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用于電流鏡的快速上電方案的制作方法

文檔序號:40438032發(fā)布日期:2024-12-24 15:12閱讀:27來源:國知局
用于電流鏡的快速上電方案的制作方法


背景技術(shù):

1、電力供應(yīng)源用于電子器件的所有領(lǐng)域中。在許多情況下,采用一種類型的電流鏡。在電流鏡中,電路的一個分支中的電流可至少部分由電路的不同分支中的電流自動地控制。創(chuàng)建電流鏡所必需的實際電路可能非常簡單,且可經(jīng)由此技術(shù)將電力供應(yīng)到多個不同電路。取決于由電流鏡供電到的電路的數(shù)目和類型,電路的組合可創(chuàng)建用以減緩由電流鏡供應(yīng)的啟動電力的電容。通過使與此電容相關(guān)的電荷自動地放電,可以減小啟動延遲。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本文呈現(xiàn)一種實施用于電流鏡的快速上電方案的電力電路。所述電力電路包含具有第一和第二電流路徑的第一電流鏡電路。經(jīng)過第一電流路徑的電流用于控制經(jīng)過第二電流路徑的電流。所述電力電路進一步包含具有第三和第四電流路徑的第二電流鏡電路,其中通過第三電流路徑的電流用于控制通過第四電流路徑的電流。第二和第三電流路徑經(jīng)對準使得通過第二電流路徑的大部分電流與通過第三電流路徑的大部分電流相同。所述電力電路進一步包含自動放電,所述自動放電經(jīng)配置以實現(xiàn)經(jīng)由第三和第四電流路徑的電流的快速啟動。

2、進一步公開一種額外的快速上電電力電路,其包含第一電流鏡電路。第一電流鏡電路包含通過p型場效應(yīng)晶體管(fet)的第一電流路徑,以及通過第二p型fet和第一n型fet的第二電流路徑。電流鏡電路經(jīng)配置以至少部分地基于通過第一電流路徑的電流控制第二電流路徑中的電流。所述電力電路進一步包含第二電流鏡電路,所述第二電流鏡電路包含所述第二電流路徑和通過第二n型fet的第三電流路徑。第二電流經(jīng)配置以控制通過第三電流路徑的第三電流。第三電流向饋送電路提供電力。所述電力電路還包含經(jīng)配置以實現(xiàn)第三電流的快速啟動的自動放電。

3、還公開一種系統(tǒng),其包括對饋送電路進行饋送的電源。電力電路和饋送電路組合以呈現(xiàn)電容。所述電源包含啟用開關(guān),所述啟用開關(guān)經(jīng)配置以允許電源在啟用開關(guān)被啟用時向饋送電路提供電力。所述電源進一步包含放電電路,所述放電電路經(jīng)配置以在啟用開關(guān)被啟用時使與電容相關(guān)聯(lián)的電荷放電。當(dāng)啟用開關(guān)被啟用時,放電電路自動創(chuàng)建與放電源的連接,且當(dāng)電荷充分放電時自動斷開與放電源的連接,使得到饋送電路的電力的提供不基于電容而受限制。



技術(shù)特征:

1.一種電力電路,其包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力電路,其進一步包括:

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電力電路,其進一步包括:

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電力電路,其中所述第五漏極連接到外部電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力電路,其進一步包括:

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電力電路,進一步其中所述第六源極、所述第七源極和所述第八源極耦合到所述地節(jié)點。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力電路,其中所述感測晶體管、所述偏壓晶體管和所述放電晶體管是n型場效應(yīng)晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力電路,其中所述感測晶體管、所述偏壓晶體管和所述放電晶體管是離散的電子組件。

9.一種電力電路,其包括:

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電力電路,其進一步包括:

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電力電路,其進一步包括:

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電力電路,其中所述第五漏極連接到外部電路。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電力電路,其進一步包括:

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電力電路,進一步其中所述第六源極、所述第七源極和所述第八源極耦合到所述電壓供應(yīng)節(jié)點。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電力電路,其中所述感測晶體管、所述偏壓晶體管和所述充電晶體管是p型場效應(yīng)晶體管。

16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電力電路,其中所述感測晶體管、所述偏壓晶體管和所述充電晶體管是離散的電子組件。

17.一種集成電路,其包括:

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的集成電路,其中所述感測晶體管、所述偏壓晶體管、所述充電/放電晶體管、所述啟用晶體管和所述輸出晶體管是n型場效應(yīng)晶體管。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的集成電路,其中所述感測晶體管、所述偏壓晶體管、所述充電/放電晶體管、所述啟用晶體管和所述輸出晶體管是p型場效應(yīng)晶體管。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的集成電路,其進一步包括


技術(shù)總結(jié)
提供一種自動充電/放電電路,其允許具有高電容的電流鏡電路(275)快速且自動地使電容充電或放電,以便允許快速啟動電力供應(yīng)源(300)。當(dāng)所述電容上的電壓接近所要穩(wěn)態(tài)時,所述充電/放電電路(370)自動停止充電或放電。

技術(shù)研發(fā)人員:S·潘迪
受保護的技術(shù)使用者:德州儀器公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/23
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