專利名稱：半導(dǎo)體制造設(shè)備管理系統(tǒng)的工藝條件控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備管理系統(tǒng)的工藝條件的控制方法，特別是涉及通過主計(jì)算機(jī)對(duì)將在設(shè)備中處理的各個(gè)晶片不同地指定特定處理工序標(biāo)識(shí)和處理程序標(biāo)識(shí)(PPID)的方法，從而明顯提高設(shè)備的整體生產(chǎn)率。
通常，通過高精度工藝來制造半導(dǎo)體器件。為此高精度工藝，在半導(dǎo)體生產(chǎn)線上設(shè)置高功能設(shè)備。
由操作者通過管理系統(tǒng)對(duì)各設(shè)備的運(yùn)行進(jìn)行精心地監(jiān)控，以便可以提高設(shè)備的運(yùn)行效率。
如

圖1所示，半導(dǎo)體制造設(shè)備3設(shè)置于生產(chǎn)線上。各晶片分別插入盒10的各槽中，形成一批晶片。該批晶片被引入設(shè)備3中進(jìn)行處理。
通過與設(shè)備3在線連接的操作者接口個(gè)人計(jì)算機(jī)(O/I PC)2，操作者對(duì)設(shè)備3的運(yùn)行進(jìn)行精心地監(jiān)控。
設(shè)備3通過設(shè)備服務(wù)器4與主機(jī)1在線連接。主機(jī)1與O/I PC 2在線連接。
一旦操作者把基本制造數(shù)據(jù)，例如待在設(shè)備3中處理的該批晶片10的標(biāo)識(shí)，通過O/I PC2輸入主機(jī)1，主機(jī)1根據(jù)輸入的基本制造數(shù)據(jù)，檢索如圖2所示的處理工序標(biāo)識(shí)和PPID表，計(jì)算通常施加于分組為批次的晶片的工藝條件數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)由操作者輸入的對(duì)應(yīng)于產(chǎn)品批次標(biāo)識(shí)‘A’的晶片的處理工序標(biāo)識(shí)是‘A0010’時(shí)，主機(jī)1把處理工序標(biāo)識(shí)‘A0010’與圖2的表所給出的PPID‘a(chǎn)’組合。然后，主機(jī)1計(jì)算通常施加給對(duì)應(yīng)于產(chǎn)品批次標(biāo)識(shí)‘A’的晶片的工藝條件數(shù)據(jù)。
之后，操作者檢查工藝條件數(shù)據(jù)，輸入開始處理命令或終止處理命令，通過在設(shè)備3中的推進(jìn)和拉出該批晶片，對(duì)設(shè)備3中的晶片進(jìn)行處理。結(jié)果，根據(jù)公共的PPID‘a(chǎn)’對(duì)設(shè)備3中可以獨(dú)立操作的多個(gè)處理室5進(jìn)行操作，根據(jù)公共的PPID‘a(chǎn)’在處理室5中對(duì)盒10的槽中的晶片進(jìn)行處理。
但是，由于傳統(tǒng)的管理系統(tǒng)中的主機(jī)1對(duì)于盒中的多個(gè)晶片僅能指定一個(gè)處理工序標(biāo)識(shí)和一個(gè)PPID，所以用公共地指定的處理工序標(biāo)識(shí)和PPID不能滿足各晶片的不同需要。
當(dāng)處理大規(guī)模的晶片時(shí)，傳統(tǒng)的管理系統(tǒng)的這種缺點(diǎn)變得愈加嚴(yán)重。大規(guī)模的晶片需要根據(jù)為其每個(gè)設(shè)計(jì)的特定處理工序標(biāo)識(shí)和PPID進(jìn)行逐個(gè)地處理。
因此，本發(fā)明的目的在于為插在盒的各個(gè)槽中的每個(gè)晶片指定不同的處理工序標(biāo)識(shí)或者PPID，根據(jù)不同地指定的各處理工序標(biāo)識(shí)或各PPID處理晶片。
本發(fā)明的另一目的在于根據(jù)為每個(gè)晶片不同指定的處理工序標(biāo)識(shí)或者PPID有效地處理大規(guī)模的晶片。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的和其它優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體制造設(shè)備管理系統(tǒng)的工藝條件的控制方法。在此方法中，從操作者接收準(zhǔn)備在設(shè)置于管理系統(tǒng)的設(shè)備中進(jìn)行處理的多個(gè)晶片的標(biāo)識(shí)，并與對(duì)應(yīng)的處理工序標(biāo)識(shí)組合。然后，該處理工序標(biāo)識(shí)與對(duì)應(yīng)的PPID組合。把晶片標(biāo)識(shí)、處理工序標(biāo)識(shí)和PPID作為工藝條件數(shù)據(jù)處理。之后，確定是否輸入了推進(jìn)信號(hào)。如果確定輸入了推進(jìn)信號(hào)，把工藝條件數(shù)據(jù)下載給對(duì)應(yīng)于設(shè)備的設(shè)備服務(wù)器。根據(jù)下載的工藝條件數(shù)據(jù)，改變?cè)O(shè)備控制信息。改變后的設(shè)備控制信息下載于該設(shè)備。
設(shè)備控制信息更可取的是流函數(shù)信息。
設(shè)備控制信息更可取的是S2F41。
因此，本發(fā)明能夠?yàn)椴迦牒械拿總€(gè)晶片指定特定的處理工序標(biāo)識(shí)和PPID。
通過參考附圖具體說明優(yōu)選實(shí)施例，將可進(jìn)一步了解本發(fā)明的上述目的和其他優(yōu)點(diǎn)。
圖1是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造設(shè)備管理系統(tǒng)的示意圖；圖2是存儲(chǔ)于傳統(tǒng)的主計(jì)算機(jī)中的處理工序標(biāo)識(shí)和PPID表的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造設(shè)備管理系統(tǒng)的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的對(duì)半導(dǎo)體制造設(shè)備管理系統(tǒng)的工藝條件進(jìn)行控制的方法的流程圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)于主機(jī)中的處理工序標(biāo)識(shí)和PPID表的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備控制信息內(nèi)容的概念性視圖；以及圖7展示的是根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備運(yùn)行。
以下將參考附圖更全面地說明本發(fā)明，圖中展示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以按許多不同的方式來體現(xiàn)，并不限于按這里給出的實(shí)施例來構(gòu)成；而是提供這些實(shí)施例以便徹底和完整地公開本發(fā)明，使本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面了解本發(fā)明的范圍。
如圖3所示，主機(jī)1包括工藝條件組合模塊20，其能夠接收由操作者輸入的各晶片的接收標(biāo)識(shí)，并使晶片標(biāo)識(shí)與對(duì)應(yīng)于每個(gè)晶片標(biāo)識(shí)的處理工序標(biāo)識(shí)或PPID組合。
工藝條件組合模塊20為每個(gè)晶片標(biāo)識(shí)形成處理工序標(biāo)識(shí)或PPID作為工藝條件數(shù)據(jù)，并通過設(shè)備服務(wù)器4把工藝條件數(shù)據(jù)下載給設(shè)備3，以使設(shè)備3可以根據(jù)處理工序標(biāo)識(shí)或PPID分別運(yùn)行其多個(gè)室5。結(jié)果，可以在用于每個(gè)晶片的期望的特定工藝條件下處理插入盒10的每個(gè)槽中的晶片。
在傳統(tǒng)的管理系統(tǒng)中，根據(jù)公共的特定處理工序標(biāo)識(shí)或公共的特定PPID，對(duì)插入盒中并分組成批次的一系列晶片進(jìn)行處理。結(jié)果，當(dāng)它們需要不同的處理工序標(biāo)識(shí)或PPID時(shí)，不能適當(dāng)?shù)靥幚磉@些晶片。
但是，在根據(jù)本發(fā)明的管理系統(tǒng)中，設(shè)備3通過工藝條件組合模塊20的控制接收各種處理工序標(biāo)識(shí)或PPID，這些標(biāo)識(shí)是為插入盒10的各個(gè)槽中的每個(gè)晶片不同指定的。因此，設(shè)備可以根據(jù)用于每個(gè)晶片的特定處理工序標(biāo)識(shí)或特定PPID來處理晶片。
以下參考圖4的流程圖更具體地說明根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造設(shè)備管理系統(tǒng)的工藝條件控制方法。首先，操作者通過O/I PC2把基本制造數(shù)據(jù)例如待處理晶片的標(biāo)識(shí)輸入工藝條件組合模塊20。然后，工藝條件組合模塊20實(shí)時(shí)接收各晶片標(biāo)識(shí)(S11)。因此，工藝條件組合模塊20立即識(shí)別如圖7所示插入盒10的各個(gè)槽11中的各晶片100的標(biāo)識(shí)。
之后，工藝條件組合模塊20檢索主機(jī)1的數(shù)據(jù)庫，把各晶片標(biāo)識(shí)分別與對(duì)應(yīng)的處理工序標(biāo)識(shí)組合(S12)。例如，工藝條件組合模塊20檢索如圖5所示的處理工序標(biāo)識(shí)和PPID表，把插入盒10的第一槽11a中的并具有標(biāo)識(shí)1的第一晶片101與處理工序標(biāo)識(shí)‘A0010’組合，把插入盒10的第二槽11b中的并具有標(biāo)識(shí)2的第二晶片102與處理工序標(biāo)識(shí)‘A0020’組合，把插入盒10的第三槽11c中的并具有標(biāo)識(shí)3的第三晶片103與處理工序標(biāo)識(shí)‘A0030’組合，把插入盒10的第四槽11d中的并具有標(biāo)識(shí)4的第四晶片104與處理工序ID‘A0040’組合。因此，為插入盒10的各個(gè)槽11中的每個(gè)晶片100指定特定的處理工序標(biāo)識(shí)。
接著，工藝條件組合模塊20檢索主機(jī)1的數(shù)據(jù)庫，把處理工序標(biāo)識(shí)分別與對(duì)應(yīng)的PPID組合(S20)。例如，工藝條件組合模塊20檢索處理工序標(biāo)識(shí)和PPID表，把與第一晶片101組合的處理工序標(biāo)識(shí)‘A0010’與對(duì)應(yīng)的PPID‘a(chǎn)l’組合，把與第二晶片102組合的處理工序標(biāo)識(shí)‘A0020’與對(duì)應(yīng)的PPID‘b2’組合，把與第三晶片103組合的處理工序標(biāo)識(shí)‘A0030’與對(duì)應(yīng)的PPID‘c3’組合，把與第四晶片104組合的處理工序標(biāo)識(shí)‘A0040’與對(duì)應(yīng)的PPID‘d4’組合。由此，為插入盒10的各個(gè)槽11中的每個(gè)晶片100指定特定的PPID。
之后，工藝條件組合模塊20為每個(gè)晶片100形成特定的處理工序標(biāo)識(shí)和PPID作為工藝條件數(shù)據(jù)，通過監(jiān)視O/I PC2確定操作者是否輸入了推進(jìn)信號(hào)(S31和S32)。
如果確定未輸入推進(jìn)信號(hào)，則工藝條件組合模塊20確定延遲對(duì)該批晶片的處理，終止控制處理流程。
如果確定輸入了推進(jìn)信號(hào)，則工藝條件組合模塊20確定操作者認(rèn)可工藝條件數(shù)據(jù)并對(duì)每個(gè)晶片100進(jìn)行特定處理，把工藝條件數(shù)據(jù)下載到設(shè)備服務(wù)器4(S40)。由此，設(shè)備服務(wù)器4根據(jù)工藝條件數(shù)據(jù)改變待下載于設(shè)備3的設(shè)備控制信息(S51)。
例如，根據(jù)由工藝條件組合模塊20形成的如圖6所示的工藝條件數(shù)據(jù)，設(shè)備服務(wù)器4改變?cè)O(shè)備控制信息的內(nèi)容。第一晶片101的處理工序標(biāo)識(shí)改變?yōu)椤瓵0010’，第二晶片102的處理工序標(biāo)識(shí)改變?yōu)椤瓵0020’，第三晶片103的處理工序標(biāo)識(shí)改變?yōu)椤瓵0030’，第四晶片104的處理工序標(biāo)識(shí)改變?yōu)椤瓵0040’。此外，對(duì)應(yīng)于第1槽11a的PPID改變?yōu)椤產(chǎn)1’，對(duì)應(yīng)于第2槽11b的PPID改變?yōu)椤産2’，對(duì)應(yīng)于第3槽11c的PPID改變?yōu)椤甤3’，對(duì)應(yīng)于第4槽11d的PPID改變?yōu)椤甦4’。
接著，設(shè)備服務(wù)器4把如上所述改變的設(shè)備控制信息下載于設(shè)備3(S52)。
此時(shí)，根據(jù)本發(fā)明，從設(shè)備服務(wù)器4下載給設(shè)備3的設(shè)備控制信息是可使通信平穩(wěn)的流函數(shù)信息。設(shè)備控制信息的流函數(shù)形式最好是適用于標(biāo)準(zhǔn)的S2F41。例如，為了使設(shè)備服務(wù)器通過上述步驟改變?cè)O(shè)備控制信息，并通過改變?cè)O(shè)備3的狀態(tài)對(duì)插入盒10的各個(gè)槽11中的每個(gè)晶片100進(jìn)行特定的處理，設(shè)備服務(wù)器4把改變后的設(shè)備控制信息加載到流函數(shù)信息S2F41上，把其上加載了改變后的設(shè)備控制信息的流函數(shù)信息S2F41下載于設(shè)備3。從而根據(jù)改變的S2F41的內(nèi)容改變?cè)O(shè)備3的狀態(tài)。
之后，設(shè)備3施加為各晶片100插入其中的每個(gè)槽11指定的處理工序標(biāo)識(shí)和PPID，立即對(duì)其中每個(gè)進(jìn)行特定的處理。例如，如圖7所示設(shè)備3使用臂3a從盒10的第一槽11a取出第一晶片101，把第一晶片101加載于第一處理室5a。然后，設(shè)備3根據(jù)對(duì)應(yīng)于處理工序標(biāo)識(shí)‘A0010’的PPID‘a(chǎn)1’操縱第一處理室5a。結(jié)果，第一晶片101在其特定工藝條件下進(jìn)行處理。
使用臂3a從盒10的第二槽11b取出第二晶片102，并加載于第二處理室5b。然后，根據(jù)對(duì)應(yīng)于處理工序標(biāo)識(shí)‘A0020’的PPID‘b2’操縱第二處理室5b。結(jié)果，第二晶片102在其特定工藝條件下進(jìn)行處理。
使用臂3a從盒10的第三槽11c取出第三晶片103，并加載于第三處理室5c。然后，根據(jù)對(duì)應(yīng)于處理工序標(biāo)識(shí)‘A0030’的PPID‘c3’操縱第三處理室5c。結(jié)果，第三晶片103在其特定工藝條件下進(jìn)行處理。
使用臂3a從盒10的第四槽11d取出第四晶片104，并加載于第四處理室5d。然后，根據(jù)對(duì)應(yīng)于處理工序標(biāo)識(shí)‘A0040’的PPID‘d4’操縱第四處理室5d。結(jié)果，第四晶片104在其特定工藝條件下進(jìn)行處理。
因此，在為每個(gè)晶片指定的特定工藝條件下，把插入盒10的各個(gè)槽中的各晶片100制造成具有良好質(zhì)量的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
之后，工藝條件組合模塊20反復(fù)進(jìn)行上述步驟，從而使加載于設(shè)備3的全部晶片100均可在各自特定的工藝條件下進(jìn)行處理。
如上所述，本發(fā)明通過利用主機(jī)為每個(gè)晶片不同地指定處理工序標(biāo)識(shí)和PPID，能夠顯著地提高設(shè)備的整體生產(chǎn)率。
本發(fā)明可以應(yīng)用于設(shè)置在生產(chǎn)線上并需要預(yù)定的控制而對(duì)效率無絲毫降低的半導(dǎo)體制造設(shè)備。
以上參考實(shí)施例已對(duì)本發(fā)明做了說明。但是，按照上述說明顯然本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以做出許多替換、改進(jìn)和變形。因此，本發(fā)明包含處于權(quán)利要求書的精髓和范圍內(nèi)的所有這些替換、改進(jìn)和變形。
如上所述，在半導(dǎo)體制造設(shè)備管理系統(tǒng)的工藝條件控制方法中，在主機(jī)中安裝工藝條件監(jiān)視模塊。通過工藝條件監(jiān)視模塊，為其中插入各晶片的盒的每個(gè)槽不同地指定處理工序標(biāo)識(shí)或PPID。從而，通過為每個(gè)晶片指定的特定處理工序標(biāo)識(shí)或PPID，可以把插入各個(gè)槽中的各晶片制造成具有良好質(zhì)量的半導(dǎo)體產(chǎn)品。此外，通過為大規(guī)模的晶片中的每個(gè)分別指定處理工序標(biāo)識(shí)或PPID，也可以處理大規(guī)模的晶片。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體制造設(shè)備管理系統(tǒng)的工藝條件的控制方法，包括以下步驟接收由操作者指定的多個(gè)晶片標(biāo)識(shí)，把所述晶片標(biāo)識(shí)分別與所述晶片標(biāo)識(shí)所對(duì)應(yīng)的處理工序標(biāo)識(shí)組合；把所述處理工序標(biāo)識(shí)分別與所述處理工序標(biāo)識(shí)所對(duì)應(yīng)的PPID組合；處理所述晶片標(biāo)識(shí)、所述處理工序標(biāo)識(shí)和所述PPID作為工藝條件數(shù)據(jù)，確定是否輸入了推進(jìn)信號(hào)；如果確定輸入了所述推進(jìn)信號(hào)，則把所述工藝條件數(shù)據(jù)下載給設(shè)備服務(wù)器；根據(jù)所述工藝條件數(shù)據(jù)改變?cè)O(shè)備控制信息，把所述改變后的設(shè)備控制信息下載于該設(shè)備。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述設(shè)備控制信息是流函數(shù)信息。
3．根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征在于所述設(shè)備控制信息是S2F41。
全文摘要
一種半導(dǎo)體制造設(shè)備管理系統(tǒng)的工藝條件的控制方法。通過安裝在主機(jī)中的工藝條件組合模塊對(duì)半導(dǎo)體制造設(shè)備管理系統(tǒng)的工藝條件進(jìn)行控制。通過工藝條件組合模塊可以為插入盒的合槽中的每個(gè)晶片不同地指定處理工序ID或PPID。根據(jù)為每個(gè)晶片不同地指定的處理工序ID或PPID,可以把晶片制造成具有良好質(zhì)量的半導(dǎo)體產(chǎn)品。使用不同指定的處理工序ID或PPID,可以更有效地處理大規(guī)模的晶片。
文檔編號(hào)G05B19/4155GK1223393SQ9811607
公開日1999年7月21日 申請(qǐng)日期1998年7月16日 優(yōu)先權(quán)日1998年7月16日
發(fā)明者權(quán)大洪 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社