專利名稱：記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記憶裝置及其制造方法，特別是涉及一種記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，電子集成電路技術(shù)與材料進(jìn)步快速，其芯片的體積日益縮小，但功能卻日益強大，應(yīng)用的廣泛可說是無遠(yuǎn)無屆，因此利用電子集成電路所生產(chǎn)的產(chǎn)品已漸朝向輕薄短小的型態(tài)，舉凡電子辭典、數(shù)碼相機及各種數(shù)碼產(chǎn)品等等不勝枚舉。而且，因為芯片封裝技術(shù)的日益成熟，市面上已有將單一芯片或多芯片封裝于厚度相當(dāng)薄的卡片中，藉由芯片內(nèi)可儲存大量數(shù)碼資料的特性，形成一種比現(xiàn)行磁性記錄媒體的體積更小的可抽換式記憶體。此種電子媒體統(tǒng)稱為記憶卡。
圖1是一種現(xiàn)有習(xí)知的記憶卡的結(jié)構(gòu)。請參閱圖1所示，此記憶卡100包括一基板110、一記憶體芯片120、一封膠材料130以及一塑膠卡體140?；?10具有一第一表面112及對應(yīng)的一第二表面114，其中第一表面112具有多個對外接點116，且第二表面114具有多個內(nèi)部接點118，對外接點116與內(nèi)部接點118是電性連接。此外，記憶體芯片120分別與內(nèi)部接點118電性連接。另外，封膠材料130包覆記憶體芯片120及對應(yīng)的內(nèi)部接點118，而塑膠卡體140則藉由熱熔膠142覆蓋在第二表面114。
然而近幾年來，由于對資料儲存容量的需求日益增加，現(xiàn)有習(xí)知的記憶卡的資料儲存容量已漸漸不符合所需。因此，如何增加記憶卡的資料儲存容量的需求已成為日益迫切的問題。
由此可見，上述現(xiàn)有的記憶卡結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決記憶卡結(jié)構(gòu)存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的記憶卡結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的記憶卡結(jié)構(gòu)，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的記憶卡結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的記憶卡結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其可以增加記憶卡的資訊(資訊即為信息，以下均稱為資訊)儲存容量，從而更加適于實用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種記憶卡制造方法，所要解決的技術(shù)問題是使其可以制造上述的記憶卡結(jié)構(gòu)，從而更加適于實用。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種記憶卡結(jié)構(gòu)，此記憶卡結(jié)構(gòu)包括一基板、多個記憶體芯片、一封膠材料以及一超薄塑膠卡體。其中，基板具有一第一表面及對應(yīng)的一第二表面，其中第一表面具有多個對外接點，第二表面具有至少一凹穴，凹穴周緣配置有多個內(nèi)部接點，對外接點與內(nèi)部接點是電性連接。此外，記憶體芯片堆疊在凹穴中，且記憶體芯片分別與內(nèi)部接點電性連接，而封膠材料包覆記憶體芯片及對應(yīng)的內(nèi)部接點。超薄塑膠卡體覆蓋在第二表面，其中超薄塑膠卡體對應(yīng)記憶體芯片的位置，其厚度介于0.1～0.15mm。
依照本發(fā)明所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，上述的超薄塑膠卡體外型例如符合智慧型多媒體記憶卡的規(guī)格，而記憶體芯片例如是藉由多條導(dǎo)線電性連接內(nèi)部接點，這些導(dǎo)線例如是金線或鋁線。另外，記憶體芯片例如是兩兩成一組，且分別堆疊在凹穴中。其中，對應(yīng)的二個記憶體芯片之間例如是以封膠材料彼此間隔。
依照本發(fā)明所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，上述的封膠材料例如包括環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺。此外，超薄塑膠卡體的材料例如是選自于由聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)及丙烯-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABS)所組成的族群或其他合適的泛用型工程塑膠。
本發(fā)明提出一種記憶卡制造方法，此記憶卡制造方法包括下列步驟首先，提供一基板，此基板具有一第一表面及對應(yīng)的一第二表面。其中，第一表面具有多個對外接點，第二表面具有至少一凹穴，而凹穴周緣配置有多個內(nèi)部接點，且對外接點與內(nèi)部接點是電性連接。
接著，將多個記憶體芯片堆疊在凹穴中，并分別電性連接記憶體芯片與內(nèi)部接點，且進(jìn)行一封膠步驟，以一封膠材料包覆記憶體芯片及對應(yīng)的內(nèi)部接點。之后，提供一超薄塑膠卡體，覆蓋在第二表面，并與基板結(jié)合。
其中，超薄塑膠卡體對應(yīng)記憶體芯片的位置的厚度介于0.1～0.15mm。
依照本發(fā)明所述的記憶卡制造方法，上述的超薄塑膠卡體與基板結(jié)合后，其外型符合智慧型多媒體記憶卡(Smart Media Card)的規(guī)格。此外，電性連接記憶體芯片與內(nèi)部接點的方法包括打線。
依照本發(fā)明所述的記憶卡制造方法，上述的記憶體芯片堆疊在凹穴的方式，例如是將記憶體芯片兩兩成一組分別堆疊在凹穴中。此堆疊方法，包括下列步驟首先，將其中之一記憶體芯片配置于凹穴中。接著，電性連接記憶體芯片與部分內(nèi)部接點。然后，進(jìn)行封膠步驟的第一階段，以封膠材料包覆記憶體芯片及對應(yīng)的內(nèi)部接點。之后，將另一記憶體芯片配置于封膠材料上。再來，電性連接另一記憶體芯片與部分內(nèi)部接點。然后，進(jìn)行封膠步驟的第二階段，以封膠材料包覆另一記憶體芯片及對應(yīng)的內(nèi)部接點。
依照本發(fā)明所述的記憶卡制造方法，上述的電性連接記憶體芯片與內(nèi)部接點的方法包括打線。此外，封膠步驟的方法包括點膠(dispensing)。另外，超薄塑膠卡體例如是藉由灌模的方法制成，灌模的方法包括下列步驟首先，提供一模具及一真空幫浦，模具具有一模穴，真空幫浦連通至模穴。之后，進(jìn)行一射出灌模步驟，以一填料機構(gòu)輸入一灌模材料在模具的模穴中，并同時藉由真空幫浦從模具的模穴中吸出氣體。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是關(guān)于一種記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法，該記憶卡結(jié)構(gòu)包括基板、多個記憶體芯片、封膠材料以及超薄塑膠卡體。此記憶卡在制作時，先提供一基板，基板具有第一表面及對應(yīng)的第二表面。第一表面具有多個對外接點，而第二表面具有至少一凹穴，凹穴周緣配置有多個內(nèi)部接點，且對外接點與內(nèi)部接點是電性連接。之后，將多個記憶體芯片堆疊在凹穴中，并分別電性連接記憶體芯片與內(nèi)部接點，且以封膠材料包覆記憶體芯片及對應(yīng)的內(nèi)部接點。然后，提供一超薄塑膠卡體，覆蓋在第二表面，并與基板結(jié)合。其中，超薄塑膠卡體對應(yīng)記憶體芯片的位置，其厚度介于0.1～0.15mm。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法至少具有下列優(yōu)點本發(fā)明的記憶卡因在基板上設(shè)有凹穴，且使用一超薄塑膠卡體，故能將多個記憶體芯片堆疊在凹穴中，因此能增加記憶卡的資訊儲存容量。此外，超薄塑膠卡體在制作時，是使用真空幫浦對模穴進(jìn)行抽氣，所以可制作厚度極薄的超薄塑膠卡體。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的記憶卡結(jié)構(gòu)，可以增加記憶卡的資訊儲存容量。本發(fā)明特殊的一種記憶卡制造方法，可以制造上述的記憶卡結(jié)構(gòu)。
其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并在同類產(chǎn)品及制造方法中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計及方法公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的記憶卡結(jié)構(gòu)具有增進(jìn)的多項功效，從而更加適于實用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進(jìn)步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下特舉一較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是一種現(xiàn)有習(xí)知的記憶卡的結(jié)構(gòu)。
圖2是本發(fā)明的一實施例的記憶卡結(jié)構(gòu)圖。
圖3A～圖3C是記憶卡內(nèi)的記憶體芯片在平面上的排列方式。
圖4A～圖4D是本發(fā)明的一實施例的記憶卡制造方法。
圖5是超薄塑膠卡體的制作示意圖。
100記憶卡 110基板112第一表面114第二表面116對外接點118內(nèi)部接點120記憶體芯片 130封膠材料140塑膠卡體142熱熔膠200記憶卡 202凹穴210基板212第一表面214第二表面216對外接點218內(nèi)部接點220，222，224記憶體芯片230封膠材料240超薄塑膠卡體242熱熔膠 310模具312模穴316孔洞320真空幫浦330填料機構(gòu)332灌模材料具體實施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、制造方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
圖2是本發(fā)明的一實施例的記憶卡結(jié)構(gòu)圖。請參閱圖2所示，此記憶卡200包括一基板210、多個記憶體芯片220、一封膠材料230以及一超薄塑膠卡體240?；?10具有一第一表面212及對應(yīng)的一第二表面214，其中第一表面212具有多個對外接點216，而第二表面214具有至少一凹穴202，且凹穴202周緣配置有多個內(nèi)部接點218，對外接點216與內(nèi)部接點218是電性連接。另外，多個記憶體芯片220堆疊在凹穴202中，在本實施例中，記憶體芯片220是以兩兩成一組而堆疊在凹穴202中，且記憶體芯片220分別與內(nèi)部接點218電性連接。
如圖2所繪示，封膠材料230包覆記憶體芯片220及對應(yīng)的內(nèi)部接點218，而超薄塑膠卡體240覆蓋在第二表面214。其中，超薄塑膠卡體240對應(yīng)記憶體芯片220的位置的厚度介于0.1～0.15mm。
圖3A～圖3C是記憶卡內(nèi)的記憶體芯片在平面上的排列方式。請同時參閱圖3A～圖3C所示，記憶體芯片220配置于記憶卡200上的數(shù)目如圖3A所示可為1組?；蛘撸洃涹w芯片220可如圖3B所示，以并列的方式配置于記憶卡200上。又或者，4組如記憶體芯片220可如圖3C所示，以陣列(陣列即為數(shù)組)的方式配置于記憶卡200上。
圖4A～圖4D是本發(fā)明的一實施例的記憶卡制造方法。首先，請參閱圖4A所示，提供一基板210，基板210具有第一表面212及對應(yīng)的第二表面214。其中，第一表面212具有多個對外接點216，用以和外界進(jìn)行資訊交換，而第二表面214具有至少一凹穴202，凹穴202周緣配置有多個內(nèi)部接點218，且對外接點216與內(nèi)部接點218藉由基板210上的圖案化線路(圖中未示)及盲孔(圖中未示)而電性連接。
接著，請參閱圖4B所示，將記憶體芯片222配置于凹穴202中，并可利用打線的方式將記憶體芯片222與部分內(nèi)部接點218進(jìn)行電性連接，而導(dǎo)線226例如為金線或鋁線等電阻抗值較小的材料。之后，例如利用點膠或其他合適的封裝方式將封膠材料230，例如為環(huán)氧樹脂(epoxy)或聚酰亞胺(polyimide)包覆記憶體芯片222及對應(yīng)的內(nèi)部接點218。
之后，請參考圖4C所示，將記憶體芯片224配置于封膠材料230上，并可利用打線的方式將記憶體芯片224與部分內(nèi)部接點218做電性連接。
再來，請參考圖4D所示，將封膠材料230例如利用點膠或其他合適的封裝方式將封膠材料230包覆記憶體芯片224及對應(yīng)的內(nèi)部接點218。
然后，請配合參考圖2所示，利用熱熔膠242將超薄塑膠卡體240覆蓋在第二表面214上，以保護(hù)記憶卡200的內(nèi)部構(gòu)件。其中，此超薄塑膠卡體240對應(yīng)于記憶體芯片224的位置，其厚度介于0.1～0.15mm，且其材料為選自于由聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)及丙烯-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABS)所組成的族群或其他合適的泛用型工程塑膠。
在記憶卡200制作完成后，其外型例如是符合智慧型多媒體記憶卡的規(guī)格。但是，本實施例的記憶卡200的外型亦可以制作成符合其他種類的規(guī)格，例如CF記憶卡(Compact Flash Memory Card)、MS記憶卡(Memory StickCard)、MS Duo記憶卡(Memory Stick Duo)、xD記憶卡(xD Picture Card)、MMC記憶卡(Multi Media Card)、RS MMC記憶卡(Reduced Size Multi MediaCard)、SD記憶卡(Secure Digital Card)、Mini SD記憶卡(Mini SecureDigital Card)、μ記憶卡(μCard)、RSμ記憶卡(Reduced SizeμCard)…等其他類似功能的小型記憶卡。
為了制作出超薄塑膠卡體240，其用以制作超薄塑膠卡體240的設(shè)備及方法必須經(jīng)過特別的設(shè)計，圖5是超薄塑膠卡體的制作示意圖。請參閱圖5所示，模具310具有一模穴312，而模穴312的形狀對應(yīng)于超薄塑膠卡體240的外型。制作時，將灌模材料332藉填料機構(gòu)330經(jīng)由孔洞316填入。
在此同時，真空幫浦320將模穴312中的空氣抽出，致使模穴312中的壓力降低。由于模穴312中的壓力極低，所以灌模材料332能均勻地充滿整個模穴312，使得制作出來的超薄塑膠卡體240具有厚度極薄且材質(zhì)均勻的特性。
值得注意的是，在本實施例中，記憶體芯片是采用兩兩成一組而堆疊在一起。然而，本發(fā)明并不限于使用上述方式將記憶體芯片進(jìn)行堆疊，亦可以采用交錯堆疊的方式。或者，在某些狀況下，亦不限于兩兩成一組地堆疊在一起，也可以多個(大于兩個)成一組地堆疊在一起，或單獨只置放一記憶體芯片。
綜上所述，在本發(fā)明的記憶卡因于基板上設(shè)有凹穴，且使用一超薄塑膠卡體，故能將多個記憶體芯片堆疊在凹穴中，因此能增加記憶卡的資訊儲存容量。此外，超薄塑膠卡體在制作時，是使用真空幫浦對模穴進(jìn)行抽氣，所以可制作厚度極薄的超薄塑膠卡體。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一基板，具有一第一表面及對應(yīng)的一第二表面，其中該第一表面具有多數(shù)個對外接點，該第二表面具有至少一凹穴，該凹穴周緣配置有多數(shù)個內(nèi)部接點，該些對外接點與該些內(nèi)部接點電性連接；多數(shù)個記憶體芯片堆疊在該凹穴中，且該些記憶體芯片分別與該些內(nèi)部接點電性連接；一封膠材料，包覆該些記憶體芯片及對應(yīng)的該些內(nèi)部接點；以及一超薄塑膠卡體，覆蓋在該第二表面，其中該超薄塑膠卡體對應(yīng)該些記憶體芯片的位置，其厚度介于0.1～0.15mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的超薄塑膠卡體外型符合智慧型多媒體記憶卡的規(guī)格。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的該些記憶體芯片是藉由多數(shù)條導(dǎo)線電性連接該些內(nèi)部接點。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的該些導(dǎo)線包括金線及鋁線其中之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的該些記憶體芯片兩兩成一組，分別堆疊在該凹穴中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中對應(yīng)的該二個記憶體芯片之間是以該封膠材料彼此間隔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的封膠材料包括環(huán)氧樹脂及聚酰亞胺其中之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的超薄塑膠卡體的材料是選自于由聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)及丙烯-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABS)所組成的族群。
9.一種記憶卡制造方法，其特征在于其包括以下步驟提供一基板，該基板具有一第一表面及對應(yīng)的一第二表面，其中該第一表面具有多數(shù)個對外接點，該第二表面具有至少一凹穴，該凹穴周緣配置有多數(shù)個內(nèi)部接點，該些對外接點與該些內(nèi)部接點電性連接；將多數(shù)個記憶體芯片堆疊于該凹穴中，并分別電性連接該些記憶體芯片與該些內(nèi)部接點，且進(jìn)行一封膠步驟，以一封膠材料，包覆該些記憶體芯片及對應(yīng)的該些內(nèi)部接點；以及提供一超薄塑膠卡體，覆蓋在該第二表面，與該基板結(jié)合，其中該超薄塑膠卡體對應(yīng)該些記憶體芯片的位置，其厚度介于0.1～0.15mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的超薄塑膠卡體與該基板結(jié)合后，其外型符合智慧型多媒體記憶卡的規(guī)格。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中電性連接該些記憶體芯片與該些內(nèi)部接點的方法包括打線。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的該些記憶體芯片堆疊在該凹穴的方式，是將該些記憶體芯片兩兩分成一組，分別堆疊在該凹穴中。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中每對應(yīng)二記憶體芯片的堆疊方法，包括以下步驟將其中之一記憶體芯片配置在該凹穴中；電性連接該記憶體芯片與部分該些內(nèi)部接點；進(jìn)行該封膠步驟的第一階段，以該封膠材料包覆該記憶體芯片及對應(yīng)的該些內(nèi)部接點；將另一記憶體芯片配置在該封膠材料上；電性連接該另一記憶體芯片與部分該些內(nèi)部接點；以及進(jìn)行該封膠步驟的第二階段，以該封膠材料包覆該另一記憶體芯片及對應(yīng)的該些內(nèi)部接點。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中電性連接該些記憶體芯片與該些內(nèi)部接點的方法包括打線。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的封膠步驟的方法包括點膠(dispensing)。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的超薄塑膠卡體是藉由灌模的方法制造，該灌模的方法包括以下步驟提供一模具及一真空幫浦，該模具具有一模穴，該真空幫浦連通至該模穴；以及進(jìn)行一射出灌模步驟，以一填料機構(gòu)，輸入一灌模材料在該模具的該模穴中，并同時藉由該真空幫浦從該模具的該模穴中吸出氣體。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法，該記憶卡結(jié)構(gòu)包括基板、多個記憶體芯片、封膠材料以及超薄塑膠卡體。此記憶卡在制作時，先提供一基板，基板具有第一表面及對應(yīng)的第二表面。第一表面具有多個對外接點，而第二表面具有至少一凹穴，凹穴周緣配置有多個內(nèi)部接點，且對外接點與內(nèi)部接點是電性連接。之后，將多個記憶體芯片堆疊在凹穴中，并分別電性連接記憶體芯片與內(nèi)部接點，且以封膠材料包覆記憶體芯片及對應(yīng)的內(nèi)部接點。然后，提供一超薄塑膠卡體，覆蓋在第二表面，并與基板結(jié)合。其中，超薄塑膠卡體對應(yīng)記憶體芯片的位置，其厚度介于0.1～0.15mm。
文檔編號G06K19/06GK1763770SQ20041008642
公開日2006年4月26日 申請日期2004年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月20日
發(fā)明者郭正炫, 江明智, 虞正綱, 莊慧娟 申請人:菘凱科技股份有限公司