一種電壓開關(guān)控制電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電壓開關(guān)控制電路。
【背景技術(shù)】
[0002]單片機被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制領(lǐng)域，它是一種集成電路芯片，即把計算機系統(tǒng)集成到一個芯片上，相當(dāng)于一個微型的計算機。但是，單片機在正常關(guān)斷后，其實仍處于工作狀態(tài)，用萬用表可以測出單片機在正常關(guān)斷之后，漏電流還是很大。這是因為沒有完全切斷單片機的供電電壓，單片機處于休眠狀態(tài)，在休眠狀態(tài)中單片機仍然在工作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種電壓開關(guān)控制電路，可以完全關(guān)斷單片機的電源。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了提供一種電壓開關(guān)控制電路，包括:電源、第一 MOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一二極管、第二二極管、控制芯片、三極管、穩(wěn)壓管以及控制開關(guān)，所述控制芯片包括復(fù)位端口、電源端口以及時鐘端口，其中:
[0005]所述電源分別與所述穩(wěn)壓管的負(fù)極、所述第一電阻的一端以及所述第一 MOS管的源極連接，所述第一 MOS管的漏極與所述控制芯片的電源端口連接，所述第一 MOS管的柵極分別與所述穩(wěn)壓管的正極、所述第一電阻的另一端以及所述第二電阻的一端連接，所述第二電阻的另一端分別與所述第一二極管的正極以及所述三極管的集電極連接，所述第一二極管的負(fù)極分別與所述第二二極管的負(fù)極以及所述控制開關(guān)的一端連接，所述第二二極管的正極與所述控制芯片的時鐘端口連接，所述三極管的基極分別與所述第三電阻的一端以及所述第四電阻的一端連接，所述第三電阻的另一端與所述控制芯片的復(fù)位端口連接，所述第四電阻的另一端、所述三極管的發(fā)射極以及所述控制開關(guān)的另一端接地。
[0006]可選的，所述電路還包括第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第二 MOS管、第一電容、第二電容、所述控制芯片還包括輸出端口以及輸入端口，其中:
[0007]所述控制芯片的輸出端口與所述第五電阻的一端連接，所述第五電阻的另一端分別與所述第六電阻的一端以及所述第二 MOS管的柵極連接，所述第六電阻的另一端分別與所述第二 MOS管的源極、所述第七電阻的一端以及所述控制芯片的電源端口連接，所述第七電阻的另一端分別與所述控制芯片的輸出端口、所述第一電容的一端以及所述第八電阻的一端連接，所述第二 MOS管的漏極與所述第二電容的一端連接，所述第一電容的另一端、所述第八電阻的另一端以及所述第二電容的另一端接地。
[0008]可選的，所述電路還包括第一恒流芯片以及第二恒流芯片，所述第一恒流芯片包括電源端口、輸出端口以及接地端口，所述第二恒流芯片包括電源端口、輸出端口以及接地端口，其中:
[0009]所述第一恒流芯片的電源端口和所述第二恒流芯片的電源端口分別與所述第二MOS管的漏極連接，所述第一恒流芯片的輸出端口與所述第二恒流芯片的輸出端口連接，所述第一;〖亙流芯片的接地端口和所述第二恒流芯片的接地端口接地。
[0010]可選的，所述電路還包括基準(zhǔn)電源以及第九電阻，所述控制芯片還包括第一基準(zhǔn)端口以及第二基準(zhǔn)端口，其中:
[0011]所述控制芯片的第一基準(zhǔn)端口與所述第九電阻一端連接，所述第九電阻的另一端分別與所述基準(zhǔn)電源的負(fù)極、所述控制芯片的第二基準(zhǔn)端口以及所述基準(zhǔn)電源的參考極連接，所述基準(zhǔn)電源的正極接地。
[0012]進(jìn)一步的，當(dāng)按下所述控制開關(guān)時，所述第一 MOS管的柵極電壓被拉低，使得所述第一 MOS管的漏極和源極之間導(dǎo)通，以使所述電源將電壓輸入到所述控制芯片的電源端□。
[0013]進(jìn)一步的，當(dāng)按下所述控制開關(guān)時，所述控制芯片時鐘端口的電壓被拉低，使得所述控制芯片的復(fù)位端口輸出高電平，以使所述三極管的集電極和發(fā)射極之間導(dǎo)通；
[0014]當(dāng)斷開所述控制開關(guān)時，由于所述三極管的集電極和發(fā)射極之間導(dǎo)通，使得所述第一 MOS管的漏極和源極之間繼續(xù)處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述電源持續(xù)將電壓輸入到所述控制芯片的電源端口，同時由于所述第一二極管的單向?qū)щ娮饔茫沟盟隹刂菩酒臅r鐘端口處于高電平狀態(tài)。
[0015]進(jìn)一步的，當(dāng)再次按下所述控制開關(guān)時，所述控制芯片的時鐘端口的電壓被拉低，使得所述控制芯片的復(fù)位端口輸出低電平，以使所述三極管的集電極和發(fā)射極之間處于斷開狀態(tài)；
[0016]當(dāng)再次斷開所述控制開關(guān)時，由于所述三極管的集電極和發(fā)射極之間處于斷開狀態(tài)，所述第一 MOS管的柵極電壓被拉高，使得所述第一 MOS管的漏極和源極之間處于斷開狀態(tài)，以使所述電源與所述控制芯片的電源端口斷開。
[0017]進(jìn)一步的，所述控制芯片的輸出端口向所述第二 MOS管的柵極輸出電壓控制信號，使得所述第二 MOS管的漏極和源極之間斷開或者導(dǎo)通，以使所述第一恒流芯片和所述第二恒流芯片輸出恒定電壓。
[0018]其中，所述控制芯片為單片機，所述單片機的型號為ATinyl3A。
[0019]其中，所述第一 MOS管為P型MOS管，所述P型MOS管的型號為IR4905。
[0020]實施本發(fā)明，具有如下有益效果:所述電路包括電源、第一 MOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一二極管、第二二極管、控制芯片、三極管、穩(wěn)壓管以及控制開關(guān)，所述控制芯片包括復(fù)位端口、電源端口以及時鐘端口，其中，所述電源分別與所述穩(wěn)壓管的負(fù)極、所述第一電阻的一端以及所述第一 MOS管的源極連接，所述第一 MOS管的漏極與所述控制芯片的電源端口連接，所述第一 MOS管的柵極分別與所述穩(wěn)壓管的正極、所述第一電阻的另一端以及所述第二電阻的一端連接，所述第二電阻的另一端分別與所述第一二極管的正極以及所述三極管的集電極連接，所述第一二極管的負(fù)極分別與所述第二二極管的負(fù)極以及所述控制開關(guān)的一端連接，所述第二二極管的正極與所述控制芯片的時鐘端口連接，所述三極管的基極分別與所述第三電阻的一端以及所述第四電阻的一端連接，所述第三電阻的另一端與所述控制芯片的復(fù)位端口連接，所述第四電阻的另一端、所述三極管的發(fā)射極以及所述控制開關(guān)的另一端接地。通過控制開關(guān)可以完全關(guān)斷單片機的電源，降低能耗。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1是本發(fā)明提出的一種電壓開關(guān)控制電路的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0023]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0024]請參考圖1，圖1是本發(fā)明提出的一種電壓開關(guān)控制電路的電路原理圖。本發(fā)明實施例可以通過開關(guān)完全關(guān)斷所述控制芯片的電源，如圖所示所述電路包括如圖所示的電源VBAT、第一 MOS管Q2、第一電阻R7、第二電阻R8、第三電阻R9、第四電阻R10、第一二極管D2、第二二極管D3、控制芯片U2、三極管Q3、穩(wěn)壓管ZDl以及控制開關(guān)SI，所述控制芯片U2包括復(fù)位端口 PB5、電源端口 VCC以及時鐘端口 PB2，其中:
[0025]所述電源VBAT分別與所述穩(wěn)壓管ZDl的負(fù)極、所述第一電阻R7的一端以及所述第一 MOS管Q2的源極連接，所述第一 MOS管Q2的漏極與所述控制芯片U2的電源端口 VCC連接，所述第一 MOS管Q2的柵極分別與所述穩(wěn)壓管ZDl的正極、所述第一電阻R7的另一端以及所述第二電阻R8的一端連接，所述第二電阻R8的另一端分別與所述第一二極管D2的正極以及所述三極管Q3的集電極連接，所述第一二極管D2的負(fù)極分別與所述第二二極管D3的負(fù)極以及所述控制開關(guān)SI的一端連接，所述第二二極管D3的正極與所述控制芯片U2的時鐘端口 PB2連接，所述三極管Q3的基極分別與所述第三電阻R9的一端以及所述第四電阻RlO的一端連接，所述第三電阻R9的另一端與所述控制芯片U2的復(fù)位端口 PB5連接，所述第四電阻RlO的另一端、所述三極管Q3的發(fā)射極以及所述控制開關(guān)SI的另一端接地。
[0026]可選的，所述電路還包括第五電阻R6、第六電阻R5、第七電阻R3、第八電阻R4、第二 MOS管Ql、第一電容C2、第二電容C3、第一恒流芯片U3以及第二恒流芯片U4，所述第一恒流芯片U3包括電源端口 VCC以及接地端口 GND，所述第二恒流芯片U4包括電源端口 VCC以及接地端口 GND，所述控制芯片U2還包括輸出端口 PBl以及輸入端口 ΡΒ0，其中:
[0027]所述控制芯片U2的輸出端口 PBl與所述第五電阻R6的一端連接，所述第五電阻R6的另一端分別與所述第六電阻R5的一端以及所述第二 MOS管Ql的柵極連接，所述第六電阻R5的另一端分別與所述第二 MOS管Ql的源極、所述第七電阻R3的一端以及所述控制芯片U2的電源端口 VCC連接，所述第七電阻R3的另一端分別與所述控制芯片U2的輸出端口 ΡΒ0、所述第一電容C2的一端以及所述第八電阻R4的一端連接，所述第二MOS管Ql的漏極分別與所述第二電容C3的一端、所述第一恒流芯片U3的電源端口 VCC以及所述第二恒流芯片U4的電源端口 VCC連接，所述第一電容C2的另一端、所述第八電阻R4的另一端、所述第二電容C3的另一端、所述第一恒流芯片U3的接地端口 GND以及所