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一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng)的制作方法

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一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng),其特征在于,主要由溫度傳感器U,一端與溫度傳感器U相連接、另一端經(jīng)電位器R2后接地的電阻R1,與溫度傳感器U相連接的兩級(jí)放大電路,同時(shí)與兩級(jí)放大電路和溫度傳感器U相連接的穩(wěn)頻電路等組成。本發(fā)明可以對(duì)溫度傳感器輸出的微弱信號(hào)進(jìn)行放大,并使輸出信號(hào)與輸入信號(hào)的波形保持一致,本發(fā)明還擁有穩(wěn)定的靜態(tài)工作點(diǎn),使輸出的信號(hào)不會(huì)出現(xiàn)失真現(xiàn)象,確保了輸出信號(hào)的保真度;本發(fā)明還可以對(duì)溫度傳感器輸出的信號(hào)進(jìn)行處理,使信號(hào)的頻率更加穩(wěn)定從而可以提高數(shù)字式溫控器的溫度檢測(cè)精度,使數(shù)字式溫控器能夠更準(zhǔn)確的對(duì)溫度進(jìn)行控制。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及溫度控制領(lǐng)域,具體是指一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的發(fā)展,數(shù)字式溫控器已被廣泛的使用于日常工業(yè)生產(chǎn)當(dāng)中,其用于對(duì)生產(chǎn)設(shè)備、環(huán)境的溫度進(jìn)行檢測(cè)并控制,以提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。然而,現(xiàn)有的數(shù)字式溫控器所使用的信號(hào)處理系統(tǒng)在對(duì)信號(hào)處理時(shí)容易使信號(hào)的波形出現(xiàn)畸變,導(dǎo)致數(shù)字式溫控器對(duì)溫度檢測(cè)不夠準(zhǔn)確,嚴(yán)重影響了其對(duì)溫度的控制精度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有的數(shù)字式溫控器所使用的信號(hào)處理系統(tǒng)容易受到外界電磁干擾的缺陷,提供一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng)。
[0004]本發(fā)明的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng),主要由溫度傳感器U,一端與溫度傳感器U相連接、另一端經(jīng)電位器R2后接地的電阻Rl,與溫度傳感器U相連接的兩級(jí)放大電路,同時(shí)與兩級(jí)放大電路和溫度傳感器U相連接的穩(wěn)頻電路,分別與兩級(jí)放大電路相連接的反饋電路和電壓跟隨電路,一端接電源、另一端接地、控制端則與兩級(jí)放大電路相連接的電位器R3,以及分別與兩級(jí)放大電路和電壓跟隨電路相連接的柵極偏置電路組成;所述電位器R2的控制端則與電阻Rl和電位器R2的連接點(diǎn)相連接。
[0005]進(jìn)一步的,所述柵極偏置電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOSl,三極管VT5,負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、正極作為該柵極偏置電路的輸入端的電容C12,正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R17后接地的電容C13,P極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、N極經(jīng)電阻R15后與電容C13的負(fù)極相連接的二極管D5,負(fù)極接地、正極經(jīng)電阻R14后與二極管D5的N極相連接的電容Cl I,一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、另一端接地的電阻R16,P極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、N極與三極管VT5的基極相連接的二極管D6,正極與二極管06的_及相連接、負(fù)極接地的電容C15,一端與三極管VT5的發(fā)射極相連接、另一端與電容C15的負(fù)極相連接的電阻R19,正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、負(fù)極作為該柵極偏置電路的輸出端的電容C14,正極與電容C14的負(fù)極相連接、負(fù)極與三極管VT5的集電極相連接的電容C16,以及與電容Cl6相并聯(lián)的電阻Rl8組成;所述柵極偏置電路的輸入端與兩級(jí)放大電路相連接、其輸出端則與電壓跟隨電路相連接。
[0006]所述穩(wěn)頻電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOS,三極管VT3,三極管VT4,一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、另一端與電源相連接的電感L,正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、負(fù)極與三極管VT3的集電極相連接的電容C7,N極與三極管VT4的基極相連接、P極經(jīng)電阻R11后與三極管VT3的集電極相連接的二極管D4,N極與二極管D4的P極相連接、P極與三極管VT3的發(fā)射極相連接的二極管D3,正極與二極管D4的N極相連接、負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接的電容C9,正極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R13后形成該穩(wěn)頻電路的輸出端的電容ClO,以及正極與三極管VT3的集電極相連接、負(fù)極與經(jīng)電阻R12后與電容ClO的負(fù)極相連接的電容CS組成;所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極作為該穩(wěn)頻電路的輸入端并與溫度傳感器U相連接、其源極接地;所述三極管VT3的基極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接、其發(fā)射極則與三極管VT4的發(fā)射極相連接;所述三極管VT4的集電極與電容C8的負(fù)極相連接;所述穩(wěn)頻電路的輸出端則接兩級(jí)放大電路。
[0007]所述兩級(jí)放大電路由放大器Pl,三極管VTl,放大器P3,正極與放大器Pl的正極相連接、負(fù)極與放大器Pl的輸出端相連接的電容Cl,P極與放大器Pl的輸出端相連接、N極經(jīng)電容C3后與三極管VTl的基極相連接的二極管Dl,串接在放大器P3的正極和輸出端之間的電阻R7,以及一端與放大器P3的正極相連接、另一端則與電位器R3的控制端相連接的電阻R5組成;所述放大器Pl的負(fù)極與溫度傳感器U相連接、其輸出端則與反饋電路相連接;所述三極管VTI的發(fā)射極與反饋電路相連接、其集電極則與放大器P3的負(fù)極相連接;所述放大器P3的輸出端分別與反饋電路和電壓跟隨電路相連接;所述放大器Pl的輸出端與穩(wěn)頻電路的輸出端相連接;所述柵極偏置電路的輸入端則與放大器P3的輸出端相連接。
[0008]所述反饋電路由放大器P2,正極與放大器Pl的輸出端相連接、負(fù)極與放大器P2的輸出端相連接的電容C2,串接在放大器P2的輸出端和負(fù)極之間的電阻R4,串接在放大器P2的正極和三極管VTl的發(fā)射極之間的電阻R6,以及正極與放大器P2的負(fù)極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R8后與放大器P3的輸出端相連接的電容C4組成;所述電容C4的負(fù)極接地。
[0009]所述電壓跟隨電路由三極管VT2,二極管D2,一端與二極管02的_及相連接、另一端作為該電壓跟隨電路的輸出端的電阻R10,正極與二極管02的_及相連接、負(fù)極則與三極管VT2的集電極相連接的電容C6,正極與柵極偏置電路的輸入端相連接、負(fù)極與三極管VT2的基極相連接的電容C5,以及一端與三極管VT2的發(fā)射極相連接、另一端接地的電阻R9組成。
[0010]所述溫度傳感器U為AD590電流型集成溫度傳感器。
[0011]本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
[0012](I)本發(fā)明可以對(duì)溫度傳感器輸出的微弱信號(hào)進(jìn)行放大,并使輸出信號(hào)與輸入信號(hào)的波形保持一致,確保了輸出信號(hào)的保真度,從而可以提高數(shù)字式溫控器的溫度檢測(cè)精度,使數(shù)字式溫控器能夠更準(zhǔn)確的對(duì)溫度進(jìn)行控制。
[0013](2)本發(fā)明采用AD590電流型集成溫度傳感器,其抗干擾能力強(qiáng),可以提高本發(fā)明的穩(wěn)定性。
[0014](3)本發(fā)明可以對(duì)溫度傳感器輸出的信號(hào)進(jìn)行處理,使信號(hào)的頻率更加穩(wěn)定,從而可以提高輸出信號(hào)的穩(wěn)定性。
[0015](4)本發(fā)明擁有穩(wěn)定的靜態(tài)工作點(diǎn),從而確保輸出的信號(hào)不會(huì)出現(xiàn)失真現(xiàn)象。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為本發(fā)明的穩(wěn)頻電路的結(jié)構(gòu)圖。
[0018]圖3為本發(fā)明的柵極偏置電路的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明,但本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。
[0020]實(shí)施例
[0021]如圖1所示,本發(fā)明主要由溫度傳感器U,一端與溫度傳感器U相連接、另一端經(jīng)電位器R2后接地的電阻Rl,與溫度傳感器U相連接的兩級(jí)放大電路,同時(shí)與兩級(jí)放大電路和溫度傳感器U相連接的穩(wěn)頻電路,分別與兩級(jí)放大電路相連接的反饋電路和電壓跟隨電路,一端接電源、另一端接地、控制端則與兩級(jí)放大電路相連接的電位器R3,以及分別與兩級(jí)放大電路和電壓跟隨電路相連接的柵極偏置電路組成;所述電位器R2的控制端則與電阻Rl和電位器R2的連接點(diǎn)相連接。為了更好的實(shí)施本發(fā)明,該溫度傳感器U優(yōu)選AD590電流型集成溫度傳感器來(lái)實(shí)現(xiàn),該溫度傳感器抗干擾能力強(qiáng),可以提高本發(fā)明的穩(wěn)定性。
[0022]其中,兩級(jí)放大電路由放大器Pl,三極管VTl,放大器P3,電容Cl,電容C3,電位器R3,電阻R5,電阻R6以及電阻R7組成。
[0023]連接時(shí),電容Cl的正極與放大器Pl的正極相連接、其負(fù)極與放大器Pl的輸出端相連接。二極管Dl的P極與放大器Pl的輸出端相連接、其N(xiāo)極經(jīng)電容C3后與三極管VTl的基極相連接。電阻R7串接在放大器P3的正極和輸出端之間。電阻R5的一端與放大器P3的正極相連接、其另一端則與電位器R3的控制端相連接。
[0024]同時(shí),所述放大器Pl的負(fù)極與溫度傳感器U相連接、其輸出端則與反饋電路相連接。所述三極管VTl的發(fā)射極與反饋電路相連接、其集電極則與放大器P3的負(fù)極相連接。所述放大器P3的輸出端分別與反饋電路和電壓跟隨電路相連接;所述放大器Pl的輸出端與穩(wěn)頻電路的輸出端相連接。所述柵極偏置電路的輸入端則與放大器P3的輸出端相連接。
[0025]另外,所述反饋電路由放大器P2,電阻R4,電阻R6,電阻R8,電容C2以及電容C4組成。該電容C2的正極與放大器Pl的輸出端相連接、其負(fù)極與放大器P2的輸出端相連接。電阻R4串接在放大器P2的輸出端和負(fù)極之間。電阻R6串接在放大器P2的正極和三極管VTl的發(fā)射極之間。電容C4的正極與放大器P2的負(fù)極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R8后與放大器P3的輸出端相連接。所述電容C4的負(fù)極接地。
[0026]該電壓跟隨電路由三極管VT2,二極管D2,電阻R9,電阻R10,電容C5以及電容C6組成。
[0027]連接時(shí),電阻RlO的一端與二極管02的_及相連接、其另一端作為該電壓跟隨電路的輸出端并接外部控制系統(tǒng)。電容C6的正極與二極管02的_及相連接、其負(fù)極則與三極管VT2的集電極相連接。電容C5的正極柵極偏置電路的輸出端相連接、負(fù)極與三極管VT2的基極相連接。電阻R9的一端與三極管VT2的發(fā)射極相連接、其另一端接地。
[0028]如圖2所示,所述穩(wěn)頻電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOS,三極管VT3,三極管VT4,電感L,電阻Rl I,電阻Rl 2,電阻Rl 3,電容C7,電容C8,電容C9,電容Cl O,二極管D3以及二極管D4組成。
[0029]連接時(shí),電感L的一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、其另一端與電源相連接。電容C7的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、其負(fù)極與三極管VT3的集電極相連接。二極管D4的N極與三極管VT4的基極相連接、其P極經(jīng)電阻Rll后與三極管VT3的集電極相連接。二極管D3的N極與二極管D4的P極相連接、其P極與三極管VT3的發(fā)射極相連接。電容C9的正極與二極管D4的N極相連接、其負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接。電容ClO的正極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R13后形成該穩(wěn)頻電路的輸出端并與放大器Pl的輸出端相連接。電容C8的正極與三極管VT3的集電極相連接、其負(fù)極與經(jīng)電阻R12后與電容ClO的負(fù)極相連接。
[0030]同時(shí),所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極作為該穩(wěn)頻電路的輸入端并與溫度傳感器U相連接、其源極接地。所述三極管VT3的基極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接、其發(fā)射極則與三極管VT4的發(fā)射極相連接。所述三極管VT4的集電極與電容C8的負(fù)極相連接。
[0031]如圖3所示,所述柵極偏置電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOSl,三極管VT5,電阻R14,電阻R15,電阻R16,電阻R17,電阻R18,電阻R19,電容C11,電容C12,電容C13,電容C14,電容C15,電容C16,二極管D5以及二極管D6組成。
[0032]連接時(shí),電容C12的負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、其正極作為該柵極偏置電路的輸入端并與放大器P3的輸出端相連接。電容C13的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R17后接地。二極管D5的P極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、其N(xiāo)極經(jīng)電阻R15后與電容C13的負(fù)極相連接。電容Cll的負(fù)極接地、其正極經(jīng)電阻R14后與二極管D5的N極相連接。電阻Rl 6的一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOSI的漏極相連接、其另一端接地。二極管D6的P極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、其N(xiāo)極與三極管VT5的基極相連接。電容C15的正極與二極管D6的N極相連接、其負(fù)極接地。電阻R19的一端與三極管VT5的發(fā)射極相連接、其另一端與電容C15的負(fù)極相連接。電容C14的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、其負(fù)極作為該柵極偏置電路的輸出端并與電容C5的正極相連接。電容Cl 6的正極與電容C14的負(fù)極相連接、其負(fù)極與三極管VT5的集電極相連接。電阻R18與電容C16相并聯(lián)。
[0033]本發(fā)明可以對(duì)溫度傳感器輸出的微弱信號(hào)進(jìn)行放大,并使輸出信號(hào)與輸入信號(hào)的波形保持一致,本發(fā)明還擁有穩(wěn)定的靜態(tài)工作點(diǎn),使輸出的信號(hào)不會(huì)出現(xiàn)失真現(xiàn)象,確保了輸出信號(hào)的保真度;本發(fā)明還可以對(duì)溫度傳感器輸出的信號(hào)進(jìn)行處理,使信號(hào)的頻率更加穩(wěn)定從而可以提高數(shù)字式溫控器的溫度檢測(cè)精度,使數(shù)字式溫控器能夠更準(zhǔn)確的對(duì)溫度進(jìn)行控制。
[0034]如上所述,便可很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng),其特征在于,主要由溫度傳感器U,一端與溫度傳感器U相連接、另一端經(jīng)電位器R2后接地的電阻Rl,與溫度傳感器U相連接的兩級(jí)放大電路,同時(shí)與兩級(jí)放大電路和溫度傳感器U相連接的穩(wěn)頻電路,分別與兩級(jí)放大電路相連接的反饋電路和電壓跟隨電路,一端接電源、另一端接地、控制端則與兩級(jí)放大電路相連接的電位器R3,以及分別與兩級(jí)放大電路和電壓跟隨電路相連接的柵極偏置電路組成;所述電位器R2的控制端則與電阻Rl和電位器R2的連接點(diǎn)相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng),其特征在于,所述柵極偏置電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOSl,三極管VT5,負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、正極作為該柵極偏置電路的輸入端的電容C12,正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R17后接地的電容C13,P極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、N極經(jīng)電阻R15后與電容C13的負(fù)極相連接的二極管D5,負(fù)極接地、正極經(jīng)電阻R14后與二極管05的_及相連接的電容Cl I,一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、另一端接地的電阻R16,P極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、N極與三極管VT5的基極相連接的二極管D6,正極與二極管D6的N極相連接、負(fù)極接地的電容C15,一端與三極管VT5的發(fā)射極相連接、另一端與電容C15的負(fù)極相連接的電阻R19,正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、負(fù)極作為該柵極偏置電路的輸出端的電容C14,正極與電容C14的負(fù)極相連接、負(fù)極與三極管VT5的集電極相連接的電容C16,以及與電容C16相并聯(lián)的電阻R18組成;所述柵極偏置電路的輸入端與兩級(jí)放大電路相連接、其輸出端則與電壓跟隨電路相連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng),其特征在于,所述穩(wěn)頻電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOS,三極管VT3,三極管VT4,一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、另一端與電源相連接的電感L,正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、負(fù)極與三極管VT3的集電極相連接的電容C7,N極與三極管VT4的基極相連接、P極經(jīng)電阻R11后與三極管VT3的集電極相連接的二極管D4,N極與二極管D4的P極相連接、P極與三極管VT3的發(fā)射極相連接的二極管D3,正極與二極管D4的N極相連接、負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接的電容C9,正極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R13后形成該穩(wěn)頻電路的輸出端的電容ClO,以及正極與三極管VT3的集電極相連接、負(fù)極與經(jīng)電阻R12后與電容ClO的負(fù)極相連接的電容CS組成;所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極作為該穩(wěn)頻電路的輸入端并與溫度傳感器U相連接、其源極接地;所述三極管VT3的基極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接、其發(fā)射極則與三極管VT4的發(fā)射極相連接;所述三極管VT4的集電極與電容C8的負(fù)極相連接;所述穩(wěn)頻電路的輸出端則接兩級(jí)放大電路。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng),其特征在于,所述兩級(jí)放大電路由放大器Pl,三極管VTl,放大器P3,正極與放大器Pl的正極相連接、負(fù)極與放大器Pl的輸出端相連接的電容Cl,P極與放大器Pl的輸出端相連接、N極經(jīng)電容C3后與三極管VTl的基極相連接的二極管DI,串接在放大器P3的正極和輸出端之間的電阻R7,以及一端與放大器P3的正極相連接、另一端則與電位器R3的控制端相連接的電阻R5組成;所述放大器Pl的負(fù)極與溫度傳感器U相連接、其輸出端則與反饋電路相連接;所述三極管VTI的發(fā)射極與反饋電路相連接、其集電極則與放大器P3的負(fù)極相連接;所述放大器P3的輸出端分別與反饋電路和電壓跟隨電路相連接;所述放大器Pl的輸出端與穩(wěn)頻電路的輸出端相連接;所述柵極偏置電路的輸入端則與放大器P3的輸出端相連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng),其特征在于,所述反饋電路由放大器P2,正極與放大器Pl的輸出端相連接、負(fù)極與放大器P2的輸出端相連接的電容C2,串接在放大器P2的輸出端和負(fù)極之間的電阻R4,串接在放大器P2的正極和三極管VTl的發(fā)射極之間的電阻R6,以及正極與放大器P2的負(fù)極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R8后與放大器P3的輸出端相連接的電容C4組成;所述電容C4的負(fù)極接地。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng),其特征在于,所述電壓跟隨電路由三極管VT2,二極管D2,一端與二極管02的_及相連接、另一端作為該電壓跟隨電路的輸出端的電阻R10,正極與二極管02的_及相連接、負(fù)極則與三極管VT2的集電極相連接的電容C6,正極與柵極偏置電路的輸入端相連接、負(fù)極與三極管VT2的基極相連接的電容C5,以及一端與三極管VT2的發(fā)射極相連接、另一端接地的電阻R9組成。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種穩(wěn)頻式高精度數(shù)字式溫控器用信號(hào)采集處理系統(tǒng),其特征在于,所述溫度傳感器U為AD590電流型集成溫度傳感器。
【文檔編號(hào)】G05D23/19GK106020266SQ201610454608
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年6月21日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請(qǐng)人】成都特普瑞斯節(jié)能環(huán)??萍加邢薰?br>
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