一種電流源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電流源，尤其涉及到一種零溫度系數(shù)并提供大電流的電流源。
【背景技術(shù)】
[0002]設(shè)計電流源要具有不隨溫度變化并且能夠輸出大電流。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型旨在提供一種零溫度系數(shù)并提供大電流的電流源。
[0004]一種電流源，包括第一 NPN管、第二 NPN管、第一電阻、第二電阻、第一 NMOS管和第二 NMOS 管:
[0005]所述第一 NPN管的基極接帶隙基準電壓VREF，集電極接電源VCC，發(fā)射極接所述第二 NPN管的基極；
[0006]所述第二 NPN管的基極接所述第一 NPN管的發(fā)射極，集電極接電源VCC，發(fā)射極接所述第一電阻的一端；
[0007]所述第一電阻的一端接所述第二 NPN管的發(fā)射極，另一端接所述第二電阻的一端;
[0008]所述第二電阻的一端接所述第一電阻的一端，另一端接所述第一匪OS管的柵極和漏極和所述第二 NMOS管的柵極；
[0009]所述第一 NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第二電阻的一端和所述第二NMOS管的柵極，源極接地；
[0010]所述第二 NMOS管的柵極接所述第二電阻的一端和所述第一 NMOS管的柵極和漏極，漏極為輸出電流端IREF，源極接地。
[0011]可以通過調(diào)節(jié)所述第一 NMOS管的寬長比與所述第二 NMOS管的寬長比的比值進行調(diào)節(jié)輸出電流IREF ;也可以通過調(diào)節(jié)所述第一電阻和所述第二電阻的電阻之和來調(diào)節(jié)輸出電流IREF。
[0012]基準電壓VREF是由帶隙基準電路輸出的電壓，具有零溫度系數(shù)特性；所述第一NPN管和所述第二 NPN管的導(dǎo)通閾值電壓為0.7V具有負溫度系數(shù)，所述第一電阻可以采用基區(qū)BASE電阻具有正溫度系數(shù)，所述第二電阻可以采用多晶POLY電阻具有負溫度系數(shù)，通過設(shè)置這兩個電阻的溫度系數(shù)以及所述第一 NPN管和所述第二 NPN管的溫度系數(shù)的平衡達到零溫度系數(shù)；所述第一 NPN管和所述第二 NPN管組成達林頓管，可以起到進一步放大電流并通過鏡像給輸出電流IREF。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型的一種電流源的電路圖。
【具體實施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖對本【實用新型內(nèi)容】進一步說明。
[0015]一種電流源，如圖1所示，包括第一 NPN管10、第二 NPN管20、第一電阻30、第二電阻40、第一 NMOS管50和第二 NMOS管60:
[0016]所述第一 NPN管10的基極接帶隙基準電壓VREF，集電極接電源VCC，發(fā)射極接所述第二 NPN管20的基極；
[0017]所述第二 NPN管20的基極接所述第一 NPN管10的發(fā)射極，集電極接電源VCC，發(fā)射極接所述第一電阻30的一端；
[0018]所述第一電阻30的一端接所述第二 NPN管20的發(fā)射極，另一端接所述第二電阻40的一端；
[0019]所述第二電阻40的一端接所述第一電阻30的一端，另一端接所述第一匪OS管50的柵極和漏極和所述第二 NMOS管60的柵極；
[0020]所述第一 NMOS管50的柵極和漏極接在一起再接所述第二電阻40的一端和所述第二 NMOS管60的柵極，源極接地；
[0021]所述第二 NMOS管60的柵極接所述第二電阻40的一端和所述第一 NMOS管50的柵極和漏極，漏極為輸出電流端IREF，源極接地。
[0022]可以通過調(diào)節(jié)所述第一 NMOS管50的寬長比與所述第二 NMOS管60的寬長比的比值進行調(diào)節(jié)輸出電流IREF ;也可以通過調(diào)節(jié)所述第一電阻30和所述第二電阻40的電阻之和來調(diào)節(jié)輸出電流IREF。
[0023]基準電壓VREF是由帶隙基準電路輸出的電壓，具有零溫度系數(shù)特性；所述第一NPN管10和所述第二 NPN管20的導(dǎo)通閾值電壓為0.7V具有負溫度系數(shù)，所述第一電阻30可以采用基區(qū)BASE電阻具有正溫度系數(shù)，所述第二電阻40可以采用多晶POLY電阻具有負溫度系數(shù)，通過設(shè)置這兩個電阻的溫度系數(shù)以及所述第一 NPN管10和所述第二 NPN管20的溫度系數(shù)的平衡達到零溫度系數(shù)；所述第一 NPN管10和所述第二 NPN管20組成達林頓管，可以起到進一步放大電流并通過鏡像給輸出電流IREF。
【主權(quán)項】
1.一種電流源，其特征在于，包括第一 NPN管、第二 NPN管、第一電阻、第二電阻、第一NMOS管和第二 NMOS管: 所述第一 NPN管的基極接帶隙基準電壓VREF，集電極接電源VCC，發(fā)射極接所述第二NPN管的基極； 所述第二 NPN管的基極接所述第一 NPN管的發(fā)射極，集電極接電源VCC，發(fā)射極接所述第一電阻的一端； 所述第一電阻的一端接所述第二 NPN管的發(fā)射極，另一端接所述第二電阻的一端； 所述第二電阻的一端接所述第一電阻的一端，另一端接所述第一 NMOS管的柵極和漏極和所述第二 NMOS管的柵極； 所述第一 NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第二電阻的一端和所述第二 NMOS管的柵極，源極接地； 所述第二 NMOS管的柵極接所述第二電阻的一端和所述第一 NMOS管的柵極和漏極，漏極為輸出電流端IREF，源極接地； 所述第一電阻采用具有正溫度系數(shù)的基區(qū)BASE電阻，所述第二電阻采用具有負溫度系數(shù)的多晶POLY電阻。
【專利摘要】本實用新型公開了一種電流源。電流源包括第一NPN管、第二NPN管、第一電阻、第二電阻、第一NMOS管和第二NMOS管。所述第一電阻采用具有正溫度系數(shù)的基區(qū)BASE電阻，所述第二電阻采用具有負溫度系數(shù)的多晶POLY電阻。利用本實用新型提供的電流源具有零溫度系數(shù)并提供大電流。
【IPC分類】G05F3-26
【公開號】CN204462929
【申請?zhí)枴緾N201520140798
【發(fā)明人】沈?qū)O園
【申請人】杭州寬?？萍加邢薰?br>【公開日】2015年7月8日
【申請日】2015年3月12日