去選定孔中的磁性材料，可以改變孔填充度或填充的孔之間的距離。圖8示出了一種合適的方法的示意圖。該方法還可以用于實(shí)現(xiàn)對(duì)磁性材料的構(gòu)圖(例如條)，或者用于增加單獨(dú)的磁性材料填充的孔之間的距離。這種構(gòu)圖方法的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，磁性材料的條比包含磁性材料的大區(qū)域更容易準(zhǔn)確定位和對(duì)準(zhǔn)。第二個(gè)原因是，為了使讀取處理更迅速和更容易，可能希望提高宿主材料中的磁性材料之間的平均距離。從上面可以看出，通過利用本發(fā)明，可以標(biāo)記(指紋化)和識(shí)別經(jīng)過驗(yàn)證過程的基本任何對(duì)象。示例性的應(yīng)用和實(shí)物包括壓縮盤、護(hù)照、駕照、ATM卡、信用和借記卡、貨幣、支票、安全通行證、產(chǎn)權(quán)證(landtitledeed)、遺囑、機(jī)票、證書、繪畫、切割或未切割的鉆石和其它寶石。通過參考下面的非限制性實(shí)例和附圖來進(jìn)一步說明本發(fā)明，其中圖1A示出在硅基片上的本發(fā)明多孔氧化鋁標(biāo)志的截面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像，通過電鍍用金屬來填充氧化鋁孔；圖1B示出用磁性材料填充的其的一些孔的本發(fā)明多孔氧化鋁標(biāo)志的平面示意圖；圖2示出類似于圖1的標(biāo)志的平面SEM圖像，其中Ni用作用于填充孔的磁性材料，氧化鋁用作模板材料，用Ni填充的孔呈現(xiàn)較亮的陰影，而未填充的孔呈現(xiàn)為黑色；圖3A示出嵌入氧化鋁宿主材料的納米磁體陣列的磁力顯微鏡(MFM)圖像，圖3B示出相應(yīng)的線掃描圖像，表示沿如圖3A中黑線所示的掃描路徑獲得的磁偏移信號(hào)；圖4示出在本發(fā)明中使用的制造標(biāo)志的方法的流程圖；圖5示出利用多孔氧化鋁標(biāo)記對(duì)象的方法的流程圖；圖6A和6B示出本發(fā)明的實(shí)施例，其中將標(biāo)志設(shè)置為塑料卡(例如信用卡或ATM卡)上的磁條的部分，這允許標(biāo)志存儲(chǔ)記錄信息和識(shí)別信息；圖6C和6D示出本發(fā)明的實(shí)施例，其中將標(biāo)志與記錄信息分開設(shè)置；圖7A到7E示出可能的圖形，它們的每一個(gè)可被用作將讀取頭導(dǎo)向標(biāo)志的參考標(biāo)記；圖8示出對(duì)標(biāo)志中的磁性材料進(jìn)行選擇性蝕刻以改變標(biāo)志中的孔填充度的一個(gè)方法中的步驟；圖9示出標(biāo)志的截面示意圖，其包括用錫填充的電絕緣多孔宿主材料，將電壓源耦合到錫，從而從標(biāo)志獲得電場(chǎng)。在本說明書的上下文中，術(shù)語“單獨(dú)地標(biāo)記”、“指紋化”和“識(shí)別”以及它們的派生詞可以互換使用，表示以如下方式標(biāo)記項(xiàng)目，使得可以從其它項(xiàng)目中唯一辨別。盡管在上下文中有時(shí)使用“水印”和“條形碼”，但這些術(shù)語一般指從另一組項(xiàng)目辨別一組項(xiàng)目，例如從假貨幣中辨別貨幣水印，而不是從其它單個(gè)的真貨幣中辨別貨幣。具體實(shí)施例方式實(shí)例1一種識(shí)別具有識(shí)別信息的對(duì)象的方法，在所述對(duì)象中將身份標(biāo)志安裝在基片上。圖1A和圖1B分別示出可以用于本申請(qǐng)的發(fā)明方法中的標(biāo)志100的截面圖和平面圖。電化學(xué)沉積的磁性材料10呈現(xiàn)為具有較亮陰影的柱，而包圍的宿主材料11呈現(xiàn)為較暗的陰影。導(dǎo)電金屬層12位于與柱垂直。該層有助于柱的電沉積或脈沖電沉積，其還有助于宿主材料和下面基片之間的粘合。金屬層12可以由例如鈦的金屬形成，或者可以由未被陽極化的鋁形成。硅基片13支持多孔復(fù)合物。如圖1B所示，標(biāo)志100的孔之間的距離為約500nm，平均孔直徑為約100nm。未填充的孔15比具有磁性材料的孔呈現(xiàn)更暗的陰影。在圖2中也可以看出，填滿的孔20比空孔21呈現(xiàn)較亮的陰影。通過包圍的宿主材料22將每個(gè)孔與其它孔分開。圖3示出多孔宿主材料表面的磁力顯微術(shù)(MFM)圖像，該宿主材料具有基本上用電沉積的鎳、鐵磁性材料填充的孔。較暗的區(qū)32對(duì)應(yīng)于其中用磁性材料填充孔的宿主上的區(qū)，而區(qū)31對(duì)應(yīng)于其中基本上為磁惰性的區(qū)。沿黑線33進(jìn)行的行掃描產(chǎn)生圖3B中示出的圖形信號(hào)34。該信號(hào)表示沿線33對(duì)標(biāo)志的磁場(chǎng)特征的測(cè)量。它示出當(dāng)沿線33移動(dòng)時(shí)磁力顯微鏡探頭的偏移量。圖4示出制造標(biāo)志的兩步方法的方案如下。獲得尺寸約1厘米×1厘米的獨(dú)立的鋁膜40。從TesaTapeInc.購買背面粘附的鋁帶(99％純)。將帶粘結(jié)到對(duì)應(yīng)的硅基片41并保持在0.2M的硫酸浴中。將電化學(xué)分析儀(galvanostat)的陽極電附接到鋁箔，而將陰極電連接到被保持在所述浴中的鉑電極。施加2小時(shí)25V的DC電壓。無序的孔43擴(kuò)展到宿主材料42、44的所有表面。一旦獲得了多孔氧化鋁宿主，利用脈沖電沉積將磁性材料(例如鐵、鎳或鈷)沉積到孔中。在陽極氧化鋁和陰極之間施加交流電。由于陽極氧化鋁優(yōu)選在一個(gè)方向(陰極方向)導(dǎo)電，因此在陰極半周期中在孔內(nèi)將金屬離子還原，而在陽極半周期中不會(huì)再氧化。所沉積的磁性材料呈現(xiàn)為填滿孔的垂直柱45。在將磁性材料沉積到希望的孔中后，使用常規(guī)的拋光技術(shù)，例如研磨或化學(xué)機(jī)械拋光(稱為CMP)來使標(biāo)志表面平滑。最后，對(duì)標(biāo)志涂敷一薄層金剛石狀碳，在金剛石狀碳層上旋澆一層聚乙烯保護(hù)膜?，F(xiàn)在參考圖5描述示出獲得指紋的方法的簡化方案。首先，將尺寸為8厘米×1.5厘米的氧化鋁Tesa帶陽極化，接著根據(jù)上述方法電沉積磁性材料。然后將所處理的帶機(jī)械切成3個(gè)更小的相同尺寸的帶、并附著到要標(biāo)記的對(duì)象50的頂部?，F(xiàn)在這些帶形成3個(gè)獨(dú)立的標(biāo)志500、501和502。在讀之前，對(duì)標(biāo)志500、501和502涂敷保護(hù)涂層55，然后通過使標(biāo)志置受到與標(biāo)志平面垂直的均勻磁場(chǎng)54而將其磁化(磁化處理由箭頭52表示)。在其中安裝有寫入頭的讀取設(shè)備中提供磁場(chǎng)。接著，沿讀取頭56的下面移動(dòng)通過對(duì)象。可選的是，沿標(biāo)志的表面移動(dòng)通過讀取頭。讀取頭拾取對(duì)應(yīng)于沿標(biāo)志測(cè)量的磁場(chǎng)特征的磁場(chǎng)信號(hào)57，然后存儲(chǔ)代表信號(hào)57的數(shù)據(jù)。所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)形成對(duì)象的第一識(shí)別信息。當(dāng)隨后對(duì)對(duì)象進(jìn)行校驗(yàn)過程時(shí)，重復(fù)上述相同的步驟。首先將標(biāo)志磁化，然后通過讀取器讀取。通過讀取獲得的數(shù)據(jù)代表第二磁信號(hào)。接著將該數(shù)據(jù)饋送到計(jì)算機(jī)單元，所述計(jì)算機(jī)單元取回對(duì)應(yīng)于先前存儲(chǔ)的識(shí)別信息的數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)比較兩組數(shù)據(jù)比計(jì)算它們之間的匹配程度。如果匹配高于可調(diào)容許水平，那么計(jì)算機(jī)返回表示驗(yàn)證成功的驗(yàn)證響應(yīng)。實(shí)例2一種識(shí)別具有識(shí)別信息的對(duì)象的方法，在所述對(duì)象中將身份標(biāo)志直接沉積在對(duì)象上。通過在對(duì)象自身原處制備多孔標(biāo)志也可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。在其上產(chǎn)生一個(gè)標(biāo)志或一組標(biāo)志的對(duì)象可以與圖5中標(biāo)記的對(duì)象50類似。首先沉積例如鈦或鉻的導(dǎo)電粘著層-這有助于將磁性材料粘著和電沉積在孔中。通過物理氣相沉積(也稱為濺射)將鋁沉積到要標(biāo)記的對(duì)象的小表面上。在沉積鋁之后，為了產(chǎn)生希望的孔，對(duì)鋁進(jìn)行陽極化過程，由此形成多孔氧化鋁。該多孔氧化鋁形成標(biāo)志的宿主材料。此后，對(duì)多孔氧化鋁進(jìn)行如上所述的脈沖電沉積，以便將例如鐵的磁性材料沉積到孔中。此后通過公知的方法，例如研磨或CMP拋光表面。接著用無定形碳保護(hù)層涂敷所述表面，然后，如果必要，再涂敷如上所述的聚乙烯層，以形成標(biāo)志。使用包括讀取和寫入頭的讀取器首先磁化標(biāo)志，然后從標(biāo)志讀取所得磁信號(hào)，由此獲得被標(biāo)記的對(duì)象的識(shí)別信息。接著，當(dāng)進(jìn)行校驗(yàn)步驟時(shí)，在對(duì)標(biāo)志進(jìn)行可選的再磁化步驟后進(jìn)行讀取，以從標(biāo)志中獲得第二特定磁信號(hào)。將對(duì)應(yīng)于信號(hào)的數(shù)據(jù)饋送到計(jì)算機(jī)，在此將它們與存儲(chǔ)的識(shí)別信息比較、并從而進(jìn)行驗(yàn)證。實(shí)例3一種用于在標(biāo)志上存儲(chǔ)記錄信息和標(biāo)記信息的標(biāo)志構(gòu)圖方法。圖6A到圖6D示出了用于存儲(chǔ)記錄信息和標(biāo)記信息的標(biāo)志600的實(shí)施例。在圖6A的實(shí)施例中，形成磁條61的標(biāo)志600包括多孔的宿主材料，其中的大多數(shù)孔用磁性材料填充。通過將孔中的磁性材料磁化將記錄信息(例如個(gè)人資料、與要標(biāo)記的對(duì)象相關(guān)的數(shù)據(jù)或任何動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù))存儲(chǔ)到組/疇63、64中，每個(gè)具有特定的各個(gè)磁性取向。將尺寸為8厘米×1.5厘米的鋁條陽極化，并且具有用根據(jù)實(shí)例1的鐵鎳合金電沉積的孔。然后將處理的條61附著到塑料卡60。通過適當(dāng)?shù)挠?jì)算機(jī)程序把將要寫在條上的信息翻譯成相應(yīng)的數(shù)字信號(hào)65。將孔中的磁性材料磁化成組(疇)63和64，其中根據(jù)數(shù)字信號(hào)65將每組取向?yàn)樘囟ǖ姆较?。為此，使用NeuronElectronicsInc.的低矯頑性磁性刷卡式(swipe)卡編碼器/讀取器MCR230N。將條的一端的1厘米×0.5厘米區(qū)62指定用于產(chǎn)生/獲得唯一的標(biāo)記信號(hào)。可以將在下文描述的位置標(biāo)記有利地引入到該實(shí)施例中。在圖6A中該區(qū)被放大以便示出在條上的磁性材料的布置。當(dāng)從條的指定部分讀取標(biāo)記信息時(shí)，使用高分辨率讀取頭來讀取標(biāo)志上的線性磁場(chǎng)強(qiáng)度的模擬信號(hào)66。在標(biāo)志的另一個(gè)實(shí)施例中，通過根據(jù)預(yù)定圖形在具有磁性材料的宿主材料中構(gòu)圖多組孔，而將所記錄的信息存儲(chǔ)在條61上。在該實(shí)施例中，存儲(chǔ)記錄和標(biāo)記信息的介質(zhì)包括一條多孔的宿主材料，其中用磁性材料填充間斷的多組孔。如圖6B所示，以磁性材料填充一些組的孔67(圖中為灰色陰影)，而另一些組的孔68為空(沒有陰影)。對(duì)填充的孔的組構(gòu)圖以對(duì)應(yīng)于當(dāng)讀取條時(shí)產(chǎn)生的希望的數(shù)字信號(hào)65。該數(shù)字信號(hào)應(yīng)該又對(duì)應(yīng)于將要被記錄到條上的靜態(tài)數(shù)據(jù)或固定的標(biāo)志。為此，可以使用計(jì)算機(jī)程序來給具體的數(shù)字信號(hào)圖形分配符號(hào)集中的每個(gè)數(shù)字和每個(gè)字母，由此可以從磁性存儲(chǔ)圖形翻譯成人可讀的信息或從人可讀的信息翻譯成磁性存儲(chǔ)圖形。為了根據(jù)該圖形填充條的孔，可以使用光刻工藝。首先，在沉積磁性材料之前在多孔宿主材料表面上覆蓋掩模層。這例如通過在多孔條的表面上蒸發(fā)鋁轉(zhuǎn)移層實(shí)現(xiàn)。例如通過旋涂在鋁轉(zhuǎn)移層上施加一層正性抗蝕劑層(AR-U4040，AllresistGmbH)，并由此通過常規(guī)的光刻工藝構(gòu)圖。接著使用磷酸和硝酸以及少量的潤濕劑沿條表面進(jìn)行濕化學(xué)蝕刻。在蝕刻30分鐘后，可以完全除去未被抗蝕劑覆蓋的鋁轉(zhuǎn)移層。在蝕刻后，在條上具有用暴露區(qū)構(gòu)圖的鋁轉(zhuǎn)移層。最后，通過電沉積用磁性材料填充這些暴露區(qū)。為了讀取條上記錄的信息，使用NeuronElectronicsInc.的MCR230N刷卡式讀取器。對(duì)于標(biāo)記信號(hào)，指定條的一端的1厘米×0.5厘米的區(qū)62，并由上述較高分辨率的讀取頭進(jìn)行讀取，以獲得標(biāo)記信號(hào)。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，標(biāo)志不是位于與包含記錄信息條(其如實(shí)例1所述由氧化鋁制成)相同的條上，而是位于卡的另一個(gè)適當(dāng)位置。圖6C示出其中標(biāo)志區(qū)691單獨(dú)位于卡的右下角的卡。這種布局適于將高分辨率讀取頭(用于讀取標(biāo)記信息)和磁性刷卡式卡讀取頭(用于讀取記錄信息)安裝在單個(gè)致動(dòng)器上。當(dāng)進(jìn)行對(duì)條和標(biāo)記的分別讀取時(shí)，致動(dòng)器首先將磁性刷卡式卡讀取頭定位為跨在所述條上，然后將其移動(dòng)通過所述條。接著，致動(dòng)器在標(biāo)志上方移動(dòng)模擬信號(hào)讀取頭以獲得標(biāo)記信息。由此連續(xù)進(jìn)行讀取。圖6D示出具有位于卡的反面上的標(biāo)志區(qū)692的卡。當(dāng)需要在分開的致動(dòng)器上安裝兩個(gè)讀取頭時(shí)，這種布局是合適的。每個(gè)致動(dòng)器可以位于卡的相對(duì)面，并可以彼此同時(shí)而獨(dú)立地移動(dòng)，由此實(shí)現(xiàn)更快的讀取。還可以通過靜態(tài)磁性刷卡式卡讀取頭、以及以常規(guī)方式將卡移過檢測(cè)器的臂的動(dòng)作來讀取記錄信息。實(shí)例4對(duì)參考標(biāo)記構(gòu)圖以將讀取頭引向標(biāo)志位置的方法圖7A到7E示出不同參考標(biāo)記的實(shí)施例，其可與標(biāo)志分開或形成標(biāo)志的部分，并用于重新定位標(biāo)志上的信息。如果希望提高在對(duì)象的標(biāo)志上的信息的定位速度，則可以使用參考標(biāo)記。因?yàn)闃?biāo)志的尺寸可以從幾微米到幾厘米的范圍，所以可以使用多種方案來將讀取頭導(dǎo)向標(biāo)志上的信息。圖7A到7E中示出的五個(gè)實(shí)施例的每一個(gè)中的不同形狀的參考標(biāo)記可以通過例如磁、光或結(jié)構(gòu)裝置檢測(cè)。這些形狀被設(shè)計(jì)成將讀取頭導(dǎo)向標(biāo)志上的信息，所述標(biāo)志在每種情況下被示為方形影線區(qū)。通常，例如使用前面描述的方法將參考標(biāo)記蝕刻成希望的圖形，由此磁性材料填充區(qū)中的孔以形成希望的圖形。該圖形形成了到在例如塑料卡的普通基片上的標(biāo)志70上的信息的引導(dǎo)。圖7A示出了一組同心環(huán)71，其瞄準(zhǔn)(target)在中心的標(biāo)志70上的信息。這些環(huán)可以比標(biāo)志上的信息橫跨更大的區(qū)域。逐漸變窄的環(huán)形有助于確保找到標(biāo)志70上的信息。在圖7B中，螺旋形參考標(biāo)記72引導(dǎo)讀取頭以內(nèi)向螺旋移向標(biāo)志70上的信息。在圖7C中，基準(zhǔn)標(biāo)記73允許通過十字準(zhǔn)線中心的三角測(cè)量(點(diǎn)線)計(jì)算標(biāo)志70上的信息。在圖7D中，基準(zhǔn)標(biāo)記74的十字準(zhǔn)線設(shè)置表示標(biāo)志70上的信息位置。在每種情況下，可以對(duì)用于移動(dòng)讀取頭的控制系統(tǒng)編程，以遵循適于所使用的每個(gè)標(biāo)記系統(tǒng)的特定位置和移動(dòng)規(guī)則。圖7E示出參考標(biāo)記的另一實(shí)施例，其中構(gòu)圖V形非磁性區(qū)75，并用于將讀取頭導(dǎo)向標(biāo)志70上的信息?？梢灾谱鲌D7E的參考標(biāo)記并如下用于本發(fā)明中。從背面粘著的銅帶切割出1厘米×1厘米的方形晶片，并濺射涂敷一微米厚的鋁層。然后將晶片陽極化以使鋁多孔。將抗蝕劑旋涂到晶片上，并使用常規(guī)光刻工藝構(gòu)圖，留下四個(gè)光致抗蝕劑75的V形區(qū)，其中的每一個(gè)到達(dá)所述區(qū)的四個(gè)角，所述區(qū)被設(shè)計(jì)成保持位于中心的標(biāo)志70的信息。然后根據(jù)實(shí)例1中所述的過程用磁性材料電沉積整個(gè)切割晶片，除去抗蝕劑，最后將其附著到將要標(biāo)記的對(duì)象。在該實(shí)施例中，可以將讀取頭設(shè)計(jì)成按照下面說明的一組規(guī)則移動(dòng)。首先，使讀取頭沿路徑77移動(dòng)。一旦它檢測(cè)到非磁性區(qū)75，讀取頭就轉(zhuǎn)換到檢測(cè)非磁性區(qū)75和包圍的磁性區(qū)78之間的邊界的編程規(guī)則。只要檢測(cè)到邊界，讀取頭從移動(dòng)的起始線反彈(偏轉(zhuǎn))90度(或任何其它合適的角度)。當(dāng)讀取頭移向V形區(qū)的頂端時(shí)，在每次偏轉(zhuǎn)之后讀取頭移動(dòng)的距離變得逐漸地小于先前。這樣，在幾次偏轉(zhuǎn)之后，將讀取頭引向標(biāo)志。當(dāng)讀取頭最終到達(dá)V形區(qū)頂端時(shí)，將讀取頭定位在希望的起始位置用于讀取標(biāo)志。實(shí)例5改變標(biāo)志中的孔填充度的方法圖8A到8D示出標(biāo)志的部分，其中進(jìn)行了改變標(biāo)志中的孔填充度的工藝。下面的改變標(biāo)志中的孔填充度是基于光刻過程。將1.5微米的鋁層蒸發(fā)到1厘米×1厘米的硅晶片基片80上，并將所述鋁層處理成包括用如實(shí)例1所述的磁性材料83填充的宿主材料81的標(biāo)志。這里將鎳用作磁性材料。將光致抗蝕劑層82旋涂到標(biāo)志的表面上。光致抗蝕劑為來自AllresistGmbH的AR-U4040。圖8A示出以此方法制備的標(biāo)志的截面。根據(jù)預(yù)定的圖形，利用可從制造商獲得的標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)或關(guān)于硅處理的任何文獻(xiàn)，對(duì)光致抗蝕劑構(gòu)圖。在光刻構(gòu)圖后，光致抗蝕劑掩模包含孔84的圖形(參見圖8B)。如果需要，還可以對(duì)標(biāo)志進(jìn)行硬化烘焙，以硬化標(biāo)志上的剩余光致抗蝕劑，從而保護(hù)由光致抗蝕劑覆蓋的標(biāo)志的部分免受蝕刻劑的影響。接著使用蝕刻溶液從未被光致抗蝕劑掩模保護(hù)的孔除去鎳。在鎳為磁性材料的情況下，可以通過混和下面的化學(xué)制劑制造蝕刻溶液5份HNO3、5份CH3COOH、2份H2SO4、28份H2O。在蝕刻后，用蒸餾水清洗標(biāo)志?，F(xiàn)在標(biāo)志具有圖8C所示的結(jié)構(gòu)。最后，使用丙酮除去剩余的光致抗蝕劑(參見圖8D)。代替根據(jù)預(yù)定圖形構(gòu)圖掩模，也可以任意設(shè)置開口的位置。實(shí)現(xiàn)任意設(shè)置開口的一種方法是用高能離子轟擊聚合物掩模層，如Bernhardt等的J.Vac.Sci.Technol.B，18，1212-1215(2000)中所述。為了提高標(biāo)志中的無序，不必從孔中除去所有的磁性材料。為了顯著降低宿主材料表面的磁信號(hào)，通常僅除去一部分所述材料就足夠了。還可以考慮通過選擇性地填充孔而提高無序的其它方案。例如，在電沉積之前可以將宿主材料下面的導(dǎo)電層構(gòu)圖成導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)。這會(huì)使一些孔保持未被填充或僅被磁性材料部分填充。實(shí)例6一種利用標(biāo)志識(shí)別具有識(shí)別信息的對(duì)象的方法，該標(biāo)志包括產(chǎn)生電磁場(chǎng)的導(dǎo)電材料。圖9示出了標(biāo)志900的截面，其中將填充孔下面的導(dǎo)電層91連接到電壓源94。導(dǎo)電層與至少一些填充孔的材料電接觸。以如下方式制造該標(biāo)志并用于標(biāo)記對(duì)象。制備一條多孔氧化鋁材料92，然后將其安裝到基片90上。用錫93電沉積宿主材料的孔。接著，將導(dǎo)電層91電耦合到AC電壓94以便在孔內(nèi)的材料周圍產(chǎn)生磁場(chǎng)。使用上述方法測(cè)量產(chǎn)生的磁場(chǎng)。然后這些產(chǎn)生的磁場(chǎng)成為唯一的標(biāo)記信號(hào)，用于唯一識(shí)別標(biāo)記。上述方法不僅可以使用波動(dòng)的AC電壓工作。也可以使用均勻(靜態(tài)或pedistal)電壓、交流電壓或二者的組合在孔內(nèi)材料的周圍產(chǎn)生電場(chǎng)?？梢酝ㄟ^例如靜態(tài)電容量測(cè)量來測(cè)量該電場(chǎng)。然后這些電場(chǎng)成為用于唯一識(shí)別在其上附著標(biāo)記的對(duì)象的特征。從上面可以看出，用在上面兩個(gè)方法中的標(biāo)志的孔內(nèi)材料無需必須是磁性的，如實(shí)例1中描述的標(biāo)志所示。對(duì)于用于上述方法中的標(biāo)志，導(dǎo)電材料就足夠了。然而，宿主材料應(yīng)該基本上電絕緣。權(quán)利要求1.一種識(shí)別具有識(shí)別信息的對(duì)象的方法，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)所述對(duì)象的身份，所述方法包括確定標(biāo)志的至少部分的磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征，從而獲得第一特定磁信號(hào)，其中所述標(biāo)志包括具有孔的基本上為非磁性的宿主材料，其中至少一些所述孔包含磁性材料，以及存儲(chǔ)與所述第一特定磁信號(hào)相關(guān)的信號(hào)信息，所述存儲(chǔ)的信號(hào)信息形成所述對(duì)象的所述識(shí)別信息。2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中確定所述標(biāo)志的至少一部分的所述磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征的步驟包括，測(cè)量所述部分標(biāo)志的表面上的特定位置的磁場(chǎng)的所述特征，從而繪制磁波動(dòng)信號(hào)。3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中存儲(chǔ)與所述第一特定磁信號(hào)相關(guān)的信號(hào)信息包括，存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于所述部分標(biāo)志上的所述磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征的數(shù)據(jù)。4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括隨后確定所述部分標(biāo)志的磁場(chǎng)的所述至少一個(gè)特征，由此獲得第二特定磁信號(hào)，以及將所述第二特定磁信號(hào)與先前存儲(chǔ)的所述識(shí)別信息比較。5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，還包括在每次確定所述部分標(biāo)志的磁場(chǎng)的所述至少一個(gè)特征之前磁化所述標(biāo)志。6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括通過將多組所述孔中存在的磁性材料磁化成極化的疇、或者通過對(duì)具有磁性材料的所述標(biāo)志的孔構(gòu)圖，而在所述標(biāo)志上記錄信息。7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在獲得所述第一特定磁信號(hào)之后，將所述標(biāo)志附著到將要識(shí)別的對(duì)象上。8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在獲得所述第一特定磁信號(hào)之前，將所述標(biāo)志附著到將要識(shí)別的對(duì)象上。9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述標(biāo)志包括支撐所述宿主材料的基片。10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述基片包括選自于金屬、硅、硅石、玻璃、塑料、陶瓷及其混合物的材料。11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述宿主材料選自于氧化鋁、沸石、III-V族材料、聚合物、氧化硅、氧化鋅和氧化錫。12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述宿主材料包括納米管。13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中將所述納米管澆注到第二宿主材料中。14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述磁性材料選自于Fe、Ni、Co、其合金、氧化物、混合物及其組合。15.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述宿主材料的孔直徑在10nm到500nm之間。16.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述標(biāo)志還包括至少一個(gè)涂層。17.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述部分標(biāo)志的磁場(chǎng)的所述至少一個(gè)特征高度依賴于所述標(biāo)志的無序性。18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中所述無序性由選自于如下的特征引起孔尺寸、形狀和孔的取向、孔填充的百分比、所述標(biāo)志中的磁性材料的晶體取向及其組合。19.一種識(shí)別具有識(shí)別信息的對(duì)象的方法，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)所述對(duì)象的身份，所述方法包括確定標(biāo)志的至少部分的電場(chǎng)或電磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征，由此獲得第一特定電或電磁信號(hào)，其中所述標(biāo)志包括具有孔的基本上電絕緣的宿主材料，其中至少一些所述孔包含基本上導(dǎo)電的材料，并且其中至少一些所述基本上導(dǎo)電的材料連接到電壓源，以及存儲(chǔ)與所述第一特定電或電磁信號(hào)相關(guān)的信號(hào)信息，所述存儲(chǔ)的信號(hào)信息形成所述對(duì)象的所述識(shí)別信息。20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中確定至少一部分所述標(biāo)志的所述電場(chǎng)或電磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征的步驟包括，測(cè)量所述部分標(biāo)志的表面上的特定位置的電場(chǎng)或電磁場(chǎng)的所述特征，由此繪制電或電磁波動(dòng)信號(hào)。21.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中存儲(chǔ)與所述第一特定電或電磁信號(hào)相關(guān)的信號(hào)信息包括，存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于所述部分標(biāo)志上的所述電或電磁場(chǎng)的所述至少一個(gè)特征的數(shù)據(jù)。22.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，還包括隨后確定所述部分標(biāo)志的電或電磁場(chǎng)的所述至少一個(gè)特征，由此獲得第二特定電或電磁信號(hào)，以及將所述第二特定電或電磁信號(hào)與先前存儲(chǔ)的所述識(shí)別信息比較。23.一種制造用于對(duì)象識(shí)別的系統(tǒng)的方法，所述方法包括確定標(biāo)志的至少部分的磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征，由此獲得第一特定磁信號(hào)，其中所述標(biāo)志包括具有孔的基本上為非磁性的宿主材料，并且其中至少一些所述孔包含磁性材料，存儲(chǔ)與所述第一特定磁信號(hào)相關(guān)的信號(hào)信息，所述存儲(chǔ)的信號(hào)信息形成將要識(shí)別的對(duì)象的識(shí)別信息。24.一種制造用于對(duì)象識(shí)別的系統(tǒng)的方法，所述方法包括確定標(biāo)志的至少部分的電場(chǎng)或電磁場(chǎng)的至少一個(gè)特征，由此獲得第一特定電或電磁信號(hào)，其中所述標(biāo)志包括具有孔的基本上電絕緣的宿主材料，其中至少一些所述孔包含基本上導(dǎo)電的材料，并且其中至少一些所述基本上導(dǎo)電的材料連接到電壓源，以及存儲(chǔ)與所述第一特定電或電磁信號(hào)相關(guān)的信號(hào)信息，所述存儲(chǔ)的信號(hào)信息形成將要識(shí)別的對(duì)象的識(shí)別信息。25.一種載有識(shí)別信息的標(biāo)志，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份，所述標(biāo)志包括具有孔的基本上非磁性的宿主材料，其中至少一些所述孔包含磁性材料，以及至少一個(gè)涂層，其至少部分覆蓋所述非磁性宿主材料的表面。26.根據(jù)權(quán)利要求25的標(biāo)志，其中所述涂層包括體屈服應(yīng)力大于50MN/m2的材料。27.一種載有識(shí)別信息的標(biāo)志，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份，所述標(biāo)志包括具有孔的基本上電絕緣的宿主材料，其中至少一些所述孔包含基本上導(dǎo)電的材料，以及至少一個(gè)涂層，其至少部分覆蓋所述宿主材料的表面。28.根據(jù)權(quán)利要求27的標(biāo)志，其中所述涂層包括體屈服應(yīng)力大于50MN/m2的材料。29.一種具有載有識(shí)別信息的標(biāo)志的對(duì)象，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)所述對(duì)象的身份，所述標(biāo)志包括具有孔的基本上非磁性的宿主材料，其中至少一些所述孔包含磁性材料，以及至少一個(gè)涂層，其至少部分覆蓋所述非磁性宿主材料的表面。30.一種具有載有識(shí)別信息的標(biāo)志的對(duì)象，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)所述對(duì)象的身份，所述標(biāo)志包括具有孔的基本上電絕緣的宿主材料，其中至少一些所述孔包含基本上導(dǎo)電的材料，以及至少一個(gè)涂層，其至少部分覆蓋所述宿主材料的表面。31.一種用于對(duì)象識(shí)別的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括載有識(shí)別信息的標(biāo)志，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份，其中所述標(biāo)志包括具有孔的基本上非磁性的宿主材料，其中至少一些所述孔包含磁性材料，以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，用于存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于從至少一部分所述標(biāo)志獲得的磁信號(hào)的數(shù)據(jù)。32.一種用于對(duì)象識(shí)別的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括載有識(shí)別信息的標(biāo)志，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份，其中所述標(biāo)志包括具有孔的基本上電絕緣的宿主材料，其中至少一些所述孔包含基本上導(dǎo)電的材料，其中至少一些所述基本上導(dǎo)電的材料連接到電壓源。以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，用于存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于從至少一部分所述標(biāo)志獲得的電或電磁信號(hào)的數(shù)據(jù)。全文摘要一種識(shí)別具有識(shí)別信息的對(duì)象(50)的方法，所述識(shí)別信息用于校驗(yàn)對(duì)象的身份，所述方法包括確定至少部分標(biāo)志(500，501，502)的磁場(chǎng)(57)的至少一個(gè)特征，由此獲得第一特定磁信號(hào)，其中標(biāo)志(500，501，502)包括具有孔的基本上為非磁性的宿主材料，其中至少一些孔包含磁性材料，以及存儲(chǔ)與所述第一特定磁信號(hào)相關(guān)的所述信號(hào)信息，所述存儲(chǔ)的信號(hào)信息形成對(duì)象的識(shí)別信息。文檔編號(hào)G06K19/06GK1826539SQ200480020938公開日2006年8月30日申請(qǐng)日期2004年7月16日優(yōu)先權(quán)日2003年7月22日發(fā)明者P·M·莫蘭,A·P·伯登申請(qǐng)人:新加坡科技研究局